CN114822677B - 一种nand闪存芯片的信息记录方法、装置、电子设备及介质 - Google Patents

一种nand闪存芯片的信息记录方法、装置、电子设备及介质 Download PDF

Info

Publication number
CN114822677B
CN114822677B CN202210549716.1A CN202210549716A CN114822677B CN 114822677 B CN114822677 B CN 114822677B CN 202210549716 A CN202210549716 A CN 202210549716A CN 114822677 B CN114822677 B CN 114822677B
Authority
CN
China
Prior art keywords
information
test
flash memory
nand flash
module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210549716.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114822677A (zh
Inventor
吴礼优
沈金良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Jinsheng Electronic Technology Co ltd
Original Assignee
Shenzhen Jinsheng Electronic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Jinsheng Electronic Technology Co ltd filed Critical Shenzhen Jinsheng Electronic Technology Co ltd
Priority to CN202210549716.1A priority Critical patent/CN114822677B/zh
Publication of CN114822677A publication Critical patent/CN114822677A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114822677B publication Critical patent/CN114822677B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • G11C29/56008—Error analysis, representation of errors
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F16/00—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor
    • G06F16/20—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor of structured data, e.g. relational data
    • G06F16/22—Indexing; Data structures therefor; Storage structures
    • G06F16/2282—Tablespace storage structures; Management thereof
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F16/00—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor
    • G06F16/20—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor of structured data, e.g. relational data
    • G06F16/24—Querying
    • G06F16/245—Query processing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F16/00—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor
    • G06F16/20—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor of structured data, e.g. relational data
    • G06F16/28—Databases characterised by their database models, e.g. relational or object models
    • G06F16/284—Relational databases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Databases & Information Systems (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Computational Linguistics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

