CN114784060A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 68
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 238000009456 active packaging Methods 0.000 claims 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制作方法，该显示面板包括：基板、无机层、光阻层、封装层以及沟槽；无机层设于基板上；光阻层设于无机层远离基板的一侧；封装层设置于光阻层远离基板的一侧；沟槽包括贯穿光阻层的第一沟槽部以及贯穿无机层的第二沟槽部，其中，第二沟槽部在基板上的正投影覆盖第一沟槽部在基板上的正投影，封装层在沟槽处断开。该显示面板可以解决切割导致的封装层失效，并实现窄边框设计。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管器件由于其具有的全固态结构、高亮度、全视角、响应速度快、工作温度范围宽、可实现柔性显示等一系列优点，目前已经成为极具竞争力和发展前景的下一代显示技术。
在显示面板上设置有有机发光二极管器件，有机发光二极管器件中的有机发光材料和阴极材料对水和氧气特别敏感，过于潮湿或氧气含量过高都将影响有机发光二极管器件的使用寿命。因此，将有机发光二极管器件用于显示面板时，需要设置封装层，以防止水、氧渗透至有机发光二极管器件，对有机发光二极管器件的使用寿命造成影响。
但是，在对显示面板进行切割时，封装层很容易产生裂纹，且在封装层产生的裂纹很容易蔓延至显示面板的显示区。现有技术中通常采用增加防裂区或者设计较长的有效封装区，来延长裂纹延伸的路径，避免裂纹延伸至显示区。然而，该方法的封装效果有限，且较长的有效封装区增大了显示面板边框区的尺寸，影响了显示面板的窄边框设计。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制作方法，可以解决切割导致的封装层失效，并实现窄边框设计。
第一方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括：基板、无机层、光阻层、封装层以及沟槽；所述无机层设于所述基板上；所述光阻层设于所述无机层远离所述基板的一侧；所述封装层设置于所述光阻层远离所述基板的一侧；所述沟槽包括贯穿所述光阻层的第一沟槽部以及贯穿所述无机层的第二沟槽部，其中，所述第二沟槽部在所述基板上的正投影覆盖所述第一沟槽部在所述基板上的正投影，所述封装层在所述沟槽处断开。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述第二沟槽部远离所述基板的槽径比所述第一沟槽部靠近所述第二沟槽部的槽径至少大200纳米。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述无机层的厚度大于100纳米。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括金属层，所述金属层设于所述无机层靠近所述基板的一侧，所述金属层上设有与所述第二沟槽部对应的第三沟槽部，所述第三沟槽部在所述基板上的正投影覆盖所述第二沟槽部在所述基板上的正投影。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述第一沟槽部沿第一方向的截面形状、所述第二沟槽部沿第一方向的截面形状以及所述第三沟槽部沿第一方向的截面形状均为倒梯形。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述沟槽包括至少两个。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述至少两个所述沟槽的其中一个位于切割线上。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述显示面板包括显示区和边框区，所述边框区包括走线区、有效封装区以及切割区，所述有效封装区位于所述走线区远离所述显示区的一侧，所述切割区位于所述有效封装区远离所述走线区的一侧，所述沟槽设于所述切割区内。
另一方面，本申请提供一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：在基板上形成无机层；在所述无机层上形成光阻层，在所述光阻层上形成沟槽的第一沟槽部；在所述无机层上形成与所述第一沟槽部对应的第二沟槽部，所述第二沟槽部在所述基板上的正投影覆盖所述第一沟槽部在所述基板上的正投影；在所述光阻层上形成封装层。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述在所述无机层上形成与所述第一沟槽部对应的第二沟槽部，所述第二沟槽部在所述基板上的正投影覆盖所述第一沟槽部在所述基板上的正投影的步骤，具体包括：
