CN114717539B - 一种带反射式高能电子衍射仪的mocvd腔体 - Google Patents

Abstract

本申请涉及薄膜监测技术领域，公开了一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，所述MOCVD反应腔的侧面开设有第一安装孔和第二安装孔，所述第一安装孔用于连接所述电子枪结构，所述第二安装孔用于连接所述荧光屏结构；所述电子枪结构和所述第一安装孔的连接处、所述荧光屏结构和所述第二安装孔的连接处均设置有阀板闸，两个所述阀板闸分别用于控制所述MOCVD反应腔和所述电子枪结构之间的连通和隔绝、所述MOCVD反应腔和所述荧光屏结构之间的连通和隔绝；本发明具有监测效果好和隔热效果好的有益效果。

Description

一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体

技术领域

本发明属于薄膜监测技术领域，特别涉及一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体。

背景技术

反射式高能电子衍射仪（RHEED，Reflection High Energy ElectronDiffraction）由电子枪和荧光屏两部分组成，是原位检测生长样品的薄膜厚度、表面清洁度、平整度、表面结构和生长情况的重要仪器。反射式高能电子衍射仪的工作原理是将一束极细的高能电子以极小角度（一般是1°到5°）照射到样品表面，然后经过样品表面反射形成电子衍射图像。

因此，反射式高能电子衍射仪可以用来监测MOCVD设备中薄膜样品的生长情况（其中，MOCVD，Metal-organic Chemical Vapor Deposition，其中文释义是金属有机化学气相沉积，MOCVD设备是一种能够生产化合物半导体的设备），但是在实际应用中，MOCVD设备在工作时会产生粉尘，粉尘会破坏荧光屏；且MOCVD设备的工作温度偏高，会严重影响电子枪的正常工作。以上困难使得反射式高能电子衍射仪难以被应用到MOCVD设备上，市面上也没有一款同时将反射式高能电子衍射仪和MOCVD设备结合的一体化设备。

因此，现有技术有待改进和发展。

发明内容

本申请的目的在于提供了一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，隔热效果好，实现了反射式高能电子衍射仪和MOCVD设备的一体化，方便监测。

本申请提供一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，用于监测MOCVD反应腔中薄膜样品的生长情况，包括MOCVD反应腔、电子枪结构和荧光屏结构，所述MOCVD反应腔内设置有反应托盘，其中，所述MOCVD反应腔的侧面开设有第一安装孔和第二安装孔，所述第一安装孔用于连接所述电子枪结构，所述第二安装孔用于连接所述荧光屏结构；所述电子枪结构和所述第一安装孔的连接处、所述荧光屏结构和所述第二安装孔的连接处均设置有阀板闸，两个所述阀板闸分别用于控制所述MOCVD反应腔和所述电子枪结构之间的连通和隔绝、所述MOCVD反应腔和所述荧光屏结构之间的连通和隔绝。

本申请提供的带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，在电子枪结构和第一安装孔的连接处、荧光屏结构和第二安装孔的连接处均设置有阀板闸，阻断了MOCVD反应腔的高温辐射和粉尘侵扰，防止损坏电子枪结构和荧光屏结构；从而创造了有利于反射式高能电子衍射仪的工作条件，隔热效果好，实现了反射式高能电子衍射仪和MOCVD设备的一体化。

进一步地，所述第一安装孔的轴线和所述第二安装孔的轴线延伸相交于所述反应托盘上，并且所述第一安装孔的轴线和所述第二安装孔的轴线之间具有一夹角，所述夹角的大小在170°-178°之间；所述电子枪结构包括与所述第一安装孔同轴设置的电子枪本体，所述荧光屏结构包括与所述第二安装孔同轴设置的荧光屏本体。

通过将第一安装孔的轴线和第二安装孔的轴线之间的夹角的大小设置在170°-178°之间，有利于电子束反射到荧光屏上，方便监测薄膜样品。

进一步地，所述电子枪结构还包括第一滑动机构，所述第一滑动机构用于驱动所述电子枪本体远离或靠近所述MOCVD反应腔；所述荧光屏结构还包括第二滑动机构，所述第二滑动机构用于驱动所述荧光屏本体远离或靠近所述MOCVD反应腔。

