CN114695057A - 基板处理设备 - Google Patents

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CN114695057A CN202111628152.2A CN202111628152A CN114695057A CN 114695057 A CN114695057 A CN 114695057A CN 202111628152 A CN202111628152 A CN 202111628152A CN 114695057 A CN114695057 A CN 114695057A
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substrate processing
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O·嘉尔斯蒂安
李赫真
金荣斌
奉允根
安宗焕
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Semes Co Ltd
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Abstract

本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体产生单元包括：RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，并且其中所述第二天线中包括的线圈的总高度高于所述第一天线中包括的线圈的总高度。

Description

基板处理设备
技术领域
本文描述的本发明构思的实施例涉及基板处理设备，更具体地涉及用于使用等离子体来蚀刻处理基板的基板处理设备。
背景技术
制造半导体、显示器、太阳能电池等的过程包括使用等离子体来处理基板的过程。例如，在半导体制造过程期间用于灰化的蚀刻设备或灰化设备可以包括用于产生等离子体的腔室，并且可以使用等离子体对基板进行蚀刻或灰化处理。
根据RF电源的应用方法，等离子体设备可以被分类为电容耦合等离子体(CCP)设备和电感耦合等离子体(ICP)设备。电容耦合等离子体设备使用通过将RF电源施加到相对电极而在电极之间垂直形成的RF电场来产生等离子体。电感耦合等离子体设备使用由天线感应的感应电场来将源材料转换成等离子体。
电感耦合等离子体设备可以通过连接到RF电源的匹配器和分流器将电流分配到等离子体天线，并且控制内线圈和外线圈之间的耦合。此外，通过这一点，可以控制内线圈和外线圈之间的电流比，并且通过这一点，可以控制等离子体蚀刻的径向均匀性。然而，在常规电感耦合等离子体设备中，仍然存在其中腔室的边缘区域与腔室的中心区域之间的蚀刻速率不同的问题。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种天线结构，该天线结构能够增加腔室的边缘区域中的等离子体密度。
本发明构思将要解决的问题不限于上述问题。本发明构思所涉及的本领域技术人员通过以下描述将清楚地理解未提及的其他技术问题。
本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体产生单元包括：RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，并且其中所述第二天线中包括的线圈的总高度高于所述第一天线中包括的线圈的总高度。
在一个实施例中，所述第二天线中包括的所述线圈设置有堆叠为单层的多个线圈。
在一个实施例中，所述第二天线设置有堆叠为多层的多个线圈。
在一个实施例中，所述第二天线中包括的所述线圈设置在从上方观看时彼此重叠的位置。
在一个实施例中，所述第一天线和所述第二天线并联连接。
在一个实施例中，所述第二天线中包括的线圈的数量是四个。
在一个实施例中，所述第一天线中包括的线圈的数量是四个或更少。
本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间处支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体产生单元包括：RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，所述第二天线包括多个线圈，并且所述第二天线中包括的所述多个线圈布置成使得所述第二天线的接触面积最小化。
在一个实施例中，所述第二天线设置有堆叠为单层的多个线圈。
在一个实施例中，所述第二天线设置有堆叠成层的多个线圈。
在一个实施例中，所述第二天线中包括的所述线圈设置在从上方观看时彼此重叠的位置。
在一个实施例中，所述第二天线中包括的所述线圈的总高度高于所述第一天线中包括的所述线圈的总高度。
在一个实施例中，所述第二天线中包括的线圈的数量是4个。
