CN114779869A - 一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统 - Google Patents

一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统 Download PDF

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黄志勇
吴泽庆
周命福
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    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/565Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
    • G05F1/567Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation

Abstract

本发明属于电子电路技术领域,涉及一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统,包括:供电电路、数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路,所述供电电路的输出端同时与所述数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路,以使供电电路能够分别给所述数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路供电,所述供电电路上还连接有带隙基准电路,所述带隙基准电路的输出端同时与所述数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路连接。其优点在于,能够降低电源噪声对无线收发芯片的干扰,从而提升无线收发芯片的工作性能。

Description

一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统
技术领域
本发明属于电子电路技术领域,涉及一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统。
背景技术
近年来,随着射频集成电路技术的发展和成熟,射频通讯产品的成本也越来越低,且射频通讯产品也不断完善,发展速度及普及率迅速增加。但是,随着技术的发展,作为射频通讯产品的核心之翼的射频通讯芯片面临巨大的挑战,更高程度的系统集成已成为获得更低成本和更高性能的必须手段,因此在射频收发芯片中需要集成大量的功能模块,如低噪声的放大器、上/下频混频器、低噪声滤波器、调制解调、高频时钟合成器(PLL)、射频功率放大器、数字逻辑控制、晶体振荡器等单元电路,这些模块对电源的噪声要求各有不同,特别是射频接收端,对电源的噪声的要求非常苛刻,因此对服务射频芯片的电源管理芯片提出了严格的要求。
但是现有的无线收发芯片在使用时,对电源管理的功能要求相对较低,由于无线收发芯片上有多个功能部分,例如,数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路,因此无线收发芯片供电的系统电源本身会存在噪音,由于供电系统并不是单独的为上述功能部分供电,导致电源噪声对无线收发芯片的干扰大大增加,从而降低了无线收发芯片的工作性能。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统,能够降低电源噪声对无线收发芯片的干扰,从而提升无线收发芯片的工作性能。
为了实现上述目的,本发明采用了以下技术方案:
一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统,包括:供电电路、数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路,所述供电电路的输出端同时与所述数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路,以使供电电路能够分别给所述数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路供电,所述供电电路上还连接有带隙基准电路,所述带隙基准电路的输出端同时与所述数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路连接。
进一步的,所述带隙基准电路与所述数字集成电路之间、所述带隙基准电路与所述模拟集成电路之间、所述带隙基准电路与所述射频接收电路之间及所述带隙基准电路与所述射频发射电路之间均依次设置有滤波电路、模拟跟随器X1及LDO稳压电路。
