CN114679874A - 金属复合件、金属复合件的制备方法及电子装置的壳体 - Google Patents
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Abstract
一种金属复合件，包括：金属基体、无机非金属多孔件及过渡层；所述过渡层设置于所述金属基体和所述无机非金属多孔件之间；在所述过渡层中，从所述过渡层靠近所述金属基体的一侧向远离所述金属基体的一侧的方向上，所述金属基体的元素呈递减分布，所述无机非金属多孔件的元素呈递增分布。本申请中的金属复合件通过在金属基体表面复合无机非金属多孔件，有效避免了通过现有化学药剂或激光的方式对金属基体进行造孔所带来的材料适用性问题、环境污染问题、安全问题及外观损毁等问题。本申请还提供了一种金属复合件的制备方法及电子装置的壳体。
Description
技术领域
本申请涉及复合材料领域，尤其涉及金属复合件、金属复合件的制备方法及电子装置的壳体。
背景技术
目前，为增加金属材料与塑胶的结合强度，厂商大多是采用化学药剂或激光蚀刻金属材料表面，以在金属材料表面造孔来提高金属材料和塑胶之间的结合强度。但是，化学蚀刻所产生的废液会对环境造成污染，且化学蚀刻所使用的化学药剂有时存在引起爆炸的风险，具有一定的危险性。另外，鉴于不同金属材料的物理与化学性质的差异，采用化学蚀刻的方式会有金属材料适用性问题，例如：有些金属材料的抗化学蚀刻性较强，难以通过化学蚀刻的方式进行造孔来提高金属材料和塑胶之间的结合强度，或者化学药剂对金属材料蚀刻不理想而影响金属材料和塑胶之间的结合强度。此外，通过激光蚀刻的方式处理金属材料会对金属材料表面产生应力及破坏，可能会在金属材料外观面上造成影响。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种金属复合件，以解决现有通过化学蚀刻或激光蚀刻方式复合金属基体和塑胶层所带来的系列问题。
本申请还提供了一种金属复合件的制备方法及电子装置的壳体。
一种金属复合件，包括：金属基体、无机非金属多孔件及过渡层；所述过渡层设置于所述金属基体和所述无机非金属多孔件之间；在所述过渡层中，从所述过渡层靠近所述金属基体的一侧向远离所述金属基体的一侧的方向上，所述金属基体的元素呈递减分布，所述无机非金属多孔件的元素呈递增分布。
在一些实施方式中，所述过渡层的厚度范围为500nm～1000nm。
在一些实施方式中，所述过渡层的厚度范围为小于等于所述无机非金属多孔件的厚度的1/3。
在一些实施方式中，所述无机非金属多孔件的厚度范围为0.2mm～0.3mm。
在一些实施方式中，所述无机非金属多孔件包括至少两层堆叠设置的无机非金属多孔层。
在一些实施方式中，所述无机非金属多孔件的孔隙率范围为45％～60％。
在一些实施方式中，所述无机非金属多孔件包括孔，所述孔的孔径范围为0.15mm～0.35mm。
在一些实施方式中，所述金属复合件还包括塑胶层，所述塑胶层设置于所述无机非金属多孔件背向所述金属基体的一侧，所述塑胶层中的塑胶填充于所述孔内。
在一些实施方式中，所述无机非金属多孔件的材料选自氧化锆、氧化硅、玻璃纤维和碳化硅中的至少一种。
在一些实施方式中，所述金属基体的材料选自钛和钛合金中的一种。
一种金属复合件的制备方法，包括：将金属基体和无机非金属多孔件放入治具内，并对所述金属基体和所述无机非金属多孔件施加压力；以及加热放置有所述金属基体和所述无机非金属多孔件的所述治具，以使得所述金属基体和所述无机非金属多孔件复合以形成所述金属复合件。
在一些实施方式中，加热放置有所述金属基体和所述无机非金属多孔件的所述治具时，可将所述治具放置在大气环境中进行。大气环境中的氧气和其他反应性气体可能在高温环境下与所述金属基体反应，而导致所述金属复合件中的部分表面有氧化物或其他化合物生成，在所述金属复合件对强度要求不是特别高的情况下，可将所述治具放置在大气环境中，以节约成本。
在一些实施方式中，加热放置有所述金属基体和所述无机非金属多孔件的所述治具时，可将所述治具放置在真空环境和惰性气体环境中，可防止所述金属基体和所述无机非金属多孔件的复合中氧气或其他反应气体的存在，而导致所述金属基体和/或所述无机非金属多孔件产生氧化物或生成其他化合物，而降低所述金属复合件的强度。
