CN103984161A - 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置，其中，所述阵列基板包括：一衬底基板和位于衬底基板上的多个像素单元，每一像素单元包括依次层叠的第一电极、绝缘层和第二电极，第一电极与第二电极之间形成边缘场；其中，第一电极的形状为片状，第二电极包括多个条形电极，条形电极包括至少一个第一条形子电极和至少一个第二条形子电极，第一条形子电极和衬底基板的距离与第二条形子电极和衬底基板的距离不相等。本发明的阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置中，通过形成高低交错的第二电极，使得液晶分子能够充分转动，实现液晶分子之间的补偿效果，从而改善大视角色偏现象。

Description

阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置。

背景技术

目前，常见的液晶显示模式主要有扭曲向列（TN）模式、垂直排列（VA）模式和面内旋转模式。其中，TN模式和VA模式都是通过在上下基板之间施加电场而驱动液晶分子的，上下两侧的基板都形成有电极，属于纵向电场驱动。面内旋转模式是在一侧基板上施加电场以驱动液晶分子，只有一侧基板设置有电极，属于横向电场驱动。横向电场驱动的液晶分子均在平行于基板的面内旋转，因此各个方向上的光均能够穿过液晶分子的短轴，面内旋转模式较纵向电场驱动的TN模式和VA模式具有优异的视角性能。

目前，面内旋转模式主要有面内切换模式（In Plane Switching mode，简称IPS模式）和边缘场开关模式（Fringe field switching mode，简称FFS模式）。IPS模式和FFS模式的液晶显示装置都只在阵列基板上设置电极。其中，FFS模式是将IPS模式中的不透明金属电极改为透明的ITO电极以增加透光率，同时，正负电极也不再间隔排列，而是将正负电极通过绝缘层隔离实现重叠排列，从而缩小电极的宽度和间距。因此，FFS模式克服了IPS模式透光效率低的问题，在保证宽视角的前提下，实现了高透过率。

请参考图1，其为现有技术的FFS模式的阵列基板的部分结构示意图。如图1所示，现有的FFS模式的阵列基板100一般包括衬底基板101和位于所述衬底基板101上的多个像素单元，所述衬底基板101为透明玻璃基板，所述述衬底基板101和所述多个像素单元之间还设置有多个薄膜晶体管（TFT），所述多个薄膜晶体管（TFT）与所述多个像素单元一一对应并驱动多个像素单元。每个像素单元包括公共电极102、多个像素电极104以及形成于所述公共电极102和像素电极104之间的绝缘层103，所述公共电极102的形状一般为片状，所述像素电极104的形状一般为条形，多个条形的像素电极104相互平行，所述公共电极102和像素电极104之间形成边缘场以驱动液晶分子150

然而，在制造和使用过程中发现，FFS模式的液晶显示装置虽然具有优异的宽视角特性，但是从大视角方向进行观察存在着非常严重的色偏现象。

因此，如何解决现有的FFS模式的液晶显示装置的大视角色偏现象，成为本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置，以解决现有技术中FFS模式的液晶显示器的大视角色偏现象。

为解决上述问题，本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：一衬底基板和位于所述衬底基板上的多个像素单元，每一像素单元包括依次层叠的第一电极、绝缘层和第二电极，所述第一电极与所述第一电极之间形成边缘场；

其中，所述第一电极的形状为片状，所述第二电极包括多个条形电极，所述条形电极包括至少一个第一条形子电极和至少一个第二条形子电极，所述第一条形子电极和所述衬底基板的距离与所述第二条形子电极和所述衬底基板的距离不相等。

相应的，本发明还提供了一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括：一彩膜基板；

如上所述的阵列基板；

以及设置于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶层。

相应的，本发明还提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括如上所述的阵列基板。

相应的，本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板的制造方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成第一导电层，图案化所述第一导电层形成形状为片状的第一电极；

在所述第一电极上形成绝缘层，所述绝缘层具有多个凸起结构；

在所述绝缘层上形成第二导电层，图案化所述第二导电层形成第二电极，所述第二电极包括多个条形电极，所述条形电极包括至少一个第一条形子电极和至少一个第二条形子电极，所述第一条形子电极形成于所述凸起结构上，所述第二像素电极形成于相邻的凸起结构之间。