进一步的,所述滤波电路包括:电容C1、电阻R1及电容C2,所述电阻R1的一端与带隙基准电路连接,所述电阻R1的另一端连接模拟跟随器X1,所述电容C1连接在所述电阻R1与所述带隙基准电路之间,所述电容C1的另一端接地,所述电容C2连接在所述电阻R1与所述模拟跟随器X1之间,所述电容C2的另一端接地,以使电容C1、电阻R1及电容C2构成π型滤波电路。
进一步的,所述带隙基准电路的输出端与滤波电路之间还连接有电容C3。
进一步的,所述带隙基准电路包括:MOS管PM1、MOS管PM2、MOS管PM3、三极管Q0、三极管Q1、三极管Q2及放大器U1,所述MOS管PM1的源极连接供电电路,所述MOS管PM1的漏极连接放大器U1的1号连接端,所述MOS管PM1的栅极连接放大器U1的3号连接端,所述MOS管PM2的源极连接供电电路,所述MOS管PM2的漏极连接放大器U1的2号连接端,所述MOS管PM2的栅极连接放大器U1的3号连接端,所述MOS管PM3的源极连接MOS管PM2的源极,所述MOS管PM3的栅极连接MOS管PM2的栅极,所述MOS管PM3的漏极用于连接LDO稳压电路,所述三极管Q2的集电极与三极管Q1的集电极连接,所述三极管Q2的基极与所述三极管Q2的集电极串联,所述三极管Q2的发射极连接电阻R3后与MOS管PM3的漏极相连接,所述三极管Q1发射极串联电阻R2后与放大器U1的2号连接端连接,所述三极管Q1的集电极接地,所述三极管Q1的基极与三极管Q1的集电极串联,所述三极管Q0的发射极连接至所述放大器U1的1号连接端与MOS管PM1之间的相连接端,所述三极管Q0的集电极接地,所述三极管Q0的基极与三极管Q0的集电极串联。
进一步的,所述LDO稳压电路包括:MOS管PM4、MOS管PM5、MOS管PM6、MOS管NM0、MOS管NM1及MOS管NM2,所述MOS管PM4的源极用于连接供电电路,MOS管PM4的栅极连接MOS管PM5的栅极,MOS管PM4的漏极连接MOS管NM1的漏极,MOS管PM5的源极用于连接供电电路,MOS管PM5的漏极与所述MOS管NM2的漏极相连接,所述MOS管PM5的漏极还连接所述MOS管PM5的栅极,MOS管PM6的源极连接MOS管PM5的源极,MOS管PM6的漏极连接电压输出端VOUT,所述MOS管PM6的栅极连接MOS管PM4的漏极,所述MOS管NM1的栅极用于连接MOS管PM3的漏极,所述MOS管NM1的源极连接MOS管NM2的源极,所述MOS管NM0的漏极连接MOS管NM1的源极与MOS管NM2的源极之间的相连接端,MOS管NM0的源极接地,所述MOS管NM0的栅极连接模拟跟随器X1。
进一步的,所述LDO稳压电路还包括:电阻R5及电阻R6,电阻R5的一端连接MOS管NM0的源极,电阻R5的另一端连接电阻R6的其中一端,电阻R6的另一端连接MOS管PM6的漏极。
进一步的,所述LDO稳压电路还包括:电阻R7及电容C3,电阻R7的其中一端连接至MOS管PM6的栅极与MOS管PM4的漏极之间,电阻R7的另一端连接电容C3,电容C3的另一端连接MOS管PM4的源极与MOS管PM2的源极之间。
本发明的有益效果:
通过将数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路分别于供电电路连接,从而将数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路划分到独立的电源区域中,减少电流信号对其他电路的影响,保证无线收发芯片工作时能够降低电源噪声对无线收发芯片的干扰,从而提升无线收发芯片的工作性能;并且通过设置带隙基准电路,使得输出电压的噪声能够更低,并且还能够将参考电压分配输送到数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路,避免了现有的数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路未设置独立电源引入噪声的问题。
附图说明
附图1是本发明的原理示意图;
附图2是本发明中噪音隔离时的过程示意图;
附图3是本发明中带隙基准参考电压产生电路原理图;
附图4是本发明中LDO稳压电路原理图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
参考附图1及附图2,一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统,包括:供电电路、数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路,所述供电电路的输出端同时与所述数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路,以使供电电路能够分别给所述数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路供电,所述供电电路上还连接有带隙基准电路,所述带隙基准电路的输出端同时与所述数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路连接。
由于现有的无线收发芯片在工作时,供电部分并不是单独的为无线收发芯片中的数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路等功能部分供电,因此会导致多个功能部分在工作时会产生影响,导致无线收发芯片工作时产生噪音,因此在本申请中通过将数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路分别于供电电路连接,从而将数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路划分到独立的电源区域中,减少电流信号对其他电路的影响,保证无线收发芯片工作时能够进一步的降低和抑制电源噪声,从而降低噪声对芯片内功能模块的影响;并且通过设置带隙基准电路,使得输出电压的噪声能够更低,并且还能够将参考电压分配输送到数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路,避免了现有的数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路未设置独立电源引入噪声的问题。
在一个实施例中,数字集成电路包括:数字算法电路、MCU模块、SPI接口模块及I2C接口模块。
在一个实施例中,模拟集成电路包括:OSC,OSC是oscillator的简称,晶体振荡器,晶振具有压电效应,即在晶片两极外加电压后晶体会产生变形,反过来如外力使晶片变形,则两极上金属片又会产生电压。如果给晶片加上适当的交变电压,晶片就会产生谐振。晶振利用一种能把电能和机械能相互转化的晶体,在共振的状态下工作可以提供稳定、精确的单频振荡。
在一个实施例中,射频接收电路包括:射频PA、LNA模块、AGC模块、VCO模块及混频器,其中射频PA为一种射频功率放大器;LNA为低噪声放大器,低噪声放大器为一种噪声系数很低的放大器。一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器,以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。在放大微弱信号的场合,放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重,因此希望减小这种噪声,以提高输出的信噪比;AGC是一种在输入信号幅度变化很大的情况下,使输出信号幅度保持恒定或仅在较小范围内变化的自动控制电路,AGC的基本原理是产生一个随输入电平而变化的直流AGC电压,利用AGC电压去控制某些放大部件(如中放)的增益,使接收机总增益按照一定规律而变化,AGC电路主要由控制电路和被控电路两部分组成,控制电路就是AGC直流电压的产生部分,被控电路的功能是按照控制电路所产生的变化着的控制电压来改变接收机的增益;VCO模块一个简单的LC振荡器,可以采用直流输入控制电压改变其输出频率,可以使用变容二极管来达到这个目的,这些二极管根据直流电压来改变电容;混频器是输出信号频率等于两输入信号频率之和、差或为两者其他组合的电路,混频器通常由非线性元件和选频回路构成。混频器位于低噪声放大器(LNA)之后,直接处理LNA放大后的射频信号,为实现混频功能,混频器还需要接收来自压控振荡器的本振(LO)信号,其电路完全工作在射频频。
在一个实施例中,射频接发射电路包括:LNA模块、VCO模块及DAC模块,其中,DAC又称D/A转换器,简称DAC,它是把数字量转变成模拟的器件。D/A转换器基本上由4个部分组成,即权电阻网络、运算放大器、基准电源和模拟开关。模数转换器中一般都要用到数模转换器,模数转换器即A/D转换器,简称ADC,它是把连续的模拟信号转变为离散的数字信号的器件。
从电路结构上来说,抑制电源噪声的常用方法是采用差分电路结构,差分结构的电路采用一正一负的一对差分信号来传送信号,在理想的情况下,信号通路商的所有电路都关于这对差分信号完全对称,因此电源噪声对差分信号线的干扰是完全相等的共模干扰,但是无线收芯片中的某些电路中,振荡器VCO/晶体振荡器XO等,其特殊的电路结构是很容易受到电源造成的影响。而低噪声放大器LNA为了减小器件噪声的影响,因此在无线收发芯片的设计中必须为电路提供低噪声的电源电压,并采取措施降低无线收发芯片内其他电路产生的电源噪声,在一个实施例中,为了进一步的降低无线收发芯片内电源噪声对上述功能模块的影响,所述带隙基准电路与所述数字集成电路之间、所述带隙基准电路与所述模拟集成电路之间、所述带隙基准电路与所述射频接收电路之间及所述带隙基准电路与所述射频发射电路之间均依次设置有滤波电路、模拟跟随器X1及LDO稳压电路,LDO稳压电路的设置,能够在保证电源质量的同时,有效的将负载模块产生的电流毛刺限制在本地,减少负载的噪声注入,从而进一步降低上述功能模块间的噪声干扰,无线收发芯片内的参考电压通过带隙基准电路形成的,带隙基准电路具有输出电压高、且电压受温度的变化小等特点,被广泛应用于各种电路设计中,但是带隙基准电路输出参考电压时,也产生了较大的噪声,一般在1μV/Hz,很难满足无线收发芯片中各个功能部分对基准电压噪声的要求,为了减小输出噪声;因此设置了滤波电路来滤除噪声。
在一个实施例中,所述滤波电路包括:电容C1、电阻R1及电容C2,所述电阻R1的一端与带隙基准电路连接,所述电阻R1的另一端连接模拟跟随器X1,所述电容C1连接在所述电阻R1与所述带隙基准电路之间,所述电容C1的另一端接地,所述电容C2连接在所述电阻R1与所述模拟跟随器X1之间,所述电容C2的另一端接地,以使电容C1、电阻R1及电容C2构成π型滤波电路,π型滤波电路的设置,能够滤除电源声源的高频噪声。
在一个实施例中,所述带隙基准电路的输出端与滤波电路之间还连接有电容C3。
在一个实施例中,参考附图3,所述带隙基准电路包括:MOS管PM1、MOS管PM2、MOS管PM3、三极管Q0、三极管Q1、三极管Q2及放大器U1,所述MOS管PM1的源极连接供电电路,所述MOS管PM1的漏极连接放大器U1的1号连接端,所述MOS管PM1的栅极连接放大器U1的3号连接端,所述MOS管PM2的源极连接供电电路,所述MOS管PM2的漏极连接放大器U1的2号连接端,所述MOS管PM2的栅极连接放大器U1的3号连接端,所述MOS管PM3的源极连接MOS管PM2的源极,所述MOS管PM3的栅极连接MOS管PM2的栅极,所述MOS管PM3的漏极用于连接LDO稳压电路,所述三极管Q2的集电极与三极管Q1的集电极连接,所述三极管Q2的基极与所述三极管Q2的集电极串联,所述三极管Q2的发射极连接电阻R3后与MOS管PM3的漏极相连接,所述三极管Q1发射极串联电阻R2后与放大器U1的2号连接端连接,所述三极管Q1的集电极接地,所述三极管Q1的基极与三极管Q1的集电极串联,所述三极管Q0的发射极连接至所述放大器U1的1号连接端与MOS管PM1之间的相连接端,所述三极管Q0的集电极接地,所述三极管Q0的基极与三极管Q0的集电极串联。
在一个实施例中,参考附图4,所述LDO稳压电路包括:MOS管PM4、MOS管PM5、MOS管PM6、MOS管NM0、MOS管NM1及MOS管NM2,所述MOS管PM4的源极用于连接供电电路,MOS管PM4的栅极连接MOS管PM5的栅极,MOS管PM4的漏极连接MOS管NM1的漏极,MOS管PM5的源极用于连接供电电路,MOS管PM5的漏极与所述MOS管NM2的漏极相连接,所述MOS管PM5的漏极还连接所述MOS管PM5的栅极,MOS管PM6的源极连接MOS管PM5的源极,MOS管PM6的漏极连接电压输出端VOUT,所述MOS管PM6的栅极连接MOS管PM4的漏极,所述MOS管NM1的栅极用于连接MOS管PM3的漏极,所述MOS管NM1的源极连接MOS管NM2的源极,所述MOS管NM0的漏极连接MOS管NM1的源极与MOS管NM2的源极之间的相连接端,MOS管NM0的源极接地,所述MOS管NM0的栅极连接模拟跟随器X1。
在一个实施例中,所述LDO稳压电路还包括:电阻R5及电阻R6,电阻R5的一端连接MOS管NM0的源极,电阻R5的另一端连接电阻R6的其中一端,电阻R6的另一端连接MOS管PM6的漏极。
在一个实施例中,所述LDO稳压电路还包括:电阻R7及电容C3,电阻R7的其中一端连接至MOS管PM6的栅极与MOS管PM4的漏极之间,电阻R7的另一端连接电容C3,电容C3的另一端连接MOS管PM4的源极与MOS管PM2的源极之间。
在LDO稳压电路的选择上,为了降低系统成本和避免引入高频电磁噪声,因此将LDO稳压电路及乃至整个电源管理系统集成至无限收发芯片上,由于LDO稳压电路在使用了参考电压源,因此使得LDO稳压电路在工作时的输出噪声相对较低,从而为无线收发芯片提供性能保证。
以上所述的实施例,只是本发明的较优选的具体方式之一,本领域的技术员在本发明技术方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本发明的保护范围内。

Claims (8)

1.一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统,其特征在于,包括:供电电路、数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路,所述供电电路的输出端同时与所述数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路,以使供电电路能够分别给所述数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路供电,所述供电电路上还连接有带隙基准电路,所述带隙基准电路的输出端同时与所述数字集成电路、模拟集成电路、射频接收电路及射频发射电路连接。
