CN114760778A - 基于多层pcb的分区对位方法及用于多层pcb的分区对位装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基于多层PCB的分区对位方法及用于多层PCB的分区对位装置，该方法包括：S101：根据预设的分区信息划分面板的分区，并获取每个分区的标靶的信息，标靶包括分区的四角对应的第一标靶以及分区的分区线对应的第二标靶；S102：根据获取的加工信息选取标靶，通过标靶以及标靶对应的涨缩系数加工分区，其中，加工方式包括镭射钻孔、图形曝光、机械钻孔中的至少一种。本发明通过对面板分区并利用不同分区的涨缩系数进行相应加工的方式大大降低了板材涨缩的影响，从而避免对准度出现偏移，降低了出现崩孔的概率，提升了产品的良率，促进了生产成本的降低。
Description
技术领域
本发明涉及PCB制造领域，尤其涉及一种基于多层PCB的分区对位方法及用于多层PCB的分区对位装置。
背景技术
印制电路板(PrintedCircuitBoard，PCB)是重要的电子部件，一般用于承载电子元器件以及实现电子元器件之间的电气连接。随着电子技术的发展，印制电路板的布线密度越来越大，且印制电路板的复杂度也越来越高。
为了适应高密度布线的需求，盲孔、机械通孔的焊环设计越来越小，例如，在部分PCB中，盲孔、机械通孔的单边焊环设计仅0.030mm，这种情况极容易因板材的涨缩变化产生的非线性扭曲变形造成加工过程中盲孔和机械通孔崩坏，大大降低了产品的良品率，提升了生产成本。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明提出一种基于多层PCB的分区对位方法及用于多层PCB的分区对位装置，在PCB加工中，将面板划分为多个分区，并为每个分区设置相应的标靶，在对面板进行加工时，根据每个分区中的标靶的涨缩系数进行逐区加工，通过对面板分区并利用不同分区的涨缩系数进行相应加工的方式大大降低了板材涨缩的影响，从而避免对准度出现偏移，降低了出现崩孔的概率，提升了产品的良率，促进了生产成本的降低。
为解决上述问题，本发明采用的一个技术方案为：一种基于多层PCB的分区对位方法，所述基于多层PCB的分区对位方法包括：S101：根据预设的分区信息划分面板的分区，并获取每个分区的标靶的信息，所述标靶包括所述分区的四角对应的第一标靶以及所述分区的分区线对应的第二标靶；S102：根据获取的加工信息选取所述标靶，通过所述标靶以及所述标靶对应的涨缩系数加工所述分区，其中，加工方式包括镭射钻孔、图形曝光、机械钻孔中的至少一种。
进一步地，所述根据预设的分区信息划分所述面板的分区的步骤具体包括：根据所述分区信息确定所述面板的分区线，通过所述分区线将所述面板划分为多个分区。
进一步地，所述第一标靶包括原始标靶、新增标靶，所述原始标靶为所述面板的四角对应的标靶，新增标靶的数量不小于所述原始标靶的数量。
进一步地，所述新增标靶、第二标靶不与所述分区线重合，且与相邻的分区线的距离位于预设范围内。
进一步地，同一时间对一个分区进行加工。
进一步地，所述根据获取的加工信息选取所述标靶的步骤具体包括：根据所述加工信息确定所述面板被加工的分区以及所述分区的加工方式，根据所述加工方式选取所述分区以及所述分区的相邻分区中的标靶。
进一步地，所述通过所述标靶以及所述标靶对应的涨缩系数加工所述分区的步骤包括：确定加工方式为镭射钻孔，通过所述分区对应的第一标靶进行对位，根据所述第一标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数，基于所述涨缩系数对所述分区进行镭射钻孔加工，并通过所述涨缩系数加工出图形曝光使用的对位标靶。
进一步地，所述通过所述标靶以及所述标靶对应的涨缩系数加工所述分区的步骤包括：确定加工方式为图形曝光，获取所述图形曝光对应的对位标靶进行对位，根据所述对位标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数，基于所述涨缩系数进行图形曝光，并根据所述涨缩系数曝光出用于镭射钻孔的对位标靶。
进一步地，所述通过所述标靶以及所述标靶对应的涨缩系数加工所述分区的步骤包括：确定加工方式为机械钻孔，根据所述分区对应的第一标靶的涨缩系数确定所述分区不同区域的涨缩系数，通过所述涨缩系数、机械钻孔对应的第二标靶对所述分区进行机械钻孔加工。
基于相同的发明构思，本发明还提出一种用于多层PCB的分区对位装置，所述分区对位装置包括处理器、存储器，所述处理器与所述存储器通信连接，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器通过所述计算机程序执行如上述实施例所述的基于多层PCB的分区对位方法。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：在PCB加工中，将面板划分为多个分区，并为每个分区设置相应的标靶，在对面板进行加工时，根据每个分区中的标靶的涨缩系数进行逐区加工，通过面板分区并利用不同分区的涨缩系数进行相应加工的方式大大降低了板材涨缩的影响，从而避免对准度出现偏移，降低了出现崩孔的概率，提升了产品的良率，促进了生产成本的降低。
附图说明
图1为本发明基于多层PCB的分区对位方法一实施例的流程图；
图2为本发明基于多层PCB的分区对位方法中面板分区一实施例的示意图；
图3为本发明基于多层PCB的分区对位方法中对位标靶设计一实施例的示意图；
图4为本发明基于多层PCB的分区对位方法中对位标靶设计另一实施例的示意图；
图5为本发明基于多层PCB的分区对位方法中镭射钻孔加工对位标靶一实施例的示意图；
图6为本发明基于多层PCB的分区对位方法中四分区与不分区变形对比一实施例的示意图；
图7为本发明基于多层PCB的分区对位方法中L5/6变形对比趋势一实施例的示意图；
图8为本发明基于多层PCB的分区对位方法中L4/7变形对比趋势一实施例的示意图；
图9为本发明基于多层PCB的分区对位方法中L3/8变形对比趋势一实施例的示意图；
图10为本发明基于多层PCB的分区对位方法中L2/9变形对比趋势一实施例的示意图；
图11为本发明基于多层PCB的分区对位方法中L1/10变形对比趋势一实施例的示意图；
图12为本发明用于多层PCB的分区对位装置一实施例的结构图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，通常在此处附图中描述和示出的各本公开实施例在不冲突的前提下，可相互组合，其中的结构部件或功能模块可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本公开的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本公开的范围，而是仅仅表示本公开的选定实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
在本申请公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本公开。在本公开和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
请参阅图1至图11，其中，图1为本发明基于多层PCB的分区对位方法一实施例的流程图；图2为本发明基于多层PCB的分区对位方法中面板分区一实施例的示意图；图3为本发明基于多层PCB的分区对位方法中对位标靶设计一实施例的示意图；图4为本发明基于多层PCB的分区对位方法中对位标靶设计另一实施例的示意图；图5为本发明基于多层PCB的分区对位方法中镭射钻孔加工对位标靶一实施例的示意图；图6为本发明基于多层PCB的分区对位方法中四分区与不分区变形对比一实施例的示意图；图7为本发明基于多层PCB的分区对位方法中L5/6变形对比趋势一实施例的示意图；图8为本发明基于多层PCB的分区对位方法中L4/7变形对比趋势一实施例的示意图；图9为本发明基于多层PCB的分区对位方法中L3/8变形对比趋势一实施例的示意图；图10为本发明基于多层PCB的分区对位方法中L2/9变形对比趋势一实施例的示意图；图11为本发明基于多层PCB的分区对位方法中L1/10变形对比趋势一实施例的示意图，其中，图6中虚线组成的虚线框为面板的变形状态，面板内部与虚线相交的实体框为面板的无变形状态。结合图1至图11对本发明基于多层PCB的分区对位方法作详细说明。
基于多层PCB的分区对位方法包括：
S101：根据预设的分区信息划分面板的分区，并获取每个分区的标靶的信息，标靶包括分区的四角对应的第一标靶以及分区的分区线对应的第二标靶。
现有技术中，PCB在经过电镀、压合等流程后，受到温度、湿度、压力的冲击，PCB的板材会出现涨缩变化，这种变化伴随着非线性扭曲变形，导致加工过程中镭射对衬底、图形对盲孔、图形对机械孔的对准度出现偏移，最终导致崩孔。其中，面板四角上的标靶变形值越大，则崩孔的风险就越大，不分区的变形值在0.1mm左右，崩孔比例20％左右，需要降低崩孔的比例。
根据预设的分区信息划分面板的分区的步骤具体包括：根据分区信息确定所述面板的分区线，通过分区线将面板划分为多个分区。
在本实施例中，分区的数量为四个，且分区的面积大小相等，在其他实施例中，分区的数量也可以根据用户需求设置为三个、五个以及其他数量，且分区的面积大小也可以不相等，在此不做限定。
其中，对面板划分分区的方式可以为左右划分、上下划分以及上下左右划分，具体划分方式可自行设定。
在一个具体的实施例中，将面板分为上下左右四个分区，具体为A区、B区、C区、D区，且每个分区的面积相等，通过分区线进行分割。
在本实施例中，第一标靶包括原始标靶、新增标靶，原始标靶为面板的四角对应的标靶。新增标靶、第二标靶不与分区线重合，且与相邻的分区线的距离位于预设范围内。
在本实施例中，预设范围为与最近的分区线的距离为±50mm。在其他实施例中，也可以为±40mm、±45mm、±48mm以及其他数值，用户可根据需求进行设置。
在本实施例中，第二标靶可以设置在靠近分区上下两侧的分区线的位置，也可以设置在靠近分区左右两侧的分区线的位置。
在一个具体的实施例中，面板四角的原始标靶编号为①②③④，分区后，得到的新增标靶编号为⑤⑥⑦⑧⑨。其中，新增标靶⑤⑥⑦⑧⑨不可以设计在分区线上，其设置在分区线上下、左右两侧距分区线+/-50mm位置。并生成分区的第二标靶，每个分区中的第二标靶编号分为EF、GH、IJ、KL。
S102：根据获取的加工信息选取标靶，通过标靶以及标靶对应的涨缩系数加工所述分区，其中，加工方式包括镭射钻孔、图形曝光、机械钻孔中的至少一种。
在本实施例中，根据获取的加工信息选取标靶的步骤具体包括：根据加工信息确定面板被加工的分区以及分区的加工方式，根据加工方式选取分区以及分区的相邻分区中的标靶。
在加工方式为镭射钻孔时，通过标靶以及标靶对应的涨缩系数加工分区的步骤包括：确定加工方式为镭射钻孔，通过分区对应的第一标靶进行对位，根据第一标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数，基于涨缩系数对分区进行镭射钻孔加工，并通过涨缩系数加工出图形曝光使用的对位标靶。
在本实施例中，通过测量距离测量标靶相对于预设位置的距离得到标靶实际距离和设计距离，根据该实际距离与设计距离的比(实际距离/设计距离)计算涨缩系数。
在本实施例中，对位标靶与相邻的分区线的距离也位于预设范围内。
在一个具体的实施例中，面板分为ABCD四个分区，在确定加工方式为镭射钻孔时，对A区使用编号为①⑤⑥⑦的标靶进行对位，根据标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数(实际距离/设计距离)，并按此系数对整个A区进行镭射钻孔加工(即A区内的图形进行加工钻孔)。其中，使用标靶①⑤⑥⑦进行对位时，仅加工A区，其他分区不进行加工，根据标靶①⑤⑥⑦的涨缩系数，加工出用于图形曝光对位的对位标靶(图形曝光需要对位标靶作为基准，使用镭射加工的标靶对位，对准度会更加好，使用原有标靶可以进行对位，但对位效果较差)。对于B区使用标靶⑤②⑦⑧进行对位，根据标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数(实际距离/设计距离)，并按此系数对整个B区进行镭射钻孔加工。其中，使用标靶⑤②⑦⑧进行对位时，仅加工B区，其他区不可进行加工。根据标靶⑤②⑦⑧的涨缩系数，加工出对位标靶，用于图形曝光对位。对于C区使用标靶⑥⑦④⑨进行对位，根据标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数(实际距离/设计距离)，并按此系数对整个C区进行镭射钻孔加工。使用标靶⑥⑦④⑨进行对位时，仅加工C区，其他区不可进行加工。根据标靶⑥⑦④⑨的涨缩系数，加工出对位标靶，用于图形曝光对位。对于D区，使用标靶⑦⑧⑨③进行对位，根据标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数(实际距离/设计距离)，并按此系数对整个D区进行镭射钻孔加工。其中，使用标靶⑦⑧⑨③进行对位时，仅加工D区，其他区不可进行加工。根据标靶⑦⑧⑨③的涨缩系数，加工出对位标靶，用于图形曝光对位。具体的，镭射钻孔加工用于图形曝光对位的对位标靶的编号为M、N、O、P、Q、R、S、T、U，共9个。其中，对位标靶M、O、U、S分别设计在A区、B区、C区、D区，对位标靶的涨缩系数与其所在的分区保持一致。其中，对位标靶中的共用标靶N、P、Q、R、T可设计在分区线两侧+/-50mm范围内，共用标靶的涨缩系数与其所在的分区保持一致。
进一步地，在加工方式为图像曝光时，通过标靶以及标靶对应的涨缩系数加工分区的步骤包括：确定加工方式为图形曝光，获取图形曝光对应的对位标靶进行对位，根据对位标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数，基于涨缩系数进行图形曝光，并根据涨缩系数曝光出用于下一层面板镭射钻孔的对位标靶。
在PCB的HDI(High Density Interconnector，高密度互连)线路板的典型叠构中，10层HDI需要压合4次。其中，L5/6压合后为L4/7层、L4/7层压合后为L3/8层、L3/8压合后为L2/9层、L2/9层压合后为L1/10层。每个层次需要做一次镭射钻孔和图形曝光。镭射的对位标靶设计在前一个层次的相邻层(如L4/5镭射孔的对位标靶设计在L5层图形，通过镭射烧出标靶周边的铜和树脂露出标靶进行抓取；L4层图形的对位标靶由L4/5层镭射钻孔时钻出5*5矩阵孔)。当图形曝光使用镭射钻出的矩阵孔对位时，对准度会更加好。每一个层次均有图形对镭射孔、镭射孔对图形的对准度要求(不容许崩盘)。
在一个具体的实施例中，划分的分区为ABCD四个分区，对于A区使用对位标靶M、N、P、Q进行对位，根据对位标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数(实际距离/设计距离，通过实际距离/设计距离计算涨缩系数)，并按此涨缩系数对整个A区进行图形曝光。其中，使用对位标靶M、N、P、Q进行对位时，仅曝光A区，其他区不可进行曝光。根据对位标靶M、N、P、Q的涨缩系数，曝光出对位标靶，用于镭射钻孔对位。对于B区使用对位标靶N、O、Q、R进行对位，根据对位标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数，并按此系数对整个B区进行图形曝光。其中，使用对位标靶N、O、Q、R进行对位时，仅曝光B区，其他区不可进行曝光。并根据对位标靶N、O、Q、R的涨缩系数，曝光出用于镭射钻孔对位的对位标靶。对于C区，使用对位标靶P、Q、S、T进行对位，根据对位标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数(实际距离/设计距离)，并按此系数对整个C区进行图形曝光。其中，使用对位标靶P、Q、S、T进行对位时，仅曝光C区，其他区不可进行曝光。根据对位标靶P、Q、S、T的涨缩系数，曝光出用于镭射钻孔对位的对位标靶。对于D区，使用对位标靶Q、R、T、U进行对位，根据对位标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数(实际距离/设计距离)，并按此涨缩系数对整个D区进行图形曝光。其中，使用对位标靶Q、R、T、U进行对位时，仅曝光D区，其他区不可进行曝光。根据对位标靶Q、R、T、U的涨缩系数，曝光出用于镭射钻孔对位的对位标靶。图形曝光用于镭射钻孔对位的对位标靶的编号为①②③④⑤⑥⑦⑧⑨，共9个。对位标靶①②③④分别设计在A区、B区、C区、D区，对位标靶的涨缩系数与其所在分区保持一致。对位标靶中的共用标靶⑤⑥⑦⑧⑨可设计在分区线两侧+/-50mm范围内，共用标靶的涨缩系数与其所在分区保持一致。
在加工方式为机械钻孔时，通过标靶以及标靶对应的涨缩系数加工分区的步骤包括：确定加工方式为机械钻孔，根据分区对应的第一标靶的涨缩系数确定分区不同区域的涨缩系数，通过涨缩系数、机械钻孔对应的第二标靶对分区进行机械钻孔加工。
在一个具体的实施例中，面板划分为ABCD四个分区，对于A区，使用标靶①⑤⑥⑦进行对分区的不同区域进行涨缩分类和加工，不同的涨缩类型使用对应的涨缩系数。其中，A区使用标靶E、F进行对位，仅加工A区，其他区不可进行加工。对于B区使用标靶⑤②⑦⑧进行对分区的不同区域涨缩分类和加工，不同的涨缩类型使用对应的涨缩系数。B区使用标靶G、H进行对位，仅加工B区，其他区不可进行加工。对于C区，使用标靶⑥⑦④⑨对分区的不同区域进行涨缩分类，不同的涨缩类型使用对应的涨缩系数。C区使用标靶I、J进行对位，仅加工C区，其他区不可进行加工。对于D区，使用标靶⑦⑧⑨③对D区的不同区域进行涨缩分类，不同的涨缩类型使用对应的涨缩系数。D区使用标靶K、L进行对位，仅加工D区，其他区不可进行加工。其中，涨缩分类时，使用X-RAY测量设备测量每块面板的每个区的涨缩系数，将分区以宫格方式划分为多个区域，对于A区测量编号为①⑤⑥⑦的标靶，根据标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数(根据实际距离/设计距离计算涨缩系数，该涨缩系数落在A区中的哪个区域，所落的区域就使用该系数。每个宫格均有对应不同涨缩系数的机械钻孔。
在本实施例中，将面板划分为四个分区后，理论上变形值在不分区的基础上减小了50％，如图6所示，没有进行四分区状态下的a、b、c、d变形值明显大于四分区的a’、b’、c’、d’(以A区为例)，理论上变形值减小50％。
通过图7-图11可以看出，L5/6层变形对比(参考典型叠构，L5/6为芯core层，第1次压合后为L4/7层，第2次压合后为L3/8层，第3次压合后为L2/9层，第4次压合后为L1/10层；每个层次均需要做镭射钻孔和图形曝光)中，不分区的变形值约2.0mil左右，四分区变形值约0.5mil左右，变形得到显著降低。L4/7层变形对比(第一次压合后的层次)中不分区的变形值约4.0mil左右，四分区变形值约1.5mil左右，变形得到显著降低。L3/8层变形对比中，不分区的变形值约4.0mil左右，四分区变形值约1.5mil左右，变形得到显著降低。L2/9层变形对比中，不分区的变形值约4.0mil左右，四分区变形值约1.5mil左右，变形得到显著降低。L1/10层变形对比中，不分区的变形值约4.5mil左右，四分区变形值约1.5mil左右，变形得到显著降低。四分区比传统不分区的变形有显著的降低，变形值由原来的4.5mil左右下降到1.5mil左右。
其中，各层崩孔分析对比如下：
表一、各层崩孔分析对比
根据表一可知，不分区各层累计崩孔为20.7％(镭射崩底pad、图形崩盲孔、图形崩机械孔之和)，四分区累计崩孔比例为0％，崩孔缺陷得到显著降低，显著提升了产品良率。
本发明的基于多层PCB的分区对位在PCB加工中，将面板划分为多个分区，并为每个分区设置相应的标靶，在对面板进行加工时，根据每个分区中的标靶的涨缩系数进行逐区加工，通过面板分区并利用不同分区的涨缩系数进行相应加工的方式大大降低了板材涨缩的影响，从而避免对准度出现偏移，降低了出现崩孔的概率，提升了产品的良率，促进了生产成本的降低。
基于相同的发明构思，本发明还提出一种用于多层PCB的分区对位装置，请参阅图12，其中，图12为本发明用于多层PCB的分区对位装置一实施例的结构图。结合图12对本发明的用于多层PCB的分区对位装置进行详细说明。
在本实施例中，分区对位装置包括处理器、存储器，处理器与存储器通信连接，存储器存储有计算机程序，处理器通过计算机程序执行如上述实施例所述的基于多层PCB的分区对位方法。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种基于多层PCB的分区对位方法，其特征在于，所述基于多层PCB的分区对位方法包括：
S101：根据预设的分区信息划分面板的分区，并获取每个分区的标靶的信息，所述标靶包括所述分区的四角对应的第一标靶以及所述分区的分区线对应的第二标靶；
S102：根据获取的加工信息选取所述标靶，通过所述标靶以及所述标靶对应的涨缩系数加工所述分区，其中，加工方式包括镭射钻孔、图形曝光、机械钻孔中的至少一种。
2.如权利要求1所述的基于多层PCB的分区对位方法，其特征在于，所述根据预设的分区信息划分所述面板的分区的步骤具体包括：
根据所述分区信息确定所述面板的分区线，通过所述分区线将所述面板划分为多个分区。
3.如权利要求2所述的基于多层PCB的分区对位方法，其特征在于，所述第一标靶包括原始标靶、新增标靶，所述原始标靶为所述面板的四角对应的标靶，新增标靶的数量不小于所述原始标靶的数量。
4.如权利要求3所述的基于多层PCB的分区对位方法，其特征在于，所述新增标靶、第二标靶不与所述分区线重合，且与相邻的分区线的距离位于预设范围内。
5.如权利要求1所述的基于多层PCB的分区对位方法，其特征在于，同一时间对一个分区进行加工。
6.如权利要求3所述的基于多层PCB的分区对位方法，其特征在于，所述根据获取的加工信息选取所述标靶的步骤具体包括：
根据所述加工信息确定所述面板被加工的分区以及所述分区的加工方式，根据所述加工方式选取所述分区以及所述分区的相邻分区中的标靶。
7.如权利要求1所述的基于多层PCB的分区对位方法，其特征在于，所述通过所述标靶以及所述标靶对应的涨缩系数加工所述分区的步骤包括：
确定加工方式为镭射钻孔，通过所述分区对应的第一标靶进行对位，根据所述第一标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数，基于所述涨缩系数对所述分区进行镭射钻孔加工，并通过所述涨缩系数加工出图形曝光使用的对位标靶。
8.如权利要求1所述的基于多层PCB的分区对位方法，其特征在于，所述通过所述标靶以及所述标靶对应的涨缩系数加工所述分区的步骤包括：
确定加工方式为图形曝光，获取所述图形曝光对应的对位标靶进行对位，根据所述对位标靶的实际距离与设计距离计算涨缩系数，基于所述涨缩系数进行图形曝光，并根据所述涨缩系数曝光出用于镭射钻孔的对位标靶。
9.如权利要求1所述的基于多层PCB的分区对位方法，其特征在于，所述通过所述标靶以及所述标靶对应的涨缩系数加工所述分区的步骤包括：
确定加工方式为机械钻孔，根据所述分区对应的第一标靶的涨缩系数确定所述分区不同区域的涨缩系数，通过所述涨缩系数、机械钻孔对应的第二标靶对所述分区进行机械钻孔加工。
10.一种用于多层PCB的分区对位装置，其特征在于，所述分区对位装置包括处理器、存储器，所述处理器与所述存储器通信连接，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器通过所述计算机程序执行如权利要求1-9任一项所述的基于多层PCB的分区对位方法。
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