CN114784030B - 图像传感器的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种图像传感器的制作方法，对现有PD区和隔离区工艺流程和过货管控方案进行了改善，隔离区分三次离子注入工艺完成，隔离区每一次离子注入工艺所需的厚光阻的目标尺寸根据前层厚光阻显影后的尺寸值进行选择性设定，以实现厚光阻显影后尺寸可控，提高CIS FWC的稳定性，提高小像素CIS产品的良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种图像传感器的制作方法。
背景技术
图像传感器是一种用于将聚焦在图像传感器上的光学图像转换成电信号的电子设备。图像传感器可以用于诸如数码相机、摄影机、手机等成像设备，使得成像设备能够根据接收到的光转换得到数字图像。其中，CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)因其具有更低的功耗、更低的成本、更高的集成度以及可以在像素级别与CMOS模拟及数字电路更好的集成，因而得到了迅猛发展。
满肼电容(FullWell Capacity，FWC)是衡量CIS(图像传感器)像素的重要性能指标，它与CIS的灵敏度、动态范围、噪声和光响应都相关。随着对超高分辨率图像传感器需求不断提高，图像传感器的像素尺寸变得越来越小。像素尺寸的减小会降低图像传感器的FWC，低的FWC会降低图像传感器的动态范围、信噪比以及灵敏度，这会严重的降低图像的质量，同时会降低可探测的光的范围。因此，提高小像素CIS的FWC成为当前研究热点之一。
高能量、深层次离子注入成为提高小像素CIS FWC的常用方法。然而，高能量、深层次的离子注入需要厚度更厚的光阻，这对于厚光阻显影带来重大挑战。厚光阻显影后尺寸变化对小像素CIS FWC的影响更大。因此，实现厚光阻显影后尺寸可控成为决定CIS FWC稳定性的关键。
发明内容
本发明的目的在于提供一种图像传感器的制作方法，以得到FWC更为稳定的图像传感器，提升了小像素CIS产品良率。
为达到上述目的，本发明提供一种图像传感器的制作方法，包括：
一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上设置有隔离区以及由所述隔离区限定出的光电二极管单元区，其中，所述隔离区的形成包括：
在所述半导体衬底上形成图案化的第一光阻，以所述第一光阻为掩模对所述半导体衬底进行第一次离子注入工艺，形成交错设置的多个第一条状隔离区；
在所述半导体衬底上形成图案化的第二光阻，以所述第二光阻为掩模对所述半导体衬底进行第二次离子注入工艺，形成交错设置的多个第二条状隔离区，所述第二条状隔离区和所述第一条状隔离区间隔排列；
在所述半导体衬底上形成图案化的第三光阻，以所述第三光阻为掩模对所述半导体衬底进行第三次离子注入工艺，形成交错设置的多个第三条状隔离区，所述第三条状隔离区的位置覆盖所述第一条状隔离区和所述第二条状隔离区；
其中，根据所述光电二极管单元区的关键尺寸确定所述第一光阻的目标尺寸，根据所述第一条状隔离区的尺寸确定所述第二光阻的目标尺寸，根据所述第二条状隔离区域的尺寸确定所述第三光阻的目标尺寸。
可选的，所述光电二极管单元区的关键尺寸相对第一目标值增加，则所述第一光阻的目标尺寸不作调整；
所述光电二极管单元区的关键尺寸相对第一目标值减少，则所述第一光阻的目标尺寸相应减小。
可选的，所述光电二极管单元区的关键尺寸相对所述第一目标值每减小2nm，所述第一光阻的目标尺寸相应减小4nm。
可选的，所述第一条状隔离区的尺寸相对第二目标值增加，则减少所述第二光阻的目标尺寸；
所述第一条状隔离区的尺寸相对第二目标值减少，则所述第二光阻的目标尺寸不作调整。
可选的，所述第一条状隔离区的尺寸相对所述第二目标值每增加2nm，所述第二光阻的目标尺寸相应减小1nm。
可选的，所述第二条状隔离区的尺寸相对第三目标值增加，则减少所述第三光阻的目标尺寸；
所述第一条状隔离区的尺寸相对第三目标值减少，则所述第三光阻的目标尺寸不作调整。
可选的，所述第二条状隔离区的尺寸相对所述第三目标值每增加2nm，所述第三光阻的目标尺寸相应减小4nm。
