CN114761610B - 磁控溅射成膜装置 - Google Patents

Abstract

磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(52)、第1磁控等离子体单元(11)、以及第2磁控等离子体单元(12)。磁控溅射成膜装置(1)满足至少条件[1]。条件[1]：在从第1旋转靶(13)的第2轴线(A2)朝向成膜辊(52)的第1轴线(A1)的第1方向上，从第1磁体部(15)到第1旋转靶(13)的距离(L1)随着朝向轴线(A)方向一侧而变长。在从第2旋转靶(33)的第3轴线(A3)朝向成膜辊(52)的第1轴线(A1)的第2方向上，从第2磁体部(35)到第2旋转靶(33)的距离(L2)随着朝向轴线(A)方向另一侧而变长。

Description

磁控溅射成膜装置

技术领域

本发明涉及一种磁控溅射成膜装置。

背景技术

以往，公知有在成膜辊相对配置有彼此相邻的两个磁控溅射单元的双重型的磁控溅射成膜装置(例如，参照下述专利文献1。)。两个磁控溅射单元各自具备旋转靶和收纳于该旋转靶的内侧的磁体。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：“反应溅射沉积：Reactive Sputter Deposition”，出版：Springer、p346，2008年

发明内容

发明要解决的问题

若驱动非专利文献1的磁控溅射成膜装置，则一个旋转靶的长度方向一端部的附近的电子密度变得比长度方向中间部和另一端部的附近的电子密度高。另一方面，另一个旋转靶的长度方向另一端部的附近的电子密度变得比长度方向中间部和一端部的附近的电子密度高。

上述的现象是双重型的磁控溅射成膜装置的特有的现象，其起因于：由于在各靶所产生的等离子体的相互作用，越是彼此相对配置的两个靶的内侧、越产生不对称且大幅度倾斜了的电场。

这样一来，与中间部和另一端部相比，一个旋转靶的长度方向一端部与由于电子而产生的离子之间的碰撞频度变高。因此，一个旋转靶的长度方向一端部溅射得比一个旋转靶的中间部和另一端部多，因此，变薄。这样一来，这样的一个旋转靶需要较早更换，因此，存在一个旋转靶的使用期间变短这样的不良情况。对于另一个旋转靶，也起因于长度方向另一端部(与电子密度较高的区域相对的部分)与由于电子而产生的离子之间的碰撞的频度较高，而导致与一个旋转靶的长度方向一端部同样的不良情况。

另外，在由磁控溅射成膜装置制造的溅射膜中，与一个旋转靶的长度方向一端部相对的部分比与旋转靶的中间部和另一端部相对的部分厚，其结果，存在不成为厚度在轴线方向上均匀的溅射膜这样的不良情况。对于与另一个旋转靶相对的溅射膜，也导致同与上述的一个旋转靶相对的溅射膜同样的不良情况。

因此，试行将一个磁控溅射单元中的一端部的磁体设为磁力较弱的磁体、将中间部和另一端部的磁体设为磁力较强的磁体的方案(第1试行方案)。另外，也试行局部地去除一个磁控溅射单元中的一端部的磁体的方案(第2试行方案)。对于其他磁控溅射单元，也研究与上述同样的试行方案。

不过，在第1试行方案中，在磁力不同的磁体的边界处产生磁力的不连续部分，因此，存在产生电子密度的不均匀、进而无法使溅射膜的厚度在整个轴向上均匀这样的不良情况。而且，在第2试行方案中，与磁体的有无相对应，产生磁力的不均匀部分，因此，存在产生电子密度的不均匀、进而无法使溅射膜的厚度在整个轴向上均匀这样的不良情况。

本发明提供一种能够抑制第1旋转靶和第2旋转靶在整个轴线方向上不均匀地变薄、能够制造厚度在整个轴线方向上均匀的溅射膜的磁控溅射成膜装置。

用于解决问题的方案

本发明(1)包括一种磁控溅射成膜装置，该磁控溅射成膜装置具备：成膜辊；第1磁控等离子体单元，其与所述成膜辊相对配置，沿着所述成膜辊的轴线延伸；以及第2磁控等离子体单元，其与所述成膜辊相对配置，并与所述第1磁控等离子体单元相邻配置，沿着所述成膜辊的轴线延伸，所述第1磁控等离子体单元具备：第1旋转靶，其轴线在与所述成膜辊的轴线相同的方向上延伸；第1磁轭，其配置于所述第1旋转靶的径向内侧；以及第1磁体部，其在所述第1旋转靶的径向内侧配置于所述第1磁轭的表面，所述第2磁控等离子体单元具备：第2旋转靶，其轴线在与所述第1旋转靶的轴线相同的方向上延伸；第2磁轭，其配置于所述第2旋转靶的径向内侧；以及第2磁体部，其在所述第2旋转靶的径向内侧配置于所述第2磁轭的表面，该磁控溅射成膜装置满足下述条件[1]～条件[3]中的至少任一个条件。

条件[1]：在从所述第1旋转靶的轴线朝向所述成膜辊的轴线的第1方向上，从所述第1磁体部到所述第1旋转靶的距离随着朝向所述成膜辊的轴线方向一侧而变长，在从所述第2旋转靶的轴线朝向所述成膜辊的轴线的第2方向上，从所述第2磁体部到所述第2旋转靶的距离随着朝向所述成膜辊的轴线方向另一侧而变长。

条件[2]：所述第1磁体部随着朝向所述成膜辊的轴线方向一侧而变薄，所述第2磁体部随着朝向所述成膜辊的轴线方向另一侧而变薄。

条件[3]：所述第1磁轭随着朝向所述成膜辊的轴线方向一侧而变薄，所述第2磁轭随着朝向所述成膜辊的轴线方向另一侧而变薄。

该磁控溅射成膜装置满足条件[1]～条件[3]中的至少任一个条件。

因此，第1旋转靶的轴线方向一端部与离子之间的碰撞频度成为同第1旋转靶的轴线方向中间部和另一端部与离子之间的碰撞频度相同的比例。另外，与离子之间的碰撞频度从第1旋转靶的轴线方向另一端部到一端部变得均匀。因此，能够抑制仅第1旋转靶的轴线方向一端部过度变薄，能够抑制第1旋转靶在整个轴线方向上不均匀地变薄。