在一个实施例中，所述第一天线中包括的线圈的数量是4个或更少。
本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间处支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体产生单元包括：RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，并且所述第二天线包括多个线圈，并且所述第二天线中包括的所述多个线圈设置成彼此堆叠。
在一个实施例中，所述第二天线中包括的所述线圈设置在从上方观看时彼此重叠的位置。
在一个实施例中，所述第二天线的所述线圈的总高度设置为高于所述第一天线的所述线圈的总高度。
在一个实施例中，所述第二天线中包括的线圈的数量是4个。
在一个实施例中，所述第一天线中包括的线圈的数量是4个或更少。
在一个实施例中，所述第一天线和所述第二天线并联连接。
在本发明构思中，可以增加腔室的边缘区域中的等离子体密度。
本发明构思的效果不限于上述效果。根据本说明书和附图，本发明所属领域的技术人员将清楚地理解未提及的效果。
附图说明
根据以下参考附图的描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则相同附图标记在各个附图中是指相同部分，并且其中：
图1(A)至图1(C)是示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备的视图。
图2是更具体地示出根据发明构思的实施例的天线的形状的透视图。
图3是根据本发明构思的实施例的天线的形状的侧视图。
图4(A)是示出常规天线的形状的视图，并且4(B)是示出根据本发明构思的实施例的天线的形状的视图。
图5(A)至图5(B)是以电路形式示出根据本发明构思的基板处理设备的视图。
图6(A)至图6(B)是示出常规基板处理设备和根据本发明构思的基板处理设备中的磁场分布的视图。
具体实施方式
本发明构思可以不同地修改且可以具有各种形式，并且将在附图中示出并详细地描述本发明构思的具体实施例。然而，根据本发明构思的实施例不意图限制具体公开的形式，并且应理解，本发明构思包括本发明构思的精神和技术范围中所包括的所有变形、等效物的替换。在本发明构思的描述中，当可能使本发明构思的本质不清楚时，可以省略对相关已知技术的详细描述。
本文中使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图限制本发明构思。如本文所使用，未指明具体数量时也旨在包括复数形式，除非上下文清楚地指出。还应理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。如本文所使用，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。另外，术语“示例性”旨在指代示例或说明。
应理解，尽管在本文中术语第一、第二、第三等可用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但这些元件、部件、区域、层和/或区段应不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一个区域、层或区段区分开来。因此，在不脱离本发明构思的情况下，可以将以下论述的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一区段称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二区段。
在下文中，将参考附图对本发明构思的实施例进行详细描述。
图1(A)至图1(C)是示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备的视图。
参考图1(A)，基板处理设备100可以包括主体110、电介质窗口120、气体供应单元130、等离子体产生单元140、挡板150和基板支撑单元200。
主体110的顶表面开放并且在其中形成空间。主体110的内部空间提供在其中执行基板处理的空间。排气孔111可形成在主体110的底表面处。排气孔111连接到排气管线161并且提供在处理期间产生的反应副产物和保持在主体110内的气体通过其排放到外部的通道。电介质窗口120密封主体110的开放顶表面。电介质窗口120具有与主体110的圆周相对应的半径。电介质窗口120可以由电介质材料形成。电介质窗口120可以用铝材料来设置。根据本发明构思的腔室可以配置为包括主体110和电介质窗口120。