在所述无机层靠近所述基板的一侧形成所述金属层，在所述金属层上形成与所述第二沟槽部对应的第三沟槽部，所述第三沟槽部在所述基板上的正投影覆盖所述第二沟槽部在所述基板上的正投影。
本申请提供一种显示面板及其制作方法，该显示面板包括：基板、无机层、光阻层、封装层以及沟槽；所述无机层设于所述基板上；所述光阻层设于所述无机层远离所述基板的一侧；所述封装层设置于所述光阻层远离所述基板的一侧；所述沟槽包括贯穿所述光阻层的第一沟槽部以及贯穿所述无机层的第二沟槽部，其中，所述第二沟槽部在所述基板上的正投影覆盖所述第一沟槽部在所述基板上的正投影，所述封装层在所述沟槽处断开。通过将第一沟槽部和第二沟槽部形成“类屋檐”型内切结构，当对显示面板进行切割时，封装层产生的切割裂纹难以延伸出沟槽区，避免了封装层的切割裂纹向显示面板的显示区延伸，而导致的封装层失效的问题，同时实现了窄边框的设计。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板的俯视图；
图2是本申请第一实施例提供的沿图1中A-A’方向的截面图；
图3是本申请第二实施例提供的沿图1中A-A’方向的截面图；
图4是本申请第三实施例提供的沿图1中A-A’方向的截面图；
图5是本申请第四实施例提供的沿图1中A-A’方向的截面图；
图6是本申请第五实施例提供的沿图1中A-A’方向的截面图；
图7是本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程图。
其中，
100/200/300/400/500：显示面板；
10：基板；
101：走线区；
102：有效封装区；
103：切割区；
20：无机层；
30：光阻层；
31：第一光阻层；
32：第二光阻层；
40：封装层；
50：沟槽；
51：第一沟槽部；
52：第二沟槽部；
53：第三沟槽部；
60：金属层；
AA：显示区；
NA：边框区；
C：切割线。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法，可以解决切割导致的封装层失效，并实现窄边框设计。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅作为标示使用，其用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
请参阅图1和图2，图1是本申请实施例提供的显示面板的俯视图；图2是本申请第一实施例提供的沿图1中A-A’方向的截面图。如图1和图2所示，本申请实施例提供一种显示面板100，包括：基板10、无机层20、光阻层30、封装层40以及沟槽50；无机层20设于基板10上；光阻层30设于无机层20远离基板10的一侧；封装层40设置于光阻层30远离基板10的一侧；沟槽50包括贯穿光阻层30的第一沟槽部51以及贯穿无机层20的第二沟槽部52，其中，第二沟槽部52在基板10上的正投影覆盖第一沟槽部51在基板10上的正投影，封装层40在沟槽50处断开。
在本申请实施例中，显示面板100包括显示区AA和边框区NA。具体地，边框区NA包括走线区101、有效封装区102以及切割区103，有效封装区102位于走线区101远离显示区AA的一侧，切割区103位于有效封装区102远离走线区101的一侧，沟槽50设于切割区103内。其中，切割区103是显示面板预留出的用于切割的区域，包括用于对位切割的标准线，也即切割线C，为了保证切割精度和热影响区域等。其中，切割区103的宽度可以根据实际需要进行调整，本申请在此不做限定。
在本申请实施例中，沟槽50内的封装层40和沟槽50外的封装层40断接，当对显示面板沿切割线C进行切割时，沟槽50内的封装层40由切割位置产生切割裂纹，延伸至沟槽50壁时就会停止，即沟槽50外的封装层40不会有切割裂纹存在，避免了封装层40的切割裂纹延伸至显示面板的显示区AA，而导致的封装层40失效的问题，同时实现了窄边框的设计，进一步保证了显示面板的品质。
在本申请实施例中，基板10可以是柔性基板，例如聚酰亚胺基板。光阻层30包括层叠设置的第一光阻层31和第二光阻层32，第一沟槽部51包括设于第一光阻层31上的第一子沟槽50部(图中未示出)和设于第二光阻层32上的第二子沟槽50部(图中未示出)，第二子沟槽50部在基板10上的正投影覆盖第一子沟槽50部在基板10上的正投影。其中，第一光阻层31为平坦层；第二光阻层32为像素限定层，这样的结构设计与现有技术中膜层的设置相同。
需要说明的是，第二光阻层32的边沿可以不延伸至切割区103，具体地，第二光阻层32可以仅延伸至有效封装区102，减少切割区103叠置的膜层，提高显示面板的稳定性。
在本申请实施例中，第一方向为图1所示的A-A’方向，其中，第一沟槽部51沿A-A'方向的截面形状和第二沟槽部52沿A-A'方向的截面形状均为倒梯形，也即，其靠近基板10侧的口径比远离基板10侧的口径小。这样的结构设计，更有利于封装层40在沟槽50处断开。
在本申请实施例中，第二沟槽部52远离基板10的槽径比第一沟槽部51靠近第二沟槽部52的槽径至少大200纳米。进一步地，第一沟槽部51远离第二沟槽部52的口径比第二沟槽部52靠近基板10的口径至少小200纳米。第一沟槽部51和第二沟槽部52上宽下窄的结构设计，更不利于封装层40的材料在第二沟槽部52的侧壁上沉积，更有利于阻断位于第二沟槽部52底部的封装层40与位于第一沟槽部51上的封装层40的连接，使得封装层40在第二沟槽部52断开。
在本申请实施例中，无机层20的厚度大于100纳米。其中，无机层20可以包括氮化硅、氧化硅、氮化硅和氧化硅的层叠体或者氧化铝和氧化硅的层叠体等无机材料。氮化硅具有较强的离子阻隔能力和很好的水氧隔绝能力，能有效防止杂质在热制程中扩散到显示面板内，氧化硅具有很好的界面性能。
在本申请实施例中，封装层40可以采用无机封装层40、有机封装层40或交替层叠设置的无机封装层40和有机封装层40。其中，无机封装层40可以包括氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆、氧化锌等无机材料。有机封装层40可以包括环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯酸酯等有机材料。
本申请提供一种显示面板，通过将第一沟槽部51和第二沟槽部52形成“类屋檐”型内切结构，当对显示面板进行切割时，使得切割裂纹难以延伸出沟槽50区，避免了封装层40的切割裂纹向显示面板的显示区AA延伸，而导致的封装层40失效的问题，同时实现了窄边框的设计。
作为本申请的一个具体实施方式，请参阅图3，图3是本申请第二实施例提供的沿图1中A-A’方向的截面图。如图3所示，显示面板200与显示面板100的区别在于，显示面板200还包括金属层60，金属层60设于无机层20靠近基板10的一侧，金属层60上设有与第二沟槽部52对应的第三沟槽部53，第三沟槽部53在基板10上的正投影覆盖第二沟槽部52在基板10上的正投影。
在本申请实施例中，显示面板200包括显示区AA和边框区NA。具体地，边框区NA包括走线区101、有效封装区102以及切割区103，有效封装区102位于走线区101远离显示区AA的一侧，切割区103位于有效封装区102远离走线区101的一侧，沟槽50设于切割区103内。其中，切割区103是显示面板预留出的用于切割的区域，包括用于对位切割的标准线，也即切割线C，为了保证切割精度和热影响区域等。其中，切割区103的宽度可以根据实际需要进行调整，本申请在此不做限定。
在本申请实施例中，为了简化工艺制作，提升切割精度，优选地，光阻层30仅设置于走线区101和有效封装区102，沟槽50包括贯穿金属层60的第三沟槽部53和贯穿无机层20的第二沟槽部52。根据需要也可以将光阻层30延伸至切割区103，本领域技术人员可以根据需要选择，本申请在此不做限定。
在本申请实施例中，第一方向为图1所示的A-A’方向，其中，第三沟槽部53沿A-A'方向的截面形状和第二沟槽部52沿A-A'方向的截面形状均为倒梯形，也即，其靠近基板10侧的口径比远离基板10侧的口径小。这样的结构设计，更有利于封装层40在沟槽50处断开。
在本申请实施例中，第三沟槽部53远离基板10的槽径比第二沟槽部52靠近第三沟槽部53的槽径至少大200纳米。进一步地，第二沟槽部52远离第三沟槽部53的口径比第三沟槽部53靠近基板10的口径至少小200纳米。第三沟槽部53和第二沟槽部52上宽下窄的结构设计，更不利于封装层40的材料在第二沟槽部52的侧壁上沉积，更有利于阻断位于第三沟槽部53底部的封装层40与位于第二沟槽部52上的封装层40的连接，使得封装层40在第三沟槽部53断开。
在本申请实施例中，金属层60的厚度大于100纳米。其中，金属层60可以包括钼、铝、铜、钛、铬、银等金属或其混合物中至少一种；金属层60可以是单膜层结构也可以是多膜层结构。
在本申请实施例中，封装层40在沟槽50处断开。也即，沟槽50内的封装层40和沟槽50外的封装层40断接，当对显示面板沿切割线C进行切割时，沟槽50内的封装层40由切割位置产生切割裂纹，延伸至沟槽50壁时就会停止，即沟槽50外的封装层40不会有切割裂纹存在，避免了封装层40的切割裂纹延伸至显示面板的显示区AA，而导致的封装层40失效的问题，同时实现了窄边框的设计，进一步保证了显示面板的品质。
在本申请实施例中，封装层40可以采用无机封装层40、有机封装层40或交替层叠设置的无机封装层40和有机封装层40。其中，无机封装层40可以包括氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆、氧化锌等无机材料。有机封装层40可以包括环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯酸酯等有机材料。
作为本申请的一个具体实施方式，请参阅图4和图2，图4是本申请第三实施例提供的沿图1中A-A’方向的截面图。如图4和图1所示，显示面板300与显示面板100的区别在于，显示面板300中的沟槽50包括至少两个。
在本申请实施例中，显示面板300包括显示区AA和边框区NA。具体地，边框区NA包括走线区101、有效封装区102以及切割区103，有效封装区102位于走线区101远离显示区AA的一侧，切割区103位于有效封装区102远离走线区101的一侧，沟槽50设于切割区103内。其中，切割区103是显示面板预留出的用于切割的区域，包括用于对位切割的标准线，也即切割线C，为了保证切割精度和热影响区域等。其中，切割区103的宽度可以根据实际需要进行调整，本申请在此不做限定。
在本申请实施例中，第一方向为图1所示的A-A’方向，其中，第一沟槽部51沿A-A'方向的截面形状和第二沟槽部52沿A-A'方向的截面形状均为倒梯形，也即，其靠近基板10侧的口径比远离基板10侧的口径小。这样的结构设计，更有利于封装层40在沟槽50处断开。
在本申请实施例中，第二沟槽部52远离基板10的槽径比第一沟槽部51靠近第二沟槽部52的槽径至少大200纳米。进一步地，第一沟槽部51远离第二沟槽部52的口径比第二沟槽部52靠近基板10的口径至少小200纳米。第二沟槽部52和第二沟槽部52上宽下窄的结构设计，更不利于封装层40的材料在第二沟槽部52的侧壁上沉积，更有利于阻断位于第二沟槽部52底部的封装层40与位于第一沟槽部51上的封装层40的连接，使得封装层40在第二沟槽部52断开。
在本申请实施例中，两个沟槽50可以均设置于切割区103内的非切割线C处，也可以是其中一个沟槽50设置于切割线C处。多个沟槽50的设计方式，进一步考虑了切割误差的影响，当显示面板的一个沟槽50对切割裂纹失去阻挡效果时，靠近显示面板显示区AA的其他沟槽50同样能够阻挡住切割裂纹，进一步保证了显示面板的品质。
作为本申请的一个具体实施方式，请参阅图5和图3，图5是本申请第四实施例提供的沿图1中A-A’方向的截面图。如图5和图3所示，显示面板400与显示面板200的区别在于，显示面板400中的沟槽50包括至少两个。
在本申请实施例中，显示面板400包括显示区AA和边框区NA。具体地，边框区NA包括走线区101、有效封装区102以及切割区103，有效封装区102位于走线区101远离显示区AA的一侧，切割区103位于有效封装区102远离走线区101的一侧，沟槽50设于切割区103内。其中，切割区103是显示面板预留出的用于切割的区域，包括用于对位切割的标准线，也即切割线C，为了保证切割精度和热影响区域等，本申请实施例中，切割区103的宽度可以根据实际需要进行调整，本申请在此不做限定。
在本申请实施例中，为了简化工艺制作，提升切割精度，优选地，光阻层30仅设置于走线区101和有效封装区102，沟槽50包括贯穿金属层60的第三沟槽部53和贯穿无机层20的第二沟槽部52。根据需要也可以将光阻层30延伸至切割区103，本领域技术人员可以根据需要选择，本申请在此不做限定。
在本申请实施例中，第一方向为图1所示的A-A’方向，其中，第三沟槽部53沿A-A'方向的截面形状和第二沟槽部52沿A-A'方向的截面形状均为倒梯形，也即，其靠近基板10侧的口径比远离基板10侧的口径小。这样的结构设计，更有利于封装层40在沟槽50处断开。
在本申请实施例中，第三沟槽部53远离基板10的槽径比第二沟槽部52靠近第三沟槽部53的槽径至少大200纳米。进一步地，第二沟槽部52远离第二沟槽部52的口径比第三沟槽部53靠近基板10的口径至少小200纳米。第三沟槽部53和第二沟槽部52上宽下窄的结构设计，更不利于封装层40的材料在第二沟槽部52的侧壁上沉积，更有利于阻断位于第三沟槽部53底部的封装层40与位于第二沟槽部52上的封装层40的连接，使得封装层40在第三沟槽部53断开。
在本申请实施例中，两个沟槽50可以均设置于切割区103内的非切割线C处，也可以是其中一个沟槽50设置于切割线C处。多个沟槽50的设计方式，进一步考虑了切割误差的影响，当显示面板的一个沟槽50对切割裂纹失去阻挡效果时，靠近显示面板显示区AA的其他沟槽50同样能够阻挡住切割裂纹，进一步保证了显示面板的品质。
作为本申请的一个具体实施方式，请参阅图6，图6是本申请第五实施例提供的沿图1中A-A’方向的截面图。如图6和图5所示，显示面板500中的沟槽50包括至少两个，至少两个沟槽50的其中一个位于切割线上，图6中以两个沟槽50为例，可以为多个。
在本申请实施例中，通过在显示面板中设置多个沟槽50，使封装层产生的切割裂纹更难延伸至显示面板的显示区，进一步提升显示面板的封装效果，提升显示面板的使用寿命和竞争力。
另一方面，请参阅图7，图7是本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程图。如图7所示，本申请提供一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：
S10、在基板10上形成无机层20。
在本申请实施例中，采用物理气相沉积工艺形成无机膜层，通过黄光制程或者干蚀刻制程图案化该无机膜层，形成无机层20。
S20、在无机层20上形成光阻层30，在光阻层30上形成沟槽50的第一沟槽部51。
在本申请实施例中，通过涂布方式形成光阻膜层，通过黄光制程图案化该光阻膜层，并在切割区103形成第一沟槽部51，以形成光阻层30。
S30、在无机层20上形成与第一沟槽部51对应的第二沟槽部52，第二沟槽部52在基板10上的正投影覆盖第一沟槽部51在基板10上的正投影。
在本申请实施例中，在切割区103与第一沟槽部51对应的位置干蚀刻无机层20形成第二沟槽部52，并延长干蚀刻的时间是该第二沟槽部52过蚀刻，以使得第二沟槽部52处无机层20边缘内缩于光阻层30边缘内，也即，第二沟槽部52远离基板10的槽径比第一沟槽部51靠近第二沟槽部52的槽径大。
S40、在光阻层30上形成封装层40。
在本申请实施例中，封装层40可以采用无机封装层40、有机封装层40或交替层叠设置的无机封装层40和有机封装层40。具体地，封装层40在沟槽50处断开。也即，沟槽50内的封装层40和沟槽50外的封装层40断接，当对显示面板沿切割线C进行切割时，沟槽50内的封装层40由切割位置产生切割裂纹，延伸至沟槽50壁时就会停止，即沟槽50外的封装层40不会有切割裂纹存在，避免了封装层40的切割裂纹延伸至显示面板的显示区AA，而导致的封装层40失效的问题，同时实现了窄边框的设计，进一步保证了显示面板的品质。
作为本申请的一种具体实施方式，在无机层20上形成与第一沟槽部51对应的第二沟槽部52，第二沟槽部52在基板10上的正投影覆盖第一沟槽部51在基板10上的正投影的步骤，具体包括：在无机层20靠近基板10的一侧形成金属层60，在金属层60上形成与第二沟槽部52对应的第三沟槽部53，第三沟槽部53在基板10上的正投影覆盖第二沟槽部52在基板10上的正投影。其制备方法与上述制作方法相同，在此不再赘述。
本申请提供一种显示面板及其制作方法，通过将第一沟槽部51和第二沟槽部52形成“类屋檐”型内切结构，当对显示面板进行切割时，使得切割裂纹难以延伸出沟槽50区，避免了封装层40的切割裂纹向显示面板的显示区AA延伸，而导致的封装层40失效的问题，同时实现了窄边框的设计。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
无机层，所述无机层设于所述基板上；
光阻层，所述光阻层设于所述无机层远离所述基板的一侧；
封装层，所述封装层设置于所述光阻层远离所述基板的一侧；以及，
沟槽，所述沟槽包括贯穿所述光阻层的第一沟槽部以及贯穿所述无机层的第二沟槽部，其中，所述第二沟槽部在所述基板上的正投影覆盖所述第一沟槽部在所述基板上的正投影，所述封装层在所述沟槽处断开。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二沟槽部远离所述基板的槽径比所述第一沟槽部靠近所述第二沟槽部的槽径至少大200纳米。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述无机层的厚度大于100纳米。
4.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括金属层，所述金属层设于所述无机层靠近所述基板的一侧，所述金属层上设有与所述第二沟槽部对应的第三沟槽部，所述第三沟槽部在所述基板上的正投影覆盖所述第二沟槽部在所述基板上的正投影。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一沟槽部沿第一方向的截面形状、所述第二沟槽部沿第一方向的截面形状以及所述第三沟槽部沿第一方向的截面形状均为倒梯形。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述沟槽包括至少两个。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述至少两个所述沟槽的其中一个位于切割线上。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和边框区，所述边框区包括走线区、有效封装区以及切割区，所述有效封装区位于所述走线区远离所述显示区的一侧，所述切割区位于所述有效封装区远离所述走线区的一侧，所述沟槽设于所述切割区内。
9.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成无机层；
在所述无机层上形成光阻层，在所述光阻层上形成沟槽的第一沟槽部；
在所述无机层上形成与所述第一沟槽部对应的第二沟槽部，所述第二沟槽部在所述基板上的正投影覆盖所述第一沟槽部在所述基板上的正投影；
在所述光阻层上形成封装层。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述无机层上形成与所述第一沟槽部对应的第二沟槽部，所述第二沟槽部在所述基板上的正投影覆盖所述第一沟槽部在所述基板上的正投影的步骤，具体包括：
