CN114751454B - 一种多孔钼酸铬花球材料的制备及其作为超级电容器电极材料的应用 - Google Patents

一种多孔钼酸铬花球材料的制备及其作为超级电容器电极材料的应用 Download PDF

Info

Publication number
CN114751454B
CN114751454B CN202210295695.5A CN202210295695A CN114751454B CN 114751454 B CN114751454 B CN 114751454B CN 202210295695 A CN202210295695 A CN 202210295695A CN 114751454 B CN114751454 B CN 114751454B
Authority
CN
China
Prior art keywords
molybdate
chromium
porous
ball material
ball
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210295695.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114751454A (zh
Inventor
齐彦兴
牛永芳
杨敏
李静
李雪莲
郑欣梅
张传卫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lanzhou Institute of Chemical Physics LICP of CAS
Original Assignee
Lanzhou Institute of Chemical Physics LICP of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lanzhou Institute of Chemical Physics LICP of CAS filed Critical Lanzhou Institute of Chemical Physics LICP of CAS
Priority to CN202210295695.5A priority Critical patent/CN114751454B/zh
Publication of CN114751454A publication Critical patent/CN114751454A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114751454B publication Critical patent/CN114751454B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G39/00Compounds of molybdenum
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/84Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
    • H01G11/86Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/82Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/30Particle morphology extending in three dimensions
    • C01P2004/32Spheres
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40Electric properties
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13Energy storage using capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明公开了一种多孔钼酸铬花球材料的制备方法,是先将钼酸盐充分搅拌溶解于去离子水中,得到澄清透明的溶液;再向其中加入铬盐,搅拌30~60分钟;然后用稀盐酸调节混合溶液的pH值至0.2~3;最后使混合溶液于150~220℃水热反应12~24h;反应结束后,抽滤获得沉淀,洗涤,干燥,得到均一性良好、纯度很高的钼酸铬花球结构材料。该钼酸铬材料是一种由很多纳米片生长堆接而成多孔三维花球结构,这种独特的花球结构,具有丰富的孔道结构和较高的比表面积,是非常便于电解质离子在其中的储存和传输,有利于提升材料的电荷储存能力,展现出优异的电化学性能,因此可用作高比能超级电容器的电极材料。