通过设置第一滑动机构和第二滑动机构，可以在MOCVD反应腔工作时，使电子枪本体和荧光屏本体进一步远离热源，保护了电子枪本体和荧光屏本体。

进一步地，所述第一滑动机构和所述第二滑动机构均包括位移台、滑块和旋转把手，所述位移台内部设置有丝杠，所述电子枪本体或所述荧光屏结构通过所述滑块与所述丝杠连接，所述旋转把手用于驱动所述丝杠旋转以带动所述滑块往复移动。

进一步地，所述位移台远离所述MOCVD反应腔的端部设置有感应开关装置；所述感应开关装置和所述阀板闸电性连接，所述感应开关装置用于驱动所述阀板闸开闭。

进一步地，还包括两个焊接波纹管，两个所述焊接波纹管分别设置在所述电子枪结构和所述第一安装孔之间，以及所述荧光屏结构和所述第二安装孔之间。

通过设置焊接波纹管，可避免电子枪结构和荧光屏结构暴露于外部空气中被污染，且不会阻碍电子枪结构和荧光屏结构远离或靠近MOCVD反应腔。

进一步地，所述MOCVD反应腔靠近所述第一安装孔的位置设置有第一热电偶，所述第一热电偶用于检测所述第一安装孔处的环境温度；所述MOCVD反应腔靠近所述第二安装孔的位置设置有第二热电偶，所述第二热电偶用于检测所述第二安装孔处的环境温度。

进一步地，所述MOCVD反应腔内部设置保温筒，所述保温筒顶部还设置有导流筒，所述保温筒和所述导流筒用于阻隔热辐射。

进一步地，所述电子枪结构和所述荧光屏结构靠近所述MOCVD反应腔的位置分别设置有挡板，所述挡板用于防止所述电子枪结构或所述荧光屏结构在靠近所述MOCVD反应腔移动时与所述MOCVD反应腔发生碰撞。

进一步地，所述MOCVD反应腔包括旋转机构，所述旋转机构包括驱动所述反应托盘旋转的驱动装置，所述驱动装置设置在所述MOCVD反应腔的下方。

由上可知，本发明的带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，在电子枪结构和第一安装孔的连接处、荧光屏结构和第二安装孔的连接处均设置有阀板闸，阻断了MOCVD反应腔的高温辐射和粉尘侵扰，防止损坏电子枪结构和荧光屏结构；从而创造了有利于反射式高能电子衍射仪的工作条件，隔热效果好，实现了反射式高能电子衍射仪和MOCVD设备的一体化。

附图说明

图1为本申请提供的一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体的结构示意图。

图2为本申请提供的一种电子枪结构的结构示意图。

图3为本申请提供的一种荧光屏结构的结构示意图。

图4为本申请提供的一种MOCVD腔体的剖面结构示意图。

图5为本申请提供的一种安装可升降支座的MOCVD腔体的结构示意图。

标号说明：1、MOCVD反应腔；110、第一安装孔；120、第二安装孔；130、第一热电偶；140、第二热电偶；160、保温筒；170、导流筒；190、旋转机构；191、反应托盘；192、驱动装置；2、电子枪结构；200、电子枪本体；3、荧光屏结构；300、荧光屏本体；4、第一滑动机构；5、第二滑动机构；410、位移台；411、丝杠；420、滑块；430、旋转把手；6、感应开关装置；7、阀板闸；8、焊接波纹管；9、挡板；10、可升降支座。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

如图1和图4所示，本发明一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，用于监测MOCVD反应腔1中薄膜样品的生长情况，包括MOCVD反应腔1、电子枪结构2和荧光屏结构3，MOCVD反应腔1内设置有反应托盘191，其中，MOCVD反应腔1的侧面开设有第一安装孔110和第二安装孔120，第一安装孔110用于连接电子枪结构2，第二安装孔120用于连接荧光屏结构3；电子枪结构2和第一安装孔110的连接处、荧光屏结构3和第二安装孔120的连接处均设置有阀板闸7，两个阀板闸7分别用于控制MOCVD反应腔1和电子枪结构2之间的连通和隔绝、MOCVD反应腔1和荧光屏结构3之间的连通和隔绝。