气体供应单元130将处理气体供应到由基板支撑单元200支撑的基板W上。气体供应单元130包括气体存储单元135、气体供应管线133以及进气端口131。气体供应管线133连接气体存储单元135和进气端口131。存储在气体存储单元135中的处理气体通过气体供应管线133供应到进气端口131。进气端口131安装在腔室的顶壁上。进气端口131定位成面向基板支撑单元200。根据一个实施例，进气端口131可以安装在腔室的顶壁的中心处。阀可以安装在气体供应管线133处以打开和闭合其内部通道，或者调整流过其内部通道的气体的流速。例如，处理气体可以是蚀刻气体。
挡板150控制腔室110中的处理气体的流动。挡板150设置成环形状并且定位在腔室110和基板支撑单元200之间。在挡板150处形成通孔151。停留在腔室110中的处理气体穿过通孔151并且流入排气孔111中。可以根据通孔151的形状和布置来控制流入排气孔111的处理气体的流动。
基板支撑单元200定位在处理室110内并且支撑基板W。基板支撑单元200可设置有用于使用静电力来支撑基板W的静电卡盘。替代性地，基板支撑单元200可以以诸如机械夹紧的各种方式来支撑基板W。在下文中，将以静电卡盘为示例进行描述。
静电卡盘200可以包括第一板210、电极220、加热器230和聚焦环240。第一板210设置成盘形状并且基板W放置在其顶表面上。第一板210的顶表面可以是阶梯状的，使得中心区域高于边缘区域。第一板210的顶表面的中心区域的半径可以小于基板W的半径。因此，基板W的边缘区域位于第一板210的顶部中心区域外部。第一板210可以设置为由电介质材料制成的电介质板。
电极220设置在第一板210内。电极220连接到外部电源260并且从电源施加电力。电极220在电极220和基板W之间形成静电力以将基板W粘附到第一板210的顶表面上。
加热器230设置在第一板210内。加热器230可以设置在电极220下方。加热器230电连接到外部电源260并且通过抵抗施加的电流来来产生热量。产生的热量通过第一板210传递到基板W。通过由加热器230产生的热量将基板W加热到预定温度。加热器230可以设置为螺旋形状线圈。加热器230可以以均匀间隔埋入第一板210中。
设置在第一板210下的主体可以包括金属板。根据一个实施例，整个主体可以设置为金属板。主体可以电连接到附加电源300。附加电源300可以提供为产生高频电力的高频电源。高频电源可以包括RF电源。主体可以从附加电源300接收高频电力。为此，主体可以用作电极，即底电极。附加匹配器310可以设置在主体和附加电源300之间以执行阻抗匹配。
聚焦环240设置成环形状并且沿第一板210的周长布置。聚焦环240的顶表面可以通过成阶梯状来设置，使得邻近第一板210的内部部分低于外部部分。聚焦环240的顶表面的内部部分可位于与第一板210的顶表面的中心区域相同的高度。聚焦环240的顶表面的内部部分支撑位于第一板210外部的基板W的边缘区域。聚焦环240扩展电场形成区域，使得基板位于其中形成等离子体的区域的中心。
等离子体产生单元140将供应到腔室中的处理气体激发成等离子体状态。等离子体产生单元140可以包括天线1411和1412、RF电源142和匹配器144。天线1411和1412可以位于电介质窗口120上方并且可以设置为螺旋形状线圈。RF电源142连接到天线1411和1412并且可以向天线141施加高频电力。匹配器144可以连接到RF电源142的输出端子以将电源侧的输出阻抗与负载侧的输入阻抗进行匹配。匹配器144可以包括电流分配器143。电流分配器143可以集成到待实现的匹配器144中。然而，与此不同，匹配器144和电流分配器143可以作为单独部件设置和实现。电流分配器143可以将从RF电源142供应的电流分配给天线1411和1412。通过施加到天线1411和1412的高频电力，在腔室内形成感应电场。通过从感应电场获得电离所需的能量，处理气体被激发成等离子体状态。处于等离子体状态的处理气体被提供给基板W并且处理基板W。处于等离子体状态的处理气体可以执行蚀刻过程。
在图1(A)至图1(C)中，基板处理设备100中包括的天线141可以包括第一天线1411和第二天线1412。在图1(A)至图1(C)的ICP处理室中，等离子体由方位电场形成，该方位电场通过由电介质窗口120与腔室分离的感应线圈。
第一天线1411和第二天线1412可以接收RF信号以从供应到腔室中的处理空间的气体产生等离子体。第一天线1411可以设置在第二天线1412内侧。第一天线1411可以是内部天线。第二天线1412可以是外部天线。第一天线1411和第二天线1412可以并联连接。第一天线1411和第二天线1412中的每一者可以包括线圈。后面将参考图2至图3来描述第一天线1411和第二天线1412的详细结构。
图1(B)是示出根据本发明构思的另一个实施例的基板处理设备的示例的图。
与图1(A)重叠的部分的描述将被省略。根据图1(B)的一个实施例，RF电源可以设置为多个RF电源142a和142b以便分别连接到第一天线1411和第二天线1412。因此，第一天线1411和第二天线1412可以通过单独RF电源接收高频电力。在这种情况下，可以包括第一匹配器144a和第二匹配器144b。第一匹配器144a可以将第一RF电源142a的阻抗与负载侧阻抗匹配。第二匹配器144b可以将第二RF电源144a的阻抗与负载侧阻抗匹配。在图1(B)的一个实施例中，第一匹配器144a和第二匹配器144b可以不包括电流分配器。
图1(C)是示出根据本发明构思的另一个实施例的基板处理设备的示例的图。
类似地，与图1(A)重叠的部分的描述将被省略。根据图1(C)的一个实施例，下电源可包括DWG 170和下匹配器171。
根据一个实施例，根据本发明构思的基板处理设备可包括设计的波形发生器(以下可称为DWG或设置的波形发生器)170。设计的波形发生器170可以产生具有由操作者设置的任意波形(以下称为“设置的波形”)的输出电压Vout，并且可以将所产生的输出电压Vout提供给主体110。例如，设置的波形可能以数个kHz至数个MHz的频率输出，并且可能以数十个V至数十个kV的任何可变电压电平输出。可以将要对其执行处理的半导体晶片W设置在主体110中，并且可以使用在其中设置的输出电压对半导体晶片W执行半导体处理。
设置的波形发生器170可以包括产生方波的至少一个脉冲模块和产生可变波形的至少一个斜率模块。至少一个脉冲模块可以用多个脉冲模块来实现，并且至少一个斜率模块可以用多个斜率模块来实现。根据实施例，可以不同地选择脉冲模块的数量和斜率模块的数量。
设置的波形发生器170的最大输出电压可以根据脉冲模块的数量和斜率模块的数量来确定。设置的波形发生器170的输出电压可以对应于供应到至少一个脉冲模块的DC电压和供应到至少一个斜率模块的DC电压的总和。具体地说，至少一个脉冲模块和至少一个斜率模块可以相互连接，并且因此设置的波形发生器170可以提供与供应到至少一个脉冲模块的DC电压和供应到至少一个斜率模块的DC电压的总和相对应的电压电平。
多个脉冲模块可以包括产生正电压的至少一个正脉冲模块和/或产生负电压的至少一个负脉冲模块。多个斜率模块可以包括产生正电压的至少一个正斜率模块和/或产生负电压的至少一个负斜率模块。
在一个实施例中，至少一个脉冲模块和至少一个斜率模块可以级联方式连接。这里，当连接多个模块时，级联方法表示将一个模块的输出与另一个模块的输入串联连接的方法，并且可以称为级联连接。在一个实施例中，至少一个脉冲模块的输出可连接到至少一个斜率模块的输入。然而，本发明构思不限于此，并且至少一个斜率模块的输出可以连接到至少一个脉冲模块的输入。
下面，将参考更详细的附图来描述根据本发明构思的天线141的结构。
图2是更详细地示出根据本发明构思的实施例的天线141的结构的透视图。
参考图2，在本发明构思中，为了减小线圈之间的互耦并且增加等离子体室的边缘区域中的磁场，可以使用垂直堆叠的多个线圈，其中第二天线1412设置在边缘区域。第二天线1412可以包括多个线圈。根据一个实施例，第二天线1412具有在上/下方向上缠绕多次的线圈形状。在下文中，天线1412中的旋转一次的区域被称为一个线圈。根据一个示例，第二天线1412具有多个线圈，并且这些线圈具有相同的直径并且设置成从上方观看时彼此重叠。
为了增加蚀刻室的外部区域(即边缘区域)中的等离子体的密度，重要的是减小ICP线圈的通过电介质窗口的电容耦合。为此，在本发明构思中，ICP源中包括的第二天线1412以其中堆叠有线圈的结构来应用。因此，存在减小第二天线1412线圈与电介质窗口的电容耦合的效果。此外，可以减小第一天线1411线圈与第二天线1412线圈之间的耦合以改善第一天线1411与第二天线1412的电流比控制。
在根据本发明构思的实施例的天线的情况下，可以公开包括双堆叠的第一天线1411和单堆叠的第二天线1412的天线结构。其中，第一天线1411是指其中提供具有不同直径的两个线圈并且具有相同直径的线圈彼此堆叠的结构。单堆叠的第二天线1412仅包括具有相同直径的线圈，并且是指其中它们彼此堆叠的结构。通过这样的设计结构，存在增加边缘区域中的第二天线1412与等离子体的电感耦合的效果。
图3是根据本发明构思的实施例的天线的形状141的侧视图。
根据图3的一个实施例，第二天线1412的总高度可以设置为高于第一天线1411的总高度。根据一个实施例，由第二天线1412中包括的线圈形成的总高度可设置为高于由第一天线1411中包括的线圈形成的总高度。根据一个实施例，第二天线1412中包括的线圈的数量可以大于第一天线1411中包括的线圈的数量。
根据一个实施例，第一天线1411可以通过旋钮两个线圈来设置。根据一个实施例，第二天线1412可以通过顺序堆叠四个线圈来设置。
本发明构思可以采用用于增加轴向方向上的绕组数量的天线结构，以克服由于空间限制而难以增加在线圈的水平方向上的绕组数量的问题。
根据一个实施例，第二天线1412中包括的所有线圈可以设置在从上方观看时重叠的位置处。因此，可以确认，即使包括多个线圈，第二天线1412也以单层堆叠。此外，通过这一点，第二天线1412中包括的多个线圈可能以能够使第二天线1412与电介质窗口之间的接触面积最小化的结构来提供。
图4(A)是示出常规天线的形状的视图，并且4(B)是示出根据本发明构思的实施例的天线的形状的视图。
在图4(A)的情况下，公开了设置为以常规天线的形状在相同平面上延伸的线圈的实施例。参考图4(A)，由于第一天线1411与第二天线1412之间的距离较近，因此存在第一天线1411中包括的线圈和第二天线1412中包括的线圈之间的相互耦合较高的问题。此外，存在如图4(A)所示的扁平线圈与电介质窗口120接触的表面积较大的问题，并且因此极大地出现通过等离子体Cd的通过电介质窗口的电容耦合。
为了克服这一点，当第二天线1412设置成距离第一天线1411更远时，腔室的内壁与第二天线1412中包括的线圈之间的距离变得更近，导致大量磁场逃逸到外部。
图4(B)示出了根据本发明构思的实施例的天线的形状。当如在本发明构思的实施例中那样形成天线时，第一天线1411中包括的线圈与第二天线1412中包括的线圈之间的距离可以增加以减小互耦。
参考图4(B)，可以确认，与常规天线结构相比，根据本发明构思的天线结构的其中第二天线1412与电介质窗口120接触的区域更小。
随着天线的接触表面增加，存在通过电介质窗口120的电容耦合增加的问题。根据本发明构思的在第二天线1412中包括的线圈的垂直堆叠结构具有使线圈的接触电介质窗口120的接触表面最小化的效果，由此减小通过电介质窗口120的电容耦合并且将磁场引导到等离子体室的最外区域。此外，由于与电介质窗口120的接触面积较小，因此存在使所产生的副产物或颗粒的影响最小化的效果。通过这种结构，可以获得蚀刻室的极端边缘部分处的最大效果。
图5(A)至图5(B)是以电路形式示出根据本发明构思的基板处理设备的视图。
图5(A)示出了根据本发明构思的基板处理设备的电感耦合。
图5(A)所示的每个符号的含义如下。Lant是天线电感，Rant是天线电阻，Lp是耦合到线圈(甜甜圈形状)的等离子体几何区域，Le是电子惯性电感，并且Rp是等离子体电阻。
参考图5(A)，由于发生天线的电感与等离子体的电感之间的互耦，因此可以形成第二天线1412中包括的更多线圈以增加电感耦合。
图5(B)是示出根据本发明构思的基板处理设备的电容耦合的电路图。
图5(B)所示的每个符号的含义如下。
Lant表示天线电感，Rant表示天线电阻，Cd表示电介质窗口电容，Cs表示等离子体鞘层电容，并且Rs表示等离子体鞘层电阻。
根据图5(B)，第二天线1412线圈可以单层堆叠以减小电介质窗口与等离子体鞘层中的电容器之间的电容耦合。
根据本发明构思，可以通过减小电容耦合和增加电感耦合来更有效地执行等离子体处理。此外，可以通过控制它们以具有高电感来确保高磁场。
在本发明构思中，为了增加边缘区域中的等离子体密度，可以增加电感功率耦合，并且可以减小电容功率耦合。
根据一个实施例，通过增加第二天线1412中包括的线圈的数量来形成多个绕组，存在确保腔室的边缘部分处的高磁场的效果。
也就是说，根据本发明构思，存在通过以下方式来减小电容耦合的效果：通过第二天线1412中包括的线圈的堆叠结构减小与电介质窗口的接触面积，以及通过第二天线1412中的包括多个绕组的结构增加电感。此外，通过这一点，还存在通过将磁场集中在边缘上来满足等离子体密度的均匀性的效果。
图6(A)至图6(B)是示出常规基板处理设备和根据本发明构思的基板处理设备中的磁场分布的视图。
图6(A)示出了当常规基板处理设备中CR＝1时使用在电介质窗口下方测量的轴向磁场和磁性PCB线圈传感器来测量的结果，并且图6(B)示出了根据本发明构思的当电介质窗口下方的CR＝1时使用磁性PCB线圈传感器来测量的结果。
当使用根据本发明构思的基板处理设备时，可以确认增加第二天线1412的线圈下面的磁场的结果。通过这一点，可以确认边缘部分处的等离子体密度也将变得均匀。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且未提及的效果可以根据本说明书和附图而被本发明构思所涉及的领域的技术人员清楚地理解。
尽管直到现在一直在示出和描述本发明构思的优选实施例，但本发明构思不限于上述具体实施例，并且应注意，在不脱离权利要求书中要求的本发明构思的本质的情况下，本发明构思所涉及领域的普通技术人员可以不同地执行本发明构思，并且不应与本发明构思的技术精神或前景分开解释修改。

Claims (20)

1.一种基板处理设备，包括：
腔室，在所述腔室中具有处理空间；
基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑基板；
气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及
等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，
其中所述等离子体产生单元包括：
RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及
第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且
其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，并且
所述第二天线中包括的线圈的总高度高于所述第一天线中包括的线圈的总高度。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第二天线设置有单个堆叠结构中的多个线圈。
3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第二天线设置有多个线圈，所述多个线圈分别具有相同直径，并且从上方观看时彼此重叠。
4.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述第一天线中包括的所述线圈以双堆叠结构设置。
5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中所述第一天线和所述第二天线并联连接。
6.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中所述第二天线中包括的线圈的数量是四个。
7.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第一天线中包括的线圈的数量是四个或更少。
8.一种基板处理设备，包括：
腔室，在所述腔室中具有处理空间；
基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间处支撑基板；
气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及
等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，
其中所述等离子体产生单元包括：
RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及
第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且
其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，
所述第二天线包括多个线圈，并且
所述第二天线中包括的所述多个线圈布置成使得所述第二天线的接触面积最小化。
9.根据权利要求8所述的基板处理设备，其中所述第二天线设置有单个堆叠结构中的多个线圈。
10.根据权利要求8所述的基板处理设备，其中所述第二天线设置有多个线圈，所述多个线圈分别具有相同直径，并且从上方观看时彼此重叠。
11.根据权利要求9所述的基板处理设备，其中所述第一天线中包括的所述线圈以双堆叠结构设置。
12.根据权利要求11所述的基板处理设备，其中所述第二天线中包括的所述线圈的总高度高于所述第一天线中包括的所述线圈的总高度。
13.根据权利要求12所述的基板处理设备，其中所述第二天线中包括的线圈的数量是4个。
14.根据权利要求13所述的基板处理设备，其中所述第一天线中包括的线圈的数量是4个或更少。
15.一种基板处理设备，包括：
腔室，在所述腔室中具有处理空间；
基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间处支撑基板；
气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及
等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，
其中所述等离子体产生单元包括：
RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及
第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且
其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，
所述第二天线包括单个堆叠结构中的多个线圈。
16.根据权利要求15所述的基板处理设备，其中所述第一天线中包括的所述线圈以双堆叠结构设置。
17.根据权利要求16所述的基板处理设备，其中所述第二天线的所述线圈的总高度设置为高于所述第一天线的所述线圈的总高度。
18.根据权利要求15所述的基板处理设备，其中所述第二天线中包括的线圈的数量是4个。
19.根据权利要求18所述的基板处理设备，其中所述第一天线中包括的线圈的数量是4个或更少。
20.根据权利要求19所述的基板处理设备，其中所述第一天线和所述第二天线并联连接。
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