Description

一种多孔钼酸铬花球材料的制备及其作为超级电容器电极材 料的应用
技术领域
本发明涉及一种多孔钼酸铬花球材料的制备方法,主要作为电化学电容器电极材料应用于可再充新能源储存器件领域。
背景技术
近年来,全球各地气候变暖对人类生存和发展提出了严峻的挑战,使得发展绿色低碳经济是人类社会的必然选择。因此可再充能源的进一步开发和利用备受人们关注。超级电容器由于其高能量密度、高功率密度、循环寿命长和使用条件温和等优势,目前被广泛应用于便携式电子设备,混合电动车,微电网等。选择合适的电极材料对超级电容器电化学性能的提升是至关重要的。赝电容由于较高的比电容值而得到研究者的广泛关注。单一金属氧化物是较为普遍的一种赝电容材料。而过渡双金属氧化物由于其更高的电导率,丰富的氧化态,及两种不同金属离子的协同效应,会展现出比单金属氧化物更优异的能源储存能力。目前,钼酸镍,钼酸锰,钼酸钴,钴酸镍,钴酸锌等材料,由于其优异的电化学性能被广泛研究。钼酸铬材料作为其中一种双金属氧化物,由于其独特的负热膨胀行为,常被用来与常规材料复合成低热膨胀或热膨胀系数接近零的高温陶瓷器件。钼酸铬材料在储能领域的应用较少,少有的一些工作是将钼酸铬用作锂电池的电极材料,而它被用作超级电容器电极材料的研究几乎没有。
钼酸铬材料主要是由MoO4四面体和CrO6八面体构成。每个CrO6八面体连接8个MoO4四面体四面体,这些多面体互相连接形成一种三维网状结构,便于碱金属离子在通道内迁移,可以作为一种很有潜力的电极材料。此外,构筑电极材料的多孔通道也是一种改善电化学性能很有效的手段。多孔结构可以便于电解液中离子的快速传输和储存位点,提升电荷储存能力和传输能力,进一步优化材料的电化学性能,以期作为超级电容器电极材料。
发明内容
本发明的目的在于提供一种多孔钼酸铬花球材料的制备方法。
本方面的另一目的是通过研究多孔钼酸铬花球材料的电化学性能以期作为超级电容器的电极材料。
一、多孔钼酸铬花球材料的制备
本发明制备多孔钼酸铬花球材料的方法,是先将钼酸盐充分搅拌溶解于去离子水中,得到澄清透明的溶液;再向其中加入铬盐,搅拌30-60分钟;然后用稀盐酸调节混合溶液的pH值至0.2~3;最后混合溶液于150~220℃水热反应12~24h;反应结束后,抽滤获得沉淀,洗涤,干燥,得到多孔钼酸铬花球材料。
所述钼酸盐选自钼酸锂、钼酸钠、钼酸钾、钼酸镁、钼酸铵中的一种,优选钼酸钠和钼酸铵;铬盐选自硝酸铬,硫酸铬,高氯酸铬,氯化铬中的一种,优选硝酸铬、氯化铬。钼酸盐和铬盐中,钼酸根离子和铬离子的摩尔比为1:0.5~1:2。
二、多孔钼酸铬花球材料的结构
下面以实施例1制备的多孔钼酸铬花球材料为例,对钼酸铬花球的形貌和结构进行分析说明。
图1、图2分别为多孔钼酸铬花球的低倍和高倍扫描电镜图片。从图1低倍扫描图片可以看出,制备的钼酸铬材料主要是由很多直径为~10μm的花球组成。从高倍扫描电镜图片看出,每个花球是由很多纳米尺寸的薄片生长而成,具有很多空隙结构,这种结构能便于电解液中离子的储存和传输。
图3为多孔钼酸铬花球的XRD图。从图3可以看出,所有衍射峰都完美匹配单斜相钼酸铬的晶型(Cr2(MoO4)3,JCPDS -78‐1654),并没有其他杂质峰出现。说明制备的三维花球材料是纯相的钼酸铬结构,并没有其他杂质存在。
图4为钼酸铬材料的Raman图:在波长300~400 cm-1,750~900cm-1和900~1000cm-1的峰位置分别对应Cr2(MoO4)3中MoO4四面体内部对称和非对称的拉伸振动和弯曲振动。Raman图进一步证明了制备的多孔花球材料是纯的钼酸铬结构。
三、电化学性能测试
制作电极片:将制得的钼酸铬材料作为活性材料,导电炭黑作为导电添加剂,聚四氟乙烯作为粘结剂,以质量比8:1:1混合调成均一的浆料,将浆料均匀地涂抹在清洗干净的集流体泡沫镍上,100℃下干燥12h,获得待表征的工作电极。电化学性能测试是在三电极体系中进行,电化学工作站上完成的。其中参比电极是饱和甘汞电极,对电极是金属铂片,1mol/L氯化钾溶液作为电解液。
图5为钼酸铬花球材料在不同扫速下的循环伏安曲线图。可见,在较低的扫描速度下,曲线出现一些氧化还原峰,说明制备的钼酸铬材料是一种以赝电容储能行为为主的电极材料。随着扫速进一步增大,循环伏安曲线的面积逐渐增大,氧化还原峰强度减弱,曲线出现一些变形,这都是由于高扫速下电解质离子迟缓的扩散行为。通过对循环伏安曲线进行积分计算,得到电极的比电容值。在扫速为1mV s-1时,制备的钼酸铬花球材料的比电容值可以达到913.2mF cm-2
综上所述,本发明以钼酸盐和铬盐为原料,通过一步水热反应成功制得了均一性良好、纯度很高的钼酸铬花球结构材料,该钼酸铬材料是一种由很多纳米片生长堆接而成多孔三维花球结构。这种独特的花球结构,具有丰富的孔道结构和较高的比表面积,是非常便于电解质离子在其中的储存和传输,有利于提升材料的电荷储存能力,展现出优异的电化学性能,因此可用作高比能超级电容器的电极材料。
附图说明
图1为本发明制备的多孔钼酸铬花球材料的低倍扫描电镜图片。
图2为本发明制备的多孔钼酸铬花球材料的高倍扫描电镜图片。
图3为本发明制备的多孔钼酸铬花球材料的XRD图。
图4为本发明制备的多孔钼酸铬花球材料的Raman图。
图5为本发明制备的多孔钼酸铬花球电极在不同扫速下的循环伏安曲线图。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明多孔钼酸铬花球材料的制备、结构、性能作进一步说明。
实施例1
称取1.2g钼酸铵加入50 mL的去离子水中,在40℃水浴下连续搅拌20分钟至澄清透明溶液;称取1.2g氯化铬加入上述溶液,继续搅拌30分钟;随后用浓度为15%的稀盐酸调节溶液的pH=2;最后将上述溶液转移至100 mL的四氟乙烯内胆中,放入不锈钢反应釜中,200℃反应20h;自然降温后,抽滤获得沉淀,用去离子水和乙醇多次洗涤沉淀,放入真空烘箱中干燥12h,得到多孔钼酸铬花球材料。
将其按照上述方法制作为电极片,测试其电化学性能。多孔钼酸铬花球电极在扫速为1 mV s-1时的比电容值为913.2 mF cm-2
实施例2
称取1.2g钼酸铵加入50 mL的去离子水中,在40℃水浴下连续搅拌20分钟至澄清透明溶液;称取1.2g氯化铬加入上述溶液,继续搅拌30分钟;随后用浓度为15%的稀盐酸调节溶液的pH=1;最后将上述溶液转移至100 mL的四氟乙烯内胆中,放入不锈钢反应釜中,200℃反应20h;自然降温后,抽滤获得沉淀,用去离子水和乙醇多次洗涤沉淀,放入真空烘箱中干燥12h,得到多孔钼酸铬花球材料。
将其按照上述方法制作为电极片,测试其电化学性能。多孔钼酸铬花球电极在扫速为1 mV s-1时的比电容值为774mF cm-2
实施例3
称取1.2g钼酸铵加入50 mL的去离子水中,在40℃水浴下连续搅拌20分钟至澄清透明溶液;称取2.4g氯化铬加入上述溶液,继续搅拌30分钟;随后用浓度为15%的稀盐酸调节溶液的pH=1;最后将上述溶液转移至100 mL的四氟乙烯内胆中,放入不锈钢反应釜中,200℃反应20h;自然降温后,抽滤获得沉淀,用去离子水和乙醇多次洗涤沉淀,放入真空烘箱中干燥12h,得到多孔钼酸铬花球材料。
将其按照上述方法制作为电极片,测试其电化学性能。多孔钼酸铬花球电极在扫速为1 mV s-1时的比电容值为709.8mF cm-2
实施例4
称取1.0g钼酸钠加入50 mL的去离子水中,在40℃水浴下连续搅拌20分钟至澄清透明溶液;称取1.2g硝酸铬加入上述溶液,继续搅拌30分钟;随后用浓度为15%的稀盐酸调节溶液的pH=2;最后将上述溶液转移至100 mL的四氟乙烯内胆中,放入不锈钢反应釜中,200℃反应20h;自然降温后,抽滤获得沉淀,用去离子水和乙醇多次洗涤沉淀,放入真空烘箱中干燥12h,得到多孔钼酸铬花球材料。
将其按照上述方法制作为电极片,测试其电化学性能。多孔钼酸铬花球电极在扫速为1 mV s-1时的比电容值为843.7mF cm-2