综上所述，本发明阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置中，通过形成高低交错的第二电极，使得液晶分子能够充分转动，实现液晶分子之间的补偿效果，从而改善大视角色偏现象。

附图说明

图1是现有技术的FFS模式的阵列基板的部分结构示意图；

图2是本发明实施例一的阵列基板的制造方法的工艺流程图；

图3a至图3d是本发明实施例一的阵列基板的制造方法示意图；

图4是本发明实施例二的阵列基板的制造方法的工艺流程图；

图5a至图5d是本发明实施例二的阵列基板的制造方法示意图；

图6本发明实施例三的阵列基板的制造方法的工艺流程图；

图7a至图7d是本发明实施例三的阵列基板的制造方法示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

现有的FFS模式的液晶显示装置存在大视角色偏现象，影响液晶显示装置的性能和品质。发明人对此进行了深入的研究，发现造成FFS模式的液晶显示装置出现大视角色偏现象的原因在于，液晶分子转动不充分，无法实现液晶分子之间的补偿效果。在现有的FFS模式的阵列基板100中像素电极102的高度都是相等的，所述FFS模式的阵列基板100工作时施加在所述像素电极104上的电压也是相同的，因此位于相邻两个像素电极104之间的液晶分子150在水平方向上受到的电场力大小相同且方向相反，所述液晶分子150在电场力的作用达到平衡，所以基本不发生转动，所述液晶分子150之间不能互相形成补偿效果，因此从大视角方向进行观察时发现明显的色偏现象。

综上，造成现有的FFS模式的液晶显示装置出现大视角色偏现象的原因在于，现有的FFS模式的阵列基板中像素电极的高度都是相等的，位于所述像素电极之间的液晶分子由于在水平方向上受到大小相同且方向相反的电场力而无法转动，使得所述液晶分子之间无法形成补偿效果，从而产生色偏现象。为了解决上述问题，本申请提出了如下技术方案：

【实施例一】

请参考图3d，其为本发明实施例的阵列基板的部分结构示意图。如图3d所示，所述阵列基板200包括：一衬底基板201和位于所述衬底基板201上的多个像素单元，每一像素单元包括依次层叠的第一电极202、绝缘层203和第二电极204，所述第一电极202与所述第二电极202之间形成边缘场；其中，所述第一电极202的形状为片状，所述第二电极204包括多个条形电极，所述条形电极包括至少一个第一条形子电极205和至少一个第二条形子电极206，所述第一条形子电极205和所述衬底基板201的距离与所述第二条形子电极206和所述衬底基板201的距离不相等。

具体的，所述衬底基板201为透明玻璃基板，所述衬底基板201的表面上依次形成有薄膜晶体管210和平坦化层211，所述像素单元位于所述平坦化层211的上面。每一像素单元包括依次层叠的第一电极202、绝缘层203和第二电极204，所述第二电极204包括多个条形电极，所述条形电极包括多个第一条形子电极205和多个第二条形子电极206，所述第一条形子电极205和第二条形子电极206为间隔设置且相互平行。所述第一条形子电极205和第二条形子电极206的高度、宽度和间距均可与现有的设计保持一致。

本实施例中，所述第一条形子电极205和第二条形子电极206的数量均为多个，所述第一条形子电极205的高度h1与所述第二条形子电极206的高度h2相同，均为0.5μm，所述第一条形子电极205与所述第二条形子电极206的宽度相等，均为3μm，所述第一条形子电极205与所述第二条形子电极206的间距L为3.5μm。

如图3d所示，相邻的两个第一条形子电极205之间设置一个第二条形子电极206，相邻的两个第二条形子电极206之间设置一个第一条形子电极205。在本发明的其他实施例中，相邻的两个第一条形子电极205之间设置的第二条形子电极206的数量并不限于一个，可以是两个以上。相邻的两个第二条形子电极206之间设置的第一条形子电极205的数量也不限于一个，可以是两个以上。

