CN114830344A - 显示装置 - Google Patents

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姜慧林
金东均
朴后根
安文贞
柳喆锺
李东彦
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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：第一电极；第二电极，设置为在第一方向上与第一电极间隔开；以及元件单元，设置在第一电极与第二电极之间。元件单元包括：多个单元发光元件，具有在一个方向上延伸的形状并且布置为在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；以及结合件，形成为围绕多个单元发光元件并固定多个单元发光元件。多个单元发光元件延伸所沿的一个方向平行于第一方向。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已经稳步提高。响应于此，已经使用了诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等的各种类型的显示装置。
显示装置是用于显示图像的装置，并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。发光显示面板可以包括发光元件(例如，发光二极管(LED))，并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
发明内容
技术问题
本公开的方面提供了一种包括包含多个单元发光元件和被构造为固定多个单元发光元件的结合件的显示单元的显示装置。
应当注意的是，公开的方面不限于此，根据以下描述，在这里未提及的其它方面对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
技术方案
根据公开的实施例，一种显示装置包括：第一电极；第二电极，设置为在第一方向上与第一电极间隔开；以及元件单元，设置在第一电极与第二电极之间，其中，元件单元包括：多个单元发光元件，均具有在一个方向上延伸的形状，并且布置为在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；以及结合件，形成为围绕多个单元发光元件中的每个，并且被构造为固定多个单元发光元件，其中，多个单元发光元件中的每个延伸所沿的一个方向平行于第一方向。
结合件可以暴露多个单元发光元件中的每个的两个端部区域中的至少一个端部区域。
单元发光元件的第一端部可以电连接到第一电极，并且其与第一端部相对的第二端部可以电连接到第二电极。
单元发光元件可以包括第一半导体层、第二半导体层和设置在第一半导体层与第二半导体层之间的活性层，并且在多个单元发光元件中的每个中，第一半导体层、活性层和第二半导体层可以在第一方向上顺序地设置。
在多个单元发光元件中的每个中，在活性层中产生的光可以从第一端部和第二端部发射。
结合件可以部分地围绕单元发光元件的外表面，并且完全地围绕活性层的外表面。
多个单元发光元件之间的在第二方向上的分隔距离可以相同。
第一电极可以形成为在第二方向上延伸。
根据公开的实施例，一种显示装置包括：第一电极，在第一方向上延伸；元件单元，设置在第一电极上，并且在第一方向上延伸；第一绝缘层，设置在第一电极和元件单元上；以及第二电极，设置在第一绝缘层上，并且在垂直于第一方向的第二方向上面对第一电极，其中，元件单元可以包括：多个单元发光元件，均具有在第二方向上延伸的形状，并且设置在第一电极上；以及结合件，被构造为固定多个单元发光元件。
多个单元发光元件可以被布置为在第一方向上彼此间隔开，并且多个单元发光元件之间的在第一方向上的分隔距离可以相同。
结合件可以暴露单元发光元件的两个端部区域中的至少一个端部区域。
结合件可以在第二方向上与第一电极间隔开。
第一绝缘层可以与结合件和单元发光元件的由结合件暴露的部分区域接触。
结合件还可以包括波长转换材料。
单元发光元件中的每个的第一端部可以与第一电极直接接触，并且其与第一端部相对的第二端部可以与第二电极直接接触。
第一电极可以包括第一电极基体层和设置在第一电极基体层上的第一电极上层，并且第一电极基体层可以反射从单元发光元件发射的光。
根据公开的实施例，一种显示装置包括：基底；第一电极，设置在基底上；第二电极，设置在基底上以在第一方向上与第一电极间隔开；以及元件单元，在第一电极与第二电极之间设置在基底上，其中，元件单元包括：多个单元发光元件，均具有在第一方向上延伸的形状，并且设置在基底上；以及结合件，形成为围绕多个单元发光元件中的每个，并且被构造为固定多个单元发光元件，其中，结合件包括：第一区域，设置在其中设置有基底的第一侧上；以及第二区域，设置在与第一侧相对的第二侧上。
单元发光元件可以形成为从结合件的第一区域突出。
单元发光元件的第一端部可以电连接到第一电极，并且作为与第一端部相对的端部的第二端部可以电连接到第二电极。
显示装置还可以包括：第一接触电极，设置在第一电极上；以及第二接触电极，设置在第二电极上，其中，结合件的第二区域可以设置为暴露多个单元发光元件的两个端部区域，第一接触电极可以与第一端部接触，并且第二接触电极可以与第二端部接触。
其它实施例的细节包括在详细描述和附图中。
有益效果
在根据一个实施例的显示装置中，可以使用包括绝缘材料的半导体保护层形成元件单元的结合件。通过使用结合件使多个单元发光元件成一体并分离而不是单独分离多个单元发光元件，可以防止每个单元发光元件的半导体层被损坏。
另外，在根据一个实施例的显示装置中，通过设置由结合件固定的多个单元发光元件，可以省略墨形成工艺，使得可以提高制造工艺的效率。
根据实施例的效果不受上面例示的内容的限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
图1是根据一个实施例的显示装置的平面图。
图2是示出根据一个实施例的显示装置的一个像素的平面图。
图3是沿着图2的线III-III'截取的剖视图。
图4是示出根据一个实施例的元件单元的示意性透视图。
图5至图11是示出图4的元件单元的制造工艺的剖视图。
图12是根据另一实施例的显示装置的一个子像素的剖视图。
图13是根据再一实施例的显示装置的一个子像素的剖视图。
图14是根据又一实施例的显示装置的一个子像素的剖视图。
图15是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。
图16是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。
图17是示出沿着图16的线XVII-XVII'截取的示例的剖视图。
图18是示出沿着图16的线XVII-XVII'截取的另一示例的剖视图。
图19是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。
图20是示出沿着图19的线XX-XX'截取的示例的剖视图。
图21是根据另一实施例的单元发光元件的剖视图。
图22是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。
图23是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。
图24是示出沿着图23的线XXIVa-XXIVa'、线XXIVb-XXIVb'和线XXIVc-XXIVc'截取的示例的一组剖视图。
图25是示出沿着图23的线XXV-XXV'截取的示例的剖视图。
图26是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。
图27是示出沿着图26的线XVIIIa-XXVIIIa'、线XXVIIIb-XXVIIIb'和线XXVIIIc-XXVIIIc'截取的示例的一组剖视图。
图28是示出沿着图26的线IIXXX-IIXXX'截取的示例的剖视图。
图29是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。
图30是示出沿着图29的线XXXa-XXXa'、线XXXb-XXXb'和线XXXc-XXXc'截取的示例的一组剖视图。
图31是示出沿着图29的线XXXI-XXXI'截取的示例的剖视图。
图32是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。
图33是示出沿着图32的线XXXIIIa-XXXIIIa'、线XXXIIIb-XXXIIIb'、线XXXIIIc-XXXIIIc'截取的示例的一组剖视图。
图34是示出沿着图32的线XXXVI-XXXVI'截取的示例的剖视图。
图35是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。
图36是示出沿着图35的线XXXVI-XXXVI'截取的示例的剖视图。
图37是示出沿着图35的线XXXVI-XXXVI'截取的另一示例的剖视图。
图38是示出沿着图35的线XXXVI-XXXVI'截取的再一示例的剖视图。
图39是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。
图40是示出沿着图39的线XL-XL'截取的示例的剖视图。
图41是示出沿着图39的线XL-XL'截取的另一示例的剖视图。
图42是示出沿着图39的线XL-XL'截取的再一示例的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照其中示出了发明的优选实施例的附图更充分地描述发明。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达发明的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接位于该另一层或基底上，或者也可以存在中间层。贯穿说明书，相同的附图标号表示相同的组件。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件而不脱离发明的教导。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
在下文中，将参照附图描述实施例。
图1是根据一个实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图1，显示装置10显示视频或静止图像。显示装置10可以表示提供显示屏幕的所有电子装置。例如，显示装置10可以包括提供显示屏幕的电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子记事本(electronic organizer)、电子书阅读器、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机、摄像机等。
显示装置10包括提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例可以包括发光二极管(LED)显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。在下文中，尽管描述了其中LED显示面板作为显示面板的示例被应用的示例，但本发明不限于此，当相同的技术精神可应用时，该技术精神可以应用于其它显示面板。
在平面图中(即，在平面图中观察时)，显示装置10可以具有矩形形状。然而，本发明不限于此，显示装置10的形状可以进行各种修改。例如，显示装置10可以具有诸如横向边长的矩形形状、纵向边长的矩形形状、正方形形状、角部(顶点)圆的四边形形状、其它多边形形状、圆形形状等的形状。
显示装置10可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是其中可以显示图像的区域，非显示区域NDA是其中不显示图像的区域。显示区域DA可以表示有效区域，非显示区域NDA可以表示非有效区域。
显示区域DA可以具有与显示装置10的整体形状类似的形状。显示区域DA总体上可以占据显示装置10的中心。在示例性实施例中，当显示装置10具有在平面图中在第一方向DR1上比在第二方向DR2上长的矩形形状时，显示区域DA可以具有在平面图中在第一方向DR1上比在第二方向DR2上长的矩形形状。然而，本发明不限于此，显示区域DA的形状可以进行各种修改。
显示区域DA可以包括多个像素PX。多个像素PX可以在矩阵方向上设置。像素PX中的每个的形状在平面图中可以是矩形形状或正方形形状，但本发明不限于此，该形状可以是每条边相对于一个方向倾斜的菱形形状。像素PX可以交替地布置为条纹型或PenTile型。另外，像素PX中的每个可以包括发射特定波长范围内的光的一个或更多个单元发光元件300，从而显示特定的颜色。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DA周围。非显示区域NDA可以完全地或部分地围绕显示区域DA。显示区域DA具有矩形形状，非显示区域NDA可以与显示区域DA的四条边相邻设置。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。
图2是示出根据一个实施例的显示装置的一个像素的平面图。图3是沿着图2的线III-III'截取的剖视图。图4是示出根据一个实施例的元件单元的示意性透视图。