可选的，所述光电二极管单元区关键尺寸的过货管控范围为+/-5nm；所述第一条状隔离区的尺寸和所述第二条状隔离区的尺寸的过货管控范围均为+/-5nm。
可选的，在形成交错设置的多个第一条状隔离区之后，形成图案化的所述第二光阻之前，还包括：去除所述第一光阻；
在形成交错设置的多个第二条状隔离区之后，形成图案化的所述第三光阻之前，还包括：去除所述第二光阻。
可选的，在所述半导体衬底上形成所述隔离区之前，还包括：在所述半导体衬底形成前层光阻，以所述前层光阻为掩模对所述半导体衬底进行前层离子注入工艺，形成光电二极管形成区；其中，所述隔离区划分所述光电二极管形成区限定出所述光电二极管单元区。
可选的，所述前层离子注入工艺注入的离子为N型离子，所述第一次离子注入工艺、所述第二次离子注入工艺及所述第三次离子注入工艺注入的离子均为P型离子。
可选的，所述第一光阻的厚度和所述第二光阻的厚度相等，所述第一光阻的厚度和所述第二光阻的厚度的均大于所述第三光阻的厚度，所述前层光阻的厚度大于所述第三光阻的厚度，且小于所述第一光阻的厚度和所述第二光阻的厚度。
综上，本发明提供的图像传感器的制作方法，对现有PD区和隔离区工艺流程和过货管控方案进行了改善，其中，隔离区分三次离子注入工艺完成，隔离区每一次离子注入工艺所需的厚光阻的目标尺寸根据前层厚光阻显影后的尺寸值进行选择性设定，以实现厚光阻显影后尺寸可控，提高CIS FWC的稳定性，提高小像素CIS产品良率。
附图说明
图1为本实施例提供的一种图像传感器的制作方法的流程图；
图2为本实施例提供的图像传感器结构中半导体衬上光电二极管单元区和隔离区的分布示意图；
图3A为本实施例提供的图像传感器的制作方法中第一次离子注入时对应的剖面图；
图3B为本实施例提供的图像传感器的制作方法中第一次离子注入时对应的俯视图；
图4A为本实施例提供的图像传感器的制作方法中第二次离子注入时对应的剖面图；
图4B为本实施例提供的图像传感器的制作方法中第二次离子注入时对应俯视图；
图5A为本实施例提供的图像传感器的制作方法中第三次离子注入时对应的剖面图；
图5B为本实施例提供的图像传感器的制作方法中第三次离子注入时对应俯视图；
图6A为小像素CIS产品和常规BSI产品的满肼电容随光电二极管的尺寸变化的关系图；
图6B为小像素CIS产品和常规BSI产品的满肼电容随隔离区光阻尺寸变化的关系图；
图7A为满肼电容随光电二极管单元区的关键尺寸变化的关系图；
图7B为满肼电容随第一条状隔离区的尺寸变化的关系图；
图7C为满肼电容随第二条状隔离区的尺寸变化的关系图；
图7D为满肼电容随第三条状隔离区的尺寸变化的关系图。
其中，附图标记为：
100-衬底；101-第一光阻；102-第二光阻；103-第三光阻；
110-光电二极管单元区；120-隔离区；
121-第一条状隔离区；122-第二条状隔离区；123-第三条状隔离区。
具体实施方式
由背景技术可知，满肼电容(FullWell Capacity，FWC)是衡量CIS性能的重要指标，像满肼电容过低会缩小像素的动态范围并降低信噪比以及灵敏度，从而严重降低CIS的成像质量，因此，提升像素满肼电容一直是提升CIS类产品性能的最主要项目之一。
CMOS图像传感器的像素区一般包括多个光电二极管(Photo Diode，PD)和相邻光电二极管之间的隔离区，光电二极管用于吸收入射光并把光信号转换成电信号。在CIS制作过程中，常需要对隔离区的半导体衬底进行离子注入，以获得像素单元中的浮空节点(FloatingNode)，而在执行隔离区离子注入工艺前，一般采用图形化的光阻覆盖在半导体衬底上以保护离子注入区周围的半导体衬底。对FWC测试发现，小像素CIS产品满肼电容FWC与光电二极管的尺寸(PD CD)成正比，对光电二极管的尺寸(PD CD)变化的敏感性明显强于常规BSI产品，小像素CIS产品FWC对光阻关键尺寸(DPW CD)变化的敏感性也明显强于常规BSI产品，如图6A和图6B所示。且离子注入时光阻要承受一定的能量冲击，导致实际所形成的离子注入区的关键尺寸(CD)较大，这于小像素CIS采用的高能量、深层次离子注入需要厚度的厚光阻显影带来重大挑战，因此，实现厚光阻显影后尺寸可控成为决定CIS FWC稳定性的关键。