所述绝缘层203具有多个等距离排列的凸起结构208，所述凸起结构208的高度h3一般在0.1μm到0.75μm之间。优选的，所述凸起结构208的高度h3为0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm或0.7μm。由此可见，所述绝缘层203的厚度不均匀，具有凸起结构208的位置比较厚，位于所述凸起结构208之间的位置比较薄。

请继续参考图3d，所述多个第一条形子电极205均位于所述绝缘层203的多个凸起结构208上，所述多个第二条形子电极206均位于相邻的凸起结构208之间，所述凸起结构208的宽度W等于所述第一条形子电极205的宽度，在其他实施方式中，所述凸起结构208的宽度W大于所述第一条形子电极205的宽度。所述第一条形子电极205和第二条形子电极206在所述绝缘层203上的位置不同，使得所述第一条形子电极205和所述衬底基板201的距离与所述第二条形子电极206和所述衬底基板201的距离不相等，所述第一条形子电极205和所述衬底基板201的距离大于所述第二条形子电极206和所述衬底基板201的距离。

所述阵列基板200的第一电极202为公共电极，第二电极204为像素电极，或者所述第一电极202为像素电极，所述第二电极204为公共电极。本实施例中，所述公共电极和像素电极采用的材料均为氧化铟锡（Indium Tin Oxides，ITO），所述绝缘层203可以采用现有的材料，例如有机膜。

所述阵列基板200可与具有滤色器的彩膜基板和液晶层组合形成边缘场开关模式的液晶显示器件，所述液晶显示器件处于工作状态时，施加在所述第一电极201和第二电极204上的电压不同，而所述第一条形子电极205和第二条形子电极206上施加的电压是相同的，然而由于相邻的第一条形子电极205和第二条形子电极206高度不同，相邻的第一条形子电极205和第二条形子电极206对于液晶分子的作用力也不相同，在同一个水平面上的作用力无法相互抵消，因此所述液晶分子能够充分转动从而达到改善色偏的效果。

相应的，本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，请参考图2，并结合图3a至图3d，所述阵列基板200的制造方法包括以下步骤：

S10：提供一衬底基板201；

S11：在所述衬底基板201上形成第一导电层，图案化所述第一导电层形成形状为片状的第一电极202；

S12：在所述第一电极202上形成绝缘层203，所述绝缘层203具有多个凸起结构208；

S13：在所述绝缘层203上形成第二导电层，图案化所述第二导电层形成第二电极，所述第二电极包括多个条形电极，所述条形电极包括至少一个第一条形子电极205和至少一个第二条形子电极206，所述第一条形子电极205形成于所述凸起结构208上，所述第二条形子电极206形成于相邻的凸起结构208之间。

具体的，首先，提供一衬底基板201，所述衬底基板201通常为透明玻璃基板。所述衬底基板201的表面上形成有薄膜晶体管210和平坦化层211。如图3a所示，在所述衬底基板201的表面由下至上依次形成有薄膜晶体管210和平坦化层211。

接着，通过溅射工艺在所述平坦化层211上形成第一导电层，所述第一导电层采用透明的导电材料，例如氧化铟锡（ITO）。

之后，对所述第一导电层进行刻蚀形成第一电极202，所述第一电极202的形状为片状。

然后，在所述第一电极202上形成绝缘层203，所述绝缘层203采用的材料为有机膜，形成所述绝缘层203采用现有的工艺，例如化学气相沉积工艺。如图3b所示，所述第一电极202位于所述平坦化层211的上面，所述绝缘层203覆盖在所述第一电极202上，所述绝缘层203的厚度均匀。之后，利用半灰调掩膜刻蚀所述绝缘层203直接形成多个等距离排列的凸起结构208。如图3c所示，所述多个凸起结构208等距离排列，所述凸起结构208的宽度W为3μm，高度h3为0.4μm，相邻的凸起结构208的间距D为10μm。此后，通过溅射工艺在所述绝缘层203上形成第二导电层，所述第二导电层采用透明的导电材料，例如氧化铟锡（ITO）。

最后，对所述第二导电层进行刻蚀形成第二电极，所述第二电极包括多个条形电极，所述条形电极包括多个第一条形子电极205和多个第二条形子电极206，所述第一条形子电极205形成于所述凸起结构208上，所述第二条形子电极206形成于相邻的凸起结构208之间。如图3d所示，所述多个第一条形子电极205均位于所述凸起结构208上，所述多个第二条形子电极206均位于相邻的凸起结构208之间，所述第一条形子电极205和第二条形子电极206相互平行，所述第一条形子电极205的高度h1和第二条形子电极206的高度h2相同，均为0.5μm，所述第一条形子电极205和第二条形子电极206的宽度与所述凸起结构208的宽度W相等，均为3μm，相邻的第一条形子电极205和第二条形子电极206的间距L为3.5μm。

可见，所述第一条形子电极205和第二条形子电极206位于不同的高度且间隔设置，所述第一条形子电极205和第二条形子电极206的高度差与所述凸起结构208的高度相等，为0.4μm。

至此，在所述衬底基板201上形成了高低交错的第二电极。

如图3d所示，所述第二电极中相邻的第一条形子电极205和第二条形子电极206由于高度不同对于液晶分子的作用力也不相同，作用力无法相互抵消，因此所述液晶分子能够充分转动从而达到互相补偿的效果。

【实施例二】

请参考图5d，其为本发明实施例的阵列基板的部分结构示意图。如图5d所示，所述阵列基板300包括：一衬底基板301和位于所述衬底基板301上的多个像素单元，每一像素单元包括依次层叠的第一电极302、绝缘层303和第二电极304，所述第一电极302与所述第二电极302之间形成边缘场；其中，所述第一电极302的形状为片状，所述第二电极304包括多个条形电极，所述条形电极包括至少一个第一条形子电极305和至少一个第二条形子电极306，所述第一条形子电极305和所述衬底基板301的距离与所述第二条形子电极306和所述衬底基板301的距离不相等。

本实施例与实施例一的不同之处在于，第一电极302和第二电极302之间的绝缘层303包括两层绝缘子层，分别是第一绝缘子层303a和第二绝缘子层303b，其中，所述第一绝缘子层303a形成于所述第一电极302上，所述第二绝缘子层303b形成于所述第一绝缘子层303a上，即所述第一绝缘子层303a靠近所述衬底基板301，所述第二绝缘子层303b远离所述衬底基板301。

其中，所述第一绝缘子层303a和第二绝缘子层303b的采用的材料可以相同也可以不同，若所述第一绝缘子层303a和第二绝缘子层303b采用的材料不同则所述绝缘层303为复合层。

相应的，本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，请参考图4，并结合图5a至图5d，所述阵列基板300的制造方法包括以下步骤：

S20：提供一衬底基板301；

S21：在所述衬底基板301上形成第一导电层，图案化所述第一导电层形成形状为片状的第一电极302；

S22：在所述第一电极302上形成绝缘层303，所述绝缘层303具有多个凸起结构308；

S23：在所述绝缘层303上形成第二导电层，图案化所述第二导电层形成第二电极，所述第二电极包括多个条形电极，所述条形电极包括至少一个第一条形子电极305和至少一个第二条形子电极306，所述第一条形子电极305形成于所述凸起结构308上，所述第二条形子电极306形成于相邻的凸起结构308之间。

本实施例中的步骤S20、S21和S23中的内容与实施例一中的步骤S10、S11、和S13中的内容相同，在此不再一一赘述，具体内容和相应的参数请参见实施例一中的步骤S10、S11、和S13。本实施例的目的在于说明与实施例一中的不同步骤S22：

步骤S22包括以下工序：首先，在所述第一电极301上依次沉积第一绝缘子层303a和第二绝缘子层303b；接着，对所述第二绝缘子层303b进行刻蚀在所述第一绝缘子层303a上形成多个凸起结构308，所述多个凸起结构308等距离排列。如图5a所示，形成所述第一电极302之后，在所述第一电极301上依次沉积第一绝缘子层303a和第二绝缘子层303b，所述第一绝缘子层303a位于所述第一电极302上，所述第二绝缘子层303b位于所述第一绝缘子层303a上，所述绝缘层303的厚度是均匀的。如图5b所示，对所述第二绝缘子层303b的部分区域进行刻蚀直至暴露出所述第一绝缘子层303a，未被刻蚀的第二绝缘子层303b在所述第一绝缘子层303a上形成了多个等距离排列的凸起结构308，所述凸起结构308的宽度W为3μm，高度h3为0.4μm，相邻的凸起结构308的间距D为10μm。

在所述绝缘层303上形成第二电极之后，所述第二电极中的多个第一条形子电极305均位于所述凸起结构308上，所述第二电极中的多个第二条形子电极306均位于相邻的凸起结构308之间。如图5d所示，所述第一条形子电极305和第二条形子电极306相互平行，所述第一条形子电极305的高度h1和第二条形子电极306的高度h2相同，所述第一条形子电极305和第二条形子电极306的宽度与所述凸起结构308的宽度W相等，相邻的第一条形子电极305和第二条形子电极306的间距L为3.5μm。

【实施例三】

请参考图7d，其为本发明实施例的阵列基板的部分结构示意图。如图7d所示，所述阵列基板400包括：一衬底基板401和位于所述衬底基板401上的多个像素单元，每一像素单元包括依次层叠的第一电极402、绝缘层403和第二电极404，所述第一电极402与所述第二电极402之间形成边缘场；其中，所述第一电极402的形状为片状，所述第二电极404包括多个条形电极，所述条形电极包括至少一个第一条形子电极405和至少一个第二条形子电极406，所述第一条形子电极405和所述衬底基板401的距离与所述第二条形子电极406和所述衬底基板401的距离不相等。

本实施例与实施例一的不同之处在于，提供的衬底基板401上形成有平坦化层411，所述平坦化层411具有多个等距离排列的凸起结构408a，使得依次形成于所述平坦化层411上的第一电极402和绝缘层403在相同位置也分别形成了多个等距离排列的凸起结构408b和408c。所述多个第一条形子电极405均位于所述绝缘层403的多个凸起结构408c上，所述多个第二条形子电极406均位于相邻的凸起结构408c之间。可见，所述第一条形子电极405和第二条形子电极406位于不同的高度且间隔设置，所述第一条形子电极405和第二条形子电极406的高度差与所述凸起结构408c的高度相等。

相应的，本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，请参考图6，并结合图7a至图7d，所述阵列基板400的制造方法包括以下步骤：

S30：提供一衬底基板401；

S31：在所述衬底基板401上形成第一导电层，图案化所述第一导电层形成形状为片状的第一电极402；

S32：在所述第一电极402上形成绝缘层403，所述绝缘层403具有多个凸起结构408c；

S33：在所述绝缘层403上形成第二导电层，图案化所述第二导电层形成第二电极，所述第二电极包括多个条形电极，所述条形电极包括至少一个第一条形子电极405和至少一个第二条形子电极406，所述第一条形子电极405形成于所述凸起结构408c上，所述第二条形子电极406形成于相邻的凸起结构408c之间。

具体的，首先，提供一衬底基板401，所述衬底基板401通常为透明玻璃基板。，所述衬底基板401的表面上形成有薄膜晶体管410和平坦化层411。如图7a所示，在所述衬底基板401的表面由下至上依次形成有薄膜晶体管410和平坦化层411，其中，所述平坦化层411具有等距离排列的凸起结构408a。

接着，通过溅射工艺在形成有所述薄膜晶体管410和平坦化层411的衬底基板401上形成第一导电层，所述第一导电层采用透明的导电材料，例如氧化铟锡（ITO）。

之后，对所述第一导电层进行刻蚀形成第一电极402，所述第一电极402的形状为片状。如图7b所示，所述第一电极402位于所述平坦化层411的上面，所述第一电极402在所述凸起结构408a的相应位置处形成有凸起结构408b。