本申请涉及信息处理的领域，尤其是涉及一种NAND闪存芯片的信息记录方法、装置、电子设备及介质。其方法包括：当检测到测试指令后，获取测试数据信息以及UID信息，测试数据信息为NAND闪存测试板的NAND闪存芯片的RDT测试结果数据，UID信息为NAND闪存芯片的标识ID，然后对测试数据信息进行逻辑分析，生成NAND闪存测试板的测试结果信息，然后将测试结果信息与UID信息进行绑定，生成关联数据信息，然后对关联数据信息进行数据整理，生成并保存测试数据表，本申请具有提高信息的查询效率的效果。

Description

一种NAND闪存芯片的信息记录方法、装置、电子设备及介质
技术领域
本申请涉及信息处理的领域，尤其是涉及一种NAND闪存芯片的信息记录方法、装置、电子设备及介质。
背景技术
固态硬盘发展到现在已经有30多年，随着半导体技术越来越先进，NAND闪存芯片从2D走到3D，经历了SLC、MLC、TLC、QLC等迭代，层数越来越多，容量越做越大；同时稳定性和寿命相对也变差，而固态硬盘对NAND闪存芯片要求会高一些，在生产之前需要先对NAND闪存芯片做RDT测试（Reliability Demonstration Testing 可靠性开发测试），提前筛选出容易出现问题的弱块坏块并标记，避免后面把数据写到这样的弱块或坏块里边导致数据丢失。
目前，RDT测试的结果只用做筛选NAND闪存芯片的数据，并不会保存下来作为后续生产芯片质量的追溯。为了解决闪存芯片测试信息追溯问题，人们普遍采用和人工记录的方式进行测试结果的记录，但是由于每次测试的数量都很多，靠人工记录很容易出现错误，因此在后续进行信息查询时，存在信息无法查到的情况，从而降低了信息的查询效率。
发明内容
为了提高信息的查询效率，本申请提供一种NAND闪存芯片的信息记录方法、装置、电子设备及介质。
第一方面，本申请提供一种NAND闪存芯片的信息记录方法，采用如下的技术方案：
一种NAND闪存芯片的信息记录方法，包括：
当检测到测试指令后，获取测试数据信息以及UID信息，所述测试数据信息为NAND闪存测试板的NAND闪存芯片的RDT测试结果数据，所述UID信息为所述NAND闪存芯片的标识ID；
对所述测试数据信息进行逻辑分析，生成所述NAND闪存测试板的测试结果信息；
将所述测试结果信息与所述UID信息进行绑定，生成关联数据信息；
对所述关联数据信息进行数据整理，生成并保存测试数据表。
通过采用上述技术方案，在对NAND闪存芯片进行信息记录时，将NAND闪存芯片放置在NAND闪存测试板内，然后对NAND闪存测试板进行RDT测试，然后获取测试后的测试数据信息以及NAND闪存芯片的UID信息，将获取到的测试数据信息进行逻辑分析，生成NAND闪存测试板的测试结果信息，然后将测试结果信息以及UID信息进行绑定，生成对应的关联数据信息，通过将关联数据信息进行数据整理，得到测试数据表，并将测试数据表进行保存，当工作人员查询测试数据信息时，将UID信息初入至查询栏中进行查询，可快捷得到与UID信息相对应的测试数据表，从而提高了信息的查询效率。
在另一种可能实现的方式中，所述对所述测试数据信息进行逻辑分析，生成所述NAND闪存测试板的测试结果信息，包括：
基于所述测试数据信息确定所述NAND闪存测试后产生的坏块数量信息；
确定所述坏块数量信息是否超过预设阈值参数；
若所述坏块数量信息超过预设阈值参数，则生成异常告警信息，将所述异常告警信息与所述测试数据信息进行绑定，生成第一测试结果信息；
若所述坏块数量信息未超过预设阈值参数，则生成测试通过信息，并将所述测试通过信息与所述测试数据信息进行绑定，生成第二测试结果信息；
将所述第一测试结果信息与所述第二测试结果信息进行信息整理，生成所述NAND闪存测试板的测试结果信息。
通过上述技术方案，在对测试数据信息进行逻辑分析时，根据测试数据信息确定出NAND闪存测试板中存放的NAND闪存芯片的坏块数量信息，然后判断坏块数量信息的坏块数量是否超过预设阈值参数，若超过，则生成异常告警信息，若不超过，则生成测试通过信息，然后将异常告警信息与测试数据信息进行绑定，生成第一测试结果信息，将测试通过信息与测试数据信息进行绑定，生成第二测试结果信息，然后对第一测试结果信息与第二测试结果信息进行信息整理，生成NAND闪存测试板的测试结果信息，从而在工作人员对测试数据表进行查询时，通过第一测试结果信息或第二测试结果信息判断处当前NAND闪存测试板是否通过RDT测试。
在另一种可能实现的方式中，所述将所述异常告警信息与所述测试数据信息进行绑定，生成第一测试结果信息，之后还包括：
对所述第一测试结果信息进行分析，确定存在异常的错误节点信息；
获取预设解决方案中的问题节点信息；
将所述错误节点信息与所述问题节点信息进行比对，得到比对结果；
判断所述对比结果是否满足预设条件，若满足，则确定解决方案信息。
通过上述技术方案，在对异常告警信息进行解决方案确定时，对生成的第一测试结果信息进行分析，得到的NAND闪存测试板在进行RDT测试过程中的错误节点信息，然后获取预设解决方案中的问题节点信息，将错误节点信息与问题节点信息进行比对，得到比对结果，并判断比对结果是否满足预设条件，即判断比对结果是否为完全匹配，若比对结果满足预设条件，则根据预设解决方案以及比对结果确定解决方案信息，从而便于工作人员对异常告警信息的处理。
在另一种可能实现的方式中，所述将所述错误节点信息与所述问题节点信息进行比对，包括：
分别对所述错误节点信息与所述问题节点信息进行分割处理；
根据分割后的所述错误节点信息与分割后的所述问题节点信息进行对应比对。
通过上述技术方案，基于获取到错误节点信息与问题节点信息，分别对错误节点信息与问题节点信息中的每个节点信息进行分割处理，并将分割后的错误节点信息与分割后的问题信息进行一一对应比对，得到错误节点信息中与问题节点信息中相对应的节点信息，从而提高了节点信息查找的准确率。
在另一种可能实现的方式中，所述根据分割后的所述错误节点信息与分割后的所述问题节点信息进行对应比对，之后还包括：
分割后的所述错误节点信息包括至少一个分割结果；
若所述对比结果不满足预设条件，则将比对不匹配的分割结果进行标注，并确定标注处理的分割结果数量；
