CN114830234A - 存储器装置传感器 - Google Patents

存储器装置传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN114830234A
CN114830234A CN202080085682.4A CN202080085682A CN114830234A CN 114830234 A CN114830234 A CN 114830234A CN 202080085682 A CN202080085682 A CN 202080085682A CN 114830234 A CN114830234 A CN 114830234A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensor
memory device
embedded
data
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080085682.4A
Other languages
English (en)
Inventor
D·M·贝尔
R·巴吉
E·M·戈夫
Z·胡斯埃尼玛卡雷姆
C·M·奥唐奈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micron Technology Inc
Original Assignee
Micron Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micron Technology Inc filed Critical Micron Technology Inc
Publication of CN114830234A publication Critical patent/CN114830234A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26Power supply means, e.g. regulation thereof
    • G06F1/32Means for saving power
    • G06F1/3203Power management, i.e. event-based initiation of a power-saving mode
    • G06F1/3234Power saving characterised by the action undertaken
    • G06F1/325Power saving in peripheral device
    • G06F1/3275Power saving in memory, e.g. RAM, cache
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/04Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1656Details related to functional adaptations of the enclosure, e.g. to provide protection against EMI, shock, water, or to host detachable peripherals like a mouse or removable expansions units like PCMCIA cards, or to provide access to internal components for maintenance or to removable storage supports like CDs or DVDs, or to mechanically mount accessories
    • G06F1/1658Details related to functional adaptations of the enclosure, e.g. to provide protection against EMI, shock, water, or to host detachable peripherals like a mouse or removable expansions units like PCMCIA cards, or to provide access to internal components for maintenance or to removable storage supports like CDs or DVDs, or to mechanically mount accessories related to the mounting of internal components, e.g. disc drive or any other functional module
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1684Constructional details or arrangements related to integrated I/O peripherals not covered by groups G06F1/1635 - G06F1/1675
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16Constructional details or arrangements
    • G06F1/20Cooling means
    • G06F1/206Cooling means comprising thermal management
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • G11C11/5621Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
    • G11C11/5642Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
    • G11C11/40626Temperature related aspects of refresh operations
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Abstract

描述了与使用存储器装置传感器相关的系统、设备和方法。一些存储器系统或装置类型包含嵌入于其电路系统中的传感器。举例来说,装置可耦合到具有嵌入式传感器的存储器装置。所述存储器装置可使用耦合到所述装置的传感器输出发射所述嵌入式传感器产生的数据。所述存储器装置可至少部分地基于存储器装置的特性从嵌入于所述存储器装置中的传感器产生信号并且将所述传感器产生的所述信号从所述存储器装置发射到与所述存储器装置耦合的另一装置。

Description

存储器装置传感器
技术领域
本公开大体上涉及半导体存储器和方法,且更特定来说,涉及用于存储器装置传感器的设备、系统和方法。
背景技术
