CN114752997B - 双坩埚液相外延生长装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种双坩埚液相外延生长装置，涉及液相外延生长设备技术领域，包括第一炉体、第二炉体、坩埚组件和驱动组件，所述第一炉体与所述第二炉体通过通孔相连；所述坩埚组件包括两个坩埚，两个所述坩埚分别设置于所述第一炉体和所述第二炉体内部；所述驱动组件用于分别驱动两个所述坩埚穿过所述通孔以对调在所述第一炉体和所述第二炉体内的位置。本发明通过两个坩埚连续调换进而实现液相外延生长薄膜的连续生长，突破膜厚的技术瓶颈，提高薄膜的质量和制备效率，有利于进行批量化生产。

Description

双坩埚液相外延生长装置

技术领域

本发明涉及液相外延生长设备技术领域，具体而言，涉及一种双坩埚液相外延生长装置。

背景技术

稀土铁石榴石(RIG)厚膜作为磁光隔离器的核心器件决定了无源光器件性能、激光武器作战效能和光纤通讯传输效果。为了满足磁光器件小型化、集成化的需求，需要在保证RIG厚膜性能优良的同时缩短厚膜的生长时间、提高生长效率实现RIG厚膜的批量稳定制备。目前液相外延法(LPE)是生长RIG厚膜的主流技术。LPE是在熔融物中，通过降温使固体物质析出在衬底上成核继而反应成膜的单晶生长技术。相较于分子束外延(MBE)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延技术，LPE技术具有成本低、生长速率快、掺杂元素种类灵活等优点，除了衬底本征缺陷的遗传之外，几乎不引入新的缺陷，适合化合物半导体单晶材料、稀土石榴石磁性材料的生长。对于45°法拉第旋转片而言，现阶段适用于磁光隔离器件主流的Bi:RIG或Ce:RIG厚膜材料，其所需的厚度往往在340μm-370μm之间，考虑薄膜后续的打磨抛光过程，LPE生长薄膜厚度应当大于500μm。

然而，目前LPE装置能够获得的磁光薄膜主要集中于直径2-3英寸、膜厚在1μm-100μm范围内，无法满足实际使用需求。主要原因在于，当前生长装置中通常采用单一坩埚，当进行液相外延生长时，随着坩埚中的溶质在衬底上不断的析出，溶质浓度开始不断地下降。这时通过降低温度也无法使溶液达到过饱和，来保持稳定的析出速率，实现薄膜的连续生长。同时薄膜的厚度增加缓慢且薄膜质量出现下降。为保证磁光薄膜连续生长的质量，突破500μm膜厚的技术瓶颈，实现RIG厚膜的批量稳定制备，亟需一种能够突破膜厚的技术瓶颈的同时保证薄膜质量的液相外延生长装置。

发明内容

本发明解决的问题是如何突破膜厚的技术瓶颈并保证薄膜生长质量。

为解决上述问题，本发明提供一种双坩埚液相外延生长装置，包括第一炉体、第二炉体、坩埚组件和驱动组件，所述第一炉体与所述第二炉体通过通孔相连；所述坩埚组件包括两个坩埚，两个所述坩埚分别设置于所述第一炉体和所述第二炉体内部；所述驱动组件用于分别驱动两个所述坩埚穿过所述通孔以对调在所述第一炉体和所述第二炉体内的位置。

进一步地，所述坩埚组件还包括环形底座，两个所述坩埚相对设置于所述环形底座上；所述通孔为两个，所述通孔的底部轮廓与所述环形底座的形状相匹配，所述通孔用于所述驱动组件驱动所述环形底座带动所述坩埚穿过。

进一步地，所述坩埚组件还包括环形密封条，所述环形密封条设置于所述环形底座上，且位于两个所述坩埚之间，所述环形密封条的轮廓与所述通孔的轮廓相匹配，用于所述坩埚穿过所述通孔后密封所述通孔。

进一步地，所述驱动组件包括齿形带和与所述齿形带连接的驱动电机，所述齿形带与所述环形底座的底部相连接，且所述齿形带用于在所述驱动电机的驱动下带动所述环形底座转动。

进一步地，所述第一炉体包括第一内壁和第一外壁，所述第一内壁和所述第一外壁之间设有第一保温层；所述第二炉体包括第二内壁和第二外壁，所述第二内壁和所述第二外壁之间设有第二保温层，所述第一炉体和所述第二炉体的形状为圆筒型，所述第一保温层与所述第二保温层的厚度相同，且所述第一保温层的外侧与所述第二内壁相切。

进一步地，所述第一炉体还包括第一加热层，所述第一加热层设置于所述第一内壁上，所述第一加热层从上到下依次设有五个温度区；所述第二炉体还包括第二加热层，所述第二加热层设置于所述第二内壁上。

进一步地，所述第一炉体和所述第二炉体还包括温度监测组件，所述温度监测组件对应所述第一加热层和所述第二加热层设置，用于监测所述第一加热层和所述第二加热层对应温区的温度。

进一步地，所述第一炉体和所述第二炉体还包括活动阀门，所述活动阀门用于打开或关闭所述述第一炉体和所述第二炉体。

进一步地，所述第一炉体对应所述坩埚位置的上方还设置有第一工作杆，所述第一工作杆用于连接搅拌棒或夹具，且所述第一工作杆分别用于与第一升降机构和第一旋转机构相连接，以实现所述第一工作杆的升降运动或旋转运动；所述第二炉体对应所述坩埚位置的上方还设置有第二工作杆，所述第二工作杆用于连接搅拌棒，且所述第二工作杆分别用于与第二升降机构和第二旋转机构相连接，以实现所述第二工作杆的升降运动或旋转运动。

进一步地，所述第一炉体内对应所述坩埚位置的下方设有托盘，所述托盘分别用于与第三升降机构和第三旋转机构相连接；所述环形底座包括圆台，所述圆台对应所述坩埚底部设置，所述圆台的上表面与所述坩埚底部连接，所述圆台的下表面与所述托盘可拆卸连接，且所述圆台上表面的直径大于所述圆台下表面的直径，用于所述托盘升降或旋转所述圆台时带动所述坩埚升降或旋转。

本发明所述的双坩埚液相外延生长装置相对于现有技术的优势在于，本发明通过相互连接的第一炉体和第二炉体、设置于所述第一炉体和所述第二炉体内部的两个坩埚，以及驱动组件驱动两个坩埚在第一炉体和第二炉体内的位置掉换，能够在进行液相外延生长时通过两个坩埚连续调换进而实现液相外延生长薄膜的连续生长，突破膜厚的技术瓶颈；同时两个坩埚通过连续调换，有利于减小单晶薄膜不同厚度之间的元素比例差异，降低薄膜表面开裂的几率，提高薄膜的质量；本发明通过将第一炉体用于液相外延生长，第二炉体用于准备用于液相外延生长的熔融材料，相对于单个炉体进行外延生长薄膜制造，极大地节省了时间，提高了制备效率，有利于进行批量化生产。

附图说明

图1为本发明实施例中的双坩埚液相外延装置的结构示意图；

图2为本发明实施例中的双坩埚液相外延装置坩埚组件结构示意图；

图3为本发明实施例中的双坩埚液相外延装置中第一炉体与第二炉体的连接结构俯视图；

图4为本发明实施例中的双坩埚液相外延装置中托盘托起圆台的结构示意图；

图5为本发明实施例中的双坩埚液相外延装置中托盘与圆台结构示意图。

附图标记说明：

1-第一炉体；2-第二炉体；3-坩埚；4-环形底座；5-环形密封条；6-齿形带；7-第一内壁；8-第二内壁；9-第一保温层；10-第二保温层；11-第一加热层；12-第二加热层；13-温度监测组件；14-活动阀门；15-第一工作杆；16-第二工作杆；17-托盘；18-圆台；19-第一外壁；20-第二外壁。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

本发明实施例提供了一种双坩埚液相外延生长装置，包括第一炉体1、第二炉体2、坩埚组件和驱动组件，第一炉体1与第二炉体2通过通孔相连；坩埚组件包括两个坩埚3，两个坩埚3分别设置于第一炉体1和第二炉体2内部；驱动组件用于分别驱动两个坩埚3穿过通孔以对调在第一炉体1和第二炉体2内的位置。

如图1所示，具体地，双坩埚液相外延生长装置的第一炉体1用于进行外延生长薄膜，第二炉体2用于熔融粉末原料，位于第二炉体2内的坩埚3将熔融态的粉末原料通过驱动组件输送到第一炉体1内后，向坩埚3内的熔融态的粉末原料加入单晶衬底，进行外延生长薄膜，同时在驱动组件带动下，第一炉体1内的坩埚3进入到第二炉体2内，向坩埚3中加入粉末原料进行熔融，等待输送到第一炉体1内继续在单晶衬底上进行外延生长薄膜。

本发明所述的双坩埚液相外延生长装置通过相互连接的第一炉体1和第二炉体2、设置于所述第一炉体1和所述第二炉体2内部的两个坩埚3，以及驱动组件驱动两个坩埚3在第一炉体1和第二炉体2内的位置调换，能够在进行液相外延生长时通过两个坩埚3连续掉换进而实现液相外延生长薄膜的连续生长，突破膜厚的技术瓶颈；同时两个坩埚3通过连续调换，有利于减小单晶薄膜不同厚度之间的元素比例差异，降低薄膜表面开裂的几率，提高薄膜的质量；本发明通过将第一炉体1用于液相外延生长，第二炉体2用于准备用于液相外延生长的熔融材料，相对于单个炉体进行外延生长薄膜制造，极大地节省了时间，提高了制备效率，有利于进行批量化生产。

在一些实施例中，坩埚组件还包括环形底座4，两个坩埚3相对设置于环形底座4上；通孔为两个，通孔的底部轮廓与环形底座4的形状相匹配，通孔用于驱动组件驱动环形底座4带动坩埚3穿过。

如图2所示，具体地，两个坩埚3可拆卸地设置于环形底座4的上表面，环形底座4的圆环宽度大于坩埚3的外径，同时环形底座4嵌设于两个通孔的底部，可在驱动组件驱动下沿通孔旋转，旋转过程中，环形底座4带动坩埚3移动，通过通孔实现在第一炉体1和第二炉体2之间的位置转换。由此，通过环形底座4与通孔，方便坩埚3在第一炉体1和第二炉体2之间实现位置转换，结构紧凑，设计合理，减少温差对粉末原料及外延生长薄膜的不利影响，同时提高了制备效率。

在一些实施例中，坩埚组件还包括环形密封条5，环形密封条5设置于环形底座4上，且位于两个坩埚3之间，环形密封条5的轮廓与通孔的轮廓相匹配，用于坩埚3穿过通孔后密封通孔。

如图2所示，具体地，环形密封条5与环形底座4的宽度相同，且环形密封条5的轮廓与通孔的轮廓匹配，当环形密封条5与通孔相连接时能够实现通孔的密封，进而阻隔第一炉体1和第二炉体2之间的热交换，实现第一炉体1和第二炉体2的加热温度的互不影响。优选地，环形密封条5的两端靠近坩埚3设置，当坩埚3经过通孔后，迅速实现通孔的密封，减少第一炉体1和第二炉体2之间的热交换，保证第一炉体1内外延生长薄膜过程中温度的稳定，有利于提高外延生长薄膜的质量。较佳地，环形密封条5采用保温材料。由此，进一步降低温度波动对外延生长薄膜质量的影响。

在一些实施例中，驱动组件包括齿形带6和与齿形带6连接的驱动电机，齿形带6与环形底座4的底部相连接，且齿形带6用于在驱动电机的驱动下带动环形底座4转动。

如图1所示，具体地，齿形带6上的凸齿与环形底座4的下表面相连接，且凸齿沿环形底座4的径向排布，当齿形带6在驱动电机的驱动下移动时，齿形带6上的凸齿推动环形底座4的底部实现环形底座4转动。优选地，驱动电机的每一次驱动能够实现环形底座4旋转180°，进而刚好实现两个坩埚3的位置对调，操作准确，效率高。本实施例中的齿形带6设置于第二炉体2内的坩埚3位置的下方，且齿形带6采用具有耐高温材料制成。由此，方便观察驱动效果，同时减少对齿形带6的更换，降低成本。

在一些实施例中，第一炉体1包括第一内壁7和第一外壁19，第一内壁7和第一外壁19之间设有第一保温层9；第二炉体2包括第二内壁8和第二外壁20，第二内壁8和第二外壁20之间设有第二保温层10，第一炉体1和第二炉体2的形状为圆筒型，第一保温层9与第二保温层10的厚度相同，且第一保温层9的外侧与第二内壁8相切。

如图3所示，具体地，第一炉体1和第二炉体2的形状均为圆筒型，且相互连接，为了减少第一炉体1和第二炉体2之间温度波动带来的影响，实现温度稳定，对第一保温层9与第二保温层10的厚度进行了设计，对第一保温层9与第二保温层10采用了相同的厚度，同时选取的保温材料也相同。还针对连接处进行了细致的考虑，将第一炉体1和第二炉体2连接处的保温层厚度与第一保温层9和第二保温层10的厚度相同，进一步稳定两炉体内的温度，提高外延生长薄膜的质量。

在一些实施例中，第一炉体1还包括第一加热层11，第一加热层11设置于第一内壁7上，第一加热层11从上到下依次设有五个温度区；第二炉体2还包括第二加热层12，第二加热层12设置于第二内壁8上。

在一些实施例中，第一炉体1和第二炉体2还包括活动阀门14，活动阀门14用于打开或关闭述第一炉体1和第二炉体2。

如图1所示，具体地，第一加热层11设有五个温度区，从上到下依次为第一温度区、第二温度区、第三温度区、第四温度区和第五温度区，其中第三温度区、第四温度区和第五温度区用于加热第一炉体1内的坩埚3和保证外延生长薄膜的温度稳定。需要说明的是，第一炉体1的活动阀门14设置于第二温度区和第三温度区之间，而第一温度区和第二温度区设置在上方，当打开活动阀门14，放入单晶衬底或取出带有薄膜的单晶衬底时，第一温度区和第二温度区有利于温度活动阀门14附近的温度，控制打开或关闭活动阀门14时冷空气的进入，维护坩埚3所处的第三温度区、第四温度区和第五温度区的温度稳定性，进而减少温差对外延生长薄膜质量的影响，有利于提高外延生长薄膜的质量。

一些实施例中的第二炉体2的活动阀门14同样设置于第二炉体2的上部，当打开活动阀门14时，有利于实现坩埚3内粉末原料的添加或搅拌。

在一些实施例中，第一炉体1和第二炉体2还包括温度监测组件13，温度监测组件13对应第一加热层11和第二加热层12设置，用于监测第一加热层11和第二加热层12对应温区的温度。

如图1所示，具体地，温度监测组件13可为热电偶，为了提高温度监测的准确度，对应第一炉体1的五个温度区分别设置一组热电偶，将热电偶监测到的温度及时进行对比或校正，保证第一炉体1内温度的稳定性。对应第二炉体2设置一组热电偶，并与第一炉体1内的温度进行比较，较少温差对熔融态粉末原料以及对外延生长薄膜质量的影响。

在一些实施例中，第一炉体1对应坩埚3位置的上方还设置有第一工作杆15，第一工作杆15用于连接搅拌棒或夹具，且第一工作杆15分别用于与第一升降机构和第一旋转机构相连接，以实现第一工作杆15的升降运动或旋转运动；第二炉体2对应坩埚3位置的上方还设置有第二工作杆16，第二工作杆16用于连接搅拌棒，且第二工作杆16分别用于与第二升降机构和第二旋转机构相连接，以实现第二工作杆16的升降运动或旋转运动。

如图1所示，具体地，在第一炉体1上方设置第一机架，第一机架用于放置与第一工作杆15分别连接的第一升降机构和第一旋转机构，第一升降机构包括升降电机、丝杠和导轨，升降电机固定在第一机架的下端，丝杠垂直于第一炉体1的上端面设置，升降电机可带动丝杠旋转，导轨沿丝杠轴线方向上下移动。第一旋转机构包括旋转电机，旋转电机与导轨相连接，且旋转电机的方向朝下固定并设置于对应第一炉体1的坩埚3位置的上方，旋转电机通过减速齿轮箱与工作杆相连接，同时实现第一工作杆15的升降运动或旋转运动，工作杆的末端可根据需要更换搅拌棒或夹具。同样地，第二炉体2上方设置第二机架，第二机架用于放置第二升降机构和第二旋转机构，第二升降机构包括升降电机、丝杠和导轨，升降电机固定在第二机架的下端，丝杠垂直于第二炉体2的上端面设置，升降电机可带动丝杠旋转，导轨沿丝杠轴线方向上下移动。第二旋转机构包括旋转电机，旋转电机与导轨相连接，且旋转电机的方向朝下固定并设置于对应第二炉体2的坩埚3位置的上方，旋转电机通过减速齿轮箱与工作杆相连接，同时实现第二工作杆16的升降运动或旋转运动，工作杆的末端可根据连接搅拌棒。优选地，搅拌棒为铂金棒，夹具为铂金夹具用于夹持单晶衬底。

在一些实施例中，第一炉体1内对应坩埚3位置的下方设有托盘17，托盘17分别用于与第三升降机构和第三旋转机构相连接；环形底座4包括圆台18，圆台18对应坩埚3底部设置，圆台18的上表面与坩埚3底部连接，圆台18的下表面与托盘17可拆卸连接，且圆台18上表面的直径大于圆台18下表面的直径，用于托盘17升降或旋转圆台18时带动坩埚3升降或旋转。

如图1、图4和图5所示，具体地，圆台18与环形底座4的锥形孔配合连接，圆台18上表面的直径大于圆台18下表面的直径，圆台18的侧面与锥形孔的侧面配合连接。当托盘17承托圆台18上升时，圆台18脱离环形底座4的锥形孔，当托盘17下降并对圆台18下表面未施加作用力时，圆台18的侧面与锥形孔的侧面连接且锥形孔的侧面对圆台18的侧面起到位置限定作用。本实施例中的第三升降机构包括升降摇杆可实现托盘17通过圆台18带动坩埚3上升和下降，第三旋转机构包括旋转电机，可实现托盘17通过圆台18带动坩埚3旋转。由此，实现坩埚3的升降以及旋转自由度运动，提高外延生长过程的灵活性。

所述双坩埚液相外延生长装置制备外延生长薄膜的工作过程如下：

步骤1：首先打开第二炉体2的活动阀门14，放入装有粉末原料的坩埚3，升高第二炉体2内的温度使粉末原料熔融，分批重复多次加入粉末原料，最后升温、保温，同时将第一炉体1升温。

步骤2：待所有粉末原料处于熔融状态后，启动驱动电机驱动齿形带6带动环形底座4转动180°，第二炉体2的坩埚3在环形底座4的带动下进入第一炉体1并处于原坩埚3位置；将坩埚3降温，打开第一炉体1的活动阀门14，启动第一炉体1的升降电机下降铂金棒至熔体液面以下，启动第一炉体1的旋转电机搅拌熔体，直至呈现镜面等待外延生长。

步骤3：将第二炉体2降温，放入第二个坩埚3，重复步骤1，待所有粉末处于熔融状态后，将坩埚3降温，启动第二炉体2的升降电机下降铂金棒至熔体液面以下，启动第二炉体2的旋转电机搅拌熔体，直至呈现镜面等待坩埚3交换。搅拌熔体至镜面后，将坩埚3降温，启动第一炉体1的升降电机升起铂金棒，更换为铂金夹具夹持的单晶衬底，控制单晶衬底在第一炉体1中缓慢下降，同时缓慢升温，启动旋转电机旋转单晶衬底，同时将单晶衬底缓慢下降浸入熔体中外延生长薄膜。启动升降电机将单晶衬底缓慢提拉出熔体表面，同时保持旋转电机旋转将单晶衬底上的残留熔体甩落。准备交换第一炉体1与第二炉体2中的坩埚3，首先将坩埚3降温，启动驱动电机驱动齿形带6带动环形底座4转动180°，第二炉体2的坩埚3在环形底座4的带动下进入第一炉体1内准备外延生长薄膜，同时第一炉体1的坩埚3进入第二炉体2中保温或添加原料。在整个交换的过程中，温度控制系统维持坩埚3的温度变化在3-5℃以内。启动升降电机缓慢下降上一步生长结束的单晶衬底，将单晶衬底缓慢下降浸入熔体中外延生长薄膜。在生长结束后，将单晶衬底缓慢上升，控制其降温速率，直至降温至室温取出第一炉体1。

步骤4：更换新的单晶衬底，重复上述步骤，进行下一轮外延生长。

虽然本发明公开披露如上，但本发明公开的保护范围并非仅限于此。本领域技术人员在不脱离本发明公开的精神和范围的前提下，可进行各种变更与修改，这些变更与修改均将落入本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种双坩埚液相外延生长装置，其特征在于，包括第一炉体(1)、第二炉体(2)、坩埚组件和驱动组件，所述第一炉体(1)与所述第二炉体(2)通过通孔相连；所述坩埚组件包括两个坩埚(3)，两个所述坩埚(3)分别设置于所述第一炉体(1)和所述第二炉体(2)内部；所述驱动组件用于分别驱动两个所述坩埚(3)穿过所述通孔以对调在所述第一炉体(1)和所述第二炉体(2)内的位置；

所述第一炉体(1)包括第一内壁(7)和第一外壁(19)，所述第一内壁(7)和所述第一外壁(19)之间设有第一保温层(9)；所述第二炉体(2)包括第二内壁(8)和第二外壁(20)，所述第二内壁(8)和所述第二外壁(20)之间设有第二保温层(10)，所述第一炉体(1)和所述第二炉体(2)的形状为圆筒型，所述第一保温层(9)与所述第二保温层(10)的厚度相同，且所述第一保温层(9)的外侧与所述第二内壁(8)相切；

所述第一炉体(1)还包括第一加热层(11)，所述第一加热层(11)设置于所述第一内壁(7)上，所述第一加热层(11)从上到下依次设有五个温度区；所述第二炉体(2)还包括第二加热层(12)，所述第二加热层(12)设置于所述第二内壁(8)上。

2.根据权利要求1所述的双坩埚液相外延生长装置，其特征在于，所述坩埚组件还包括环形底座(4)，两个所述坩埚(3)相对设置于所述环形底座(4)上；所述通孔为两个，所述通孔的底部轮廓与所述环形底座(4)的形状相匹配，所述通孔用于所述驱动组件驱动所述环形底座(4)带动所述坩埚(3)穿过。

3.根据权利要求2所述的双坩埚液相外延生长装置，其特征在于，所述坩埚组件还包括环形密封条(5)，所述环形密封条(5)设置于所述环形底座(4)上，且位于两个所述坩埚(3)之间，所述环形密封条(5)的轮廓与所述通孔的轮廓相匹配，用于所述坩埚(3)穿过所述通孔后密封所述通孔。

4.根据权利要求3所述的双坩埚液相外延生长装置，其特征在于，所述驱动组件包括齿形带(6)和与所述齿形带(6)连接的驱动电机，所述齿形带(6)与所述环形底座(4)的底部相连接，且所述齿形带(6)用于在所述驱动电机的驱动下带动所述环形底座(4)转动。

5.根据权利要求1所述的双坩埚液相外延生长装置，其特征在于，所述第一炉体(1)和所述第二炉体(2)还包括温度监测组件(13)，所述温度监测组件(13)对应所述第一加热层(11)和所述第二加热层(12)设置，用于监测所述第一加热层(11)和所述第二加热层(12)对应温区的温度。

6.根据权利要求1所述的双坩埚液相外延生长装置，其特征在于，所述第一炉体(1)和所述第二炉体(2)还包括活动阀门(14)，所述活动阀门(14)用于打开或关闭所述第一炉体(1)和所述第二炉体(2)。

7.根据权利要求1所述的双坩埚液相外延生长装置，其特征在于，所述第一炉体(1)对应所述坩埚(3)位置的上方还设置有第一工作杆(15)，所述第一工作杆(15)用于连接搅拌棒或夹具，且所述第一工作杆(15)分别用于与第一升降机构和第一旋转机构相连接，以实现所述第一工作杆(15)的升降运动或旋转运动；所述第二炉体(2)对应所述坩埚(3)位置的上方还设置有第二工作杆(16)，所述第二工作杆(16)用于连接搅拌棒，且所述第二工作杆(16)分别用于与第二升降机构和第二旋转机构相连接，以实现所述第二工作杆(16)的升降运动或旋转运动。

8.根据权利要求2所述的双坩埚液相外延生长装置，其特征在于，所述第一炉体(1)内对应所述坩埚(3)位置的下方设有托盘(17)，所述托盘(17)分别用于与第三升降机构和第三旋转机构相连接；所述环形底座(4)包括圆台(18)，所述圆台(18)对应所述坩埚(3)底部设置，所述圆台(18)的上表面与所述坩埚(3)底部连接，所述圆台(18)的下表面与所述托盘(17)可拆卸连接，且所述圆台(18)上表面的直径大于所述圆台(18)下表面的直径，用于所述托盘(17)升降或旋转所述圆台(18)时带动所述坩埚(3)升降或旋转。

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