在实际应用中，反应托盘191用于放置样品；MOCVD反应腔1工作时的加热温度会在1100℃—1300℃，并且产生粉尘，会影响电子枪结构2和荧光屏结构3的正常使用；且MOCVD反应腔1在工作时需要保持真空环境，因此设置阀板闸7可以阻断MOCVD反应腔1的高温辐射和粉尘侵扰，使电子枪结构2不被高温影响，使荧光屏结构3不沾染粉尘，并且有利于MOCVD反应腔1保持一定的真空环境。其中，阀板闸7可以是现有的电动或者气动的阀板闸7，在此本申请不做具体限定。另外，阀板闸7上设置有硅酸钙板或者其他现有的能耐1100℃以上的高温材料，提高隔热效果。

本申请的带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体工作过程如下：MOCVD反应腔1工作时，阀板闸7闭合，将MOCVD反应腔1和电子枪结构2隔绝，以及将MOCVD反应腔1和荧光屏结构3隔绝；MOCVD反应腔1停止工作时，可通过外部充气装置向MOCVD反应腔1通入冷却气体，进行降温，直到MOCVD反应腔1降到合适温度，阀板闸7开启，使MOCVD反应腔1和电子枪结构2、荧光屏结构3连通，电子枪结构2和荧光屏结构3通过在电子枪结构2和第一安装孔110的连接处、荧光屏结构3和第二安装孔120的连接处均设置有阀板闸7，阻断了MOCVD反应腔1的高温辐射和粉尘侵扰，防止损坏电子枪结构2和荧光屏结构3；从而创造了有利于反射式高能电子衍射仪的工作条件，实现了反射式高能电子衍射仪和MOCVD设备的一体化。在一些实施方式中，第一安装孔110的轴线和第二安装孔120的轴线延伸相交于反应托盘191上，并且第一安装孔110的轴线和第二安装孔120的轴线之间具有一夹角，夹角的大小在170°-178°之间；电子枪结构（2）包括与第一安装孔110同轴设置的电子枪本体200，荧光屏结构3包括与第二安装孔120同轴设置的荧光屏本体300。

在实际应用中，由于反射式高能电子衍射仪的工作原理是：电子枪结构2将一束极细的高能电子以极小角度（一般是1°到5°）照射到样品表面，样品表面将高能电子反射到荧光屏结构3，从而形成电子衍射图像，实现对薄膜样品表面晶体结构和生长方向的观测，因此第一安装孔110的轴线和第二安装孔120的轴线延伸相交于反应托盘191上，并且将第一安装孔110的轴线和第二安装孔120的轴线之间的夹角的大小设置在170°-178°之间，有利于监测薄膜样品。

参阅图2-图3，在进一步的实施方式中，电子枪结构2还包括第一滑动机构4，第一滑动机构4用于驱动电子枪本体200远离或靠近MOCVD反应腔1；荧光屏结构3还包括第二滑动机构5，第二滑动机构5用于驱动荧光屏本体300远离或靠近MOCVD反应腔1。在实际应用中，当MOCVD反应腔1工作时，第一滑动机构4带动电子枪本体200远离MOCVD反应腔1，第二滑动机构5带动荧光屏本体300远离MOCVD反应腔1；当需要观测MOCVD反应腔1内的薄膜样品时，第一滑动机构4则带动电子枪本体200靠近MOCVD反应腔1，第二滑动机构5带动荧光屏本体300靠近MOCVD反应腔1。通过设置第一滑动机构4和第二滑动机构5，可以在MOCVD反应腔1工作时，使电子枪本体200和荧光屏本体300进一步远离热源，提高隔热效果，保护了电子枪本体200和荧光屏本体300。

在一些实施方式中，第一滑动机构4和第二滑动机构5均包括位移台410、滑块420和旋转把手430，位移台410内部设置有丝杠411，电子枪本体200或荧光屏结构3通过滑块420与丝杠411连接，旋转把手430用于驱动丝杠411旋转以带动滑块420往复移动。在实际应用中，为了使薄膜样品清晰地呈现在荧光屏本体300上，方便对薄膜的晶体结构和生长方向进行观测，配备旋转把手430和丝杠411可以精确调节电子枪本体200和荧光屏本体300之间的距离。

在另一些实施方式中，也可以采用步进电机来替代旋转把手430来驱动丝杠411转动，无需人工调节，实现自动化，更加方便。

在一些实施方式中，位移台410远离MOCVD反应腔1的端部设置有感应开关装置6；感应开关装置6和阀板闸7电性连接，感应开关装置6用于驱动阀板闸7开闭。在实际应用中，为了防止阀板闸7在开合的过程中，与未复位完毕的电子枪本体200或者荧光屏本体300发生触碰导致损坏，在位移台410远离MOCVD反应腔1的端部设置感应开关装置6，通过这种设置方式，当电子枪本体200或者荧光屏本体300移动到靠近感应开关装置6的位置时，即电子枪本体200或者荧光屏本体300复位完毕，感应开关装置6才可以驱动阀板闸7进行开闭，提高了安全性。其中，感应开关装置6可以选择现有红外线感应开关、微波感应开关、超声波感应开关、光电感应开关、电磁感应开关等感应开关，在此本申请不做具体限定。

在更进一步的实施方式中，该带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体还包括两个焊接波纹管8，两个焊接波纹管8分别设置在电子枪结构2和第一安装孔110之间，以及荧光屏结构3和第二安装孔120之间。其中，焊接波纹管8是一种由许多以冲压方式成型的薄形中空膜片，利用精密焊接所制成的可弯曲及伸缩的金属管，具有耐压、耐温、密封性好、变形量大等优点。在实际应用中，焊接波纹管8可设置在阀板闸7和荧光屏结构3之间，以及阀板闸7和电子枪结构2之间。通过设置焊接波纹管8，可避免电子枪结构2和荧光屏结构3暴露于外部空气中被污染，且不会阻碍进一步使电子枪结构2和荧光屏结构3远离MOCVD反应腔，提高调节的灵活性。在一些实施方式中，MOCVD反应腔1靠近第一安装孔110的位置设置有第一热电偶130，第一热电偶130用于检测第一安装孔110处的环境温度；MOCVD反应腔1靠近第二安装孔120的位置设置有第二热电偶140，第二热电偶140用于检测第二安装孔120处的环境温度。通过设置热电偶，可以实时检测到电子枪本体200或者荧光屏本体300工作位置的环境温度，待温度适宜时，才启动阀板闸7，驱动电子枪本体200和荧光屏本体300靠近MOCVD反应腔1进行薄膜样品的监测工作。

在更进一步的实施方式中，MOCVD反应腔1内部设置有保温筒160，保温筒160顶部还设置有导流筒170，保温筒160和导流筒170用于阻隔热辐射。其中，保温筒160和导流筒170上对应电子束入射以及衍射的路径区域开设有小孔，供电子束通过。其中，MOCVD反应腔1的内部一般设置有加热电极，使MOCVD反应腔1在工作时处于高温，促进样品的反应。当加热电极工作时，需要使电子枪结构2和荧光屏结构3远离MOCVD反应腔1。

在实际应用中，MOCVD反应腔1工作时，腔体是处于真空环境下，而真空环境下传热以辐射传热为主，因此在MOCVD反应腔1内部增设保温筒160和导流筒170，相当于在MOCVD反应腔1内增加了物理隔断，可有效降低热量传播，降低了温度对电子枪结构2和荧光屏结构3的影响，更进一步提高了隔热效果。

在一些实施方式中，电子枪结构2和荧光屏结构3靠近MOCVD反应腔1的位置分别设置有挡板9，挡板9用于防止电子枪结构2或荧光屏结构3在靠近MOCVD反应腔1移动时与MOCVD反应腔1发生碰撞。通过这种设置方式，提高了安全性，提高了电子枪本体200和荧光屏本体300的使用寿命。

在一些实施方式中，MOCVD反应腔1包括旋转机构190，旋转机构190包括驱动反应托盘191旋转的驱动装置192，驱动装置192设置在MOCVD反应腔1的下方。通过设置旋转机构190，可以全方位地观测到反应托盘191上的样品的不同表面。

在一些实施方式中，该驱动装置192可以是电机，电机轴可直接穿过MOCVD反应腔1和反应托盘191连接。

参阅图5，在一些优选的实施方式中，驱动装置192包括同步带、旋转轴和电机，旋转轴穿过MOCVD反应腔1和反应托盘191固定连接，旋转轴的底部设置有第一转轮，电机的转轴设置有第二转轮，同步带绕设在第一转轮和第二转轮上。在实际应用中，在MOCVD反应腔1的样品受到较大程度的振动时，表面的薄膜容易变形，影响监测效果；因此设置同步带来驱动反应托盘191旋转，可以有效减少对电机运行中产生的冲击和振动，起到一个很好的缓冲作用。

在一些实施方式中，还包括可升降支座10，可升降支座10设置在MOCVD反应腔1的两侧。其中，可升降支座10可以是现有的自动升降柱。通过设置可升降支座10，可以调节MOCVD反应腔1的高度，提高了适用性。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“某些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，用于监测MOCVD反应腔（1）中薄膜样品的生长情况，包括MOCVD反应腔（1）、电子枪结构（2）和荧光屏结构（3），所述MOCVD反应腔（1）内设置有反应托盘（191），其特征在于，所述MOCVD反应腔（1）的侧面开设有第一安装孔（110）和第二安装孔（120），所述第一安装孔（110）用于连接所述电子枪结构（2），所述第二安装孔（120）用于连接所述荧光屏结构（3）；所述电子枪结构（2）和所述第一安装孔（110）的连接处、所述荧光屏结构（3）和所述第二安装孔（120）的连接处均设置有阀板闸（7），两个所述阀板闸（7）分别用于控制所述MOCVD反应腔（1）和所述电子枪结构（2）之间的连通和隔绝、所述MOCVD反应腔（1）和所述荧光屏结构（3）之间的连通和隔绝；

所述电子枪结构（2）还包括第一滑动机构（4），所述第一滑动机构（4）用于驱动电子枪本体（200）远离或靠近所述MOCVD反应腔（1）；所述荧光屏结构（3）还包括第二滑动机构（5），所述第二滑动机构（5）用于驱动荧光屏本体（300）远离或靠近所述MOCVD反应腔（1）；

所述MOCVD反应腔（1）内部设置保温筒（160），所述保温筒（160）顶部还设置有导流筒（170），所述保温筒（160）和所述导流筒（170）用于阻隔热辐射。

2.根据权利要求1所述的带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，其特征在于，所述第一安装孔（110）的轴线和所述第二安装孔（120）的轴线延伸相交于所述反应托盘（191）上，并且所述第一安装孔（110）的轴线和所述第二安装孔（120）的轴线之间具有一夹角，所述夹角的大小在170°-178°之间；所述电子枪结构（2）包括与所述第一安装孔（110）同轴设置的电子枪本体（200），所述荧光屏结构（3）包括与所述第二安装孔（120）同轴设置的荧光屏本体（300）。

3.根据权利要求1所述的带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，其特征在于，所述第一滑动机构（4）和所述第二滑动机构（5）均包括位移台（410）、滑块（420）和旋转把手（430），所述位移台（410）内部设置有丝杠（411），所述电子枪本体（200）或所述荧光屏结构（3）通过所述滑块（420）与所述丝杠（411）连接，所述旋转把手（430）用于驱动所述丝杠（411）旋转以带动所述滑块（420）往复移动。

4.根据权利要求3所述的带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，其特征在于，所述位移台（410）远离所述MOCVD反应腔（1）的端部设置有感应开关装置（6）；所述感应开关装置（6）和所述阀板闸（7）电性连接，所述感应开关装置（6）用于驱动所述阀板闸（7）开闭。

5.根据权利要求1所述的带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，其特征在于，还包括两个焊接波纹管（8），两个所述焊接波纹管（8）分别设置在所述电子枪结构（2）和所述第一安装孔（110）之间，以及所述荧光屏结构（3）和所述第二安装孔（120）之间。

6.根据权利要求1所述的带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，其特征在于，所述MOCVD反应腔（1）靠近所述第一安装孔（110）的位置设置有第一热电偶（130），所述第一热电偶（130）用于检测所述第一安装孔（110）处的环境温度；所述MOCVD反应腔（1）靠近所述第二安装孔（120）的位置设置有第二热电偶（140），所述第二热电偶（140）用于检测所述第二安装孔（120）处的环境温度。

7.根据权利要求1所述的带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，其特征在于，所述电子枪结构（2）和所述荧光屏结构（3）靠近所述MOCVD反应腔（1）的位置分别设置有挡板（9），所述挡板（9）用于防止所述电子枪本体（200）或所述荧光屏本体（300）在靠近所述MOCVD反应腔（1）移动时与所述MOCVD反应腔（1）发生碰撞。

8.根据权利要求1所述的带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，其特征在于，所述MOCVD反应腔（1）包括旋转机构（190），所述旋转机构（190）包括驱动所述反应托盘（191）旋转的驱动装置（192），所述驱动装置（192）设置在所述MOCVD反应腔（1）的下方。