在一些实施方式中，在所述加热放置有所述金属基体和所述无机非金属多孔件的所述治具的步骤中，加热的温度T满足以下条件：当D<30％时，T＝M×f1；当D≥30％时，T＝M×f2；其中，D为所述金属基体的熔点和所述无机非金属多孔件的熔点之间的差异百分比，M为取所述金属基体的熔点和所述无机非金属多孔件的熔点中的最低的熔点值，f1和f2为换算系数，f1的范围为50％～60％，f2的范围为75％～85％。
在一些实施方式中，在所述的对所述金属基体和所述无机非金属多孔件施加压力的步骤中，所述施加的压力P满足以下条件：P＝所述无机非金属多孔件的强度×所述无机非金属多孔件的孔隙率×f3，其中f3的范围为50％～65％。
在一些实施方式中，在所述加热放置有所述金属基体和所述无机非金属多孔件的所述治具的步骤中，所述加热的时间范围为3h～10h。
在一些实施方式中，所述加压治具为堆叠式，以对多组所述金属基体和所述无机非金属多孔件进行加压。
在一些实施方式中，所述金属复合件的制备方法还包括：在所述无机非金属多孔件背向所述金属基体的一侧注塑形成塑胶层，所述塑胶层的塑胶填充在所述无机非金属多孔件的孔中。
一种电子装置的壳体，包括金属基体、无机非金属多孔件及过渡层；所述过渡层设置于所述金属基体和所述无机非金属多孔件之间；在所述过渡层中，从所述过渡层靠近所述金属基体的一侧向远离所述金属基体的一侧的方向上，所述金属基体的元素呈递减分布，所述无机非金属多孔件的元素呈递增分布。
在一些实施方式中，所述过渡层的厚度范围为小于等于所述无机非金属多孔件的厚度的1/3。
在一些实施方式中，所述无机非金属多孔件的厚度范围为0.2mm～0.3mm。
在一些实施方式中，所述壳体还包括塑胶层，所述塑胶层设置于所述无机非金属多孔件背向所述金属基体的一侧，所述塑胶层中的塑胶填充于所述孔内。
在一些实施方式中，所述金属基体通过在其自身表面复合无机非金属多孔件所形成的金属复合件，有效避免了通过现有化学药剂或激光的方式对金属基体进行造孔所带来的材料适用性问题、环境污染问题、安全问题及外观损毁等问题。
附图说明
图1为本申请一些实施方式的金属复合件的剖面示意图。
图2为本申请一些实施方式的无机非金属多孔件的示意图。
图3为本申请一些实施方式的无机非金属多孔件的剖面示意图。
图4为本申请另一些实施方式的金属复合件的剖面示意图。
图5为本申请又一些实施方式的金属复合件的剖面示意图。
图6为本申请一些实施方式的金属复合件的制备方法的流程图。
图7为本申请一些实施方式的金属复合件的制备方法的流程图。
图8为本申请一些实施方式的电子装置的结构示意图。
图9为本申请一些实施方式的电子装置的壳体的剖面示意图。
图10为本申请一些实施方式的无机非金属多孔件的示意图。
图11为本申请一些实施方式的无机非金属多孔件的剖面示意图。
图12为本申请另一些实施方式的电子装置的壳体的局部剖面示意图。
图13为本申请又一些实施方式的电子装置的壳体的局部剖面示意图。
主要元件符号说明
金属复合件 10
金属基体 11
第一表面 111
第二表面 112
无机非金属多孔件 12
孔 121
无机非金属多孔层 122
过渡层 13
塑胶层 14
电子装置的壳体 20
电子装置 200
金属基体 21
第一表面 211
第二表面 212
无机非金属多孔件 22
孔 221
无机非金属多孔层 222
过渡层 23
塑胶层 24
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
请参见图1，本申请一些实施方式提供了一种金属复合件10，包括金属基体11、无机非金属多孔件12和过渡层13。所述过渡层13设置于所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12之间。在所述过渡层13中，从所述过渡层13靠近所述金属基体11的一侧向远离所述金属基体11的一侧的方向上，所述金属基体11的元素呈递减分布，所述无机非金属多孔件12的元素呈递增分布。
在一些实施方式中，所述金属基体11通过在其自身表面复合无机非金属多孔件12所形成的金属复合件10，有效避免了通过现有化学药剂或激光的方式对金属基体11进行造孔所带来的材料适用性问题、环境污染问题、安全问题及外观损毁等问题。
所述金属基体11的材料选自钛和钛合金中的一种。
在一些实施方式中，所述金属基体11的材料还不限于选自不锈钢和铝合金中的一种。
所述无机非金属多孔件12的材料不限于选自氧化锆、氧化硅、玻璃纤维和碳化硅中的至少一种。
所述无机非金属多孔件12的厚度范围为0.2mm～0.3mm。
在一些实施方式中，所述无机非金属多孔件12的厚度不限于是0.21mm、0.23mm、0.25mm、0.27mm或0.29mm。其中，所述无机非金属多孔件12的厚度可依据实际情况进行适应性调整，在此不做限定。
请参见图2，所述无机非金属多孔件12包括孔121。所述孔121的孔径范围为0.15mm～0.35mm。
在一些实施方式中，所述孔121的孔径范围为0.20mm、0.25mm或0.30mm。其中，所述孔121的孔径可依据实际情况进行适应性调整，在此不做限定。
在一些实施方式中，所述孔121的形状不限于呈圆形、矩形、菱形等规则形成或其他不规则形状。
所述无机非金属多孔件12的孔隙率范围为45％～60％。
在一些实施方式中，所述无机非金属多孔件12的孔隙率不限于为50％或55％。其中，所述无机非金属多孔件12的孔隙率可依据实际情况进行适应性调整，在此不做限定。
在一些实施方式中，请参见图3，所述无机非金属多孔件12包括至少两层堆叠设置的无机非金属多孔层122。
可以理解，所述无机非金属多孔层122的层数可依据实际情况进行适应性调整，可以是三层、四层、或五层，在此不做限定。
在另一些实施方式中，所述无机非金属多孔件12可仅包括单层的所述无机非金属多孔层122。
所述过渡层13的厚度范围为500nm～1000nm。
在一些实施方式中，所述过渡层13的厚度为H1，所述无机非金属多孔件12的厚度为H2，其中，H1≤(1/3)×H2。
在一些实施方式中，请参见图4，所述金属复合件10还包括塑胶层14。所述塑胶层14设置于所述无机非金属多孔件12背向所述金属基体11的一侧，所述塑胶层14中的塑胶填充于所述孔121内。
在一些实施方式中，所述金属复合件10中的金属基体11通过在其表面设置的具备孔121结构的无机非金属多孔件12，使得所述塑胶层14在与所述金属基体11复合时，所述塑胶层14中的塑胶填充于所述孔121内，以形成有效的互锁结构，从而大大提升了所述金属基体11和所述塑胶层14的结合性能及密封性。此外，相较于现有的通过化学蚀刻或激光蚀刻来复合金属材料与塑胶的方式，本申请中的所述金属复合件10借助所述无机非金属多孔件12来实现所述金属基体11和所述塑胶层14的复合，有效避免了通过现有的化学蚀刻或激光蚀刻的方式对金属基体11进行造孔所带来的材料适用性问题、环境污染问题、安全问题及外观损毁等问题。
在一些实施方式中，请参见图5，所述金属基体11包括第一表面111及第二表面112。所述第一表面111和所述第二表面112上分别依次设置有所述过渡层13、所述无机非金属多孔件12和所述塑胶层14。
请参见图6，本申请一些实施方式还提供了一种金属复合件10的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：将金属基体11和无机非金属多孔件12放入治具(图未示)内，并对所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12施加压力。
所述金属基体11的材料选自钛和钛合金中的一种。
在一些实施方式中，所述金属基体11的材料还不限于选自不锈钢和铝合金中的一种。
所述无机非金属多孔件12的材料不限于选自氧化锆、氧化硅、玻璃纤维和碳化硅中的至少一种。
在一些实施方式中，所述无机非金属多孔件12的材料选取玻璃纤维。
所述无机非金属多孔件12的厚度范围为0.2mm～0.3mm。
在一些实施方式中，所述无机非金属多孔件12的厚度不限于是0.21mm、0.23mm、0.25mm、0.27mm或0.29mm。其中，所述无机非金属多孔件12的厚度可依据实际情况进行适应性调整，在此不做限定。
请参见图2，所述无机非金属多孔件12包括孔121。所述孔121的孔径范围为0.15mm～0.35mm。
在一些实施方式中，所述孔121的孔径范围为0.20mm、0.25mm或0.30mm。其中，所述孔121的孔径可依据实际情况进行适应性调整，在此不做限定。
在一些实施方式中，所述孔121的形状不限于呈圆形、矩形、菱形等规则形成或其他不规则形状。
所述无机非金属多孔件12的孔隙率范围为45％～60％。
在一些实施方式中，所述无机非金属多孔件12的孔隙率不限于为50％或55％。其中，所述无机非金属多孔件12的孔隙率可依据实际情况进行适应性调整，在此不做限定。
在一些实施方式中，请参见图3，所述无机非金属多孔件12包括至少两层堆叠设置的无机非金属多孔层122。
可以理解，所述无机非金属多孔层122的层数可依据实际情况进行适应性调整，可以是三层、四层、或五层，在此不做限定。
在另一些实施方式中，所述无机非金属多孔件12可仅包括单层的所述无机非金属多孔层122。
在一些实施方式中，所述治具为堆叠式，以对多组所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12进行加压。
可以理解，利用堆叠式的治具对多组所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12进行加压，可以同时获得多个复合为一体的所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12，从而有效提高所述金属复合件10的生产效率。
在步骤S1中，所述施加的压力P满足以下条件：
P＝所述无机非金属多孔件12的强度×所述无机非金属多孔件12的孔隙率×f3。其中，f3的范围为50％～65％。
在一些实施方式中，所述施加的压力P为3Mpa。
在一些实施方式中，在步骤S1前，还需对所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12进行表面前处理，以避免对后续加工工序产生影响。
所述前处理的步骤具体如下：
步骤一：对所述金属基体11的表面和所述无机非金属多孔件12的表面进行抛光处理。
步骤二：对经抛光处理后的所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12进行超声波清洗后烘干。
步骤S2：加热放置有所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12的所述治具，以使得所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12复合以形成所述金属复合件10。
可以理解，在对所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12进行加压加热时，所述金属基体11与所述无机非金属多孔件12接触的表面在压力和温度的作用下，相互靠近，并发生塑性变形，经一定时间后所述金属基体11与所述无机非金属多孔件12的接触界面原子间相互扩散，形成牢固的过渡层13，从而实现对所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12的牢固复合。此外，因所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12的成分不同，所述金属基体11与所述无机非金属多孔件12在压力和温度的作用下，所述金属基体11中的元素和所述无机非金属多孔件12中的元素能够形成一些离子键和共价键的结合，从而增强了所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12之间的结合强度及密封性。
在一些实施方式中，请参见图4，所述过渡层13的厚度范围为500nm～1000nm。
在一些实施方式中，H1≤(1/3)×H2。其中，H1为所述过渡层13的厚度，H2为所述无机非金属多孔件12的厚度。
在步骤S2中，加热的温度T满足以下条件：
当D<30％时，T＝M×f1；
当D≥30％时，T＝M×f2；其中，D为所述金属基体11的熔点和所述无机非金属多孔件12的熔点之间的差异百分比，M为取所述金属基体11的熔点和所述无机非金属多孔件的熔点中的低熔点值，f1和f2为换算系数，f1的范围为50％～60％，f2的范围为75％～85％。D＝[(高熔点—低熔点)/低熔点]×100％，高熔点为所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12中最高的熔点值，低熔点为所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12中最低的熔点值。
在一些实施方式中，所述加热的温度为700℃。
在步骤S2中，所述加热的时间范围为3h～10h。
在一些实施方式中，所述加热的时间为4h。
在一些实施方式中，请参见图7，所述金属复合件10的制备方法还包括：
步骤S3：在所述无机非金属多孔件12背向所述金属基体11的一侧注塑形成塑胶层14，所述塑胶层14的塑胶填充在所述无机非金属多孔件12的孔121中。
具体地，将复合为一体的所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12装配到模具(图未示)中。接着，合模后使熔融塑胶射出，让塑胶填充满所述无机非金属多孔件12的孔121内，形成互锁结构，从而有效提升所述金属基体11和所述塑胶层14的结合强度及密封性。
在一些实施方式中，在步骤S3前，还需对复合为一体的所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12进行清洗处理。
其中，所述清洗处理的步骤为：将复合为一体的所述金属基体11和所述无机非金属多孔件12放入去离子水中超声波清洗5分钟～20分钟后取出，再进行烘干即可。
请参见图8和图9，本申请一实施方式还提供了一种电子装置的壳体20。所述电子装置的壳体20不限于应用至电子装置200。所述电子装置200不限于手环、平板和如图8所示的手机。
请参见图9，所述电子装置的壳体20包括金属基体21、无机非金属多孔件22和过渡层23。所述过渡层23设置于所述金属基体21和所述无机非金属多孔件22之间。在所述过渡层23中，从所述过渡层23靠近所述金属基体21的一侧向远离所述金属基体21的一侧的方向上，所述金属基体21的元素呈递减分布，所述无机非金属多孔件22的元素呈递增分布。
在一些实施方式中，所述金属基体21通过在其自身表面复合无机非金属多孔件22所形成的电子装置的壳体20，有效避免了通过现有化学药剂或激光的方式对金属基体21进行造孔所带来的材料适用性问题、环境污染问题、安全问题及外观损毁等问题。
所述金属基体21的材料选自钛和钛合金中的一种。
在一些实施方式中，所述金属基体21的材料还不限于选自不锈钢和铝合金中的一种。
所述无机非金属多孔件22的材料不限于选自氧化锆、氧化硅、玻璃纤维和碳化硅中的至少一种。
所述无机非金属多孔件22的厚度范围为0.2mm～0.3mm。
在一些实施方式中，所述无机非金属多孔件22的厚度不限于是0.21mm、0.23mm、0.25mm、0.27mm或0.29mm。其中，所述无机非金属多孔件22的厚度可依据实际情况进行适应性调整，在此不做限定。
请参见图10，所述无机非金属多孔件22包括孔221。所述孔221的孔径范围为0.15mm～0.35mm。
在一些实施方式中，所述孔221的孔径范围为0.20mm、0.25mm或0.30mm。其中，所述孔221的孔径可依据实际情况进行适应性调整，在此不做限定。
在一些实施方式中，所述孔221的形状不限于呈圆形、矩形、菱形等规则形成或其他不规则形状。
所述无机非金属多孔件22的孔隙率范围为45％～60％。
在一些实施方式中，所述无机非金属多孔件22的孔隙率不限于为50％或55％。其中，所述无机非金属多孔件22的孔隙率可依据实际情况进行适应性调整，在此不做限定。
在一些实施方式中，请参见图11，所述无机非金属多孔件22包括至少两层堆叠设置的无机非金属多孔层222。
可以理解，所述无机非金属多孔层222的层数可依据实际情况进行适应性调整，可以是三层、四层、或五层，在此不做限定。
所述过渡层23的厚度,范围为500nm～1000nm。
在一些实施方式中，所述过渡层23的厚度为H3，所述无机非金属多孔件22的厚度为H4，其中，H3≤(1/3)×H4。
在一些实施方式中，请参见图12，所述电子装置的壳体20还包括塑胶层24。所述塑胶层24设置于所述无机非金属多孔件22背向所述金属基体21的一侧，所述塑胶层24中的塑胶填充于所述孔221内。
在一些实施方式中，所述电子装置的壳体20中的金属基体21通过在其表面设置的具备孔221结构的无机非金属多孔件22，使得所述塑胶层24在与所述金属基体21复合时，所述塑胶层24中的塑胶填充于所述孔221内，以形成有效的互锁结构，从而大大提升了所述金属基体21和所述塑胶层24的结合性能及密封性。此外，相较于通过化学蚀刻或激光蚀刻来形成金属材料与塑胶复合件所需的注塑孔的情况，本申请中所述电子装置的壳体20借助所述无机非金属多孔件22来实现所述金属基体21和所述塑胶层24的复合，有效避免了通过现有的化学蚀刻或激光蚀刻的方式对金属基体21进行造孔所带来的材料适用性问题、环境污染问题、安全问题及外观损毁等问题。
在一些实施方式中，请参见图13，所述金属基体21包括第一表面211及第二表面212。所述第一表面211和所述第二表面212上分别依次设置有所述过渡层23、所述无机非金属多孔件22和所述塑胶层24。
以上实施方式仅用以说明本申请的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施方式对本申请进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本申请技术方案的精神和范围。
Claims (20)
1.一种金属复合件，包括：
金属基体；
无机非金属多孔件；及
过渡层；其中，
所述过渡层设置于所述金属基体和所述无机非金属多孔件之间；
在所述过渡层中，从所述过渡层靠近所述金属基体的一侧向远离所述金属基体的一侧的方向上，所述金属基体的元素呈递减分布，所述无机非金属多孔件的元素呈递增分布。
2.如权利要求1所述的金属复合件，其中，
所述过渡层的厚度范围为500nm～1000nm。
3.如权利要求1所述的金属复合件，其中，
所述过渡层的厚度范围为小于等于所述无机非金属多孔件的厚度的1/3。
4.如权利要求1所述的金属复合件，其中，
所述无机非金属多孔件的厚度范围为0.2mm～0.3mm。
5.如权利要求1所述的金属复合件，其中，
所述无机非金属多孔件包括至少两层堆叠设置的无机非金属多孔层。
6.如权利要求1所述的金属复合件，其中，
所述无机非金属多孔件的孔隙率范围为45％～60％。
7.如权利要求1所述的金属复合件，其中，
所述无机非金属多孔件包括孔，所述孔的孔径范围为0.15mm～0.35mm。
8.如权利要求7所述的金属复合件，其中，
所述金属复合件还包括塑胶层，所述塑胶层设置于所述无机非金属多孔件背向所述金属基体的一侧，所述塑胶层中的塑胶填充于所述孔内。
9.如权利要求1所述的金属复合件，其中，
所述无机非金属多孔件的材料选自氧化锆、氧化硅、玻璃纤维和碳化硅中的至少一种。
10.如权利要求1所述的金属复合件，其中，
所述金属基体的材料选自钛和钛合金中的一种。
11.一种金属复合件的制备方法，包括：
将金属基体和无机非金属多孔件放入治具内，并对所述金属基体和所述无机非金属多孔件施加压力；以及
加热放置有所述金属基体和所述无机非金属多孔件的所述治具，以使得所述金属基体和所述无机非金属多孔件复合以形成所述金属复合件。
12.如权利要求11所述的金属复合件的制备方法，其中，在所述加热放置有所述金属基体和所述无机非金属多孔件的所述治具的步骤中，加热的温度T满足以下条件：
当D<30％时，T＝M×f1；
当D≥30％时，T＝M×f2；
其中，D为所述金属基体的熔点和所述无机非金属多孔件的熔点之间的差异百分比，M为取所述金属基体的熔点和所述无机非金属多孔件的熔点中的低熔点值，f1和f2为换算系数，f1的范围为50％～60％，f2的范围为75％～85％。
13.如权利要求11所述的金属复合件的制备方法，其中，在所述的对所述金属基体和所述无机非金属多孔件施加压力的步骤中，所述施加的压力P满足以下条件：
P＝所述无机非金属多孔件的强度×所述无机非金属多孔件的孔隙率×f3，其中f3的范围为50％～65％。
14.如权利要求11所述的金属复合件的制备方法，其中，在所述加热放置有所述金属基体和所述无机非金属多孔件的所述治具的步骤中，
所述加热的时间范围为3h～10h。
15.如权利要求11所述的金属复合件的制备方法，其中，
所述加压治具为堆叠式，以对多组所述金属基体和所述无机非金属多孔件进行加压。
16.如权利要求11所述的金属复合件的制备方法，还包括：
在所述无机非金属多孔件背向所述金属基体的一侧注塑形成塑胶层，所述塑胶层的塑胶填充在所述无机非金属多孔件的孔中。
17.一种电子装置的壳体，包括：
金属基体；
无机非金属多孔件；及
过渡层；其中，
所述过渡层设置于所述金属基体和所述无机非金属多孔件之间；
在所述过渡层中，从所述过渡层靠近所述金属基体的一侧向远离所述金属基体的一侧的方向上，所述金属基体的元素呈递减分布，所述无机非金属多孔件的元素呈递增分布。
18.如权利要求17所述的壳体，其中，
所述过渡层的厚度范围为小于等于所述无机非金属多孔件的厚度的1/3。
19.如权利要求17所述的壳体，其中，
所述无机非金属多孔件的厚度范围为0.2mm～0.3mm。
20.如权利要求17所述的壳体，其中，
所述壳体还包括塑胶层，所述塑胶层设置于所述无机非金属多孔件背向所述金属基体的一侧，所述塑胶层中的塑胶填充于所述孔内。
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