鉴于此，本发明提供一种图像传感器的制作方法，对现有PD区和隔离区工艺流程和过货管控方案进行了改善，隔离区分三次离子注入工艺完成，隔离区每一次离子注入工艺所需的厚光阻的目标尺寸根据前层厚光阻显影后的尺寸值进行选择性设定，以实现厚光阻显影后尺寸可控，提高CIS FWC的稳定性，提高小像素CIS产品的良率。
图1为本实施例提供的一种图像传感器的制作方法的流程图，图2为本实施例提供的图像传感器结构中半导体衬上光电二极管单元区和隔离区的分布示意图，图3A和图3B为本实施例提供的图像传感器的制作方法中第一次离子注入时对应的剖面图和俯视图，图4A和图4B为本实施例提供的图像传感器的制作方法中第二次离子注入时对应的剖面图和俯视图，图5A和图5B为本实施例提供的图像传感器的制作方法中第三次离子注入时对应的剖面图和俯视图。如图1、图2、图3A、图3B、图4A、图4B、图5A和图5B所示，本实施例提供的一种图像传感器的制作方法，包括：
提供半导体衬底100，所述半导体衬底100上设置有隔离区120以及由所述隔离区120限定出的光电二极管单元区(PD区)110，其中，所述隔离区120的形成包括：
在所述半导体衬底100上形成图案化的第一光阻101，以所述第一光阻101为掩模对所述半导体衬底100进行第一次离子注入工艺，形成交错设置的多个第一条状隔离区121；
在所述半导体衬底100上形成图案化的第二光阻102，以所述第二光阻102为掩模对所述半导体衬底100进行第二次离子注入工艺，形成交错设置的多个第二条状隔离区122，所述第二条状隔离区122和所述第一条状隔离区121间隔排列；
在所述半导体衬底100上形成图案化的第三光阻103，以所述第三光阻为掩模对所述半导体衬底100进行第三次离子注入工艺，形成交错设置的多个第三条状隔离区123，所述第三条状隔离区123的位置覆盖所述第一条状隔离区121和所述第二条状隔离区122；
其中，根据所述光电二极管单元区110的关键尺寸(PD CD)确定所述第一光阻101的目标尺寸(PW1 CD target)，根据所述第一条状隔离区121的尺寸(PW1 CD)确定所述第二光阻102的目标尺寸(PW2 CD target)，根据所述第二条状隔离区122的尺寸(PW2 CD)确定所述第三光阻103的目标尺寸(PW3 CD target)。
具体的，所述半导体衬底100可以为可为单晶硅(Si)衬底、单晶锗(Ge)衬底、绝缘体上硅(SOI)衬底或者绝缘体上锗(GOI)衬底等。所述衬底100的材料还可为化合物半导体。举例而言，所述衬底100可为砷化镓(GaAs)衬底、磷化铟(InP)衬底或碳化硅(SiC)衬底等。值得注意的是，本实施例中所述的衬底100还可采用本领域中已知的其它半导体材料中的至少一种制备。
本实施例中，在所述半导体衬底100上形成所述隔离区120之前，还包括：在所述半导体衬底100形成前层光阻，以所述前层光阻为掩模对所述半导体衬底100进行前层离子注入工艺，形成光电二极管形成区。其中，所述隔离区120划分所述光电二极管形成区限定出所述光电二极管单元区(PD区)110。本实施例中，主要是针对光电二极管形成区中隔离区的离子注入，不涉及半导体衬底100中光电二极管形成区之外的结构，光电二极管形成区没有图中示出。
接着，在所述半导体衬底100上形成图案化的第一光阻101，以所述第一光阻101为掩模对所述半导体衬底100进行第一次离子注入工艺，形成交错设置的多个第一条状隔离区121，如图3A和图3B所示。
在形成图案化的第一光阻101之前根据所述光电二极管单元区110的关键尺寸(PDCD)确定所述第一光阻101的目标尺寸(PW1 CD target)。如所述光电二极管单元区110的关键尺寸(PD CD)相对第一目标值增加，则所述第一光阻101的目标尺寸(PW1 CD target)不作调整，若所述光电二极管单元区110的关键尺寸(PD CD)相对第一目标值减少，则所述第一光阻101的目标尺寸(PW1 CD target)相应减小。示例性的，所述光电二极管单元区110的关键尺寸(PD CD)相对一目标值每减小2nm，所述第一光阻101的目标尺寸(PW1 CD target)相应减小4nm。其中，所述光电二极管单元区的关键尺寸(PD CD)的过货管控范围为+/-5nm，相对于现有的光电二极管单元区的关键尺寸的过货管控范围(+/-8nm)相应卡紧。即，若PDCD减小超过5nm，则形成光电二极管形成区所需的前层光阻(PD PR)则需要返工(RWK)，以控制PD CD在过货管控范围内。