另外，第2旋转靶的轴线方向另一端部与离子之间的碰撞频度成为同第2旋转靶的轴线方向中间部和一端部与离子之间的碰撞频度相同的比例。另外，与离子之间的碰撞频度从轴线方向一端部到另一端部变得均匀。因此，能够抑制仅第2旋转靶的轴线方向另一端部过度变薄，能够抑制第2旋转靶在整个轴线方向上不均匀地变薄。

因而，能够抑制溅射膜的轴线方向两端部极端变厚，而且，能够使溅射膜的厚度在整个轴线方向上均匀。

本发明(2)包括(1)所述的磁控溅射成膜装置，其中，所述第1旋转靶与所述成膜辊之间的磁场强度随着朝向所述轴线方向一侧而变低，所述第2旋转靶与所述成膜辊之间的磁场强度随着朝向所述轴线方向另一侧而变低。

在该磁控溅射成膜装置中，第1旋转靶与成膜辊之间的磁场强度能够更加抑制第1旋转靶在整个轴线方向上不均匀地变薄。另外，第2旋转靶与成膜辊之间的磁场强度随着朝向轴线方向另一侧而变低，因此，能够更加抑制第2旋转靶在整个轴线方向上不均匀地变薄。

本发明(3)包括(1)或(2)所述的磁控溅射成膜装置，其中，该磁控溅射成膜装置满足所述条件[1]，所述第1磁体部的厚度和所述第2磁体部的厚度分别在所述成膜辊的整个轴线方向上相同，所述第1磁轭的厚度和所述第2磁轭的厚度分别在所述成膜辊的整个轴线方向上相同。

在该磁控溅射成膜装置中，在整个轴线方向上具有相同的厚度的第1磁体部配置于在整个轴线方向上具有相同的厚度的第1磁轭。

并且，只要这些相对于轴线倾斜地配置，就能够简易地构成第1磁控等离子体单元。因此，能够利用简易的结构的第1磁控等离子体单元抑制第1旋转靶的轴线方向一端部过度变薄，能够抑制第1旋转靶在整个轴线方向上不均匀地变薄。

另外，在整个轴线方向上具有相同的厚度的第2磁体部配置于在整个轴线方向上具有相同的厚度的第2磁轭。并且，只要这些相对于轴线倾斜地配置，就能够简易地构成第2磁控等离子体单元。因此，能够利用简易的结构的第2磁控等离子体单元抑制第2旋转靶的轴线方向另一端部过度变薄，能够抑制第2旋转靶在整个轴线方向上不均匀地变薄。

本发明(4)包括(1)或(2)所述的磁控溅射成膜装置，其中，该磁控溅射成膜装置满足所述条件[1]和所述条件[2]，所述第1方向上的从所述第1磁轭到所述第1旋转靶的距离和所述第2方向上的从所述第2磁轭到所述第2旋转靶的距离分别在所述成膜辊的整个轴线方向上相同。

在该磁控溅射成膜装置中，在厚度在整个轴线方向上相同且沿着轴线配置的第1磁轭，配置有朝向轴线方向一侧逐渐变薄的第1磁体部，因此，能够简易地构成第1磁控等离子体单元。

因此，能够利用简易的结构的第1磁控等离子体单元抑制第1旋转靶的轴线方向一端部过度变薄，能够抑制第1旋转靶在整个轴线方向上不均匀地变薄。

另外，在厚度在整个轴线方向上相同且沿着轴线配置的第2磁轭，配置有朝向轴线方向另一侧逐渐变薄的第2磁体部，因此，能够简易地构成第2磁控等离子体单元。因此，能够利用简易的结构的第2磁控等离子体单元抑制第2旋转靶的轴线方向另一端部过度变薄，能够抑制第2旋转靶在整个轴线方向上不均匀地变薄。

本发明(5)包括(1)或(2)所述的磁控溅射成膜装置，其中，该磁控溅射成膜装置满足所述条件[3]，所述第1方向上的从所述第1磁轭到所述第1旋转靶的距离和所述第2方向上的从所述第2磁轭到所述第2旋转靶的距离分别在所述成膜辊的整个轴线方向上相同。

在该磁控溅射成膜装置中，厚度在整个轴线方向上相同、且沿着轴线的第1磁体部配置于朝向轴线方向一侧逐渐变薄的第1磁轭，因此，能够简易地构成第1磁控等离子体单元。因此，能够利用简易的结构的第1磁控等离子体单元抑制第1旋转靶的轴线方向一端部过度变薄，能够抑制第1旋转靶在整个轴线方向上不均匀地变薄。

另外，厚度在整个轴线方向上相同、且沿着轴线的第2磁体部配置于朝向轴线方向另一侧逐渐变薄的第2磁轭，因此，能够简易地构成第2磁控等离子体单元。因此，能够利用简易的结构的第2磁控等离子体单元抑制第2旋转靶的轴线方向另一端部过度变薄，能够抑制第2旋转靶在整个轴线方向上不均匀地变薄。

发明的效果

本发明的磁控溅射成膜装置能够使第1旋转靶和第2旋转靶在整个轴线方向上均匀地变薄、且制造厚度在整个轴线方向上均匀的溅射膜。

附图说明

图1是本发明的磁控溅射成膜装置的第1实施方式的剖视图。

图2是设置于图1的磁控溅射成膜装置的磁控溅射部的放大剖视图。

图3A和图3B分别表示图2所示的磁控溅射部的第1旋转靶和第2旋转靶各自的剖视图。

图4A和图4B分别表示第2实施方式的磁控溅射成膜装置的磁控溅射部的第1旋转靶和第2旋转靶各自的剖视图。

图5A和图5B分别表示第3实施方式的磁控溅射成膜装置的磁控溅射部的第1旋转靶和第2旋转靶各自的剖视图。

图6A和图6B分别表示第1变形例的磁控溅射成膜装置的磁控溅射部的第1旋转靶和第2旋转靶各自的剖视图。

图7A和图7B分别表示第2变形例的磁控溅射成膜装置的磁控溅射部的第1旋转靶和第2旋转靶各自的剖视图。

图8A和图8B分别表示第3变形例的磁控溅射成膜装置的磁控溅射部的第1旋转靶和第2旋转靶各自的剖视图。

图9A和图9B分别表示第4变形例的磁控溅射成膜装置的磁控溅射部的第1旋转靶和第2旋转靶各自的剖视图。

图10A和图10B分别表示比较例1和比较例2的磁控溅射成膜装置的磁控溅射部的第1旋转靶和第2旋转靶各自的剖视图。

图11A～图11D是比较例1的测定结果，图11A表示第1旋转靶的磨损量，图11B表示第1膜的厚度，图11C表示第2旋转靶的磨损量，图11D表示第2膜的厚度。

图12A～图12D是实施例1的测定结果，图12A表示第1旋转靶的磁通密度的径向分量，图12B表示第1膜的厚度，图12C表示第2旋转靶的磁通密度的径向分量，图12D表示第2膜的厚度。