Claims (5)

1.一种多孔钼酸铬花球材料的制备方法,是先将钼酸盐充分搅拌溶解于去离子水中,得到澄清透明的溶液;再向其中加入铬盐,搅拌30~60分钟;然后用稀盐酸调节混合溶液的pH值至0.2~3;最后使混合溶液于150~220℃水热反应12~24h;反应结束后,抽滤获得沉淀,洗涤,干燥,得到多孔钼酸铬花球材料。
2.如权利要求1所述一种多孔钼酸铬花球材料的制备方法,其特征在于:所述钼酸盐选自钼酸锂、钼酸钠、钼酸钾、钼酸镁、钼酸铵中的一种。
3.如权利要求1所述一种多孔钼酸铬花球材料的制备方法,其特征在于:所述铬盐选自硝酸铬,硫酸铬,高氯酸铬,氯化铬中的一种。
4.如权利要求1所述一种多孔钼酸铬花球材料的制备方法,其特征在于:所述钼酸盐和铬盐中,钼酸根离子和铬离子的摩尔比为1:0.5~1:2。
5.如权利要求1所述方法制备的一种多孔钼酸铬花球材料作为超级电容器电极材料的应用。
CN202210295695.5A 2022-03-24 2022-03-24 一种多孔钼酸铬花球材料的制备及其作为超级电容器电极材料的应用 Active CN114751454B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210295695.5A CN114751454B (zh) 2022-03-24 2022-03-24 一种多孔钼酸铬花球材料的制备及其作为超级电容器电极材料的应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210295695.5A CN114751454B (zh) 2022-03-24 2022-03-24 一种多孔钼酸铬花球材料的制备及其作为超级电容器电极材料的应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114751454A CN114751454A (zh) 2022-07-15
CN114751454B true CN114751454B (zh) 2023-06-09

