CN114815416A - 阵列基板和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种阵列基板和显示面板,属于显示技术领域。该阵列基板包括依次层叠设置的衬底基板、第一电极层、绝缘介质层和第二电极层;阵列基板还设置有多个数据引线;第一电极层和第二电极层中的一个设置有狭缝电极;狭缝电极设于相邻两个数据引线之间,且包括电极连接部和多个第一条形子电极;各个第一条形子电极的一端均与电极连接部连接;电极连接部包括平行于相邻的数据引线的第一连接段;各个第一条形子电极位于第一连接段的同一侧;在沿远离第一连接段的方向上,第一条形子电极的宽度逐渐减小;相邻两个第一条形子电极在平行于第一连接段延伸方向上的距离,在沿远离第一连接段的方向上逐渐增大。该阵列基板能够减弱或者消除相错现象。

Description

阵列基板和显示面板
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
ADS(Advanced Super Dimension Switch,高级超维场转换技术)显示面板中的液晶一般基于面板水平排列,采用边缘电场对液晶的偏转方向进行控制,存在视角,色偏优势,但是相对于VA垂直配向驱动的液晶显示模式,ADS受限于液晶配向预倾角度和偏光片偏贴精度影响,对比度存在劣势。为改善ADS的对比度,人们提出了基于ADS边缘电场驱动的垂直配向液晶显示模式,然而,在这种技术中,在电极中央区域会发生部分液晶不偏转的问题,这使得该区域会形成暗线而出现相错现象,导致亮态画面的亮度降低,显示面板的出光效率下降。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种阵列基板和显示面板,减弱或者消除相错现象。
为实现上述发明目的,本公开采用如下技术方案:
根据本公开的第一个方面,提供一种阵列基板,包括依次层叠设置的衬底基板、第一电极层、绝缘介质层和第二电极层;其中,所述阵列基板还设置有多个数据引线;所述第一电极层和所述第二电极层中的一个设置有至少一个狭缝电极;
所述狭缝电极设置于相邻两个所述数据引线之间,且包括电极连接部和多个第一条形子电极;各个所述第一条形子电极的一端均与所述电极连接部连接;
所述电极连接部包括平行于相邻的所述数据引线的第一连接段;各个所述第一条形子电极位于所述第一连接段的同一侧;在沿远离所述第一连接段的方向上,所述第一条形子电极的宽度逐渐减小;
相邻两个所述第一条形子电极在平行于所述第一连接段延伸方向上的距离,在沿远离所述第一连接段的方向上逐渐增大。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一连接段包括相对设置的第一端和第二端;在一个所述狭缝电极中,所述第一条形子电极在沿远离所述第一连接段的方向上向靠近所述第一连接段的第二端的一侧延伸;
任意一个所述第一条形子电极包括相对设置且与所述电极连接部连接的第一边缘和第二边缘,且所述第一条形子电极的第一边缘位于所述第一条形子电极的第二边缘远离所述第一连接段的第一端的一侧;
在一个所述狭缝电极中,各个所述第一条形子电极的第一边缘相互平行,或者各个所述第一条形子电极的第二边缘相互平行,或者各个所述第一条形子电极的轴线相互平行。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一条形子电极的第一边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第一条形子电极的第一辅助设计线;所述第一条形子电极的第二边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第一条形子电极的第二辅助设计线;
所述第一连接段具有相对设置且平行于所述第一连接段的延伸方向的第一边缘和第二边缘;所述第一连接段的第二边缘位于所述第一连接段的第一边缘远离所述第一条形子电极的一侧;所述第一连接段的第一边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线,为所述第一连接段的辅助设计线;
在一个所述狭缝电极中,所述第一条形子电极的第一辅助设计线与所述第一连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第一设计参考点;
在连接至所述第一连接段的各个所述第一条形子电极中,任意相邻的两个所述第一条形子电极的第一设计参考点之间的距离相等。
在本公开的一种示例性实施例中,在一个所述狭缝电极中,任意相邻的两个所述第一条形子电极的第一设计参考点之间的距离相等。
在本公开的一种示例性实施例中,在一个所述狭缝电极中,所述第一条形子电极的第二辅助设计线与所述第一连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第二设计参考点;所述第一条形子电极的第一设计参考点和第二设计参考点之间的距离为所述第一条形子电极的第一设计参考尺寸;
在一个所述狭缝电极中,各个所述第一条形子电极的第一设计参考尺寸相同。
在本公开的一种示例性实施例中,所述电极连接部还包括第二连接段,所述第二连接段与所述第一连接段的第一端连接;
在一个所述狭缝电极中,部分所述第一条形子电极连接至所述第一连接段,且其余所述第一条形子电极连接至所述第二连接段。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第二连接段具有相对设置且与所述第一连接段连接的第一边缘和第二边缘;其中,所述第二连接段的第二边缘位于所述第二连接段的第一边缘远离所述第一条形子电极的一侧;所述第二连接段的第一边缘与所述第一连接段直接相连的部分,在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第二连接段的辅助设计线;
所述第一条形子电极的第一辅助设计线与所述第二连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第三设计参考点;所述第一条形子电极的第二辅助设计线与所述第二连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第四设计参考点;所述第一条形子电极的第三设计参考点和第四设计参考点之间的距离为所述第一条形子电极的第二设计参考尺寸;
其中,在连接至所述第二连接段的各个所述第一条形子电极中,各个所述第一条形子电极的第二设计参考尺寸相同。
在本公开的一种示例性实施例中,在一个所述狭缝电极中,所述第一条形子电极的第二辅助设计线与所述第一连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第二设计参考点;所述第一条形子电极的第一设计参考点和第二设计参考点之间的距离为所述第一条形子电极的第一设计参考尺寸;
部分所述第一条形子电极远离所述第一连接段一端具有平行于所述第一连接段延伸方向的第三边缘;所述第三边缘的尺寸等于连接至所述第一连接段的所述第一条形子电极的第一设计参考尺寸的0.4~0.8倍。
在本公开的一种示例性实施例中,在一个所述狭缝电极中,至少部分所述第一条形子电极远离所述第一连接段一端的宽度相同。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一条形子电极的第一边缘、所述第一条形子电极的第二边缘和所述第一条形子电极的轴线方向中的至少一个,与所述第一连接段的延伸方向之间的夹角在40°~50°内取值。
在本公开的一种示例性实施例中,所述狭缝电极还包括位于所述第一连接段同一侧的多个第二条形子电极;各个所述第二条形子电极的一端均与所述电极连接部连接;所述第二条形子电极在沿远离所述第一连接段的方向上向靠近所述第一连接段的第一端的一侧延伸,且宽度逐渐减小;
相邻两个所述第二条形子电极在平行于所述第一连接段延伸方向上的距离,在沿远离所述第一连接段的方向上逐渐增大。
在本公开的一种示例性实施例中,所述电极连接部还包括第三连接段,所述第三连接段与所述第一连接段的第二端连接;
在一个所述狭缝电极中,部分所述第二条形子电极连接至所述第三连接段,且其余所述第二条形子电极连接至所述第三连接段。
在本公开的一种示例性实施例中,在一个所述狭缝电极中,所述第二连接段和所述第三连接段之间形成一电极空间,所述第一条形子电极和所述第二条形子电极位于所述电极空间内。
在本公开的一种示例性实施例中,所述狭缝子电极包括至少一组条形子电极组,一个所述条形子电极组包括对应设置的一个所述第一条形子电极和一个所述第二条形子电极;在一个所述条形子电极组中,所述第一条形子电极远离所述第一连接段的一端与所述第二条形子电极远离所述第一连接段的一端连接。
在本公开的一种示例性实施例中,在一个所述狭缝电极中,一个所述条形子电极组和所述电极连接部围绕出一个环绕空间;所述环绕空间内,所述第一条形子电极的数量与所述第二条形子电极的数量相同。
在本公开的一种示例性实施例中,任意一个所述第二条形子电极包括相对设置且与所述电极连接部连接的第一边缘和第二边缘,且所述第一边缘位于所述第二边缘远离所述第一连接段的第二端的一侧;
所述第二条形子电极的第一边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第二条形子电极的第一辅助设计线;所述第二条形子电极的第二边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第二条形子电极的第二辅助设计线;
在一个所述狭缝电极中,所述第一条形子电极的数量与所述第二条形子电极的数量相同,且各个所述第一条形子电极的第一辅助设计线与各个所述第二条形子电极的第一辅助设计线轴对称,各个所述第一条形子电极的第二辅助设计线与各个所述第二条形子电极的第二辅助设计线轴对称。
根据本公开的第二个方面,提供一种显示面板,包括上述的阵列基板。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式,本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1为相关技术中狭缝电极的结构示意图。
图2为本公开一种实施方式中狭缝电极的结构示意图。
图3为本公开一种实施方式中第一电极层、栅极层、源漏金属层和多晶硅半导体层的层叠示意图。
图4为本公开一种实施方式中第一电极层、栅极层、源漏金属层、多晶硅半导体层和第二电极层的层叠示意图。
图5为本公开一种实施方式中阵列基板的层叠结构示意图。
图6为本公开一种实施方式中相邻三个第一条形子电极的轴线及其倾斜角的示意图。
图7为本公开一种实施方式中相邻三个第二条形子电极的轴线及其倾斜角的示意图。
图8为本公开一种实施方式中狭缝电极的结构示意图。
图9为本公开一种实施方式中狭缝电极的结构示意图。
图10为本公开一种实施方式中第一条形子电极的结构示意图。
图11为本公开一种实施方式中第二条形子电极的结构示意图。
图12为本公开一种实施方式中狭缝电极的结构示意图。
图13为本公开一种实施方式中狭缝电极的结构示意图。
图14为渐变角度α的取值分别为0°、1°、2°和3°时,显示面板在不同的驱动电压下的透光率的分布情况。
图15为在一种实施方式中,渐变角度为2°时,液晶显示面板中该狭缝电极对应的像素的点亮情况。
图16为在一种实施方式中,渐变角度为0°时,液晶显示面板中该狭缝电极对应的像素的点亮情况。
图17为在一种实施方式中,渐变角度为1°时,液晶显示面板中该狭缝电极对应的像素在4V的驱动电压下的点亮情况。
图18为在一种实施方式中,渐变角度为2°时,液晶显示面板中该狭缝电极对应的像素在4V的驱动电压下的点亮情况。
图19为在一种实施方式中,渐变角度为3°时,液晶显示面板中该狭缝电极对应的像素在4V的驱动电压下的点亮情况。
图20为第一条形子电极和第二条形子电极的宽度渐变时,液晶显示面板在不同的驱动电压下的透光率的分布情况。
图21为在一种实施方式中,第一条形子电极和第二条形子电极的宽度渐变时,液晶显示面板中该狭缝电极对应的像素的点亮情况。
图22为在一种实施方式中,第一条形子电极和第二条形子电极的宽度渐变时,液晶显示面板中该狭缝电极对应的像素在4V的驱动电压下的点亮情况。
图23为在一种实施方式中,第一条形子电极和第二条形子电极的宽度渐变时,液晶显示面板中该狭缝电极对应的像素在4V的驱动电压下的点亮情况。
图24为在一种实施方式中,第一条形子电极和第二条形子电极的宽度渐变时,液晶显示面板中该狭缝电极对应的像素的点亮情况。
图中主要元件附图标记说明如下:
101、衬底基板;102、第一电极层;103、栅极层;104、多晶硅半导体层;105、源漏金属层;106、第二电极层;107、绝缘介质层;1071、栅极绝缘层;1072、层间电介质层;1073、钝化层;1081、第一电极;1082、第二电极;109、转接电极;201、开关晶体管的有源层;202、数据引线;203、扫描引线;204、公共连接线;300、狭缝电极;301、电极连接部;310、第一连接段;3101、第一连接段的第一端;3102、第一连接段的第二端;311、第一连接段的第一边缘;312、第一连接段的第二边缘;313、第一连接段的辅助设计线;320、第二连接段;321、第二连接段的第一边缘;322、第二连接段的第二边缘;323、第二连接段的辅助设计线;330、第三连接段;331、第二连接段的第一边缘;332、第二连接段的第二边缘;333、第三连接段的辅助设计线;3301、第三连接段的第一部分;3302、第三连接段的第二部分;3303、第三连接段的第三部分;340、第一条形子电极;3401、第一条形子电极的轴线;3402、第一条形子电极的第一边缘;3403、第一条形子电极的第二边缘;3404、第一条形子电极的第一辅助设计线;3405、第一条形子电极的第二辅助设计线;3406、第一条形子电极的第一设计参考点;3407、第一条形子电极的第二设计参考点;3408、第一条形子电极的第三设计参考点;3409、第一条形子电极的第四设计参考点;3410、第一条形子电极的第五设计参考点;3411、第一条形子电极的第一设计参考尺寸;3412、第一条形子电极的第二设计参考尺寸;350、第二条形子电极;3501、第二条形子电极的轴线;3502、第二条形子电极的第一边缘;3503、第二条形子电极的第二边缘;3504、第二条形子电极的第一辅助设计线;3505、第二条形子电极的第二辅助设计线;3506、第二条形子电极的第一设计参考点;3507、第二条形子电极的第二设计参考点;3508、第二条形子电极的第三设计参考点;3509、第二条形子电极的第四设计参考点;3510、第二条形子电极的第五设计参考点;3511、第二条形子电极的第一设计参考尺寸;3512、第二条形子电极的第二设计参考尺寸;360、虚拟连线;400、条形子电极组;A、第一连接段延伸方向;B、避让缺口;C、第一线段;D、第二线段。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而,示例实施例能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整,并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。
在图中,为了清晰,可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下,不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的主要技术创意。
当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
在相关技术中,ADS液晶显示面板可以包括依次层叠设置于衬底基板一侧的第一电极层、绝缘介质层、第二电极层和液晶层,其中,在任意一个像素区域,第一电极层和第二电极层中的一个可以设置狭缝电极,另一个可以设置板状电极。狭缝电极和板状电极之间产生边缘电场,用于驱动液晶层中的负性液晶倒伏,进而控制液晶显示面板在该像素区域的出光。
如图1所示,相关技术中,狭缝电极300可以为双畴结构,即包括第一条形子电极340和第二条形子电极350。狭缝电极300的一侧可以为敞口状态且另一侧为闭合状态。相邻两个第一条形子电极340之间的间距,在从闭合端至敞口端的延伸方向上为均一地。示例性地,在图1中,尺寸d1'、尺寸d2'和尺寸d3'相同,尺寸d4'、尺寸d5'和尺寸d6'相同。参见图1,ADS液晶显示面板还可以包括位于狭缝电极300两侧的数据引线202;数据引线202上的电压也可以与狭缝电极300之间产生电场,进而对液晶层中的液晶倒伏状态产生影响。狭缝电极300两侧的数据引线202所形成的电场,使得液晶的倒伏方向相冲突,进而在狭缝电极300的中央区域使得部分液晶不倒伏而维持垂直状态,这部分不倒伏的液晶将无法改变入射偏振光的偏振状态,导致该区域形成暗线,即发生相错(disclination)现象。
本公开提供一种阵列基板,参见图5,该阵列基板包括依次层叠设置的衬底基板101、第一电极层102、绝缘介质层107和第二电极层106。参见图2,阵列基板还设置有多个数据引线202;第一电极层102和第二电极层106中的一个设置有至少一个狭缝电极300。
狭缝电极300设置于相邻两个数据引线202之间,且包括电极连接部301和多个依次相邻的第一条形子电极340;各个第一条形子电极340的一端均与电极连接部301连接。电极连接部301包括平行于相邻的数据引线202的第一连接段310;各个第一条形子电极340位于第一连接段310的同一侧;相邻两个第一条形子电极340在平行于第一连接段310延伸方向A上的距离,在沿远离第一连接段310的方向上逐渐增大。
本公开提供的阵列基板,狭缝电极300的两侧均设置有数据引线202,且数据引线202与狭缝电极300之间形成电场而影响液晶显示面板中液晶分子的翻转。由于第一连接段310的延伸方向与相邻的数据引线202平行,且使得狭缝电极300在该一侧处于闭合状态,因此狭缝电极300靠近第一连接段310的一侧与数据引线202之间的电场强度大。狭缝电极300在远离第一连接段310的一侧处于敞口状态,其与数据引线202之间的电场强度小。不仅如此,在本公开的阵列基板中,第一条形子电极340之间的间距在远离第一连接段310的一侧更大,可以进一步降低狭缝电极300在远离第一连接段310的一侧与数据引线202之间的电场强度。由此,本公开通过使得第一条形子电极340之间的间距渐变,使得狭缝电极300两侧与数据引线202之间的电场强度差异增大,进而可以减小或者消除相错现象,提高应用该阵列基板的显示面板的出光效率。
下面,结合附图对本公开提供的阵列基板的结构、原理和效果做进一步地解释和说明。
参见图4和图5,阵列基板包括第一电极层102和第二电极层106。其中,第一电极层102上设置有第一电极1081,第二电极层106上设置有与第一电极1081对应的第二电极1082。在对应设置的第一电极1081和第二电极1082中,第一电极1081在衬底基板101上的正投影与第二电极1082在衬底基板101上的正投影至少部分重合。在电极的形状层面上,第一电极1081和第二电极1082中的一个为狭缝电极300,另一个可以为板状电极。即,第一电极层102和第二电极层106中的一个可以设置有狭缝电极300,另一个可以设置有与狭缝电极300对应设置的板状电极。其中,在对应设置的狭缝电极300和板状电极中,狭缝电极300在衬底基板101上的正投影与板状电极在衬底基板101上的正投影至少部分重合。在电极的功能层面上,第一电极1081和第二电极1082中的一个可以为公共电极,另一个可以为像素电极。换言之,第一电极层102和第二电极层106中的一个可以设置公共电极,另一个可以设置像素电极。
示例性地,在本公开的一种实施方式中,参见图3~图5,第一电极层102设置的第一电极1081,可以为板状电极,且可以作为像素电极。第二电极层106设置的第二电极1082,可以为狭缝电极300,其可以作为公共电极。
可选地,本公开的阵列基板中,第一电极层102和第二电极层106的材料可以为透明导电材料,例如可以为透明金属氧化物。示例性地,狭缝电极300的材料为ITO(氧化铟锌)。
参见图2,本公开的阵列基板设置有多条数据引线202,各数据引线202之间可以相互平行设置。其中,数据引线202可以整体上沿列方向延伸,其可以为直线,也可以为沿行方向往复弯折的折线。
当数据引线202为折线时,其可以包括多个沿不同的方向延伸的引线段;其中,狭缝电极300的第一连接段310与其中一个引线段相邻设置,该第一连接段310的延伸方向与该第一连接段310相邻的引线段的延伸方向平行。
示例性地,在本公开的一种实施方式中,参见图2,数据引线202为直线且沿列方向延伸;沿行方向,狭缝电极300的两侧均设置有数据引线202,且狭缝电极300的第一连接段310沿列方向延伸,以与数据引线202的延伸方向平行。
参见图3和图4,本公开的阵列基板设置有多条扫描引线203和与像素电极连接的开关晶体管;其中,开关晶体管的一端连接数据引线202,另一端连接像素电极,栅极连接扫描引线203。在扫描引线203上加载的扫描电压的控制下,开关晶体管可以导通,以使得数据引线202上的数据电压加载至像素电极。
可选地,参见图3和图4,扫描引线203可以沿行方向延伸。第一电极1081和第二电极1082可以设置于相邻两个扫描引线203之间。
可选地,参见图3、图4和图5,扫描引线203可以复用为开关晶体管的栅极。其中,开关晶体管的有源层201可以包括依次连接的源极接触区、沟道区和漏极接触区,源极接触区与数据引线202通过过孔连接,漏极接触区与像素电极通过过孔连接,扫描引线203与开关晶体管的沟道区交叠,以使得扫描引线203与开关晶体管的沟道区交叠的部分可以作为开关晶体管的栅极。
可选地,开关晶体管的有源层201的材料可以为非晶硅半导体材料、多晶硅半导体材料、金属氧化物半导体材料或者有机半导体材料。示例性地,在本公开的一种实施方式中,开关晶体管的有源层201的材料可以为低温多晶硅半导体材料;其中,源极接触区和漏极接触区可以经过离子掺杂而具有高导电性,沟道区可以保持半导体特性以相应栅极上加载的扫描信号而导通或者截止。
可选地,参见图3和图4,本公开的阵列基板还可以设置有多个公共连接线204,公共连接线204沿行方向延伸,且与同行设置的各个公共电极连接。换言之,同行设置的各个公共电极,连接至同一公共连接线204上。
进一步地,公共连接线204可以与扫描引线203设置于同一膜层,即两者的材料相同,且在同一制备工序中制备。如此,阵列基板可以设置有栅极层103,栅极层103设置交替设置的公共连接线204和扫描引线203。在对应设置的像素电极和公共电极中,公共电极通过过孔与公共连接线204连接,像素电极所连接的开关晶体管的栅极与扫描引线203连接。
下面,示例性地介绍阵列基板的一种膜层结构和各个膜层的图案,以便对本公开的阵列基板的结构和原理做进一步地解释和说明。可以理解的是,该示例性的阵列基板仅为本公开的阵列基板的一种具体实施示例,而非对本公开的阵列基板的结构的具体限定。
参见图3~图5,该示例性地阵列基板包括依次层叠设置的衬底基板101、第一电极层102和栅极层103、栅极绝缘层1071、多晶硅半导体层104、层间电介质层1072、源漏金属层105、钝化层1073和第二电极层106。
在该示例性地阵列基板中,衬底基板101可以为透明基板,其材料可以为玻璃、亚力克等。
在该示例性地阵列基板中,第一电极层102的材料为透明金属氧化物,例如ITO。第一电极层102可以形成有阵列分布的第一电极1081,第一电极1081为板状电极且作为像素电极。其中,阵列分布的第一电极1081排列为多个第一电极行和多个第一电极列,第一电极行包括沿行方向排列的多个第一电极1081,第一电极列包括沿列方向排列的多个第一电极1081。
在该示例性地阵列基板中,栅极层103包括沿行方向延伸且交替设置的多个扫描引线203和多个公共连接线204。其中,各个扫描引线203和各个公共连接线204分成多个引线组,一个引线组包括相邻设置的一个扫描引线203和一个公共连接线204。一个引线组与一个第一电极行对应设置;在对应设置的一个引线组和一个第一电极行中,扫描引线203和公共连接线204分别位于第一电极行的两侧。如此,在相邻两个第一电极行之间设置有一个扫描引线203和一个公共连接线204;相邻的扫描引线203和公共连接线204之间设置有一个第一电极行。可选地,上一第一电极行对应的引线组中的扫描引线203与下一第一电极行对应的引线组中的公共连接线204位于相邻两个第一电极行之间。
其中,在制备时,可以先制备第一电极层102再制备栅极层103,也可以先制备栅极层103再制备第一电极层102。从膜层关系上,第一电极层102可以位于栅极层103靠近衬底基板101的一侧,也可以位于栅极层103远离衬底基板101的一侧,还可以与栅极层103相互嵌套而共同夹设于衬底基板101和栅极绝缘层1071之间。
在该示例性地阵列基板中,多晶硅半导体层104设于栅极绝缘层1071远离衬底基板101的一侧,其可以包括与多个第一电极1081一一对应的多个有源层。有源层包括依次连接的源极接触区、沟道区和漏极接触区;沟道区保持半导体特性,源极接触区和漏极接触区被注入掺杂离子而具有较好的导电性。在与同一第一电极1081对应的有源层和扫描引线203中,有源层的沟道区在衬底基板101上的正投影位于扫描引线203在衬底基板101上的正投影内,如此,该有源层的源极接触区可以形成该第一电极1081对应的开关晶体管的源极,该有源层的漏极接触区可以形成该第一电极1081对应的开关晶体管的漏极,该扫描引线203与沟道区交叠的部分可以复用为该第一电极1081对应的开关晶体管的栅极。在本公开的一种实施方式中,在与同一第一电极1081对应的有源层和扫描引线203中,源极接触区至少部分位于扫描引线203远离该第一电极1081的一侧,且漏极接触区至少部分位于扫描引线203靠近该第一电极1081的一侧。
在该示例性地阵列基板中,源漏金属层105设于层间电介质层1072远离衬底基板101的一侧,其可以包括与各个第一电极列一一对应设置的数据引线202,以及包括与各个开关晶体管一一对应的第一连接部和第二连接部。其中,数据引线202沿列方向延伸,且位于第一电极列的一侧。相邻两个数据引线202之间设置一个第一电极列,且相邻两个第一电极列之间设置一个数据引线202。第一连接部与数据引线202连接,且通过贯穿层间电介质层1072的过孔与对应的开关晶体管的源极接触区连接;第二连接部通过贯穿层间电介质层1072的过孔与对应的开关晶体管的漏极接触区连接,且通过贯穿层间电介质层1072和栅极绝缘层1071的过孔与开关晶体管对应的第一电极1081连接。在一种实施方式中,扫描引线203与数据引线202的交叠处设置有缺口,以减少扫描引线203与数据引线202之间的交叠面积,减少两者之间的寄生电容。可选地,该缺口位于扫描引线203远离对应的第一电极1081的一侧。
在该示例性地阵列基板中,第二电极层106设于钝化层1073远离衬底基板101的一侧,且包括与各个第一电极1081对应设置的第二电极1082,第二电极1082为狭缝电极300,且在功能上作为公共电极。一行第二电极1082与一个公共连接线204对应,且一个第二电极1082与对应的公共连接线204交叠,两者通过贯穿钝化层1073、层间电介质层1072和栅极绝缘层1071的过孔连接。第二电极层106还设置有转接电极109,转接焊盘通过贯穿钝化层1073的过孔与源漏金属层105的第二导电部连接,且通过贯穿钝化层1073、层间电介质层1072和栅极绝缘层1071的过孔与第一电极1081连接,进而使得开关晶体管的漏极与第一电极1081连接。相应的,参见图2和图4,为了设置转接电极109,第二电极1082可以形成有一避让缺口B。
在该示例性地阵列基板中,钝化层1073、层间电介质层1072和栅极绝缘层1071的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等电介质材料。示例性地,在本公开的一种实施方式中,钝化层1073和层间电介质层1072的材料为氮化硅,栅极绝缘层1071的材料为氧化硅。钝化层1073、层间电介质层1072和栅极绝缘层1071位于第一电极1081和第二电极1082之间的部分,可以作为本公开的绝缘介质层107。可以理解的是,钝化层1073、层间电介质层1072和栅极绝缘层1071中的一层或者多层,在第一电极1081和第二电极1082之间的部分还可以被去除或者减薄,以调整绝缘介质层107的厚度。
在本公开提供的阵列基板中,参见图2,狭缝电极300包括电极连接部301和多个第一条形子电极340;各个第一条形子电极340的一端均与电极连接部301连接。参见图2,电极连接部301包括平行于相邻的数据引线202的第一连接段310;各个第一条形子电极340位于第一连接段310的同一侧。可以通过调整第一条形子电极340的宽度或者调整第一条形子电极340的延伸方向,使得第一条形子电极340的之前的间距沿远离第一连接段310的方向上逐渐增大。当然地,也可以同时调整第一条形子电极340的宽度和延伸方向,以能够满足相邻两个第一条形子电极340在平行于第一连接段310延伸方向A上的距离在沿远离第一连接段310的方向上逐渐增大为准。
换言之,参见图2,狭缝电极300具有靠近第一连接段310一侧的闭合侧,以及具有远离第一连接段310一侧的敞口层。在沿从闭合侧至敞口侧的方向上,相邻两个第一条形子电极340之间的距离逐渐增大。示例性地,参见图2,尺寸d1、尺寸d2和尺寸d3依次增大。
可选地,参见图2,在本公开提供的阵列基板中,第一连接段310包括相对设置的第一端3101和第二端3102。在一个狭缝电极300中,第一条形子电极340在沿远离第一连接段310的方向上向靠近第二端3102的一侧延伸。
可选地,参见图2,电极连接部301还包括第二连接段320,第二连接段320与第一连接段310的第一端3101连接;在一个狭缝电极300中,部分第一条形子电极340连接至第一连接段310,且其余第一条形子电极340连接至第二连接段320。
可选地,参见图2,狭缝电极300还可以包括多个依次相邻的第二条形子电极350;各个第二条形子电极350的一端均与电极连接部301连接。第二条形子电极350在沿远离第一连接段310的方向上向靠近第一端3101的一侧延伸。在一个狭缝电极300中,各个第一条形子电极340和各个第二条形子电极350位于第一连接段310的同一侧。相邻两个第二条形子电极350在平行于第一连接段310延伸方向A上的距离,在沿远离第一连接段310的方向上逐渐增大。示例性地,尺寸d4、尺寸d5和尺寸d6依次增大。如此,该狭缝电极300可以为双畴结构的狭缝电极300,其具有包括第一条形子电极340的第一畴结构和包括第二条形子电极350的第二畴结构。该狭缝电极300的第一畴结构和第二畴结构均能够消除或者减弱相错现象,提高应用该阵列基板的显示面板的出光效率。
可选地,参见图2,电极连接部301还可以包括第三连接段330,第三连接段330与第一连接段310的第二端3102连接,且与第二连接段320相对设置。在一个狭缝电极300中,部分第二条形子电极350连接至第三连接段330,且其余第二条形子电极350连接至第三连接段330。
可选地,参见图2,在一个狭缝电极300中,第二连接段320和第三连接段330之间形成一电极空间,第一条形子电极340和第二条形子电极350位于电极空间内。在本公开的一些实施方式中,参见图2、图8、图9、图11和图12,电极空间的边界可以包括第一连接段310、第二连接段320、第三连接段330、第二连接段320远离第一连接段310的端部与第三连接段330远离第一连接段310的端部之间的虚拟连线360。进一步地,参见图2,该电极空间远离第一连接段310的一侧不设置使得各个第一条形子电极340、各个第二条形子电极350连接的导电结构,使得该电极空间在远离第一连接段310的一侧呈敞口状态,进而破坏狭缝电极300上电场的均一性,减弱或者消除错相现象。参见图8、图9、图11和图12,当第一条形子电极340或者第二条形子电极350延伸至虚拟连线360时,该第一条形子电极340或者第二条形子电极350远离第一连接段310的边缘在衬底基板101上的正投影,位于该虚拟连线360在衬底基板101上的正投影。
可选地,参见图2,狭缝电极300包括至少一组条形子电极组400,一个条形子电极组400包括对应设置的一个第一条形子电极340和一个第二条形子电极350。在一个条形子电极组400中,第一条形子电极340远离第一连接段310的一端与第二条形子电极350远离第一连接段310的一端连接。由于第一条形子电极340和第二条形子电极350的延伸方向相反,因此两者相交时则不再继续延伸。换言之,相交的第一条形子电极340和第二条形子电极350组成一个条形子电极组400。
可选地,参见图2,一个条形子电极组400与电极连接部301围绕出一个环绕空间。在该环绕空间内,可以不设置第一条形子电极340和第二条形子电极350,也可以设置其他条形子电极组400。如此,在该环绕空间内,第一条形子电极340的数量与第二条形子电极350的数量相同。换言之,在一个狭缝电极300中,各个第一条形子电极340可以按照沿第一连接段310的第二端3102至第一端3101的方向上依次编号;各个第二条形子电极350可以按照沿第一连接段310的第一端3101至第二端3102的方向上依次编号。其中,编号为1的第一条形子电极340可以与编号为1的第二条形子电极350组成第1个条形子电极组400;编号为2的第一条形子电极340可以与编号为2的第二条形子电极350组成第2个条形子电极组400;以此类推,编号为i的第一条形子电极340可以与编号为i的第二条形子电极350组成第i个条形子电极组400,i为正整数;直至编号为i+1的第一条形子电极340延伸至电极空间远离第一连接段310的一侧依旧无法与编号为i+1的第二条形子电极350连接。
在本公开的一种实施方式中,参见图2,狭缝电极300可以形成一避让缺口B,以便在该避让缺口B内设置其他导电结构。示例性地,参见本公开提供的示例性地阵列基板,狭缝电极300设置一避让缺口B,以便避让连接第一电极1081和开光晶体管的漏极的转接电极109。可选地,第二连接段320沿行方向延伸;第三连接段330包括依次连接的第一部分3301、第二部分3302和第三部分3303,其中,第一部分3301和第三部分3303沿行方向延伸,第二部分沿第一连接段310的延伸方向延伸。第一部分3301与第一连接段310连接。如此,该避让缺口B位于狭缝电极300靠近第一连接段310的第二端3102的一侧。可以理解的是,该避让缺口B也可以位于靠近第一连接段310的第一端3101的一侧。可选地,避让缺口B位于靠近第一连接段310的一侧,以使得狭缝电极300远离第一连接段310的一侧保持敞口状态。
在本公开实施方式中,参见图2、图8、图9、图12和图13,任意一个第一条形子电极340具有相对设置且与电极连接部301连接的第一边缘3402和第二边缘3403,且第一边缘3402位于第二边缘3403远离第一连接段310的第一端3101的一侧。其中,第一条形子电极340的第一边缘3402在衬底基板101上的正投影所在的直线,为该第一条形子电极340的第一辅助设计线3404;第一条形子电极340的第二边缘3403在衬底基板101上的正投影所在的直线,为该第一条形子电极340的第二辅助设计线3405。其中,第一条形子电极340沿其轴线3401的方向延伸,第一条形子电极340的轴线3401上的任意一点与第一条形子电极340的第一辅助设计线3404和第二辅助设计线3405之间的距离相同。第一条形子电极340的延伸方向与第一连接段310的延伸方向之间的夹角为第一条形子电极340的倾斜角θ,且倾斜角为锐角。
参见图8、图9、图12和图13,在一个狭缝电极300中,第一连接段310具有相对设置且平行于第一连接段310的延伸方向的第一边缘311和第二边缘312;其中,第二边缘312位于第一边缘311远离第一条形子电极340的一侧。其中,第一连接段310的第一边缘311在衬底基板101上的正投影所在的直线,为第一连接段310的辅助设计线313。
参见图8、图9、图12和图13,在一个狭缝电极300中,第一条形子电极340的第一辅助设计线3404与第一连接段310的辅助设计线313的交点为第一条形子电极340的第一设计参考点3406;第一条形子电极340的第二辅助设计线3405与第一连接段310的辅助设计线313的交点为第一条形子电极340的第二设计参考点3407。第一条形子电极340的第一设计参考点3406和第二设计参考点3407之间的距离为第一条形子电极340的第一设计参考尺寸。
参见图8、图9、图12和图13,在一个狭缝电极300中,第二连接段320具有相对设置且与第一连接段310连接的第一边缘321和第二边缘322;其中,第二边缘322位于第一边缘321远离第一条形子电极340的一侧。其中,第二连接段320的第一边缘321与第一连接段310直接相连的部分,在衬底基板101上的正投影所在的直线为第二连接段320的辅助设计线323。进一步地,第二连接段320的辅助设计线323平行于阵列基板的行方向,且通过第二连接段320的第一边缘与第一连接段310的第一边缘的交汇位置在衬底基板101上的正投影。
第一条形子电极340的第一辅助设计线3404与第二连接段320的辅助设计线323的交点为第一条形子电极340的第三设计参考点3408;第一条形子电极340的第二辅助设计线3405与第二连接段320的辅助设计线323的交点为第一条形子电极340的第四设计参考点3409;第一条形子电极340的第三设计参考点3408和第四设计参考点之间的距离为第一条形子电极340的第二设计参考尺寸。
可选地,在一个狭缝电极300的各个依次排列的第一条形子电极340中,靠近中间的第一条形子电极340的倾斜角可以为45°或者接近45°。这有助于狭缝电极300的设计和制备,也便于提高显示面板的出光效率。示例性地,在本公开的一种实施方式中,一个狭缝电极300包括2M+1个依次排列的第一条形子电极340,第M+1个第一条形子电极340的倾斜角为45°。再示例性地,在本公开的另一种实施方式中,一个狭缝电极300包括2M个依次排列的第一条形子电极340,第M个或着第M+1个第一条形子电极340的倾斜角为45°。再示例性地,在本公开的另一种实施方式中,一个狭缝电极300包括2M个依次排列的第一条形子电极340,第M个和第M+1个第一条形子电极340的倾斜角的平均值为45°。其中,M为大于1的正整数。
在一些实施方式中,参见图2、图6、图8和图9,在相邻两个第一条形子电极340中,靠近第一连接段310的第二端3102的第一条形子电极340的倾斜角,小于靠近第一端3101的第一条形子电极340的倾斜角。如此,第一条形子电极340沿远离第一连接段310的方向呈发散状设置,进而使得第一条形子电极340之间的间距沿远离第一连接段310的方向上逐渐增大。
示例性地,沿从第一连接段310的第二端3102至第一端3101的方向上,各个第一条形子电极340从序号1开始依次进行编号。图6示出了相邻的3个第一条形子电极340的轴线3401;其中,虚线3401(i+1)'和虚线3401(i+1)"为轴线3401(i+1)的平行线。参见图6,轴线3401(i)是编号为i的第一条形子电极340的轴线,轴线3401(i+1)是编号为i+1的第一条形子电极340的轴线,轴线3401(i+2)是编号为i+2的第一条形子电极340的轴线。倾斜角θ(i)是编号为i的第一条形子电极340的倾斜角,倾斜角θ(i+1)是编号为i+1的第一条形子电极340的倾斜角,倾斜角θ(i+2)是编号为i+2的第一条形子电极340的倾斜角;倾斜角θ(i)、倾斜角θ(i+1)、倾斜角θ(i+2)依次增大。
可选地,参见图8和图9,沿第一条形子电极340的延伸方向,第一条形子电极340的宽度可以不变。换言之,第一条形子电极340的第一辅助设计线3404、第二辅助设计线3405和轴线3401相互平行。如此,可以便于第一条形子电极340的设计和制备。
在本公开中,在相邻两个第一条形子电极340中,靠近第一端3101的第一条形子电极340的倾斜角与靠近第二端3102的第一条形子电极340的倾斜角之间的差值,为该相邻两个第一条形子电极340之间的渐变角度。可选地,在一个狭缝电极300中,相邻两个第一条形子电极340之间的渐变角度在1°~3°范围内取值。换言之,在相邻两个第一条形子电极340中,靠近第二端的第一条形子电极340的倾斜角,比靠近第一端的第一条形子电极340的倾斜角小1°~3°。进一步地,在相邻两个第一条形子电极340中,靠近第二端的第一条形子电极340的倾斜角,比靠近第一端的第一条形子电极340的倾斜角小1.5°~2.5°。
可选地,任意相邻两个第一条形子电极340之间的渐变角度可以相同。示例性地,参见图6,在相邻的三个第一条形子电极340中,编号为i+2的第一条形子电极340与编号为i+1的第一条形子电极340之间的渐变角度为α,编号为i+1的第一条形子电极340与编号为i的第一条形子电极340之间的渐变角度为α。在本公开的一种实施方式中,任意相邻两个第一条形子电极340之间的渐变角度为2°。在本公开的另一种实施方式中,任意相邻两个第一条形子电极340之间的渐变角度为1°
可选地,在一种实施方式中,参见图8,在一个狭缝电极300中,任意相邻的两个第一条形子电极340的第一设计参考点3406之间的距离相等。进一步地,任意相邻的两个第一条形子电极340的第二设计参考点3407之间的距离相等。这可以简化狭缝电极300的设计以及掩膜板的设计和制备;不仅如此,这还可以保证沿远离第一连接段310的方向上,第一条形子电极340之间的间距变化速度差异较小,利于提高该狭缝电极300对应的像素的发光均一性。
可选地,在另一种实施方式中,参见图9,在一个狭缝电极300的连接至第一连接段310的各个第一条形子电极340中,各个第一条形子电极340的第一设计参考点3406等间距设置。在一个狭缝电极300的连接至第二连接段320的各个第一条形子电极340中,相邻两个第一条形子电极340的第一设计参考点3406的间距沿远离第一连接段310的第一端3101的方向依次减小。更进一步地,在一个狭缝电极300的连接至第二连接段320的各个第一条形子电极340中,相邻两个第一条形子电极340的第三设计参考点3408的间距相同。如此,在第二连接段320的辅助设计线323上,连接至第二连接段320上的各个第一条形子电极340等间距(Pitch)设置,因此也可以简化狭缝电极300的设计。
可选地,在一种实施方式中,参见图8和图9,在一个狭缝电极300中,任意一个第一条形子电极340的第一辅助设计线3404和第二辅助设计线3405平行设置,使得第一条形子电极340的宽度不随着其延伸方向的改变而改变。如此,第一条形子电极340的宽度不随其延伸而改变,这有助于简化第一条形子电极340的设计和制备。更进一步地,各个第一条形子电极340的宽度相同。换言之,各个第一条形子电极340的宽度相同,但是其倾斜角不同,使得相邻两个第一条形子电极340在平行于第一连接段310延伸方向A上的距离,在沿远离第一连接段310的方向上逐渐增大。
在另外一些实施方式中,参见图10、图12和图13,在沿远离第一连接段310的方向上,第一条形子电极340的宽度逐渐减小;相邻两个第一条形子电极340在平行于第一连接段310延伸方向A上的距离,在沿远离第一连接段310的方向上逐渐增大。如此,该狭缝电极300的第一畴结构,可以通过调整第一条形子电极340的宽度的方式,使得第一条形子电极340沿远离第一连接段310的方向上逐渐收窄,进而使得第一条形子电极340之间的距离在远离第一连接段310的方向上逐渐增大。该第一条形子电极340可以通过多种不同的方法进行设计,以能够实现对第一条形子电极340的宽度的调整为准。
可选地,参见图10、图12和图13,在一个狭缝电极300中,各个第一条形子电极340的第一边缘3402相互平行,或者各个第一条形子电极340的第二边缘3403相互平行,或者各个第一条形子电极340的轴线3401方向平行。这便于各个第一条形子电极340的设计和制备。
可选地,参见图12和图13,在连接至第一连接段310的各个第一条形子电极340中,任意相邻的两个第一条形子电极340的第一设计参考点3406之间的距离相等。
可选地,参见图12和图13,在一个狭缝电极300中,至少部分第一条形子电极340的第一设计参考尺寸相同。
示例性地,在一个狭缝电极300中,任意相邻的两个第一条形子电极340的第一设计参考点3406之间的距离相等。进一步地,参见图12,各个第一条形子电极340的第一设计参考尺寸相同。
再示例性地,在一个狭缝电极300中,参见图13,连接至第一连接段310的各个第一条形子电极340中,任意相邻的两个第一条形子电极340的第一设计参考点3406之间的距离相等,且各个第一条形子电极340的第一设计参考尺寸相同。连接至第二连接段320的各个第一条形子电极340中,任意相邻的两个第一条形子电极340的第三设计参考点3408之间的距离相等,且各个第一条形子电极340的第二设计参考尺寸相同。
在本公开的一种实施方式中,参见图12,各个第一条形子电极340的第一设计参考点3406之间的间距相等,且各个第一条形子电极340的第一设计参考尺寸相同,且各个第一条形子电极340的轴线3401相互平行,且各个第一条形子电极340的第一辅助设计线3404相互平行,各个第一条形子电极340的第二辅助设计线3405相互平行。如此,可以保证狭缝电极300的第一条形子电极340之间的间距,在远离第一连接段310的方向上均匀渐变。
在本公开中,第一条形子电极340的宽度,指的是垂直于第一条形子电极340的轴线3401且连接第一条形子电极340的第一辅助设计线3404、第二辅助设计线3405的线段的长度。示例性地,参见图10,第一条形子电极340在其第二设计参考点3407的宽度,指的是第一线段C的长度;其中,第一线段C通过第一条形子电极340的第二设计参考点3407,垂直于第一条形子电极340的轴线3401,且连接第一条形子电极340的第一辅助设计线3404和第二辅助设计线3405。再示例性地,第一条形子电极340的第一辅助设计线3404与虚拟连线360在衬底基板101上的正投影之间的交点为第一条形子电极340的第五设计参考点3410。第一条形子电极340在其第五设计参考点3410的宽度,指的是第二线段D的长度;其中,第二线段D通过第一条形子电极340的第五设计参考点3410,垂直于第一条形子电极340的轴线3401,且连接第一条形子电极340的第一辅助设计线3404和第二辅助设计线3405。
在该狭缝电极300的一种设计方式中,可以先根据一个第一条形子电极340的第一线段C、第二线段D、第一辅助设计线3404和第二辅助设计线3405画出一个等腰梯形的第一虚拟电极;然后将该虚拟电极沿第一连接段310的辅助设计线313等间距复制,获得多个等腰梯形的第一虚拟电极。然后,对各个第一虚拟电极进行修改,去除不在第一连接段310的辅助设计线313、第二连接段320的辅助设计线323和虚拟连线360所限定的电极空间内的部分。当然的,如果一个或者多个第一条形子电极340需要与第二条形子电极350形成条形子电极组400,则去除这些第一虚拟电极超出第二条形子电极350的部分即可。如此,经过修改后的第一虚拟电极就可以作为第一条形子电极340的设计版图。
根据如上设计方式,在一个狭缝电极300中,至少部分第一条形子电极340远离第一连接段310一端的宽度相同。尤其是,能够延伸至虚拟连线360的第一条形子电极340,其在第一条形子电极340的第五设计参考点3410处的宽度相同。
可选地,第一条形子电极340在其第二设计参考点3407的宽度,可以为第一条形子电极340在其第五设计参考点3410的宽度的0.4~0.8倍。相应的,部分第一条形子电极340延伸至虚拟连线360,且具有与虚拟连线360交叠的第三边缘。该第三边缘的尺寸为连接至第一连接段310的第一条形子电极340的第一设计参考尺寸的0.4~0.8倍。示例性地,在本公开的一种实施方式中,相邻两个第一条形子电极340的轴线3401之间的距离为6.6微米,第一条形子电极340在其第二设计参考点3406的宽度为3.6微米,第一条形子电极340在其第五设计参考点3410的宽度为2.3微米。
在本公开的另一种实施方式中,参见图13,在一个狭缝电极300中,各个第一条形子电极340的轴线3401方向平行;在连接至第一连接段310的各个第一条形子电极340中,各个第一条形子电极340的第一设计参考尺寸相同;在连接至第二连接段320的各个第一条形子电极340中,各个第一条形子电极340的第二设计参考尺寸相同。相邻两个第一条形子电极340的轴线3401之间的距离相同。
在该狭缝电极300的一种设计方式中,可以先画出一个第二虚拟电极,其中,第二虚拟电极为矩形,其包括相对设置的第一短边和第二短边,以及包括相对设置的第一长边和第二长边。其中,第一短边与第一线段C重合;第一长边和第二长边平行于第一条形子电极340的轴线3401,且第二长边的一个顶点为第一条形子电极340的第二设计参考点3407。第二短边与虚拟连线360的交点作为第一条形子电极340的第五设计参考点3410。然后,将该第二虚拟电极沿第一连接段310的辅助设计线313等间距复制和排,形成与各个第一条形子电极340一一对应的多个第二虚拟电极。
对于各个连接至第一连接段310的第一条形子电极340,其可以通过对对应的第二虚拟电极进行如下修改而进行设计:在第二短边确定第二线段D,第二线段D的中心与第一线段C的中心重合;确定第一条形子电极340的第一辅助设计线3404,第一条形子电极340的第一辅助设计线3404穿过第一条形子电极340的第五设计参考点3410以及穿过第一短边远离第一条形子电极340的第二设计参考点3407的端点;确定第一条形子电极340的第二辅助设计线3405,第一条形子电极340的第二辅助设计线3405穿过第二线段D远离第一条形子电极340的第五设计参考点3410的端点,以及穿过第一条形子电极340的第二设计参考点3407。然后,根据第一条形子电极340的第二设计参考点3407、第五设计参考点、第一辅助设计线3404、第二辅助设计线3405,以及根据第一连接段310的辅助设计线313和虚拟连线360,确定各个连接至第一连接段310的第一条形子电极340的设计版图。可以理解的是,当第一条形子电极340与第二条形子电极350形成条形子电极组400时,还可以对第一条形子电极340的设计版图进行相应的进一步修改。
对于各个连接至第二连接段320的第一条形子电极340,其可以通过对对应的第二虚拟电极进行如下修改而进行设计:第二虚拟电极的第一长边与第二连接段320的辅助设计线323的交点作为第一条形子电极340的第三设计参考点3408;第二虚拟电极的第二长边与第二连接段320的辅助设计线323的交点作为第一条形子电极340的第四设计参考点3409。在第二短边确定第二线段D,第二线段D的中心与第二短边的中心重合。确定第一条形子电极340的第一辅助设计线3404,第一条形子电极340的第一辅助设计线3404穿过第一条形子电极340的第五设计参考点3410,以及穿过第一条形子电极340的第三设计参考点3408;确定第一条形子电极340的第二辅助设计线3405,第一条形子电极340的第二辅助设计线3405穿过第一条形子电极340的第四设计参考点3409,以及穿过第二线段D远离第一条形子电极340的第五设计参考点3410的端点。然后,根据第一条形子电极340的第一辅助设计线3404和第二辅助设计线、第二连接段320的辅助设计线323和虚拟连线360,确定各个连接至第二连接段320的第一条形子电极340的设计版图。
可选地,第一条形子电极340的第一边缘3402、第一条形子电极340的第二边缘3403和第一条形子电极340的轴线3401方向中的至少一个,与第一连接段310的延伸方向之间的夹角在40°~50°内取值。示例性地,第一条形子电极340的轴线3401与第一连接段310的延伸方向之间的夹角为45°。
在本公开实施方式中,参见图2、图8、图9、图12和图13,任意一个第二条形子电极350具有相对设置且与电极连接部301连接的第一边缘3502和第二边缘3503,且第一边缘3502位于第二边缘3503远离第一连接段310的第二端3102的一侧。其中,第二条形子电极350的第一边缘3502在衬底基板101上的正投影所在的直线,为该第二条形子电极350的第一辅助设计线3504;第二条形子电极350的第二边缘3503在衬底基板101上的正投影所在的直线,为该第二条形子电极350的第二辅助设计线3505。其中,第二条形子电极350沿其轴线方向延伸,第二条形子电极350的轴线3501上的任意一点与第二条形子电极350的第一辅助设计线3504和第二辅助设计线之间的距离相同。第二条形子电极350的延伸方向与第一连接段310的延伸方向之间的夹角为第二条形子电极350的倾斜角θ,且倾斜角θ为锐角。
在一个狭缝电极300中,第二条形子电极350的第一辅助设计线3504与第一连接段310的辅助设计线313的交点为第二条形子电极350的第一设计参考点3506;第二条形子电极350的第二辅助设计线3505与第一连接段310的辅助设计线313的交点为第二条形子电极350的第二设计参考点3507。第二条形子电极350的第一设计参考点3506和第二设计参考点3507之间的距离为第二条形子电极350的第一设计参考尺寸。
在一个狭缝电极300中,参见图8、图9、图12和图13,第三连接段330具有相对设置且与第一连接段310连接的第一边缘331和第二边缘332;其中,第二边缘332位于第一边缘331远离第二条形子电极350的一侧。其中,第三连接段330的第一边缘331与第一连接段310直接相连的部分,在衬底基板101上的正投影所在的直线为第三连接段330的辅助设计线333。进一步地,第三连接段330的辅助设计线333平行于阵列基板的行方向,且通过第三连接段330的第一边缘331与第一连接段310的第一边缘311的交汇位置在衬底基板101上的正投影。
参见图8、图9、图12和图13,第二条形子电极350的第一辅助设计线3504与第三连接段330的辅助设计线333的交点为第一条形子电极340的第三设计参考点3408;第二条形子电极350的第二辅助设计线3505与第三连接段330的辅助设计线333的交点为第二条形子电极350的第四设计参考点3509;第二条形子电极350的第三设计参考点3508和第四设计参考点3509之间的距离为第二条形子电极350的第二设计参考尺寸。
在一些实施方式中,图7~图9,在相邻两个第二条形子电极350中,靠近第一连接段310的第二端3102的第二条形子电极350的倾斜角,小于靠近第一连接段310的第一端3101的第二条形子电极350的倾斜角。如此,第二条形子电极350沿远离第一连接段310的方向呈发散状设置,进而使得第二条形子电极350之间的间距沿远离第一连接段310的方向上逐渐增大。
示例性地,沿从第一连接段310的第一端3101至第二端3102的方向上,各个第二条形子电极350从序号1开始依次进行编号。图7示出了相邻的3个第二条形子电极350的轴线3501;其中,虚线3501(i+1)'和虚线3501(i+1)"为轴线3501(i+1)的平行线。参见图7,
轴线3501(i)是编号为i的第二条形子电极350的轴线,轴线3501(i+1)是编号为i+1的第二条形子电极350的轴线,轴线3501(i+2)是编号为i+2的第二条形子电极350的轴线;倾斜角θ(i)是编号为i的第二条形子电极350的倾斜角,倾斜角θ(i+1)是编号为i+1的第二条形子电极350的倾斜角,倾斜角θ(i+2)是编号为i+2的第二条形子电极350的倾斜角;倾斜角θ(i)、倾斜角θ(i+1)、倾斜角θ(i+2)依次增大。
可选地,参见图8和图9,沿第二条形子电极350的延伸方向,第二条形子电极350的宽度可以不变。换言之,第二条形子电极350的第一辅助设计线3504、第二辅助设计线3506和轴线3501相互平行。如此,可以便于第二条形子电极350的设计和制备。
在本公开中,在相邻两个第二条形子电极350中,靠近第一连接段310的第二端3502的第二条形子电极350的倾斜角与靠近第一连接段310的第一端3501的第二条形子电极350的倾斜角之间的差值,为该相邻两个第二条形子电极350之间的渐变角度。可选地,在一个狭缝电极300中,相邻两个第二条形子电极350之间的渐变角度在1°~3°范围内取值。换言之,在相邻两个第二条形子电极350中,靠近第二端3102的第二条形子电极350的倾斜角,比靠近第一端3101的第二条形子电极350的倾斜角小1°~3°。进一步地,在相邻两个第二条形子电极350中,靠近第二端的第二条形子电极350的倾斜角,比靠近第一端的第二条形子电极350的倾斜角小1.5°~2.5°。
可选地,任意相邻两个第二条形子电极350之间的渐变角度可以相同。示例性地,参见图7,在相邻的三个第二条形子电极350中,编号为i+2的第二条形子电极350与编号为i+1的第二条形子电极350之间的渐变角度为α,编号为i+1的第二条形子电极350与编号为i的第二条形子电极350之间的渐变角度为α。在本公开的一种实施方式中,任意相邻两个第二条形子电极350之间的渐变角度为2°。在本公开的另一种实施方式中,任意相邻两个第二条形子电极350之间的渐变角度为1°。
可选地,在一种实施方式中,在一个狭缝电极300中,参见图8,任意相邻的两个第二条形子电极350的第一设计参考点3506之间的距离相等。进一步地,任意相邻的两个第二条形子电极350的第二设计参考点3507之间的距离相等。在第一连接段310的辅助设计线313上,各个第二条形子电极350等间距设置。这可以简化狭缝电极300的设计以及掩膜板的设计和制备;不仅如此,这还可以保证沿远离第一连接段310的方向,第二条形子电极350之间的间距变化速度差异较小,利于提高该狭缝电极300对应的像素的发光均一性。
可选地,在另一种实施方式中,参见图9,在一个狭缝电极300的连接至第一连接段310的各个第二条形子电极350中,各个第二条形子电极350的第一设计参考点3506等间距设置。在一个狭缝电极300的连接至第三连接段330的各个第二条形子电极350中,相邻两个第二条形子电极350的第一设计参考点3506的间距沿远离第一连接段310的第一端3101的方向依次减小。更进一步地,在一个狭缝电极300的连接至第三连接段330的各个第二条形子电极350中,相邻两个第二条形子电极350的第三设计参考点3508的间距相同。如此,在第三连接段330的辅助设计线333上,连接至第三连接段330上的各个第二条形子电极350等间距(Pitch)设置,因此也可以简化狭缝电极300的设计。
可选地,在一种实施方式中,在一个狭缝电极300中,参见图8和图9,第二条形子电极350的第一辅助设计线3504和第二辅助设计线3505平行设置,使得第二条形子电极350的宽度不随着其延伸方向的改变而改变。如此,第二条形子电极350的宽度不随其延伸而改变,这有助于简化第二条形子电极350的设计和制备。更进一步地,各个第二条形子电极350的宽度相同。换言之,各个第二条形子电极350的宽度相同,但是其倾斜角不同,使得相邻两个第二条形子电极350在平行于第一连接段310延伸方向A上的距离在沿远离第一连接段310的方向上逐渐增大。
在另外一些实施方式中,参见图11~图13,在沿远离第一连接段310的方向上,第二条形子电极350的宽度逐渐减小;相邻两个第二条形子电极350在平行于第一连接段310延伸方向A上的距离,在沿远离第一连接段310的方向上逐渐增大。如此,该狭缝电极300的第二畴结构,可以通过调整第二条形子电极350的宽度的方式,使得第二条形子电极350沿远离第一连接段310的方向上逐渐收窄,进而使得第二条形子电极350之间的距离在远离第一连接段310的方向上逐渐增大。该第二条形子电极350可以通过多种不同的方法进行设计,以能够实现对第二条形子电极350的宽度的调整为准。
在本公开中,第二条形子电极350的宽度,指的是垂直于第二条形子电极350的轴线3501且连接第二条形子电极350的第一辅助设计线3504、第二辅助设计线的线段的长度。示例性地,第二条形子电极350在其第二设计参考点的宽度,指的是第一线段C的长度;其中,第一线段C通过第二条形子电极350的第二设计参考点3507,垂直于第二条形子电极350的轴线3501,且连接第二条形子电极350的第一辅助设计线3504和第二辅助设计线。再示例性地,第二条形子电极350的第一辅助设计线3504与虚拟线段在衬底基板101上的正投影之间的交点为第二条形子电极350在其第五设计参考点。第二条形子电极350在其第五设计参考点的宽度,指的是第二线段D的长度;其中,第二线段D通过第二条形子电极350的第五设计参考点3510,垂直于第二条形子电极350的轴线3501,且连接第二条形子电极350的第一辅助设计线3504和第二辅助设计线。
可选地,在一个狭缝电极300中,各个第二条形子电极350的第一边缘3502相互平行,或者各个第二条形子电极350的第二边缘3503相互平行,或者各个第二条形子电极350的轴线3501方向平行。这便于各个第二条形子电极350的设计和制备。
可选地,参见图12和图13,在连接至第一连接段310的各个第二条形子电极350中,任意相邻的两个第二条形子电极350的第一设计参考点3506之间的距离相等。
可选地,参见图12和图13,在一个狭缝电极300中,至少部分第二条形子电极350的第一设计参考尺寸相同。
示例性地,参见图12,在一个狭缝电极300中,任意相邻的两个第二条形子电极350的第一设计参考点3506之间的距离相等。进一步地,各个第二条形子电极350的第一设计参考尺寸相同。
再示例性地,在一个狭缝电极300中,参见图13,连接至第一连接段310的各个第二条形子电极350中,任意相邻的两个第二条形子电极350的第一设计参考点3506之间的距离相等,且各个第二条形子电极350的第一设计参考尺寸相同。连接至第三连接段330的各个第二条形子电极350中,任意相邻的两个第二条形子电极350的第三设计参考点3508之间的距离相等,且各个第二条形子电极350的第二设计参考尺寸相同。
在本公开的一种实施方式中,参见图12,各个第二条形子电极350的第一设计参考点3506之间的间距相等,且各个第二条形子电极350的第一设计参考尺寸相同,且各个第二条形子电极350的轴线3501相互平行,且各个第二条形子电极350的第一辅助设计线3504相互平行,各个第二条形子电极350的第二辅助设计线3505相互平行。如此,可以保证狭缝电极300的第二条形子电极350之间的间距,在远离第一连接段310的方向上均匀渐变。
可选地,第二条形子电极350在其第二设计参考点3506的宽度,可以为第二条形子电极350在其第五设计参考点3510的宽度的0.4~0.8倍。相应的,部分第二条形子电极350延伸至虚拟连线360,且具有与虚拟连线360交叠的第三边缘。该第三边缘的尺寸为连接至第一连接段310的第二条形子电极350的第一设计参考尺寸的0.4~0.8倍。示例性地,在本公开的一种实施方式中,相邻两个第二条形子电极350的轴线3501之间的距离为6.6微米,第二条形子电极350在其第二设计参考点3506的宽度为3.6微米,第二条形子电极350在其第五设计参考点3510的宽度为2.3微米。
在本公开的另一种实施方式中,参见图13,在一个狭缝电极300中,各个第二条形子电极350的轴线3501方向平行;在连接至第一连接段310的各个第二条形子电极350中,各个第二条形子电极350的第一设计参考尺寸相同;在连接至第三连接段330的各个第二条形子电极350中,各个第二条形子电极350的第二设计参考尺寸相同。相邻两个第二条形子电极350的轴线3501之间的距离相同。
可选地,第二条形子电极350的第一边缘3502、第二条形子电极350的第二边缘3503和第二条形子电极350的轴线3501方向中的至少一个,与第一连接段310的延伸方向之间的夹角在40°~50°内取值。示例性地,第二条形子电极350的轴线3501与第一连接段310的延伸方向之间的夹角为45°。
可选地,在本公开的一种实施方式中,狭缝电极300包第一条形子电极340和第二条形子电极350,其中,各个第一条形子电极340的第一辅助设计线3404与各个第二条形子电极350的第一辅助设计线3504对称设置;各个第一条形子电极340的第二辅助设计线3405与各个第二条形子电极350的第二辅助设计线3505对称设置。如此,该狭缝电极300可以在克服相错的前提下,提高显示的均一性。当然的,在其他实施方式中,第一条形子电极340和第二条形子电极350的图案也可以各自独立设置。
示例性地,在本公开的一种实施方式中,狭缝电极300包第一条形子电极340和第二条形子电极350;各个第一条形子电极340的宽度相同,且各个第一条形子电极340的第一设计参考点3406等间距设置。相邻两个第一条形子电极340的渐变角度相同。各个第一条形子电极340的第一辅助设计线3404与各个第二条形子电极350的第一辅助设计线3504对称设置;各个第一条形子电极340的第二辅助设计线3405与各个第二条形子电极350的第二辅助设计线3505对称设置。
图14为相邻两个第一条形子电极340之间的渐变角度α的取值分别为0°、1°、2°和3°时,显示面板在不同的驱动电压下的透光率的分布情况。参见图14,相较于各个第一条形子电极340平行设置的方案,相邻两个第一条形子电极340之间的渐变角度α的取值分别为1°、2°和3°时,显示面板的液晶开始偏转时对应的启动电压减小。在驱动电压为10V的情况下,渐变角度分别为1°和2°时,显示面板的透光率与渐变角度为0°时基本相同。
图15为渐变角度为2°时,液晶显示面板中该狭缝电极300对应的像素的点亮情况;图16为渐变角度为0°时,液晶显示面板中该狭缝电极300对应的像素的点亮情况。比较图15和图16可以看出,渐变角度为2°时,液晶显示面板没有出现相错现象;渐变角度为0°时,液晶显示面板出现明显的相错现象。
图17为渐变角度的取值为1°时,液晶显示面板中该狭缝电极300对应的像素在4V的驱动电压下的点亮情况。图18为渐变角度的取值为2°时,液晶显示面板中该狭缝电极300对应的像素在4V的驱动电压下的点亮情况。图19为渐变角度的取值为3°时,液晶显示面板中该狭缝电极300对应的像素在4V的驱动电压下的点亮情况。根据图17~图19可知,在4V驱动电压的驱动下,渐变角度的取值分别为1°和2°的狭缝电极300对应的显示面板,其狭缝电极300的敞口侧开始点亮;而渐变角度的取值为3°的狭缝电极300对应的显示面板,其狭缝电极300的敞口侧未点亮。这表明,随着狭缝电极300的渐变角度的增大,数据引线对狭缝电极300的敞口侧施加的电场越小,敞口侧需要数据引线加载更大的驱动电压才能开始点亮。
再示例性地,在本公开的一种实施方式中,狭缝电极300包第一条形子电极340和第二条形子电极350;各个第一条形子电极340的第一边缘3402相互平行且各个第一条形子电极340的第二边缘3403相互平行;各个第一条形子电极340的第一设计参考尺寸相同,且各个第一条形子电极340的第一设计参考点3406之间等间距设置。其中,在连接至第一连接段310上的第一条形子电极340中,第一条形子电极340在第二设计参考点处的宽度为3.6微米;第一条形子电极340在第五设计参考点处的宽度为2.3微米;相邻两个第一条形子电极340的轴线3401之间的间距为6.6微米。各个第一条形子电极340的第一辅助设计线3404与各个第二条形子电极350的第一辅助设计线3504对称设置;各个第一条形子电极340的第二辅助设计线3405与各个第二条形子电极350的第二辅助设计线3505对称设置。
应用该狭缝电极300的显示面板,在点灯状态下的照片如图21所示。参见图21,该狭缝电极300应用于显示面板时,该显示面板没有出现相错现象。该显示面板的透光率与驱动电压的关系,如图20中的曲线一所示。图22为液晶显示面板中该狭缝电极300对应的像素在4V的驱动电压下的点亮情况。参见图22,在4V的驱动电压下,狭缝电极300的敞口侧未点亮,表明该狭缝电极300可以有效降低其敞口侧与数据引线之间的电场强度。
再示例性地,在本公开的一种实施方式中,狭缝电极300包第一条形子电极340和第二条形子电极350;各个第一条形子电极340的轴线3401相互平行,相邻两个第一条形子电极340的轴线3401之间的间距为6.6微米。在连接至第一连接段310上的第一条形子电极340中,第一条形子电极340在第二设计参考点处的宽度为3.6微米;第一条形子电极340在第五设计参考点处的宽度为2.3微米。在连接至第二连接段320上的第一条形子电极340中,第一条形子电极340在第三设计参考点处的宽度为3.6微米;第一条形子电极340在第五设计参考点处的宽度为2.3微米。各个第一条形子电极340的第一辅助设计线3404与各个第二条形子电极350的第一辅助设计线3504对称设置;各个第一条形子电极340的第二辅助设计线3405与各个第二条形子电极350的第二辅助设计线3505对称设置。
应用该狭缝电极300的显示面板,在点灯状态下的照片如图24所示。参见图24,该狭缝电极300应用于显示面板时,该显示面板没有出现相错现象。该显示面板的透光率与驱动电压的关系,如图20中的曲线二所示。图23为液晶显示面板中该狭缝电极300对应的像素在4V的驱动电压下的点亮情况。参见图23,在4V的驱动电压下,狭缝电极300的敞口侧未点亮,表明该狭缝电极300可以有效降低其敞口侧与数据引线之间的电场强度。
本公开提供的阵列基板,可以应用于一显示面板中,该显示面板可以为电视面板、手机面板、电脑屏幕面板或者其他类型的面板。该液晶显示面板可以包括对盒设置的彩膜基板和本公开的阵列基板,以及包括位于彩膜基板和阵列基板之间的液晶层。
在一些实施方式中,该液晶层中的液晶可以为负性液晶,在没有电场驱动的状态下,该负性液晶可以沿垂直于阵列基板的方向排列。如此,在基于该显示面板的显示装置中,在阵列基板不加载驱动电压的情形下,液晶的相位差基本为零,不改变透光第一偏光片的线偏振光的偏振状态;如此,该显示面板的暗态表现更好,对比度更高。
应可理解的是,本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式,并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是,本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式,并且将使本领域技术人员能够利用本公开。

Claims (17)

1.一种阵列基板,包括依次层叠设置的衬底基板、第一电极层、绝缘介质层和第二电极层;其中,所述阵列基板还设置有多个数据引线;所述第一电极层和所述第二电极层中的一个设置有至少一个狭缝电极;
所述狭缝电极设置于相邻两个所述数据引线之间,且包括电极连接部和多个第一条形子电极;各个所述第一条形子电极的一端均与所述电极连接部连接;
所述电极连接部包括平行于相邻的所述数据引线的第一连接段;各个所述第一条形子电极位于所述第一连接段的同一侧;在沿远离所述第一连接段的方向上,所述第一条形子电极的宽度逐渐减小;
相邻两个所述第一条形子电极在平行于所述第一连接段延伸方向上的距离,在沿远离所述第一连接段的方向上逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一连接段包括相对设置的第一端和第二端;在一个所述狭缝电极中,所述第一条形子电极在沿远离所述第一连接段的方向上向靠近所述第一连接段的第二端的一侧延伸;
任意一个所述第一条形子电极包括相对设置且与所述电极连接部连接的第一边缘和第二边缘,且所述第一条形子电极的第一边缘位于所述第一条形子电极的第二边缘远离所述第一连接段的第一端的一侧;
在一个所述狭缝电极中,各个所述第一条形子电极的第一边缘相互平行,或者各个所述第一条形子电极的第二边缘相互平行,或者各个所述第一条形子电极的轴线相互平行。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其中,所述第一条形子电极的第一边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第一条形子电极的第一辅助设计线;所述第一条形子电极的第二边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第一条形子电极的第二辅助设计线;
所述第一连接段具有相对设置且平行于所述第一连接段的延伸方向的第一边缘和第二边缘;所述第一连接段的第二边缘位于所述第一连接段的第一边缘远离所述第一条形子电极的一侧;所述第一连接段的第一边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线,为所述第一连接段的辅助设计线;
在一个所述狭缝电极中,所述第一条形子电极的第一辅助设计线与所述第一连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第一设计参考点;
在连接至所述第一连接段的各个所述第一条形子电极中,任意相邻的两个所述第一条形子电极的第一设计参考点之间的距离相等。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其中,在一个所述狭缝电极中,任意相邻的两个所述第一条形子电极的第一设计参考点之间的距离相等。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其中,在一个所述狭缝电极中,所述第一条形子电极的第二辅助设计线与所述第一连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第二设计参考点;所述第一条形子电极的第一设计参考点和第二设计参考点之间的距离为所述第一条形子电极的第一设计参考尺寸;
在一个所述狭缝电极中,各个所述第一条形子电极的第一设计参考尺寸相同。
6.根据权利要求3所述的阵列基板,其中,所述电极连接部还包括第二连接段,所述第二连接段与所述第一连接段的第一端连接;
在一个所述狭缝电极中,部分所述第一条形子电极连接至所述第一连接段,且其余所述第一条形子电极连接至所述第二连接段。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其中,所述第二连接段具有相对设置且与所述第一连接段连接的第一边缘和第二边缘;其中,所述第二连接段的第二边缘位于所述第二连接段的第一边缘远离所述第一条形子电极的一侧;所述第二连接段的第一边缘与所述第一连接段直接相连的部分,在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第二连接段的辅助设计线;
所述第一条形子电极的第一辅助设计线与所述第二连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第三设计参考点;所述第一条形子电极的第二辅助设计线与所述第二连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第四设计参考点;所述第一条形子电极的第三设计参考点和第四设计参考点之间的距离为所述第一条形子电极的第二设计参考尺寸;
其中,在连接至所述第二连接段的各个所述第一条形子电极中,各个所述第一条形子电极的第二设计参考尺寸相同。
8.根据权利要求3所述的阵列基板,其中,在一个所述狭缝电极中,所述第一条形子电极的第二辅助设计线与所述第一连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第二设计参考点;所述第一条形子电极的第一设计参考点和第二设计参考点之间的距离为所述第一条形子电极的第一设计参考尺寸;
部分所述第一条形子电极远离所述第一连接段一端具有平行于所述第一连接段延伸方向的第三边缘;所述第三边缘的尺寸等于连接至所述第一连接段的所述第一条形子电极的第一设计参考尺寸的0.4~0.8倍。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,在一个所述狭缝电极中,至少部分所述第一条形子电极远离所述第一连接段一端的宽度相同。
10.根据权利要求2所述的阵列基板,其中,所述第一条形子电极的第一边缘、所述第一条形子电极的第二边缘和所述第一条形子电极的轴线方向中的至少一个,与所述第一连接段的延伸方向之间的夹角在40°~50°内取值。
11.根据权利要求6所述的阵列基板,其中,所述狭缝电极还包括位于所述第一连接段同一侧的多个第二条形子电极;各个所述第二条形子电极的一端均与所述电极连接部连接;所述第二条形子电极在沿远离所述第一连接段的方向上向靠近所述第一连接段的第一端的一侧延伸,且宽度逐渐减小;
相邻两个所述第二条形子电极在平行于所述第一连接段延伸方向上的距离,在沿远离所述第一连接段的方向上逐渐增大。
12.根据权利要求11所述的阵列基板,其中,所述电极连接部还包括第三连接段,所述第三连接段与所述第一连接段的第二端连接;
在一个所述狭缝电极中,部分所述第二条形子电极连接至所述第三连接段,且其余所述第二条形子电极连接至所述第三连接段。
13.根据权利要求11所述的阵列基板,其中,在一个所述狭缝电极中,所述第二连接段和所述第三连接段之间形成一电极空间,所述第一条形子电极和所述第二条形子电极位于所述电极空间内。
14.根据权利要求11所述的阵列基板,其中,所述狭缝子电极包括至少一组条形子电极组,一个所述条形子电极组包括对应设置的一个所述第一条形子电极和一个所述第二条形子电极;在一个所述条形子电极组中,所述第一条形子电极远离所述第一连接段的一端与所述第二条形子电极远离所述第一连接段的一端连接。
15.根据权利要求14所述的阵列基板,其中,在一个所述狭缝电极中,一个所述条形子电极组和所述电极连接部围绕出一个环绕空间;所述环绕空间内,所述第一条形子电极的数量与所述第二条形子电极的数量相同。
16.根据权利要求11所述的阵列基板,其中,任意一个所述第二条形子电极包括相对设置且与所述电极连接部连接的第一边缘和第二边缘,且所述第一边缘位于所述第二边缘远离所述第一连接段的第二端的一侧;
所述第二条形子电极的第一边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第二条形子电极的第一辅助设计线;所述第二条形子电极的第二边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第二条形子电极的第二辅助设计线;
在一个所述狭缝电极中,所述第一条形子电极的数量与所述第二条形子电极的数量相同,且各个所述第一条形子电极的第一辅助设计线与各个所述第二条形子电极的第一辅助设计线轴对称,各个所述第一条形子电极的第二辅助设计线与各个所述第二条形子电极的第二辅助设计线轴对称。
17.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1~16任意一项所述的阵列基板。
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