图13表示实施例2的第1旋转靶的磁通密度的径向分量的测定结果。

图14表示实施例3的第1旋转靶的磁通密度的径向分量的测定结果。

图15A～图15D是比较例3的测定结果，图15A表示第1旋转靶的磨损量除以平均而得到的值，图15B表示第1膜的厚度除以平均而得到的值，图15C表示第2旋转靶的磨损量除以平均而得到的值，图15D表示第2膜的厚度除以平均而得到的值。

图16A～图16D是实施例4的测定结果，图16A表示第1旋转靶的磨损量除以平均而得到的值，图16B表示第1膜的厚度除以平均而得到的值，图16C表示第2旋转靶的磨损量除以平均而得到的值，图16D表示第2膜的厚度除以平均而得到的值。

具体实施方式

参照图1～图3B而说明本发明的磁控等离子体成膜装置的第1实施方式。

如图1所示，磁控溅射成膜装置1是一边输送基材91一边对基材91形成膜92(成膜)的卷对卷方式的成膜装置。磁控溅射成膜装置1具备输送部2和成膜部3。

输送部2具备输送壳体4、送出辊5、卷取辊6、引导辊7、以及真空泵8。

输送壳体4具有沿着输送方向延伸的大致箱形状。输送壳体4收纳送出辊5、卷取辊6以及引导辊7。

送出辊5和卷取辊6分别配置于输送壳体4内的输送方向上游侧端部和下游侧端部。

引导辊7在送出辊5与卷取辊6之间配置有多个。多个引导辊7以使基材91卷绕于成膜辊52的方式配置。

真空泵8设置于输送壳体4。

成膜部3具备成膜壳体51、成膜辊52、以及多个(例如3个)磁控溅射部10。

成膜壳体51与输送壳体4连通，与输送壳体4一起构成真空腔室。成膜壳体51具有大致箱形状。成膜壳体51具有多个分隔壁53。多个分隔壁53朝向成膜辊52延伸。此外，在成膜壳体51设置有未图示的溅射气体供给装置。成膜壳体51收纳成膜辊52和多个磁控溅射部10。

成膜辊52的轴线A1沿着与基材91的输送方向和厚度方向正交的宽度方向。以下，为了区别于其他轴线，将成膜辊52的轴线A1称呼为第1轴线A1。

多个磁控溅射部10以与成膜辊52相对的方式配置于成膜辊52的径向外侧。多个磁控溅射部10以沿着成膜辊52的周向相互隔开间隔的方式配置。

在周向上相邻的磁控溅射部10由分隔壁53分隔开。由分隔壁53分隔开的空间构成成膜室9。成膜室9在成膜壳体51内(真空腔室)中分隔有多个。在1个成膜室9设置有1个磁控溅射部10。多个磁控溅射部10各自具备等离子体壳体20、第1磁控等离子体单元11、以及第2磁控等离子体单元12。

如图2所示，等离子体壳体20具有一侧朝向成膜辊52开口的大致箱形状。等离子体壳体20沿着成膜辊52的第1轴线A1延伸。等离子体壳体20收纳第1磁控等离子体单元11和第2磁控等离子体单元12。

第1磁控等离子体单元11和第2磁控等离子体单元12与成膜辊52相对配置。第1磁控等离子体单元11与第2磁控等离子体单元12以沿着成膜辊52的周向相互隔开间隔的方式相邻地配置。第1磁控等离子体单元11和第2磁控等离子体单元12沿着成膜辊52的第1轴线A1延伸。第1磁控等离子体单元11和第2磁控等离子体单元12经由等离子体壳体20的开口而面对成膜辊52。

如图2和图3A所示，第1磁控等离子体单元11具备第1旋转靶13和第1磁体单元31。

第1旋转靶13具有圆筒形状。第1旋转靶13具有与成膜辊52的第1轴线A1平行的轴线A2。以下，为了区别于其他轴线，将第1旋转靶13的轴线A2称呼为第2轴线A2。第1旋转靶13的第2轴线A2在与成膜辊52的第1轴线A1相同的方向上延伸。第1旋转靶13例如能够向与成膜辊52的旋转方向相反的方向旋转(能够回旋移动)。第1旋转靶13与阴极源(未图示)电连接，由此，能够作为阴极起作用。

第1旋转靶13的材料是用于形成膜92的材料。作为这样的材料，例如，可列举出含有从由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Nb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W构成的组选择的至少1种的金属的金属氧化物。具体而言，可列举出例如铟锡复合氧化物(ITO)等含铟氧化物、例如锑锡复合氧化物(ATO)等含锑氧化物等。

第1磁体单元31收纳(配置)于第1旋转靶13的径向内侧。第1磁体单元31具有在长度方向上延伸的平板形状。第1磁体单元31在整个长度方向上具有相同的厚度。第1磁体单元31的长度方向相对于第2轴线A2倾斜。

第1磁体单元31从第1旋转靶13的第2轴线A2朝向第1方向依次具备第1磁轭14和第1磁体部15，该第1方向朝向成膜辊52的第1轴线A1。优选的是，第1磁体单元31仅具备第1磁轭14和第1磁体部15。

第1磁轭14具有在长度方向上延伸的平板形状。如图3A所示，第1磁轭14包括表面23和背面24。表面23面对成膜辊52。背面24相对于表面23位于成膜辊52的相反侧。背面24与表面23平行。因此，第1磁轭14在整个长度方向上具有相同的厚度。作为第1磁轭14的材料，例如，可列举出相对导磁率是10以上、进而50以上的高导磁率材，具体而言，可列举出铁、不锈钢等金属。

第1磁体部15具有在长度方向上延伸的平板形状。第1磁体部15固定(配置)于第1磁轭14的表面23。第1磁体部15具有表面27和背面28。表面27面对成膜辊52。背面28相对于表面27位于成膜辊52的相反侧。背面28与表面27平行。因此，第1磁体部15在整个长度方向上具有相同的厚度。此外，在该第1实施方式中，如图2所示，第1磁体部15由两个第1磁体21和两个第1磁体21所夹持的第2磁体22构成(被分割成第2磁体22和两个第1磁体21)，例如，第1磁体21的表面27具有N极，第2磁体22的表面27具有S极。