Family

ID=82327107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210295695.5A Active CN114751454B (zh) 2022-03-24 2022-03-24 一种多孔钼酸铬花球材料的制备及其作为超级电容器电极材料的应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114751454B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19642490A1 (de) * 1996-10-15 1998-04-16 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von Polymerisaten von N-Vinylamiden
CN106238039A (zh) * 2016-05-11 2016-12-21 北京林业大学 一种用于染料废水湿式催化氧化的复合型催化剂及其制备方法
CN109437306A (zh) * 2018-12-19 2019-03-08 上海第二工业大学 一种金属钼酸盐微纳米结构粉体的制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1495854A (fr) * 1966-10-04 1967-09-22 Du Pont Pigment de chromate de plomb revêtu de silice
CN106115783B (zh) * 2016-06-29 2018-05-18 渤海大学 一种钼酸铬微纳米材料的制备方法
CN106571467A (zh) * 2016-11-04 2017-04-19 深圳市川马电子股份有限公司 钼酸铬的制备方法及其应用
CN109133199A (zh) * 2018-05-15 2019-01-04 安徽大学 一种高循环性能球状纳米钼酸镍电极材料的制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19642490A1 (de) * 1996-10-15 1998-04-16 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von Polymerisaten von N-Vinylamiden
CN106238039A (zh) * 2016-05-11 2016-12-21 北京林业大学 一种用于染料废水湿式催化氧化的复合型催化剂及其制备方法
CN109437306A (zh) * 2018-12-19 2019-03-08 上海第二工业大学 一种金属钼酸盐微纳米结构粉体的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CdMoO_4@酵母菌核壳型光催化剂的制备及性能;白波;宋蕊;陈兰;关卫省;;西北大学学报(自然科学版)(第04期);全文 *
钼蓝分光光度法测定辉钼矿单矿物中的二氧化硅;黄仁忠;;福建分析测试(第03期);全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN114751454A (zh) 2022-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chen et al. Surface modification with oxygen vacancy in Li-rich layered oxide Li1. 2Mn0. 54Ni0. 13Co0. 13O2 for lithium-ion batteries
Zhang et al. Self-supported 3D layered zinc/nickel metal-organic-framework with enhanced performance for supercapacitors
Yao et al. Nanostructured transition metal vanadates as electrodes for pseudo-supercapacitors: a review
CN109742360B (zh) 一种具有高容量硒化钼-小球藻衍生碳少层复合物电池负极材料制备
CN113675390A (zh) 钠离子电池用混晶型聚阴离子磷酸盐正极材料及制备方法
CN108598394B (zh) 碳包覆磷酸钛锰钠微米球及其制备方法和应用
CN109767925B (zh) 用于锂离子超级电容器的T-Nb2O5/蛋清碳复合材料及其制备方法
CN111933942B (zh) 一种满足高倍率放电循环性能的钠离子电池Na2/3Mn1/2Fe1/4Co1/4O2正极材料的可控调控方法
CN112110419A (zh) 一种具有特殊微观结构的金属氧化物储能材料及制备方法
CN105185978A (zh) 用作负极活性物质的含锰氧化合物及其制备方法和用途
CN112687875B (zh) 一种钼酸镍柔性薄膜复合材料的制备方法和应用
CN112435865B (zh) 一种用于超级电容器的双壳空心柱状氢氧化镍电极材料及其制备方法和应用
CN114628672B (zh) 一种基于五氧化二钒的有机无机杂化材料及制备和应用
CN111384389A (zh) 一种三元材料的前驱体
CN112038106B (zh) 一种电极材料及其制备方法和超级电容器电极
CN111261870B (zh) 一种NASICON结构Na4CrMn(PO4)3材料的制备方法及其应用
CN112467077A (zh) 有效增强多种过渡金属氧化物储电性能的普适性电化学改性制备方法
CN114551874A (zh) 一种用于锌离子电池的钴掺杂二氧化锰正极材料及其制备方法
CN114751454B (zh) 一种多孔钼酸铬花球材料的制备及其作为超级电容器电极材料的应用
CN114751455B (zh) 一种改性三氧化钼电极材料的制备方法
CN114709086B (zh) 镍基金属有机框架层状纳米片阵列材料及其制备和应用
CN114804045A (zh) 一种构成电容器材料的磷化铁镍纳米片制备方法及应用
CN114142033A (zh) 一种锂离子电池用改性石墨负极材料
Song et al. Thermal transformation of ZnCo1. 5 (OH) 4.5 Cl0. 5· 0.45 H2O into hexagonal ZnCo2O4 nanosheets for high-performance secondary ion batteries
CN108767237B (zh) 一步法合成碳支持的空心球形三氧化二钒复合物及其制备方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant