CN114830435A - 高频率高电压电流导体设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种高频率高电压电流导体设备(10)，其具有电导体(13、14)，所述高频率高电压电流导体设备设计为，以相对于气态环境(3)和/或接地体(11、12)的高频率高电压运行，其中，所述导体(13、14)在至少一个部位上接触导电的接触装置(15、16)，所述接触装置布置在电绝缘的支架(17、18)上，其中，在所述导电的接触装置(15、16)上布置有导电的场分布组件(19、20)，所述场分布组件与所述接触装置(15、16)导电地连接，并且尤其至少部分地布置在所述支架(17、18)的内部。

Description

高频率高电压电流导体设备

技术领域

本发明涉及一种高频率高电压电流导体设备，其具有电导体，该电导体设计成以相对于气态环境和/或相对于接地体的高频率高电压运行。

背景技术

在高频率技术中，当生成非常高的、例如大约10kW或者更高的功率时，在使用例如功率组合器和测量装置时出现困难。除了具有大约10A及以上的高电流的问题之外，附加地还添加具有大约1kV及以上的高峰值电压的问题。

在高频率技术中，电气构件除了必须能够经受住高电流和电压之外，还必须能够经受住高的电场强。高电压在这里指的是如下电压：在所述电压的情况下，气态环境的电离会在电导体上或者在接触该气态环境的接触装置上开始。该电压不能够通过特定的值来限制，因为该电压非常强烈地取决于气态环境，例如取决于压力、温度、气体组成，此外还取决于电导体的几何形状和接触该电导体的可导电的设备的几何形状，尤其是当这些设备构型为使得这些设备导致场增强

时。这能够例如是尖端、角和/或棱边。例如在电导体的紧固设备的情况下，出现这样的具有棱边的可导电的设备。在高场强的情况下，能够发生电离，尤其是当在气态环境、例如空气中出现高场强时。这种现象早已为人所知，例如在wikipedia.org中描述帕邢定律(https://de.wikipedia.org/wiki/Paschen-Gesetz)或者击穿强度(https://de.wikipedia.org/wiki/Durchschlagsfestigkeit)。根据帕邢所研究的规律，电离例如在环境空气中自典型的3kV/mm的场强起出现。帕邢在此将均匀的场作为基础。然而，在现实中通常有不同的几何形状条件。一方面，场通常不是均匀的，因为带有高电压的电导体具有可能具有角和棱边的形状。在这些角和棱边上出现非常高的、通常不易确定的场强。另一方面，尤其在高频场的情况下，相对于环境也可以已经出现非常强的场。高频率在这里指的是大于1MHz的频率。不仅仅、但尤其在这样的频率的情况下，在导体上出现电离，即使下一个参考电位体、即与参考接地线连接的可导电的主体距离得非常远。这由如下内容引起：在这样的高频振荡的情况下，能量也能够在气态环境中传播而不被电离。因此，在环境中产生接近于接地基准的电位。在这个环境电位，能够产生放电。

自由离子能够导致飞弧

这是非常不期望的。自由粒子还能够分解绝缘体、例如特氟隆。这些绝缘体在此能够改变并且甚至失去其绝缘性能。通过这种方式，绝缘段被缩短，由此可能产生电压击穿。恰恰在简单的构造的情况下，如在圆管到扁平的绝缘体上的过渡部的情况下，在气态环境、尤其空气中出现场强的大程度的过高。

发明内容

本发明的任务在于，在电导体上或者在安装在该电导体上的导电设备上避免这样的电离。

根据本发明，该任务通过根据权利要求1的高频率高电压电流导体(Stromleiter)设备来解决。有利的构型在从属权利要求和说明书中公开。公开了一种高频率高电压电流导体设备，其具有电导体，该电导体设计成以高频率和相对于气态环境和/或接地体的高电压运行，其中，该导体在至少一个部位上接触导电的接触装置，该接触装置布置在电绝缘的支架上，其中，在导电的接触装置上布置有导电的场分布组件，该场分布组件与接触装置导电地连接。该场分布组件能够至少部分地布置在支架的内部。

电导体能够与接地体间隔开地布置。

电导体能够至少逐区段地(abschnittsweise)布置在气态环境中，尤其在不发生电离的情况下。即，电导体能够至少逐区段地以其导电材料暴露于气体、尤其是空气中。

导电的场分布组件能够布置在接地体与导电的接触装置之间。因此，导电的接触装置上的场强能够减小。因此，能够降低电离的危险。

替代地或者附加地，导电的场分布组件能够布置在气态环境与导电的接触装置之间。因此，导电的接触装置上的场强能够减小。因此，能够降低电离的危险。本发明意义上的高频率应理解为≥1MHz且≤500MHz的频率。

本发明意义上的高电压应理解为如下电压：该电压足够大以在高频率高电压电流导体设备上导致进行电离的场强。如上所述，由于该电压取决于非常多的环境变量，因此不能够给出准确的值。但是，可以说，在≥1kV的峰值电压的情况下，这些现象出现的概率非常高。因此，如下设备被认为是在本公开内容意义上的高电压电流导体设备：该设备设计用于这样的电压和/或在该设备的情况下在运行时形成这样高的电压。分别相对于参考电位、例如大地测量该高电压。功率和场强对本发明起着次要作用。

接地应理解为电参考电位、例如大地。高电压能够相对于该参考电位构造。高电压也能够相对于气态环境构造，如上所述。接地体

能够具有任意的几何形状。尤其是，接地体能够构造为板。接地体能够具有平行于电导体的延伸方向的平坦的面。尤其是，该导体能够平行于平面例如曲折形状地

延伸，该接地体的平面能够平行于该平面布置。

支架能够构造为用于支撑场分布组件。支架能够尤其附加地构造为用于支撑电导体。该支架能够替代地或者附加地用于支撑导电的接触装置。支架能够替代地或者附加地保证导体与接地体、尤其是与接地板的预给定的间距。

接触装置能够具有、尤其是在该接触装置的表面和/或指向电导体的侧上具有尤其金属的涂层。接触装置能够由铜构造。接触装置能够构造为印刷导体电路。

场分布组件能够至少逐区段地、尤其完全地平面地构造。通过这种方式，根据本发明的设备能够特别节省空间地构造。

场分布组件能够具有如下棱边和/或尖端：该棱边和/或尖端具有≤0.25mm、尤其是35μm的厚度。通过这种方式，该设备能够非常节省空间地构造。该棱边和/或尖端能够优选完全地布置在电绝缘的支架的内部。在该棱边和/或尖端上能够形成非常高的场强，该场强为2kV/mm或者更大。当该棱边和/或尖端布置在电绝缘的支架的内部时，该电绝缘的支架能够如此设计，使得这样高的场强不导致飞弧。

借助根据本发明的设备，能够通过节省空间的、稳定且成本有利的以及可靠的方式并且此外还以易于制造的方式将带有高频率高电压的电导体布置在一个或者多个接地体附近。

接触装置能够至少逐区段地、尤其完全地平面地构造。因此，该设备能够特别节省空间地构造。

接触装置能够具有如下棱边和/或尖端：该棱边和/或尖端具有≤0.2mm、尤其≤0.1mm、尤其小于0.05mm、尤其是35μm的厚度。因此，该设备能够非常节省空间地构造。尤其是，当场分布组件的尺寸构型得等于或者大于接触装置的尺寸和/或在俯视图中与接触装置重叠地布置时，该设备能够如此构造，使得在该接触装置的棱边和/或尖端上构造以下场，所述场小于电离场强，尤其是在气态环境、尤其是空气的情况下小于3kV/mm。通过这种方式，能够甚至在非常薄的棱边和/或尖端的情况下降低在接触装置的棱边和/或尖端上的飞弧的危险。

支架能够至少逐区段地、尤其完全地平面地构造。通过这种方式，该设备能够特别节省空间地构造。

支架能够具有两个电绝缘的支架部件。支架部件能够都平面地构造。支架部件能够具有相同的厚度。支架部件能够将场分布组件尤其在不具有气体夹杂物(Einschlüsse)的情况下、尤其在不具有空气夹杂物的情况下包围在所述支架部件之间。支架能够通过将支架部件挤压在一起来制造和/或构造。

支架能够构造为印刷电路板(Leiterkarte)。电路板在电路板技术中通常被称为PCB(Printed Circuit Board的缩写)。接触装置能够布置在电路板的外侧、尤其是上侧或者下侧上。

场分布组件能够布置在电路板的内层中，尤其是在不具有气体的夹杂物、尤其是空气的夹杂物的情况下。接触装置能够与场分布组件借助一个或者多个通孔(Durchkontaktierung)导电地连接。在电路板技术中，这样的通孔也被称为“过孔(Via)”。有利地，多个通孔能够以矩阵的形式设置。这是有利的，因为单个的过孔在机械应力的情况下可能折断并且因此产生冗余。此外，接触面因此更可靠地被支撑(gehalten)在支架上。矩阵能够覆盖接触面的50％或者更多。

场分布组件能够在场分布平面中具有场分布面。接触装置能够在接触平面中具有接触面。所述面能够平行地间隔开地布置。尤其是，所述面能够在俯视图中(垂直于所述平面)重叠地布置。

场分布面的面积能够等于或者大于接触面的面积。尤其是，场分布面的面积能够比接触面大至少10％。

导电的场分布组件能够尤其是在不具有气体夹杂物、例如空气夹杂物的情况下嵌入到支架中。通过该密封的、无气体的构造能够实现如下抗电强度：该抗电强度比大多数的气态环境的抗电强度、尤其是比空气的抗电强度大十倍以上。最重要的是，由此能够保证：唯一的具有大于2kV/mm的场强的区域位于支架内。因此，高频率高电压电流导体设备的在气态环境中会导致电离的部件绝缘地无气体地支撑在支架中，并且不能够导致电离。同时，高频率高电压电流导体设备如此构型，使得场分布组件降低导体上的、尤其是在导体靠近或者接触支架和/或接触装置的部位上的场过高

尤其是一直降低该场过高，直到在气态环境中不发生电离。

场分布面能够大于电导体的横截面。另外，场分布面在俯视图中能够覆盖配属的接触面，即在所有棱边上遮盖接触面或者突出超过该接触面。但是，场分布面能够至少在垂直于导体中的电流运行方向的棱边上突出。

电导体能够具有圆的或者椭圆的横截面。因此，在该电导体的表面上的电场被保持得足够小。因此能够防止在未设置有具有场分布组件的接触装置的部位上发生电离。

电导体能够构造为管、尤其是具有圆的横截面的管。在电导体的这种构型中，为了进行冷却能够使冷却剂流动通过电导体。然而，原则上也能够考虑由实心材料构成电导体。电导体能够由铜构成。

支架能够构造为多层电路板。高频场能够在支架中、尤其是在电路板材料中、尤其是在多层电路板的电路板材料中导致加热。该加热能够改变材料、尤其是电路板材料，尤其改变其绝缘性能。为了降低负面改变的危险，尤其是支架能够由FR4材料或者更低损耗的材料构成。低损耗的材料意味着，材料具有小的损耗角tanδ(损耗因数，DissipationFactor)。FR4的损耗因数为0.017及更小(https://en.wikipedia.org/wiki/FR-4)。具有0.03及更小的损耗因数的电路板就已经能够将电场束缚在其中，并且能够由此将邻接的气态环境、尤其是空气中的电场降低到大约1.1kV/mm的可接受的水平。支架、尤其是电路板几乎用作电场的捕捉器

也可以说，支架、尤其是电路板用作电场无害化设备

在支架与接地体之间能够布置有绝缘体。该绝缘体能够例如由PTFE构成。尤其是，绝缘体能够由如下材料构成：对于高频场，该材料比支架的、尤其是电路板的材料更加低损耗。尤其是，绝缘体能够具有比支架更低的ε_r。

绝缘体能够在接触面的区域中具有凹槽，该凹槽由绝缘体跨接。凹槽在此应理解为无材料的区域。在凹槽的区域中能够仅存在有气体、尤其是空气。尤其是，凹槽能够是空腔或者凹陷部。空腔或凹陷部能够填充有气体、尤其是空气。凹槽能够具有凹槽面，该凹槽面位于凹槽平面中，该凹槽平面平行于接触平面和/或场分布平面。凹槽能够例如是柱形的或长方体形的。凹槽面能够等于或者大于位于其上方的接触面和/或场分布面，和/或能够覆盖(überlappen)该接触面和/或场分布面。

能够设置有两个接地体，并且电导体能够布置在接地体之间，其中，电导体在对置的部位上分别接触支架上的接触装置。接地体能够构造为板。接地体的面向彼此的侧能够是平行的。尤其是，电导体能够布置在两个接地体的两个平行的侧之间。电导体能够夹紧在并且因此被机械地紧固在两个接地体与绝缘体之间。尤其是，导体能够夹紧在并且因此支撑在接地体之间以及尤其附加地在绝缘体之间以及尤其附加地在支架之间以及尤其附加地在接触装置之间。尤其是，导体也能够通过拧紧、焊接、粘接、钎焊、铆接、附接或者其他紧固可能性紧固在支架和/或接触装置上。

支架能够具有多个接触装置，所述接触装置在不同的部位上接触电导体，其中，每个接触装置配属有与其电连接的场分布组件。

能够设置有两个电导体，所述两个电导体能够尤其布置在该设备的不同的平面中，所述电导体尤其分别与用于高频功率的功率连接部连接。所述导体尤其在所述导体的第二连接部上电连接，并且能够与连接点、尤其与用于经耦合的功率信号的耦合连接部连接。该设备的这种构型能够尤其用作耦合器(组合器)，即用于耦合/组合两个高频功率信号。

一个或者多个导体能够设计为所谓的阻抗控制的线路。这意味着，一个或者多个导体对于其运行所用的频率具有预给定的线路阻抗，该线路阻抗例如是25Ω、50Ω、100Ω。

在线路连接部之间能够连接有补偿电阻，该补偿电阻优选具有如下电阻值：该电阻值是线路阻抗的两倍，例如是50Ω、100Ω、200Ω。

在多个功率连接部之间，尤其是从各一个功率连接部到星形接点，能够分别连接有补偿电阻(Ausgleichswiderstand)，该补偿电阻优选具有如下电阻值：所述电阻值为线路阻抗，例如是25Ω、50Ω、100Ω。

电导体能够分别具有高频功率的λ/4的长度或者λ/4的整数倍的长度。在此，λ是通过高频率形成的电磁波的波长。因此，根据本发明的设备能够例如构造为所谓的威尔金森组合器。借助这种组合器能够将两个相位相同的功率信号耦合成具有双倍功率的经耦合的信号。

在接触装置上能够设置有固定单元，该固定单元设计为防止导体滑脱。因此能够保证，电导体始终接触该接触装置。

替代地或者附加地，支架和/或接触装置能够具有成形部，该成形部容纳导体并且防止滑脱。

接触面和/或场分布面能够是矩形的，尤其具有倒圆的角。由此能够特别好地进行与引导通过该接触面和/或场分布面的导体的匹配。

电导体优选仅接触电路板的接触面，并且在其他方面被气态环境、尤其是空气包围。导体与接地体的间距、绝缘体厚度、绝缘体-场分布组件的间距和/或支架(电路板)的厚度等尺寸优选如此选择，使得波阻是线路阻抗的1.414(根号2)倍，即例如是70.7Ω。所述尺寸进一步优选地如此选择，使得气态环境中的电场小于、尤其是明显小于2kV/mm。电路板内的导体结构优选如此选择，使得唯一的具有大于2kV/mm的场强的区域位于电路板的内层中。优选使用如下电路板：所述电路板具有小于等于0.005的损耗角，并且所述电路板具有大于20kV/mm、尤其是31.2kV/mm的范围的高抗电强度。

为了避免高电场，场分布组件优选至少部分地在支架中布置在如下部位上：在该部位上，与接地体或与绝缘材料的间距是最小的。

附图说明

借助附图中的图片，从本发明实施例的以下详细描述以及权利要求中得到本发明的其他特征和优点，所述附图示出对于本发明重要的细节。在那里示出的特征并不必理解为成比例的，并且以根据本发明的特点能够清楚可见的方式被示出。不同的特征能够单独地或多个任意组合地在本发明的变型中加以实现。

附图示出：

图1示出根据本发明的设备的局部横截面示意图；

图2示出根据本发明的设备的局部透视图；

图3示出用以阐述支架上的接触的示意图；

图4示出用以阐述通孔的示意图；

图5示出构造为组合器的设备的局部透视示意图；

图6示出根据本发明的另外的呈测量装置的形式的设备的示意图。

具体实施方式

图1示出在气态环境3中的高频率高电压电流导体设备10的一部分的横截面示意图。电导体13与接地体11、12间隔开地布置，该电导体在所示实施例中构造为圆形管。电导体13构造为用于以高频率高电压运行，其中，该高电压存在于电导体13与接地体11、12中的一个接地体之间、尤其是与两个接地体11、12之间。

电导体在对置的部位上分别接触一导电的接触装置15、16，所述接触装置分别布置在电绝缘的支架17、18上。在各一个接地体11、12与各一个导电的接触装置15、16之间各设置有一个导电的场分布组件19、20，该场分布组件以导电的方式分别与接触装置15、16中的一个接触装置连接。在所示实施例中，场分布组件19、20布置在支架17、18的内部。

在支架17、18与接地体11、12之间布置有电绝缘的绝缘体21、22，所述绝缘体能够例如由PTFE构成。在接触装置15、16的区域中，绝缘体21、22分别具有凹槽23、24，所述凹槽分别由支架17、18跨接。凹槽23、24能够尤其构造为气态环境3并且能够尤其填充有空气。

在接触装置15、16上能够设置有固定单元28、29，所述固定单元防止电导体13滑脱。

导电的接触层15、16与导电的场分布组件19、20通过通孔5、6连接。

场分布组件19、20具有非常薄的棱边8、9。棱边8、9在所示实施例中完全布置在支架17、18的内部。在棱边8、9上能够构造高的电场强。

电导体13具有直径c。直径c优选(明显)小于场分布组件19、20的宽度b。场分布组件19、20的宽度b又优选(明显)小于凹槽23、24的宽度a。

图2示出根据图1的组件的透视示意图。在此能够明显看出，电导体13仅通过设备10的支架17、18支撑并且从支架17、18仅接触接触装置15、16。另外能够看出，支架17、18构造为接片状(stegartig)并且跨接凹槽23、24。此外能够看出，支架17具有两个部件17a、17b。支架18能够相应地构造。

图3示出支架17的两个部件17a、17b。两个支架部件17a、17b电绝缘地构造。两个支架部件17a、17b平面地构造并且优选具有相同的厚度。支架部件17a、17b能够将场分布组件19包围在所述支架部件之间。支架17能够通过将支架部件17a、17b压在一起来制造。尤其是，支架部件17a、17b能够是多层电路板的层。场分布组件19能够布置在电路板的内层。另外能够看出，接触装置15具有接触面25。通孔5能够矩阵形地布置。相应地，场分布组件19能够具有场分布面29。场分布面29和接触面25能够相互平行地且彼此间隔开地布置。尤其是，面25、29能够重叠地布置。优选地，为此面29构造得大于面25。

图4示出具有支架部件17a、17b的支架17的分解示意图。在这里能够看出，接触面25布置在接触平面35中，场分布面29布置在场分布平面39中。

图5在一种作为组合器或耦合器的构型中示出具有接地体11的设备10，该组合器或耦合器具有两个功率连接部26、27和输出连接部28。在与电导体13、14连接的功率连接部26、27上能够耦合输入电功率。在两个功率连接部26、27上分别耦合输入的功率能够具有0°的相位差，并且能够通过设备10耦合成经耦合的功率并且在输出连接部28上输出。能够看出，导体13曲折形状地布置并且在多个部位上接触支架17、18。相应地，导体14曲折形状地布置并且同样仅在一些部位上接触配属的支架。

接地体11在对置的侧上具有绝缘体21、29。在所示示意图中未示出的是，设备10在上部和在下部分别包括另外的接地体。设备的其余元件具有与在先前的示意图中相同的附图标记。

图6示出根据本发明的另外的呈测量装置的形式的其他设备10的示意图。电导体13柱形地挤压到同样柱形的绝缘体21中，优选避免绝缘体21与导体13之间的气体。然而，电导体13由于其功能而从绝缘体21中伸出来。绝缘体21围绕伸出来的导体13具有超高部

以便防止从导体13到接地体11的飞弧

接地体11管形地构型，并且包围下部区域中的柱形的绝缘体21。在以大于1kV峰值电压的高电压运行时，已经证实，在电导体13上在处在气态环境3、即空气中的上部区域中发生电离和放电。电导体13的半径的增大会降低场强。但是，电导体13的半径由于其功能不能够构型得更大。因此，也在这里考虑使用根据本发明的解决方案，并且设置盘形的、圆形的、构造为电路板的支架17。支架17由两个重合的、挤压在一起的部件17a、17b构成。支架17在中心具有钻孔，该钻孔如此构型，使得该钻孔能够借助固定的支座装配到导体13上。在钻孔的内部存在金属涂层作为接触装置15。该接触装置与场分布组件19电接触，该场分布组件布置在并且无气体地挤压在支架17的内部。借助该设备，能够在气态环境中减弱导体13上的电场并且能够降低那里的高场强。构造在场分布组件19的外边缘上的高场强能够通过在支架17内的优选无气体的挤压而变得无害。

Claims (15)

1.一种高频率高电压电流导体设备(10)，所述高频率高电压电流导体设备具有电导体(13、14)，所述电导体设计为，以相对于气态环境(3)和/或接地体(11、12)的高频率和高电压运行，所述高频率尤其是≥1MHz且≤500MHz的频率，其中，所述导体(13、14)在至少一个部位上接触导电的接触装置(15、16)，所述接触装置布置在电绝缘的支架(17、18)上，其中，在所述导电的接触装置(15、16)上布置有导电的场分布组件(19、20)，所述导电的场分布组件与所述接触装置(15、16)导电地连接，并且尤其至少部分地布置在所述支架(17、18)的内部。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述场分布组件(19、20)在场分布平面(39)中具有场分布面(29)，所述接触装置(15、16)在接触平面(35)中具有接触面(25)，并且所述面(25、29)平行地间隔开并且以尤其垂直于所述平面(35、39)重叠的方式布置。

3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述场分布面(29)具有等于或者大于所述接触面(25)的面积。

4.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，所述导电的场分布组件(19、20)尤其在不具有气体夹杂物的情况下被嵌入在所述支架(17、18)中。

5.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，所述场分布面(29)大于所述电导体(13、14)的横截面。

6.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，所述支架(17、18)构造为多层电路板。

7.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，在所述支架(17、18)与所述接地体(11、12)之间布置有绝缘体(21、22)。

8.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，所述绝缘体(21、22)在所述接触面(25)的区域中具有凹槽(23、24)，所述凹槽由所述支架(17、18)跨接。

9.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，设置两个接地块(11、12)，并且所述电导体(13、14)布置在所述接地块(11、12)之间，其中，所述电导体(13、14)在相对置的部位上分别接触支架(17、18)上的接触装置(15、16)。

10.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，所述支架(17、18)具有多个接触装置(15、16)，所述接触装置在不同的部位上接触所述电导体(13、14)，其中，每个接触装置(15、16)分配有与其电连接的场分布组件(19、20)。

11.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，所述支架(17、18)如此构型，使得所述支架能够通过高频场被加热，所述支架尤其是构造为电路板的支架、尤其是构造为多层电路板的电路板。

12.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，所述导体(13、14)设计为阻抗控制的线路。

13.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，设置两个导体(13、14)，所述两个导体尤其布置在所述设备的不同的平面中，所述两个导体尤其分别与用于高频功率的功率连接部(26、27)连接，其中，所述导体(13、14)尤其在所述导体的第二连接部上相互电连接，该连接点尤其与用于所耦合的功率信号的耦合连接部连接。

14.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，在多个功率连接部(26、27)之间，尤其是从各个功率连接部(26、27)到星形接点，分别连接有补偿电阻，所述补偿电阻优选具有如下电阻值：所述电阻值为线路阻抗，例如是25Ω、50Ω、100Ω。

15.根据权利要求13至14中任一项所述的设备，其特征在于，所述电导体(13、14)分别具有所述高频功率的λ/4的长度或者所述高频功率的λ/4的整数倍的长度。

Images