并且，如图3A所示，在该第1磁体单元31中，于在整个长度方向上具有相同的厚度的第1磁轭14，配置有在整个长度方向上具有相同的厚度的第1磁体部15。该第1磁体单元31(第1磁轭14和第1磁体部15中任一个)相对于第2轴线A2倾斜。具体而言，在第1方向上，从第1磁体部15到第1旋转靶13的距离L1随着朝向轴线A方向一侧而变长。由此，满足下述的条件[1]的前半部分。

条件[1]：在第1方向上，从第1磁体部15到第1旋转靶13的距离L1随着朝向轴线A方向一侧而变长(前半部分)。

从第1磁体部15到第1旋转靶13的距离L1在向轴线A方向一侧移动100mm时例如变长0.01mm以上，优选的是变长0.1mm以上，另外，变长的量的上限例如是10mm。

如图2和图3B所示，第2磁控等离子体单元12具备第2旋转靶33和第2磁体单元32。第2磁控等离子体单元12的结构除了第2磁体单元32相对于轴线A的倾斜与第1磁体单元31相对于轴线A的倾斜相反以外，与第1磁控等离子体单元11的结构实质上同样。以下，对于第2磁控等离子体单元12，记载与第1磁控等离子体单元11不同的结构。

第2旋转靶33具有与成膜辊52的第1轴线A1平行的轴线A3。以下，为了区别于其他轴线，第2旋转靶33的轴线A3称呼为第3轴线A3。第2旋转靶33的第3轴线A3在与成膜辊52的第1轴线A1相同的方向上延伸。第2旋转靶33例如能够向与成膜辊52的旋转方向相同的朝向旋转(能够回旋移动)。

第2磁体单元32从第2旋转靶33的第3轴线A3朝向第2方向依次具备第2磁轭34和第2磁体部35，该第2方向朝向成膜辊52的第1轴线A1。

在第2方向上，从第2磁体部35到第2旋转靶33的距离L2随着朝向轴线A方向另一侧而变长。

由此，满足条件[1]的后半部分。

条件[1]：在第2方向上，从第2磁体部35到第2旋转靶33的距离L2随着朝向轴线A方向另一侧而变长(后半部分)。

距离L2变长的程度与上述的距离L1变长的程度相同。

该磁控溅射成膜装置1满足作为上述的条件[1]～条件[3]中的至少1个条件即条件[1]，因此，第1旋转靶13与成膜辊52之间的磁场强度随着朝向轴线A方向一侧而变低，另外，第2旋转靶33与成膜辊52之间的磁场强度随着朝向轴线A方向另一侧而变低。

为了准备图1所示的磁控溅射成膜装置1，首先，分别准备第1磁控等离子体单元11和第2磁控等离子体单元12，将这些设置于磁控溅射部10。

为了准备第1磁控等离子体单元11，首先，例如，将厚度在整个长度方向上相同的第1磁体部15固定于厚度在整个长度方向上相同的第1磁轭14而准备第1磁体单元31。接下来，将第1磁体单元31收纳于第1旋转靶13内。此时，如图3A所示，使第1磁体单元31相对于第2轴线A2倾斜。由此，将第1磁体单元31设置于第1旋转靶13而准备第1磁控等离子体单元11。

另外，与上述的第1磁体单元31向第1旋转靶13的设置同样地，将第2磁体单元32设置于第2旋转靶33而准备第2磁控等离子体单元12。

接着，说明使用该磁控溅射成膜装置1而在基材91形成膜92(成膜)的方法。

首先，将纵长的基材91安放于磁控溅射成膜装置1。作为基材91，并没有特别限定，例如，可列举出高分子膜(PET膜等)、玻璃膜(薄膜玻璃)等。

接下来，驱动真空泵8而将成膜室9设为真空。与此同时，从未图示的溅射气体供给装置向成膜室9供给溅射气体。作为溅射气体，例如，可列举出氩等非活性气体、例如还含有氧的反应性气体等。

接下来，一边使基材91相对于成膜辊52移动，一边使第1旋转靶13和第2旋转靶33分别旋转，并且，施加阴极电压。

由此，电子从第1旋转靶13和第2旋转靶33分别发出。

另外，源自溅射气体的离子(具体而言，氩离子)与第1旋转靶13和第2旋转靶33分别碰撞，由此，第1旋转靶13和第2旋转靶33的材料的粒子从第1旋转靶13和第2旋转靶33依次附着于成膜辊52的外周面上的基材91。由此，膜92在基材91的表面上形成(成膜)。

(第1实施方式的作用效果)

并且，该磁控溅射成膜装置1满足条件[1]。

因此，第1旋转靶13的轴线A方向一端部与离子之间的碰撞频度同第1旋转靶13的轴线A方向中间部和另一端部与离子之间的碰撞频度成为相同的比例。第1旋转靶13与离子之间的碰撞频度从轴线A方向另一端部到一端部变得均匀。因此，能够抑制第1旋转靶13的轴线A方向一端部处的过度的磨损(偏磨损)，能够抑制磨损后的第1旋转靶13在整个轴线A方向上不均匀地变薄。

另外，第2旋转靶33的轴线A方向另一端部与离子之间的碰撞频度同第2旋转靶33的轴线A方向中间部和一端部与离子之间的碰撞频度成为相同的比例。另外，第2旋转靶33与离子之间的碰撞频度从轴线A方向一端部到另一端部变得均匀。因此，能够抑制第2旋转靶33的轴线A方向另一端部处的过度的磨损(偏磨损)，能够抑制磨损后的第2旋转靶33在整个第3轴线A3方向上不均匀地变薄。

因而，能够抑制膜92的轴向(与长度方向和厚度方向正交的方向)(相当于基材91的宽度方向)两端部极端变厚，而且，能够使膜92的厚度在整个轴线A方向上均匀。

另外，在该磁控溅射成膜装置1中，第1旋转靶13与成膜辊52之间的磁场强度随着朝向轴线A方向一侧而变低，第2旋转靶33与成膜辊52之间的磁场强度随着朝向轴线A方向另一侧而变低。

