CN114678401A - 显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 21
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 160
- 102100030988 Angiotensin-converting enzyme Human genes 0.000 description 24
- 102100023044 Cytosolic acyl coenzyme A thioester hydrolase Human genes 0.000 description 24
- 101710152190 Cytosolic acyl coenzyme A thioester hydrolase Proteins 0.000 description 24
- 102100025854 Acyl-coenzyme A thioesterase 1 Human genes 0.000 description 23
- 101710175445 Acyl-coenzyme A thioesterase 1 Proteins 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- 108090000882 Peptidyl-Dipeptidase A Proteins 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 102100035765 Angiotensin-converting enzyme 2 Human genes 0.000 description 8
- 108090000975 Angiotensin-converting enzyme 2 Proteins 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 101100325959 Arabidopsis thaliana BHLH77 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100378100 Mus musculus Ace3 gene Proteins 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- -1 Acryl Chemical group 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910016027 MoTi Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
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- H10K59/805—Electrodes
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- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
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- H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
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Abstract
显示装置。显示装置包括:基板,其设置有透射区和设置在透射区之间的多个子像素;驱动晶体管,其设置在多个子像素中的每一个中;阳极电极,其设置在多个子像素中的每一个中,并且通过阳极接触孔与驱动晶体管连接;堤部,其在阳极电极之上与阳极接触孔的至少一部分交叠;发光层,其设置在阳极电极和堤部之上;以及阴极电极,其设置在发光层之上。阳极电极的至少一侧的端部被暴露出来而不被堤部覆盖。显示装置可以提高开口率。
Description
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着面向信息的社会的发展,对显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。近来,已经广泛利用诸如液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)装置和有机发光显示(OLED)装置、量子点发光显示(QLED)装置的各种类型的显示装置。
近来,正在积极进行允许用户在透过显示装置之后观看布置在显示装置的相对侧的对象或图像的透明显示装置的研究。
透明显示装置包括显示图像的显示区以及非显示区,其中显示区可以包括可以透射外部光的透射区和非透射区。透明显示装置可以通过透射区在显示区中具有高透光率。
透明显示装置可以通过增加透射区来提高透明度。然而,当透射区增加时,非透射区减少。透明显示装置的问题在于:因为发光区设置在有尺寸窄的非透射区中,所以亮度比普通显示装置劣化。
发明内容
鉴于包括以上问题的各种技术问题做出了本公开,并且本公开的各种实施方式提供了一种可以提高开口率的显示装置。
除了上述本公开的技术优点之外,本领域技术人员从本公开的以下描述中将清楚地理解本公开的附加技术优点和特征。
根据本公开的一个方面,以上和其他技术优点可以通过提供一种显示装置来实现,该显示装置包括:基板,其设置有透射区和设置在透射区之间的多个子像素;驱动晶体管,其设置在多个子像素中的每一个中;阳极电极,其设置在多个子像素中的每一个中,并通过阳极接触孔与驱动晶体管连接;堤部,其在阳极电极上与阳极接触孔的至少一部分交叠;发光层,其设置在阳极电极和堤部上;以及阴极电极,其设置在发光层上。阳极电极的至少一侧的端部被暴露出来而不被堤部覆盖。
根据本公开的另一方面,以上和其他技术优点可以通过提供一种显示装置来实现,该显示装置包括:基板,其设置有透射区和设置在透射区之间的多个子像素;驱动晶体管,其包括有源层、栅极、源极和漏极;阳极电极,其设置在多个子像素中的每一个中,并通过阳极接触孔与驱动晶体管的源极或漏极连接;堤部,其用岛状图案在阳极电极上覆盖至少一个阳极接触孔;发光层,其设置在阳极电极和堤部上;以及阴极电极,其设置在发光层上。
根据本公开的另一方面,以上和其他技术优点可以通过提供一种显示装置来实现,该显示装置包括:基板,其设置有显示区和非显示区,该显示区包括透射区和设置在透射区之间的多个子像素,并且该非显示区设置在显示区的至少一侧上;阳极电极,其设置在多个子像素中的每一个中;以及堤部,其以网格形状设置在显示区中,同时暴露出阳极电极的至少一侧。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述,将更清楚地理解本公开的以上和其他目的、特征和其他优点,在附图中:
图1是根据本公开一个实施方式的显示装置的立体图;
图2是例示根据本公开一个实施方式的透明显示面板的示意性平面图;
图3是例示设置在透明显示面板中的像素的示例的图;
图4是沿图3的线I-I′截取的截面图;
图5是沿图3的线II-II′截取的截面图;
图6是例示设置在透明显示面板中的像素的另一示例的图;
图7是例示图6的像素中的阳极电极和堤部的图;
图8是沿图6的线III-III'截取的截面图;
图9是例示图6的变型实施方式的图;
图10是例示设置在透明显示面板的整个区域中的堤部的示例的图;以及
图11是例示图6的另一变型实施方式的图。
具体实施方式
通过以下参照附图描述的实施方式,将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而,本公开可以以不同的形式体现并且不应被解释为限于在此阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式是为了使本公开彻底和完整,并将本公开的范围充分传达给本领域技术人员。
在用于描述本公开的实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例,因此,本公开不限于所示的细节。在整个说明书中,相似的附图标记指代相似的元件。在以下描述中,当相关已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地掩盖本公开的要点时,将省略详细描述。在使用本说明书中描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下,除非使用“仅~”,否则可以添加另一部分。除非提及相反描述,否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在解释元件时,尽管没有明确的描述,但该元件被解释为包含误差范围。
在描述位置关系时,例如,当位置关系被描述为“在~上”、“在~之上”、“在~下”和“在~下一个”时,两个部分之间可以设置一个或更多个部分,除非使用“紧靠”或“直接”。
应当理解,尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不脱离本公开的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件可以被称为第一元件。
在描述本公开的元件时,可以使用术语“第一”、“第二”等。这些术语旨在从其它元件中识别出相应的元件,并且相应元件的基础、顺序或数量不受这些术语的限制。元件“连接”或“联接”至另一个元件的表述应理解为:除非特别提及,否则该元件可以直接连接或联接至另一元件但可以直接连接或联接至另一元件,或者第三元件可以插置于相应元件之间。
如本领域技术人员可以充分理解的,本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此联接或组合,并且可以以各种方式彼此互操作和技术驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地实施,或者可以相互依存地一起实施。
在下文中,将参照附图详细描述根据本公开的显示装置的示例。在可能的情况下,在整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。
图1是例示根据本公开的一个实施方式的显示装置的立体图。
在下文中,X轴表示与扫描线平行的线,Y轴表示与数据线平行的线,而Z轴表示显示装置100的高度方向。
虽然已经基于根据本公开的一个实施方式的显示装置100被实现为有机发光显示装置描述了本说明书,但是显示装置100可以被实现为液晶显示装置、等离子体显示面板(PDP)、量子点发光显示器(QLED)或电泳显示装置。
参照图1,根据本公开的一个实施方式的显示装置100包括显示面板110、源极驱动集成电路(IC)210、柔性膜220、电路板230和定时控制器240。
显示面板110包括彼此面对的第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封装基板。第一基板111可以是使用半导体工艺形成的塑料膜、玻璃基板或硅晶圆基板。第二基板112可以是塑料膜、玻璃基板或封装膜。第一基板111和第二基板112可以由透明材料制成。
扫描驱动器可以通过面板内选通驱动器(GIP)方法设置在显示面板110的显示区的一侧,或者显示面板110的两个外围侧的非显示区中。另一种方式,扫描驱动器可以制造在驱动芯片中,可以安装在柔性膜上,并且可以通过载带自动键合(TAB)方法附接至显示面板110的显示区的一个外围侧或两个外围侧。
如果源极驱动IC 210制造在驱动芯片中,则源极驱动IC 210可以通过膜上芯片(COF)方法或塑料上芯片(COP)方法安装在柔性膜220上。
可以在显示面板110的焊盘区PA中设置焊盘,诸如电源焊盘和数据焊盘。连接焊盘与源极驱动IC 210的线以及连接焊盘与电路板230的线的线可以设置在柔性膜220中。柔性膜220可以使用各向异性导电膜附接到焊盘上,由此焊盘可以与柔性膜220的线连接。
图2是例示根据本公开一个实施方式的透明显示面板的示意性平面图,图3是例示设置在透明显示面板中的像素的示例的图,图4是沿图3的线I-I′截取的截面图,并且图5是沿图3的线II-II′截取的截面图。
在下面的描述中,虽然显示面板110被实施为透明显示面板,但是显示面板110可以被实施为不设置透射区TA的普通显示面板。
参照图2和图5,第一基板111可以包括设置有像素P以显示图像的显示区DA和不显示图像的非显示区NDA。
非显示区NDA可以设置有其中设置有焊盘PAD的焊盘区PA和至少一个扫描驱动器205。
扫描驱动器205连接至扫描线SL并向扫描线SL提供扫描信号。扫描驱动器205可以通过面板内选通驱动器(GIP)方法设置在显示面板110的显示区DA的一侧或显示面板110的两个外围侧的非显示区NDA中。例如,如图2所示,扫描驱动器205可以设置在显示面板110的显示区DA的两侧,但是这些扫描驱动器不限于此。扫描驱动器205可以仅设置在显示面板110的显示区DA的一侧。
如图3所示,显示区DA包括透射区TA和非透射区NTA。透射区TA是外部入射光中的大部分穿过的区域,而非透射区NTA是外部入射光中的大部分无法透射的区域。例如,透射区TA可以是透光率大于α%(例如,约90%)的区域,而非透射区NTA可以是透光率小于β%(例如,约50%)的区域。此时,α大于β。由于透射区TA,用户可以看到布置在显示面板110的后表面上的对象或背景。
非透射区NTA可以包括多个像素P,以及用于分别向多个像素P提供信号的多条第一信号线SL1和第二信号线SL2。
多条第一信号线SL1可以在第一方向(例如,X轴方向)上延伸。多条第一信号线SL1可以与多条第二信号线SL2交叉。多条第一信号线SL1中的每一条可以包括至少一条扫描线SCANL。
在下文中,当第一信号线SL1包括多条线时,第一信号线SL1可以是指包括多条线的信号线组。例如,一条第一信号线SL1可以是指包括两条扫描线SCANL的信号线组。
多条第二信号线SL2可以在第二方向(例如,Y轴方向)上延伸。多条第二信号线SL2中的每条可以包括数据线DL1和DL2、参考线REFL和公共电源线VSSL中的至少一条。多条第二信号线SL2中的每条还可以包括像素电源线(未示出)。
在下文中,当第二信号线SL2包括多条线时,第二信号线SL2可以是指包括多条线的信号线组。例如,如图4和图5所示,一条第二信号线SL2可以是指包括两条数据线DL1和DL2、参考线REFL和公共电源线VSSL的信号线组。
透射区TA可以设置在彼此相邻的第一信号线SL1之间。另外,透射区TA可以设置在彼此相邻的第二信号线SL2之间。结果,透射区TA可以被两条第一信号线SL1和两条第二信号线SL2包围。
像素P可以设置为与第一信号线SL1和第二信号线SL2中的至少一个交叠,从而发射预定光以显示图像。发光区EA可以对应于像素P中发光的区域。
每个像素P可以包括第一子像素P1、第二子像素P2、第三子像素P3和第四子像素P4中的至少一个。第一子像素P1可以包括发射红色光的第一发光区EA1。第二子像素P2可以包括发射白色光的第二发光区EA2。第三子像素P3可以包括发射蓝色光的第三发光区EA3。第四子像素P4可以包括发射绿色光的第四发光区EA4。然而,发光区不限于该示例。每个像素P还可以包括发射除红、绿、蓝和白之外的颜色的光的子像素。此外,子像素P1、P2、P3和P4的布置顺序可以以各种方式改变。
在下文中,为了便于描述,将基于以下给出描述:第一子像素P1为发射红光的红色子像素,第二子像素P2为发射白光的白色子像素,第三子像素P3为发射蓝光的蓝色子像素,并且第四子像素P4为发射绿光的绿色子像素。
多个像素P中的每一个可以设置在设置于透射区TA之间的非透射区NTA中。多个像素P可以设置为在非透射区NTA中在第二方向(例如,Y轴方向)上彼此相邻。例如,多个像素P中的两个可以设置为在非透射区NTA中彼此相邻,并且第一信号线SL1插置于它们之间。
根据一个实施方式,多个像素P中的每一个可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3,并且还可以包括第四子像素SP4。在多个像素P的每一个中,第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4可以基于中间区而设置。在这种情况下,中间区可以表示每个像素P的中间区。
详细地,第一子像素SP1和第二子像素SP2可以设置为基于像素P的中间区在第一方向(例如,X轴方向)上彼此相邻,并且第三子像素SP3和第四子像素SP4可以设置为基于像素P的中间区在第一方向(例如,X轴方向)上彼此相邻。第一子像素SP1和第二子像素SP2中的一个可以设置为在第二方向(例如,Y轴方向)上与第三子像素SP3和第四子像素SP4中的一个相邻。
如上所述设置的第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4中的每一个可以包括包含电容器、薄膜晶体管等的电路元件、用于向电路元件提供信号的多条信号线、以及发光元件。薄膜晶体管可以包括开关晶体管、感测晶体管和驱动晶体管TR。
在显示面板110中,多条信号线以及第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4应设置在除透射区TA以外的非透射区NTA中。因此,第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4可以与第一信号线SL1或第二信号线SL2中的至少一个交叠。
虽然图3至图5示出了第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4与第二信号线SL2的至少一部分交叠而不与第一信号线SL1交叠,但是本公开的实施方式不限于此。在另一实施方式中,第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4的一部分可以与第一信号线SL1局部交叠。
如上所述,多条信号线可以包括在第一方向(例如,X轴方向)上延伸的第一信号线SL1和在第二方向(例如,Y轴方向)上延伸的第二信号线SL2。
第一信号线SL1可以包括扫描线。扫描线可以向像素P的子像素SP1、SP2、SP3和SP4提供扫描信号。
第二信号线SL2可以包括数据线DL1和DL2、参考线REFL和公共电源线VSSL中的至少一个,但不限于此。第二信号线SL2还可以包括像素电源线。
参考线REFL可以向设置在显示区DA中的子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个的驱动晶体管TR提供参考电压(或初始化电压或感测电压)。
数据线DL1和DL2中的每一条可以向设置在显示区DA中的子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的至少一个提供数据电压。例如,第一数据线DL1可以向第一子像素SP1和第三子像素SP3中的每一个的驱动晶体管TR提供第一数据电压,并且第二数据线DL2可以向第二子像素SP2和第四子像素SP4中的每一个的驱动晶体管TR提供第二数据电压。
像素电源线(未示出)可以向子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个的阳极电极120提供第一电源。公共电源线VSSL可以向子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个的阴极电极140提供第二电源。
开关晶体管根据提供给扫描线的扫描信号进行切换,以向驱动晶体管TR提供从数据线DL1和DL2提供的数据电压。
感测晶体管用于感测驱动晶体管TR的阈值电压的偏差,该偏差导致图像质量劣化。
驱动晶体管TR根据开关薄膜晶体管提供的数据电压进行切换,以根据从像素电源线(未示出)提供的电源生成数据电流,并将数据电流提供给子像素的阳极电极120。针对子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个设置驱动晶体管TR,并且驱动晶体管TR包括有源层ACT、栅极GE、源极SE和漏极DE。
电容器用于将提供给驱动晶体管TR的数据电压保持一帧。电容器可以包括第一电容器电极和第二电容器电极,但不限于此。在另一个实施方式中,电容器可以包括三个电容器电极。
参照图4和图5,源层ACT可以设置在第一基板111之上。有源层ACT可以由硅基半导体材料或氧化物基半导体材料形成。
用于遮挡入射在有源层ACT上的外部光的遮光层LS可以设置在有源层ACT和第一基板111之间。遮光层LS可以由具有导电性的材料形成,并且可以由以下单层或多层形成:该单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或它们的合金制成。在这种情况下,可以在遮光层LS和有源层ACT之间设置缓冲层BF。
栅极绝缘层GI可以设置在有源层ACT之上。栅极绝缘层GI可以由例如氧化硅膜(SiOX)、氮化硅膜(SiNx)或SiOx和SiNx的多层膜的无机膜形成。
栅极GE可以设置在栅极绝缘层GI之上。栅极GE可以由以下单层或多层形成:该单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任意一种或它们的合金制成。
层间介电层ILD可以栅极GE之上。层间介电层ILD可以由例如氧化硅膜(SiOX)、氮化硅膜(SiNx)、或SiOx和SiNx的多层膜的无机膜形成。
另外,多条信号线中的至少一条可以与栅极GE设置在相同的层中。例如,公共电源线VSSL可以由与栅极GE的材料相同的材料与栅极GE形成在相同的层上,但不限于此。
源极SE和漏极DE可以设置在层间介电层ILD之上。源极SE和漏极DE可以通过穿过栅极绝缘层GI和层间介电层ILD的接触孔连接至有源层ACT。
源极SE和漏极DE可以由以下单层或多层形成:该单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任意一种或它们的合金制成。
另外,多条信号线中的至少一条可以与源极SE和漏极DE设置在相同的层中。例如,数据线DL1和DL2、参考线REFL可以由与源极SE和漏极DE的材料相同的材料与源极SE和漏极DE形成在相同的层上,但是不限于此。通过接触孔连接至公共电源线VSSL的公共电源图案VSSP可以进一步与源极SE和漏极DE设置在相同的层上。
在图4和图5中,数据线DL1和DL2、参考线REFL与源极SE和漏极DE设置在相同的层上,而公共电源线VSSL与栅极GE设置在相同的层上,但是不限于此。在另一实施方式中,数据线DL1和DL2、参考线REFL和公共电源线VSSL中的每一条可以与遮光层LS、栅极GE、源极SE和漏极DE中的任一条设置在相同的层上。
用于保护驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4的钝化层PAS可以设置在源极SE和漏极DE之上。平坦化层PLN可以设置在钝化层PAS之上以平坦化由于驱动晶体管TR引起的台阶差。平坦化层PLN可以不设置在透射区TA中,如图4和图5所示。
例如,平坦化层PLN可以由含有感光丙烯酸(PAC:photo acryl)的丙烯酸基材料制成。感光丙烯酸(PAC)具有优异的平坦化特性,因此在表面上具有优异的成膜均匀性。因此,可以获得发光元件的均匀发光特性。
但是,由于材料特性,感光丙烯酸(PAC)可能具有泛黄颜色。当在包括透射区TA的整个表面上提供由感光丙烯酸(PAC)制成的平坦化层PLN时,在透射区TA中可能出现泛黄现象。因此,透射区TA中的透光率可能会劣化。
在根据本公开的一个实施方式的显示面板110中,平坦化层PLN可以由具有优异平坦化特性的材料(例如,感光丙烯酸(PAC))形成,并且与透射区TA的至少一部分交叠的开口可以设置在平坦化层PLN中。因此,根据本公开一个实施方式的显示面板110可以确保发光元件的均匀发光特性,同时可以防止在透射区TA中出现泛黄现象。
同时,公共电源图案VSSP的至少一部分可以在平坦化层PLN的开口中被暴露出来,而没有被钝化层PAS覆盖。
由阳极电极120、发光层130和阴极电极140组成的发光元件和堤部125设置在平坦化层PLN之上。
可以针对子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个设置阳极电极120。详细地,第一阳极电极121可以设置在第一子像素SP1中,第二阳极电极122可以设置在第二子像素SP2中,第三阳极电极123可以设置在第三子像素SP3中,以及第四阳极电极124可以设置在第四子像素SP4中。阳极电极120没有设置在透射区TA中。
阳极电极120可以设置在平坦化层PLN之上并与驱动晶体管TR连接。详细地,第一阳极电极121可以通过穿过平坦化层PLN和钝化层PAS的第一阳极接触孔ACH1连接至第一子像素SP1的驱动晶体管TR的源极SE或漏极DE。第二阳极电极122可以通过穿过平坦化层PLN和钝化层PAS的第二阳极接触孔ACH2连接至第二子像素SP2的驱动晶体管TR的源极SE或漏极DE。第三阳极电极123可以通过穿过平坦化层PLN和钝化层PAS的第三阳极接触孔ACH3连接至第三子像素SP3的驱动晶体管TR的源极SE或漏极DE。第四阳极电极124可以通过穿过平坦化层PLN和钝化层PAS的第四阳极接触孔ACH4连接至第四子像素SP4的驱动晶体管TR的源极SE或漏极DE。此时,第一阳极接触孔至第四阳极接触孔ACH1、ACH2、ACH3和ACH4可以一起设置在像素P的中间区中,如图3所示。
阳极电极120可以由以下具有高反射率的金属材料形成:诸如Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金、Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)、MoTi合金、以及MoTi合金和ITO的沉积结构(ITO/MoTi合金/ITO)。Ag合金可以是Ag、Pd、Cu等的合金。MoTi合金可以是Mo和Ti的合金。
堤部125可以设置在阳极电极120和平坦化层PLN之上。子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个的发光区EA1、EA2、EA3和EA4表示其中顺序地沉积阳极电极120、有机发光层130和阴极电极140使得来自阳极电极120的空穴和来自阴极电极140的电子在有机发光层130中彼此结合以发光的区域。在这种情况下,设置有堤部125的区域不发光,因此可以是非发光区,而不设置堤部125且暴露出阳极电极120的区域可以是发光区EA1、EA2、EA3和EA4。
堤部125可以与阳极接触孔ACH的至少一部分交叠以填充由阳极接触孔ACH产生的台阶差。此时,可以设置堤部125以覆盖或至少局部覆盖一个阳极接触孔ACH或多个阳极接触孔ACH。
具体地,堤部125可以用一个图案覆盖或至少局部覆盖一个阳极接触孔ACH,但不限于此。例如,堤部125可以用一个堤部图案覆盖或至少局部覆盖第一子像素SP1的第一阳极接触孔ACH1,用另一堤部图案覆盖或至少局部覆盖第二子像素SP2的第二阳极接触孔ACH2,以及用又一堤部图案覆盖或至少局部覆盖第三子像素SP3的第三阳极接触孔ACH3。堤部125可以用再一堤部图案覆盖或至少局部覆盖第四子像素SP4的第四阳极接触孔ACH4。结果,可以在设置于一个像素P中的第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中提供四个堤部图案。堤部图案可以是彼此分开的岛状图案。
在根据本公开一个实施方式的显示面板110中,堤部125不设置为覆盖或至少局部覆盖阳极电极120的端部,并且可以在与阳极接触孔ACH交叠的区域中设置为小尺寸。因此,在根据本公开一个实施方式的显示面板110中,阳极电极120的至少一侧的端部可以被暴露出来而不被堤部125覆盖。因此,发光区EA的至少一侧可以与阳极电极120的被暴露出来而不被堤部125覆盖的端部相匹配。
然而,在根据本公开一个实施方式的显示面板110中,堤部125可以设置在阳极接触孔ACH之上。堤部125填充阳极接触孔ACH的台阶差,由此可以防止沉积在堤部125的上部之上的阴极电极140由于阳极接触孔ACH而与阳极电极120短路。
此时,堤部125只要具有能够覆盖阳极接触孔ACH的面积即可,不需要覆盖阳极电极120的端部。在根据本公开一个实施方式的显示面板110中,堤部125的面积小,由此可以增加被暴露出来而不被堤部125覆盖的阳极电极120的面积。也就是说,根据本公开一个实施方式的显示面板110可以提高开口率。
同时,堤部125可以用一个图案覆盖或至少局部覆盖多个阳极接触孔ACH,如图3至图5所示。例如,堤部125可以用一个堤部图案覆盖或至少局部覆盖第一子像素SP1的第一阳极接触孔ACH1、第二子像素SP2的第二阳极接触孔ACH2、第三子像素SP3的第三阳极接触孔ACH3和第四子像素SP4的第四阳极接触孔ACH4。结果,可以在设置于一个像素P中的第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中提供一个堤部图案。
第一子像素SP1的第一阳极接触孔ACH1、第二子像素SP2的第二阳极接触孔ACH2、第三子像素SP3的第三阳极接触孔ACH3和第四子像素SP4的第四阳极接触孔ACH4可以一起设置在中间区,如图3所示。在根据本公开一个实施方式的显示面板110中,可以用单个堤部图案覆盖或至少局部覆盖集中在中间区的第一阳极接触孔至第四阳极接触孔ACH1、ACH2、ACH3和ACH4。此时,堤部图案可以是一个岛状图案。
与图3不同,第一子像素SP1的第一阳极接触孔ACH1、第二子像素SP2的第二阳极接触孔ACH2、第三子像素SP3的第三阳极接触孔ACH3和第四子像素SP4的第四阳极接触孔ACH4可以不集中在中间区。在这种情况下,为了用一个堤部图案覆盖第一阳极接触孔至第四阳极接触孔ACH1、ACH2、ACH3和ACH4,堤部图案可以设置在第一阳极接触孔至第四阳极接触孔ACH1、ACH2、ACH3和ACH4之间。第一阳极接触孔至第四阳极接触孔ACH1、ACH2、ACH3和ACH4不集中,并且第一阳极接触孔至第四阳极接触孔ACH1、ACH2、ACH3和ACH4之间的间隔距离长,由此可以增加堤部图案的面积。
另一方面,在根据本公开一个实施方式的显示面板110中,第一阳极接触孔至第四阳极接触孔ACH1、ACH2、ACH3和ACH4设置为集中在中间区中,从而可以减小第一阳极接触孔至第四阳极接触孔中的ACH1、ACH2、ACH3和ACH4之间的间隔距离。因此,根据本公开一个实施方式的显示面板110可以最小化或减小堤部图案的面积并且最大化或增大开口率。例如,根据本公开的一个实施方式的显示面板110可以最小化堤部图案的面积并且最大化开口率。
同时,在根据本公开一个实施方式的显示面板110中,如图4和5所示,阳极电极120的至少一侧的端部可以暴露出来而不被堤部125覆盖。此时,电流汇聚在阳极电极120的端部上,由此可能出现发光效率劣化的问题。为了解决该问题,在根据本公开一个实施方式的显示面板110中,阳极电极120的端部的倾角θ可以设置为等于或小于45°。
堤部125可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂之类的有机膜形成。
有机发光层130可以设置在阳极电极120之上。有机发光层130可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在这种情况下,当向阳极电极120和阴极电极140施加电压时,空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层向发光层移动,并在发光层中彼此结合而发光。
在一个实施方式中,有机发光层130可以是共同设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的公共层。在这种情况下,发光层可以是发射白光的白色发光层。
在另一实施方式中,可以针对子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个设置有机发光层130。例如,可以在第一子像素SP1中设置发射红光的红色发光层,在第二子像素SP2中设置发射白光的白色发光层,可以在第二子像素SP3中设置发射蓝光的蓝色发光层,以及可以在第四子像素SP4中设置发射绿光的绿色发光层。在这种情况下,有机发光层130的发光层没有设置在透射区TA中。
阴极电极140可以设置在有机发光层130和堤部125之上。阴极电极140可以设置在透射区TA以及包括发光区EA的非透射区NTA中,但不限于此。阴极电极140可以仅设置在包括发光区EA1、EA2、EA3和EA4的非透射区NTA中,并且可以不设置在透射区TA中以提高透光率。
阴极电极140可以连接至通过底切结构UC暴露出来的公共电源图案VSSP。底切结构UC可以形成为使设置在下层之上的上层的端部比下层的端部更突出。
在根据本公开一个实施方式的显示面板110中,钝化层PAS和平坦化层PLN可以设置在公共电源图案VSSP之上。此时,公共电源图案VSSP的至少一部分可以暴露在开口中而不被平坦化层PLN覆盖。平坦化层PLN和钝化层PAS可以对应于底切结构UC的下层。
阳极电极120和与阳极电极120间隔开的上图案UP可以设置在平坦化层PLN之上。上图案UP是底切结构UC的上层,并且其端部可以比平坦化层PLN和钝化层PAS更突出以形成底切结构UC。
如上所述,阴极电极140可以连接至通过底切结构UC暴露出来的公共电源图案VSSP,并且可以通过公共电源图案VSSP被提供有来自公共电源线VSSL的第二电源。
阴极电极140可以是共同设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中以施加相同电压的公共层。阴极电极140可以由能够透射光的导电材料形成。例如,阴极电极140可以由诸如ITO或IZO之类的透明导电材料(TCO)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)、或者镁(Mg)和银(Ag)的合金之类的半透射导电材料形成。
封装层150可以设置在发光元件之上。封装层150可以设置在阴极电极140之上以覆盖或至少局部覆盖阴极电极140。封装层150用于防止氧气或湿气渗入有机发光层130和阴极电极140中。为此,封装层150可以包括至少一层无机膜和至少一层有机膜。
虽然图5中没有示出,但是可以在阴极电极140和封装层150之间附加地设置覆盖层。
滤色器CF可以设置在封装层150之上。滤色器CF可以设置在第二基板112的面向第一基板111的一个表面之上。在这种情况下,设置有封装层150的第一基板111和设置有滤色器CF的第二基板150可以通过单独的粘合层(未示出)彼此接合。粘合剂层(未示出)可以是光学透明树脂层(OCR)或光学透明粘合剂膜(OCA)。
滤色器CF可以设置为针对子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个进行图案化。详细地,滤色器CF可以包括第一滤色器CF1、第三滤色器CF3和第四滤色器CF4。第一滤色器CF1可以设置为对应于第一子像素SP1的发光区EA1,并且可以是透射红光的红色滤色器。第三滤色器CF3可以设置为对应于第三子像素SP3的发光区EA3,并且可以是透射蓝光的蓝色滤色器。第四滤色器CF4可以设置为对应于第四子像素SP4的发光区EA4,并且可以是透射绿光的绿色滤色器。
虽然图4未示出对应于第二子像素SP2的发光区EA2的第二滤色器,但是本公开的实施方式不限于此。滤色器CF还可以包括第二滤色器CF2。第二滤色器(未示出)可以设置为对应于第二子像素SP2的发光区EA2,并且可以是透射白光的白色滤色器。白色滤色器可以由透射白光的透明有机材料形成。
黑矩阵BM可以设置在滤色器CF之间。黑矩阵BM可以设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4之间,以防止在相邻子像素SP1、SP2、SP3和SP4之间发生混色。
虽然图4和图5中未示出,但是黑矩阵BM可以设置在滤色器CF和透射区TA之间。黑矩阵BM可以设置在透射区TA与多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4之间,以防止从多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个发射的光移动到透射区TA。
黑矩阵BM可以包括吸收光的材料,例如吸收可见波长范围内的所有光的黑色染料。
在根据本公开一个实施方式的显示面板110中,堤部125设置为覆盖或至少局部覆盖阳极接触孔ACH,并且暴露出阳极电极120的至少一侧的端部,从而可以最小化或减小堤部125的面积,并且可以最大化或增大开口率。例如,根据本公开的一个实施方式的显示面板110可以具有最小化的堤部125的面积和最大化的开口率。
另外,在根据本公开一个实施方式的显示面板110中,阳极电极120的端部的倾角θ等于或小于45°,由此可以防止发光效率由于电流汇聚在阳极电极120的端部上而劣化。
例如,阳极电极120(具体地,如图4所示的第一阳极电极121)在第一端部和与第一端部相对的第二端部之间延伸。第一端部与堤层125交叠。另一方面,第二端部随着该第二端部接近平坦化层PLN的一端而逐渐变细(参见图4中第二端部的放大图)。倾角θ是基于平坦化层的顶面与第一阳极电极121的第二端部的顶面形成的。图4的放大图还示出了第二电极140在相应位置根据第一阳极电极121改变其倾角。
在图3至图5中,设置在一个像素P中的第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4设置在中间区周围,但不限于此。在另一实施方式中,设置在一个像素P中的第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4可以在第一方向(例如,X轴方向)或第二方向(例如,Y轴方向)上设置成一排。
在下文中,将参照图6至图11描述在如下像素结构中设置堤部125的示例:第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4在第二方向(例如,Y轴方向)上设置成一排。
图6是例示设置在透明显示面板中的像素的另一示例的图,图7是例示图6的像素中的阳极电极和堤部的图,并且图8是沿图6的线III-III′截取的截面图。图9是例示图6的变型实施方式的图,图10是例示设置在透明显示面板的整个区域中的堤部的示例的图,并且图11是例示图6的另一变型实施方式的图。
参照图6至图11,每个像素P被设置为与第一信号线SL1或第二信号线SL2交叠并且发射预定光以显示图像。发光区EA可以对应于像素P中的发射光的区域。
每个像素P可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3或第四子像素SP4中的至少一个。第一子像素SP1可以设置为包括发射红光的第一发光区EA1,第二子像素SP2可以设置为包括发射白光的第二发光区EA2,第三子像素SP3可以设置为包括发射蓝光的第三发光区EA3,并且第四子像素SP4可以设置为包括发射绿光的第四发光区EA4,但它们不限于此。每个像素P可以包括发射除红、绿、蓝和白之外的颜色的光的子像素。另外,子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个的布置顺序可以以各种方式改变。
同时,包括于多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个中的发光区EA1、EA2、EA3和EA4可以包括多个分割发光区。详细地,设置在第一子像素SP1中的第一发光区EA1可以包括两个分割发光区,即,第一分割发光区EA1-1和第二分割发光区EA1-2。设置在第二子像素SP2中的第二发光区EA2可以包括两个分割发光区,即,第一分割发光区EA2-1和第二分割发光区EA2-2。设置在第三子像素SP3中的第三发光区EA3可以包括两个分割发光区,即,第一分割发光区EA3-1和第二分割发光区EA3-2。设置在第四子像素SP4中的第四发光区EA4可以包括两个分割发光区,即,第一分割发光区EA4-1和第二分割发光区EA4-2。
可以在设置在透射区TA之间的非透射区NTA中提供多个像素P中的每一个。多个像素P可以设置为在非透射区NTA中在第二方向(例如,Y轴方向)上彼此相邻。例如,多个像素P可以包括设置在第一信号线SL1的一侧之上的第一像素P1和设置在第一信号线SL1的另一侧之上的第二像素P2。根据一个实施方式,第一像素P1和第二像素P2中的每一个可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3,并且还可以包括第四子像素SP4。
设置在第一像素P1和第二像素P2中的每一个中的第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4可以在第二方向上设置成一排。详细地,设置在第一像素P1中的第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4可以从第一信号线SL1的一侧向第二方向设置成一排。设置在第二像素P2中的第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4可以从第一信号线SL1的另一侧向第二方向设置成一排。
如上所述设置的第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4中的每一个可以包括包含电容器、薄膜晶体管等的电路元件、用于向电路元件提供信号的多条信号线、以及发光元件。薄膜晶体管可以包括开关晶体管、感测晶体管和驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4。
在显示面板110中,多条信号线以及第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4应设置在除透射区TA以外的非透射区NTA中。因此,第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4与第一信号线SL1或第二信号线SL2中的至少一个交叠。
虽然图6示出了第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4与第二信号线SL2的至少一部分交叠而不与第一信号线SL1交叠,但是本公开的实施方式是不限于此。在另一实施方式中,第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4的一部分可以与第一信号线SL1局部交叠。
多条信号线可以包括如上所述的在第一方向(例如,X轴方向)上延伸的第一信号线SL1和在第二方向(例如,Y轴方向)上延伸的第二信号线SL2。
第一信号线SL1可以包括第一扫描线SCANL1和第二扫描线SCANL2。第一扫描线SCANL1可以向设置在第一侧(例如,上侧)的第一像素P1的子像素SP1、SP2、SP3和SP4提供扫描信号。第二扫描线SCANL2可以向设置在第二侧(例如,下侧)的第二像素P2的子像素SP1、SP2、SP3和SP4提供扫描信号。
第二信号线SL2可以包括数据线DL1、DL2、DL3和DL4、像素电源线VDDL、参考线REFL和公共电源线VSSL中至少一个,但不限于此。
参考线REFL可以向设置在显示区DA中的子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4提供参考电压(或初始化电压或感测电压)。
数据线DL1、DL2、DL3和DL4中的每一条可以向设置在显示区DA中的子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的至少一个提供数据电压。例如,第一数据线DL1可以向第一子像素SP1的第一驱动晶体管TR1提供第一数据电压,第二数据线DL2可以向第二子像素SP2的第二驱动晶体管TR2提供第二数据电压,第三数据线DL3可以向第三子像素SP3的第三驱动晶体管TR3提供第三数据电压,并且第四数据线DL4可以向第四子像素SP4的第四驱动晶体管TR4提供第四数据电压。
像素电源线VDDL可以向子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个的阳极电极120提供第一电源。公共电源线VSSL可以向子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个的阴极电极140提供第二电源。
由于开关晶体管、感测晶体管、驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4以及电容器与图3至图5中所示的显示面板110的那些基本相同,所以将省略对它们的描述。
钝化层PAS可以设置在包括开关晶体管、感测晶体管、驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4和电容器的电路元件以及向电路元件提供信号的多条信号线之上。用于平坦化由于驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4引起的台阶差的平坦化层PLN可以设置在钝化层PAS之上。
由阳极电极120、发光层130和阴极电极140组成的发光元件和堤部125设置在平坦化层PLN之上。
可以针对子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个设置阳极电极120。详细地,第一阳极电极121可以设置在第一子像素SP1中,第二阳极电极122可以设置在第二子像素SP2中,第三阳极电极123可以设置在第三子像素SP3中,以及第四阳极电极124可以设置在第四子像素SP4中。阳极电极120没有设置在透射区TA中。
阳极电极120可以设置在平坦化层PLN之上并与驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4连接。详细地,第一阳极电极121可以通过穿过平坦化层PLN和钝化层PAS的第一阳极接触孔ACH1连接至第一子像素SP1的第一驱动晶体管TR1的源极SE或漏极DE。第二阳极电极122可以通过穿过平坦化层PLN和钝化层PAS的第二阳极接触孔ACH2连接至第二子像素SP2的第二驱动晶体管TR2的源极SE或漏极DE。第三阳极电极123可以通过穿过平坦化层PLN和钝化层PAS的第三阳极接触孔ACH3连接至第三子像素SP3的第三驱动晶体管TR3的源极SE或漏极DE。第四阳极电极124可以通过穿过平坦化层PLN和钝化层PAS的第四阳极接触孔ACH4连接至第四子像素SP4的第四驱动晶体管TR4的源极SE或漏极DE。
包括在多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个中的阳极电极121、122、123和124可以设置为多个。例如,包括在多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个中的阳极电极121、122、123和124可以包括第一阳极分割电极121a、122a、123a和124a以及第二阳极分割电极121b、122b、123b和124b。第一阳极分割电极121a、122a、123a和124a以及第二阳极分割电极121b、122b、123b和124b可以设置为在相同的层中彼此间隔开。
根据本公开一个实施方式的显示面板110还可以包括用于连接第一阳极分割电极121a、122a、123a和124a与第二阳极分割电极121b、122b、123b和124b的阳极连接电极ACE。如图6和图7所示,阳极连接电极ACE可以包括第一阳极连接部ACE1、第二阳极连接部ACE2和第三阳极连接部ACE3。
第一阳极连接部ACE1可以从第一阳极分割电极121a、122a、123a和124a朝向透射区TA延伸预定长度那么多。第二阳极连接部ACE2可以从第二阳极分割电极121b、122b、123b和124b朝向透射区TA延伸预定长度那么多。
第三阳极连接部ACE3可以将第一阳极连接部ACE1的一端与第二阳极连接部ACE2的一端连接。因此,第一阳极分割电极121a、122a、123a和124a可以通过阳极连接电极ACE与第二阳极分割电极121b、122b、123b和124b电连接。
第一阳极连接部ACE1、第二阳极连接部ACE2和第三阳极连接部ACE3可以与第一阳极分割电极121a、122a、123a和124a以及第二阳极分割电极121b、122b、123b和124b一体地形成在相同的层中。其中形成第一阳极连接部ACE1、第二阳极连接部ACE2和第三阳极连接部ACE3的区域可以是非透射区NTA,但不限于此。在另一实施方式中,第一阳极连接部ACE1、第二阳极连接部ACE2和第三阳极连接部ACE3可以由透明导电材料制成。在这种情况下,其中形成第一阳极连接部ACE1、第二阳极连接部ACE2和第三阳极连接部ACE3的区域可以是透射区TA。
阳极电极121、122、123和124可以通过阳极连接电极ACE和晶体管连接电极TCE与驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4电连接。
晶体管连接电极TCE可以设置在第一阳极连接部ACE1和第二阳极连接部ACE2之间。晶体管连接电极TCE可以从驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4的源极SE或漏极DE朝向透射区TA延伸预定长度那么多。晶体管连接电极TCE可以与第三阳极连接部ACE3至少局部交叠,并且可以在与第三阳极连接部ACE3交叠的区域中通过阳极接触孔ACH与第三阳极连接部ACE3电连接。
其中设置晶体管连接电极TCE的区域可以是非透射区NTA,但不限于此。透射区TA可以设置在晶体管连接电极TCE和第一阳极连接部ACE1之间以及晶体管连接电极TCE和第二阳极连接部ACE2之间。在另一实施方式中,晶体管连接电极TCE可以由透明导电材料制成。在这种情况下,其中设置晶体管连接电极TCE的区域可以是透射区TA。
在根据本公开的一个实施方式的显示面板110中,在处理期间颗粒可能进入第一阳极分割电极121a、122a、123a和124a和第二阳极分割电极121b、122b、123b和124b之一,从而可能出现黑点。在这种情况下,可以通过切割阳极连接电极ACE的第一阳极连接部ACE1或第二阳极连接部ACE2中的至少一个来修复根据本公开一个实施方式的显示面板110。
例如,在根据本公开一个实施方式的显示面板110中,当由于其中设置了第一阳极分割电极121a、122a、123a和124a的区域中的颗粒而在第一阳极分割电极121a、122a、123a和124a与阴极电极140之间发生短路时,可以通过由激光切割第一阳极连接部ACE1来修复显示面板110。
又例如,当由于其中设置了第二阳极分割电极121b、122b、123b和124b的区域中的颗粒而在第二阳极分割电极121b、122b、123b和124b与阴极电极140之间发生短路时,可以通过由激光切割第二阳极连接部ACE2来修复显示面板110。
在根据本公开一个实施方式的显示面板110中,即使由于颗粒而出现黑点,多个阳极分割电极121a、122a、123a、124a、121b、122b、123b和124b当中仅相应的阳极电极可以通过切割而短路,由此可以降低由于黑点的出现而导致的光损失率。
同时,在根据本公开一个实施方式的显示面板110中,驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4中可能出现缺陷。当根据本公开一个实施方式的显示面板110由于驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4而错误操作时,晶体管连接电极TCE可以通过激光切割,以将相应子像素的驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4与阳极电极120电分离。因此,可以阻止从驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4施加的信号施加到在驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4中具有缺陷的子像素,由此具有缺陷的子像素可能不发光。
第一阳极分割电极121a、122a、123a和124a以及第二阳极分割电极121b、122b、123b和124b可以由诸如以下的具有高反射率的金属材料形成:Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag和ITO的沉积结构(ITO/Ag/ITO)、Ag合金、以及Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)。Ag合金可以是Ag、Pd、Cu等的合金。
堤部125可以设置在阳极连接电极ACE和平坦化层PLN之上。堤部125可以设置为与阳极接触孔ACH的至少一部分交叠以填充由阳极接触孔ACH产生的台阶差。此时,堤部125可以设置为用一个图案覆盖或至少局部覆盖一个阳极接触孔或多个阳极接触孔ACH。
详细地,如图6和图7所示,堤部125可以用一个第一堤部图案BP1覆盖或至少局部覆盖一个阳极接触孔ACH,但不限于此。例如,堤部125可以用一个堤部图案覆盖或至少局部覆盖第一子像素SP1的第一阳极接触孔ACH1,用另一堤部图案覆盖或至少局部覆盖第二子像素SP2的第二阳极接触孔ACH2,以及用又一堤部图案覆盖或至少局部覆盖第三子像素SP3的第三阳极接触孔ACH3。堤部125可以用再一堤部图案覆盖或至少局部覆盖第四子像素SP4的第四阳极接触孔ACH4。结果,可以在设置在一个像素P中的第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中设置四个堤部图案。此时,第一堤部图案BP1可以是彼此分离的岛状图案。
在根据本公开另一实施方式的显示面板110中,堤部125可以在不覆盖阳极电极121、122、123和124的端部的情况下在与阳极接触孔ACH交叠的区域中设置有小面积。因此,在根据本公开另一实施方式的显示面板110中,阳极电极121、122、123和124的至少一侧的端部可以被暴露出来而不被堤部125覆盖。因此,发光区EA的至少一侧可以与被暴露出来而不被堤部125覆盖的阳极电极121、122、123和124的端部匹配。
在根据本公开另一实施方式的显示面板110中,阳极分割电极121a、122a、123a、124a、121b、122b、123b和124b中的两个可以通过阳极连接电极ACE彼此连接,并且阳极连接电极ACE可以通过阳极连接孔ACH1、ACH2、ACH3和ACH4连接至驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4。在根据本公开另一实施方式的显示面板110中,阳极接触孔ACH1、ACH2、ACH3和ACH4可以设置为与阳极分割电极121a、122a、123a、124a、121b、122b、123b和124b间隔开。
因此,在根据本公开另一实施方式的显示面板110中,堤部125可以不设置在阳极分割电极121a、122a、123a、124a、121b、122b、123b和124b之上。因此,在根据本公开另一实施方式的显示面板110中,阳极分割电极121a、122a、123a、124a、121b、122b、123b和124b的所有侧可以暴露出来而不被堤部125覆盖。结果,在根据本公开另一实施方式的显示面板110中,如图7所示,阳极分割电极121a、122a、123a、124a、121b、122b、123b、124b可以与发光区EA匹配。例如,其中设置第一阳极分割电极121a、122a、123a和124a的区域可以是第一分割发光区EA1-1、EA2-1、EA3-1和EA4-1。此外,其中设置第二阳极分割电极121b、122b、123b和124b的区域可以是第二分割发光区EA1-2、EA2-2、EA3-2和EA4-2。
在根据本公开另一实施方式的显示面板110中,堤部125可以设置在阳极接触孔ACH1、ACH2、ACH3和ACH4之上,从而堤部125可以填充阳极接触孔ACH1、ACH2、ACH3和ACH4的台阶差,如图8所示。因此,在根据本公开另一实施方式的显示面板110中,可以防止沉积在堤部125的上部之上的阴极电极140由于阳极接触孔ACH1、ACH2、ACH3和ACH4而与阳极电极120短路。
此时,堤部125只需具有可以覆盖或至少局部覆盖阳极接触孔ACH1、ACH2、ACH3和ACH4的区域,而不需要覆盖阳极电极120的端部。在根据本公开另一实施方式的显示面板110中,由于堤部125的面积小,因此阳极电极120被暴露出来而不被堤部125覆盖,从而可以提高开口率。
同时,如图9所示,堤部125可以用一个第二堤部图案BP2覆盖或至少局部覆盖多个阳极接触孔ACH1、ACH2、ACH3和ACH4。例如,堤部125可以用一个第二堤部图案BP2覆盖或至少局部覆盖第一子像素SP1的第一阳极接触孔ACH1、第二子像素SP2的第二阳极接触孔ACH2、第三子像素SP3的第三阳极接触孔ACH3和第四子像素SP4的第四阳极接触孔ACH4。
因此,如图10所示,堤部125可以以网格形式设置,同时暴露出显示区DA中的多个阳极电极120的至少一侧。详细地,堤部125可以包括在第二方向(例如,Y轴方向)上从显示区DA延伸的多个第二堤部图案BP2,如图10所示。此时,第二堤部图案BP2可以是线图案。在一些实施方式中,第二堤部图案BP2为沿特定方向延伸的条形形状形状(在图9中,第二堤部图案BP2沿Y轴延伸)。设置在显示区DA中的第二堤部图案BP2可以设置在透射区TA与多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4之间,如图9所示。同时,可以在非显示区NDA中设置第四堤部图案BP4和第五堤部图案BP5。第四堤部图案BP4可以设置在设置于显示区DA的一侧的非显示区NDA中并且在第一方向(例如,X轴方向)上延伸。第五堤部图案BP5可以设置在设置于显示区DA的另一侧的非显示区NDA中并且在第一方向(例如,X轴方向)上延伸。多个第二堤部图案BP2可以在第二方向上从显示区DA延伸并且与第四堤部图案BP4和第五堤部图案BP5连接。
返回参照图9,第二堤部图案BP2可以在沿第二方向(例如,Y轴方向)延伸的同时与阴极接触部CCT的至少一部分交叠。在根据本公开另一实施方式的显示面板110中,用于将公共电源线VDDL与阴极电极140连接的阴极接触部CCT可以设置为与第二堤部图案BP2的至少一部分交叠。
在根据本公开的变型实施方式的显示面板110中,堤部125设置有线形式的第二堤部图案BP2,如图9和10所示,由此可以防止堤部125在制造过程期间被损坏。岛状的第一堤部图案BP1由于其面积小而可以最小化对透光率的影响,但是堤部125可能被清洁工艺或外力损坏。为了避免这种情况,在根据本公开的变型实施方式的显示面板110中,堤部125可以设置有线状的第二堤部图案BP2。因此,可以增加堤部125和下层之间的接触面积,并且可以提高界面粘附力。
图9和图10示出了堤部125仅具有在第二方向(例如,Y轴方向)上延伸的第二堤部图案BP2,但不限于此。在另一变型实施方式中,显示面板110可以包括其中堤部125在第二方向(例如,Y轴方向)上延伸的第二堤部图案BP2和其中堤部125在第一方向(例如,X轴方向)上延伸的第三堤部图案BP3,如图1所示。此时,第三堤部图案BP3可以设置为与第一信号线SL1的至少一部分交叠。其中设置第一信号线SL1的区域是非透射区NTA但不包括一个或更多个阳极电极121、122、123和124。因此,根据本公开的变型实施方式的显示面板110即使第三堤部图案BP3设置在第一信号线SL1之上,也可以在不降低开口率的情况下提高堤部125和下层之间的界面粘附力。在一些实施方式中,第三堤部图案BP3为沿特定方向延伸的条形形状形状(在图11中,第三堤部图案BP3沿X轴延伸)。如图11所示,第二堤部图案BP2和第三堤部图案BP3在与第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔和第四接触孔中的至少一个相邻的位置处彼此交叠。例如,第二堤部图案BP2和第三堤部图案BP3的交叠位置与(图11右上方的透射区TA)第四阳极接触孔ACH4和(图11右下方的透射区TA)的第一阳极接触孔ACH1相邻。
同时,在根据本公开另一实施方式的显示面板110中,如图8所示,阳极电极121、122、123和124的端部可以暴露出来而不被堤部125覆盖。在这种情况下,电流可以汇聚在阳极电极121、122、123和124的端部上,从而可能出现发光效率劣化的问题。为了解决这个问题,在根据本公开另一实施方式的显示面板110中,阳极电极121、122、123和124的端部的倾角θ可以设置为等于或小于45°。
堤部125可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂之类的有机膜形成。
有机发光层130可以设置在阳极电极120之上。有机发光层130可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在这种情况下,当向阳极电极120和阴极电极140施加电压时,空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层向发光层移动,并在发光层中彼此结合以发光。
在一个实施方式中,有机发光层130可以是共同设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的公共层。在这种情况下,发光层可以是发射白光的白色发光层。
在另一实施方式中,可以针对子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个设置有机发光层130。例如,可以在第一子像素SP1中设置发射红光的红色发光层,在第二子像素SP2中设置发射白光的白色发光层,可以在第三子像素SP3中设置发射蓝光的蓝色发光层,以及在第四子像素SP4中设置发射绿光的绿色发光层。在这种情况下,有机发光层130的发光层不设置在透射区TA中。
阴极电极140可以设置在有机发光层130和堤部125之上。阴极电极140可以设置在透射区TA以及包括发光区EA1-1、EA1-2、EA2-1、EA2-2、EA3-1、EA3-2、EA4-1和EA4-2的非透射区TA中,但不限于此。阴极电极140可以仅设置在包括发光区EA1-1、EA1-2、EA2-1、EA2-2、EA3-1、EA3-2、EA4-1和EA4-2的非透射区NTA中,并且可以不设置在透射区TA中以提高透光率。
阴极电极140可以通过阴极接触部CCT与公共电源线VDDL连接。阴极接触部CCT可以通过电源连接线VCL与公共电源线VDDL连接。电源连接线VCL的一端可以与公共电源线VDDL连接,并且其另一端可以与阴极接触部CCT连接。
电源连接线VCL可以从公共电源线VSSL突出并延伸至阴极接触部CCT。如图6、图9和图11所示,阴极接触部CCT可以设置为与堤部125的至少一部分交叠。
阴极接触部CCT可以形成为多边形形状,并且可以具有与阴极电极140稳定接触的最小面积。阴极接触部CCT可以与驱动晶体管TR1、TR2、TR3和TR4的源极SE和漏极DE形成在相同的层中。阴极接触部CCT可以通过底切结构暴露出来,并且可以与暴露出阴极电极140的区域接触。底切结构可以形成为使设置在下层之上的上层的端部比下层的端部更突出。
在根据本公开另一实施方式的显示面板110中,平坦化层PLN和钝化层PAS可以设置在阴极接触部CCT之上。平坦化层PLN和钝化层PAS可以对应于底切结构的下层,并且可以暴露出阴极接触部CCT的至少一部分。第二堤部图案BP2是底切结构的上层,并且其端部可以比平坦化层PLN和钝化层PAS更突出以形成底切结构。
阴极电极140可以连接至通过上述底切结构暴露出来的阴极接触部CCT,并且可以通过阴极接触部CCT被提供有来自公共电源线VSSL的第二电源。
阴极电极140可以是共同设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中以施加相同电压的公共层。阴极电极140可以由能够透射光的导电材料形成。例如,阴极电极140可由诸如银(Ag)、或镁(Mg)和银(Ag)的合金之类的低电阻金属材料形成。
封装层150、滤色器CF和黑矩阵BM可以设置在发光元件之上。由于封装层150、滤色器CF和黑矩阵BM与图3至图5中所示的那些基本相同,因此将省略对它们的描述。
根据本公开,可以获得以下有益的效果。
在本公开中,堤部可以设置为覆盖或至少局部覆盖阳极接触孔,并且可以暴露出阳极电极的至少一侧的端部以最小化堤部的面积。因此,本公开可以提高开口率。
另外,由于阳极电极端部的倾角等于或小于45°,因此可以防止发生由电流汇聚在阳极电极的端部引起的发光效率劣化。
对于本领域技术人员来说显而易见的是,上述本公开不受上述实施方式和附图的限制,并且在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可以在本公开中进行各种替换、修改和变型。因此,本公开的范围由所附的权利要求限定,并且旨在由权利要求的含义、范围和等同概念得出的所有变型或修改落入本公开的范围内。
Claims (29)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基板,所述基板设置有透射区和设置在所述透射区之间的多个子像素;
多个驱动晶体管,所述多个驱动晶体管设置在所述多个子像素中的每一个中;
多个阳极电极,所述多个阳极电极设置在所述多个子像素中的每一个中,并且通过设置在所述多个子像素中的每一个中的阳极接触孔与所述驱动晶体管连接;
堤部,所述堤部在所述阳极电极之上与所述阳极接触孔的至少一部分交叠;
发光层,所述发光层设置在所述阳极电极和所述堤部之上;以及
阴极电极,所述阴极设置在所述发光层之上,
其中,所述阳极电极的至少一侧的端部被暴露出来而不被所述堤部覆盖。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个子像素中的每一个包括将从所述发光层发射的光发射到外部的发光区,并且所述发光区的至少一侧与所述阳极电极的端部匹配。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述堤部用一个图案至少局部覆盖一个阳极接触孔。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述堤部用一个图案至少局部覆盖设置在所述多个子像素中的至少两个子像素中的至少两个阳极接触孔。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述多个子像素包括发射第一颜色的光的第一子像素、发射第二颜色的光的第二子像素、发射第三颜色的光的第三子像素以及发射第四颜色的光的第四子像素,
并且所述堤部用一个图案至少局部覆盖设置在所述第一子像素中的第一阳极接触孔、设置在所述第二子像素中的第二阳极接触孔、设置在所述第三子像素中的第三阳极接触孔以及设置在所述第四子像素中的第四阳极接触孔。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一子像素和所述第二子像素被设置为在第一方向上彼此相邻,所述第三子像素和所述第四子像素被设置为在所述第一方向上彼此相邻,所述第一子像素和所述第二子像素中的一个被设置为在第二方向上与所述第三子像素和所述第四子像素中的一个相邻,并且所述第一阳极接触孔至所述第四阳极接触孔集中在像素的中间区中。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述堤部包括覆盖所述第一阳极接触孔至所述第四阳极接触孔的岛状图案。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一子像素至所述第四子像素在第二方向上设置成一排,并且所述第一阳极接触孔至所述第四阳极接触孔在所述第二方向上设置成一排。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述堤部包括第一线图案,所述第一线图案在所述第二方向上延伸以覆盖或至少局部覆盖所述第一阳极接触孔至所述第四阳极接触孔。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述堤部还包括第二线图案,所述第二线图案在所述透射区之间沿第一方向延伸。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述阳极电极具有被暴露出来而不被所述堤部覆盖的端部,并且所述阳极电极的所述端部具有等于或小于45°的倾角。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述驱动晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极,并且
所述阳极电极通过所述阳极接触孔连接至所述驱动晶体管的源极或漏极。
13.一种显示装置,所述显示装置包括:
基板,所述基板设置有透射区和设置在所述透射区之间的多个子像素;
多个驱动晶体管,所述多个驱动晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极;
多个阳极电极,所述多个阳极电极设置在所述多个子像素中的每一个中,并且通过置在所述多个子像素中的每一个中的阳极接触孔与所述驱动晶体管的源极或漏极连接;
堤部,该堤部用岛状图案在所述阳极电极之上覆盖至少一个阳极接触孔;
发光层,该发光层设置在所述阳极电极和所述堤部之上;以及
阴极电极,该阴极电极设置在所述发光层之上。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述阳极电极的至少一侧的端部被暴露出来而不被所述堤部覆盖。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,被暴露出来而不被所述堤部覆盖的所述阳极电极的至少一侧的所述端部具有等于或小于45°的倾角。
16.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述堤部包括与两个或更多个阳极接触孔交叠的岛状图案。
17.一种显示装置,所述显示装置包括:
基板,该基板设置有显示区和非显示区,所述显示区包括透射区和设置在所述透射区之间的多个子像素,并且所述非显示区设置在所述显示区的至少一侧之上;
阳极电极,该阳极电极设置在所述多个子像素中的每一个中;以及
堤部,该堤部以网格形状设置在所述显示区中,同时暴露出所述阳极电极的至少一侧。
18.根据权利要求17所述的显示装置,其中,所述堤部包括:
第一堤部图案,该第一堤部图案在第一方向上从设置在所述显示区的一侧之上的非显示区延伸;以及
第二堤部图案,该第二堤部图案在所述第一方向上从设置在所述显示区的另一侧之上的非显示区延伸。
19.根据权利要求18所述的显示装置,其中,所述堤部包括多个第三堤部图案,所述多个第三堤部图案在第二方向上从所述显示区延伸并且与所述第一堤部图案和所述第二堤部图案连接。
20.根据权利要求19所述的显示装置,其中,所述多个第三堤部图案设置在所述透射区和所述多个子像素之间。
21.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一透射区;
第二透射区,所述第二透射区在第一方向上与所述第一透射区间隔开并且与所述第一透射区相对;
第三透射区,所述第三透射区在第二方向上与所述第一透射区间隔开并且与所述第一透射区相对,所述第二方向与所述第一方向垂直;
第四透射区,所述第四透射区在所述第二透射区和所述第三透射区之间;
非透射区,所述非透射区在所述第一透射区、所述第二透射区、所述第三透射区和所述第四透射区其间的空间之间;
第一信号线,所述第一信号线在所述非透射区中沿所述第一方向延伸,所述第一信号线划分所述第一透射区和所述第三透射区,并且进一步划分所述第二透射区和所述第四透射区;
多个子像素,所述多个子像素包括发射第一颜色的第一子像素、发射第二颜色的第二子像素、发射第三颜色的第三子像素和发射第四颜色的第四子像素,
其中,一些所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素设置在所述第一透射区和所述第二透射区之间的非透射区中,并且
其中,另一些所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素设置在所述第三透射区和所述第四透射区之间的非透射区中。
22.根据权利要求21所述的显示装置,所述显示装置还包括:
多个晶体管,所述多个晶体管包括分别联接至所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管;
平坦化层,所述平坦化层位于所述多个晶体管中的至少一个晶体管上;
第一电极,所述第一电极位于所述平坦化层上,所述第一电极在第一端部和与所述第一端部相对的第二端部之间延伸;
堤层,所述堤层在所述平坦化层和所述第一电极上;
发光层,所述发光层在所述第一电极和所述堤层上;以及
第二电极,所述第二电极在所述发光层上,
其中,所述第一端部与所述堤层交叠,并且
其中,所述第二端部随着该第二端部接近所述平坦化层的一端而逐渐变细。
23.根据权利要求22所述的显示装置,其中,所述第二端部基于在第一位置处等于或小于45°的倾角而变细,
其中,所述倾角是基于所述平坦化层的顶面和所述第一电极的顶面来定义的。
24.根据权利要求23所述的显示装置,其中,所述第二电极在所述第一位置处根据所述第一电极来改变该第二电极的倾角。
25.根据权利要求22所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一接触孔,所述第一接触孔联接所述第一电极与所述第一晶体管;
第二接触孔,所述第二接触孔联接所述第一电极与所述第二晶体管;
第三接触孔,所述第三接触孔联接所述第一电极与所述第三晶体管;以及
第四接触孔,所述第四接触孔联接所述第一电极与所述第四晶体管,
其中,所述堤层在所述非透射区中与所述第一接触孔、所述第二接触孔、所述第三接触孔和所述第四接触孔交叠,并且
其中,所述堤层是具有半球形形状的单个堤层。
26.根据权利要求21所述的显示装置,所述显示装置还包括:
多个晶体管,所述多个晶体管包括分别联接至所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管;
平坦化层,所述平坦化层在所述多个晶体管中的至少一个晶体管上;
第一电极,所述第一电极在所述平坦化层上,所述第一电极在第一端部和与所述第一端部相对的第二端部之间延伸;
堤层,所述堤层在所述平坦化层上并且与所述第一电极相邻,所述堤层与所述第一透射区、所述第二透射区、所述第三透射区和所述第四透射区中的至少一个交叠;
发光层,所述发光层在所述第一电极和所述堤层上;以及
第二电极,所述第二电极在所述发光层上,
其中,所述第一端部与所述堤层间隔开,并且
其中,所述第一端部和所述第二端部逐渐变细。
27.根据权利要求26所述的显示装置,其中,所述第一端部和所述第二端部分别基于在第一位置和第二位置处等于或小于45°的倾角而变细,
其中,所述倾角是基于所述平坦化层的顶面和所述第一电极的顶面来定义的。
28.根据权利要求26所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一接触孔,所述第一接触孔联接所述第一电极与所述第一晶体管;
第二接触孔,所述第二接触孔联接所述第一电极与所述第二晶体管;
第三接触孔,所述第三接触孔联接所述第一电极与所述第三晶体管;以及
第四接触孔,所述第四接触孔联接所述第一电极与所述第四晶体管,
其中,所述堤层是第一堤层,该第一堤层包括沿所述第二方向延伸以在所述第一透射区、所述第二透射区、所述第三透射区和所述第四透射区中的至少一个中与所述第一接触孔、所述第二接触孔、所述第三接触孔和所述第四接触孔交叠的条形带。
29.根据权利要求28所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第二堤层,所述第二堤层沿所述第一方向延伸,
其中,所述第二堤层是与所述第一信号线交叠的条形带,
其中,所述第一堤层和所述第二堤层在与所述第一接触孔、所述第二接触孔、所述第三接触孔和所述第四接触孔中的至少一个相邻的位置处彼此交叠。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200183544A KR20220092113A (ko) | 2020-12-24 | 2020-12-24 | 표시 장치 |
KR10-2020-0183544 | 2020-12-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114678401A true CN114678401A (zh) | 2022-06-28 |
Family
ID=82070586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111543147.1A Pending CN114678401A (zh) | 2020-12-24 | 2021-12-16 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220208916A1 (zh) |
KR (1) | KR20220092113A (zh) |
CN (1) | CN114678401A (zh) |
-
2020
- 2020-12-24 KR KR1020200183544A patent/KR20220092113A/ko active Search and Examination
-
2021
- 2021-12-16 CN CN202111543147.1A patent/CN114678401A/zh active Pending
- 2021-12-20 US US17/555,748 patent/US20220208916A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220092113A (ko) | 2022-07-01 |
US20220208916A1 (en) | 2022-06-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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