在所述无机层靠近所述基板的一侧形成所述金属层，在所述金属层上形成与所述第二沟槽部对应的第三沟槽部，所述第三沟槽部在所述基板上的正投影覆盖所述第二沟槽部在所述基板上的正投影。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210349154.6A CN114784060A (zh) | 2022-04-01 | 2022-04-01 | 显示面板及其制作方法 |
| PCT/CN2022/087061 WO2023184596A1 (zh) | 2022-04-01 | 2022-04-15 | 显示面板及其制作方法 |
| US17/755,042 US20240188384A1 (en) | 2022-04-01 | 2022-04-15 | Display panel and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210349154.6A CN114784060A (zh) | 2022-04-01 | 2022-04-01 | 显示面板及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114784060A true CN114784060A (zh) | 2022-07-22 |
Family
ID=82427671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210349154.6A Pending CN114784060A (zh) | 2022-04-01 | 2022-04-01 | 显示面板及其制作方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240188384A1 (zh) |
| CN (1) | CN114784060A (zh) |
| WO (1) | WO2023184596A1 (zh) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018025785A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
| CN110352627B (zh) * | 2017-03-03 | 2022-06-14 | 夏普株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
| CN110473983B (zh) * | 2019-07-31 | 2021-04-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板母板和显示面板母板的制备方法 |
| CN112447924B (zh) * | 2019-08-30 | 2024-03-08 | 上海和辉光电股份有限公司 | 显示面板、制备方法及包括其的显示装置 |
| US20220123099A1 (en) * | 2020-04-29 | 2022-04-21 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Organic light-emitting display substrate and manufacturing method thereof, and organic light-emitting display device |
| CN112018045B (zh) * | 2020-08-14 | 2022-11-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN113130618A (zh) * | 2021-05-27 | 2021-07-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板 |
-
2022
- 2022-04-01 CN CN202210349154.6A patent/CN114784060A/zh active Pending
- 2022-04-15 WO PCT/CN2022/087061 patent/WO2023184596A1/zh active Application Filing
- 2022-04-15 US US17/755,042 patent/US20240188384A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240188384A1 (en) | 2024-06-06 |
| WO2023184596A1 (zh) | 2023-10-05 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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