在该磁控溅射成膜装置1中，第1旋转靶13与成膜辊52之间的磁场强度随着朝向轴线A方向一侧而变低，因此，能够更加抑制第1旋转靶13在整个轴线方向上不均匀地变薄。另外，第2旋转靶33与成膜辊52之间的磁场强度随着朝向轴线A方向另一侧而变低，因此，能够更加抑制第2旋转靶33在整个轴线A方向上不均匀地变薄。

另外，在该第1实施方式的第1磁体单元31中，在整个轴线A方向上具有相同的厚度的第1磁体部15配置于在整个轴线A方向上具有相同的厚度的第1磁轭14。并且，第1磁体单元31以相对于轴线A倾斜的方式配置，因此，能够简易地构成第1磁控等离子体单元11。因此，能够利用简易的结构的第1磁控等离子体单元11抑制第1旋转靶13的轴线A方向一端部过度变薄，能够抑制第1旋转靶13在整个轴线A方向上不均匀地变薄。

另外，在第2磁体单元32中，在整个轴线A方向上具有相同的厚度的第2磁体部35配置于在整个轴线A方向上具有相同的厚度的第2磁轭34。

并且，这些以相对于轴线A倾斜的方式配置，因此，能够简易地构成第2磁控等离子体单元12。因此，能够利用简易的结构的第2磁控等离子体单元12抑制第2旋转靶33的轴线A方向另一端部过度变薄，能够抑制第2旋转靶33在整个轴线A方向上不均匀地变薄。

＜第2实施方式＞

在第2实施方式中，对于与上述的第1实施方式同样的构件和工序，标注相同的参照附图标记，省略其详细的说明。另外，第2实施方式除了特别记载以外能够起到与第1实施方式同样的作用效果。而且，能够适当组合第1实施方式和第2实施方式。

在第2实施方式中，如图4A～图4B所示，除了上述条件[1]之外，还满足下述条件[2]。

条件[2]：第1磁体部15随着朝向轴线A方向一侧而变薄。第2磁体部35随着朝向轴线A方向另一侧而变薄。

具体而言，第1磁体部15在向轴线A方向一侧移动100mm时例如薄0.01mm以上，优选的是薄0.1mm以上，另外，变薄的量的上限例如是10mm。第2磁体部35变薄的程度与上述的第1磁体部15变薄的程度相同。

第1磁轭14和第2磁轭34分别相对于第2轴线A2和第3轴线A3不倾斜，而是与第2轴线A2和第3轴线A3分别平行地延伸。

在第1磁体单元31中，在厚度在整个轴线A方向上相同、且沿着轴线A配置的第1磁轭14，配置有厚度朝向轴线A方向一侧逐渐变薄的第1磁体部15。通过以切削量朝向长度方向一侧逐渐变大的方式切削表面27和/或背面28，形成第1磁体部15。

在第2磁体单元32中，在厚度在整个轴线A方向上相同、且沿着轴线A配置的第2磁轭34，配置有朝向轴线A方向另一侧逐渐变薄的第2磁体部35。通过以切削量朝向长度方向另一侧逐渐变大的方式切削表面和/或背面，形成第2磁体部35。

(第2实施方式的作用效果)

在第2实施方式的第1磁体单元31中，在第1磁体单元31中，在厚度在整个轴线A方向上相同、且沿着轴线A配置的第1磁轭14，配置有朝向轴线A方向一侧逐渐变薄的第1磁体部15。因此，能够简易地构成具备上述的第1磁体单元31的第1磁控等离子体单元11。因此，能够利用简易的结构的第1磁控等离子体单元11抑制第1旋转靶13的轴线A方向一端部过度变薄，能够抑制第1旋转靶13在整个轴线A方向上不均匀地变薄。

另外，在第2磁体单元32中，在厚度在整个轴线A方向上相同、且沿着轴线A配置的第2磁轭34，配置有朝向轴线A方向另一侧逐渐变薄的第2磁体部35。因此，能够简易地构成具备上述的第2磁体单元32的第2磁控等离子体单元12。因此，能够利用简易的结构的第2磁控等离子体单元12抑制第2旋转靶33的轴线A方向另一端部过度变薄，能够抑制第2旋转靶33在整个轴线A方向上不均匀地变薄。

＜第3实施方式＞

在第3实施方式中，对于与上述的第1实施方式～第2实施方式同样的构件和工序，标注相同的参照附图标记，省略其详细的说明。另外，第3实施方式除了特别记载以外能够起到与第1实施方式态～第2实施方式同样的作用效果。而且，能够适当组合第1实施方式～第3实施方式。

如图5A～图5B所示，除了在整个轴线A方向上不使第1磁体部15和第2磁体部35各自的厚度变动而是设为相同的厚度、另一方面使第1磁轭14和第2磁轭34各自的厚度变动以外，第3实施方式与第2实施方式同样。具体而言，第3实施方式满足下述条件[3]。

条件[3]：第1磁轭14随着朝向轴线A方向一侧而变薄。第2磁轭34随着朝向轴线A方向另一侧而变薄。

第1磁轭14向轴线A方向一侧移动100mm时例如薄0.01mm以上，优选的是薄0.1mm以上，另外，变薄的量的上限例如是10mm。第2磁轭34变薄的程度与上述的第1磁轭14变薄的程度相同。

通过以切削量朝向长度方向一侧逐渐变大的方式切削表面23和/或背面24，形成第1磁轭14。通过以切削量朝向长度方向另一侧逐渐变大的方式切削表面23和/或背面24，形成第2磁轭34。

(第3实施方式的作用效果)

根据第3实施方式，厚度在整个轴线A方向上相同、且沿着轴线A的第1磁体部15配置于朝向厚度方向一侧逐渐变薄的第1磁轭14，因此，能够简易地构成第1磁控等离子体单元11。因此，能够利用简易的结构的第1磁控等离子体单元11抑制第1旋转靶13的轴线A方向一端部过度变薄，能够抑制第1旋转靶13在整个轴线A方向上不均匀地变薄。

另外，在第2磁体单元32中，厚度在整个轴线A方向上相同、且沿着轴线A的第2磁体部35配置于朝向厚度方向另一侧逐渐变薄的第2磁轭34，因此，能够简易地构成第2磁控等离子体单元12。因此，能够利用简易的结构的第2磁控等离子体单元12抑制第2旋转靶33的轴线A另一端部过度变薄，能够抑制第2旋转靶33在整个轴线A方向上不均匀地变薄。

(第1变形例～第3变形例)

在以下的各变形例中，对于与上述的第1实施方式～第3实施方式同样的构件和工序，标注相同的参照附图标记，省略其详细的说明。另外，各变形例除了特别记载以外能够起到与第1实施方式态～第3实施方式同样的作用效果。

而且，能够适当组合第1实施方式～第3实施方式和各变形例。

第1实施方式满足条件[1]，第2实施方式满足条件[1]和条件[2]，第3实施方式满足条件[3]。

本发明满足条件[1]～条件[3]中的至少任一个条件即可，除了上述的第1实施方式～第3实施方式以外的形态，具体而言，如下表1所示，满足条件[2]的第1变形例(参照图6A～图6B)、均满足条件[1]～条件[3]中任一个的第2变形例(参照图7A～图7B)、满足条件[1]和条件[3]的第3变形例(参照图8A～图8B)、满足条件[2]和条件[3]的第4变形例(参照图9A～图9B)也包含于本发明。将各实施方式～各变形例与条件[1]～条件[3]之间的对应关系记载在表1中。另外，将条件[1]～条件[3]转记于下。

[表1]

条件[1]：在第1方向上，从第1磁体部15到第1旋转靶13的距离L1随着朝向轴线A方向一侧变长。在第2方向上，从第2磁体部35到第2旋转靶33的距离L2随着朝向轴线A方向另一侧变长。

条件[2]：第1磁体部15随着朝向轴线A方向一侧而变薄。第2磁体部35随着朝向轴线A方向另一侧而变薄。

条件[3]：第1磁轭14随着朝向轴线A方向一侧而变薄。第2磁轭34随着朝向轴线A方向另一侧而变薄。

在第1实施方式～第3实施方式和第1变形例～第4变形例中，优选的是，出于第1磁控等离子体单元11和第2磁控等离子体单元12的结构的简单的观点考虑，可列举出第1实施方式～第3实施方式。也就是说，第1实施方式是如下简单的结构：具备厚度在整个轴线A方向上分别相同的第1磁轭14和第1磁体部15的第1磁体单元31相对于轴线A倾斜，第2实施方式是如下简单的结构：在厚度在整个轴线A方向上相同且沿着轴线A的第1磁轭14，配置有逐渐变薄的第1磁体部15，第3实施方式是如下简单的结构：厚度在整个轴线A方向上相同、且沿着轴线A的第1磁体部15配置于逐渐变薄的第1磁轭14。第1实施方式～第3实施方式中的第2磁轭34和第2磁体部35的结构的简单与上述的第1磁轭14和第1磁体部15的结构的简单同样。第1实施方式～第3实施方式与第1变形例～第4变形例相比，结构简单。

＜其他变形例＞

也可以是，第1磁体21的表面27具有S极，第2磁体22的表面27具有N极。

实施例

以下表示实施例和比较例，进一步具体地说明本发明。此外，本发明并不限定于任何实施例和比较例。另外，在以下的记载中所使用的配合比例(比例)、物性值、参数等具体的数值能够替代成在上述的“具体实施方式”中所记载的与它们相对应的配合比例(比例)、物性值、参数等其记载的上限(定义为“以下”、“小于”的数值)或下限(定义为“以上”、“超过”的数值)。

(比较例1)

准备了图10A～图10B所示的第1磁控等离子体单元11和第2磁控等离子体单元12。

在第1磁体单元31中，在平板形状的第1磁轭14配置有平板形状的第1磁体部15。第1磁体单元31沿着轴线A。在第2磁体单元32中，在平板形状的第2磁轭34配置有平板形状的第2磁体部35。第2磁体单元32沿着轴线A。比较例1均不满足条件[1]～[3]中任一个。第1磁轭14和第2磁轭34由铁形成。第1旋转靶13和第2旋转靶33由ITO形成。

向成膜室9导入氩气，同时驱动真空泵8而将成膜室9内的内压设定成0.5Pa，对第1旋转靶13和第2旋转靶33分别施加12kW的电压而实施了100小时的磁控溅射。此时，不从送出辊5朝向卷取辊6输送基材91，而是将基材91设为相对于磁控溅射部10不动。但是，在成膜辊52的外周上存在基材91。

之后，观察了第1旋转靶13、与该第1旋转靶13相对的第1膜、第2旋转靶33、以及与该第2旋转靶33相对的第2膜。

将第1旋转靶13的磨损量与轴线A方向上的位置之间的关系表示在图11A中。将第1膜的厚度与第1膜的轴线A方向位置之间的关系表示在图11B中。将第2旋转靶33的磨损量与轴线A方向上的位置之间的关系表示在图11C中。将第2膜的厚度与第2膜的轴线A位置之间的关系表示在图11D中。

(对比较例1的考察)

如图11A～图11B所示，第1旋转靶13的磨损量的轴线A方向上的特性与第1膜的厚度的轴线A方向上的特性一致。因此，在以后的各实施例中，也推测为这些特性一致。

如图11C～图11D所示，第2旋转靶33的磨损量的轴线A方向上的特性与第2膜的厚度的轴线A方向上的特性一致。因此，在以后的各实施例中，也推测为这些特性一致。

(实施例1)

如图1～图3B所示，准备了上述的第1实施方式的磁控溅射成膜装置1。

具体而言，在第1磁体单元31中，在厚度是10mm的平板形状的第1磁轭14配置有厚度是24mm的平板形状的第1磁体部15。第1磁体单元31相对于轴线A倾斜。从第1磁体部15到第1旋转靶13的距离L1在向轴线A方向一侧移动100mm时变长0.33mm。

在第2磁体单元32中，在厚度是10mm的平板形状的第2磁轭34配置有厚度是24mm的平板形状的第2磁体部35。第2磁体单元32相对于轴线A倾斜。从第2磁体部35到第2旋转靶33的距离L2在向轴线A方向另一侧移动100mm时变长0.33mm。

并且，在第1旋转靶13与成膜辊52之间测定了与第1磁体部15相对的区域中的磁通密度的径向分量。以图12A的实线表示其结果。测定了与第1旋转靶13相对的第1膜的厚度。以图12B的实线表示其结果。

在第2旋转靶33与成膜辊52之间测定了与第2磁体部35相对的区域中的磁通密度的径向分量。以图12C的实线表示其结果。测定了与第2旋转靶33相对的第2膜的厚度。以图12D的实线表示其结果。

(比较例2)

除了不使第1磁体单元31和第2磁体单元32分别相对于轴线A倾斜、而是沿着轴线A以外，与实施例1同样地进行了处理。以图12A～图12D的虚线表示比较例2的测定结果。

(对实施例1的考察)

如从图12A可知那样，推测出：实施例1与比较例2相比，在第1旋转靶13与成膜辊52之间，轴线A方向的一端部的磁通密度减少，第1旋转靶13的轴线A方向一端部与离子之间的碰撞频度同第1旋转靶13的轴线A方向中间部和另一端部与离子之间的碰撞频度成为相同的比例。另外，推测出：实施例1的磁通密度从轴线A方向另一端部到一端部逐渐变低，第1旋转靶13与离子之间的碰撞频度从轴线A方向的另一端部到一端部变得均匀。如从图12B可知那样，实施例1抑制了第1膜的一端部变厚。这样一来，若根据比较例1的考察，则推测为实施例1抑制了磨损后的第1旋转靶13不均匀地变薄。

如从图12C可知那样，推测出：在第2旋转靶33与成膜辊52之间，轴线A方向的另一端部的磁通密度减少，第2旋转靶33的轴线A方向另一端部与离子之间的碰撞频度同第1旋转靶13的轴线A方向中间部和一端部与离子之间的碰撞频度成为相同的比例。另外，推测出：磁通密度从轴线A方向一端部到另一端部逐渐变低，第2旋转靶33与离子之间的碰撞频度从轴线A方向的一端部到另一端部变得均匀。如从图12D可知那样，实施例1抑制了第2膜的另一端部变厚。这样一来，若根据比较例1的考察，则推测为实施例1抑制了磨损后的第2旋转靶33不均匀地变薄。

若根据以上的结果，则推测为：只要利用该磁控溅射成膜装置1的输送部2输送基材91，就能够形成厚度在整个轴线A方向上均匀的膜92。

(实施例2)

如图4A～图4B所示，准备了上述的第2实施方式的磁控溅射成膜装置1。

具体而言，除了变更了下述的点以外，与比较例1同样地进行了处理。

以切削量朝向长度方向一侧逐渐变大的方式切削第1磁体部15的表面27，以第1磁轭14沿着轴线A的方式将第1磁体单元31收纳到第1旋转靶13内。第1磁体部15在向轴线A方向一侧移动100mm时变薄0.33mm。

以切削量朝向轴线A方向另一侧逐渐变大的方式切削第2磁体部35的表面，以第2磁轭34沿着轴线A的方式将第2磁体单元32收纳到第2旋转靶33内。第2磁体部35在向轴线A方向另一侧移动100mm时变薄0.33mm。

并且，在第1旋转靶13与成膜辊52之间计算了与第1磁体部15相对的区域中的磁通密度的径向分量。具体而言，基于下述的软件和计算方法实施磁场模拟而计算了磁通密度。

软件名：JMAG(株式会社JSOL制)

计算方法：有限元法

将其结果表示在图13中。

(对实施例2的考察)

如从图13可知那样，推测出：实施例2与比较例2相比，在第1旋转靶13与成膜辊52之间，轴线A方向的一端部的磁通密度减少，第1旋转靶13的轴线A方向一端部与离子之间的碰撞频度同第1旋转靶13的轴线A方向中间部和另一端部与离子之间的碰撞频度成为相同的比例。这样一来，推测为实施例2抑制了第1旋转靶13的轴线A方向的一端部的偏磨损。

(实施例3)

如图5A～图5B所示，准备了上述的第3实施方式的磁控溅射成膜装置1。

具体而言，在整个轴线A方向上，不使第1磁体部15和第2磁体部35各自的厚度变动，而是设为相同的厚度，另一方面使第1磁轭14和第2磁轭34各自的厚度变动，除此以外，与实施例2同样地进行了处理。

详细而言，以切削量朝向轴线A方向一侧逐渐变大的方式切削第1磁轭14的背面24，以第1磁体部15沿着轴线A的方式将第1磁体单元31收纳到第1旋转靶13内。第1磁轭14在向轴线A方向一侧移动100mm时变薄0.33mm。

以切削量朝向长度方向另一侧逐渐变大的方式切削第2磁轭34的背面，以第2磁体部35沿着轴线A的方式将第2磁体单元32收纳到第2旋转靶33内。第2磁轭34在向轴线A方向另一侧移动100mm时变薄0.33mm。

并且，在第1旋转靶13与成膜辊52之间计算了与第1磁体部15相对的区域中的磁通密度的径向分量。具体而言，基于下述的软件和计算方法实施磁场模拟而计算了磁通密度。

软件名：JMAG(株式会社JSOL制)

计算方法：有限元法

将其结果表示在图14中。

(对实施例3的考察)

如从图14可知那样，推测出：实施例3与比较例2相比，在第1旋转靶13与成膜辊52之间，轴线A方向的一端部的磁通密度减少，第1旋转靶13的轴线A方向一端部与离子之间的碰撞频度同第1旋转靶13的轴线A方向中间部和另一端部与离子之间的碰撞频度成为相同的比例。这样一来，推测为实施例3抑制了第1旋转靶13的轴线A方向的一端部的偏磨损。

＜磨损试验和成膜试验＞

(比较例3)

利用与比较例1相同的磁控溅射成膜装置1与比较例1同样地磁控溅射而形成了第1膜和第2膜。但是，未使第1旋转靶13和第2旋转靶33旋转。因此，在第1旋转靶13和第2旋转靶33任一个中，侵蚀痕都沿着轴线A方向形成于周向的局部。

利用激光位移计测定了第1旋转靶13的磨损量和第2旋转靶33的磨损量。利用水晶振荡式膜厚计测定了第1膜的厚度和第2膜的厚度。

在图15A中表示将第1旋转靶13的磨损量除以平均而得到的值与轴线A方向上的位置之间的关系。在图15B中表示将第1膜的厚度除以平均而得到的值与第1膜中的轴线A方向位置之间的关系。在图15C中表示将第2旋转靶33的磨损量除以平均而得到的值与轴线A方向上的位置之间的关系。在图15D中表示将第2膜的厚度除以平均而得到的值与第2膜中的轴线A位置之间的关系。

上述的图15A和图15C的纵轴是轴线A位置处的磨损量除以轴线A方向上的磨损量的平均而得到的值。图15B的纵轴是轴线A位置处的第1膜的厚度除以轴线A方向上的第1膜的厚度的平均而得到的值。图15D的纵轴是轴线A位置处的第2膜的厚度除以轴线A方向上的第2膜的厚度的平均而得到的值。

(实施例4)

利用与实施例1相同的磁控溅射成膜装置1与实施例1同样地磁控溅射而形成了第1膜和第2膜。但是，未使第1旋转靶13和第2旋转靶33旋转。因此，在第1旋转靶13和第2旋转靶33任一个中，侵蚀痕都沿着轴线A方向形成于周向的局部。

利用激光位移计测定了第1旋转靶13的磨损量和第2旋转靶33的磨损量。利用水晶振荡式膜厚计测定了第1膜的厚度和第2膜的厚度。

在图16A中表示将第1旋转靶13的磨损量除以平均而得到的值与轴线A方向上的位置之间的关系。在图16B中表示将第1膜的厚度除以平均而得到的值与第1膜中的轴线A方向位置之间的关系。在图16C中表示将第2旋转靶33的磨损量除以平均而得到的值与轴线A方向上的位置之间的关系。在图16D中表示将第2膜的厚度除以平均而得到的值与第2膜中的轴线A位置之间的关系。

上述的图16A和图16C的纵轴是轴线A位置处的磨损量除以轴线A方向上的磨损量的平均而得到的值。图16B的纵轴是轴线A位置处的第1膜的厚度除以轴线A方向上的第1膜的厚度的平均而得到的值。图16D的纵轴是轴线A位置处的第2膜的厚度除以轴线A方向上的第2膜的厚度的平均而得到的值。

(实施例4与比较例3之间的对比)

如从图15A和图16A可知那样，可知：实施例4相对于比较例3能够抑制第1旋转靶13的轴线A方向一端部处的过度的磨损(偏磨损)，抑制了磨损后的第1旋转靶13在整个轴线A方向上不均匀地变薄。并且，如从图15B和图16B可知那样，可知抑制了第1膜的一端部变厚。

如从图15C和图16C可知那样，可知：实施例4相对于比较例3能够抑制第2旋转靶33的轴线A方向另一端部处的过度的磨损(偏磨损)，抑制了磨损后的第2旋转靶33在整个轴线A方向上不均匀地变薄。并且，如从图15D和图16D可知那样，可知抑制了第2膜的另一端部变厚。

此外，上述发明提供为本发明的例示的实施方式，但这只不过是一般的例示，并不限定性地解释。由本领域技术人员清楚的本发明的变形例包含于前述权利要求书中。

产业上的可利用性

磁控溅射成膜装置用于第1膜和第2膜的形成。

附图标记说明

1、磁控溅射成膜装置；11、第1磁控等离子体单元；12、第2磁控等离子体单元；13、第1旋转靶；14、第1磁轭；15、第1磁体部；23、表面；33、第2旋转靶；34、第2磁轭；35、第2磁体部；52、成膜辊；A、轴线；A1、第1轴线；A2、第2轴线；A3、第3轴线；L1、距离(从第1磁体部到第1旋转靶的距离)；L2、距离(从第2磁体部到第2旋转靶的距离)。

Claims (5)

1.一种磁控溅射成膜装置，其特征在于，

该磁控溅射成膜装置具备：

成膜辊；

第1磁控等离子体单元，其与所述成膜辊相对配置，沿着所述成膜辊的轴线延伸；以及

第2磁控等离子体单元，其与所述成膜辊相对配置，并与所述第1磁控等离子体单元相邻配置，沿着所述成膜辊的轴线延伸，

所述第1磁控等离子体单元具备：

第1旋转靶，其轴线在与所述成膜辊的轴线相同的方向上延伸；

第1磁轭，其配置于所述第1旋转靶的径向内侧；以及

第1磁体部，其在所述第1旋转靶的径向内侧配置于所述第1磁轭的表面，

所述第2磁控等离子体单元具备：

第2旋转靶，其轴线在与所述第1旋转靶的轴线相同的方向上延伸；

第2磁轭，其配置于所述第2旋转靶的径向内侧；以及

第2磁体部，其在所述第2旋转靶的径向内侧配置于所述第2磁轭的表面，

该磁控溅射成膜装置满足下述条件[1]～条件[3]中的至少任一个条件：

条件[1]：在从所述第1旋转靶的轴线朝向所述成膜辊的轴线的第1方向上，从所述第1磁体部到所述第1旋转靶的距离随着朝向所述成膜辊的轴线方向一侧而变长，在从所述第2旋转靶的轴线朝向所述成膜辊的轴线的第2方向上，从所述第2磁体部到所述第2旋转靶的距离随着朝向所述成膜辊的轴线方向另一侧而变长；

条件[2]：所述第1磁体部随着朝向所述成膜辊的轴线方向一侧而变薄，所述第2磁体部随着朝向所述成膜辊的轴线方向另一侧而变薄；

条件[3]：所述第1磁轭随着朝向所述成膜辊的轴线方向一侧而变薄，所述第2磁轭随着朝向所述成膜辊的轴线方向另一侧而变薄。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射成膜装置，其特征在于，

所述第1旋转靶与所述成膜辊之间的磁场强度随着朝向所述轴线方向一侧而变低，所述第2旋转靶与所述成膜辊之间的磁场强度随着朝向所述轴线方向另一侧而变低。

3.根据权利要求1所述的磁控溅射成膜装置，其特征在于，

该磁控溅射成膜装置满足所述条件[1]，

所述第1磁体部的厚度和所述第2磁体部的厚度分别在所述成膜辊的整个轴线方向上相同，

所述第1磁轭的厚度和所述第2磁轭的厚度分别在所述成膜辊的整个轴线方向上相同。

4.根据权利要求1所述的磁控溅射成膜装置，其特征在于，

该磁控溅射成膜装置满足所述条件[1]和所述条件[2]，

所述第1方向上的从所述第1磁轭到所述第1旋转靶的距离和所述第2方向上的从所述第2磁轭到所述第2旋转靶的距离分别在所述成膜辊的整个轴线方向上相同。

5.根据权利要求1所述的磁控溅射成膜装置，其特征在于，

该磁控溅射成膜装置满足所述条件[3]，

所述第1方向上的从所述第1磁轭到所述第1旋转靶的距离和所述第2方向上的从所述第2磁轭到所述第2旋转靶的距离分别在所述成膜辊的整个轴线方向上相同。