控制显示所述分割结果数量。
通过上述技术方案，当比对结果不满足预设条件时，则表示分割后的错误节点信息与分割后的问题节点信息不完全对应匹配，将与问题节点信息不匹配的分割结果进行标注，并统计显示标注处理的分割结果数量，便于工作人员及时对不匹配的分割结果进行异常处理。
在另一种可能实现的方式中，所述对所述关联数据信息进行数据整理，生成并保存测试数据表，之后还包括：
获取当前时间信息，并将所述测试数据表与所述当前时间信息绑定。
通过上述技术方案，将当前时间信息与测试数据表相绑定，有助于工作人员根据时间信息对多个测试数据表进行筛查。
在另一种可能实现的方式中，所述方法还包括：
获取测试环境信息，所述测试环境信息为所述NAND闪存测试板在进行RDT测试过程中的环境信息；
根据所述环境信息确定温湿度参数，并判断所述温湿度参数是否满足于预设标准参数，若不满足，则生成环境告警信息。
通过上述技术方案，在对NAND闪存测试板进行RDT测试时，获取测试环境信息，并根据环境信息确定温湿度参数，然后将温湿度参数与预设标准参数进行比对，确定当前的测试环境信息是否正常，若不正常，则生成环境告警信息，告知工作人员及时对测试环境进行维护。
第二方面，本申请提供一种NAND闪存芯片的信息记录装置，采用如下的技术方案：
一种NAND闪存芯片的信息记录装置，包括：
获取模块，用于当检测到测试指令后，获取测试数据信息以及UID信息，所述测试数据信息为NAND闪存测试板的NAND闪存芯片的RDT测试结果数据，所述UID信息为所述NAND闪存芯片的标识ID；
分析模块，用于对所述测试数据信息进行逻辑分析，生成所述NAND闪存测试板的测试结果信息；
绑定模块，用于将所述测试结果信息与所述UID信息进行绑定，生成关联数据信息；
存储模块，用于对所述关联数据信息进行数据整理，生成并保存测试数据表。
通过采用上述技术方案，在对NAND闪存芯片进行信息记录时，将NAND闪存芯片放置在NAND闪存测试板内，然后对NAND闪存测试板进行RDT测试，然后获取测试后的测试数据信息以及NAND闪存芯片的UID信息，将获取到的测试数据信息进行逻辑分析，生成NAND闪存测试板的测试结果信息，然后将测试结果信息以及UID信息进行绑定，生成对应的关联数据信息，通过将关联数据信息进行数据整理，得到测试数据表，并将测试数据表进行保存，当工作人员查询测试数据信息时，将UID信息初入至查询栏中进行查询，可快捷得到与UID信息相对应的测试数据表，从而提高了信息的查询效率。
在一种可能的实现方式中，所述分析模块在对所述测试数据信息进行逻辑分析，生成所述NAND闪存测试板的测试结果信息，具体用于：
基于所述测试数据信息确定所述NAND闪存测试后产生的坏块数量信息；
确定所述坏块数量信息是否超过预设阈值参数；
若所述坏块数量信息超过预设阈值参数，则生成异常告警信息，将所述异常告警信息与所述测试数据信息进行绑定，生成第一测试结果信息；
若所述坏块数量信息未超过预设阈值参数，则生成测试通过信息，并将所述测试通过信息与所述测试数据信息进行绑定，生成第二测试结果信息；
将所述第一测试结果信息与所述第二测试结果信息进行信息整理，生成所述NAND闪存测试板的测试结果信息。
在另一种可能的实现方式中，所述装置还包括：节点确定模块、节点获取模块、节点比对模块以及方案确定模块，其中，
所述节点确定模块，用于对所述第一测试结果信息进行分析，确定存在异常的错误节点信息；
所述节点获取模块，用于获取预设解决方案中的问题节点信息；
所述节点比对模块，用于将所述错误节点信息与所述问题节点信息进行比对，得到比对结果；
所述方案确定模块，用于判断所述对比结果是否满足预设条件，若满足，则确定解决方案信息。
在另一种可能的实现方式中，所述节点比对模块在将所述错误节点信息与所述问题节点信息进行比对时，具体用于：
分别对所述错误节点信息与所述问题节点信息进行分割处理；
根据分割后的所述错误节点信息与分割后的所述问题节点信息进行对应比对。
在另一种可能的实现方式中，所述装置还包括：分割模块、标注模块以及控制显示模块，其中，
所述分割模块，用于分割后的所述错误节点信息包括至少一个分割结果；
所述标注模块，用于当所述对比结果不满足预设条件时，将比对不匹配的分割结果进行标注，并确定标注处理的分割结果数量；
所述控制显示模块，用于控制显示所述分割结果数量。
在另一种可能的实现方式中，所述装置还包括：时间绑定模块，其中，
所述时间绑定模块，用于获取当前时间信息，并将所述测试数据表与所述当前时间信息绑定。
在另一种可能的实现方式中，所述装置还包括：环境获取模块以及环境判断模块，其中，
所述环境获取模块，用于获取测试环境信息，所述测试环境信息为所述NAND闪存测试板在进行RDT测试过程中的环境信息；
所述环境判断模块，用于根据所述环境信息确定温湿度参数，并判断所述温湿度参数是否满足于预设标准参数，若不满足，则生成环境告警信息。
第三方面，本申请提供一种电子设备，采用如下的技术方案：
一种电子设备，该电子设备包括：
至少一个处理器；
存储器；
至少一个应用程序，其中至少一个应用程序被存储在存储器中并被配置为由至少一个处理器执行，所述至少一个应用程序配置用于：执行上述NAND闪存芯片的信息记录方法。
第四方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，采用如下的技术方案：
一种计算机可读存储介质，包括：存储有能够被处理器加载并执行上述NAND闪存芯片的信息记录方法的计算机程序。
综上所述，本申请包括以下有益技术效果：
1、在对NAND闪存芯片进行信息记录时，将NAND闪存芯片放置在NAND闪存测试板内，然后对NAND闪存测试板进行RDT测试，然后获取测试后的测试数据信息以及NAND闪存芯片的UID信息，将获取到的测试数据信息进行逻辑分析，生成NAND闪存测试板的测试结果信息，然后将测试结果信息以及UID信息进行绑定，生成对应的关联数据信息，通过将关联数据信息进行数据整理，得到测试数据表，并将测试数据表进行保存，当工作人员查询测试数据信息时，将UID信息初入至查询栏中进行查询，可快捷得到与UID信息相对应的测试数据表，从而提高了信息的查询效率；
2、在对异常告警信息进行解决方案确定时，对生成的第一测试结果信息进行分析，得到的NAND闪存测试板在进行RDT测试过程中的错误节点信息，然后获取预设解决方案中的问题节点信息，将错误节点信息与问题节点信息进行比对，得到比对结果，并判断比对结果是否满足预设条件，即判断比对结果是否为完全匹配，若比对结果满足预设条件，则根据预设解决方案以及比对结果确定解决方案信息，从而便于工作人员对异常告警信息的处理。
附图说明
图1是本申请实施例一种NAND闪存芯片的信息记录方法的流程示意图；
图2是本申请实施例一种NAND闪存芯片的信息记录方法的方框示意图；
图3是本申请实施例电子设备的示意图。
具体实施方式
以下结合附图1-3对本申请作进一步详细说明。
领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本申请的权利要求范围内都受到专利法的保护。
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
另外，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，如无特殊说明，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
下面结合说明书附图对本申请实施例作进一步详细描述。
本申请实施例提供了一种NAND闪存芯片的信息记录方法，由电子设备执行，该电子设备可以为服务器也可以为终端设备，其中，该服务器可以是独立的物理服务器，也可以是多个物理服务器构成的服务器集群或者分布式系统，还可以是提供云计算服务的云服务器。终端设备可以是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、台式计算机等，但并不局限于此，该终端设备以及服务器可以通过有线或无线通信方式进行直接或间接地连接，本申请实施例在此不做限制，如图1所示，该方法包括：
步骤S10，当检测到测试指令后，获取测试数据信息以及UID信息。
其中，测试数据信息为NAND闪存测试板的NAND闪存芯片的RDT测试结果数据，UID信息为NAND闪存芯片的标识ID。
具体地，NAND闪存芯片是一种比硬盘驱动器更好的存储设备。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND闪存芯片被证明极具吸引力。NAND闪存芯片是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。
具体地，NAND闪存芯片结合了EPROM的高密度和EEPROM结构的变通性的优点。EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路如下图所示。常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在 绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（例如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0.若浮空栅极不带电，则不能形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
具体地，将多个NAND闪存芯片分别卡接在NAND闪存测试板的卡槽内，使得多个NAND闪存芯片的电极分别与卡槽内的电极相导通，然后使用RDT开卡软件对NAND闪存测试板进行RDT开卡操作，并将RDT开卡后的NAND闪存测试板统一放到RDT测试架上通电进行RDT测试，RDT测试结束后，读取NAND闪存测试板的测试数据信息以及NAND闪存芯片的UID信息。
步骤S11，对测试数据信息进行逻辑分析，生成NAND闪存测试板的测试结果信息。
具体地，通过RDT结果读取软件，读取NAND闪存测试板的测试数据分析，其中，测试结果颜色为绿色“PASS”表示通过测试板通过RDT测试，测试结果颜色为红色“Fail”表示没有通过RDT测试。
步骤S12，将测试结果信息与UID信息进行绑定，生成关联数据信息。
具体地，通过使用MySql实现UID信息与测试结果信息的绑定，MySQL是一种关系型数据库管理系统，关系数据库将数据保存在不同的表中，而不是将所有数据放在一个大仓库内，这样就增加了速度并提高了灵活性。
步骤S13，对关联数据信息进行数据整理，生成并保存测试数据表。
本申请实施例提供了一种NAND闪存芯片的信息记录方法，在对NAND闪存芯片进行信息记录时，将NAND闪存芯片放置在NAND闪存测试板内，然后对NAND闪存测试板进行RDT测试，然后获取测试后的测试数据信息以及NAND闪存芯片的UID信息，将获取到的测试数据信息进行逻辑分析，生成NAND闪存测试板的测试结果信息，然后将测试结果信息以及UID信息进行绑定，生成对应的关联数据信息，通过将关联数据信息进行数据整理，得到测试数据表，并将测试数据表进行保存，当工作人员查询测试数据信息时，将UID信息初入至查询栏中进行查询，可快捷得到与UID信息相对应的测试数据表，从而提高了信息的查询效率。
本申请实施例的一种可能的实现方式，步骤S11具体包括步骤S111（图中未示出）、步骤S112（图中未示出）、步骤S113（图中未示出）、步骤S114（图中未示出）以及步骤S115（图中未示出），其中，
步骤S111，基于测试数据信息确定NAND闪存测试后产生的坏块数量信息。
具体地，测试数据信息包括NAND闪存芯片总个数、NAND闪存芯片的好块数量以及NAND闪存芯片的坏块数量。
步骤S112，确定坏块数量信息是否超过预设阈值参数。
在本申请实施例中，预设阈值参数为5，当NAND闪存芯片的坏块数量为6个时，即表示当前的NAND闪存芯片的坏块数量信息超过预设阈值。
步骤S113，若坏块数量信息超过预设阈值参数，则生成异常告警信息，将异常告警信息与测试数据信息进行绑定，生成第一测试结果信息。
具体地，当坏块数量信息超过预设阈值参数时，生成异常告警信息，例如：当前坏块数量信息超过预设阈值参数，超过数值为1个。将异常告警信息与测试数据信息相绑定，生成第一测试结果信息。
步骤S114，若坏块数量信息未超过预设阈值参数，则生成测试通过信息，并将测试通过信息与测试数据信息进行绑定，生成第二测试结果信息。
步骤S115，将第一测试结果信息与第二测试结果信息进行信息整理，生成NAND闪存测试板的测试结果信息。
本申请实施例的一种可能的实现方式，步骤S113之后还包括步骤S131（图中未示出）、步骤S132（图中未示出）、步骤S133（图中未示出）以及步骤S134（图中未示出），其中，
步骤S131，对第一测试结果信息进行分析，确定存在异常的错误节点信息。
具体地，第一测试结果信息中存在NAND闪存芯片在进行RDT测试的时间过程，通过时间过程中所对应的时间节点，确定存在异常的错误节点信息。
步骤S132，获取预设解决方案中的问题节点信息。
具体地，预设解决方案为历史所发生过异常的问题解决方案。
步骤S133，将错误节点信息与问题节点信息进行比对，得到比对结果。
具体地，RDT测试的测试时间过程是一样的，若错误节点信息与问题节点信息存在重合，即表示比对成功。
步骤S134，判断对比结果是否满足预设条件，若满足，则确定解决方案信息。
具体地，预设条件为错误节点信息与问题节点信息完全比对成功。
本申请实施例的一种可能的实现方式，步骤S133具体包括步骤SA（图中未示出）以及步骤SB（图中未示出），其中，
步骤SA，分别对错误节点信息与问题节点信息进行分割处理。
具体地，在本申请实施例中，电子设备通过控制层、业务层以及数据访问层对错误节点信息数据库与问题节点信息数据库中存储的错误节点信息与问题节点信息进行获取，具体可以包括：在数据访问层只负责错误节点信息与问题节点信息的数据交互，对数据进行读取操作，业务层需要根据系统的实际业务需求进行逻辑代码的编写，与错误节点信息数据库与问题节点信息数据库中存储的错误节点信息与问题节点信息进行交互，业务逻辑层调用数据访问层的相关方法实现与数据库的交互，并将执行结果反馈给控制层，控制层的职能是负责读取错误节点信息数据库与问题节点信息数据库中存储的错误节点信息与问题节点信息，并通过控制用户的输入，并调用业务层的方法，最后通过数据分隔符（DataSpit）、数据列分隔符（ColSpit）以及数据行分隔符（RowSpit）对获取到的错误节点信息与问题节点信息字符串进行分隔。
例如：错误节点信息包括“S15,S16，S17”，通过数据分隔符（DataSpit）分隔后变成“S15|S16|S17”，若问题节点信息包括“S15=a,S16=b,S17=c”，通过数据列分隔符（ColSpit）分隔后变成“S15=a|S16=b|S17=c”。
步骤SB，根据分割后的错误节点信息与分割后的问题节点信息进行对应比对。
在本申请实施例中，通过正则表达式将错误节点信息与分割后的问题节点信息进行匹配，具体可以说，正则表达式是对字符串操作的一种逻辑公式，就是用事先定义好的一些特定字符、及这些特定字符的组合，组成一个“规则字符串”，这个“规则字符串”用来表达对字符串的一种过滤逻辑。
例如：^预加热，这个模式包含一个特殊的字符^，表示该模式只匹配那些以预加热开头的字符串。例如该模式与字符串"预加热酸奶温度"匹配，与"预冷却"不匹配；正如如^符号表示开头一样，$符号用来匹配那些以给定模式结尾的字符串，例如：温度$，这个模式与字符串"冷却温度"匹配，与"酸奶的多种配料"不匹配。字符^和$同时使用时，表示精确匹配。
本申请实施例的一种可能的实现方式，步骤SB（图中未示出）之后还包括步骤SB1（图中未示出）、步骤SB2（图中未示出）以及步骤SB3（图中未示出），其中，
步骤SB1，分割后的搜书错误节点信息包括至少一个分割结果。
步骤SB2，若对比结果不满足预设条件，则将比对不匹配的分割结果进行标注，并确定标注处理的分割结果数量。
具体地，具体地，在对不匹配的分割结果进行标注处理时，在本申请实施例中，标注处理的格式并不限定，例如，可以标红处理或者下划线标注处理。
例如：将与错误节点信息匹配成功的问题节点信息进行标注处理，具体可以说，获取相匹配字段，并通过修改文本Style中Color，对敏感词汇通过字体颜色标红进行标注处理，例如，‘<span style=“color:red”>{匹配字段}</span>’。
步骤SB3，控制显示分割结果数量。
本申请实施例的一种可能的实现方式，步骤S13（图中未示出）之后还包括步骤SC（图中未示出），其中，
步骤SC，获取当前时间信息，并将测试数据表与当前时间信息绑定。
本申请实施例的一种可能的实现方式，步骤S13之后还包括步骤S14（图中未示出）以及步骤S15（图中未示出），其中，
步骤S14，获取测试环境信息，测试环境信息为NAND闪存测试板在进行RDT测试过程中的环境信息。
步骤S15，根据环境信息确定温湿度参数，并判断温湿度参数是否满足于预设标准参数，若不满足，则生成环境告警信息。
上述实施例从方法流程的角度介绍一种NAND闪存芯片的信息记录方法，下述实施例从虚拟模块或者虚拟单元的角度介绍了一种NAND闪存芯片的信息记录装置，具体详见下述实施例。
本申请实施例提供一种NAND闪存芯片的信息记录装置，如图2所示，该装置20具体可以包括：获取模块21、分析模块22、绑定模块23以及存储模块24，其中，
获取模块21，用于当检测到测试指令后，获取测试数据信息以及UID信息，测试数据信息为NAND闪存测试板的NAND闪存芯片的RDT测试结果数据，UID信息为NAND闪存芯片的标识ID；
分析模块22，用于对测试数据信息进行逻辑分析，生成NAND闪存测试板的测试结果信息；
绑定模块23，用于将测试结果信息与UID信息进行绑定，生成关联数据信息；
存储模块24，用于对关联数据信息进行数据整理，生成并保存测试数据表。
本申请实施例的一种可能的实现方式，分析模块22在对测试数据信息进行逻辑分析，生成NAND闪存测试板的测试结果信息，具体用于：
基于测试数据信息确定NAND闪存测试后产生的坏块数量信息；
确定坏块数量信息是否超过预设阈值参数；
若坏块数量信息超过预设阈值参数，则生成异常告警信息，将异常告警信息与测试数据信息进行绑定，生成第一测试结果信息；
若坏块数量信息未超过预设阈值参数，则生成测试通过信息，并将测试通过信息与测试数据信息进行绑定，生成第二测试结果信息；
将第一测试结果信息与第二测试结果信息进行信息整理，生成NAND闪存测试板的测试结果信息。
本申请实施例的另一种可能的实现方式，装置20还包括：节点确定模块、节点获取模块、节点比对模块以及方案确定模块，其中，
节点确定模块，用于对第一测试结果信息进行分析，确定存在异常的错误节点信息；
节点获取模块，用于获取预设解决方案中的问题节点信息；
节点比对模块，用于将错误节点信息与问题节点信息进行比对，得到比对结果；
方案确定模块，用于判断对比结果是否满足预设条件，若满足，则确定解决方案信息。
本申请实施例的另一种可能的实现方式，节点比对模块在将错误节点信息与问题节点信息进行比对时，具体用于：
分别对错误节点信息与问题节点信息进行分割处理；
根据分割后的错误节点信息与分割后的问题节点信息进行对应比对。
本申请实施例的另一种可能的实现方式，装置20还包括：分割模块、标注模块以及控制显示模块，其中，
分割模块，用于分割后的错误节点信息包括至少一个分割结果；
标注模块，用于当对比结果不满足预设条件时，将比对不匹配的分割结果进行标注，并确定标注处理的分割结果数量；
控制显示模块，用于控制显示分割结果数量。
本申请实施例的另一种可能的实现方式，装置20还包括：时间绑定模块，其中，
时间绑定模块，用于获取当前时间信息，并将测试数据表与当前时间信息绑定。
本申请实施例的另一种可能的实现方式，装置20还包括：环境获取模块以及环境判断模块，其中，
环境获取模块，用于获取测试环境信息，测试环境信息为NAND闪存测试板在进行RDT测试过程中的环境信息；
环境判断模块，用于根据环境信息确定温湿度参数，并判断温湿度参数是否满足于预设标准参数，若不满足，则生成环境告警信息。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本申请实施例还从实体装置的角度介绍了一种电子设备，如图3所示，图3所示的电子设备300包括：处理器301和存储器303。其中，处理器301和存储器303相连，如通过总线302相连。可选地，电子设备300还可以包括收发器304。需要说明的是，实际应用中收发器304不限于一个，该电子设备300的结构并不构成对本申请实施例的限定。
处理器301可以是CPU（Central Processing Unit，中央处理器），通用处理器，DSP（Digital Signal Processor，数据信号处理器），ASIC（Application SpecificIntegrated Circuit，专用集成电路），FPGA（Field Programmable Gate Array，现场可编程门阵列）或者其他可编程逻辑器件、晶体管逻辑器件、硬件部件或者其任意组合。其可以实现或执行结合本申请公开内容所描述的各种示例性的逻辑方框，模块和电路。处理器301也可以是实现计算功能的组合，例如包含一个或多个微处理器组合，DSP和微处理器的组合等。
总线302可包括一通路，在上述组件之间传送信息。总线302可以是PCI（Peripheral Component Interconnect，外设部件互连标准）总线或EISA（ExtendedIndustry Standard Architecture，扩展工业标准结构）总线等。总线302可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图3中仅用一条粗线表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
存储器303可以是ROM（Read Only Memory，只读存储器）或可存储静态信息和指令的其他类型的静态存储设备，RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）或者可存储信息和指令的其他类型的动态存储设备，也可以是EEPROM（Electrically ErasableProgrammable Read Only Memory，电可擦可编程只读存储器）、CD-ROM（Compact DiscRead Only Memory，只读光盘）或其他光盘存储、光碟存储（包括压缩光碟、激光碟、光碟、数字通用光碟、蓝光光碟等）、磁盘存储介质或者其他磁存储设备、或者能够用于携带或存储具有指令或数据结构形式的期望的程序代码并能够由计算机存取的任何其他介质，但不限于此。
存储器303用于存储执行本申请方案的应用程序代码，并由处理器301来控制执行。处理器301用于执行存储器303中存储的应用程序代码，以实现前述方法实施例所示的内容。
其中，电子设备包括但不限于：移动电话、笔记本电脑、数字广播接收器、PDA（个人数字助理）、PAD（平板电脑）、PMP（便携式多媒体播放器）、车载终端（例如车载导航终端）等等的移动终端以及诸如数字TV、台式计算机等等的固定终端。还可以为服务器等。图3示出的电子设备仅仅是一个示例，不应对本申请实施例的功能和使用范围带来任何限制。
应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
以上仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (6)

1.一种NAND闪存芯片的信息记录方法，其特征在于，包括
当检测到测试指令后，获取测试数据信息以及UID信息，所述测试数据信息为NAND闪存测试板的NAND闪存芯片的RDT测试结果数据，所述UID信息为所述NAND闪存芯片的标识ID；
对所述测试数据信息进行逻辑分析，生成所述NAND闪存测试板的测试结果信息；
将所述测试结果信息与所述UID信息进行绑定，生成关联数据信息；
对所述关联数据信息进行数据整理，生成并保存测试数据表；
其中，所述对所述测试数据信息进行逻辑分析，生成所述NAND闪存测试板的测试结果信息，包括：
基于所述测试数据信息确定所述NAND闪存芯片测试后产生的坏块数量信息；
确定所述坏块数量信息是否超过预设阈值参数；
若所述坏块数量信息超过预设阈值参数，则生成异常告警信息，将所述异常告警信息与所述测试数据信息进行绑定，生成第一测试结果信息；
对所述第一测试结果信息进行分析，确定存在异常的错误节点信息；
获取预设解决方案中的问题节点信息；
分别对所述错误节点信息与所述问题节点信息进行分割处理；
根据分割后的所述错误节点信息与分割后的所述问题节点信息进行对应比对，得到比对结果；
判断所述比对结果是否满足预设条件，若满足，则确定解决方案信息；
若所述坏块数量信息未超过预设阈值参数，则生成测试通过信息，并将所述测试通过信息与所述测试数据信息进行绑定，生成第二测试结果信息；
将所述第一测试结果信息与所述第二测试结果信息进行信息整理，生成所述NAND闪存测试板的测试结果信息；
其中，所述根据分割后的所述错误节点信息与分割后的所述问题节点信息进行对应比对，之后还包括：
分割后的所述错误节点信息包括至少一个分割结果；
若所述比对结果不满足预设条件，则将比对不匹配的分割结果进行标注，并确定标注处理的分割结果数量；
控制显示所述分割结果数量。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述关联数据信息进行数据整理，生成并保存测试数据表，之后还包括：
获取当前时间信息，并将所述测试数据表与所述当前时间信息绑定。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取测试环境信息，所述测试环境信息为所述NAND闪存测试板在进行RDT测试过程中的环境信息；
根据所述环境信息确定温湿度参数，并判断所述温湿度参数是否满足于预设标准参数，若不满足，则生成环境告警信息。
4.一种NAND闪存芯片的信息记录装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于当检测到测试指令后，获取测试数据信息以及UID信息，所述测试数据信息为NAND闪存测试板的NAND闪存芯片的RDT测试结果数据，所述UID信息为所述NAND闪存芯片的标识ID；
分析模块，用于对所述测试数据信息进行逻辑分析，生成所述NAND闪存测试板的测试结果信息；
绑定模块，用于将所述测试结果信息与所述UID信息进行绑定，生成关联数据信息；
存储模块，用于对所述关联数据信息进行数据整理，生成并保存测试数据表；
其中，所述分析模块在对所述测试数据信息进行逻辑分析，生成所述NAND闪存测试板的测试结果信息时，具体用于：
基于所述测试数据信息确定所述NAND闪存芯片测试后产生的坏块数量信息；
确定所述坏块数量信息是否超过预设阈值参数；
若所述坏块数量信息超过预设阈值参数，则生成异常告警信息，将所述异常告警信息与所述测试数据信息进行绑定，生成第一测试结果信息；
若所述坏块数量信息未超过预设阈值参数，则生成测试通过信息，并将所述测试通过信息与所述测试数据信息进行绑定，生成第二测试结果信息；
将所述第一测试结果信息与所述第二测试结果信息进行信息整理，生成所述NAND闪存测试板的测试结果信息；
其中，所述装置还包括：节点确定模块、节点获取模块、节点比对模块以及方案确定模块，其中，
所述节点确定模块，用于对所述第一测试结果信息进行分析，确定存在异常的错误节点信息；
所述节点获取模块，用于获取预设解决方案中的问题节点信息；
所述节点比对模块，用于将错误节点信息与问题节点信息进行比对，得到比对结果；
所述方案确定模块，用于判断对比结果是否满足预设条件，若满足，则确定解决方案信息；
其中，所述节点比对模块在将错误节点信息与问题节点信息进行比对，得到比对结果时，具体用于：
分别对错误节点信息与问题节点信息进行分割处理；
根据分割后的错误节点信息与分割后的问题节点信息进行对应比对；
其中，所述装置还包括：分割模块、标注模块以及控制显示模块，其中，
所述分割模块，用于分割后的所述错误节点信息包括至少一个分割结果；
所述标注模块，用于若所述比对结果不满足预设条件，则将比对不匹配的分割结果进行标注，并确定标注处理的分割结果数量；
所述控制显示模块，用于控制显示所述分割结果数量。
5.一种电子设备，其特征在于，该电子设备包括：
至少一个处理器；
存储器；
至少一个应用程序，其中至少一个应用程序被存储在存储器中并被配置为由至少一个处理器执行，所述至少一个应用程序配置用于：执行权利要求1～3任一项所述的NAND闪存芯片的信息记录方法。
6.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，当所述计算机程序在计算机中执行时，令所述计算机执行权利要求1～3任一项所述的NAND闪存芯片的信息记录方法。
CN202210549716.1A 2022-05-20 2022-05-20 一种nand闪存芯片的信息记录方法、装置、电子设备及介质 Active CN114822677B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210549716.1A CN114822677B (zh) 2022-05-20 2022-05-20 一种nand闪存芯片的信息记录方法、装置、电子设备及介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210549716.1A CN114822677B (zh) 2022-05-20 2022-05-20 一种nand闪存芯片的信息记录方法、装置、电子设备及介质