2.根据权利要求1所述的一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统,其特征在于,所述带隙基准电路与所述数字集成电路之间、所述带隙基准电路与所述模拟集成电路之间、所述带隙基准电路与所述射频接收电路之间及所述带隙基准电路与所述射频发射电路之间均依次设置有滤波电路、模拟跟随器X1及LDO稳压电路。
3.根据权利要求2所述的一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统,其特征在于,所述滤波电路包括:电容C1、电阻R1及电容C2,所述电阻R1的一端与带隙基准电路连接,所述电阻R1的另一端连接模拟跟随器X1,所述电容C1连接在所述电阻R1与所述带隙基准电路之间,所述电容C1的另一端接地,所述电容C2连接在所述电阻R1与所述模拟跟随器X1之间,所述电容C2的另一端接地,以使电容C1、电阻R1及电容C2构成π型滤波电路。
4.根据权利要求3所述的一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统,其特征在于,所述带隙基准电路的输出端与滤波电路之间还连接有电容C3。
5.根据权利要求1所述的一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统,其特征在于,所述带隙基准电路包括:MOS管PM1、MOS管PM2、MOS管PM3、三极管Q0、三极管Q1、三极管Q2及放大器U1,所述MOS管PM1的源极连接供电电路,所述MOS管PM1的漏极连接放大器U1的1号连接端,所述MOS管PM1的栅极连接放大器U1的3号连接端,所述MOS管PM2的源极连接供电电路,所述MOS管PM2的漏极连接放大器U1的2号连接端,所述MOS管PM2的栅极连接放大器U1的3号连接端,所述MOS管PM3的源极连接MOS管PM2的源极,所述MOS管PM3的栅极连接MOS管PM2的栅极,所述MOS管PM3的漏极用于连接LDO稳压电路,所述三极管Q2的集电极与三极管Q1的集电极连接,所述三极管Q2的基极与所述三极管Q2的集电极串联,所述三极管Q2的发射极连接电阻R3后与MOS管PM3的漏极相连接,所述三极管Q1发射极串联电阻R2后与放大器U1的2号连接端连接,所述三极管Q1的集电极接地,所述三极管Q1的基极与三极管Q1的集电极串联,所述三极管Q0的发射极连接至所述放大器U1的1号连接端与MOS管PM1之间的相连接端,所述三极管Q0的集电极接地,所述三极管Q0的基极与三极管Q0的集电极串联。
6.根据权利要求2所述的一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统,其特征在于,所述LDO稳压电路包括:MOS管PM4、MOS管PM5、MOS管PM6、MOS管NM0、MOS管NM1及MOS管NM2,所述MOS管PM4的源极用于连接供电电路,MOS管PM4的栅极连接MOS管PM5的栅极,MOS管PM4的漏极连接MOS管NM1的漏极,MOS管PM5的源极用于连接供电电路,MOS管PM5的漏极与所述MOS管NM2的漏极相连接,所述MOS管PM5的漏极还连接所述MOS管PM5的栅极,MOS管PM6的源极连接MOS管PM5的源极,MOS管PM6的漏极连接电压输出端VOUT,所述MOS管PM6的栅极连接MOS管PM4的漏极,所述MOS管NM1的栅极用于连接MOS管PM3的漏极,所述MOS管NM1的源极连接MOS管NM2的源极,所述MOS管NM0的漏极连接MOS管NM1的源极与MOS管NM2的源极之间的相连接端,MOS管NM0的源极接地,所述MOS管NM0的栅极连接模拟跟随器X1。
7.根据权利要求6所述的一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统,其特征在于,所述LDO稳压电路还包括:电阻R5及电阻R6,电阻R5的一端连接MOS管NM0的源极,电阻R5的另一端连接电阻R6的其中一端,电阻R6的另一端连接MOS管PM6的漏极。
8.根据权利要求7所述的一种低噪声无线收发芯片的电源管理系统,其特征在于,所述LDO稳压电路还包括:电阻R7及电容C3,电阻R7的其中一端连接至MOS管PM6的栅极与MOS管PM4的漏极之间,电阻R7的另一端连接电容C3,电容C3的另一端连接MOS管PM4的源极与MOS管PM2的源极之间。
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