然后，在所述第一电极402上形成绝缘层403，所述绝缘层403采用的材料为有机膜，形成所述绝缘层403采用现有的工艺，例如化学气相沉积工艺。如图7c所示，所述绝缘层403覆盖在所述第一电极402上，所述绝缘层403在所述凸起结构408b的相应位置处形成有凸起结构408c所述多个凸起结构408c等距离排列，所述凸起结构408c的宽度W为3μm，高度h3为0.4μm，相邻的凸起结构408c的间距D为10μm。

此后，通过溅射工艺在所述绝缘层403上形成第二导电层，所述第二导电层采用透明的导电材料，例如氧化铟锡（ITO）。

最后，对所述第二导电层进行刻蚀形成第二电极，所述第二电极包括多个条形电极，所述条形电极包括多个第一条形子电极405和多个第二条形子电极406，其中，所述第一条形子电极405形成于所述凸起结构408c上，所述第二条形子电极406形成于相邻的凸起结构408c之间。

如图7d所示，所述多个第一条形子电极405均位于所述凸起结构408c上，所述多个第二条形子电极406均位于相邻的凸起结构408c之间，所述第一条形子电极405和第二条形子电极406相互平行，所述第一条形子电极405的高度h1和第二条形子电极406的高度h2相同，所述第一条形子电极405和第二条形子电极406的宽度与所述凸起结构408c的宽度W相等，相邻的第一条形子电极405和第二条形子电极406的间距L为3.5μm。

至此，在所述衬底基板401上形成了高低交错的第二电极。

如图7d所示，所述第二电极中相邻的第一条形子电极405和第二条形子电极406由于高度不同对于液晶分子的作用力也不相同，作用力无法相互抵消，因此所述液晶分子能够充分转动从而达到互相补偿的效果。

另外，本发明还提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括：一彩膜基板；如上所述的阵列基板；以及设置于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶层；

另外，本发明还提供一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括如上所述的阵列基板。

需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

综上，本发明阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置中，通过在所述绝缘层上设置等距离排列的凸起结构，使得形成于所述绝缘层上的第二电极出现高低交错，由此，液晶分子能够充分转动，实现液晶分子之间的补偿效果，从而改善大视角色偏现象。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (12)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：一衬底基板和位于所述衬底基板上的多个像素单元，每一像素单元包括依次层叠的第一电极、绝缘层和第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间形成边缘场；

其中，所述第一电极的形状为片状，所述第二电极包括多个条形电极，所述条形电极包括至少一个第一条形子电极和至少一个第二条形子电极，所述第一条形子电极和所述衬底基板的距离与所述第二条形子电极和所述衬底基板的距离不相等。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一条形子电极和第二条形子电极相互平行。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一条形子电极和第二条形子电极的数量均为多个，所述第一条形子电极和第二条形子电极呈间隔设置。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层具有多个等距离排列的凸起结构，所述第一条形子电极位于所述凸起结构上，所述第二条形子电极位于相邻的凸起结构的中间。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起结构的宽度大于或等于所述第一条形子电极的宽度。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起结构的高度在0.1微米到0.75微米之间。

7.如权利要求1-6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；

或者所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。

8.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：

一彩膜基板；

如权利要求1至权利要求6中任一项所述的阵列基板；

以及设置于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶层。

9.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至权利要求6中任一项所述的阵列基板。

10.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成第一导电层，图案化所述第一导电层形成形状为片状的第一电极；

在所述第一电极上形成绝缘层，所述绝缘层具有多个凸起结构；

在所述绝缘层上形成第二导电层，图案化所述第二导电层形成第二电极，所述第二电极包括多个条形电极，所述条形电极包括至少一个第一条形子电极和至少一个第二条形子电极，所述第一条形子电极形成于所述凸起结构上，所述第二条形子电极形成于相邻的凸起结构之间。

11.如权利要求10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层利用半灰调掩膜刻蚀形成多个等距离排列的凸起结构。

12.如权利要求10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括两层绝缘子层，在所述公共电极上形成绝缘层包括：

在所述公共电极上依次沉积第一绝缘子层和第二绝缘子层；

对所述第二绝缘层进行刻蚀形成多个等距离排列的凸起结构。