CN114783893A - 一种gpp二极管芯片生产方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- GVVPGTZRZFNKDS-JXMROGBWSA-N geranyl diphosphate Chemical compound CC(C)=CCC\C(C)=C\CO[P@](O)(=O)OP(O)(O)=O GVVPGTZRZFNKDS-JXMROGBWSA-N 0.000 title claims abstract description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 claims abstract description 50
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 23
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000013072 incoming material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 134
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 46
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 38
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 13
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 claims description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010815 organic waste Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229910021484 silicon-nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66136—PN junction diodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
一种GPP二极管芯片生产方法，包括步骤：扩散来料；生长氧化；P面光刻；氧化腐蚀；N面涂胶：湿法蚀刻；去胶清洗；电泳玻璃；刀刮玻璃；二次光刻；镀镍或者金；芯片测试；激光划片；晶圆裂片；封装测试。电泳玻璃采用晶圆片玻璃浆电泳装置，包括多个工作台、升降架、第一转移机构、第二转移机构；工作台设于传送带一侧，表面设有放置电泳池的第一凹部和用于放置晶圆架的第二凹部；升降架位于电泳池上方，用于承载晶圆架；第一转移机构设于升降架上方，用于转移晶圆架至升降架上；第二转移机构安装于第二凹部上方，用于转移晶圆架至第二凹部中。采用电泳和刀刮结合的方式，减少丙酮使用量，减少有机废液的产生，节约了成本也减少对环境的污染。
Description
技术领域
本发明涉及芯片生产技术领域，尤其与一种GPP二极管芯片生产方法相关。
背景技术
随着半导体技术的发展，对半导体表面钝化的要求越来越高，二极管芯片钝化的方法有很多，采用玻璃粉作为钝化材料是目前的主流方式即为GPP二极管芯片。现有技术中，在晶圆片上涂抹玻璃粉的方式主要有电泳、刀刮、光阻玻璃三种，电泳工艺是利用直流电场的作用，使带负电的玻璃颗粒向正电极上硅片方向运动，并淀积在硅片上，在此过程中玻璃粉填充的厚度会偏厚，使得高温高压特性的可靠性比较差，并且在电泳过程中会使用丙酮等有机溶液，电泳完成后会形成很多有机废物，存在很大的储存与处置风险，导致投入更多的设备储存废液、并且废液处理成本高；刀刮工艺的设备投入虽然少，但是人工成本会大幅升高，在生产过程中，人为因素的影响较大，从而导致不同批次的差异性比较大，同时由于人为因素而导致的不良产品会偏多；而光阻工艺的工艺过于复杂，物料成本太高；目前二极管芯片钝化保护工艺因为各种工艺制成条件的限制，与产品保护结构无法叠加，只有单独的电泳玻璃、刀刮玻璃、光阻玻璃三种形式，制造成本较高。
发明内容
针对上述相关现有技术的不足，本申请提供一种GPP二极管芯片生产方法，采用电泳和刀刮的方式在晶圆片上涂抹玻璃粉，减少丙酮使用量，从而减少有机废液的产生，不仅节约了成本也减少了对环境的污染，具有较强的实用性。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术：
一种GPP二极管芯片生产方法，包括以下步骤：
S01、扩散来料：将硅片的表面清洗后，在硅片两面分别形成N+区和P+区，形成有N+区和P+区的硅片称之为晶圆片；
S02、生长氧化：高温状态下对晶圆片退火处理并在表面形成一层均匀的氧化膜；
S03、P面光刻：在晶圆片具有P+区的一面均涂抹光刻胶，通过光刻在晶圆片上形成芯片图形；
S04、氧化腐蚀：去除氧化膜；
S05、N面涂胶：在晶圆片具有N+区的一面上涂抹光刻胶；
S06、湿法蚀刻：待腐蚀区域中硅及化合物与酸液发生反应，形成腐蚀沟槽；
S07、去胶清洗：用清洗剂和纯水在将晶圆片上蚀刻残留的光刻胶去除，并去除晶圆片表面的杂质及有机污染物；
S08、电泳玻璃：腐蚀沟槽在丙酮玻璃粉溶液中被积淀一层玻璃粉，并进行高温烧成，高温状态下玻璃粉由粉状转变为熔融态，冷却后形成第一透明玻璃钝化层；
S09、刀刮玻璃：在晶圆表面再次涂抹一层玻璃粉，再次进行高温烧成，高温状态下玻璃粉由粉状转变为熔融态，冷却后形成第二透明玻璃钝化层；
S10、二次光刻：将光刻胶涂抹在晶圆片表面，并再次进行光刻；
S11、镀镍或者金：在晶圆片表面镀一层镍或金；
S12、芯片测试；
S13、激光划片；
S14、晶圆裂片；
S15、封装测试。
进一步地，S01包括以下步骤：
S011、在清洗后的硅片的其中一面涂布磷，并利用高温扩散使磷进入硅片，此时相邻两个硅片之间会互相粘结，则在高温扩散完成后对相邻两个硅片之间进行分割；
S012、对扩散磷后的硅片进行喷砂、清洗；
S013、在硅片的另一面涂布硼，并利用高温扩散使硼进入硅片，此时相邻两个硅片之间会互相粘结，则在高温扩散完成后对相邻两个硅片之间进行分割，而后，涂布硼的一面形成P+区，涂布磷的一面形成N+区。
进一步地，S02中形成的氧化膜厚度在3000埃~5000埃。
进一步地，S08中电泳后的玻璃粉厚度为10um~30um。
本发明有益效果在于：
1.采用电泳和刀刮结合的方式在晶圆片上覆盖玻璃粉，使得电泳时玻璃粉的厚度能够降为纯电泳方式的20％以下，从而减少丙酮的使用量，也能减少有机废液的产生，缩减电泳成本，而刀刮玻璃粉又能弥补玻璃粉厚度不足的问题，相较于纯电泳或者纯刀刮的方式，不仅节约了成本，也减少了污染物的产生，同时又提高了产品质量；
2.而在电泳时采用自动转移机构将传送带上的晶圆架转移至电泳池中，无需人工进行转移，提高了电泳的自动化程度，同时由于电泳时丙酮的使用量大幅减少，在处理废液的设备投入上大幅缩减，以此平衡了在提高自动化上的设备投入；
3.限位块会在三角块的迫使下向下移动，从而保证转移块能够顺利将晶圆架提起，同时在限位杆的作用下，避免将晶圆架提起时转移块从移动块上滑落，而在第二弹簧和侧板的配合下，使限位杆又能从限位孔中移出，避免转移块下降时发生干涉。
附图说明
本文描述的附图只是为了说明所选实施例，而不是所有可能的实施方案，更不是意图限制本发明的范围。
图1为本申请实施例的工艺流程图。
图2为本申请实施例的晶圆片玻璃浆电泳装置立体示意图。
图3为本申请实施例的升降架立体示意图。
图4为图3的A处放大示意图。
图5为本申请实施例的第一转移机构立体示意图。
图6为本申请实施例的第一转移机构底面立体示意图。
图7为图6的B处放大示意图。
图8为本申请实施例的承载架立体示意图。
图9为本申请实施例的第二转移机构立体示意图。
附图标记说明：100—工作台、200—升降架、300—第一转移机构、400—第二转移机构、101—第一凹部、102—第二凹部、201—第一伸缩杆、202—连杆、203—凸块、204—卡槽、301—承载架、302—第一支撑杆、303—横杆、304—第一丝杆、305—移动块、306—支板、307—滑杆、308—第一电机、309—横板、310—限位板、311—三角块、312—滑槽、313—限位块、314—侧板、315—限位槽、316—限位杆、317—挡块、318—第二挡圈、319—限位环、320—第一挡圈、321—第一弹簧、322—第二弹簧、323—转移块、324—T形块、325—T形槽、326—L形板、327—挡板、328—凹槽、329—卡板、330—限位孔、331—第三弹簧、332—第三挡圈、333—挡环、401—T形板、402—第二支撑杆、403—长条孔、404—第二丝杆、405—第二电机、406—滑块、407—支撑板、408—第二伸缩杆、409—转移杆、501—第三丝杆、502—立柱、503—第三电机。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明的实施方式进行详细说明，但本发明所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
如图1所示，本申请实施例提供一种GPP二极管芯片生产方法，包括以下步骤：
S01、扩散来料：将硅片的表面清洗后，在硅片两面分别形成N+区和P+区，形成有N+区和P+区的硅片称之为晶圆片。具体地，步骤S01包括以下步骤：
S011、将硅片的表面清洗干净，然后在清洗后的硅片的其中一面涂布磷，然后将硅片放入高温炉中进行烧制，在高温的作用下，磷扩散进入硅片中，此时相邻两个硅片之间会互相粘结，随后对硅片进行分割，将相邻两个硅片分开；
S012、对扩散磷后的硅片采用喷砂的方式对硅片的另一面进行清理，去除残余的磷，然后再次进行清洗；
S013、在硅片的另一面涂布硼，并硅片放入高温炉中进行烧制，在高温的作用下，使硼扩散进入硅片，此时相邻两个硅片之间也会互相粘结，则在高温扩散完成后再次对相邻两个硅片之间进行分割，而后，涂布硼的一面形成P+区，涂布磷的一面形成N+区。
S02、生长氧化：在高温状态下对晶圆片退火处理并在表面形成一层均匀的氧化膜，将温度控制为1200℃~1250℃；氧气流量控制在3L/min~5L/min，氧化时间30min~50min，形成的氧化膜厚度在3000埃~5000埃。
S03、P面光刻：在晶圆片具有P+区的一面均匀涂抹光刻胶，通过光刻在晶圆片上形成芯片图形。
S04、氧化腐蚀：去除氧化膜。
S05、N面涂胶：在晶圆片具有N+区的一面均匀涂抹光刻胶。
S06、湿法蚀刻：待腐蚀区域中硅及化合物与酸液发生反应，形成腐蚀沟槽；
S07、去胶清洗：用清洗剂和纯水将晶圆片上蚀刻残留的光刻胶去除，并去除晶圆片表面的杂质及有机污染物。
S08、电泳玻璃：使腐蚀沟槽在丙酮玻璃粉溶液中被积淀一层玻璃粉，并进行高温烧成，高温状态下玻璃粉由粉状转变为熔融态，冷却后形成第一透明玻璃钝化层，电泳后的玻璃粉厚度为10um~30um。
S09、刀刮玻璃：在晶圆表面再次涂抹一层玻璃粉，再次进行高温烧成，高温状态下玻璃粉由粉状转变为熔融态，冷却后形成第二透明玻璃钝化层。
S10、二次光刻：将光刻胶涂抹在晶圆片表面，并再次进行光刻。
S11、镀镍或者金：在晶圆片表面镀一层镍或金，将镍液加热至沸腾，加入氨水调节pH值至7~9左右，将晶圆片放入镀镍液中，一次镀镍、清洗烘干后在含氮气或氮氢混合气体中进行硅镍合金，并将温度控制在550℃~650℃。烧渗后镍层表面发黄需用硝酸腐蚀清洗，硅片清洗干净后再镀上一层可焊性良好的新的化学镀镍层。具体地，在进行镀镍或者金之前还需要通过氧化腐蚀液将晶圆片表面的氧化层去除，并且将酸温控制在30±2℃，时间8min~10min。
S12、芯片测试：对芯片进行测试，并对不合格的芯片进行标记。
S13、激光划片。
S14、晶圆裂片。
S15、封装测试。
作为优选的实施方式，S08中电泳玻璃时采用晶圆片玻璃浆电泳装置进行玻璃粉积淀，如图2所示，晶圆片玻璃浆电泳装置包括：多个依次布置的工作台100、升降架200、第一转移机构300、第二转移机构400。
具体地，如图2所示，工作台100设于间歇传动的传送带一侧，工作台100表面沿其长度方向依次设有第一凹部101和第二凹部102，第一凹部101内设有电泳池，第二凹部102用于放置电泳后的晶圆架；升降架200位于第一凹部101上方，并安装于第一伸缩杆201上，第一伸缩杆201一般采用气缸，并将第一伸缩杆201安装于工作台100上，升降架200用于承载晶圆架至电泳池中；第一转移机构300设于升降架200上方，并安装于工作台100上，用于转移晶圆架至升降架200上；第二转移机构400安装于第二凹部102上方，用于将晶圆架从升降架200转移至第二凹部102中。
基于上述晶圆片玻璃浆电泳装置，S08中进行玻璃粉积淀包括如下详细操作步骤：
S081、装有晶圆的晶圆架经传送带输送至工作台100的一侧，第一转移机构300将晶圆架转移至升降架200上；
S082、驱动第一伸缩杆201，使升降架200下降，晶圆架进入电泳池中，开始对晶圆进行电泳，以使腐蚀沟槽在丙酮玻璃粉溶液中被积淀一层玻璃粉；
S083、电泳完成后，升降架200上升，第二转移机构400将升降架200上的晶圆架转移至第二凹部102中。
具体地，如图5~图8所示，第一转移机构300包括承载架301，承载架301位于升降架200上方，避免在升降架200下降时与承载架301发生干涉，且承载架301两侧下方设有第一支撑杆302，第一支撑杆302安装于工作台100上，承载架301中心沿长度方向设有横杆303，横杆303内设有第一丝杆304，第一丝杆304一端连接第一电机308，第一电机308安装于承载架301上，通过第一电机308驱动第一丝杆304转动，横杆303两侧均依次设有横板309和限位板310，横板309底面远离第一凹部101的一端设有三角块311，横板309表面沿长度方向设有贯穿的滑槽312，且滑槽312还贯穿三角块311。
更加具体地，如图5~图8所示，第一丝杆304上套设有移动块305，移动块305上端两侧均设有支板306，支板306上穿设有滑杆307，将滑杆307穿设于滑槽312中，滑杆307下端设有限位块313，限位块313抵接到横板309底面，滑杆307上端设有第一挡圈320，滑杆307上还套设有第一弹簧321，第一弹簧321两端分别抵接到第一挡圈320和支板306，限位块313顶面靠近三角块311的一半为斜面，该斜面与三角块311的斜面配合，在限位块313与三角块311接触后，限位块313会在三角块311的迫使下向下移动，与此同时第一弹簧321被压缩，从而保证能够顺利将晶圆架提起。
具体地，如图5~图8所示，限位板310远离第一凹部101的一端向下倾斜预定角度，且倾斜的角度与三角块311的斜面角度相同，限位板310侧面靠近第一凹部101的一端设有侧板314，且侧板314位于远离横杆303的一侧，侧板314包括斜段和直段，斜段与限位板310连接，直段与承载架301连接，限位板310侧面沿其轨迹设有贯穿的限位槽315，且限位槽315贯穿过侧板314。
更加具体地，如图5~图8所示，限位槽315内穿设有限位杆316，限位杆316一端设有挡块317，挡块317抵接到限位板310或者侧板314，限位杆316上还设有第二挡圈318和限位环319，第二挡圈318固定在限位杆316上，限位环319滑动设于限位杆316上，且限位环319与限位板310接触，限位杆316上还套设有第二弹簧322，第二弹簧322两端分别抵接到第二挡圈318和限位环319，限位环319上端与限位块313相连接。
具体地，如图5~图8所示，第一转移机构300还包括转移块323，限位块313底面设有倒置的T形块324，转移块323侧面设有倒置的T形槽325，T形块324与T形槽325配合，转移块323下端设有两个对称布置的L形板326，L形板326上通过铰接连接有挡板327；转移块323两侧均设有限位孔330，且限位孔330贯穿过T形块324，当挡块317抵接到限位板310时，限位杆316一端穿设于限位孔330中，而在挡块317抵接到侧板314的斜段时，在第二弹簧322的作用下，限位杆316逐渐从限位孔330中移出，而当挡块317抵接到侧板314的直段时，限位杆316已经完全位于限位孔330以外了。
具体地，如图2~图4所示，升降架200的宽度边上朝向中心设有连杆202，连杆202一端底部设有凸块203，凸块203端面设有卡槽204，转移块323顶面设有凹槽328，凹槽328内设有卡板329，应用时，卡板329穿设于卡槽204中，此时挡块317已经在侧板314的斜段上移动了，并逐渐向直段靠近。
具体地，如图2、图9所示，第二转移机构400包括T形板401，T形板401一端连接于直线升降机构的移动端上，直线升降机构安装于工作台100上，T形板401其余两端滑动穿设于第二支撑杆402上，第二支撑杆402安装于工作台100上，T形板401上沿其长度方向设有长条孔403，长条孔403内设有第二丝杆404，第二丝杆404一端连接第二电机405，第二电机405安装于T形板401上，第二丝杆404上套设有滑块406，滑块406下端设有支撑板407，支撑板407上沿工作台100的长度方向设有第二伸缩杆408，第二伸缩杆408一端设有转移杆409，用于承载晶圆架。