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114822677A CN114822677A (zh) 2022-07-29
CN114822677B true CN114822677B (zh) 2023-05-09

Family

ID=82516628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210549716.1A Active CN114822677B (zh) 2022-05-20 2022-05-20 一种nand闪存芯片的信息记录方法、装置、电子设备及介质

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114822677B (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113778822A (zh) * 2021-08-04 2021-12-10 成都佰维存储科技有限公司 纠错能力测试方法、装置、可读存储介质及电子设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109119124B (zh) * 2018-08-27 2020-05-26 湖南国科微电子股份有限公司 固态硬盘的生产方法及固态硬盘
CN110865944A (zh) * 2019-11-29 2020-03-06 江苏芯盛智能科技有限公司 测试用例的数据分析方法、装置、存储介质和测试设备
CN114077509A (zh) * 2020-08-12 2022-02-22 深圳市得一微电子有限责任公司 一种闪存芯片可靠性检测的检测方法及检测装置
CN113270136B (zh) * 2021-06-01 2022-04-12 湖南博匠信息科技有限公司 测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统
CN113643746B (zh) * 2021-07-02 2023-09-26 深圳市宏旺微电子有限公司 闪存数据的分析方法、装置、终端设备及存储介质

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113778822A (zh) * 2021-08-04 2021-12-10 成都佰维存储科技有限公司 纠错能力测试方法、装置、可读存储介质及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN114822677A (zh) 2022-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9418144B2 (en) Similar document detection and electronic discovery
CN108133732B (zh) 闪存芯片的性能测试方法、装置、设备及存储介质
US10572333B2 (en) Electronic device and method for diagnosing faults
CN105676105A (zh) 芯片测试方法及芯片测试机
CN110969175B (zh) 晶圆处理方法及装置、存储介质和电子设备
CN110718264A (zh) 测试固态硬盘信息的方法、装置、计算机设备及存储介质
CN112579382A (zh) 一种NVMe固态硬盘坏块解析方法、装置、终端及存储介质
CN106649210B (zh) 一种数据转换方法及装置
US9454457B1 (en) Software test apparatus, software test method and computer readable medium thereof
CN106598379A (zh) 管理应用程序的方法及装置
CN112000536A (zh) 一种内存检测方法、系统及相关设备
CN108897765A (zh) 一种数据批量导入方法及其系统
CN114822677B (zh) 一种nand闪存芯片的信息记录方法、装置、电子设备及介质
CN114283868A (zh) 闪存芯片的可靠性测试方法、装置、电子设备及存储介质
CN109696614B (zh) 电路测试优化方法及装置
CN115952800A (zh) 命名实体识别方法、装置、计算机设备及可读存储介质
WO2021135369A1 (zh) 样本处理方法和装置
US20160350318A1 (en) Method, system for classifying comment record and webpage management device
CN110297989B (zh) 异常检测的测试方法、装置、设备和介质
CN107169313A (zh) Dna数据文件的读取方法及计算机可读存储介质
TWI694344B (zh) 為一作業環境檢測影響因子之裝置及方法
CN112035513A (zh) Sql语句性能优化方法、装置、终端及存储介质
CN111539576A (zh) 一种风险识别模型的优化方法及装置
CN111311201A (zh) 一种智能化项目匹配分析工具及其实现方法
CN111179997B (zh) 一种半导体存储器测试数据的存储方法及装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant