CN114822390A - 光学模块、电光装置以及图像显示装置 - Google Patents

光学模块、电光装置以及图像显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供光学模块、电光装置以及图像显示装置，能够抑制混合色的图像光(特别是白色的图像光)产生颜色偏移。本发明的光学模块具备：第一电光装置，其具有射出包含第一波段的光的第一发光元件和与第一发光元件对应地设置的第一发光控制晶体管；第二电光装置，其具有射出包含比第一波段短的第二波段的光的第二发光元件和与第二发光元件对应地设置的第二发光控制晶体管；以及棱镜，其对从第一电光装置射出的光和从第二电光装置射出的光进行合成，一帧中的第一发光控制晶体管处于导通状态的第一期间比一帧中的第二发光控制晶体管处于导通状态的第二期间短。

Description

光学模块、电光装置以及图像显示装置
技术领域
本发明涉及光学模块、电光装置以及图像显示装置。
背景技术
以往已知有具备射出颜色互不相同的图像光的多个电光学装置和对从多个电光学装置射出的图像光进行合成的棱镜的光学模块。作为电光装置，已知有机EL(ElectroLuminescence：电致发光)面板等自发光型的电光装置。这种光学模块一直以来被用于头戴式显示器以及投影仪等图像显示装置。
在下述专利文献1中公开了如下技术：着眼于各色的发光材料所具有的最大发光效率，对于以最大发光效率的电流密度无法得到白色显示所需的亮度的颜色的发光材料，施加比最大发光效率的电流密度高的电流密度，并且使该发光材料的驱动占空比最大。在该现有技术中，对于以最大发光效率的电流密度得到白色显示所需的亮度的颜色的发光材料，施加最大发光效率的电流密度，并且使该发光材料的驱动占空比为100％以下。
专利文献1：日本特开2012-32453号公报
根据上述现有技术，能够最大程度地抑制进行白色显示时的消耗电力。然而，发光材料的劣化特性(寿命特性)根据发光材料射出的光的波段而不同。即，在使用射出不同波段的光的多个发光材料来生成图像光的情况下，由于各发光材料的寿命特性不同而导致各发光材料的劣化速度不同，因此在生成混合色的图像光(特别是白色的图像光)时，图像光产生颜色偏移。
发明内容
为了解决上述课题，本发明的一个方式的光学模块具备：第一电光装置，其具有射出包含第一波段的光的第一发光元件和与所述第一发光元件对应地设置的第一发光控制晶体管；第二电光装置，其具有射出包含比所述第一波段短的第二波段的光的第二发光元件和与所述第二发光元件对应地设置的第二发光控制晶体管；以及棱镜，其对从所述第一电光装置射出的光和从所述第二电光装置射出的光进行合成，一帧中的所述第一发光控制晶体管处于导通状态的第一期间比所述一帧中的所述第二发光控制晶体管处于导通状态的第二期间短。
本发明的一个方式的电光装置具有：第一像素，其射出包含第一波段的光；以及第二像素，其射出包含比所述第一波段短的第二波段的光，所述第一像素包含第一发光元件和与所述第一发光元件对应地设置的第一发光控制晶体管，所述第二像素包含第二发光元件和与所述第二发光元件对应地设置的第二发光控制晶体管，一帧中的所述第一发光控制晶体管处于导通状态的第一期间比所述一帧中的所述第二发光控制晶体管处于导通状态的第二期间短。
本发明的一个方式的图像显示装置具备本发明的一个方式的光学模块或本发明的一个方式的电光装置。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式中的光学模块的概略结构图。
图2是表示本实施方式的光学模块所具备的第一电光装置的整体结构的概略结构图。
图3是表示设置于第一电光装置的第一像素所具有的像素电路的结构的等效电路图。
图4是表示一帧中的第一发光元件的发光状态、一帧中的第二发光元件的发光状态、一帧中的第三发光元件的发光状态的时间上的对应关系的时序图。
图5是表示通过以100％的占空比驱动第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件而生成白色的合成图像光时的、第一电光装置、第二电光装置以及第三电光装置的亮度半衰期(LT50)的图。
图6是表示在第三电光装置中为了得到恒定的视觉辨认亮度所需的占空比与驱动亮度的对应关系、和以各占空比驱动第三发光元件时的亮度半衰期的图。
图7是表示以100％的占空比驱动第二发光元件时的第二电光装置的亮度半衰期曲线的曲线图。
图8是表示以100％的占空比驱动第一发光元件时的第一电光装置的亮度半衰期曲线的曲线图。
图9是表示图7所示的第二电光装置的亮度半衰期曲线、图8所示的第一电光装置的亮度半衰期曲线、以及以42％的占空比驱动第一发光元件时的第一电光装置的亮度半衰期曲线的曲线图。
图10是表示第一发光元件的驱动占空比与第一电光装置的亮度半衰期的关系的图。
图11是表示针对3个实施例和3个比较例分别调查了作为颜色偏移的评价指标的Δu’v’、第一发光元件的驱动占空比、第二发光元件的驱动占空比、以及第三发光元件的驱动占空比的关系的结果的图。
图12是示意性地表示作为具备本实施方式的光学模块的图像显示装置的一例的头部佩戴型显示装置的图。
图13是示意性地表示头部佩戴型显示装置中的虚像显示部的光学系统的结构的立体图。
图14是表示头部佩戴型显示装置中的虚像显示部的光学系统的光路的说明图。
图15是示意性地表示作为具备本实施方式的光学模块的图像显示装置的一例的投射型显示装置的图。
图16是本发明的一个实施方式中的电光装置的概略结构图。
图17是表示设置于本实施方式的电光装置的第一像素、第二像素以及第三像素所具有的像素电路的结构的等效电路图。
图18是示意性地表示作为具备本实施方式的电光装置的图像显示装置的一例的投射型显示装置的图。
图19是表示像素电路的变形例的图。
标号说明
1：光学模块；10R：第一电光装置；10B：第二电光装置；10G：第三电光装置；11R：第一像素；11B：第二像素；11G：第三像素；20：分色棱镜(棱镜)；53R：第一发光控制晶体管；54R：第一发光元件；53B：第二发光控制晶体管；54B：第二发光元件；53G：第三发光控制晶体管；54G：第三发光元件；100：电光装置；110R：第一像素；110B：第二像素；110G：第三像素；113R：第一发光控制晶体管；114R：第一发光元件；113B：第二发光控制晶体管；114B：第二发光元件；113G：第三发光控制晶体管；114G：第三发光元件；1000：头部佩戴型显示装置(图像显示装置)；2000、3000：投射型显示装置(图像显示装置)。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。
此外，在以下的各附图中，为了容易观察各构成要素，有时根据构成要素而使尺寸的比例尺不同来表示。
[光学模块]
图1是本发明的一个实施方式中的光学模块1的概略结构图。如图1所示，光学模块1具备第一电光装置10R、第二电光装置10B、第三电光装置10G以及分色棱镜20(棱镜)。
第一电光装置10R是将第一图像光LR射出到分色棱镜20的自发光型的电光装置。第二电光装置10B是将第二图像光LB射出到分色棱镜20的自发光型的电光装置。第三电光装置10G是将第三图像光LG射出到分色棱镜20的自发光型的电光装置。自发光型的电光装置是指不需要背光源等光源而通过从外部提供的电能自己产生光的装置。在本实施方式中，第一电光装置10R、第二电光装置10B以及第三电光装置10G例如是有机EL(ElectroLuminescence：电致发光)面板。
第一电光装置10R具有多个第一像素11R。多个第一像素11R在第一电光装置10R的基板上配置成矩阵状。第一像素11R射出第一波段的光。在本实施方式中，第一波段的光是红色的光。即，第一波段例如包含610nm至680nm的波长。在以下的说明中，有时将第一波段的光称为“红色光”。从第一电光装置10R射出的第一图像光LR包含从多个第一像素11R分别射出的红色光。因此，第一图像光LR也是第一波段的图像光、即红色的图像光。
第一电光装置10R具有：第一像素区域12R，其包含配置成矩阵状的多个第一像素11R；以及第一非像素区域13R，其包围第一像素区域12R的周围。第一电光装置10R在与分色棱镜20的红色光入射面23对置的状态下，经由具有透光性的第一粘接剂层40R而粘接于红色光入射面23。换言之，以第一图像光LR相对于红色光入射面23垂直地入射的方式配置第一电光装置10R。
第二电光装置10B具有多个第二像素11B。多个第二像素11B在第二电光装置10B的基板上配置成矩阵状。第二像素11B射出比第一波段短的第二波段的光。在本实施方式中，第二波段的光是蓝色的光。即，第二波段例如包含450nm至490nm的波长。在以下的说明中，有时将第二波段的光称为“蓝色光”。从第二电光装置10B射出的第二图像光LB包含从多个第二像素11B分别射出的蓝色光。因此，第二图像光LB也是第二波段的图像光、即蓝色的图像光。
第二电光装置10B具有：第二像素区域12B，其包含配置成矩阵状的多个第二像素11B；以及第二非像素区域13B，其包围第二像素区域12B的周围。第二电光装置10B在与分色棱镜20的蓝色光入射面21对置的状态下，经由具有透光性的第二粘接剂层40B而粘接于蓝色光入射面21。换言之，以第二图像光LB相对于蓝色光入射面21垂直地入射的方式配置第二电光装置10B。
第三电光装置10G具有多个第三像素11G。多个第三像素11G在第三电光装置10G的基板上配置成矩阵状。第三像素11G射出比第一波段短且比第二波段长的第三波段的光。在本实施方式中，第三波段的光是绿色的光。即，第三波段例如包含495nm～570nm的波长。在以下的说明中，有时将第三波段的光称为“绿色光”。从第三电光装置10G射出的第三图像光LG包含从多个第三像素11G分别射出的绿色光。因此，第三图像光LG也是第三波段的图像光、即绿色的图像光。
第三电光装置10G具有：第三像素区域12G，其包含配置成矩阵状的多个第三像素11G；以及第三非像素区域13G，其包围第三像素区域12G的周围。第三电光装置10G在与分色棱镜20的绿色光入射面22对置的状态下，经由具有透光性的第三粘接剂层40G粘接于绿色光入射面22。换言之，以第三图像光LG相对于绿色光入射面22垂直地入射的方式配置第三电光装置10G。
第一图像光LR、第二图像光LB以及第三图像光LG分别不具有偏振特性。即，第一图像光LR、第二图像光LB以及第三图像光LG分别是不具有特定的振动方向的无偏振光。需要说明的是，无偏转的光、即不具有偏振特性的光不是完全无偏振的状态，而是包含某种程度的偏振成分，但例如是具有被视为对分色镜等光学部件不积极地影响光学性能的范围的偏振度、例如20％以下的偏振度的光。
分色棱镜20由呈四棱柱状的透光性部件构成。另外，四棱柱状的透光性部件由4个三棱柱状的透光性部件组合而构成。分色棱镜20具有蓝色光入射面21、与蓝色光入射面21对置的红色光入射面23、与蓝色光入射面21和红色光入射面23垂直接触的绿色光入射面22、以及与绿色光入射面22对置的合成光射出面24。
分色棱镜20具有不具有偏振分离特性的第一分色镜25和不具有偏振分离特性的第二分色镜26。第一分色镜25和第二分色镜26相互以90°的角度交叉。第一分色镜25将经由蓝色光入射面21入射的第二图像光LB朝向合成光射出面24反射，将经由绿色光入射面22入射的第三图像光LG朝向合成光射出面24透射。第二分色镜26将经由红色光入射面23入射的第一图像光LR朝向合成光射出面24反射，将经由绿色光入射面22入射的第三图像光LG朝向合成光射出面24透射。通过这些第一分色镜25和第二分色镜26的特性，将第一图像光LR、第二图像光LB和第三图像光LG合成而得到的合成图像光LW从合成光射出面24射出。
图2是示出第一电光装置10R的整体结构的概略结构图。
由于第一电光装置10R、第二电光装置10B以及第三电光装置10G的基本结构相同，所以以下代表性地对第一电光装置10R的整体结构进行说明。在图2中，设第一电光装置10R的水平方向为X方向，第一电光装置10R的垂直方向为Y方向。
如图2所示，在第一电光装置10R的基板14的第一面14a设置有第一像素区域12R和第一非像素区域13R。另外，第一非像素区域13R包含周边区域15和安装区域16。第一像素区域12R是多个第一像素11R配置成矩阵状的矩形状的区域。在第一像素区域12R设置有沿X方向延伸的多个扫描线31、与各扫描线31对应地沿X方向延伸的多个控制线32、以及沿与X方向交叉的Y方向延伸的多个数据线33。第一像素11R是与多条扫描线31和多条数据线33的各交叉处对应的区域。因此，多个第一像素11R在X方向及Y方向上排列成矩阵状。第一像素11R具有如图3所示的像素电路。稍后将描述第一像素11R所具有的像素电路的结构。
周边区域15是包围第一像素区域12R的矩形框状的区域。3个驱动电路35设置在周边区域15内。3个驱动电路35是驱动第一像素区域12R内的各第一像素11R的电路。驱动电路35包含2个扫描线驱动电路36和数据线驱动电路37。第一电光装置10R是驱动电路35由形成在基板14的第一面14a上的晶体管等有源元件构成的电路内置型的电光装置。
安装区域16隔着周边区域15设置在与第一像素区域12R相反的一侧、即周边区域15的外侧。在安装区域16设置有多个安装端子39。控制信号以及电源电位从包含控制电路以及电源电路等的各种外部电路(省略图示)被供给至安装端子39。外部电路例如安装于与安装区域16连接的柔性布线基板(省略图示)。
图3是表示第一像素11R所具有的像素电路的配置的等效电路图。
由于多个第一像素11R各自所具有的像素电路的结构是相同的，因此以下以位于i行j列的第一像素11R所具有的像素电路为例进行说明。另外，“i”是一般性地表示配置第一像素11R的行的编号的记号，是1以上且m以下的整数。“j”是一般性地表示配置第一像素11R的列的编号的记号，是1以上且n以下的整数。
如图3所示，第一像素11R的像素电路包含第一选择晶体管51R、第一驱动晶体管52R、第一发光控制晶体管53R、第一发光元件54R和第一保持电容55R。在本实施方式中，第一选择晶体管51R、第一驱动晶体管52R以及第一发光控制晶体管53R分别是P沟道型的MOS-FET。
第一选择晶体管51R的栅极电极与第i行的扫描线31电连接。第一选择晶体管51R的源极/漏极区域的另一方与第j列的数据线33电连接。第一选择晶体管51R的源极/漏极区域中的一方与第一驱动晶体管52R的栅极电极以及第一保持电容55R一方的电极电连接。第一选择晶体管51R的背栅与被施加电源电位的电源布线61电连接。
第一驱动晶体管52R的栅极电极与第一选择晶体管51R的源极/漏极区域中的一方以及第一保持电容55R一方的电极电连接。第一驱动晶体管52R的源极/漏极区域中的一方与电源布线61电连接。第一驱动晶体管52R的源极/漏极区域中的另一方与第一发光控制晶体管53R的源极/漏极区域中的一方电连接。第一驱动晶体管52R的背栅与电源布线61电连接。
第一发光控制晶体管53R的栅极电极与第i行的控制线32电连接。第一发光控制晶体管53R的源极/漏极区域中的一方与第一驱动晶体管52R的源极/漏极区域中的另一方电连接。第一发光控制晶体管53R的源极/漏极区域中的另一方与第一发光元件54R的阳极电连接。第一发光控制晶体管53R的背栅与电源布线61电连接。
第一发光元件54R是射出第一波段的光、即红色光的发光元件。第一发光元件54R是发光层被阳极和阴极夹着的结构，例如是有机EL二极管。第一发光元件54R的阳极与第一发光控制晶体管53R的源极/漏极区域中的另一方电连接。第一发光元件54R的阴极与被施加公共电位的公共布线62电连接。
第一保持电容55R是用于保持第一驱动晶体管52R的栅极电位的电容器。第一保持电容55R一方的电极与第一选择晶体管51R的源极/漏极区域中的一方以及第一驱动晶体管52R的栅极电极电连接。第一保持电容55R另一方的电极与电源布线61电连接。此外，作为第一保持电容55R，可以使用寄生于第一驱动晶体管52R的栅极电极的电容，或者也可以使用通过在硅基板中由相互不同的导电层夹着绝缘层而形成的电容。
在如上述那样构成的像素电路中，在向第i行的扫描线31供给的扫描信号GWR(i)为高电平时，第一选择晶体管51R为截止状态。另一方面，在扫描信号GWR(i)为低电平时，第一选择晶体管51R成为导通状态。在第一选择晶体管51R处于导通状态时，根据数据线33的电位与电源布线61的电位的电位差Vd，在第一保持电容55R中流过充电电流，由此第一保持电容55R被充电，直到第一保持电容55R的电极间电压成为电位差Vd为止。
在第一驱动晶体管52R的源极/漏极区域中的另一方与源极/漏极区域中的一方之间流动的电流取决于第一驱动晶体管52R的栅极电位。第一驱动晶体管52R的栅极电位等于由第一保持电容55R保持的电压，即，第一保持电容55R的电极间电压。因此，具有与由第一保持电容55R保持的电压对应的电流值的电流在第一驱动晶体管52R的源极/漏极区域中的另一方与源极/漏极区域中的一方之间流动。在下文中，将在第一驱动晶体管52R的源极/漏极区域中的另一方与源极/漏极区域中的一方之间流动的电流称为“驱动电流”。
当向第i行的控制线32供给的控制信号GEL(i)为高电平时，第一发光控制晶体管53R为截止状态。在第一发光控制晶体管53R处于截止状态时，第一发光元件54R的阳极处于与第一驱动晶体管52R的源极/漏极区域中的另一方电切断的状态，因此驱动电流不经由第一驱动晶体管52R流向第一发光元件54R。即，在第一发光控制晶体管53R处于截止状态时，第一发光元件54R不发光。
另一方面，当控制信号GEL(i)处于低电平时，第一发光控制晶体管53R导通。在第一发光控制晶体管53R处于导通状态时，第一发光元件54R的阳极成为经由第一发光控制晶体管53R与第一驱动晶体管52R的源极/漏极区域中的另一方电连接的状态，因此具有与由第一保持电容55R保持的电压对应的电流值的驱动电流经由第一驱动晶体管52R流向第一发光元件54R。即，在第一发光控制晶体管53R处于导通状态时，第一发光元件54R根据驱动电流而发光。从第一发光元件54R射出的红色光的强度依赖于驱动电流的值、即由第一保持电容55R保持的电压而变化。
如上所述，第一像素11R包含射出第一波段的光(红色光)的第一发光元件54R和与第一发光元件54R对应的第一发光控制晶体管53R。即，第一电光装置10R具有射出第一波段的光(红色光)的第一发光元件54R和与第一发光元件54R对应的第一发光控制晶体管53R。
虽然省略了图示，但与第一像素11R同样地，配置于第二电光装置10B的第二像素11B的像素电路具有第二选择晶体管51B、第二驱动晶体管52B、第二发光控制晶体管53B、第二发光元件54B以及第二保持电容55B。第二发光元件54B是射出第二波段的光、即蓝色光的发光元件。第二发光元件54B是发光层被阳极和阴极夹着的结构，例如是有机EL二极管。
在第二像素11B的像素电路中也是，当第二选择晶体管51B处于导通状态时，第二保持电容55B被充电，直到第二保持电容55B的电极间电压成为电位差Vd为止。然后，在第二发光控制晶体管53B处于导通状态时，具有与由第二保持电容55B保持的电压对应的电流值的驱动电流经由第二驱动晶体管52B流向第二发光元件54B。即，在第二发光控制晶体管53B处于导通状态时，第二发光元件54B根据驱动电流而发光。从第二发光元件54B射出的蓝色光的强度依赖于驱动电流的值、即由第二保持电容55B保持的电压而变化。
这样，第二像素11B包含射出第二波段的光(蓝色光)的第二发光元件54B和与第二发光元件54B对应的第二发光控制晶体管53B。即，第二电光装置10B具有射出第二波段的光(蓝色光)的第二发光元件54B和与第二发光元件54B对应的第二发光控制晶体管53B。
另外，虽然省略了图示，但与第一像素11R以及第二像素11B同样地，配置于第三电光装置10G的第三像素11G的像素电路具有第三选择晶体管51G、第三驱动晶体管52G、第三发光控制晶体管53G、第三发光元件54G以及第三保持电容55G。第三发光元件54G是射出第三波段的光、即绿色光的发光元件。第三发光元件54G是发光层被阳极和阴极夹着的结构，例如是有机EL二极管。
同样在第三像素11G的像素电路中也是，当第三选择晶体管51G处于导通状态时，第三保持电容55G被充电，直到第三保持电容55G的电极间电压成为电位差Vd为止。然后，在第三发光控制晶体管53G处于导通状态时，具有与由第三保持电容55G保持的电压对应的电流值的驱动电流经由第三驱动晶体管52G流向第三发光元件54G。即，在第三发光控制晶体管53G处于导通状态时，第三发光元件54G根据驱动电流而发光。从第三发光元件54G射出的绿色光的强度依赖于驱动电流的值、即由第三保持电容55G保持的电压而变化。
这样，第三像素11G包含射出第三波段的光(绿色光)的第三发光元件54G和与第三发光元件54G对应的第三发光控制晶体管53G。即，第三电光装置10G具有射出第三波段的光(绿色光)的第三发光元件54G和与第三发光元件54G对应的第三发光控制晶体管53G。
在本实施方式的光学模块1中，第一像素11R所具有的第一发光元件54R的面积、第二像素11B所具有的第二发光元件54B的面积以及第三像素11G所具有的第三发光元件54G的面积相同。此外，各发光元件54的面积也可以说是在俯视时阳极、发光层以及阴极重叠的区域的面积、或者阳极与发光层接触的区域的面积。
图4是表示一帧中的第一发光元件54R的发光状态、一帧中的第二发光元件54B的发光状态、一帧中的第三发光元件54G的发光状态的时间上的对应关系的时序图。在图4中，从时刻t1到时刻t14的期间是一帧。例如，在第一电光装置10R、第二电光装置10B以及第三电光装置10G分别具有1080条扫描线31的情况下，一帧的长度由下述(1)式表示。在下述(1)式中，“1H”是1个水平扫描期间、即相当于水平同步信号的1个周期的期间。
一帧＝消隐期间+1080×1H…(1)
在图4中，从时刻t1到时刻t2的期间是消隐期间。消隐期间与1个水平扫描期间(1H)相等。在该消隐期间，通过将第一选择晶体管51R控制为导通状态，第一保持电容55R被充电，直到第一保持电容55R的电极间电压达到目标电压为止。该目标电压被设定为使得由第一驱动晶体管52R生成在一帧中从第一发光元件54R射出的红色光的强度成为期望的值的驱动电流。目标电压能够通过数据线33的电位与电源布线61的电位之间的电位差Vd而设定。
同样地，在消隐期间，通过将第二选择晶体管51B控制为导通状态，第二保持电容55B被充电，直到第二保持电容55B的电极间电压达到目标电压为止。该目标电压被设定为使得由第二驱动晶体管52B生成在一帧中从第二发光元件54B射出的蓝色光的强度成为期望的值的驱动电流。
同样地，在消隐期间，通过将第三选择晶体管51G控制为导通状态，第三保持电容55G被充电，直到第三保持电容55G的电极间电压达到目标电压为止。该目标电压被设定为使得由第三驱动晶体管52G生成在一帧中从第三发光元件54G射出的绿色光的强度成为期望的值的驱动电流。
在图4中，RGEL(i)是在第一电光装置10R中向第i行的控制线32供给的控制信号。在图4中，BGEL(i)是在第二电光装置10B中向第i行的控制线32供给的控制信号。在图4中，GGEL(i)是在第三电光装置10G中向第i行的控制线32供给的控制信号。以下，将RGEL(i)称为第一控制信号，将BGEL(i)称为第二控制信号，将GGEL(i)称为第三控制信号。
如图4所示，在消隐期间，第一控制信号RGEL(i)、第二控制信号BGEL(i)以及第三控制信号GGEL(i)分别被设置为高电平。其结果，第一发光控制晶体管53R、第二发光控制晶体管53B以及第三发光控制晶体管53G分别被控制为截止状态，因此在消隐期间，第一发光元件54R、第二发光元件54B以及第三发光元件54G各自中不流过驱动电流。因此，在消隐期间，第一发光元件54R、第二发光元件54B以及第三发光元件54G分别不发光。
如图4所示，在从消隐期间结束的时刻t2到一帧结束的时刻t14为止的期间，第二控制信号BGEL(i)被设置为低电平。其结果，在从时刻t2到时刻t14的期间，第二发光控制晶体管53B被控制为导通状态，因此具有与由第二保持电容55B保持的电压对应的电流值的驱动电流向第二发光元件54B流通。由此，在从时刻t2到时刻t14的期间，第二发光元件54B射出具有与驱动电流对应的强度的蓝色光。
如图4所示，在消隐期间结束的时刻t2至时刻t4的期间，第一控制信号RGEL(i)被设置为高电平。其结果，在从时刻t2到时刻t4的期间，第一发光控制晶体管53R被控制为截止状态，因此驱动电流不流过第一发光元件54R。因此，在从时刻t2到时刻t4的期间，第一发光元件54R不发光。
如图4所示，在从时刻t4到时刻t5的期间，第一控制信号RGEL(i)被设置为低电平。其结果，在从时刻t4到时刻t5的期间，第一发光控制晶体管53R被控制为导通状态，因此具有与由第一保持电容55R保持的电压对应的电流值的驱动电流向第一发光元件54R流通。由此，在从时刻t4到时刻t5的期间，第一发光元件54R射出具有与驱动电流对应的强度的红色光。
如图4所示，在从时刻t5到时刻t7的期间，第一控制信号RGEL(i)被设置为高电平。其结果，在从时刻t5到时刻t7的期间，第一发光控制晶体管53R被控制为截止状态，因此驱动电流不流过第一发光元件54R。因此，在从时刻t5到时刻t7的期间，第一发光元件54R不发光。
如图4所示，在从时刻t7到时刻t8的期间，第一控制信号RGEL(i)被设置为低电平。其结果，在从时刻t7到时刻t8的期间，第一发光控制晶体管53R被控制为导通状态，因此具有与由第一保持电容55R保持的电压对应的电流值的驱动电流向第一发光元件54R流通。由此，在从时刻t7到时刻t8的期间，第一发光元件54R射出具有与驱动电流对应的强度的红色光。
如图4所示，在从时刻t8到时刻t10的期间，第一控制信号RGEL(i)被设置为高电平。其结果，在从时刻t8到时刻t10的期间，第一发光控制晶体管53R被控制为截止状态，因此驱动电流不流过第一发光元件54R。因此，在从时刻t8到时刻t10的期间，第一发光元件54R不发光。
如图4所示，在从时刻t10到时刻t11的期间，第一控制信号RGEL(i)被设置为低电平。其结果，在从时刻t10到时刻t11的期间，第一发光控制晶体管53R被控制为导通状态，因此具有与由第一保持电容55R保持的电压对应的电流值的驱动电流向第一发光元件54R流通。由此，在从时刻t10到时刻t11的期间，第一发光元件54R射出具有与驱动电流对应的强度的红色光。
如图4所示，在从时刻t11到时刻t13的期间，第一控制信号RGEL(i)被设置为高电平。其结果，在从时刻t11到时刻t13的期间，第一发光控制晶体管53R被控制为截止状态，因此驱动电流不流过第一发光元件54R。因此，在从时刻t11到时刻t13的期间，第一发光元件54R不发光。
如图4所示，在从时刻t13到一帧结束的时刻t14为止的期间，第一控制信号RGEL(i)被设置为低电平。其结果，在从时刻t13到时刻t14的期间，第一发光控制晶体管53R被控制为导通状态，因此具有与由第一保持电容55R保持的电压对应的电流值的驱动电流向第一发光元件54R流通。由此，在从时刻t13到时刻t14的期间，第一发光元件54R射出具有与驱动电流对应的强度的红色光。
如图4所示，在消隐期间结束的时刻t2至时刻t3(t3＜t4)的期间，第三控制信号GGEL(i)被设置为高电平。其结果，在从时刻t2到时刻t3的期间，第三发光控制晶体管53G被控制为截止状态，因此在第三发光元件54G中不流过驱动电流。因此，在从时刻t2到时刻t3的期间，第三发光元件54G不发光。
如图4所示，在从时刻t3到时刻t5的期间，第三控制信号GGEL(i)被设置为低电平。其结果，在从时刻t3到时刻t5的期间，第三发光控制晶体管53G被控制为导通状态，因此具有与由第三保持电容55G保持的电压对应的电流值的驱动电流向第三发光元件54G流通。由此，在从时刻t3到时刻t5的期间，第三发光元件54G射出具有与驱动电流对应的强度的绿色光。
如图4所示，在从时刻t5到时刻t6(t6＜t7)的期间，第三控制信号GGEL(i)被设置为高电平。其结果，在从时刻t5到时刻t6的期间，第三发光控制晶体管53G被控制为截止状态，因此在第三发光元件54G中不流过驱动电流。因此，在从时刻t5到时刻t6的期间，第三发光元件54G不发光。
如图4所示，在从时刻t6到时刻t8的期间，第三控制信号GGEL(i)被设置为低电平。其结果，在从时刻t6到时刻t8的期间，第三发光控制晶体管53G被控制为导通状态，因此具有与由第三保持电容55G保持的电压对应的电流值的驱动电流向第三发光元件54G流通。由此，在从时刻t6到时刻t8的期间，第三发光元件54G射出具有与驱动电流对应的强度的绿色光。
如图4所示，在从时刻t8到时刻t9(t9＜t10)的期间，第三控制信号GGEL(i)被设置为高电平。其结果，在从时刻t8到时刻t9的期间，第三发光控制晶体管53G被控制为截止状态，因此在第三发光元件54G中不流过驱动电流。因此，在从时刻t8到时刻t9的期间，第三发光元件54G不发光。
如图4所示，在从时刻t9到时刻t11的期间，第三控制信号GGEL(i)被设置为低电平。其结果，在从时刻t9到时刻t11的期间，第三发光控制晶体管53G被控制为导通状态，因此具有与由第三保持电容55G保持的电压对应的电流值的驱动电流向第三发光元件54G流通。由此，在从时刻t9到时刻t11的期间，第三发光元件54G射出具有与驱动电流对应的强度的绿色光。
如图4所示，在从时刻t11到时刻t12(t12＜t13)的期间，第三控制信号GGEL(i)被设置为高电平。其结果，在从时刻t11到时刻t12的期间，第三发光控制晶体管53G被控制为截止状态，因此在第三发光元件54G中不流过驱动电流。因此，在从时刻t11到时刻t12的期间，第三发光元件54G不发光。
如图4所示，在从时刻t12到一帧结束的时刻t14为止的期间，第三控制信号GGEL(i)被设置为低电平。其结果，在从时刻t12到时刻t14的期间，第三发光控制晶体管53G被控制为导通状态，因此具有与由第三保持电容55G保持的电压对应的电流值的驱动电流向第三发光元件54G流通。由此，在从时刻t12到时刻t14的期间，第三发光元件54G射出具有与驱动电流对应的强度的绿色光。
如上所述，在本实施方式的光学模块1中，一帧中的第一发光控制晶体管53R处于导通状态的第一期间比一帧中的第二发光控制晶体管53B处于导通状态的第二期间短。换言之，在一帧中射出红色光的第一发光元件54R根据驱动电流而发光的第一期间比在一帧中射出蓝色光的第二发光元件54B根据驱动电流而发光的第二期间短。以下，有时将第一期间称为“红色发光期间”，将第二期间称为“蓝色发光期间”。
另外，在本实施方式的光学模块1中，一帧中的第三发光控制晶体管53G处于导通状态的第三期间比第二期间短且比第一期间长。换言之，在一帧中射出绿色光的第三发光元件54G根据驱动电流而发光的第三期间比第二期间短且比第一期间长。以下，有时将第三期间称为“绿色发光期间”。
光学模块1通过对从具有第一发光元件54R的第一电光装置10R射出的红色的第一图像光LR、从具有第二发光元件54B的第二电光装置10B射出的蓝色的第二图像光LB、以及从具有第三发光元件54G的第三电光装置10G射出的绿色的第三图像光LG进行合成，生成3色混合的合成图像光LW。
这样，在使用射出不同波段的光的多个发光元件54R、54B及54G生成合成图像光LW的情况下，假设在使红色发光期间、蓝色发光期间及绿色发光期间相同的状态下，长时间持续驱动各发光元件54R、54B及54G，则由于各发光元件54R、54B及54G的寿命特性不同，在生成混合色、特别是白色的合成图像光LW时可能会产生颜色偏移。
图5表示通过以100％的占空比驱动各发光元件54R、54B及54G而生成白色的合成图像光LW时的、第一电光学装置10R、第二电光学装置10B及第三电光学装置10G的亮度半衰期(LT50)。“以100％的占空比驱动发光元件”是指在一帧内的除消隐期间以外的整个期间，将发光控制晶体管控制为导通状态。
在图5中，“红色(Red)”表示第一电光装置10R。如图5所示，在为了生成白色的合成图像光LW，以从第一电光装置10R射出的红色的第一图像光LR的视觉识别亮度成为1372(cd/m2)的方式设定驱动电流值的状态下以100％的占空比驱动第一发光元件54R时，第一电光装置10R的亮度半衰期为600小时。
在图5中，“蓝色(Blue)”表示第二电光装置10B。如图5所示，在为了生成白色的合成图像光LW，以从第二电光装置10B射出的蓝色的第二图像光LB的视觉识别亮度成为356(cd/m2)的方式设定驱动电流值的状态下以100％的占空比驱动第二发光元件54B时，第二电光装置10B的亮度半衰期为300小时。
在图5中，“绿色(Green)”表示第三电光装置10G。如图5所示，在为了生成白色的合成图像光LW，以从第三电光装置10G射出的绿色的第三图像光LG的视觉识别亮度成为3272(cd/m2)的方式设定驱动电流值的状态下以100％的占空比驱动第三发光元件54G时，第三电光装置10G的亮度半衰期为400小时。
亮度半衰期是指以恒定的电流密度驱动时，图像光的亮度从最大亮度降低至最大亮度的一半所花费的时间。如图5所示，具有射出红色光的第一发光元件54R的第一电光装置10R的亮度半衰期比具有射出蓝色光的第二发光元件54B的第二电光装置10B的亮度半衰期长。换言之，射出蓝色光的第二发光元件54B的劣化速度比射出红色光的第一发光元件54R的劣化速度快。因此，在通过以100％的占空比驱动各发光元件54R、54B及54G而生成白色的合成图像光LW的情况下，若观察经过规定时间后的合成图像光LW，则由于各发光元件54R、54B及54G的劣化速度不同，白色显示所需的各色的视觉识别亮度产生偏差，该偏差成为颜色偏移而被视觉识别。
图6表示在第三电光装置10G中为了得到恒定的视觉识别亮度所需的占空比与驱动亮度的对应关系、以及以各占空比驱动第三发光元件54G时的亮度半衰期(LT50)。在图6中，例如在占空比为50％的情况下，在一帧内的除了消隐期间以外的整个期间的50％的期间，发光控制晶体管被控制为导通状态。另外，由于驱动亮度是依赖于驱动电流的物理量，所以以下有时将驱动亮度换称为驱动电流。
如图6所示，若减小第三发光元件54G的驱动占空比，根据占空比使第三发光元件54G的驱动电流增大以得到恒定的视觉识别亮度，则亮度半衰期变短。换言之，若在满足能够得到恒定的视觉识别亮度的条件的同时缩短绿色发光期间，则第三发光元件54G的劣化速度变快。这意味着能够通过绿色发光期间来控制第三发光元件54G的劣化速度。对于第一发光元件54R及第二发光元件54B也同样地，能够通过各自的发光期间的长度来控制各自的劣化速度。
本申请发明人基于上述见解，认为如果通过减小具有最长的亮度半衰期的第一电光学装置10R的驱动占空比来缩短第一电光学装置10R的亮度半衰期，从而能够使第一电光学装置10R的亮度半衰期接近第二电光学装置10B的最短的亮度半衰期，则能够抑制在白色的合成图像光LW中产生的颜色偏移。并且，本申请发明人对能够抑制颜色偏移的第一电光装置10R的驱动占空比与第二电光装置10B的驱动占空比的关系、即能够抑制颜色偏移的红色发光期间与蓝色发光期间的关系进行了深入研究。
图7至图11示出了研究结果。
图7是表示以100％的占空比驱动第二发光元件54B时的第二电光装置10B的亮度半衰期曲线C1的曲线图。图8是表示以100％的占空比驱动第一发光元件54R时的第一电光装置10R的亮度半衰期曲线C2的曲线图。图9是表示第二电光装置10B的亮度半衰期曲线C1、第一电光装置10R的亮度半衰期曲线C2、以及以42％的占空比驱动第一发光元件54R时的第一电光装置10R的亮度半衰期曲线C3的曲线图。如图9所示，判明了如果以100％的占空比驱动第二发光元件54B，并且以42％的占空比驱动第一发光元件54R，则能够使第一电光装置10R的亮度半衰期接近第二电光装置10B的亮度半衰期。
图10表示第一发光元件54R的驱动占空比与第一电光装置10R的亮度半衰期的关系。根据图10所示的结果，证实了能够根据第一发光元件54R的驱动占空比、即红色发光期间来控制第一电光装置10R的亮度半衰期。
图11示出针对3个实施例和3个比较例分别调查了作为颜色偏移的评价指标的Δu’v’、第一发光元件54R的驱动占空比、第二发光元件54B的驱动占空比、以及第三发光元件54G的驱动占空比的关系的结果。通常，如果Δu’v’小于0.02，则人无法识别出颜色偏移。因此，当以生成白色的合成图像光LW的方式以规定的占空比持续驱动各发光元件54R、54B及54G，劣化速度最快的第二电光装置10B达到亮度半衰期时，如果合成图像光LW的Δu’v’小于0.02，则可以说能够抑制在白色的合成图像光LW中产生的颜色偏移。
在图11所示的实施例1中，以42％的占空比驱动第一发光元件54R，以100％的占空比驱动第二发光元件54B，以70％的占空比驱动第三发光元件54G，由此生成白色的合成图像光LW。在该实施例1中，当劣化速度最快的第二电光装置10B达到亮度半衰期时，合成图像光LW的Δu’v’小于0.001。
在图11所示的实施例2中，以30％的占空比驱动第一发光元件54R，以100％的占空比驱动第二发光元件54B，以70％的占空比驱动第三发光元件54G，由此生成白色的合成图像光LW。在该实施例2中，当劣化速度最快的第二电光装置10B达到亮度半衰期时，合成图像光LW的Δu’v’为0.018。
在图11所示的实施例3中，以60％的占空比驱动第一发光元件54R，以100％的占空比驱动第二发光元件54B，以70％的占空比驱动第三发光元件54G，由此生成白色的合成图像光LW。在该实施例3中，当劣化速度最快的第二电光装置10B达到亮度半衰期时，合成图像光LW的Δu’v’为0.019。
在图11所示的比较例1中，通过以100％的占空比分别驱动第一发光元件54R、第二发光元件54B以及第三发光元件54G，生成白色的合成图像光LW。在该比较例1中，当劣化速度最快的第二电光装置10B达到亮度半衰期时，合成图像光LW的Δu’v’为0.026。
在图11所示的比较例2中，以29％的占空比驱动第一发光元件54R，以100％的占空比驱动第二发光元件54B，以70％的占空比驱动第三发光元件54G，由此生成白色的合成图像光LW。在该比较例2中，当劣化速度最快的第二电光装置10B达到亮度半衰期时，合成图像光LW的Δu’v’为0.021。
在图11所示的比较例3中，以61％的占空比驱动第一发光元件54R，以100％的占空比驱动第二发光元件54B，以70％的占空比驱动第三发光元件54G，由此生成白色的合成图像光LW。在该比较例3中，当劣化速度最快的第二电光装置10B达到亮度半衰期时，合成图像光LW的Δu’v’为0.021。
如图11所示，通过将第一发光元件54R的驱动占空比设定为第二发光元件54B的驱动占空比的30％至60％，得到了能够有效地抑制白色的合成图像光LW中产生的颜色偏移的结果。换言之，通过将一帧中的红色发光期间(第一期间)设定为一帧中的蓝色发光期间(第二期间)的0.3倍至0.6倍，得到了能够有效地抑制白色的合成图像光LW中产生的颜色偏移的结果。
特别是，通过将第一发光元件54R的驱动占空比设定为第二发光元件54B的驱动占空比的42％，能够得到最能够抑制白色的合成图像光LW中产生的颜色偏移的结果。认为其理由在于，如图9所示，通过将射出红色光的第一发光元件54R的驱动占空比设定为射出蓝色光的第二发光元件54B的驱动占空比的42％，能够使第一电光装置10R的亮度半衰期最接近第二电光装置10B的亮度半衰期。
另一方面，如图11所示，若将第一发光元件54R的驱动占空比设定为第二发光元件54B的驱动占空比的29％以下或61％以上，则得到白色的合成图像光LW中产生人能够识别出的程度的颜色偏移的结果。特别是，若将第一发光元件54R的驱动占空比设定为与第二发光元件54B的驱动占空比相同(100％)，则得到白色的合成图像光LW中产生较大的颜色偏移的结果。
基于以上的研究结果，在本实施方式的光学模块1中，一帧中的第一发光控制晶体管53R处于导通状态的第一期间被设定得比一帧中的第二发光控制晶体管53B处于导通状态的第二期间短。换言之，在本实施方式的光学模块1中，一帧中的红色发光期间比一帧中的蓝色发光期间短。
根据这样的本实施方式，能够使具有劣化速度最慢的第一发光元件54R的第一电光装置10R的亮度半衰期接近具有劣化速度最快的第二发光元件54B的第二电光装置10B的亮度半衰期，因此能够抑制因各发光元件的劣化速度(寿命特性)而在白色的合成图像光LW中产生颜色偏移。
特别是，在本实施方式的光学模块1中，优选一帧中的第一发光控制晶体管53R处于导通状态的第一期间是一帧中的第二发光控制晶体管53B处于导通状态的第二期间的0.3倍至0.6倍。换言之，在本实施方式的光学模块1中，优选一帧中的红色发光期间为一帧中的蓝色发光期间的0.3倍至0.6倍。
由此，能够使具有劣化速度最慢的第一发光元件54R的第一电光装置10R的亮度半衰期更接近具有劣化速度最快的第二发光元件54B的第二电光装置10B的亮度半衰期，因此能够更有效地抑制因各发光元件的劣化速度(寿命特性)而在白色的合成图像光LW中产生颜色偏移。
在本实施方式的光学模块1中，一帧中的第三发光控制晶体管53G处于导通状态的第三期间比第二期间短且比第一期间长。换言之，在本实施方式的光学模块1中，一帧中的绿色发光期间比蓝色发光期间短且比红色发光期间长。
由此，能够使具有劣化速度为中间程度的第三发光元件54G的第三电光装置10G的亮度半衰期接近具有劣化速度最快的第二发光元件54B的第二电光装置10B的亮度半衰期，因此，抑制因各发光元件的劣化速度(寿命特性)而在白色的合成图像光LW中产生颜色偏移的效果增加。
在本实施方式的光学模块1中，第一像素11R所具有的第一发光元件54R的面积、第二像素11B所具有的第二发光元件54B的面积、第三像素11G所具有的第三发光元件54G的面积相同。
由此，能够抑制因第一发光元件54R的面积、第二发光元件54B的面积以及第三发光元件54G的面积相互不同而在合成图像光LW产生颜色偏移。
另外，本实施方式的光学模块1具有：第一电光装置10R，其射出红色的第一图像光LR；第二电光装置10B，其射出蓝色的第二图像光LB；以及第三电光装置10R，其射出绿色的第三图像光LG。
由此，第一电光装置10R、第二电光装置10B以及第三电光装置10G各自中的每1行设置的控制线32的数量为1条，因此能够减少各电光装置的布线数。
[具备光学模块1的图像显示装置]
以下，对具备上述实施方式的光学模块1的图像显示装置进行说明。
图12是作为具备光学模块1的图像显示装置的一例的头部佩戴型显示装置(头戴式显示器)1000的说明图。图13是示意性地表示图12所示的虚像显示部1010的光学系统的结构的立体图。图14是表示图13所示的光学系统的光路的说明图。
如图12所示，头部佩戴型显示装置1000构成为透视型的眼图显示器，具有在左右具备镜腿1111以及1112的框架1110。在头部佩戴型显示装置1000中，虚像显示部1010被框架1110支承，使利用者将从虚像显示部1010射出的图像识别为虚像。在本实施方式中，头部佩戴型显示装置1000具备左眼用显示部1101和右眼用显示部1102作为虚像显示部1010。左眼用显示部1101和右眼用显示部1102具有相同的结构，左右对称地配置。
在以下的说明中，以左眼用显示部1101为中心进行说明，省略关于右眼用显示部1102的说明。
如图13以及图14所示，在头部佩戴型显示装置1000中，左眼用显示部1101具备光学模块1、以及将从光学模块1射出的合成图像光LW引导至射出部1058的导光系统1030。在光学模块1与导光系统1030之间配置有投射透镜系统1070。从光学模块1射出的合成图像光LW经由投射透镜系统1070入射至导光系统1030。投射透镜系统1070由具有正的屈光度的1个准直透镜构成。
导光系统1030具备：透光性的入射部1040，其供合成图像光LW入射；以及透光性的导光部1050，其一端1051侧与入射部1040连接。在本实施方式中，入射部1040和导光部1050由一体的透光性部件构成。
入射部1040具备：入射面1041，其供从光学模块1射出的合成图像光LW入射；以及反射面1042，其使从入射面1041入射的合成图像光LW在与入射面1041之间反射。入射面1041由平面、非球面或自由曲面等构成，隔着投影透镜系统1070与光学模块1对置。投射透镜系统1070以与入射面1041的端部1412的间隔比与入射面1041的端部1411的间隔宽的方式倾斜地配置。
虽然在入射面1041上未形成反射膜，但是对以临界角以上的入射角入射的光进行全反射。因此，入射面1041具备透光性以及光反射性。反射面1042由与入射面1041对置的面构成，以端部1422比入射面1041的端部1421更远离入射面1041的方式倾斜地配置。因此，入射部1040具有大致三角形状的形状。反射面1042由平面、非球面或自由曲面等构成。反射面1042具有形成有以铝、银、镁、铬等为主成分的反射性的金属层的结构。
导光部1050具备从一端1051朝向另一端1052侧延伸的第一面1056(第一反射面)、与第一面1056平行地对置并从一端1051侧朝向另一端1052侧延伸的第二面1057(第二反射面)、以及设置于第二面1057的远离入射部1040的部分的射出部1058。第一面1056与入射部1040的反射面1042经由斜面1043而连续。第一面1056和第二面1057的厚度比入射部1040薄。第一面1056和第二面1057基于导光部1050与外界(空气)的折射率差，对以临界角以上的入射角入射的光进行全反射。因此，在第一面1056及第二面1057未形成反射膜。
射出部1058构成于导光部1050的厚度方向的第二面1057侧的一部分。在射出部1058中，相对于针对第二面1057的法线方向倾斜的多个部分反射面1055相互平行地配置。射出部1058是第二面1057中的与多个部分反射面1055重叠的部分，是在导光部1050的延伸方向上具有规定的宽度的区域。多个部分反射面1055分别由电介质多层膜构成。另外，多个部分反射面1055中的至少1个也可以是电介质多层膜与以铝、银、镁、铬等为主成分的反射性的金属层(薄膜)的复合层。在部分反射面1055包含金属层的情况下，具有提高部分反射面1055的反射率的效果、或者能够使部分反射面1055的透射率以及反射率的入射角依赖性、偏振依赖性适当化的效果。此外，射出部1058也可以是设置有衍射光栅、全息件等光学元件的方式。
在上述结构的头部佩戴型显示装置1000中，由从入射部1040入射的平行光构成的合成图像光LW在入射面1041折射，朝向反射面1042。接着，合成图像光LW被反射面1042反射而再次朝向入射面1041。此时，合成图像光LW以临界角以上的入射角入射到入射面1041，因此被入射面1041朝向导光部1050反射而朝向导光部1050。此外，在入射部1040中，成为作为平行光的合成图像光LW入射到入射面1041的结构，但也可以采用如下结构：由自由曲面等构成入射面1041以及反射面1042，在作为非平行光的合成图像光LW入射到入射面1041之后，在反射面1042与入射面1041之间反射的期间转换为平行光。
在导光部1050中，合成图像光LW在第一面1056与第二面1057之间反射而行进。入射到部分反射面1055的合成图像光LW的一部分被部分反射面1055反射而从射出部1058朝向观察者的眼睛E射出。另外，入射到部分反射面1055的合成图像光LW的剩余部分透过部分反射面1055，入射到相邻的下一个部分反射面1055。因此，在多个部分反射面1055分别反射的合成图像光LW从射出部1058朝向观察者的眼睛E射出。由此，观察者能够识别虚像。
此时，从外界入射至导光部1050的光在入射至导光部1050之后，透过部分反射面1055而到达观察者的眼睛E。因此，观察者能够视觉识别从光学模块1射出的彩色图像，并且能够透视地视觉识别外界的景色等。
根据具备以上那样的本实施方式的光学模块1的头部佩戴型显示装置1000，能够抑制由从光学模块1射出的合成图像光LW形成的彩色图像(虚像)产生颜色偏移。
图15是作为具备本实施方式的光学模块1的图像显示装置的另一例的投射型显示装置(投影仪)2000的概略结构图。如图15所示，投射型显示装置2000具有：上述实施方式的光学模块1；以及投射光学系统2100，其将从光学模块1射出的合成图像光LW放大投射到屏幕等被投射部件2200上。
根据具备这样的本实施方式的光学模块1的投射型显示装置2000，能够抑制由投射到被投射部件2200的合成图像光LW形成的彩色图像产生颜色偏移。
[电光装置]
接着，对本发明的一个实施方式中的电光装置进行说明。
图16是本发明的一个实施方式中的电光装置100的概略结构图。在图16中，设电光装置100的水平方向为X方向，电光装置100的垂直方向为Y方向。电光装置100是射出3色混合的图像光的自发光型的电光装置。在本实施方式中，电光装置100例如是有机EL面板。如图16所示，电光装置100具备多个第一像素110R、多个第二像素110B以及多个第三像素110G。
多个第一像素110R在电光装置100的基板上配置成矩阵状。第一像素110R在X方向上与第三像素110G的左侧相邻配置。第一像素110R射出第一波段的光。在本实施方式中，第一波段的光是红色的光。即，第一波段例如包含610nm至680nm的波长。在以下的说明中，有时将第一波段的光称为“红色光”。
多个第二像素110B在电光装置100的基板上配置成矩阵状。第二像素110B在X方向上与第三像素110G的右侧相邻地配置。第二像素110B射出比第一波段短的第二波段的光。在本实施方式中，第二波段的光是蓝色的光。即，第二波段例如包含450nm至490nm的波长。在以下的说明中，有时将第二波段的光称为“蓝色光”。
多个第三像素110G在电光装置100的基板上配置成矩阵状。第三像素110G在X方向上配置于第一像素110R与第二像素110B之间。第三像素110G射出比第一波段短且比第二波段长的第三波段的光。在本实施方式中，第三波段的光是绿色的光。即，第三波段例如包含495nm～570nm的波长。在以下的说明中，有时将第三波段的光称为“绿色光”。
在本实施方式的电光装置100中，第一像素110R所具有的第一发光元件114R的面积、第二像素110B所具有的第二发光元件114B的面积以及第三像素110G所具有的第三发光元件114G的面积相同。
电光装置100具有：像素区域130，其包含第一像素110R、第二像素110B以及第三像素110G；以及非像素区域140，其包围像素区域130的周围。在电光装置100的基板120的第一面121设置有像素区域130和非像素区域140。
非像素区域140包含周边区域141和安装区域142。像素区域130是第一像素110R、第二像素110B以及第三像素110G配置成矩阵状的矩形状的区域。在像素区域130设置有沿X方向延伸的多条扫描线131、与各扫描线131对应地沿X方向延伸的多条控制线132、以及沿与X方向交叉的Y方向延伸的多条数据线133。第一像素110R、第二像素110B以及第三像素110G分别是与多个扫描线131和多个数据线133的各交叉处对应的区域。因此，第一像素110R、第二像素110B以及第三像素110G在X方向以及Y方向上排列成矩阵状。
周边区域141是包围像素区域130的矩形框状的区域。3个驱动电路150设置在周边区域141内。3个驱动电路150是驱动像素区域130内的第一像素110R、第二像素110B以及第三像素110G的电路。驱动电路150包含2个扫描线驱动电路151和数据线驱动电路152。电光装置100是驱动电路150由形成在基板120的第一面121上的晶体管等有源元件构成的电路内置型的电光装置。
安装区域142隔着周边区域141设置在与像素区域130相反的一侧、即周边区域141的外侧。在安装区域142设置有多个安装端子160。控制信号以及电源电位从包含控制电路以及电源电路等的各种外部电路(省略图示)被供给至安装端子160。外部电路例如安装于与安装区域142连接的柔性布线基板(省略图示)。
图17是表示第一像素110R、第二像素110B以及第三像素110G所具有的像素电路的结构的等效电路图。以下，以位于i行j列的第一像素110R、位于i行j+1列的第三像素110G、以及位于i行j+2列的第二像素110B所具有的像素电路为例进行说明。
如图17所示，第一像素110R的像素电路具有第一选择晶体管111R、第一驱动晶体管112R、第一发光控制晶体管113R、第一发光元件114R和第一保持电容115R。在本实施方式中，第一选择晶体管111R、第一驱动晶体管112R以及第一发光控制晶体管113R分别是P沟道型的MOS-FET。
第一选择晶体管111R的栅极电极与第i行的扫描线131电连接。第一选择晶体管111R的源极/漏极区域的另一方与第j列的第一数据线133R电连接。第一选择晶体管111R的源极/漏极区域的一方与第一驱动晶体管112R的栅极电极以及第一保持电容115R一方的电极电连接。第一选择晶体管111R的背栅与被施加电源电位的电源布线171电连接。
第一驱动晶体管112R的栅极电极与第一选择晶体管111R的源极/漏极区域的一方以及第一保持电容115R一方的电极电连接。第一驱动晶体管112R的源极/漏极区域的一方与电源布线171电连接。第一驱动晶体管112R的源极/漏极区域的另一方与第一发光控制晶体管113R的源极/漏极区域的一方电连接。第一驱动晶体管112R的背栅与电源布线171电连接。
第一发光控制晶体管113R的栅极电极与第i行的第一控制线132R电连接。第一发光控制晶体管113R的源极/漏极区域的一方与第一驱动晶体管112R的源极/漏极区域的另一方电连接。第一发光控制晶体管113R的源极/漏极区域的另一方与第一发光元件114R的阳极电连接。第一发光控制晶体管113R的背栅与电源布线171电连接。
第一发光元件114R是射出第一波段的光、即红色光的发光元件。第一发光元件114R是发光层被阳极和阴极夹着的结构，例如是有机EL二极管。第一发光元件114R的阳极与第一发光控制晶体管113R的源极/漏极区域的另一方电连接。第一发光元件114R的阴极与被施加公共电位的公共布线172电连接。
第一保持电容115R是用于保持第一驱动晶体管112R的栅极电位的电容器。第一保持电容115R一方的电极与第一选择晶体管111R的源极/漏极区域的一方以及第一驱动晶体管112R的栅极电极电连接。第一保持电容115R另一方的电极与电源布线171电连接。此外，作为第一保持电容115R，可以使用寄生于第一驱动晶体管112R的栅极电极的电容，或者也可以使用通过在硅基板中以相互不同的导电层夹着绝缘层而形成的电容。
第二像素110B的像素电路具有第二选择晶体管111B、第二驱动晶体管112B、第二发光控制晶体管113B、第二发光元件114B和第二保持电容115B。在本实施方式中，第二选择晶体管111B、第二驱动晶体管112B以及第二发光控制晶体管113B分别是P沟道型的MOS-FET。
第二选择晶体管111B的栅极电极与第i行的扫描线131电连接。第二选择晶体管111B的源极/漏极区域的另一方与第j+2列的第二数据线133B电连接。第二选择晶体管111B的源极/漏极区域的一方与第二驱动晶体管112B的栅极电极和第二保持电容115B一方的电极电连接。第二选择晶体管111B的背栅与电源布线171电连接。
第二驱动晶体管112B的栅极电极与第二选择晶体管111B的源极/漏极区域的一方以及第二保持电容115B一方的电极电连接。第二驱动晶体管112B的源极/漏极区域的一方与电源布线171电连接。第二驱动晶体管112B的源极/漏极区域的另一方与第二发光控制晶体管113B的源极/漏极区域的一方电连接。第二驱动晶体管112B的背栅与电源布线171电连接。
第二发光控制晶体管113B的栅极电极与第i行的第二控制线132B电连接。第二发光控制晶体管113B的源极/漏极区域的一方与第二驱动晶体管112B的源极/漏极区域的另一方电连接。第二发光控制晶体管113B的源极/漏极区域的另一方与第二发光元件114B的阳极电连接。第二发光控制晶体管113B的背栅与电源布线171电连接。
第二发光元件114B是射出第二波段的光、即蓝色光的发光元件。第二发光元件114B是发光层被阳极和阴极夹着的结构，例如是有机EL二极管。第二发光元件114B的阳极与第二发光控制晶体管113B的源极/漏极区域的另一方电连接。第二发光元件114B的阴极与公共布线172电连接。
第二保持电容115B是用于保持第二驱动晶体管112B的栅极电位的电容器。第二保持电容115B一方的电极与第二选择晶体管111B的源极/漏极区域的一方以及第二驱动晶体管112B的栅极电极电连接。第二保持电容115B另一方的电极与电源布线171电连接。此外，作为第二保持电容115B，可以使用寄生于第二驱动晶体管112B的栅极电极的电容，或者也可以使用通过在硅基板中以相互不同的导电层夹着绝缘层而形成的电容。
第三像素110G的像素电路具有第三选择晶体管111G、第三驱动晶体管112G、第三发光控制晶体管113G、第三发光元件114G和第三保持电容115G。在本实施方式中，第三选择晶体管111G、第三驱动晶体管112G以及第三发光控制晶体管113G分别是P沟道型的MOS-FET。
第三选择晶体管111G的栅极电极与第i行的扫描线131电连接。第三选择晶体管111G的源极/漏极区域的另一方与第j+1列的第三数据线133G电连接。第三选择晶体管111G的源极/漏极区域的一方与第三驱动晶体管112G的栅极电极和第三保持电容115G一方的电极电连接。第三选择晶体管111G的背栅与电源布线171电连接。
第三驱动晶体管112G的栅极电极与第三选择晶体管111G的源极/漏极区域的一方以及第三保持电容115G一方的电极电连接。第三驱动晶体管112G的源极/漏极区域的一方电连接到电源布线171。第三驱动晶体管112G的源极/漏极区域的另一方与第三发光控制晶体管113G的源极/漏极区域的一方电连接。第三驱动晶体管112G的背栅与电源布线171电连接。
第三发光控制晶体管113G的栅极电极与第i行的第三控制线132G电连接。第三发光控制晶体管113G的源极/漏极区域的一方与第三驱动晶体管112G的源极/漏极区域的另一方电连接。第三发光控制晶体管113G的源极/漏极区域的另一方与第三发光元件114G的阳极电连接。第三发光控制晶体管113G的背栅与电源布线171电连接。
第三发光元件114G是射出第三波段的光、即绿色光的发光元件。第三发光元件114G是发光层被阳极和阴极夹着的结构，例如是有机EL二极管。第三发光元件114G的阳极与第三发光控制晶体管113G的源极/漏极区域的另一方电连接。第三发光元件114G的阴极与公共布线172电连接。
第三保持电容115G是用于保持第三驱动晶体管112G的栅极电位的电容器。第三保持电容115G一方的电极与第三选择晶体管111G的源极/漏极区域的一方以及第三驱动晶体管112G的栅极电极电连接。第三保持电容115G另一方的电极与电源布线171电连接。此外，作为第三保持电容115G，可以使用寄生于第三驱动晶体管112G的栅极电极的电容，或者也可以使用通过在硅基板中以相互不同的导电层夹着绝缘层而形成的电容。
在如上述那样构成的像素电路中，在向第i行的扫描线131供给的扫描信号GWR(i)为高电平时，第一选择晶体管111R、第二选择晶体管111B以及第三选择晶体管111G分别为截止状态。另一方面，在扫描信号GWR(i)为低电平时，第一选择晶体管111R、第二选择晶体管111B以及第三选择晶体管111G分别成为导通状态。
在第一选择晶体管111R处于导通状态时，根据第一数据线133R的电位与电源布线171的电位的电位差VDR，在第一保持电容115R中流过充电电流，由此对第一保持电容115R进行充电，直到第一保持电容115R的电极间电压成为电位差VDR为止。在第一驱动晶体管112R的源极/漏极区域的另一方与源极/漏极区域的一方之间流动的驱动电流依赖于第一驱动晶体管112R的栅极电位、即第一保持电容115R的电极间电压而变化。
在第二选择晶体管111B处于导通状态时，根据第二数据线133B的电位与电源布线171的电位的电位差VDB，在第二保持电容115B中流过充电电流，由此对第二保持电容115B进行充电，直到第二保持电容115B的电极间电压成为电位差VDB为止。在第二驱动晶体管112B的源极/漏极区域的另一方与源极/漏极区域的一方之间流动的驱动电流依赖于第二驱动晶体管112B的栅极电位、即第二保持电容115B的电极间电压而变化。
在第三选择晶体管111G处于导通状态时，根据第三数据线133G的电位与电源布线171的电位之间的电位差VDG，在第三保持电容115G中流过充电电流，由此对第三保持电容115G进行充电，直到第三保持电容115G的电极间电压成为电位差VDG为止。在第三驱动晶体管112G的源极/漏极区域的另一方与源极/漏极区域的一方之间流动的驱动电流依赖于第三驱动晶体管112G的栅极电位、即第三保持电容115G的电极间电压而变化。
当向第i行的第一控制线132R供给的第一控制信号RGEL(i)为高电平时，第一发光控制晶体管113R为截止状态。在第一发光控制晶体管113R处于截止状态时，第一发光元件114R的阳极处于与第一驱动晶体管112R的源极/漏极区域的另一方电切断的状态，因此驱动电流不经由第一驱动晶体管112R流向第一发光元件114R。即，在第一发光控制晶体管113R处于截止状态时，第一发光元件114R不发光。
另一方面，在第一控制信号RGEL(i)为低电平时，第一发光控制晶体管113R成为导通状态。在第一发光控制晶体管113R处于导通状态时，第一发光元件114R的阳极成为经由第一发光控制晶体管113R与第一驱动晶体管112R的源极/漏极区域的另一方电连接的状态，因此具有与由第一保持电容115R保持的电压对应的电流值的驱动电流经由第一驱动晶体管112R流向第一发光元件114R。即，在第一发光控制晶体管113R处于导通状态时，第一发光元件114R根据驱动电流而发光。从第一发光元件114R射出的红色光的强度依赖于驱动电流的值、即由第一保持电容115R保持的电压而变化。
当提供给第i行的第二控制线132B的第二控制信号BGEL(i)处于高电平时，第二发光控制晶体管113B处于截止状态。在第二发光控制晶体管113B处于截止状态时，第二发光元件114B的阳极处于与第二驱动晶体管112B的源极/漏极区域的另一方电切断的状态，因此驱动电流不经由第二驱动晶体管112B流向第二发光元件114B。即，当第二发光控制晶体管113B处于截止状态时，第二发光元件114B不发光。
另一方面，在第二控制信号BGEL(i)为低电平时，第二发光控制晶体管113B成为导通状态。在第二发光控制晶体管113B处于导通状态时，第二发光元件114B的阳极成为经由第二发光控制晶体管113B与第二驱动晶体管112B的源极/漏极区域的另一方电连接的状态，因此具有与由第二保持电容115B保持的电压对应的电流值的驱动电流经由第二驱动晶体管112B流向第二发光元件114B。即，当第二发光控制晶体管113B处于导通状态时，第二发光元件114B根据驱动电流而发光。从第二发光元件114B射出的蓝色光的强度依赖于驱动电流的值、即由第二保持电容115B保持的电压而变化。
当供给到第i行的第三控制线132G的第三控制信号GGEL(i)为高电平时，第三发光控制晶体管113G为截止状态。在第三发光控制晶体管113G处于截止状态时，第三发光元件114G的阳极处于与第三驱动晶体管112G的源极/漏极区域的另一方电切断的状态，因此驱动电流不经由第三驱动晶体管112G流向第三发光元件114G。即，在第三发光控制晶体管113G处于截止状态时，第三发光元件114G不发光。
另一方面，在第三控制信号GGEL(i)为低电平时，第三发光控制晶体管113G成为导通状态。在第三发光控制晶体管113G处于导通状态时，第三发光元件114G的阳极成为经由第三发光控制晶体管113G与第三驱动晶体管112G的源极/漏极区域的另一方电连接的状态，因此具有与由第三保持电容115G保持的电压对应的电流值的驱动电流经由第三驱动晶体管112G流向第三发光元件114G。即，在第三发光控制晶体管113G处于导通状态时，第三发光元件114G根据驱动电流而发光。从第三发光元件114G射出的绿色光的强度依赖于驱动电流的值、即由第三保持电容115G保持的电压而变化。
与上述实施方式的光学模块1同样地，在本实施方式的电光装置100中，一帧中的第一发光控制晶体管113R处于导通状态的第一期间比一帧中的第二发光控制晶体管113B处于导通状态的第二期间短。换言之，在本实施方式的电光装置100中，一帧中的红色发光期间比一帧中的蓝色发光期间短。
根据这样的本实施方式的电光装置100，与光学模块1同样地，能够抑制因各发光元件的劣化速度(寿命特性)而在白色的图像光中产生颜色偏移。
另外，在本实施方式的电光装置100中，优选一帧中的第一发光控制晶体管113R处于导通状态的第一期间是一帧中的第二发光控制晶体管113B处于导通状态的第二期间的0.3倍至0.6倍。换言之，在本实施方式的电光装置1中，优选一帧中的红色发光期间是一帧中的蓝色发光期间的0.3倍至0.6倍。
根据这样的本实施方式的电光装置100，与光学模块1同样地，能够更有效地抑制由于各发光元件的劣化速度(寿命特性)而在白色的图像光中产生颜色偏移。
另外，在本实施方式的电光装置100中，一帧中的第三发光控制晶体管113G处于导通状态的第三期间比第二期间短且比第一期间长。换言之，在本实施方式的电光装置100中，一帧中的绿色发光期间比蓝色发光期间短且比红色发光期间长。
根据这样的本实施方式的电光装置100，与光学模块1同样地，抑制因各发光元件的劣化速度(寿命特性)而在白色的合成图像光LW中产生颜色偏移的效果增加。
另外，在本实施方式的电光装置100中，第一发光元件114R的面积、第二发光元件114B的面积以及第三发光元件114G的面积相同。
由此，能够抑制由于第一发光元件114R的面积、第二发光元件114B的面积和第三发光元件114G的面积相互不同而在图像光中产生颜色偏移。
进而，本实施方式的电光装置100具备射出红色光的第一像素110R、射出蓝色光的第二像素110B、以及射出绿色光的第三像素110G。即，本实施方式的电光装置100以单体生成3色混合的图像光。
通过使用这样的本实施方式的电光装置100构成后述的图像显示装置，能够实现图像显示装置的小型化。
[具备电光装置100的图像显示装置]
图18是作为具备本实施方式的电光装置100的图像显示装置的一例的投射型显示装置(投影仪)3000的概略结构图。如图18所示，投影型显示装置3000具有本实施方式的电光装置100、以及将从电光装置100射出的3色混合的图像光L放大投影到屏幕等被投射部件3200上的投影光学系统3100。
根据具备这样的本实施方式的电光装置100的投射型显示装置3000，能够抑制由投射到被投射部件3200的图像光L形成的彩色图像产生颜色偏移。另外，如上所述，通过使用本实施方式的电光装置100，能够实现投射型显示装置3000的小型化。
[变形例]
此外，本发明的技术范围并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内能够施加各种变更。
例如，可以将图3所示的第一像素11R的像素电路变更为图19所示的像素电路。如图19所示，变形例中的第一像素11R的像素电路具有第一选择晶体管71R、第一驱动晶体管72R、第一发光控制晶体管73R、第一发光元件74R、第一保持电容75R和第一辅助电容76R。第一选择晶体管71R、第一驱动晶体管72R以及第一发光控制晶体管73R分别是P沟道型的MOS-FET。
第一选择晶体管71R的栅极电极与第i行的扫描线31电连接。第一选择晶体管71R的源极/漏极区域的另一方与第j列的数据线33电连接。第一选择晶体管71R的源极/漏极区域的一方与第一驱动晶体管72R的栅极电极和第一保持电容75R一方的电极电连接。第一选择晶体管71R的背栅与电源布线61电连接。
第一驱动晶体管72R的栅极电极与第一选择晶体管71R的源极/漏极区域的一方以及第一保持电容75R一方的电极电连接。第一驱动晶体管72R的源极/漏极区域的一方与第一发光控制晶体管73R的源极/漏极区域的另一方和第一保持电容75R另一方的电极电连接。第一驱动晶体管72R的源极/漏极区域的另一方与第一发光元件74R的阳极电连接。第一驱动晶体管72R的背栅与电源布线61电连接。