参照图1和图2，显示装置10的像素PX中的每个可以包括多个子像素SPX1、SPX2和SPX3(统称为“子像素SPX”)。每个像素PX可以包括发射第一颜色的光的第一子像素SPX1、发射第二颜色的光的第二子像素SPX2和发射第三颜色的光的第三子像素SPX3。第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可以针对每个像素PX设置。在示例性实施例中，第一颜色的光可以是具有范围从610nm至650nm的峰值波长的红光，第二颜色的光可以是具有范围从510nm至550nm的峰值波长的绿光，第三颜色的光可以是具有范围从440nm至480nm的峰值波长的蓝光。然而，本发明不限于此，每个子像素SPX可以发射具有相同颜色的光。在图2中，每个像素PX被示出为包括三个子像素SPX1、SPX2和SPX3，但不限于此，每个像素PX可以包括更大数量的子像素SPX或更小数量的子像素SPX。
显示装置10的子像素SPX中的每个可以包括发光区域EMA。发光区域EMA可以被限定为其中设置有下面将描述的单元发光元件300并且发光的区域。
第一子像素SPX1可以包括第一发光区域EMA1，第二子像素SPX2可以包括第二发光区域EMA2，第三子像素SPX3可以包括第三发光区域EMA3。单元发光元件300可以包括活性层，并且单元发光元件300的活性层可以发射特定波长范围内的光而没有方向性。从单元发光元件300的活性层发射的光也可以在朝向单元发光元件300的侧表面以及其两个端部的方向上发射。发光区域EMA可以包括其中设置有单元发光元件300的区域，并且可以包括与单元发光元件300相邻并且通过其发射从单元发光元件300发射的光的区域。发光区域EMA还可以包括其中从单元发光元件300发射的光由于另一构件而被反射或折射以发射的区域。多个单元发光元件300可以设置在每个子像素SPX中，并且其中设置有单元发光元件300的区域和与该区域相邻的区域可以形成发光区域EMA。
显示装置10的子像素SPX中的每个可以包括非发光区域，非发光区域被限定为除了发光区域EMA之外的区域。非发光区域可以是其中未设置单元发光元件300并且从单元发光元件300发射的光没有到达从而不发光的区域。
参照图2，显示装置10的每个子像素SPX包括包含单元发光元件300和结合件400的元件单元LS以及多个电极210和220。多个电极210和220可以包括第一电极210和第二电极220。多个电极210和220以及元件单元LS可以设置在每个子像素SPX的发光区域EMA中。然而，本发明不限于此，元件单元LS以及多个电极210和220中的至少一些可以设置在发光区域EMA中，并且可以向外延伸以设置在非发光区域中，非发光区域是与发光区域EMA相邻的区域。
第一电极210可以是针对每个子像素PXn分离的像素电极，第二电极220可以是沿着每个子像素PXn公共地连接的公共电极。第一电极210和第二电极220中的一个可以是发光元件300的阳极，并且其中的另一个可以是发光元件300的阴极。然而，本发明不限于此，可以能够与上述描述相反。
第一电极210可以被设置为对应于每个子像素SPX。第一电极210可以被图案化以设置在每个子像素SPX的发光区域EMA中。设置在每个子像素SPX中的第一电极210可以设置为与在第一方向DR1或第二方向DR2上相邻的子像素SPX间隔开。因此，第一电极210可以在显示装置10的整个表面以岛图案设置。
第一电极210可以具有平面图中的有角形状，其中在平面图中一条边在第一方向DR1上延伸并且另一条边在第二方向DR2上延伸。然而，本发明不限于此，第一电极210可以具有在第一方向DR1上倾斜的形状或具有弯曲外表面的圆形形状。另外，第一电极210的尺寸不受具体限制，而是可以根据显示装置10的每个子像素SPX的面积而变化。如附图中所示，第一电极210可以设置在子像素SPX中并且形成为小于子像素SPX，使得第一电极210可以以与另一相邻子像素SPX的边界间隔开的状态设置。
第二电极220可以设置在第一电极210上方，并且可以设置为对应于每个子像素SPX。在示例性实施例中，第二电极220可以被图案化以设置在每个子像素SPX的发光区域EMA中。设置在每个子像素SPX中的第二电极220可以设置为与在第一方向DR1或第二方向DR2上相邻的子像素SPX间隔开。因此，第二电极210可以在显示装置10的整个表面以岛图案设置。然而，本发明不限于此，设置在一个像素PX中的第二电极220可以设置在两个或更多个子像素SPX中，并且设置在包括在一个像素PX中的第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3中的第二电极220可以延伸到彼此。下面将参照其它附图提供其描述。
第二电极220可以具有平面图中的有角形状，其中在平面图中一条边在第一方向DR1上延伸并且另一条边在第二方向DR2上延伸。然而，本发明不限于此，第二电极220可以具有在第一方向DR1上倾斜的形状或具有弯曲外表面的圆形形状。另外，第二电极220的尺寸不受具体限制，而是可以根据显示装置10的每个子像素SPX的面积而变化。如附图中所示，第二电极220可以设置在子像素SPX中并且形成为小于子像素SPX，使得第二电极220可以以与另一相邻子像素SPX的边界间隔开的状态设置。因此，图案化的第二电极220中的每个可以设置在每个子像素SPX中，并且设置在包括在一个像素PX中的多个子像素SPX中的单元发光元件300可以电连接到被设置为彼此间隔开的第二电极220中的每个。
第二电极220和第一电极210可以设置为在第三方向DR3上彼此至少部分地叠置。第二电极220和第一电极210可以具有不同的宽度或面积。在示例性实施例中，第二电极220可以形成为具有比第一电极210的面积大的面积。也就是说，第二电极220的在一个方向(例如，第一方向DR1或第二方向DR2)上测量的宽度可以大于第一电极210的在第一方向DR1或第二方向DR2上测量的宽度。然而，本发明不限于此，第二电极220可以具有宽度小于第一电极210的宽度并且在一个方向上延伸的形状。在一些实施例中，一个第二电极220可以设置在两个或更多个子像素SPX中，并且设置在包括在一个像素PX中的多个子像素SPX中的单元发光元件300可以电连接到同一第二电极220。下面将参照其它附图提供其描述。
一个像素PX可以包括多个元件单元LS。元件单元LS中的每个包括多个单元发光元件300和每个单元发光元件300在第三方向DR3上穿过的结合件400，并且结合件400固定多个单元发光元件300。
包括在一个像素PX中的元件单元LS可以设置为对应于每个子像素SPX。设置在每个子像素SPX中的元件单元LS可以设置在发光区域EMA中。尽管示出了一个元件单元LS设置在一个子像素SPX中，但本发明不限于此。多个元件单元LS可以设置在一个子像素SPX中。
元件单元LS可以具有平面图中的有角形状，其中在平面图中一条边在第一方向DR1上延伸并且另一条边在第二方向DR2上延伸。元件单元LS可以具有与第一电极210的平面形状基本上类似的形状。元件单元LS的平面形状可以与被构造为固定包括在一个元件单元LS中的多个单元发光元件300的结合件400的形状基本上相同。元件单元LS以及第一电极210和第二电极220可以设置为在第三方向DR3上彼此至少部分地叠置。由于元件单元LS被设置为在第三方向DR3上与第一电极210和第二电极220叠置，因此如下面将描述的，单元发光元件300的一个端部及其与该一个端部相对的另一端部可以分别电连接到第一电极210和第二电极220。
参照图2和图4，包括在元件单元LS中的多个单元发光元件300可以以矩阵形式布置。在平面图中，多个单元发光元件300可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2彼此间隔开，并且可以以预定间隔设置。多个单元发光元件300可以以矩阵形式布置，并且可以设置为与相邻行或相邻列交错。例如，在奇数列中，每个单元发光元件300可以沿着第二方向DR2设置在奇数行中，在偶数列中，每个单元发光元件300可以沿着第二方向DR2设置在偶数行中。即使在这种情况下，设置在同一行或同一列中的单元发光元件300的布置也可以以直线形状延伸。在附图中，示出了两个单元发光元件300在奇数行中设置为彼此间隔开，并且一个单元发光元件300设置在偶数行中，但是单元发光元件300的数量和/或布置不限于此。
如图2中所示，在被布置为在一个方向上延伸的单元发光元件300中，单元发光元件300与在第一方向DR1上相邻设置的另一单元发光元件300之间的分隔距离和单元发光元件300与在第二方向DR2上相邻设置的再一单元发光元件300之间的分隔距离可以相同。然而，本发明不限于此，在第一方向DR1上相邻的单元发光元件300之间的分隔距离和在第二方向DR2上相邻的单元发光元件300之间的分隔距离可以彼此不同。然而，即使在这种情况下，以直线形状在一个方向上延伸布置的相邻的单元发光元件300之间的分隔距离也可以相同。类似地，以直线形状在第二方向DR2上延伸布置的相邻的单元发光元件300之间的分隔距离可以相同。
结合件400可以设置为围绕包括在元件单元LS中的多个单元发光元件300中的每个的外表面。结合件400形成为围绕单元发光元件300的外表面的至少一部分。结合件400可以形成为使得多个单元发光元件300设置在结合件400中。
参照图3，根据一个实施例的显示装置10包括电路元件层PAL和显示元件层EML。电路元件层PAL可以包括电路元件和用于驱动单元发光元件300的多条线，诸如驱动晶体管DTR、开关晶体管STR和第一电力线152，显示元件层EML可以包括多个电极210和220以及多个单元发光元件300。
具体地，显示装置10的电路元件层PAL可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的半导体层、多个导电层和多个绝缘层，显示元件层EML可以包括设置在每个子像素SPX中的第一电极210、第二电极220和包括单元发光元件300的元件单元LS。单元发光元件300的两个端部可以分别电连接到第一电极210和第二电极220，并且从第一电极210和第二电极220接收电信号以发射特定波长范围内的光。
在下文中，将参照图3详细描述显示装置10的电路元件层PAL。
电路元件层PAL包括设置在基底SUB上的半导体层110、多个导电层120、130、140和150以及多个绝缘层101、102、103、104、105和106。多个导电层可以包括栅极导电层120、第一导电层130、第二导电层140和第三导电层150。多个绝缘层可以包括缓冲层101、栅极绝缘层102、保护层103、第一层间绝缘层104、第二层间绝缘层105和平坦化层106。电路元件层PAL还可以包括光阻挡层BML1和BML2。
基底SUB可以是绝缘基底。基底SUB可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。另外，基底SUB可以是刚性基底，但也可以是可弯曲、可折叠、可卷曲等的柔性基底。
光阻挡层BML1和BML2可以设置在基底SUB上。光阻挡层BML1和BML2可以包括第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2。第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2可以设置在基底SUB上，并且可以设置为彼此间隔开。光阻挡层BML1和BML2可以包括光阻挡材料，并且可以用于防止外部光入射在下面将描述的半导体层110上。第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2可以设置在半导体层110下方以至少覆盖其上方的半导体层110的沟道区，并且进一步地可以设置为覆盖整个半导体层110。作为示例，第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2可以由不透明金属材料形成。但是，本发明不限于此，可以省略光阻挡层BML1和BML2。
缓冲层101可以完全地设置在光阻挡层BML1和BML2以及由光阻挡层BML1和BML2暴露的基底SUB上。缓冲层101可以形成在基底SUB上以保护像素PX的晶体管DTR和STR免受渗透通过基底SUB的湿气的影响，并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层101可以形成为交替地堆叠的多个无机层。例如，缓冲层101可以形成为其中包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种的无机层交替地堆叠的多个层。
半导体层110设置在缓冲层101上。半导体层110可以包括第一有源材料层111和第二有源材料层112。第一有源材料层111可以是驱动晶体管DTR的有源层，第二有源材料层112可以是开关晶体管STR的有源层。
在示例性实施例中，半导体层110可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。多晶硅可以通过使非晶硅结晶而形成。结晶方法的示例可以包括快速热退火(RTA)法、固相结晶(SPC)法、准分子激光退火(ELA)法、金属诱导横向结晶(MILC)法和顺序横向固化(SLS)法等，但本发明不限于此。当半导体层110包括多晶硅时，第一有源材料层111可以包括第一掺杂区111a、第二掺杂区111b和第一沟道区111c。第一沟道区111c可以设置在第一掺杂区111a与第二掺杂区111b之间。第二有源材料层112可以包括第三掺杂区112a、第四掺杂区112b和第二沟道区112c。第二沟道区112c可以设置在第三掺杂区112a与第四掺杂区112b之间。第一掺杂区111a、第二掺杂区111b、第三掺杂区112a和第四掺杂区112b可以是其中第一有源材料层111和第二有源材料层112的部分区域掺杂有杂质的区域，并且可以是第一有源材料层111和第二有源材料层112的源区/漏区。
在示例性实施例中，第一有源材料层111和第二有源材料层112可以包括氧化物半导体。在这种情况下，第一有源材料层111和第二有源材料层112中的每个的掺杂区可以是已经变得导电的区域。氧化物半导体可以是包括铟(In)的氧化物半导体。在一些实施例中，氧化物半导体可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铟镓锌锡(IGZTO)等。然而，本发明不限于此。
栅极绝缘层102设置在半导体层110和由半导体层110暴露的缓冲层101上。栅极绝缘层102可以完全地设置在半导体层110和缓冲层101上。第一栅极绝缘层102可以用作驱动晶体管DTR和开关晶体管STR的栅极绝缘膜。第一栅极绝缘层102可以形成为包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)的无机材料的无机层，或者形成为其堆叠结构。
栅极导电层120设置在栅极绝缘层102上。栅极导电层120可以包括第一栅电极121和第二栅电极122。第一栅电极121可以是驱动晶体管DTR的栅电极，并且第二栅电极122可以是开关晶体管STR的栅电极。
第一栅电极121可以设置为与驱动晶体管DTR的第一有源材料层111的至少一部分区域叠置。具体地，第一栅电极121可以设置为在厚度方向上与第一有源材料层111的第一沟道区111c叠置。
第二栅电极122可以设置为与开关晶体管STR的第二有源材料层112的至少一部分区域叠置。具体地，第二栅极电极122可以设置为在厚度方向上与第二有源材料层112的第二沟道区112c叠置。
栅极导电层120可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金制成的单层或多层。然而，本发明不限于此。
保护层103设置在栅极导电层120上。保护层103可以设置为覆盖栅极导电层120，并且可以执行保护栅极导电层120的功能。保护层103可以形成为包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)的无机材料的无机层，或者形成为其堆叠结构。
第一导电层130设置在保护层103上。第一导电层130的至少一部分区域可以设置为在厚度方向上与第一栅电极121叠置。存储电容器可以在第一导电层130与设置在第一导电层130下方的第一栅电极121之间形成，并且保护层103在第一导电层130与第一栅电极121之间。第一导电层可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金制成的单层或多层。然而，本发明不限于此。
第一层间绝缘层104设置在第一导电层130和由第一导电层130暴露的保护层103上。第一层间绝缘层104可以用作第一导电层130与设置在第一导电层130上的其它层之间的绝缘层。第一层间绝缘层104可以形成为包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)的无机材料的无机层或形成为其堆叠结构。
第二导电层140设置在第一层间绝缘层104上。第二导电层140可以包括驱动晶体管DTR的第一源/漏电极141和第二源/漏电极142以及开关晶体管STR的第一源/漏电极143和第二源/漏电极144。
驱动晶体管DTR的第一源/漏电极141和第二源/漏电极142可以通过穿过第一层间绝缘层104、保护层103和栅极绝缘层102的接触孔分别连接到第一有源材料层111的第一掺杂区111a和第二掺杂区111b。类似地，开关晶体管STR的第一源/漏电极143和第二源/漏电极144可以通过穿过第一层间绝缘层104、保护层103和栅极绝缘层102的接触孔分别连接到第二有源材料层112的第三掺杂区112a和第四掺杂区112b。
另外，在驱动晶体管DTR和开关晶体管STR中，第一源/漏电极141和142中的每个可以是源电极，第二源/漏电极DT_SD2和ST_SD2中的每个可以是漏电极，但本发明不限于此，并且可以能够与上述描述相反。
第二导电层140可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金制成的单层或多层。然而，本发明不限于此。
第二层间绝缘层105可以设置在第二导电层140和由第二导电层140暴露的第一层间绝缘层104上。第二层间绝缘层105可以在覆盖第二导电层140的同时完全地设置在第一层间绝缘层104上，并且可以用于保护第二导电层140。第二层间绝缘层105可以形成为包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)的无机材料的无机层或形成为其堆叠结构。
第三导电层150设置在第二层间绝缘层105上。第三导电层150可以包括连接图案151和第一电力线152。供应到驱动晶体管DTR的高电位电压(第一电力电压)可以施加到第一电力线152。
连接图案151可以通过形成在第二层间绝缘层105中的接触孔CNT1电连接到驱动晶体管DTR的第一源/漏电极141。连接图案151可以置于下面将描述的显示元件层EML的第一电极210与第一源/漏电极141之间以电连接第一源/漏电极141和第一电极210。
具体地，驱动晶体管DTR可以通过第一源/漏电极141和连接图案151将从第一电力线152施加的第一电力电压传输到第一电极210。
第三导电层150可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金制成的单层或多层。然而，本发明不限于此。
平坦化层106设置在第三导电层150和由第三导电层150暴露的第二层间绝缘层105上。平坦化层106可以包括有机绝缘材料，例如，诸如聚酰亚胺(PI)的有机材料，并且可以执行表面平坦化功能。
作为显示元件层EML，第一电极210、包括多个单元发光元件300的元件单元LS和第二电极220设置在平坦化层109上。第一绝缘层510可以进一步设置在平坦化层109上。然而，本发明不限于此，显示元件层EML还可以包括其它构件，因此其它构件可以进一步设置在平坦化层106上。
在下文中，将参照图2至图4详细描述显示装置10的显示元件层EML。
第一电极210可以设置在平坦化层106上。例如，第一电极210可以直接设置在平坦化层106上。第一电极210可以通过接触孔CNT2与连接图案151接触，接触孔CNT2通过平坦化层106暴露连接图案151的上表面的一部分。第一电极210可以通过连接图案151电连接到驱动晶体管DTR的第一源/漏电极141，并且可以接收通过第一电力线152施加的第一电力电压。第一电极210可以电连接到设置在每个子像素SPX中的不同的驱动晶体管DTR，并且可以独立于驱动晶体管DTR中的每个接收第一电力电压。
包括多个单元发光元件300的元件单元LS可以设置在第一电极210上，使得第一电极210可以与单元发光元件300中的每个的至少一个端部接触。因此，设置在第一电极210上的多个单元发光元件300中的每个可以通过其一个端部电连接到第一电极210。
包括多个单元发光元件300和形成为围绕多个单元发光元件300中的每个的结合件400的元件单元LS可以设置在第一电极210与第二电极220之间，并且第一电极210与第二电极220之间的分隔空间可以填充有第一绝缘层510。
结合件400可以设置在设置于第一电极210上的多个单元发光元件300之间并设置在设置于最外侧处的单元发光元件300的外侧上。结合件400可以形成为与单元发光元件300的侧表面的至少一部分接触。结合件400可以形成在单元发光元件300的侧表面上，使得单元发光元件300的一个端部区域和其与该一个端部区域相对的另一端部区域的至少部分被暴露。结合件400可以设置在第一电极210上以在第三方向DR3上与第一电极210叠置，并且可以设置为在第三方向DR3上与第一电极210间隔开。另外，结合件400可以设置为在第三方向DR3上与第二电极220叠置并且在第三方向DR3上与第二电极220间隔开。结合件400可以包括无机绝缘材料。
第二电极220可以设置在第一电极210上方。第二电极220可以设置为在第三方向DR3上与第一电极210间隔开。第二电极220可以设置为在第三方向DR3上与第一电极210间隔开，并且可以直接设置在设置于第二电极220与第一电极210之间的第一绝缘层510上。
第一绝缘层510可以完全地设置在平坦化层106上。第一绝缘层510可以设置为围绕结合件400和设置在第一电极210上的单元发光元件300的由结合件400暴露的外表面。单元发光元件300的外表面和结合件400的外表面可以与第一绝缘层510直接接触。
第一绝缘层510可以形成为低于从平坦化层106到单元发光元件300的一端的高度，使得单元发光元件300的至少一个端部被暴露。因此，单元发光元件300的一个端部可以从第一绝缘层510的上表面突出，并且其外表面可以不与第一绝缘层510直接接触。发光元件300的突出部分的外表面可以与设置在第一绝缘层510上的第二电极220接触。也就是说，根据一个实施例，第一绝缘层510的厚度可以小于第一电极210的厚度与单元发光元件300的高度的总和。第一绝缘层510可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
第二电极220可以设置在第一绝缘层510上，并且可以与单元发光元件300的从第一绝缘层510的上表面突出的至少一个端部接触。例如，第二电极220可以设置为围绕单元发光元件300的一个端部。第一电极210可以与单元发光元件300的一个端部接触，第二电极220可以与单元发光元件300的作为与该一个端部相对的端部的另一端部接触。因此，单元发光元件300中的每个可以通过其另一端部电连接到设置在单元发光元件300上的第二电极220。
尽管未在附图中示出，但是第二电极220可以电连接到第二电力线。第二电极220可以接收通过第二电力线施加的第二电力电压。第二电极220可以电连接到设置在多个子像素SPX中的同一第二电力线，并且可以从第二电力线接收相同的第二电力电压。另外，在一些实施例中，当一个第二电极220遍及多个子像素SPX设置时，多个子像素SPX可以通过一个一体的第二电极220接收施加到第二电力线的相同的电信号。
在示例性实施例中，第一电极210可以是针对每个子像素PXn分离的像素电极，第二电极220可以是沿着每个子像素SPX公共地连接的公共电极。第一电极210和第二电极220中的一个可以是单元发光元件300的阳极，其中的另一个可以是单元发光元件300的阴极。然而，本发明不限于此，并且可以能够与上述描述相反。
电极210和220中的每个可以包括透明导电材料。作为示例，电极210和220中的每个可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)等的材料，但本发明不限于此。单元发光元件300可以在朝向其两个端部的方向上发光，并且可以在指向第一电极210的上表面的第三方向DR3上发光。在一些实施例中，第一电极210可以包括具有高反射率的导电材料，因此可以反射从单元发光元件300发射并朝向第一电极210的上表面行进的光。从单元发光元件300发射的光的一部分透射通过包括透明材料的第二电极220以从子像素PXn中的每个发射，并且从单元发光元件300发射的光的另一部分可以被包括具有高反射率的材料的第一电极210反射以从子像素PXn中的每个发射。在示例性实施例中，第一电极210可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)等的金属作为具有高反射率的材料。
根据一个实施例的单元发光元件300可以包括具有不同材料的活性层330，以将不同波长范围的光发射到外部。显示装置10可以包括发射不同波长范围的光的其它类型的单元发光元件。将在下面参照图22对此进行描述。
多个单元发光元件300可以设置为在第一电极210上彼此间隔开。布置为在同一行或同一列中沿着一个方向延伸的单元发光元件300的分隔距离可以基本上相同。另外，多个单元发光元件300可以设置为彼此间隔开并且基本上彼此平行。在元件单元LS的制造工艺期间，这可以是通过蚀刻工艺以规则间隔图案化多个单元发光元件300并使用包括在结合件400中的材料将多个单元发光元件300固定在结合件400中而形成的结构。
另外，单元发光元件300可以包括多个半导体层310和320以及活性层330，并且可以具有其中多个半导体层310和320以及活性层330顺序堆叠的结构。根据一个实施例，显示装置10的单元发光元件300可以设置为使得多个半导体层沿其堆叠的方向指向垂直于基底SUB的上表面的方向。也就是说，单元发光元件300的半导体层沿其堆叠的方向可以平行于第一电极210和第二电极220沿其彼此间隔开的方向。
由单元发光元件300的活性层330产生的光可以从单元发光元件300的面对单元发光元件300的半导体层沿其堆叠的一个方向的两个端部发射。因此，从单元发光元件300发射的光可以在相对于基底SUB的向上方向和向下方向上发射。
另外，单元发光元件300可以是发光二极管，具体地，可以是具有微米单位或纳米单位的尺寸并由无机材料制成的无机发光二极管。无机发光二极管可以电连接到彼此面对的两个电极，并且在向其施加电信号时可以发射特定波长范围内的光。
单元发光元件300可以包括掺杂有任意导电类型(例如，p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以接收从外部电源施加的电信号并发射特定波长范围内的光。
在下文中，将参照图4详细描述元件单元LS的结构。
元件单元LS可以包括单元发光元件300和结合件400，单元发光元件300包括第一半导体层310、第二半导体层320、活性层330和电极层370，结合件400被构造为固定包括在一个元件单元LS中的多个单元发光元件300。
第一半导体层310可以是n型半导体层。作为示例，当单元发光元件300发射蓝色波长范围内的光时，第一半导体层310可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是掺杂有n型杂质的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN之中的一种或更多种。第一半导体层310可以掺杂有n型掺杂剂。作为示例，n型掺杂剂可以是Si、Ge、Sn等。在示例性实施例中，第一半导体层310可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层310的厚度可以在0.1μm至0.5μm的范围内，但本发明不限于此。
第二半导体层320设置在下面将描述的活性层330上。第二半导体层320可以是p型半导体。作为示例，当单元发光元件300发射蓝色波长或绿色波长范围内的光时，第二半导体层320可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是掺杂有p型杂质的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN之中的一种或更多种。第二半导体层320可以掺杂有p型掺杂剂。作为示例，p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Se、Ba等。在示例性实施例中，第二半导体层320可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层320的厚度可以在0.05μm至0.10μm的范围内，但本发明不限于此。
另外，第一半导体层310和第二半导体层320中的每个在附图中示出为形成为一层，但本发明不限于此。根据一些实施例，根据活性层330的材料，第一半导体层310和第二半导体层320中的每个还可以包括更大数量的层，例如覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。下面将参照其它附图提供其描述。
活性层330设置在第一半导体层310与第二半导体层320之间。活性层330可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当活性层330包括具有多量子阱结构的材料时，活性层330可以具有其中量子层和阱层交替地堆叠的结构。活性层330可以响应于通过第一半导体层310和第二半导体层320施加的电信号由于电子-空穴对的结合而发光。作为示例，当活性层330发射蓝色波长范围内的光时，活性层330可以包括诸如AlGaN、AlGaInN等的材料。具体地，当活性层330具有其中量子层和阱层交替地堆叠的多量子阱结构时，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，并且阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。在示例性实施例中，活性层360包括作为量子层的AlGaInN和作为阱层的AlInN。如上所述，活性层360可以发射具有范围从450nm至495nm的中心波长范围的蓝光。
然而，本发明不限于此，活性层330可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替地堆叠的结构，或者根据发射的光的波长范围而包括其它Ⅲ族或Ⅴ族半导体材料。由活性层330发射的光不限于蓝色波长范围内的光，在一些情况下，活性层330也可以发射红色波长范围或绿色波长范围内的光。活性层330的厚度可以在0.05μm至0.10μm的范围内，但本发明不限于此。
另外，从活性层330发射的光不仅可以发射到单元发光元件300的沿长度方向的外表面，而且可以发射到单元发光元件300的两个侧表面。从活性层330发射的光的方向性不限于一个方向。
电极层370可以是欧姆接触电极。然而，本发明不限于此，电极层370也可以是肖特基接触电极。单元发光元件300可以包括至少一个电极层370。尽管单元发光元件300在图4中示出为包括单个电极层370，但本发明不限于此。在一些情况下，单元发光元件300可以包括更大数量的电极层370，或者可以省略电极层370。即使当电极层370的数量被改变或还包括另一结构时，也可以同样应用单元发光元件300的描述。
当单元发光元件300电连接到电极210和220时，电极层370可以降低单元发光元件300与电极或接触电极之间的电阻。电极层370可以包括导电金属。例如，电极层370可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)之中的至少一种。此外，电极层370可以包括掺杂有n型或p型杂质的半导体材料。电极层370可以包括相同的材料或不同的材料，但本发明不限于此。
单元发光元件300可以具有其中第一半导体层310、活性层330和第二半导体层320在一个方向上顺序堆叠的结构。例如，单元发光元件300可以包括在第三方向DR3上堆叠的第一半导体层310、活性层330和第二半导体层320，可以具有在第三方向DR3上测量的高度和在垂直于第三方向DR3的方向上测量的宽度。根据一个实施例，在单元发光元件300中，在第三方向DR3上测量的高度可以大于在垂直于第三方向DR3的方向上测量的宽度。
如图4中所示，单元发光元件300可以具有高度大于宽度的圆柱形形状或棒形状。然而，本发明不限于此，单元发光元件300可以具有各种形状，诸如线、管等的形状、立方体、长方体、多棱柱(诸如六棱柱)等的形状或在一个方向上延伸并具有部分倾斜的外表面的形状。
结合件400可以设置为围绕单元发光元件300的侧表面，但是暴露单元发光元件300的一个端部区域和与该一个端部区域相对的另一端部区域中的每个的一部分。结合件400可以设置为完全地围绕单元发光元件300的活性层330的外表面(或侧表面)，并且可以设置为围绕第一半导体层310和第二半导体层320中的每个的外表面(或侧表面)的至少一部分。尽管结合件400在附图中示出为完全地暴露电极层370，但本发明不限于此，结合件400可以形成为覆盖电极层370的至少一部分。
图5至图11是示出图4的元件单元的制造工艺的剖视图。
首先，参照图5和图6，制备形成在下基底1000上的半导体结构3000，并且蚀刻半导体结构3000以形成图6中所示的在下基底1000上设置为彼此间隔开的半导体芯3000'。
下基底1000包括基体基底1100和形成在基体基底1100上的缓冲材料层1200。
基体基底1100可以包括蓝宝石(Al2O3)基底和诸如玻璃的透明基底。然而，本发明不限于此，基体基底1100可以形成为诸如GaN、SiC、ZnO、Si、GaP或GaAs基底的导电基底。在下文中，将描述其中基体基底1100是蓝宝石(Al2O3)基底的情况作为示例。
在基体基底1100上形成多个半导体层。可以通过生长晶种来形成通过外延方法生长的多个半导体层。这里，形成半导体层的方法可以包括电子束沉积法、物理气相沉积(PVD)法、化学气相沉积(CVD)法、等离子体激光沉积(PLD)法、双型热蒸发法、溅射法、金属有机化学气相沉积(MOCVD)法等，优选地包括MOCVD法。然而，本发明不限于此。
在通常可以被选择以形成目标材料的范围内，用于形成多个半导体层的前体材料没有具体限制。作为示例，前体材料可以是包括诸如甲基基团或乙基基团的烷基基团的金属前体。例如，前体材料可以是诸如三甲基镓(Ga(CH3)3)、三甲基铝(Al(CH3)3)或磷酸三乙酯((C2H5)3PO4)的化合物，但本发明不限于此。在下文中，将在描述中省略形成多个半导体层的方法、工艺条件等，并且将详细描述制造方法的顺序和元件单元LS的堆叠结构。
可以在基体基底1100上形成缓冲材料层1200。在附图中，示出为堆叠一个缓冲材料层1200，但本发明不限于此，可以形成多个缓冲层。可以设置缓冲材料层1200以减小下面将描述的第一半导体3100与基体基底1100之间的晶格常数差异。
作为示例，缓冲材料层1200可以包括未掺杂的半导体，缓冲材料层1200可以包括与第一半导体3100基本上相同的材料但是是未掺杂有n型或p型掺杂剂的材料。在示例性实施例中，缓冲材料层1200可以包括从未掺杂的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN之中选择的至少一种，但本发明不限于此。另外，可以根据基体基底1100而省略缓冲材料层1200。在下文中，将作为示例描述其中在基体基底1100上形成包括未掺杂的半导体的缓冲材料层1200的情况。
半导体结构3000可以包括第一半导体3100、活性层3300、第二半导体3200和电极材料层3700。根据一个实施例，包括在半导体结构3000中的多个材料层可以通过执行如上所述的典型的工艺来形成，并且包括在半导体结构3000中的多个材料层可以对应于包括在单元发光元件300中的相应的层。也就是说，多个半导体层可以包括分别与单元发光元件300的第一半导体层310、活性层330、第二半导体层320和电极层370相同的材料。
蚀刻半导体结构3000以形成图6的彼此间隔开的半导体芯3000'(见图6)。可以通过典型的方法蚀刻半导体结构3000。例如，可以通过在半导体结构3000上形成蚀刻掩模层，并且沿着蚀刻掩模层在垂直于下基底1000的方向上蚀刻半导体结构3000的方法来蚀刻半导体结构3000。
例如，可以通过干法蚀刻法、湿法蚀刻法、反应离子蚀刻(RIE)法、电感耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP-RIE)法等来执行蚀刻半导体结构3000的工艺。可以通过干法蚀刻法执行各向异性蚀刻，因此，干法蚀刻法可以适用于竖直蚀刻。当使用上述方法的蚀刻法时，蚀刻剂可以包括Cl2、O2等。然而，本发明不限于此。
在一些实施例中，可以通过干法蚀刻法和湿法蚀刻法的组合来蚀刻半导体结构3000。例如，首先，可以通过干法蚀刻法执行深度方向上的蚀刻，然后可以将通过作为各向同性蚀刻法的湿法蚀刻法蚀刻的侧壁设置在垂直于表面的平面上。
接下来，参照图7，在下基底1000上形成围绕半导体芯3000'的外表面的半导体保护层4000。
半导体保护层4000可以形成为围绕下基底1000上的半导体芯3000'。半导体保护层4000可以具有大于半导体芯3000'的长轴的长度的厚度，以覆盖直至半导体芯3000'的上表面，例如，覆盖直至导电的电极材料层3700的上表面。也就是说，半导体保护层4000可以形成为使得半导体芯3000'设置在半导体保护层4000中。作为示例，当半导体芯3000'的长轴的长度为约4μm至约7μm时，半导体保护层4000的厚度可以为约6μm至约10μm。然而，本发明不限于此。
半导体保护层4000的上表面可以形成为基本上平坦的，以形成平行于下基底1000的平面。半导体保护层4000的下表面可以形成为与下基底1000的缓冲材料层1200接触。在一个实施例中，半导体保护层4000的下表面可以与缓冲材料层1200的上表面接触，并且可以被设置为完全地覆盖下基底1000的侧表面。然而，本发明不限于此，半导体保护层4000可以仅设置在缓冲材料层1200的上表面上。
半导体保护层4000形成为围绕半导体芯3000'的上表面和侧表面以保护半导体芯3000'。也就是说，半导体保护层4000可以形成为完全地填充形成在下基底1000上的多个半导体芯3000'之间的空间。
另外，可以通过在半导体芯3000'上涂覆或喷涂构成半导体保护层4000的材料来形成半导体保护层4000。在一个实施例中，可以通过喷墨印刷法、旋涂法、模缝涂覆法、狭缝涂覆法等在下基底1000上形成半导体保护层4000。然而，本发明不限于此。
半导体保护层4000可以通过包括绝缘材料来形成。在示例性实施例中，半导体保护层4000可以包括包含氮化物类无机材料的无机绝缘材料或聚合物。例如，半导体保护层4000可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氮化铝(AlN)等的无机绝缘材料。另外，聚合物可以是诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚(甲基戊二酰亚胺)(PMGI)等的光敏聚合物，但本发明不限于此。
接下来，参照图9，从下基底1000分离半导体保护层4000和设置在半导体保护层4000中并由半导体保护层4000固定的半导体芯3000'。将半导体芯3000'与下基底1000分离的工艺不受具体限制。尽管未在附图中示出，但是可以通过物理分离法、化学分离法等来执行将半导体芯3000'与下基底1000分离的工艺。可以通过上述分离工艺将半导体保护层4000分离成设置在下基底1000的侧表面上的第一区域4000'和完全地围绕多个半导体芯3000'的外表面的第二区域4000”。
接下来，参照图9，蚀刻半导体保护层的设置在电极材料层3700的侧面上的第二区域4000”，以如图10中所示暴露电极材料层3700和第二半导体3200的至少一部分。可以对半导体保护层的设置在电极材料层3700的侧面上的第二区域4000”执行蚀刻工艺，以蚀刻包括绝缘材料的半导体保护层的第二区域4000”的至少一部分。接下来，参照图10，蚀刻半导体保护层的设置在第一半导体3700的侧面上的第二区域4000”，以如图11中所示暴露第一半导体3100的至少一部分。可以对半导体保护层的设置在第一半导体3700的侧面上的第二区域4000”执行蚀刻工艺，以蚀刻包括绝缘材料的半导体保护层的第二区域4000”的至少一部分，从而形成图11的元件单元LS。
如上所述，在元件单元LS的制造工艺中，可以使用分离多个单元发光元件300与下基底SUB的工艺中所使用的包括绝缘材料的半导体保护层4000来形成元件单元LS的结合件400。可以通过使用半导体保护层4000使多个单元发光元件300成一体并分离而不是单独分离多个单元发光元件300来防止单元发光元件300中的每个的第一半导体层310被损坏。另外，由于可以通过在平坦化层106上设置由结合件400固定的多个单元发光元件300来省略墨形成工艺，因此可以提高制造工艺的效率。
在下文中，将描述其它实施例。在以下实施例中，可以省略或简化与上述组件相同的组件的描述，并且将主要描述它们之间的差异。另外，在下面描述其它实施例时，为了便于描述，将通过部分地示出设置在平坦化层106上的显示元件层EML来描述其它实施例。
图12是根据另一实施例的显示装置的一个子像素的剖视图。参照图12，根据本实施例的显示装置与图3的实施例的显示装置的不同之处在于，第一电极形成为多个层。
参照图12，在根据一个实施例的显示装置中，第一电极210_1可以包括多个层。第一电极210_1可以包括包含透明材料的层和包含具有高反射率的材料的层。因此，从单元发光元件300发射并朝向第一电极210_1入射的光的至少一部分可以从构成第一电极210_1的多个层之中的包括具有高反射率的材料的层的上表面在相对于基底SUB的向上方向上反射。
具体地，在堆叠结构中，第一电极210_1可以包括第一电极基体层211和设置在第一电极基体层211上的第一电极上层212。第一电极基体层211可以设置在平坦化层106上，第一电极上层212可以设置为覆盖第一基体层211的上表面。第一电极基体层211和第一电极上层212可以通过一个掩模工艺来图案化。在示例性实施例中，第一电极基体层211和第一电极上层212的侧壁可以对准为共面。
第一电极基体层211和第一电极上层212可以都包括导电材料以构成一个第一电极210_1。第一电极基体层211包括具有高反射率的导电材料，第一电极上层212可以包括透明导电材料。在从单元发光元件300发射的光中，朝向第一电极210_1行进的光可以穿过包括透明材料的第一电极上层212以行进到第一电极基体层211的上表面。朝向第一电极基体层211入射的光的至少一部分可以从第一电极基体层211的上表面在相对于基底SUB的向上方向上反射。
在本实施例中，如上所述，从单元发光元件300的两个端部中的单元发光元件300的设置在第二电极220的一侧上的一个端部发射的光可以通过第二电极220发射到外部，并且从单元发光元件300的两个端部中的单元发光元件300的设置在第一电极210_1的一侧上的另一端部发射的光可以朝向第一电极210_1行进。因此，通过将电极基体层211形成为包括反射材料，从单元发光元件300发射并朝向第一电极210_1行进的光的至少一部分可以从电极基体层211的上表面反射以在相对于基底SUB的向上方向上行进，从而改善显示装置10的光效率。
图13是根据再一实施例的显示装置的一个子像素的剖视图。参照图13，根据本实施例的显示装置与图3的实施例的显示装置的不同之处在于，第一绝缘层还包括散射体511。
参照图13，第一绝缘层510还可以包括设置在其中的散射体511。散射体511可以以分散在第一绝缘层510中的状态包括在第一绝缘层510中，并且可以具有与第一绝缘层510的折射率不同的折射率，并且与第一绝缘层510形成光学界面。例如，散射体511可以是光散射颗粒。散射体511的材料没有具体限制，只要该材料可以使透射光的至少一部分散射即可，例如，散射体511可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的示例可以包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等。有机颗粒的材料的示例可以包括丙烯酸类树脂、聚氨酯类树脂等。散射体511可以在与入射光的入射方向无关的随机方向上散射光而基本上不改变穿过第一绝缘层510的光的波长。
在本实施例中，从单元发光元件300发射的光中的一些可以入射在包括在第一绝缘层510中的散射体511上并被散射体511散射。散射体511可以散射从在一个方向上平行布置的多个单元发光元件300发射的光，使得从多个单元发光元件300发射的光不仅在特定方向上行进，因此，显示装置10可以通过包括散射体511来发射具有均匀密度的光。
图14是根据又一实施例的显示装置的一个子像素的剖视图。参照图14，根据本实施例的显示装置与图3的实施例的显示装置的不同之处在于，单元发光元件还包括围绕单元发光元件的外表面的绝缘膜390。
参照图14，元件单元LS_14包括结合件400和多个单元发光元件300_1，每个单元发光元件300_1还包括绝缘膜390。单元发光元件300_1中的每个还可以包括围绕单元发光元件300_1中的每个的多个半导体层310和320以及活性层330的绝缘膜390。绝缘膜390设置为围绕多个半导体层310和320、活性层330和电极层370中的每个的外表面。绝缘膜390可以设置为至少围绕活性层360的外表面，并且可以在单元发光元件300延伸所沿的一个方向上延伸。绝缘膜390可以用于保护构件。
绝缘膜390的外表面的至少一部分可以与结合件400接触。绝缘膜390可以置于单元发光元件300_1的第一半导体层310、第二半导体层320和活性层330与结合件400之间。在本实施例中，第一半导体层310、第二半导体层320和活性层330可以定位为与结合件400间隔开。然而，即使在这种情况下，由于结合件400设置为与绝缘膜390的外表面接触并围绕绝缘膜390的外表面，所以单元发光元件300_1可以通过结合件400固定。
在图14中，绝缘膜390被示出为形成为在单元发光元件300的长度方向上延伸以覆盖从第一半导体层310到电极层370的侧表面，但本发明不限于此。例如，绝缘膜390可以形成为围绕构件的侧表面部分，并且暴露单元发光元件300的在长度方向上的两个端部。另外，由于绝缘膜390仅覆盖半导体层310和320中的一些以及活性层360的外表面，或者仅覆盖电极层370的外表面的一部分，因此可以部分地暴露电极层370的外表面。绝缘膜390的上表面可以在与单元发光元件300_1的至少一个端部相邻的区域中在剖面中形成为圆的。
绝缘膜390可以包括具有绝缘性质的材料，例如，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)等。因此，可以防止当活性层330与通过其将电信号传输到单元发光元件300_1的电极直接接触时可能会发生的电短路。此外，由于绝缘膜390保护包括活性层330的单元发光元件300_1的外表面，因此可以防止发光效率的劣化。
绝缘膜390可以包括在具有绝缘性的材料之中的具有折射率不同于结合件400的折射率的材料。绝缘膜390可以包括具有折射率比结合件400的折射率高的材料。在示例性实施例中，结合件400可以包括具有在约1.0至约1.7的范围内的折射率的材料，绝缘膜390可以包括具有在约1.2至约2.0的范围内的折射率的材料。然而，本发明不限于此，结合件400和绝缘膜390可以包括具有折射率不同于上述折射率的材料。
绝缘膜390包括具有折射率比结合件400的折射率高的材料，使得可以防止光由于从单元发光元件300_1的外表面发射并朝向结合件400行进的光的全反射而不被发射到单元发光元件300_1的外部。也就是说，通过在单元发光元件300_1与结合件400之间设置具有在单元发光元件300_1的折射率与结合件400的折射率之间的范围内的折射率的材料，可以平稳地发射从单元发光元件300_1的外表面朝向结合件400发射的光而不被全反射。
在本实施例中，绝缘膜390可以形成在单元发光元件300_1的外表面，以用于保护单元发光元件300_1的多个构件。因此，由于绝缘膜390保护单元发光元件300_1的多个构件的外表面，所以可以防止发光效率的劣化。另外，由于绝缘膜390由具有折射率高于结合件400的折射率且低于包括在单元发光元件300_1中的其它构件的折射率的材料形成，因此可以防止全反射，从而防止显示装置10的发光效率的劣化。
图15是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。参照图15，根据本实施例的显示装置10与图3的实施例的显示装置10的不同之处在于，一个第二电极被设置为覆盖包括在一个像素PX中的多个子像素SPX的发光区域EMA。
参照图15，根据本实施例的显示装置10的第二电极220_15可以被设置为在一个像素PX中延伸到在第一方向DR1上相邻的多个邻近的子像素SPX。也就是说，第二电极220_15可以设置为覆盖包括在每个子像素SPX中的多个发光区域EMA中的全部。第二电极220_15的面积可以形成为大于第一发光区域至第三发光区域EMA1、EMA2和EMA3的面积的总和。然而，本发明不限于此，第二电极可以形成为延伸到多个相邻的像素以成一体。
设置在像素PX中的第二电极可以电连接到第二电力线，并且可以接收相同的电信号。在本实施例中，由于一体形状的第二电极220_15设置在多个子像素SPX中，因此多个子像素SPX可以通过电连接到第二电力线的第二电极220_15接收相同的电信号。
此外，由于第二电极220_15被设置为覆盖多个子像素SPX，因此第二电力线可以仅设置在一些像素PX或子像素SPX中，并且可以不设置在一些子像素SPX中。尽管未示出，但是第二电力线可以电连接到第二电极220_15的在包括在一个像素PX中的第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3的一个区域中的部分区域。
图16是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。图17是示出沿着图16的线XVII-XVII'截取的示例的剖视图。参照图16和图17，根据本实施例的显示装置10与图3的实施例的显示装置10的不同之处在于，在每个子像素SPX的边界处还包括反射分隔壁600。
参照图16和图17，反射分隔壁600可以设置在每个子像素SPX的边界处。在平面图中，反射分隔壁600可以设置为在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸。反射分隔壁600可以设置为围绕第一电极210和第一绝缘层510的一部分，包括其中设置有第一电极210、元件单元LS和第二电极220的区域。也就是说，反射分隔壁600可以设置为围绕每个子像素SPX，并且反射分隔壁600可以在显示装置10的显示区域DA的整个表面形成网格图案。反射分隔壁600可以包括反射材料。
反射分隔壁600可以设置在平坦化层106上。反射分隔壁600可以具有其中平坦化层106的至少一部分突出的结构。
反射分隔壁600可以包括上表面、下表面和侧表面。反射分隔壁600的上表面和下表面彼此相对。反射分隔壁600的上表面和下表面中的每个可以定位在一个平面中。定位有上表面的平面和定位有下表面的平面可以基本上彼此平行，因此反射分隔壁可以具有整体均匀的厚度。反射分隔壁600的下表面设置在平坦化层106的一个表面上。
在一些实施例中，反射分隔壁600的上表面的宽度和反射分隔壁600的下表面的宽度可以不同。例如，定位有反射分隔壁600的侧表面的平面可以倾斜以相对于平坦化层106的一个表面在顺时针方向上形成锐角，并且在这种情况下，反射分隔壁600的上表面的宽度可以小于反射分隔壁600的下表面的宽度。由于反射分隔壁600突出并具有相对于平坦化层106的倾斜侧表面，因此在从单元发光元件300发射的光中，行进到反射分隔壁600的倾斜侧表面的光可以从反射分隔壁600的倾斜侧表面反射。
基于平坦化层106的上表面，反射分隔壁600的高度可以大于第一绝缘层510的高度。另外，反射分隔壁600的基于平坦化层106的上表面的高度可以大于单元发光元件300的长度和第一电极210的厚度的总和。
在本实施例中，由于反射分隔壁600具有高度大于每个子像素SPX中的单元发光元件300的长度的突出结构，因此从发光元件300发射并朝向反射分隔壁600的侧表面行进的光可以被反射以在相对于平坦化层106的向上方向上行进或从第二电极220的上部朝向发光区域EMA行进。也就是说，反射分隔壁600可以划分邻近的子像素SPX，并且同时用作反射从单元发光元件300发射的光的反射分隔壁。因此，显示装置10还可以包括反射分隔壁600，使得从单元发光元件300发射的光可以在相对于基底SUB的向上方向上行进，从而改善显示装置10的光效率。
图18是示出沿着图16的线XVII-XVII'截取的另一示例的剖视图。图18的实施例示出了反射分隔壁可以包括分隔壁和反射涂层。也就是说，参照图18，根据本实施例的显示装置与图17的实施例的显示装置的不同之处在于，反射分隔壁还包括反射涂层。
参照图18，反射分隔壁600_1包括分隔壁610和设置在分隔壁610上的反射涂层620。分隔壁610具有与图17的反射分隔壁600基本上相同的形状。反射涂层620设置在分隔壁610的上表面和侧表面上。反射涂层620可以覆盖分隔壁610的上表面和侧表面两者。
反射涂层620可以包括诸如金属的具有高反射率的材料。在示例性实施例中，反射涂层620可以包括诸如银、铜、铝、镍、镧或其合金、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)等的材料，但本发明不限于此。反射涂层620可以直接沉积或涂覆在分隔壁610的一个表面上。作为另一示例，反射涂层620可以通过单独的粘合剂层附着到分隔壁610。
从单元发光元件300朝向反射分隔壁600_1行进的光的一部分可以被反射分隔壁600_1的反射涂层620反射，并且可以在相对于基底SUB的向上方向上行进。
在本实施例的情况下，由于通过反射涂层620进行反射，因此被反射涂层620覆盖的分隔壁610可以包括非反射材料或低反射材料。因此，分隔壁610可以由诸如有机材料的易于成型的材料形成，然后可以在分隔壁610的表面上形成反射涂层620，从而形成反射分隔壁600_1。因此，可以改善反射分隔壁600_1的制造效率。
图19是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。图20是示出沿着图19的线XX-XX'截取的示例的剖视图。参照图19和图20，根据本实施例的显示装置10与图2和图3的实施例的显示装置10的不同之处在于，元件单元的结合件包括散射体SCP以及波长转换材料WCP1和WCP2。
参照图19和图20，在其中每个子像素SPX的发光区域EMA中发射第一颜色至第三颜色中的每种的光的一个实施例中，元件单元LS可以包括设置为对应于相应的子像素SPX的第一元件单元LS1、第二元件单元LS2和第三元件单元LS3。
第一元件单元LS1设置在发射第一颜色的光的第一子像素SPX1中。第一元件单元LS1可以包括设置为彼此间隔开的多个单元发光元件300和第一结合件401。第一结合件401可以包括形成上述结合件400的材料，并且可以包括设置在该材料中的第一波长转换材料WCP1。第一结合件401还可以包括散射体SCP。然而，本发明不限于此，可以省略散射体SCP。
第二元件单元LS2设置在发射第二颜色的光的第二子像素SPX2中。第二元件单元LS2可以包括设置为彼此间隔开的多个单元发光元件300和第二结合件402。第二结合件402可以包括形成上述结合件400的材料，并且可以包括设置在该材料中的第二波长转换材料WCP2。第二结合件402还可以包括散射体SCP。然而，本发明不限于此，可以省略散射体SCP。
第三元件单元LS3设置在发射第三颜色的光的第三子像素SPX3中。第三元件单元LS2可以包括设置为彼此间隔开的多个单元发光元件300和第三结合件403。第三结合件403可以包括形成上述结合件400的材料，并且可以包括设置在该材料中的散射体SCP。然而，本发明不限于此，可以省略散射体SCP。
第一波长转换材料WCP1可以将从单元发光元件300发射的第三颜色的光转换为第一颜色的光，第二波长转换材料WCP2可以是将第三颜色转换为第二颜色的材料。第一波长转换材料WCP1和第二波长转换材料WCP2可以是量子点、量子棒、荧光材料等。量子点可以包括基于IV族的纳米晶体、基于II-VI族的化合物纳米晶体、基于III-V族的化合物纳米晶体、基于IV-VI族的纳米晶体或其组合。
散射体SCP可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的示例可以包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等。有机颗粒的材料的示例可以包括丙烯酸类树脂、聚氨酯类树脂等。
设置在第一子像素SPX1中的第一结合件401可以包括第一波长转换材料WCP1，使得从单元发光元件300发射并入射在第一结合件401上的第三颜色的光的至少一部分可以被转换为第一颜色的光。类似地，设置在第二子像素SPX2中的第二结合件402可以包括第二波长转换材料WCP2，使得从单元发光元件300发射并入射在第二结合件402上的第三颜色的光的至少一部分可以被转换为第二颜色的光。
设置在第三子像素SPX3中的第三结合件403透射从单元发光元件300发射并入射在第三结合件403上的第三颜色的光，同时保持其波长。包括在第三结合件403中的散射体SCP可以用于调节通过第三结合件403发射的光的出射路径。第三结合件403可以不包括波长转换材料。
在本实施例中，尽管在每个子像素SPX中仅包括发射第三颜色的光的单元发光元件300，但是由于设置为对应于相应的第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3的第一结合件至第三结合件401、402和403还包括散射体SCP和波长转换材料WCP1和WCP2，所以第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3均可以发射第一颜色至第三颜色中的每种的光。
图21是根据另一实施例的单元发光元件的剖视图。
参照图21，根据本实施例的单元发光元件300'还可以包括设置在第一半导体层310'与活性层330'之间的第三半导体层340'、设置在活性层330'与第二半导体层320'之间的第四半导体层350'和第五半导体层360'以及第二电极层280'。图21的单元发光元件300'与图4中所示的单元发光元件300的不同之处在于，还设置了多个半导体层340'、350'和360'，并且活性层330'包括另一元素。另外，第一电极层370'的布置和结构与图4的电极层370的布置和结构基本上相同。在下文中，将省略重复的描述，并且将基于与上述内容的差异来提供描述。
在图4中所示的单元发光元件300中，活性层330可以包括氮(N)以发射蓝光或绿光。另一方面，图21的单元发光元件300'可以是其中活性层330'和其它半导体层中的每个包括至少一部分的磷(P)的半导体。根据一个实施例的单元发光元件300'可以是发射具有中心波长范围在620nm至750nm的范围内的红光的单元发光元件。然而，红光的中心波长范围不限于上述范围，应当理解的是，中心波长范围包括在本领域中可以被识别为红色的所有波长范围。
具体地，当第一半导体层310'是n型半导体层，并且单元发光元件300'发射红色的光时，第一半导体层310'可以包括具有InxAlyGa1-x-yP(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料。例如，第一半导体层310'可以包括从掺杂有n型杂质的InAlGaP、GaP、AlGaP、InGaP、AlP和InP之中选择的至少一种。第一半导体层310'可以掺杂有第一导电掺杂剂，作为示例，第一导电掺杂剂可以包括Si、Ge、Sn等。在示例性实施例中，第一半导体层310'可以是掺杂有n型Si的n-AlGaInP。第一半导体层310'的厚度可以在0.1μm至0.5μm的范围内，但本发明不限于此。
第二半导体层320'可以是p型半导体层，并且当单元发光元件300'发射红色的光时，第二半导体层320'可以包括具有InxAlyGa1-x-yP(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料。例如，第二半导体层320'可以包括从掺杂有p型杂质的InAlGaP、GaP、AlGaNP、InGaP、AlP和InP之中选择的至少一种。第二半导体层320'可以掺杂有第二导电掺杂剂，并且作为示例，第二导电掺杂剂可以包括Mg、Zn、Ca、Se、Ba等。在示例性实施例中，第二半导体层320'可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层320'的厚度可以在0.08μm至0.25μm的范围内，但本发明不限于此。
活性层330'可以设置在第一半导体层310'与第二半导体层320'之间。如同图4的活性层330，图21的活性层330'也可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料以发射特定波长范围内的光。作为示例，当活性层330'发射红色波长范围内的光时，活性层330'可以包括诸如AlGaP或AlInGaP的材料。具体地，当活性层330'具有其中量子层和阱层交替地堆叠的多量子阱结构时，量子层可以包含诸如AlGaP或AlInGaP的材料，阱层可以包含诸如GaP或AlInP的材料。在示例性实施例中，活性层330'可以包括作为量子层的AlGaInP和作为阱层的AlInP，使得活性层330'发射具有620nm至750nm的中心波长范围的红光。
发光元件300'可以包括与活性层330'相邻设置的覆层。如附图中所示，设置在活性层330'下方并在活性层330'与第一半导体层310'之间的第三半导体层340'和设置在活性层330'上方并在活性层330'与第二半导体层320'之间的第四半导体层350'可以是覆层。
如同第一半导体层310'，第三半导体层340'可以是n型半导体，作为示例，第三半导体层340'可以包括具有InxAlyGa1-x-yP(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料。在示例性实施例中，第一半导体层310'可以是n-AlGaInP，第三半导体层340'可以是n-AlInP。然而，本发明不限于此。
如同第二半导体层320'，第四半导体层350'可以是n型半导体，作为示例，第四半导体层350'可以包括具有InxAlyGa1-x-yP(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料。在示例性实施例中，第二半导体层320'可以是p-GaP，第四半导体层350'可以是p-AlInP。
第五半导体层360'可以设置在第四半导体层350'与第二半导体层320'之间。如同第二半导体层320'和第四半导体层350'，第五半导体层360'可以包括p型掺杂半导体。在一些实施例中，第五半导体层360'可以用于减小第四半导体层350'与第二半导体层320'之间的晶格常数的差异。也就是说，第五半导体层360'可以是TSBR层。作为示例，第五半导体层360'可以包括p-GaInP、p-AlInP、p-AlGaInP等，但本发明不限于此。
根据本实施例的单元发光元件300'可以包括第一电极层370'和第二电极层380'。第一电极层370'可以设置在第二半导体层320'的一个表面上，第二电极层380'可以设置在第一半导体层310'的一个表面上。第一电极层370'可以设置在第二半导体层320'的上表面上，第二电极层380'可以设置在第二半导体层310'的下表面上。包括图21的单元发光元件300'的元件单元也可以以与包括图4的单元发光元件300的元件单元基本上相同的方式制造。
图22是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。参照图22，根据本实施例的显示装置10与图2的实施例的显示装置10的不同之处在于，被设置为对应于每个子像素的每个元件单元包括不同类型的单元发光元件。
参照图22，在其中每个子像素SPX的发光区域EMA中发射第一颜色至第三颜色中的每种的光的一个实施例中，元件单元LS可以包括设置为对应于相应的子像素SPX的第一元件单元LS1_1、第二元件单元LS2_1和第三元件单元LS3_1。
第一元件单元LS1_1设置在发射第一颜色的光的第一子像素SPX1中。第一元件单元LS1可以包括设置为彼此间隔开的多个第一单元发光元件301和结合件400。第一单元发光元件301可以是发射第一颜色的光的单元发光元件。
第二元件单元LS2_1设置在发射第二颜色的光的第二子像素SPX2中。第二元件单元LS2_1可以包括设置为彼此间隔开的多个第二单元发光元件302和结合件400。第二单元发光元件302可以是发射第二颜色的光的单元发光元件。
第三元件单元LS3_1设置在发射第三颜色的光的第三子像素SPX3中。第三元件单元LS3_1可以包括设置为彼此间隔开的多个第三单元发光元件303和结合件400。第三单元发光元件303可以是发射第三颜色的光的单元发光元件。
第一单元发光元件301可以具有与图21的发光元件300'相同的结构并发射第一颜色的光。第二单元发光元件302和第三单元发光元件303可以具有与图4的单元发光元件300相同的结构，并且如上所述分别发射第二颜色的光和第三颜色的光。在示例性实施例中，第一单元发光元件301可以是发射红色的第一颜色的光的单元发光元件，第二单元发光元件302可以是发射绿色的第二颜色的光的单元发光元件，第三单元发光元件303可以是发射蓝色的第三颜色的光的单元发光元件。
如上所述，单元发光元件300或300'可以根据活性层330或330'的组成产生不同颜色的光，并且在一些情况下可以包括更大数量的半导体层。不同类型的单元发光元件301、302和303可以分别设置在包括在显示装置的一个像素PX中的多个子像素SPX中，并且可以分别发射不同颜色的光。因此，即使当波长转换材料未设置在元件单元LS的结合件中时，单元发光元件301、302和303也可以分别发射不同颜色的光。
图23是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。图24是示出沿着图23的线XXIVa-XXIVa'、线XXIVb-XXIVb'和线XXIVc-XXIVc'截取的示例的一组剖视图。图25是示出沿着图23的线XXV-XXV'截取的示例的剖视图。参照图23至图25，根据本实施例的元件单元的单元发光元件被布置为在一列中在一个方向上延伸。另外，与图19的实施例的不同之处在于，设置在一个像素PX中的第二电极被设置为在与单元发光元件的布置延伸所沿的方向垂直的方向上延伸。
在下文中，将省略对分别设置在包括在一个像素PX中的第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3中的第一结合件至第三结合件401、402和403的构造的描述，并且将基于与上述内容的差异来提供描述。
参照图23至图25，包括在一个像素PX中的第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3可以在第一方向DR1上相邻设置。设置在每个子像素SPX中的第一电极210设置在分别对应于子像素SPX1、SPX2和SPX3的第一发光区域至第三发光区域EMA1、EMA2和EMA3中的每个中，并且具有基本上在第二方向DR2上延伸的矩形形状。如上所述，设置在一个子像素SPX中的第一电极210被设置为与设置于在第一方向DR1上相邻设置的另一子像素SPX中的第一电极210间隔开。
第一元件单元LS1可以设置在设置于第一子像素SPX1中的第一电极210上。第一元件单元LS1可以包括在一个方向上布置的多个单元发光元件300和第一结合件401。包括在根据本实施例的第一元件单元LS1中的多个单元发光元件300布置所沿的一个方向可以平行于第二方向DR2。也就是说，当包括在一个像素PX中的每个子像素SPX在第一方向DR1上相邻设置时，多个单元发光元件300的布置方向可以是第二方向DR2。在第二方向DR2上相邻设置的两个单元发光元件300之间的分隔距离可以相同。
第二元件单元LS2可以设置在设置于第二子像素SPX2中的第一电极210上。第二元件单元LS2可以包括在一个方向上布置的多个单元发光元件300和第二结合件402。包括在根据本实施例的第二元件单元LS2中的多个单元发光元件300布置所沿的一个方向可以平行于第二方向DR2。在第二方向DR2上相邻设置的两个单元发光元件300之间的分隔距离可以相同。
第三元件单元LS3可以设置在设置于第三子像素SPX3中的第一电极210上。第三元件单元LS3可以包括在一个方向上布置的多个单元发光元件300和第三结合件403。包括在根据本实施例的第三元件单元LS3中的多个单元发光元件300布置所沿的一个方向可以平行于第二方向DR2。在第二方向DR2上相邻设置的两个单元发光元件300之间的分隔距离可以相同。
如上所述，由于包括在元件单元LS1、LS2和LS3中的每个中的多个单元发光元件300之间在第二方向DR2上的分隔距离相同，因此设置在一个像素PX中的多个单元发光元件300的布置在平面图中可以具有矩阵形式。
在本实施例中，第二电极220_23可以包括多个第二电极图案。具体地，构成第二电极220_23的多个第二电极图案可以形成为在第一方向DR1上延伸的形状，并且可以设置为在第二方向DR2上彼此间隔开。第一方向DR1可以是与在一个子像素SPX中单元发光元件300布置所沿的方向垂直的方向，或者可以是包括在一个像素PX中的每个子像素SPX的布置方向。
第二电极220_23可以在第一方向DR1上延伸，并且可以设置为遍及其它子像素SPX。因此，根据本实施例的第二电极220_23可以将电信号传输到设置在包括在一个像素PX中的第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3中的单元发光元件300。
因此，在剖视图中，第二电极220_23可以设置在第一绝缘层510和单元发光元件300上，并且可以完全地设置于在第一方向DR1上彼此相邻设置的单元发光元件300和第一绝缘层510上。也就是说，第二电极220_23可以一体地设置以覆盖在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个中在第一方向DR1上相邻设置的单元发光元件300中的全部。
另一方面，在剖面中，第二电极220_23可以设置为在同一子像素SPX中在第二方向DR2上相邻设置的单元发光元件300中的每个和第一绝缘层510上彼此间隔开。也就是说，第二电极220_23可以被图案化并设置为仅覆盖一个单元发光元件300的端部，以对应于在同一子像素SPX中在第二方向DR2上相邻设置的单元发光元件300中的每个。
图26是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。图27是示出沿着图26的线XVIIIa-XXVIIIa'、线XXVIIIb-XXVIIIb'和线XXVIIIc-XXVIIIc'截取的示例的一组剖视图。图28是示出沿着图26的线IIXXX-IIXXX'截取的示例的剖视图。参照图26至图28，与图23至图25的实施例的不同之处在于，设置在包括在一个像素PX中的第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3中的第一元件单元至第三元件单元分别包括第一单元发光元件至第三单元发光元件301、302和303，并且每个结合件不包括散射体或波长转换材料。
在下文中，将省略对设置在一个像素PX中的第一电极、元件单元和第二电极的布置的描述，并且将基于与图23至图25中的上述内容的差异来提供描述。
参照图26至图28，在本实施例中，第二电极220_23可以设置在第一绝缘层510和单元发光元件300上，并且可以在与单元发光元件300在一个子像素SPX中布置所沿的方向垂直的方向上延伸。
具体地，第二电极220_23可以设置在第一绝缘层510上以覆盖第一单元发光元件301、第二单元发光元件302和第三单元发光元件303中的全部的一个端部，第一单元发光元件301、第二单元发光元件302和第三单元发光元件303被布置为在同一行中沿着第一方向DR1延伸并分别设置在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中。因此，根据本实施例的第二电极220_23可以将电信号传输到布置在同一行中并且分别设置在不同子像素SPX中的单元发光元件301、302和303中的每个。
图29是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。图30是示出沿着图29的线XXXa-XXXa'、线XXXb-XXXb'和线XXXc-XXXc'截取的示例的一组剖视图。图31是示出沿着图29的线XXXI-XXXI'截取的示例的剖视图。参照图29至图31，与图23至图25的实施例的不同之处在于，包括在一个像素中的第二电极在每个子像素中被设置为彼此间隔开，并且第二电极延伸所沿的方向平行于设置在一个子像素中的单元发光元件300的布置方向。
在下文中，将省略对设置在一个像素PX中的第一电极和元件单元的布置的描述，并且将基于与图23至图25中的上述内容的差异来提供描述。
参照图29至图31，根据本实施例的每个第二电极220_29具有在第二方向DR2上延伸的形状。设置在一个像素PX中的第二电极220_29可以设置为在第一方向DR1上彼此间隔开，以分别对应于多个子像素SPX。因此，根据本实施例的第二电极220_29可以完全地设置在设置于子像素SPX中的多个单元发光元件300上，以便覆盖每个子像素SPX中沿着第二方向DR2布置的多个单元发光元件300中的全部。
具体地，在第一方向DR1上相邻设置的第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3中，设置在第一子像素SPX1的单元发光元件300上的第二电极220_29、设置在第二子像素SPX2的单元发光元件300上的第二电极220_29和设置在第三子像素SPX3的单元发光元件300上的第二电极220_29可以设置为在第一方向DR1上彼此间隔开。
另外，在被布置为在第二方向DR2上延伸并且设置在一个子像素SPX中以彼此间隔开的多个单元发光元件300中，第二电极220_29可以完全地设置在设置于一个子像素SPX中的多个单元发光元件300和第一绝缘层510上。因此，根据本实施例的第二电极220_29可以将电信号传输到设置在同一子像素SPX中的多个单元发光元件300。
图32是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。图33是示出沿着图32的线XXXIIIa-XXXIIIa'、线XXXIIIb-XXXIIIb'、线XXXIIIc-XXXIIIc'截取的示例的一组剖视图。图34是示出沿着图32的线XXXVI-XXXVI'截取的示例的剖视图。参照图32至图34，与图29至图31的实施例的不同之处在于，设置在包括在一个像素PX中的第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3中的第一元件单元至第三元件单元分别包括第一单元发光元件至第三单元发光元件301、302和303，并且每个结合件不包括散射体或波长转换材料。
参照图32至图34，根据本实施例的每个第二电极220_29具有在第二方向DR2上延伸的形状。设置在一个像素PX中的第二电极220_29可以设置为在第一方向DR1上彼此间隔开，以分别对应于多个子像素SPX。因此，根据本实施例的第二电极220_29可以完全地设置在单元发光元件上，以分别覆盖第一子像素至第三子像素SPX中沿着第二方向DR2布置的第一单元发光元件至第三单元发光元件301、302和303中的全部。
具体地，设置在设置于第一子像素SPX1中的第一单元发光元件301上的第二电极220_29、设置在设置于第二子像素SPX2中的第二单元发光元件302上的第二电极220_29和设置在设置于第三子像素SPX3中的第三单元发光元件303上的第二电极220_29可以设置为在第一方向DR1上彼此间隔开。
设置在第一子像素SPX1中在第二方向DR2上彼此间隔开的多个单元发光元件301上的第二电极220_29可以完全地设置在设置于第一子像素SPX1中的多个单元发光元件301和第一绝缘层510上。因此，根据本实施例的第二电极220_29可以将电信号传输到设置在同一子像素SPX中的多个单元发光元件。
图35是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。图36是示出沿着图35的线XXXVI-XXXVI'截取的示例的剖视图。参照图35和图36，根据本实施例的显示装置与上述实施例的显示装置的不同之处在于，包括在元件单元LS中的单元发光元件300延伸所沿的方向基本上平行于包括基底SUB的上表面的平面。
参照图35，在平面图中，第一电极210'和第二电极220'均可以设置为与每个子像素SPX的中心部分相邻。在平面图中，第一电极210'和第二电极220'均可以具有在第二方向DR2上延伸的形状，并且可以设置为在第一方向DR1上彼此间隔开。第一电极210'和第二电极220'可以基本上设置在发光区域EMA中，并且在第二方向DR2和与第二方向DR2相反的方向上延伸以部分地设置在非发光区域中。
元件单元LS可以设置在第一电极210'与第二电极220'之间。设置在元件单元LS中的单元发光元件300的一个端部电连接到第一电极210'，并且单元发光元件300的与该一个端部相对的另一端部可以电连接到第二电极220。
多个单元发光元件300可以设置为在第二方向DR2上彼此间隔开并且被对准为基本上彼此平行。单元发光元件300之间在第二方向DR2上的分隔距离可以基本上恒定。另外，如上所述，发光元件300具有在一个方向上延伸的形状，第一电极210'和第二电极220'延伸所沿的方向可以基本上垂直于包括在元件单元LS中的多个单元发光元件300中的每个延伸所沿的方向。然而，本发明不限于此，单元发光元件300可以倾斜地设置而不垂直于第一电极分支部分210B和第二电极分支部分220B延伸所沿的方向。
多个单元发光元件300可以通过被结合件400固定来设置。因此，定位在多个单元发光元件300中的每个的一个端部处的半导体层的类型和定位在其另一端部处的半导体层的类型可以在一个元件单元LS中彼此相同。例如，当限定设置有特定半导体层的单元发光元件300的一个端部时，一个元件单元LS可以仅包括均具有朝向第一电极210'设置的一个端部的多个单元发光元件300。
参照图35和图36，元件单元LS可以设置在平坦化层106上。元件单元LS设置在平坦化层106上，使得单元发光元件300的延伸方向平行于基底SUB的上表面，因此结合件400可以设置在平坦化层106与单元发光元件300之间。
结合件400是一体的并形成为围绕单元发光元件300的外表面，但是可以包括在剖面中设置在单元发光元件300下方并在单元发光元件300与平坦化层106之间的第一区域410和设置在单元元件300上方(也就是说，在与其中设置有平坦化层106的侧相对的侧上)的第二区域420。由于结合件的第二区域420设置在单元发光元件300与平坦化层106之间，因此单元发光元件300可以设置为在第三方向DR3上与平坦化层106间隔开。
第一电极210'可以设置在平坦化层106上。第一电极210'可以设置在平坦化层106上，并且第一电极210'的至少一部分区域可以与单元发光元件300的由结合件400暴露的一个端部接触。第一电极210'可以设置为覆盖单元发光元件300的由结合件400暴露的一个端部的至少一部分，并且可以延伸到单元发光元件300的外侧以设置在平坦化层106上。
第二电极220'可以设置在平坦化层106上。第二电极220'可以设置在平坦化层106上，并且第二电极220'的至少一部分区域可以与单元发光元件300的由结合件400暴露的与该一个端部相对的另一端部接触。第二电极220'可以设置为覆盖单元发光元件300的由结合件400暴露的另一端部的至少一部分，并且可以延伸到单元发光元件300的外侧以设置在平坦化层106上。单元发光元件300的一个端部和另一端部可以分别电连接到第一电极210'和第二电极220'以接收电信号。
当第一电极210'和第二电极220'分别设置在单元发光元件300的一个端部和另一端部处时，结合件的设置在单元发光元件300上方的第二区域420可以设置在第一电极210'与第二电极220'之间。另外，单元发光元件300可以由于结合件的设置在单元发光元件300下方的第一区域410而设置为与平坦化层106间隔开。另外，单元发光元件300形成在结合件的第一区域410上以突出到结合件的第一区域410的上表面的外侧。因此，在单元发光元件300的一个端部和另一端部上形成第一电极210'和第二电极220'的工艺中，可以在单元发光元件300的突出到结合件的第一区域410的外侧的下部与平坦化层106之间形成其中未设置多个电极210'和220'的分离空间SS。也就是说，其中未设置预定构件的分离空间SS可以形成在结合件的第一区域410与第一电极210'和第二电极220'之间。
电极210'和220'中的每个可以形成为其中一层或更多层的透明导电材料和具有高反射率的金属层堆叠的结构，或者形成为包括透明导电材料和金属层的单层。在示例性实施例中，电极210'和220'中的每个可以具有ITO/Ag/ITO/IZO的堆叠结构，或者可以是包括Al、Ni、镧(La)等的合金。然而，本发明不限于此。
图37是示出沿着图35的线XXXVI-XXXVI'截取的另一示例的剖视图。图38是示出沿着图35的线XXXVI-XXXVI'截取的再一示例的剖视图。图37和图38的实施例与图36的实施例的不同之处在于，在元件单元LS的一侧和另一侧上还分别包括第一分隔壁630和第二分隔壁640。
参照图37，第一分隔壁630和第二分隔壁640的剖面结构具有与图17中所示的上述反射分隔壁600的剖面结构的形状基本上相同的形状。尽管在附图中未示出，但是在平面图中，第一分隔壁630和第二分隔壁640可以与每个子像素SPX的中心部分相邻设置。在平面图中，第一分隔壁630和第二分隔壁640可以设置为分别与上述第一电极210'和第二电极220'叠置。第一分隔壁630和第二分隔壁640设置为在第一方向DR1上彼此间隔开并且彼此面对。第一分隔壁630和第二分隔壁640可以包括聚酰亚胺(PI)，但本发明不限于此。
多个电极210'和220'可以设置在平坦化层106以及第一分隔壁630和第二分隔壁640上。多个电极210'和220'的部分区域可以设置在第一分隔壁630和第二分隔壁640上，它们的其它部分区域可以设置在平坦化层106上，并且它们的再其它部分区域可以设置为围绕单元发光元件300的一个端部区域的至少一部分。
第一分隔壁630和第二分隔壁640可以设置在平坦化层106上。第一分隔壁630和第二分隔壁640可以在每个子像素SPX中具有突出结构。由于第一分隔壁630和第二分隔壁640在每个子像素SPX中具有突出结构，因此可以允许从发光元件300朝向第一分隔壁630和第二分隔壁640中的每个的侧表面发射的光在相对于基底SUB的向上方向上行进。也就是说，第一分隔壁630和第二分隔壁640可以用作被构造为反射从发光元件300发射的光的反射分隔壁。
参照图38，与图37的不同之处在于，第一电极210'_1和第二电极220'_1也设置在元件单元LS的结合件400上。具体地，第一电极210'_1和第二电极220'_1也可以部分地设置在结合件的设置在单元发光元件300上的第二区域420上。然而，即使在这种情况下，设置在结合件的第二区域420上的第一电极210'_1和第二电极220'_1也可以设置为彼此间隔开。因此，第一电极210'_1和第二电极220'_1可以彼此绝缘。
图39是示出根据又一实施例的显示装置的一个像素的平面图。图40是示出沿着图39的线XL-XL'截取的示例的剖视图。参照图39和图40，根据本实施例的显示装置与图35的实施例的显示装置的不同之处在于，还包括分别设置在第一电极和第二电极上的接触电极。
参照图39和图40，第一电极210'_2和第二电极220'_2可以设置在平坦化层106上。在本实施例中，第一电极210'_2和第二电极220'_2中的每个可以形成为使得其上表面和下表面基本上彼此平行。形成在平坦化层106上的第一电极210'_2和第二电极220'_2中的每个可以设置为与单元发光元件300间隔开。
接触电极260可以设置在第一电极210'_2和第二电极220'_2上。接触电极260可以包括第一接触电极261和第二接触电极262。在平面图中，第一接触电极261和第二接触电极262均可以具有在第二方向DR2上延伸的形状，并且可以被设置为在第一方向DR1上彼此间隔开。
在平面图中，第一接触电极261可以设置在第一电极210'_2上，第二接触电极262可以设置在第一电极220'_2上。第一接触电极261和第二接触电极262可以设置为在厚度方向上分别与第一电极210'_2和第二电极220'_2叠置。
第一接触电极261可以设置在第一电极210'_2上，并且可以朝向单元发光元件300延伸以与单元发光元件300的一个端部区域接触。第二接触电极262可以设置在第二电极220'_2上并且朝向单元发光元件300延伸以与单元发光元件300的一个端部区域接触。因此，单元发光元件300可以通过第一接触电极261电连接到第一电极210'_2，并且可以通过第二接触电极262电连接到第二电极220'_2。
在根据本实施例的显示装置中，首先形成多个电极210'_2和220'_2，然后设置元件单元LS，因此，即使当多个电极210'_2和220'_2与元件单元LS的单元发光元件300间隔开时，也可以通过在多个电极210'_2和220'_2上设置接触电极261和262将多个电极210'_2和220'_2电连接到单元发光元件300。
在本实施例的情况下，单元发光元件300形成在结合件的第一区域410上，以突出到结合件的第一区域410的上表面的外侧。因此，在单元发光元件300的一个端部和另一端部上分别形成第一接触电极261和第二接触电极262的工艺中，其中未设置第一接触电极261和第二接触电极262以及多个电极210'_2和220'_2的分离空间SS_1可以形成在单元发光元件300的突出到结合件的第一区域410的外侧的下部与平坦化层106之间。
图41是示出沿着图39的线XL-XL'截取的另一示例的剖视图。参照图41，与图40的实施例的不同之处在于，在元件单元LS的一侧和另一侧上还分别包括第一分隔壁630和第二分隔壁640。
参照图41，第一电极210'_3可以设置在第一分隔壁630上，第二电极220'_3可以设置在第二分隔壁640上。设置在第一分隔壁630和第二分隔壁640上的第一电极210'_3和第二电极220'_3可以分别完全地覆盖第一分隔壁630和第二分隔壁640的上表面和侧表面，并且可以向外延伸以覆盖平坦化层106的至少一部分。
第一接触电极261_1可以设置在设置于第一分隔壁630上的第一电极210'_3上，第二接触电极262_1可以设置在设置于第二分隔壁640上的第二电极220'_3上。第一接触电极261_1和第二接触电极262_1可以朝向单元发光元件300延伸，并且可以分别与单元发光元件300的一个端部和另一端部接触。因此，单元发光元件300可以电连接到第一电极210'_3和第二电极220'_3。
图42是示出沿着图39的线XL-XL'截取的再一示例的剖视图。参照图42，根据本实施例的显示装置与图41的实施例的显示装置的不同之处在于，第二绝缘层进一步设置在结合件的设置在单元发光元件上方的第二区域上。
参照图42，设置在设置于第一分隔壁630上的第一电极210'_3上的第一接触电极261_2可以完全地覆盖单元发光元件300的一个端部区域，并且延伸以设置在结合件的定位在单元发光元件300的上表面上的第二区域420上。第一接触电极261_2可以设置在结合件的第二区域420上，以暴露结合件的第二区域420的至少一部分。
第二绝缘层520可以进一步设置在结合件的第二区域420上。第二绝缘层520可以设置为覆盖第一接触电极261_2的设置在结合件的第二区域420上的至少一部分。第二绝缘层520可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如，第二绝缘层520可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)等的无机绝缘材料。可选地，第二绝缘层520可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、PI树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂的有机绝缘材料。然而，本发明不限于此。
设置在设置于第二分隔壁630上的第二电极220'_3上的第二接触电极262_2可以完全地覆盖单元发光元件300的一个端部区域，并且延伸以设置在结合件的定位在单元发光元件300的上表面上的第二区域420和第二绝缘层520上。在本实施例中，第二绝缘层520可以设置在第一接触电极261_2与第二接触电极262_2之间以彼此绝缘。
在结束详细描述时，本领域技术人员将理解的是，可以对优选实施例进行许多变化和修改而基本上不脱离发明的原理。因此，所公开的发明的优选实施例仅用于一般性和描述性意义，而不是为了限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一电极；
第二电极，设置为在第一方向上与所述第一电极间隔开；以及
元件单元，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述元件单元包括：
多个单元发光元件，均具有在一个方向上延伸的形状，并且布置为在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；以及
结合件，形成为围绕所述多个单元发光元件中的每个，并且被构造为固定所述多个单元发光元件，
其中，所述多个单元发光元件中的每个延伸所沿的所述一个方向平行于所述第一方向。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述结合件暴露所述多个单元发光元件中的每个的两个端部区域中的至少一个端部区域。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述单元发光元件的第一端部电连接到所述第一电极，并且所述单元发光元件的与所述第一端部相对的第二端部电连接到所述第二电极。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述单元发光元件包括第一半导体层、第二半导体层和设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的活性层，并且
在所述多个单元发光元件中的每个中，所述第一半导体层、所述活性层和所述第二半导体层在所述第一方向上顺序地设置。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，在所述多个单元发光元件中的每个中，在所述活性层中产生的光从所述第一端部和所述第二端部发射。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述结合件部分地围绕所述单元发光元件的外表面，并且完全地围绕所述活性层的外表面。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个单元发光元件之间的在所述第二方向上的分隔距离相同。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极形成为在所述第二方向上延伸。
9.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一电极，在第一方向上延伸；
元件单元，设置在所述第一电极上，并且在所述第一方向上延伸；
第一绝缘层，设置在所述第一电极和所述元件单元上；以及
第二电极，设置在所述第一绝缘层上，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上面对所述第一电极，
其中，所述元件单元包括：多个单元发光元件，均具有在所述第二方向上延伸的形状，并且设置在所述第一电极上；以及结合件，被构造为固定所述多个单元发光元件。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述多个单元发光元件被布置为在所述第一方向上彼此间隔开，并且
所述多个单元发光元件之间的在所述第一方向上的分隔距离相同。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述结合件暴露所述单元发光元件的两个端部区域中的至少一个端部区域。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述结合件在所述第二方向上与所述第一电极间隔开。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层与所述结合件和所述单元发光元件的由所述结合件暴露的部分区域接触。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述结合件还包括波长转换材料。
15.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述单元发光元件中的每个的第一端部与所述第一电极直接接触，并且所述单元发光元件中的每个的与所述第一端部相对的第二端部与所述第二电极直接接触。
16.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述第一电极包括第一电极基体层和设置在所述第一电极基体层上的第一电极上层，并且
所述第一电极基体层反射从所述单元发光元件发射的光。
17.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
第一电极，设置在所述基底上；
第二电极，设置在所述基底上以在第一方向上与所述第一电极间隔开；以及
元件单元，在所述第一电极与所述第二电极之间设置在所述基底上，
其中，所述元件单元包括：
多个单元发光元件，均具有在所述第一方向上延伸的形状，并且设置在所述基底上；以及
结合件，形成为围绕所述多个单元发光元件中的每个，并且被构造为固定所述多个单元发光元件，
其中，所述结合件包括：第一区域，设置在其中设置有所述基底的第一侧上；以及第二区域，设置在与所述第一侧相对的第二侧上。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述单元发光元件形成为从所述结合件的所述第一区域突出。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，
所述单元发光元件的第一端部电连接到所述第一电极，并且
作为与所述第一端部相对的端部的第二端部电连接到所述第二电极。
20.根据权利要求19所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一接触电极，设置在所述第一电极上；以及
第二接触电极，设置在所述第二电极上，
其中，所述结合件的所述第二区域设置为暴露所述多个单元发光元件的两个端部区域，
所述第一接触电极与所述第一端部接触，并且
所述第二接触电极与所述第二端部接触。
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