在根据光电二极管单元区110的关键尺寸(PD CD)确定第一光阻101的目标尺寸(PW1 CD target)之后，根据第一光阻101的目标尺寸(PW1 CD target)在所述半导体衬底100上形成图案化的第一光阻101，再以所述第一光阻101为掩模对所述半导体衬底100进行第一次离子注入工艺，形成交错设置的多个第一条状隔离区121，获得所述第一条状隔离区121的尺寸(PW1 CD)。
接着，去除第一电阻101。
接着，根据所述第一条状隔离区121的尺寸(PW1 CD)确定所述第二光阻102的目标尺寸(PW2 CD target)，再根据第二光阻102的目标尺寸(PW2 CD target)在所述半导体衬底100上形成图案化的第二光阻102，以所述第二光阻102为掩模对所述半导体衬底100进行第二次离子注入工艺，形成交错设置的多个第二条状隔离区122，获得第二条状隔离区122的尺寸(PW2 CD)。所述第二条状隔离区122和所述第一条状隔离区121间隔排列，初步形成网格状隔离区120，如图4A和图4B所示。
其中，根据所述第一条状隔离区121的尺寸(PW1 CD)确定所述第二光阻102的目标尺寸(PW2 CD target)包括：若所述第一条状隔离区121的尺寸(PW1 CD)相对第二目标值增加，减少所述第二光阻102的目标尺寸(PW2 CD target)，若所述第一条状隔离区121的尺寸(PW1 CD)相对第二目标值减少，则所述第二光阻102的目标尺寸(PW2 CD target)不作调整。示例性的，若所述第一条状隔离区121的尺寸(PW1 CD)相对第二目标值每增加2nm，所述第二光阻102的目标尺寸(PW2 CD target)相应减小1nm。其中，所述第一条状隔离区121的尺寸(PW1 CD)的过货管控范围为+/-5nm，相对于现有的第一条状隔离区121的尺寸的过货管控范围(+/-10nm)相应卡紧。即，若PW1 CD减小超过5nm，则形成第一条状隔离区121的第一光阻101则需要返工(RWK)，以控制PW1 CD在过货管控范围内。
接着，去除第二电阻101。
接着，根据所述第二条状隔离区122的尺寸(PW2 CD)确定所述第三光阻103的目标尺寸(PW3 CD target)，再根据第三光阻103的目标尺寸(PW3 CD target)在所述半导体衬底100上形成图案化的第三光阻103，以所述第三光阻103为掩模对所述半导体衬底100进行第三次离子注入工艺，形成交错设置的多个第二条状隔离区122，获得第二条状隔离区122的尺寸(PW2 CD)。所述第三条状隔离区123的位置覆盖所述第一条状隔离区121和所述第二条状隔离区122，如图5A和图5B所示。
其中，根据所述第二条状隔离区122的尺寸(PW2 CD)确定所述第三光阻103的目标尺寸(PW3 CD target)包括：若所述第二条状隔离区122的尺寸(PW2 CD)相对第三目标值增加，则减少所述第三光阻103的目标尺寸(PW3 CD target)，若所述第二条状隔离区122的尺寸(PW2 CD)相对第二目标值减少，则所述第三光阻103的目标尺寸(PW3 CD target)不作调整。示例性的，若所述第二条状隔离区122的尺寸(PW2 CD)相对第二目标值每增加2nm，所述第三光阻103的目标尺寸(PW3 CD target)相应减小4nm。其中，所述第二条状隔离区122的尺寸(PW2 CD)的过货管控范围为+/-5nm，相对于现有的第二条状隔离区122的尺寸的过货管控范围(+/-10nm)相应卡紧。即，若PW2 CD减小超过5nm，则形成第二条状隔离区122的第二光阻102则需要返工(RWK)，以控制PW12 CD在过货管控范围内。
本实施例中，所述前层离子注入工艺注入的离子为N型离子，例如为坤离子，所述第一次离子注入工艺、所述第二次离子注入工艺及所述第三次离子注入工艺注入的离子均为P型离子，例如为硼离子。另外，需要说明的是，上述隔离区的尺寸是指厚光阻显影后的尺寸，具体的，第一条状隔离区121的尺寸(PW1 CD)、第二条状隔离区122的尺寸(PW2 CD)和第三条状隔离区123的尺寸(PW3 CD)分别指第一光阻101、第二光阻102和第三光阻103显影后的CD。
参考图3A、图4A和图5A所示，多条所述第一条状隔离区121交错设置，多条所述第二条状隔离区122交错设置，第一次离子注入工艺和所述第二次离子注入工艺注入的离子较深，属于高能量、深层离子注入，所需的光阻(第一光阻101和第二光阻102)较厚，例如为3.5um。所述第一条状隔离区121和所述第二条状隔离区122间隔排列，形成隔离区120的网格状结构，在第一条状隔离区121和第二条状隔离区122形成的网格结构的基础上进行第三次离子注入工艺，形成第三条状隔离区122，第三条状隔离区122的覆盖所述第一条状隔离区121和所述第二条状隔离区122，相对第一次离子注入工艺和第二次离子注入工艺，第三次离子注入工艺注入的离子深度较低，所需的第三光阻103的厚度相对第一光阻101和第二光阻102较薄，例如为2um。优选的，所述第一光阻101的厚度和所述第二光阻102的厚度相等，所述第一光阻101的厚度和所述第二光阻102的厚度的均大于所述第三光阻103的厚度。另外，所述前层光阻的厚度大于所述第三光阻103的厚度，且小于所述第一光阻101的厚度和所述第二光阻102的厚度，所述前层光阻的厚度例如为3.1um。
图7A为满肼电容(FWC)随光电二极管单元区的关键尺寸(PD CD)变化的关系图，图7B为满肼电容(FWC)随第一条状隔离区的尺寸(PW1 CD)变化的关系图，图7C为满肼电容(FWC)随第二条状隔离区的尺寸(PW2 CD)变化的关系图，图7D为满肼电容(FWC)随第三条状隔离区的尺寸(PW3 CD)变化的关系图。如图7A、图7B、图7C及图7D所示，PD CD，PW1 CD，PW2CD和PW3 CD 1nm的变化分别对FWC的影响达到231e，104e，189e和108e。可见，图像传感器的FWC主要与光电二极管单元区(PD区)和隔离区的制备工艺相关，PD区和隔离区显影后光阻稳定性和显影后CD将对FWC产生直接影响。若上述尺寸同向波动将会严重影响FWC，进而降低产品良率。这里尺寸同向波动是指，PD CD减小，PW1 CD同时增加；PW1增加，PW2 CD同时增加；PW2 CD增加，PW3 CD增加。
本实施例中，在确定光电二极管单元区的关键尺寸(PD CD)后，根据PD CD与第一目标值的对比结果调整隔离区第一光阻的目标尺寸，根据第一光阻显影后的尺寸(第一条形隔离区的尺寸，PW1 CD)确定第二光阻的目标尺寸，根据第二光阻显影后的尺寸(第二条形隔离区的尺寸，PW2 CD)确定第三光阻的目标尺寸，获得第三光阻显影后的尺寸(第三条形隔离区的尺寸，PW3 CD)，进而最终确定隔离区尺寸，整个隔离区形成过程中分三次完成，如果前层隔离区尺寸出现偏差，可以通过后层光阻的目标尺寸进行调整，以维持最终光阻显影后尺寸可控，提高CIS FWC的稳定性，提高小像素CIS产品良率。
综上所述，本实施例提供一种图像传感器的制作方法，对现有PD区和隔离区工艺流程和过货管控方案进行了改善，其中，隔离区分三次离子注入工艺完成，隔离区每一次离子注入工艺所需的厚光阻的目标尺寸根据前层厚光阻显影后的尺寸值进行选择性设定，以实现厚光阻显影后尺寸可控，提高CIS FWC的稳定性，提高小像素CIS产品的良率。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (12)
1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上设置有隔离区以及由所述隔离区限定出的光电二极管单元区，其中，所述隔离区的形成包括：
在所述半导体衬底上形成图案化的第一光阻，以所述第一光阻为掩模对所述半导体衬底进行第一次离子注入工艺，形成交错设置的多个第一条状隔离区；
在所述半导体衬底上形成图案化的第二光阻，以所述第二光阻为掩模对所述半导体衬底进行第二次离子注入工艺，形成交错设置的多个第二条状隔离区，所述第二条状隔离区和所述第一条状隔离区间隔排列；
在所述半导体衬底上形成图案化的第三光阻，以所述第三光阻为掩模对所述半导体衬底进行第三次离子注入工艺，形成交错设置的多个第三条状隔离区，所述第三条状隔离区的位置覆盖所述第一条状隔离区和所述第二条状隔离区；
其中，根据所述光电二极管单元区的关键尺寸确定所述第一光阻的目标尺寸，根据所述第一条状隔离区的尺寸确定所述第二光阻的目标尺寸，根据所述第二条状隔离区域的尺寸确定所述第三光阻的目标尺寸。
2.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，
所述光电二极管单元区的关键尺寸相对第一目标值增加，则所述第一光阻的目标尺寸不作调整；
所述光电二极管单元区的关键尺寸相对第一目标值减少，则所述第一光阻的目标尺寸相应减小。
3.根据权利要求2所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，
所述光电二极管单元区的关键尺寸相对所述第一目标值每减小2nm，所述第一光阻的目标尺寸相应减小4nm。
4.根据权利要求3所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，
所述第一条状隔离区的尺寸相对第二目标值增加，则减少所述第二光阻的目标尺寸；
所述第一条状隔离区的尺寸相对第二目标值减少，则所述第二光阻的目标尺寸不作调整。
5.根据权利要求4所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，
所述第一条状隔离区的尺寸相对所述第二目标值每增加2nm，所述第二光阻的目标尺寸相应减小1nm。
6.根据权利要求5所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，
所述第二条状隔离区的尺寸相对第三目标值增加，则减少所述第三光阻的目标尺寸；
所述第一条状隔离区的尺寸相对第三目标值减少，则所述第三光阻的目标尺寸不作调整。
7.根据权利要求6所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，
所述第二条状隔离区的尺寸相对所述第三目标值每增加2nm，所述第三光阻的目标尺寸相应减小4nm。
8.根据权利要求7所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，
所述光电二极管单元区关键尺寸的过货管控范围为+/-5nm；所述第一条状隔离区的尺寸和所述第二条状隔离区的尺寸的过货管控范围均为+/-5nm。
9.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在形成交错设置的多个第一条状隔离区之后，形成图案化的所述第二光阻之前，还包括：去除所述第一光阻；
在形成交错设置的多个第二条状隔离区之后，形成图案化的所述第三光阻之前，还包括：去除所述第二光阻。
10.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成所述隔离区之前，还包括：在所述半导体衬底形成前层光阻，以所述前层光阻为掩模对所述半导体衬底进行前层离子注入工艺，形成光电二极管形成区；其中，所述隔离区划分所述光电二极管形成区限定出所述光电二极管单元区。
11.根据权利要求10所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述前层离子注入工艺注入的离子为N型离子，所述第一次离子注入工艺、所述第二次离子注入工艺及所述第三次离子注入工艺注入的离子均为P型离子。
12.根据权利要求11所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，
所述第一光阻的厚度和所述第二光阻的厚度相等，所述第一光阻的厚度和所述第二光阻的厚度的均大于所述第三光阻的厚度，所述前层光阻的厚度大于所述第三光阻的厚度，且小于所述第一光阻的厚度和所述第二光阻的厚度。
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