具体地，基于上述晶圆片玻璃浆电泳装置的结构，S081中转移晶圆架还包括如下详细操作步骤：
S0811、第一电机308驱动第一丝杆304转动，使移动块305朝向传送带移动，在限位板310的作用下，移动块305下方的限位块313向下移动，当移动块305移动至传送带上方时，转移块323下方的L形板326将晶圆架拉起；
S0812、第一电机308驱动第一丝杆304反转，使移动块305朝向凸块203移动，限位杆316在侧板314的作用下从限位孔330中移出，当晶圆架位于电泳池上方时，转移块323卡在凸块203上。
具体地，如图2、图5所示，为了避免升降架200下降时，升降架200直接与工作台100发生碰撞，将第一支撑杆302穿过承载架301，并且在第一支撑杆302还套设有第三弹簧331，第三弹簧331下端抵接到第三挡圈332，第三挡圈安装在第一支撑杆302上，第三弹簧331上端连接有挡环333，挡环333滑动穿设于第一支撑杆302上，则在升降架200下降时会首先与挡环333接触，并在第三弹簧331的作用下提供缓冲力。
具体地，如图9所示，直线升降机构包括第三丝杆501，第三丝杆501安装于立柱502中，立柱502安装于工作台100上，第三丝杆501一端连接第三电机503，第三电机503安装于立柱502上。
利用上述晶圆片玻璃浆电泳装置进行S08电泳玻璃以积淀出一层玻璃粉的详细操作步骤为：
在对晶圆片表面用电泳的方式进行填充玻璃粉时，采用晶圆片玻璃浆电泳装置进行，在装有晶圆片的晶圆架经传送带输送至工作台100侧面时，启动第一电机308，驱使第一丝杆304转动，使移动块305朝向传送带移动，在移动块305的移动过程中，由于限位块313抵接到横板309底面，在限位块313开始与三角块311接触时，第一弹簧321被压缩，限位块313会同时向下移动，并且限位杆316会跟随限位块313一起移动，且运动的轨迹相同，在限位块313从第一丝杆304一端移动至靠近传送带的一端时，晶圆架已经处在L形板326上，而挡板327已经被压下又重新弹起，挡板327阻挡晶圆架从L形板326上掉落，此时限位杆316已经完全进入限位孔330中，避免L形板326带动晶圆架移动时，转移块323与限位块313之间脱离配合，然后再次启动第一电机308，驱使第一丝杆304反转，使移动块305带动其通过滑杆307连接的限位块313朝向第一凹部101中的电泳池移动，随着限位块313在三角块311的斜面上移动，限位块313会在水平移动的同时逐渐上升，将晶圆架从传送带上取出，在限位块313不再与三角块311接触后，限位块313会水平移动一段距离，直到挡块317与侧板314的斜段相接触，在侧板314斜段的作用下，使得第二弹簧322被压缩，限位杆316逐渐从限位孔330中移出，在挡块317与侧板314的直段相接触时，限位杆316已经处在限位孔330外，此时转移块323已经抵接到了连杆202底部的凸块203，并且转移块323上的卡板329已经卡在了凸块203的卡槽204中，以此阻挡承载有晶圆架的转移块323继续移动，随着移动块305的继续移动，限位块313底面的T形块324与转移块323侧面的T形槽325也脱离配合，然后启动第一伸缩杆201，驱使升降架200向下移动，使晶圆架进入电泳池中，开始对晶圆片进行电泳，在电泳结束后，再次启动第一伸缩杆201，驱使升降架200上升，随后启动第二伸缩杆408使转移杆409朝向晶圆架移动，然后启动第三电机503，驱使第三丝杆501转动，使T形板401上升，并将晶圆架托起预定高度，然后启动第二电机405，驱使第二丝杆404转动，使支撑板407朝向传送带移动一定距离，从而带动晶圆架朝向传送带移动一定距离，避免将晶圆架从L形板326上取下时发生干涉，随后再次启动第二伸缩杆408，将晶圆架转移至第二凹部102上方，再次启动第三电机503，驱使第三丝杆501反向转动，使T形板401下降，则晶圆架放置于第二凹部102中静置一段时间。
以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种GPP二极管芯片生产方法，其特征在于，包括步骤：
S01、扩散来料：将硅片的表面清洗后，在硅片两面分别形成N+区和P+区，形成有N+区和P+区的硅片称之为晶圆片；
S02、生长氧化：高温状态下对晶圆片退火处理并在表面形成一层均匀的氧化膜，将温度控制为1200℃~1250℃；氧气流量控制在3L/min~5L/min，氧化时间30min~50min；
S03、P面光刻：在晶圆片具有P+区的一面均涂抹光刻胶，通过光刻在晶圆片上形成芯片图形；
S04、氧化腐蚀：去除氧化膜；
S05、N面涂胶：在晶圆片具有N+区的一面上涂抹光刻胶；
S06、湿法蚀刻：待腐蚀区域中硅及化合物与酸液发生反应，形成腐蚀沟槽；
S07、去胶清洗：用清洗剂和纯水将晶圆片上蚀刻后残留的光刻胶去除，并去除晶圆片表面的杂质及有机污染物；
S08、电泳玻璃：使腐蚀沟槽在丙酮玻璃粉溶液中被积淀一层玻璃粉，并进行高温烧成，高温状态下玻璃粉由粉状转变为熔融态，冷却后形成第一透明玻璃钝化层；
S09、刀刮玻璃：在晶圆表面再次涂抹一层玻璃粉，再次进行高温烧成，高温状态下玻璃粉由粉状转变为熔融态，冷却后形成第二透明玻璃钝化层；
S10、二次光刻：将光刻胶涂抹在晶圆片表面，并再次进行光刻；
S11、镀镍或者金：在晶圆片表面镀一层镍或金；
S12、芯片测试；
S13、激光划片；
S14、晶圆裂片；
S15、封装测试。
2.根据权利要求1所述的GPP二极管芯片生产方法，其特征在于，步骤S01包括以下步骤：
S011、在清洗后的硅片的其中一面涂布磷，并利用高温扩散使磷进入硅片，此时相邻两个硅片之间会互相粘结，则在高温扩散完成后对相邻两个硅片之间进行分割；
S012、对扩散磷后的硅片进行喷砂、清洗；
S013、在硅片的另一面涂布硼，并利用高温扩散使硼进入硅片，此时相邻两个硅片之间会互相粘结，则在高温扩散完成后对相邻两个硅片之间进行分割，而后，涂布硼的一面形成P+区，涂布磷的一面形成N+区。
3.根据权利要求1所述的GPP二极管芯片生产方法，其特征在于，S02中形成的氧化膜厚度在3000埃~5000埃。
4.根据权利要求1所述的GPP二极管芯片生产方法，其特征在于，S08中电泳后的玻璃粉厚度为10um-30um。
5.根据权利要求1所述的GPP二极管芯片生产方法，其特征在于，S08中电泳玻璃时采用晶圆片玻璃浆电泳装置进行玻璃粉积淀，所述晶圆片玻璃浆电泳装置包括：
多个依次布置的工作台（100），所述工作台（100）设于间歇传动的传送带一侧，所述工作台（100）表面沿其长度方向依次设有第一凹部（101）和第二凹部（102），所述第一凹部（101）内设有电泳池，所述第二凹部（102）用于放置晶圆架；
升降架（200），位于所述第一凹部（101）上方，并安装于第一伸缩杆（201）上，所述第一伸缩杆（201）安装于所述工作台（100）上，所述升降架（200）用于承载晶圆架至电泳池中；
第一转移机构（300），设于所述升降架（200）上方，并安装于所述工作台（100）上，用于转移晶圆架至所述升降架（200）上；
第二转移机构（400），安装于所述第二凹部（102）上方，用于将晶圆架从所述升降架（200）转移至所述第二凹部（102）中。
6.根据权利要求5所述的GPP二极管芯片生产方法，其特征在于，S08中，使腐蚀沟槽在丙酮玻璃粉溶液中被积淀一层玻璃粉，包括步骤：
S081、装有晶圆的晶圆架经传送带输送至工作台（100）的一侧，第一转移机构（300）将晶圆架转移至升降架（200）上；
S082、驱动第一伸缩杆（201），使升降架（200）下降，晶圆架进入电泳池中，开始对晶圆进行电泳，以使腐蚀沟槽在丙酮玻璃粉溶液中被积淀一层玻璃粉；
S083、电泳完成后，升降架（200）上升，第二转移机构（400）将升降架（200）上的晶圆架转移至第二凹部（102）中。
7.根据权利要求5所述的GPP二极管芯片生产方法，其特征在于，所述第一转移机构（300）包括承载架（301），所述承载架（301）位于所述升降架（200）上方，且所述承载架（301）两侧下方设有第一支撑杆（302），所述第一支撑杆（302）安装于所述工作台（100）上，所述承载架（301）中心沿长度方向设有横杆（303），所述横杆（303）内设有第一丝杆（304），所述第一丝杆（304）一端连接第一电机（308），所述第一电机（308）安装于所述承载架（301）上，所述横杆（303）两侧均依次设有横板（309）和限位板（310），所述横板（309）底面远离所述第一凹部（101）的一端设有三角块（311），所述横板（309）表面沿长度方向设有贯穿的滑槽（312），且所述滑槽（312）还贯穿所述三角块（311）；
所述第一丝杆（304）上套设有移动块（305），所述移动块（305）上端两侧均设有支板（306），所述支板（306）上穿设有滑杆（307），所述滑杆（307）穿设于所述滑槽（312）中，所述滑杆（307）下端设有限位块（313），所述限位块（313）抵接到所述横板（309）底面，所述滑杆（307）上端设有第一挡圈（320），所述滑杆（307）上还套设有第一弹簧（321），所述第一弹簧（321）两端分别抵接到所述第一挡圈（320）和所述支板（306）。
8.根据权利要求7所述的GPP二极管芯片生产方法，其特征在于，所述限位板（310）远离所述第一凹部（101）的一端向下倾斜预定角度，且倾斜的角度与所述三角块（311）的斜面角度相同，所述限位板（310）侧面靠近所述第一凹部（101）的一端设有侧板（314），且所述侧板（314）位于远离所述横杆（303）的一侧，所述侧板（314）包括斜段和直段，斜段与所述限位板（310）连接，直段与所述承载架（301）连接，所述限位板（310）侧面沿其轨迹设有贯穿的限位槽（315），且所述限位槽（315）贯穿过所述侧板（314）；
所述限位槽（315）内穿设有限位杆（316），所述限位杆（316）一端设有挡块（317），所述挡块（317）抵接到所述限位板（310）或者所述侧板（314），所述限位杆（316）上还设有第二挡圈（318）和限位环（319），所述第二挡圈（318）固定在所述限位杆（316）上，所述限位环（319）滑动设于所述限位杆（316）上，且所述限位环（319）与所述限位板（310）接触，所述限位杆（316）上还套设有第二弹簧（322），所述第二弹簧（322）两端分别抵接到所述第二挡圈（318）和所述限位环（319），且所述限位环（319）上端与所述限位块（313）相连接。
9.根据权利要求8所述的GPP二极管芯片生产方法，其特征在于，所述第一转移机构（300）还包括转移块（323），所述限位块（313）底面设有倒置的T形块（324），所述转移块（323）侧面设有倒置的T形槽（325），所述T形块（324）与所述T形槽（325）配合，所述转移块（323）下端设有两个对称布置的L形板（326），所述L形板（326）上通过铰接连接有挡板（327）；
所述转移块（323）两侧均设有限位孔（330），且所述限位孔（330）贯穿过所述T形块（324），应用时，所述限位杆（316）一端穿设于所述限位孔（330）中。
10.根据权利要求9所述的GPP二极管芯片生产方法，其特征在于，所述升降架（200）的宽度边上朝向中心设有连杆（202），所述连杆（202）一端底部设有凸块（203），所述凸块（203）端面设有卡槽（204），所述转移块（323）顶面设有凹槽（328），所述凹槽（328）内设有卡板（329），应用时，所述卡板（329）穿设于所述卡槽（204）中。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210678126.9A CN114783893B (zh) | 2022-06-16 | 2022-06-16 | 一种gpp二极管芯片生产方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210678126.9A CN114783893B (zh) | 2022-06-16 | 2022-06-16 | 一种gpp二极管芯片生产方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114783893A true CN114783893A (zh) | 2022-07-22 |
| CN114783893B CN114783893B (zh) | 2022-09-20 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202210678126.9A Active CN114783893B (zh) | 2022-06-16 | 2022-06-16 | 一种gpp二极管芯片生产方法 |
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| Country | Link |
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