第一发光控制晶体管73R的栅极电极与第i行的控制线32电连接。第一发光控制晶体管73R的源极/漏极区域的一方与电源布线61电连接。第一发光控制晶体管73R的源极/漏极区域的另一方与第一驱动晶体管72R的源极/漏极区域的一方和第一保持电容75R另一方的电极电连接。第一发光控制晶体管73R的背栅与电源布线61电连接。
第一发光元件74R是射出第一波段的光、即红色光的发光元件。第一发光元件74R例如是有机EL二极管。第一发光元件74R的阳极与第一驱动晶体管72R的源极/漏极区域的另一方电连接。第一发光元件74R的阴极与公共布线62电连接。
第一保持电容75R是用于保持第一驱动晶体管72R的栅极电位的电容器。第一保持电容75R一方的电极与第一选择晶体管71R的源极/漏极区域的一方以及第一驱动晶体管72R的栅极电极电连接。第一保持电容75R另一方的电极与第一辅助电容76R一方的电极、第一驱动晶体管72R的源极/漏极区域的一方以及第一发光控制晶体管73R的源极/漏极区域的另一方电连接。此外，作为第一保持电容75R，可以使用寄生于第一驱动晶体管72R的栅极电极的电容，或者也可以使用通过在硅基板中以相互不同的导电层夹着绝缘层而形成的电容。
第一辅助电容76R是辅助第一保持电容75R的电容器。第一辅助电容76R一方的电极电连接到第一保持电容75R另一方的电极、第一驱动晶体管72R的源极/漏极区域的一方以及第一发光控制晶体管73R的源极/漏极区域的另一方。第一辅助电容76R另一方的电极与电源布线61电连接。此外，作为第一辅助电容76R，既可以使用寄生于第一发光控制晶体管73R的源极/漏极区域的一方与源极/漏极区域的另一方之间的电容，或者也可以使用通过在硅基板中以相互不同的导电层夹着绝缘层而形成的电容。
图19所示的像素电路不仅可以用作第一像素11R的像素电路，而且可以用作第二像素11B、第三像素11G、第一像素110R、第二像素110B和第三像素110G的像素电路。
在上述实施方式中，例示了各发光元件为有机EL二极管的方式，但本发明并不限定于此。作为各发光元件，可以使用无机EL元件、LED阵列、有机LED、激光器阵列及量子点发光型元件等其他自发光元件。
在上述实施方式中，作为具备光学模块1的图像显示装置，例示了头部佩戴型显示装置1000和投射型显示装置2000，但本发明的光学模块能够应用于各种方式的图像显示装置。另外，在上述实施方式中，作为具备电光装置100的图像显示装置，例示了投射型显示装置3000，但本发明的电光装置能够应用于各种方式的图像显示装置。
本发明的一个方式的光学模块也可以具有以下的结构。
本发明的一个方式的光学模块具备：第一电光装置，其具有射出第一波段的光的第一发光元件和与所述第一发光元件对应的第一发光控制晶体管；第二电光装置，其具有射出比所述第一波段短的第二波段的光的第二发光元件和与所述第二发光元件对应的第二发光控制晶体管；以及棱镜，其对从所述第一电光装置射出的光和从所述第二电光装置射出的光进行合成，一帧中的所述第一发光控制晶体管处于导通状态的第一期间比所述一帧中的所述第二发光控制晶体管处于导通状态的第二期间短。
在本发明的一个方式的光学模块中，也可以是，所述第一期间是所述第二期间的0.3倍至0.6倍。
在本发明的一个方式的光学模块中，也可以是，所述第一发光元件的面积与所述第二发光元件的面积相同。
在本发明的一个方式的光学模块中，也可以是，具备第三电光装置，该第三电光装置具有：第三发光元件，其射出比所述第一波段短且比所述第二波段长的第三波段的光；以及第三发光控制晶体管，其与所述第三发光元件对应，所述棱镜对从所述第一电光装置射出的光、从所述第二电光装置射出的光、以及从所述第三电光装置射出的光进行合成，所述一帧中的所述第三发光控制晶体管处于导通状态的第三期间比所述第二期间短且比所述第一期间长。
在本发明的一个方式的光学模块中，也可以是，所述第一发光元件的面积、所述第二发光元件的面积以及所述第三发光元件的面积相同。
本发明的一个方式的电光装置也可以具有以下的结构。
本发明的一个方式的电光装置具有：第一像素，其射出第一波段的光；以及第二像素，其射出比所述第一波段短的第二波段的光，所述第一像素包含第一发光元件和与所述第一发光元件对应的第一发光控制晶体管，所述第二像素包含第二发光元件和与所述第二发光元件对应的第二发光控制晶体管，一帧中的所述第一发光控制晶体管处于导通状态的第一期间比所述一帧中的所述第二发光控制晶体管处于导通状态的第二期间短。
在本发明的一个方式的电光装置中，也可以是，所述第一期间是所述第二期间的0.3倍至0.6倍。
在本发明的一个方式的电光装置中，也可以是，所述第一发光元件的面积与所述第二发光元件的面积相同。
在本发明的一个方式的电光装置中，也可以是，所述电光装置具备射出比所述第一波段短且比所述第二波段长的第三波段的光的第三像素，所述第三像素包含第三发光元件和与所述第三发光元件对应的第三发光控制晶体管，所述一帧中的所述第三发光控制晶体管处于导通状态的第三期间比所述第二期间短且比所述第一期间长。
在本发明的一个方式的电光装置中，也可以是，所述第一发光元件的面积、所述第二发光元件的面积以及所述第三发光元件的面积相同。
本发明的一个方式的图像显示装置也可以具有以下的结构。
本发明的一个方式的图像显示装置具备本发明的一个方式的光学模块或本发明的一个方式的电光装置。

Claims (18)

1.一种光学模块，其具备：
第一电光装置，其具有射出包含第一波段的光的第一发光元件以及与所述第一发光元件对应地设置的第一发光控制晶体管；
第二电光装置，其具有射出包含比所述第一波段短的第二波段的光的第二发光元件以及与所述第二发光元件对应地设置的第二发光控制晶体管；以及
棱镜，其对从所述第一电光装置射出的光和从所述第二电光装置射出的光进行合成，
一帧中的所述第一发光控制晶体管处于导通状态的第一期间比所述一帧中的所述第二发光控制晶体管处于导通状态的第二期间短。
2.根据权利要求1所述的光学模块，其中，
所述第一期间是所述第二期间的0.3倍至0.6倍。
3.根据权利要求1所述的光学模块，其中，
所述第一发光元件的面积与所述第二发光元件的面积相同。
4.根据权利要求2所述的光学模块，其中，
所述第一发光元件的面积与所述第二发光元件的面积相同。
5.根据权利要求1所述的光学模块，其中，
所述光学模块还具备第三电光装置，该第三电光装置具有：第三发光元件，其射出包含比所述第一波段短且比所述第二波段长的第三波段的光；以及第三发光控制晶体管，其与所述第三发光元件对应地设置，
所述棱镜对从所述第一电光装置射出的光、从所述第二电光装置射出的光以及从所述第三电光装置射出的光进行合成，
所述一帧中的所述第三发光控制晶体管处于导通状态的第三期间比所述第二期间短且比所述第一期间长。
6.根据权利要求2所述的光学模块，其中，
所述光学模块还具备第三电光装置，该第三电光装置具有：第三发光元件，其射出包含比所述第一波段短且比所述第二波段长的第三波段的光；以及第三发光控制晶体管，其与所述第三发光元件对应地设置，
所述棱镜对从所述第一电光装置射出的光、从所述第二电光装置射出的光以及从所述第三电光装置射出的光进行合成，
所述一帧中的所述第三发光控制晶体管处于导通状态的第三期间比所述第二期间短且比所述第一期间长。
7.根据权利要求5所述的光学模块，其中，
所述第一发光元件的面积、所述第二发光元件的面积以及所述第三发光元件的面积相同。
8.根据权利要求6所述的光学模块，其中，
所述第一发光元件的面积、所述第二发光元件的面积以及所述第三发光元件的面积相同。
9.一种电光装置，其具备：
第一像素，其射出包含第一波段的光；以及
第二像素，其射出包含比所述第一波段短的第二波段的光，
所述第一像素包含第一发光元件以及与所述第一发光元件对应地设置的第一发光控制晶体管，
所述第二像素包含第二发光元件以及与所述第二发光元件对应地设置的第二发光控制晶体管，
一帧中的所述第一发光控制晶体管处于导通状态的第一期间比所述一帧中的所述第二发光控制晶体管处于导通状态的第二期间短。
10.根据权利要求9所述的电光装置，其中，
所述第一期间是所述第二期间的0.3倍至0.6倍。
11.根据权利要求9所述的电光装置，其中，
所述第一发光元件的面积与所述第二发光元件的面积相同。
12.根据权利要求10所述的电光装置，其中，
所述第一发光元件的面积与所述第二发光元件的面积相同。
13.根据权利要求9所述的电光装置，其中，
所述电光装置还具备第三像素，该第三像素射出包含比所述第一波段短且比所述第二波段长的第三波段的光，
所述第三像素包含第三发光元件以及与所述第三发光元件对应地设置的第三发光控制晶体管，
所述一帧中的所述第三发光控制晶体管处于导通状态的第三期间比所述第二期间短且比所述第一期间长。
14.根据权利要求10所述的电光装置，其中，
所述电光装置还具备第三像素，该第三像素射出包含比所述第一波段短且比所述第二波段长的第三波段的光，
所述第三像素包含第三发光元件以及与所述第三发光元件对应地设置的第三发光控制晶体管，
所述一帧中的所述第三发光控制晶体管处于导通状态的第三期间比所述第二期间短且比所述第一期间长。
15.根据权利要求13所述的电光装置，其中，
所述第一发光元件的面积、所述第二发光元件的面积以及所述第三发光元件的面积相同。
16.根据权利要求14所述的电光装置，其中，
所述第一发光元件的面积、所述第二发光元件的面积以及所述第三发光元件的面积相同。
17.一种图像显示装置，其具备权利要求1所述的光学模块。
18.一种图像显示装置，其具备权利要求9所述的电光装置。
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