存储器装置通常被提供为计算机或其它电子系统中的内部、半导体、集成电路。存在许多不同类型的存储器,包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持其数据(例如主机数据、错误数据等等),并包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和闸流体随机存取存储器(TRAM)等等。非易失性存储器可通过在未被供电时保存所存储数据来提供永久数据,且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器及电阻可变存储器,例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)及磁阻随机存取存储器(MRAM),例如自旋力矩转移随机存取存储器(STT RAM)等等。
存储器装置可耦合到另一装置(例如,计算装置、处理资源等)以存储在计算机或电子系统正操作时由装置使用的数据、命令和/或指令。举例来说,数据、命令和/或指令可在计算或其它电子系统的操作期间在其它装置与一或多个存储器装置之间传送。
附图说明
图1是根据本公开的数个实施例的呈包含存储器装置传感器的计算系统形式的设备的功能框图。
图2是根据本公开的数个实施例的呈包含装置传感器的计算系统形式的功能框图。
图3是包含根据本公开的数个实施例的存储器装置传感器的实例的流程图。
图4是表示根据本公开的数个实施例的用于存储器装置传感器的实例方法的流程图。
图5是表示根据本公开的数个实施例的用于存储器装置传感器的另一实例方法的流程图。
具体实施方式
描述了与使用存储器装置传感器相关的系统、设备和方法。一些存储器系统或装置类型包含嵌入于其电路系统中的传感器。举例来说,装置可耦合到具有嵌入式传感器的存储器装置。存储器装置可使用耦合到装置的传感器输出发射由嵌入式传感器产生的数据。举例来说,存储器装置可至少部分地基于存储器装置的特性从嵌入于存储器装置中的传感器产生信号并且将传感器产生的信号从存储器装置发射到与存储器装置耦合的另一装置。
利用嵌入于存储器装置中的传感器获得由嵌入式传感器产生的信息可通过消除对包含用于外部传感器的硬件的需要来节约资源(例如,空间、金钱、电力等)。举例来说,另一装置可耦合到包含嵌入式传感器的存储器装置。存储器装置可使用耦合到另一装置的专用传感器输出发射由嵌入式传感器产生的数据。
包含存储器装置的计算系统可包含可用于将数据存储(例如,写入)于计算系统中的一或多个不同存储器媒体类型。此类数据可在计算系统与存储器系统之间传送。存储于存储器装置的存储器媒体中的数据对于计算系统和/或连接到存储器装置的另一装置的操作来说可为重要或甚至关键的。存在包含存储器媒体的各种类型的存储器装置。存储器媒体的一些实例包含非易失性存储器和易失性存储器。
非易失性存储器可通过在未供电时保持存储数据来提供永久数据,且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)和可包含电阻可变存储器的存储类存储器(SCM),例如相变随机存取存储器(PCRAM)、三维交叉点存储器(例如,3D XPointTM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)和可编程导电存储器,以及其它类型的存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据(例如,错误数据等),且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SRAM)等等。一些类型的存储器装置可包含嵌入于存储器装置的电路系统中的传感器。
举例来说,DRAM可包含嵌入于电路系统中的一或多个传感器(例如,温度传感器)。嵌入式传感器可以是可编程的以产生信号。信号可表示传感器数据,且存储器装置(例如,包含DRAM)可接收信号且存储与传感器相关联的数据(例如,传感器数据)。所述信号可表示与DRAM所位于的环境相关和/或与耦合到DRAM的另一装置相关的数据。计算装置可频繁地包含DRAM作为存储器媒体。随着例如无线通信装置、移动装置、半自主车辆、全自主车辆、物联网(IoT)装置、移动人工智能系统等其它装置的普及,也越来越需要传感器和其它与计算系统有关的装置来产生关于计算装置周围环境的信息。因而,越来越需要由耦合到计算装置的传感器搜集的信息。
在一些方法中,外部传感器可耦合到主机且将包含传感器数据的信号发射到与可包含在主机中的另一装置耦合的存储器装置。此方法可将传感器产生的信号提供到主机。此方法可为缓慢的、昂贵的,且传感器可占据可能不易获得的空间、消耗过量电力,以及/或以其它方式浪费计算系统(或主机)的资源。
主机可包含处理器、中央处理单元(CPU)和/或为连接到存储器装置的另一装置。此类主机包含边缘计算装置、移动装置内的计算装置、车辆(例如,自主或半自主车辆等)内的计算装置且可使用例如DRAM等存储器装置来执行应用程序且可得益于传感器的使用。在本文中的一些实例中,包含例如DRAM等存储器媒体的存储器装置可包含机载传感器(例如,嵌入于存储器装置的电路系统中)。举例来说,车辆可包含装置(例如,计算装置、处理器、CPU等)以执行耦合到车辆内的装置的存储器装置中存储的指令。传感器可间歇性地或不断地产生包含待写入(例如,存储)于DRAM中的传感器数据的信号,然而,对存储于DRAM中的传感器数据的最终应用程序存取并不总是可能的或高效的。随着更多装置(例如,边缘计算装置、车辆等)利用DRAM,且存储器系统的存储能力增加,由嵌入式传感器产生的传感器数据的量增加,且无法存取存储于DRAM中的传感器数据的影响变得更明显。由于从外部传感器读取和解译传感器数据的一些方法的限制,这些影响可能会进一步加剧,使得内容可能是有效的,尤其是存储在存储器系统中的传感器数据量和预期的传感器数据检索速度。
相比之下,本文中的实施例是针对启用最终应用程序、用户应用程序和/或主机应用程序、对嵌入于存储器装置中的传感器的存取,使得耦合到存储器装置的装置可通过避免外部传感器的安装而节省资源,因此节省电力、不必要的硬件、成本等。主机可利用包含在耦合到主机的存储器装置中的已有嵌入式传感器。举例来说,在移动装置和/或部分或完全自主车辆的上下文中,与从传感器接收到的信号相关的决策可需要最终用户存取,使得可迅速地、高效地或以其它方式解译动作。启用已经存在于DRAM上的传感器的使用可提高来自传感器的此类传感器数据的可用性。
在另一实施例中,本文中所描述的传感器可位于和/或存在于半导体存储器装置中的切割道附近和/或上。切割道可位于裸片之间的半导体晶片上,使得裸片可分离。在一些实例中,传感器在制造期间集成在切割道附近和/或上的半导体晶片上。在制造后启用这些集成(例如,嵌入式)传感器的使用可提高由传感器收集的传感器数据的可用性而无需额外和/或外部硬件。
本文中的实施例描述耦合到存储器装置的另一装置,所述另一装置可由控制器(例如,处理器、控制电路系统、硬件、固件和/或软件)和各自包含控制电路系统的数个存储器装置配置。控制器可包含将一值输出到包含于主机上的另一装置的命令解码器。如本文中所使用,术语“值”指代来自嵌入于存储器装置中的传感器的输出。值的一些实例可包含温度值,例如,呈华氏度、摄氏度、开尔文或用于测量热力学温度的任何其它单位的温度。温度值可作为经编码的8位二进制串发射。值的另一实例可为时间单位(例如,微秒(μs)、秒、分钟等)或检测事件的量。检测事件可为由嵌入于存储器装置中的运动传感器检测到的运动事件的量,且运动值和/或运动传感器值可为检测到的运动事件的量。
可使用传感器输出发射来自存储器装置的输出。如本文中所使用,术语“传感器输出”是指输出组件被配置成将传感器数据(例如,值)从嵌入式传感器传送到另一装置和/或主机。举例来说,传感器输出可与总线上通常包含的数据输出分离。传感器输出可用以将关于表示传感器数据的信号的指示发射到另一装置和/或主机。传感器输出可专用于传感器,使得其被配置成将表示传感器数据的信号和/或指示发射到装置。
在一些实例中,本文中所描述的传感器输出可为产生为多于一个嵌入式传感器的平均值的值。在一些实例中,传感器输出可为多于一个嵌入式传感器的加权平均值,其中权重是基于嵌入式传感器相对于传感器正产生传感器数据的区域的位置。举例来说,多于一个嵌入式温度传感器可位于主机上的各个位置中以监测主机内部的温度。由位于最靠近内部传感器处的嵌入式传感器产生的温度值可被加权为高于距离主机内部较远的不同嵌入式传感器产生的表示温度数据的信号。
在本文所描述的另一实施例中,包含存储器媒体的存储器装置(例如具有嵌入式传感器的DRAM)可被配置成使用包含在总线中的标准I/O线将表示来自嵌入式传感器的传感器数据的信号发射到与存储器装置耦合的另一装置。举例来说,控制器(例如,命令解码器)可接收命令(例如,多用途寄存器读取命令),且存储器装置可被配置成将每个嵌入式传感器输出映射到对应的多用途寄存器。在此实例中,存储器装置的现有带宽可用于节省对专用传感器输出的需要。
在本公开的以下详细描述中,参考形成本公开的部分的附图,且附图中通过图示的方式展示可实践本公开的一或多个实施例的方式。足够详细地描述这些实施例以使所属领域的一般技术人员能够实践本公开的实施例,且应理解,可利用其它实施例且可在不脱离本公开的范围的情况下进行过程、电气和结构性改变。
如本文中所使用,例如“N”、“M”、“P”等特定地相对于图式中的参考标号的指定符指示可包含数个如此指定的特定特征。还应理解,本文中所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的,而不意图为限制性的。如本文所使用的,除非上下文另外明确规定,否则单数形式“一个/种(a/an)”以及“所述”包含单数和复数指示物。此外,“数个”、“至少一个”和“一或多个”(例如数个存储器装置)可指一或多个存储器装置,而“多个”意图指这种事物中的多于一个。此外,贯穿本申请案以许可的意义(即,有可能、能够),而非以强制性的意义(即,必须)使用单词“可能”和“可”。术语“包含”和其派生词指“包含但不限于”。术语“耦合(coupled/coupling)”意为视情况需要直接或间接地以物理方式连接或用于存取和移动(发射)命令和/或数据,除非另外说明,否则可包含无线连接。视上下文而定,术语“数据”和“数据值”在本文中可互换地使用且可具有相同含义。
本文中的图式遵循编号定则,其中第一的一或多个数字对应于图式编号,且剩余的数字标识图式中的元件或组件。可通过使用类似数字来标识不同图式之间的类似的元件或组件。举例来说,106可表示图1中的元件“06”,且相似元件可在图2中表示为206。通常在本文中可用单个元件符号指代多个类似元件或组件或元件或组件群组。举例来说,多个参考元件230-1、…、230-P(例如,230-1到230-P)可大体上被称作230。如将了解,可添加、交换和/或去除本文中的各种实施例中示出的元件,从而提供本公开的数个额外实施例。另外,图式中提供的元件的比例和/或相对尺度意图说明本公开的某些实施例,且不应被视作限制性意义。
图1为根据本公开的数个实施例的呈包含存储器装置传感器的计算系统100形式的设备的功能框图。如本文所使用,“设备”可以指但不限于多种结构或结构的组合中的任何一种,例如电路或电路系统、一或多个裸片、一或多个模块、一或多个其它装置或一或多个系统。计算系统100可包含存储器装置112。存储器装置112可包含可在本文中共同地被称作存储器阵列104的存储器阵列104-1和存储器阵列104-M。存储器装置112可包含耦合到多路复用器(MUX)106的控制器102。MUX 106可耦合到嵌入于存储器装置112的电路系统中的一或多个传感器。举例来说,MUX 106可耦合到温度传感器130-1、定时器130-2(例如,用于自刷新控制)、振荡器130-3、计数器130-4和/或运动传感器130-P,其可共同地被称作一或多个传感器130。运动传感器可包含整合式定向传感器,例如加速计和/或陀螺仪(例如,微机电系统陀螺仪)。尽管本文中提到特定类型的传感器,但实施例不限于此,且可使用其它传感器(例如,压力传感器和/或随机数产生器)。
存储器装置112可包含易失性或非易失性存储器。举例来说,存储器装置112的存储器媒体可为易失性存储器媒体,例如DRAM。DRAM可包含多个传感器,其可为温度传感器、运动传感器、振荡器、定时器或其组合中的至少一个。存储器装置112可经由总线105耦合到另一装置120。总线105可包含时钟线(CLK)108、用以发射命令的命令线110、用以确定应在何处发送命令的地址线114,以及数据输入/输出(数据I/O)116。另一装置120可为CPU、图形处理单元(GPU)、专用集成电路(ASIC)、边缘计算装置等。装置120可为主机(例如,处理器)和/或被包含为主机的部分(例如,另一装置内的计算装置)。
举例来说,主机可以是主机系统(例如,较大装置内的计算系统),例如无线连接的装置内的计算装置、个人手提式计算机内的计算装置、车辆内的计算装置、台式计算机内的CPU和/或处理器、数码相机内的计算装置、移动电话内的计算装置、支持物联网(IoT)的装置,或存储卡读取器内的计算装置、图形处理单元(例如,视频卡)内的计算装置,以及各种其它类型的主机。如本文所使用,“支持IoT的装置”可指嵌入有电子器件、软件、传感器、致动器和/或使得此类装置能够连接到网络和/或交换数据的网络连接性的装置。具有IoT功能的装置的实例包含移动电话、智能电话、平板计算机、平板手机、计算装置、可植入装置、车辆、家用电器、智能家用装置、监测装置、可佩戴装置、实现智能购物系统的装置,以及其它网络物理系统。
主机和/或其它装置120可包含系统主板和/或背板并且可包含数个存储器存取装置,例如数个处理资源(例如,一或多个处理器、微处理器或一些其它类型的控制电路系统)。所属领域的一般技术人员将理解,“处理器”可以意指一或多个处理器,例如并行处理系统、数个协处理器等。装置120可通过总线105耦合到存储器装置112。
控制器102可包含可从总线105的命令线110接收命令的命令解码器。控制器102可接收从传感器130读取数据的命令。命令可为来自另一装置120的模式寄存器类型命令,其可包含与哪一传感器需要使用传感器输出118输出表示传感器数据的信息。MUX可为在从选择引脚接收到的模拟输入信号与数字输入信号之间进行选择且将信号转发到传感器输出118的装置。
如所提及,计算系统100包含嵌入于存储器装置112的电路系统中的传感器130。传感器130可被配置成收集与连接到存储器装置112的另一装置120有关的数据。举例来说,另一装置120可为主机的部分和/或耦合到主机。传感器130可嵌入于存储器装置112中,例如包含例如DRAM等存储器且收集对应于另一装置120的环境的数据。换句话说,嵌入式传感器130可为温度传感器130-1,其可产生表示呈主机和/或主机的环境的温度形式的传感器数据(例如,特定温度值)的信号。
存储器装置112可被配置成使用传感器输出118将表示传感器数据的传感器130信号发射到另一装置120。举例来说,耦合的传感器输出118可耦合到传感器130并且耦合到另一装置120中的一或多个以将表示由传感器130收集的传感器数据的信号发射到另一装置120。传感器输出可专用于嵌入于存储器装置112中的传感器。以此方式,嵌入式传感器130可为可由最终应用程序(例如,用户、主机等)存取的以提供传感器产生的数据。
在一些实施例中,MUX 106可响应于从控制器106接收到命令而接收表示来自多个传感器130的传感器数据的信号。举例来说,控制器106可经由总线105从另一装置120接收对从一或多个传感器130读取传感器数据的请求。响应于接收到所述请求,控制器102可将选择和转发表示来自温度传感器130-1和运动传感器130-P的传感器数据的信号的命令发射到MUX 106,其中运动传感器130-P和温度传感器130-1两者均嵌入于存储器装置112的电路系统中。MUX 106可经由传感器输出118将表示来自温度传感器130-1和运动传感器130-P的传感器数据的信号发射到另一装置120。
图2是根据本公开的数个实施例的呈包含存储器装置传感器230的计算系统200形式的功能框图。计算系统200可包含存储器装置212且类似于图1的存储器装置112。存储器装置212可包含存储器阵列204-1和存储器阵列204-M,所述存储器阵列可在本文中共同地被称作存储器阵列204且类似于图1的存储器阵列104。
存储器装置212可包含可类似于图1的控制器102的控制器202。控制器202可耦合到寄存器224-1、224-2、224-3和224-N,且在本文中共同地被称作寄存器224。寄存器224可各自耦合到嵌入于存储器装置212的电路系统中的一或多个传感器。举例来说,寄存器224-1可耦合到温度传感器230-1,寄存器224-2可耦合到运动传感器230-P,寄存器224-3和224-N可经由振荡器230-3和/或计数器230-4耦合到定时器230-2,这可共同地被称作一或多个传感器230。尽管本文中提到特定类型的传感器,但实施例不限于此,且可使用其它传感器(例如,压力传感器和/或随机数产生器)。
存储器装置212可经由总线205耦合到装置220。总线205可包含时钟线(CLK)208、用于发射命令的命令线210、用于确定应在何处发送命令的地址线214,以及数据输入/输出(数据I/O)216。另一装置220可为CPU、图形处理单元(GPU)、专用集成电路(ASIC)、边缘计算装置等。另一装置220可被包含为主机(未说明以免混淆本公开的实例)的一部分。
总线205可耦合到输入/输出逻辑(IO逻辑)219。IO逻辑219可为存储器装置212与另一装置220之间的通信。I/O逻辑219可包含执行存储器装置212的输入和输出操作的硬件。I/O逻辑219可从嵌入式传感器230接收信息且经由总线205将其发射到另一装置220。
图2说明装置220和耦合到另一装置220的存储器装置212的实例。存储器装置212包含嵌入于存储器装置212中的多个传感器230,以及各自分别耦合到多个传感器230中的一个的多个寄存器224、用以发射命令以读取所述多个寄存器中的一或多个的控制器202(例如,命令解码)和用以将传感器数据从所述多个寄存器224发射到另一装置220的耦合到所述多个寄存器224(例如,经由IO逻辑219)的数据输出(数据/IO)216。
表示从传感器230发射到相应寄存器224的传感器数据的信号可为传感器230的操作的数据。举例来说,温度传感器230-1可产生温度值且将表示温度值的信号发射到寄存器224-1;嵌入式定时器230-2可包含振荡器230-3和/或计数器230-4,其可将表示传感器数据的信号发射到寄存器224-3和/或224-N;嵌入式运动传感器230-P可将表示运动传感器数据的信号发射到寄存器224-2。
嵌入式定时器可包含振荡器230-3,其可产生周期性信号以发射到寄存器224-3和/或计数器230-4。计数器230-4可(独立地或与振荡器230-3并行地)发射由传感器230中的一或多个收集的数据的发生数量。换句话说,振荡器230-3可与计数器230-4一起工作以周期性地产生可报告由传感器230中的任一个产生的信号的数量的信号。相比之下,振荡器230-3和计数器230-4可独立地操作以将表示传感器数据的相应信号发射到相应寄存器。
在一些实施例中,控制器202可配置传感器230以基于参数产生表示传感器数据的信号。举例来说,当另一装置220位于特定环境中时,控制器202可配置传感器230以向相应寄存器224产生表示传感器数据的信号。控制器202可产生寄存器读取命令222以读取存储于相应寄存器中的传感器数据,且I/O逻辑219可将传感器数据从寄存器224发射到另一装置220。
环境可为另一装置220的位置(例如,耦合到另一装置的主机的位置)。控制器202可从另一装置220接收与环境有关的指示,且控制器202可配置传感器230以产生表示关于环境的传感器数据的信号。举例来说,控制器202可接收对另一装置220(例如,耦合到另一装置220的主机)位于环境中的指示。控制器202可配置温度传感器230-1以产生温度值(例如,经编码8位二进制串)并且将温度值发射到寄存器224-1。响应于从控制器202发射的寄存器读取命令222,I/O逻辑219可将表示来自寄存器224-1的包含温度值的传感器数据的信号发射到另一装置220。换句话说,I/O逻辑219可将与多个传感器230的相应操作有关的值发射到另一装置220。使用这些方法,嵌入式温度传感器230-1产生的温度值可为可被另一装置220和/或主机/用户存取的。
在一些实施例中,嵌入式定时器230-2(使用嵌入式振荡器203-3和/或嵌入式计数器230-4)可产生具有固定周期(例如1μs)的定时器输出。在其它实施例中,定时器输出可为旗标,其中控制器202被配置成在已经过数秒时产生寄存器读取命令222。控制器202可基于已经过的秒数对存储器装置212进行编程以向相应寄存器224产生传感器输出。
如所提及,运动传感器230-P可嵌入于存储器装置212的电路系统中且可检测环境内的运动改变。举例来说,环境可为另一装置220的位置(例如,主机耦合到另一装置的位置)。控制器202可从另一装置220接收与环境有关的指示,且控制器202可配置传感器230以产生表示关于环境的传感器数据的信号。举例来说,控制器202可接收对另一装置220(例如,耦合到另一装置220的主机)位于环境中的指示。如果在环境中检测到运动,那么控制器202可配置运动传感器230-P以产生旗标。响应于从控制器202发射的寄存器读取命令222,I/O逻辑219可将传感器数据从包含运动传感器旗标的寄存器224-2发射到另一装置220。
在一些实施例中,多个嵌入式传感器230可组合使用以经由另一装置220将信息提供到主机/用户。举例来说,另一装置220可耦合到IoT装置(例如,主机)且IoT装置可响应于表示(例如,来自传感器230中的一或多个的)传感器数据的信号从多个寄存器224到另一装置220的发射而起始一操作。IoT装置可包含另一装置220,且可基于所接收的传感器数据作出决策。举例来说,IoT装置可为移动电话,且耦合到移动电话的另一装置220可从温度传感器230-1和嵌入于移动电话的存储器装置212中的运动传感器230-P接收温度值。基于温度值和运动传感器值的接收,另一装置220可启动移动电话以改变操作(例如,从“接通”切换到“关断”)。使用这些方法,主机/用户可存取嵌入式传感器产生的传感器数据并且避免对外部传感器安装的需求。
图3是包含根据本公开的数个实施例的存储器装置传感器的实例的流程图。图3的流程图301描述存储器装置(例如,图1的存储器装置112)经由控制器(例如,图1的控制器102)对嵌入于存储器装置的电路系统中的传感器(例如,图1的传感器130)进行编程以产生表示关于耦合到另一装置(例如,图1的装置120)的主机的传感器数据的信号。在框340处,存储器装置可经由控制器配置嵌入于存储器装置的电路系统中的传感器以产生表示传感器数据的信号,以可供另一装置在外部存取。举例来说,存储器装置可被配置成产生表示来自嵌入式传感器的传感器数据的信号。在一些实施例中,存储器装置可被配置成当另一装置正在操作时,且/或当传感器检测到大于或小于预定阈值的值时,以预定时间间隔产生表示来自相应嵌入式传感器的传感器数据的信号。
在框342处,嵌入式传感器中的一或多个可收集数据值。举例来说,温度传感器(例如,图1的温度传感器130-1)可收集来自另一装置和/或存储器装置所在的环境的温度(例如,数据值)。嵌入于存储器装置的电路系统中的传感器可间歇性地、响应于命令和/或连续地等收集数据。在一些实施例中,传感器收集的数据可作为表示传感器数据(数据值)的信号经由专用输出(例如,图1的传感器输出118)发射到另一装置。传感器输出可直接耦合到嵌入于存储器装置中的传感器。在其它实施例中,传感器数据可发射到寄存器(例如,图2的寄存器224)以作为映射到每个嵌入式传感器的信号。
举例来说,在框344处,存储器装置可将表示传感器数据(例如,数据值)的信号发射到对应寄存器。在框346处,来自嵌入式传感器的传感器数据(例如,数据值)可存储在其对应寄存器中直到其被发射到另一装置为止。在一些实例中,寄存器可存储传感器数据值直到其由I/O逻辑(例如,图2的I/O逻辑207)检索到为止。在框348处,I/O逻辑可从寄存器接收传感器数据(例如,数据值)。I/O逻辑可响应于由存储器装置的控制器产生的寄存器读取命令(例如,图2的寄存器读取命令222)而接收传感器数据值。可响应于另一装置处于环境中、改变环境和/或被用户和/或主机请求而产生寄存器读取命令。
在框350处,可将表示传感器数据(例如,数据值)的信号发射到另一装置。如本文中所提及,另一装置可耦合到主机、为主机的部分或为整个主机。主机可通过利用嵌入于存储器装置中的传感器来节约资源、时间和电力。另一装置可分析表示从嵌入于存储器装置中的传感器收集的传感器数据的信号。在框352处,另一装置可分析表示从嵌入式传感器接收的传感器数据(例如,数据值)的信号。在一些实例中,另一装置可致使耦合到另一装置的主机至少部分地基于表示从存储器装置接收的传感器数据的信号来改变操作。
图4是表示根据本公开的数个实施例的用于存储器装置传感器的实例方法489的流程图。在框490处,方法489包含至少部分地基于存储器装置(例如,图1的存储器装置112)的特性,从嵌入于存储器装置中的传感器(例如,图1的传感器130)产生信号。传感器可嵌入于存储器装置的电路系统中。在一些实例中,存储器装置可被配置成使用可包含嵌入式振荡器(例如,图1的振荡器130-3)和/或嵌入式计数器(例如,图1的计数器130-4)的嵌入式定时器(例如,图1的定时器130-2),每隔一段时间请求表示传感器数据的信号。存储器装置可被配置成以预定时间间隔将请求(例如,命令)发射到控制器(例如,图1的控制器102),使得以连续时间间隔产生表示来自嵌入式传感器的传感器数据的信号。在其它实施例中,响应于或按照控制器接收到的请求而产生命令。
举例来说,在一些实施例中,控制器可响应于来自另一装置的对表示来自嵌入于存储器装置中的传感器的传感器数据的信号的请求而产生命令。举例来说,传感器可为嵌入于存储器装置中的温度传感器,另一装置可为IoT装置和/或IoT装置的一部分。IoT装置的组件可请求来自嵌入式传感器的温度传感器数据。IoT装置可请求来自存储器装置的控制器的传感器数据,并且响应于所述请求,控制器可产生用于温度传感器的传感器数据的命令。实施例不限于嵌入于存储器装置中的温度传感器。
在其它实施例中,控制器可响应于来自另一装置的对来自嵌入于存储器装置中的传感器的传感器数据的请求而产生命令。举例来说,传感器可为嵌入于存储器装置中的运动传感器,且另一装置可为IoT装置。IoT装置的组件可请求来自嵌入式运动传感器的运动传感器数据。IoT装置可请求来自存储器装置的控制器的传感器数据,并且响应于所述请求,控制器可产生用于运动传感器的传感器数据的命令。
在其它实施例中,控制器可响应于来自另一装置的对来自嵌入于存储器装置中的传感器的传感器数据的请求而产生命令。举例来说,传感器可为嵌入于存储器装置中的定时器,且另一装置可为IoT装置。IoT装置的组件可请求来自嵌入式定时器的定时器数据。IoT装置可请求来自存储器装置的控制器的定时器数据,并且响应于所述请求,控制器可产生用于定时器的定时器数据的命令。存储器装置可将定时器数据经由专用传感器输出(例如,传感器输出118)发射到另一装置。传感器输出可直接耦合到嵌入式传感器。使用此方法,嵌入式传感器数据可为可供另一装置(和/或主机或用户)直接存取的。
在框492处,方法489包含将传感器产生的信号从存储器装置发射到与存储器装置耦合的另一装置。在其中传感器是嵌入式温度传感器的以上实例中,表示传感器数据的所发射信号可为指示另一装置的环境的温度值。举例来说,温度值可为指示另一装置物理上所在的环境的温度的值。
在其中传感器是嵌入式运动传感器的以上实例中,表示传感器数据的所发射信号可为指示另一装置的环境中的运动的值。举例来说,运动值可为指示与另一装置的环境有关的运动的值(例如,另一装置是车辆且在车辆内部检测到运动)。在其中传感器是嵌入式定时器的以上实例中,表示传感器数据的所发射信号可为指示对应于另一装置时间的值。举例来说,时间值可为指示对应于另一装置的时间的值(例如,时间戳)。在一些实例中,各个嵌入式传感器可产生表示传感器数据的将一起发射的信号。举例来说,时间值可与温度值和/或运动传感器值配对。
在另一实施例中,另一装置可响应于另一装置的环境的改变而将用于来自嵌入式传感器的传感器数据的命令发射到控制器。在不同实施例中,存储器装置可被配置成检测另一装置的环境的改变并且提示另一装置将请求发射到控制器和/或自动将命令发射到嵌入式传感器。换句话说,从控制器接收发射表示来自传感器的传感器数据的信号的命令的这一行为可响应于控制器检测到另一装置的环境的改变。
举例来说,存储器装置可耦合到呈车辆形式的另一装置。车辆可从车库位置移动到室外位置。存储器装置的控制器可被配置成检测此环境改变并且响应于所述环境改变而发射表示来自嵌入式传感器的传感器数据的信号。所述环境改变可改变产生传感器数据的频率和/或传感器数据的经配置阈值。
举例来说,本文中的实施例可包含通过另一装置从嵌入于存储器装置中的传感器接收数据并且起始对包含在数据中的值大于或小于预定阈值的指示。在一些实施例中,另一装置可为IoT装置,其被配置成响应于嵌入式传感器产生的值而采取动作(例如,预防性措施、起动警报器等)。举例来说,另一装置可经由传感器输出从嵌入式传感器接收温度值并且在温度值大于或小于(例如,高于或低于)预定阈值温度的情况下采取动作。
图5是表示根据本公开的数个实施例的用于存储器装置传感器的另一实例方法593的流程图。在框594处,方法593包含读取包含在来自多个寄存器(例如,图2的寄存器224)中的一或多个的信号中的传感器数据,所述寄存器各自分别耦合到嵌入于存储器装置(例如,图1的存储器装置112)中的多个传感器(例如,图2的传感器230),其中传感器数据是由多个传感器中的一或多个产生。在一些实例中,控制器(例如,图1的控制器102)可发射对从多个寄存器中的一或多个读取传感器数据的命令(例如,寄存器读取命令222)。响应于所发射的命令,可将表示传感器数据的信号经由总线(例如,图2的总线205)发射到另一装置。
举例来说,在框596处,方法593可包含将传感器数据经由耦合到多个寄存器的数据输出(例如,图2的数据输出216)发射到与存储器装置耦合的另一装置(例如,图2的装置220)。在一些实施例中,本文所描述,多个传感器可用以将表示传感器数据的信号发射到另一装置,使得所述信号对于主机和/或另一装置的用户为可存取的。
举例来说,方法593可包含配置控制器以第二传感器起始的预定时间间隔发射表示来自第一传感器的传感器数据的信号,其中第一传感器是嵌入式温度传感器(例如,图2的温度传感器230-1),第二传感器是嵌入式定时器(例如,定时器230-2),表示以预定时间间隔发射的传感器数据的信号是温度值。定时器可包含用于以预定时间间隔发射表示传感器数据的信号的振荡器(例如,图2的振荡器230-3)和/或计数器(例如,图2的计数器230-4)。来自一或多个传感器的传感器数据可分别写入到一或多个寄存器。
举例来说,在其中表示传感器数据的发射信号是来自嵌入式温度传感器和定时器的以上实例中,方法593可包含以预定时间间隔中的每一个将温度值写入到多个寄存器中的第一寄存器(例如,图2的寄存器224-1),并且将来自嵌入式定时器的对应于每个温度值的时间指示符写入到第二寄存器(例如,图2的寄存器224-3和寄存器224-N)。为了使得嵌入式传感器数据可供另一装置(例如,和/或另一装置的主机/用户)存取,存储器装置可将表示来自一或多个寄存器的传感器数据的信号发射到另一装置。
方法593可包含通过另一装置从对应于嵌入式温度传感器的第一寄存器接收温度值,并且通过另一装置从对应于嵌入式温度传感器的第二寄存器接收时间值。实施例不限于嵌入式温度传感器。
方法593可包含配置控制器以第二传感器起始的预定时间间隔发射表示来自第一传感器的传感器数据的信号,其中第一传感器是嵌入式运动传感器(例如,运动传感器230-P)且第二传感器是嵌入式定时器;且表示以预定时间间隔发射的传感器数据的信号是运动值。所述运动值是另一装置中的运动的指示。来自一或多个传感器的传感器数据可分别写入到一或多个寄存器。
在其中表示传感器数据的所发射信号是来自嵌入式运动传感器的以上实例中,方法593可包含以预定时间间隔中的每一个将运动值写入到多个寄存器中的第一寄存器(例如,图2的寄存器224-2),并且将来自嵌入式定时器的对应于每个运动值的时间值写入到第二寄存器(例如,图2的寄存器224-3和寄存器224-N)。为了使得嵌入式传感器数据可供另一装置(例如,和/或另一装置的主机/用户)存取,存储器装置可将来自一或多个寄存器的传感器数据发射到另一装置。
方法593可包含通过另一装置从对应于嵌入式运动传感器的第一寄存器接收运动值,并且通过另一装置从对应于嵌入式温度传感器的第二寄存器接收时间值。
虽然已在本文中示出并描述了具体实施例,但所属领域的一般技术人员将了解,经计算以实现相同结果的布置可取代所示出的具体实施例。本公开意图覆盖本公开的一或多个实施例的修改或变化。应理解,以说明方式而非限制方式进行了以上描述。在查阅以上描述后,以上实施例和本文未具体描述的其它实施例的组合对于所属领域的技术人员来说将显而易见。本公开的一或多个实施例的范围包含其中使用以上结构和过程的其它应用。因此,应参考所附权利要求书连同此类权利要求所赋予的等效物的全范围确定本公开的一或多个实施例的范围。
在前述具体实施方式中,出于简化本公开的目的而将一些特征一起分组在单个实施例中。本公开的此方法不应被理解为反映本公开的所公开实施例必须比在每项权利要求中明确叙述那样使用更多特征的意图。实际上,如所附权利要求书所反映,本发明标的物在于单个所公开实施例的不到全部的特征。因此,所附权利要求书特此并入于具体实施方式中,其中每项权利要求就其自身来说作为单独实施例。

Claims (20)

1.一种方法,其包括:
至少部分地基于存储器装置的特性,从嵌入于所述存储器装置中的传感器产生信号;和
将所述传感器产生的所述信号从所述存储器装置发射到与所述存储器装置耦合的另一装置。
2.根据权利要求1所述的方法,其另外包括:
通过耦合到所述存储器装置的控制器接收来自所述另一装置的对来自嵌入于所述存储器装置中的所述传感器的所述信号的请求,其中所述传感器包括温度传感器;和
从所述温度传感器发射指示所述另一装置的环境的温度的值。
3.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法,其另外包括:
通过耦合到所述存储器装置的控制器接收来自所述另一装置的对来自嵌入于所述存储器装置中的所述传感器的所述信号的请求,其中所述传感器包括运动传感器;和
从所述运动传感器发射指示所述另一装置的环境的运动的值。
4.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法,其另外包括通过耦合到所述存储器装置的控制器接收来自所述另一装置的对来自嵌入于所述存储器装置中的所述传感器的所述信号的请求,其中所述传感器是定时器。
5.根据权利要求4所述的方法,其另外包括从所述定时器发射指示对应于所述另一装置的时间的值。
6.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法,其另外包括响应于耦合到所述存储器装置的控制器检测到所述另一装置的环境的改变而从所述控制器产生对发射来自所述传感器的所述信号的命令。
7.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法,其另外包括:
通过所述另一装置接收来自嵌入于所述存储器装置中的所述传感器的所述信号;和
通过所述另一装置起始对包含在所述信号中的值大于或等于阈值的指示。
8.一种方法,其包括:
读取包含在从多个寄存器中的一或多个发射的信号中的传感器数据,所述多个寄存器各自分别耦合到嵌入于存储器装置中的多个传感器,其中所述传感器数据是由所述多个传感器中的一或多个产生;和
经由耦合到所述多个寄存器的数据输出将所述传感器数据发射到与所述存储器装置耦合的另一装置。
9.根据权利要求8所述的方法,其另外包括:
配置耦合到所述存储器装置的控制器以第二传感器起始的预定时间间隔发射来自第一传感器的第一信号,其中:
所述第一传感器是嵌入式温度传感器且所述第二传感器是嵌入式定时器;且
表示以所述预定时间间隔发射的传感器数据的所述第一信号包含温度值。
10.根据权利要求9所述的方法,其另外包括:
以所述预定时间间隔中的每一个将所述温度值写入到所述多个寄存器中的第一寄存器;
将来自所述嵌入式定时器的对应于每个温度值的时间指示符写入到第二寄存器;
通过所述另一装置接收来自对应于所述嵌入式温度传感器的所述第一寄存器的所述温度值;和
通过所述另一装置接收来自对应于所述嵌入式温度传感器的所述第二寄存器的所述时间值。
11.根据权利要求8到10中任一权利要求所述的方法,其另外包括:
配置耦合到所述存储器装置的控制器以第二传感器起始的预定时间间隔发射表示来自第一传感器的传感器数据的第一信号,其中:
所述第一传感器是嵌入式运动传感器且所述第二传感器是嵌入式定时器;且
来自所述第一传感器的以所述预定时间间隔发射的所述传感器数据包含运动值。
12.根据权利要求11所述的方法,其另外包括:
以所述预定时间间隔中的每一个将所述运动值写入到所述多个寄存器中的第一寄存器;和
将来自所述嵌入式定时器的对应于每个运动值的时间值写入到第二寄存器。
13.根据权利要求12所述的方法,其另外包括:
通过所述另一装置接收来自对应于所述嵌入式运动传感器的所述第一寄存器的所述运动值;和
通过所述另一装置接收来自对应于所述嵌入式温度传感器的所述第二寄存器的所述时间值。
14.一种存储器装置,其包括:
嵌入于所述存储器装置中的传感器,所述传感器被配置成收集与另一装置有关的数据;和
传感器输出,其耦合到所述传感器并且耦合到所述另一装置以将表示所述传感器收集的所述数据的数据信号发射到所述另一装置。
15.根据权利要求14所述的存储器装置,其中嵌入于所述存储器装置中的所述传感器包含易失性存储器媒体,并且收集对应于所述另一装置的环境的数据。
16.根据权利要求14到15中任一权利要求所述的存储器装置,其中所述传感器输出专用于嵌入于所述存储器装置中的所述传感器。
17.一种系统,其包括:
装置;和
存储器装置,其耦合到所述装置,所述存储器装置包括:
嵌入于所述存储器装置中的数个传感器;
数个寄存器,其各自分别耦合到所述数个传感器中的一个以收集来自所述多个传感器中的一或多个的数据;
控制器,其发射读取所述多个寄存器中的一或多个的命令;和
数据输出,其耦合到所述数个寄存器以将来自所述数个寄存器的所述数据发射到所述装置。
18.根据权利要求17所述的系统,其中从所述一或多个多个传感器收集的所述数据是与所述多个传感器中的相应传感器的相应操作有关的值。
19.根据权利要求18所述的系统,其另外包括用以将与所述多个传感器中的相应传感器的所述相应操作有关的所述值发射到所述装置的输入/输出逻辑。
20.根据权利要求17到19中任一权利要求所述的系统,其中:
所述装置耦合到物联网(IoT)装置;且
所述IoT装置响应于来自所述多个寄存器的所述数据到所述装置的所述发射而起始操作。
CN202080085682.4A 2019-12-09 2020-11-02 存储器装置传感器 Pending CN114830234A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/707,488 2019-12-09
US16/707,488 US11435811B2 (en) 2019-12-09 2019-12-09 Memory device sensors
PCT/US2020/058468 WO2021118711A1 (en) 2019-12-09 2020-11-02 Memory device sensors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114830234A true CN114830234A (zh) 2022-07-29

Family

ID=76209100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080085682.4A Pending CN114830234A (zh) 2019-12-09 2020-11-02 存储器装置传感器

Country Status (5)

Country Link
US (3) US11435811B2 (zh)
EP (1) EP4073799A4 (zh)
KR (1) KR20220103172A (zh)
CN (1) CN114830234A (zh)
WO (1) WO2021118711A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020204773A1 (de) * 2020-04-15 2021-10-21 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Sensoranordnung, umfassend eine Mehrzahl von einzelnen und separaten Sensorelementen

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0129197B1 (ko) * 1994-04-21 1998-10-01 문정환 메모리셀어레이의 리플레쉬 제어회로
US5784328A (en) * 1996-12-23 1998-07-21 Lsi Logic Corporation Memory system including an on-chip temperature sensor for regulating the refresh rate of a DRAM array
US6453218B1 (en) 1999-03-29 2002-09-17 Intel Corporation Integrated RAM thermal sensor
US7034507B2 (en) 2003-07-03 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Temperature sensing device in an integrated circuit
US20050036380A1 (en) 2003-08-14 2005-02-17 Yuan-Mou Su Method and system of adjusting DRAM refresh interval
KR100611505B1 (ko) 2004-12-17 2006-08-11 삼성전자주식회사 동적 온도 모니터링이 가능한 메모리 모듈 및 메모리모듈의 동작 방법
US7518493B2 (en) * 2005-12-01 2009-04-14 Lv Sensors, Inc. Integrated tire pressure sensor system
US8200320B2 (en) * 2006-03-03 2012-06-12 PhysioWave, Inc. Integrated physiologic monitoring systems and methods
US7272063B1 (en) * 2006-03-21 2007-09-18 Infineon Technologies Ag Memory with a temperature sensor, dynamic memory and memory with a clock unit and method of sensing a temperature of a memory
ITRM20060652A1 (it) * 2006-12-06 2008-06-07 Micron Technology Inc Compensazione di temperatura di segnali di memoria impiegando segnali digitali
US8760951B2 (en) * 2008-05-26 2014-06-24 SK Hynix Inc. Method of reading data in a non-volatile memory device
JP5259270B2 (ja) * 2008-06-27 2013-08-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8102713B2 (en) * 2008-08-04 2012-01-24 Triune Ip Llc Non-volatile memory monitor
US8122205B2 (en) * 2009-02-20 2012-02-21 Standard Microsystems Corporation Structured virtual registers for embedded controller devices
US8279667B2 (en) * 2009-05-08 2012-10-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuit memory systems and program methods thereof including a magnetic track memory array using magnetic domain wall movement
US8687070B2 (en) * 2009-12-22 2014-04-01 Apple Inc. Image capture device having tilt and/or perspective correction
US8577092B2 (en) * 2010-11-11 2013-11-05 Lg Electronics Inc. Multimedia device, multiple image sensors having different types and method for controlling the same
US8472274B2 (en) 2011-03-02 2013-06-25 Apple Inc. Using temperature sensors with a memory device
US20140260704A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Invensense, Inc. Device and system for integrated sensor system (iss)
KR102154191B1 (ko) * 2013-09-02 2020-09-10 삼성전자 주식회사 프로세서 내에 집적되는 온도 센서, 이의 동작 방법 및 상기 온도 센서를 포함하는 장치
US20150155039A1 (en) * 2013-12-02 2015-06-04 Silicon Storage Technology, Inc. Three-Dimensional Flash NOR Memory System With Configurable Pins
US9794522B2 (en) * 2015-02-06 2017-10-17 Google Inc. Systems, methods, and devices for managing coexistence of multiple transceiver devices by optimizing component layout
US20160272112A1 (en) * 2015-03-18 2016-09-22 CarEye LLC Detection and Security System for Occupants in Vehicles
US9953694B2 (en) * 2016-06-06 2018-04-24 Intel Corporation Memory controller-controlled refresh abort
KR102310078B1 (ko) 2016-09-28 2021-10-12 삼성전자주식회사 데이터 억세스 장치 및 이 장치를 포함하는 기기
US9809085B1 (en) * 2016-09-29 2017-11-07 Black Box Enterprises, LLC Climate control, safety, and communications system
US10477107B2 (en) * 2017-01-27 2019-11-12 Invensense, Inc. Electronic image stabilization of a captured image
JP6779822B2 (ja) 2017-03-24 2020-11-04 キオクシア株式会社 メモリシステム
JP2018201154A (ja) 2017-05-29 2018-12-20 富士通株式会社 送信制御プログラム、送信制御方法、及び情報処理装置
US10705758B2 (en) * 2018-05-22 2020-07-07 Western Digital Technologies, Inc. Multiple sets of trim parameters
US11940805B2 (en) * 2020-05-06 2024-03-26 Brain Corporation Systems and methods for enhancing performance and mapping of robots using modular devices

Also Published As

Publication number Publication date
US11435811B2 (en) 2022-09-06
EP4073799A4 (en) 2023-12-27
US20210173467A1 (en) 2021-06-10
WO2021118711A1 (en) 2021-06-17
KR20220103172A (ko) 2022-07-21
US20240036629A1 (en) 2024-02-01
US20220404892A1 (en) 2022-12-22
US11789519B2 (en) 2023-10-17
EP4073799A1 (en) 2022-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9304855B2 (en) Data storage device
US12066916B2 (en) Using memory device sensors
KR20190036893A (ko) 메모리 장치 및 그것의 제어 방법
US20240036629A1 (en) Memory device sensors
KR102558947B1 (ko) 데이터 저장 장치
TWI700704B (zh) 半導體記憶體裝置的控制器及其操作方法
CN115668374A (zh) 存储器中的运动传感器
US11797219B2 (en) Storage device, server device including the storage device and method of operating the storage device
WO2020117600A1 (en) Estimating the temperature of a memory sub-system
TWI590055B (zh) 通用串列匯流排(usb)裝置中斷信號之技術
KR20160111222A (ko) 반도체 메모리 장치 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템, 그것을 포함하는 컴퓨팅 시스템
US11994934B2 (en) Failure prediction method and device for a storage device
US20190378564A1 (en) Memory device and operating method thereof
KR20230065470A (ko) 메모리 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
CN115712878A (zh) 车辆操作者认证操作
CN114443412A (zh) 用于基于功率测量的温度检测和热管理的方法及设备
US10514866B2 (en) Data storage device, operating method thereof and method for operating nonvolatile memory device
CN115428439A (zh) 图像数据的媒体类型选择
US20160180122A1 (en) Radio frequency identification (rfid) based defect detection in ssds
JP2017130043A (ja) メモリ装置、コンピュータシステム、メモリコントローラ、及び昇温防止方法
CN114556285A (zh) 媒体类型选择
US10353611B2 (en) Data storage device and operating method thereof
CN109491870A (zh) 一种传感器的接入状态的检测方法及装置
CN114741025B (zh) 管理存储器对象
US11994983B2 (en) Multimedia card command timeout measurement

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination