CN114667272A - 带有具有用于保护基于银的IR反射层的包含Ag、Ni和Cr的保护性接触层的低-E涂层的涂覆制品及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种涂覆制品，该涂覆制品包括由玻璃基底支撑的低发射率(低‑E)涂层。低‑E涂层包括至少一个基于银(Ag)的红外(IR)反射层，其与具有或包含Ag、Ni和Cr的至少一个接触层相邻设置。已发现将至少包含Ag、Ni和Cr的接触层设置成直接在银基IR反射层之上并接触该IR反射层有利地增加了低‑E涂层的可见光透射率(Tvis)。此类低‑E涂层可用于诸如单片窗、绝缘玻璃(IG)窗单元等的应用中。

Description

带有具有用于保护基于银的IR反射层的包含Ag、Ni和Cr的保 护性接触层的低-E涂层的涂覆制品及其制备方法
本申请在某些示例性实施方案中涉及一种涂覆制品，该涂覆制品包括涂层，该涂层包括至少一个基于银(Ag)的红外(IR)反射层，该红外(IR)反射层与具有或包含Ag、Ni和Cr的至少一个接触层相邻设置并与其接触。已发现将包含Ag、Ni和Cr的接触层设置成直接在基于银的IR反射层之上并接触基于银的IR反射层有利地增加了低-E涂层的可见光透射率(Tvis)(与使用NiCr接触层相比)。还已经发现，将至少包含Ag、Ni和Cr的接触层设置成直接在基于银的IR反射层上并接触基于银的ir反射层有利地增加了低-E涂层的太阳能因子(SF)和/或光-太阳能增益比(LSG)，同时不牺牲发射率和/或薄层电阻。基于银的IR反射层和相邻的至少包含Ag、Ni和Cr的接触层为低发射率(低-E)涂层的一部分，并且可夹在至少透明的电介质层之间。此类低-E涂层可用于诸如单片窗、绝缘玻璃(IG)窗单元等的应用中。
背景技术和发明内容
涂覆制品在本领域中已知用于窗应用，诸如绝缘玻璃(IG)窗单元、车窗、单片式窗和/或类似应用。在某些示例性情况中，涂覆制品的设计者通常力图实现高可见光透射率、基本上中性的颜色、低发射率(或发射性)、低薄层电阻(Rs)、IG窗单元环境下的低U值、和/或低比电阻率的组合。高可见光透射率和基本上中性的颜色可允许涂覆制品用于其中需要这些特性的应用中，诸如在建筑或车窗应用中，而低发射率(低-E)、低薄层电阻和低比电阻率特性允许此类涂覆制品阻挡大量的IR辐射，以便减少例如车辆或建筑物内部的不期望的加热。
具有至少一个基于银的IR反射层的低-E涂层是本领域中已知的。例如，参见美国专利5,344,718、6,576,349、8,945,714、9,371,684、9,028,956、9,556,070、8,945,714、9,028,983，这些专利均据此以引用方式并入本文。玻璃上的低-E涂层广泛用于商业和住宅建筑中以节约能源。由于其优异的低发射率特性和对太阳能热增益的优异控制，双Ag低-E涂层为主要的低-E产品。虽然市场上存在一些耐用的低-E涂层，但它们的性能有时是不良的，尤其是相对于约1.0或更小的不期望低光-太阳能增益比(LSG)值，因为通常难以实现高可见光透射率(Tvis)以及低-E涂层中的其它期望特征。LSG值越高，节约的能量越多，因此期望高LSG值。LSG计算为Tvis/SHGC，其中SHGC根据NRFC 2001。
某些示例性实施方案涉及一种涂覆制品，该涂覆制品包括涂层，该涂层包括至少一个基于银(Ag)的红外(IR)反射层，其与具有或包含Ag、Ni和Cr的接触层相邻设置。令人惊讶地发现，已发现将至少包含Ag、Ni和Cr的接触层设置成直接在基于银的IR反射层之上并接触基于银的IR反射层有利地增加了低-E涂层的可见光透射率(Tvis)(与使用NiCr接触层相比)。已经令人惊讶地且出人意料地发现将Ag添加到基于NiCr的接触层中，直接接触银，增加了涂层的可见光透射率而不牺牲诸如薄层电阻和/或发射率之类的性能。还已经发现，将至少包含Ag、Ni和Cr的接触层设置成直接在基于银的IR反射层上并接触基于银的ir反射层有利地增加了低-E涂层的太阳能因子(SF)和/或光-太阳能增益比(LSG)，同时不牺牲发射率和/或薄层电阻。至少包含Ag、Ni和Cr的接触层可以被氧化或可以不被氧化，并且在某些示例性实施方案中优选地是低氧化物。基于银的IR反射层和相邻的至少包含Ag、Ni和Cr的接触层为低发射率(低-E)涂层的一部分，并且可夹在至少透明的电介质层之间。此类低-E涂层可用于诸如单片窗、绝缘玻璃(IG)窗单元等的应用中。
在本发明的一个示例性实施方案中，提供了涂覆制品，该涂覆制品包括由玻璃基底支撑的涂层，该涂层包括：玻璃基底上的第一电介质层；玻璃基底上的包含银的金属的或基本上金属的红外(IR)反射层，该IR反射层位于至少第一电介质层之上；玻璃基底上的包含Ag、Ni和Cr的保护性接触层，该保护性接触层位于包含银的IR反射层之上并且直接接触包含银的IR反射层；玻璃基底上的第二电介质层，该第二电介质层位于至少第一电介质层、包含银的IR反射层和保护性接触层之上；其中包含Ag、Ni和Cr的保护性接触层的金属含量包含约5％-40％Ag、约10％-80％Ni和约10％-80％Cr(原子％)；并且其中该涂层具有不大于11
Figure BDA0003633972190000031
的薄层电阻(Rs)和不大于0.2的法向发射率(En)。
在本发明的示例性实施方案中，提供了一种制备包括由玻璃基底支撑的涂层的涂覆制品的方法，该方法包括：将第一电介质层溅射沉积在玻璃基底上；将包含银的金属或基本上金属的红外(IR)反射层溅射沉积在玻璃基底上，位于至少第一电介质层之上；将包含Ag、Ni和Cr的接触层溅射沉积在玻璃基底上，位于包含银的IR反射层之上并直接接触包含银的IR反射层；将第二电介质层溅射沉积在玻璃基底上，位于至少第一电介质层、包含银的IR反射层和接触层之上；其中包含Ag、Ni和Cr的接触层的金属含量包含约5％-40％Ag、约10％-80％Ni和约10％-80％Cr(原子％)；并且其中该涂层具有不大于11
Figure BDA0003633972190000032
的薄层电阻(Rs)和不大于0.2的法向发射率(En)。
溅射沉积包含Ag、Ni和Cr的接触层可以包括同时溅射第一旋转靶材和第二旋转靶材，该第一靶材包含Ag，并且该第二靶材包含Ni和Cr。第一靶材的磁棒可以以与第二靶材的磁棒不同的方向取向。磁棒分别被取向成使得要由第二靶材沉积的材料朝向第一靶材和第一靶材的地带溅射。第一靶材可以包含Ag，并且第二靶材可以包含例如Ni和Cr，或反之亦然。
在该情况的示例性实施方案中，提供了一种制备包括由玻璃基底支撑的涂层的涂覆制品的方法，该方法包括：将第一电介质层溅射沉积在玻璃基底上；将包含银的金属或基本上金属的红外(IR)反射层溅射沉积在玻璃基底上，位于至少第一电介质层之上；将包含Ag、Ni和Cr的接触层溅射沉积在玻璃基底上，位于包含银的IR反射层之上并直接接触包含银的IR反射层；其中所述溅射沉积包含Ag、Ni和Cr的接触层包括同时溅射第一旋转靶材和第二旋转靶材，该第一靶材包含Ag，并且第二靶材包含Ni和Cr，其中第一靶材的磁棒以与第二靶材的磁棒不同的方向取向，使得要由第二靶材沉积的材料朝向第一靶材和第一靶材的地带溅射；以及将第二电介质层溅射沉积在玻璃基底上，位于至少第一电介质层、包含银的IR反射层和接触层之上。
附图说明
图1为根据本发明的示例性实施方案的涂覆制品的剖视图。
图2为根据本发明的另一个示例性实施方案的涂覆制品的剖视图。
图3为根据本发明的示例性实施方案的溅射沉积包含Ag、Ni和Cr的接触层的示意图。
具体实施方式
现在参考附图，其中类似的附图标号在若干视图中表示类似的部件。
本发明的示例性实施方案涉及一种涂覆制品，该涂覆制品包括支撑低-E涂层30、40的玻璃基底1。低-E涂层30、40被设计成具有良好的银耐久性(例如，化学耐久性)和理想的可见光透射率，同时优选地保持高SF值和/或LSG值。
根据某些示例性实施方案，低-E涂层(例如，30和/或40)包括至少一个基于银(Ag)的红外(IR)反射层9、9’，其与具有或包含Ag、Ni和Cr的至少一个接触层10、10’相邻设置。令人惊讶地发现，将至少包含Ag、Ni和Cr的接触层10、10’设置成直接在银基IR反射层9、9’之上并接触基于银的IR反射层有利地增加了低-E涂层的可见光透射率(Tvis)(与使用NiCr接触层相比)。例如，实验数据已表明，与在溅射沉积过程中没有将Ag添加到接触层中的情况相比，在溅射沉积过程中将Ag添加到接触层10(或10′)中的NiCr中导致整个涂覆制品的可见光透射率增加约1％-4％。在这方面，已经令人惊讶地且出人意料地发现，将Ag添加到基于NiCr的接触层中，从而直接接触银，增加了涂层的可见光透射率而不牺牲诸如薄层电阻和/或发射率之类的性能。还已经发现，将至少包含Ag、Ni和Cr的接触层10、10’设置成直接在基于银的IR反射层之上并接触基于银的IR反射层9、9’有利地增加了低-E涂层的太阳能因子(SF)和/或光-太阳能增益比(LSG)，同时不牺牲发射率和/或薄层电阻。至少包含Ag、Ni和Cr的接触层10、10’可以被氧化或可以不被氧化，并且在某些示例性实施方案中优选地是低氧化物。基于银的IR反射层9、9’和相邻的至少包含Ag、Ni和Cr的接触层10、10’为低发射率(低-E)涂层30、40的一部分，并且可夹在至少透明的电介质层诸如2、5、24、25、13和/或15之间。此类低-E涂层30、40可用于诸如单片窗、绝缘玻璃(IG)窗单元等的应用中。
在某些示例性实施方案中，保护性接触层10(或10’)比相邻的基于银的IR反射层9(或9′)薄至少40埃
Figure BDA0003633972190000051
(更优选薄至少
Figure BDA0003633972190000052
甚至更优选薄至少
Figure BDA0003633972190000053
并且最优选薄至少100A)。此类涂覆制品可用于诸如单片窗、绝缘玻璃(IG)窗单元等的应用中。本文的涂覆制品可任选地进行热处理(例如，热回火)。
图1是根据本发明的示例性实施方案的涂覆制品的剖视图。涂覆制品包括玻璃基底1(例如，具有约1.0mm至10.0mm厚、更优选地约1.0mm至6.0mm厚的透明、绿色、青铜色、或蓝绿色玻璃基底)，以及直接地或间接地设置在基底1上的多层低E涂层(或层系统)30。如图1所示，低-E涂层30具有或包括透明电介质层2，该透明电介质层具有或包括氮化硅(例如，Si3N4或一些其它合适的化学计量)、氧氮化硅、氧氮化锆硅或其它合适的材料；金属氧化物电介质层5，该金属氧化物电介质层具有或包含TiOx或其它合适的材料；含氧化锌的透明电介质层7(例如，ZnOx，其中“x”可为约1；或ZnAlOx)；金属或基本上金属的IR(红外)反射层9，该IR反射层具有或包含银；具有或包含Ag、Ni和Cr的保护性接触层10(其任选地可以被氧化)，该保护性接触层直接设置在银IR反射层9上并接触银IR反射层9；以及保护层，该保护层具有或包括含氧化锡和/或锡酸锌的透明电介质层13和含氮化硅的透明电介质层15。任何含氮化硅的层还可以包含Al、氧等，并且任何氧化锡层同样还可以包含其它材料，诸如氮、锌等。在本发明的某些示例性实施方案中，也可在涂层中提供其他层和/或材料，并且在某些示例性实例中也可去除或分离某些层。例如，在本发明的某些示例性实施方案中，氧化锆保护层(未示出)可设置在层15之上。此外，在本发明的某些示例性实施方案中，上面讨论的一个或多个层可掺杂有其他材料。
图2是根据本发明的另一个示例性实施方案的涂覆制品的剖视图。与图1相比，图2的低-E涂层40包括两个间隔开的基于银的IR反射层9和9’，图2中的IR反射层9和9’由层10、24和25间隔开。在图1和图2两个实施方案中，低-E涂层包括至少一个基于银的IR反射层(例如，9和/或9’)，该IR反射层被设置成与包含Ag、Ni和Cr的保护性接触层(例如，10和/或10’)相邻、在该保护性接触层下方并接触该保护性接触层，以便保护低-E涂层的银。如本文所解释的，将Ag添加到层10和/或10’的NiCr中令人惊讶地导致涂覆制品的较高可见光透射率和较高的SF和/或LSG。在图2实施方案中，接触层10、10’中的一个或两个可以具有或包含可以被氧化的Ag、Ni和Cr。
图2中所示的低-E涂层40由玻璃基底1(例如，约1.0mm至10.0mm厚(或任何其它合适的玻璃或其它基底厚度)，更优选约1.0mm至6.0mm厚的透明、绿色、青铜色或蓝绿色玻璃基底)支撑，并且包括具有或包含氮化硅、氧氮化硅、锆氧氮化硅或其它合适材料的透明电介质层2；具有或包含氧化钛、锡酸锌或其它合适材料的透明电介质层5；具有或包含氧化锌或或锡酸锌7的晶种层；金属的或基本上金属的下部基于银的IR反射层9；优选具有或包含可以任选地被氧化和/或轻微氮化的AgNiCr的接触层10；具有或包含锡酸锌或其它合适材料的透明电介质层24；具有或包含氧化锌或锡酸锌或其它合适材料的透明电介质晶种层25；金属的或基本上金属的上部基于银的IR反射层9’；优选具有或包含可以任选地被氧化和/或轻微氮化的AgNiCr的接触层10’；具有或包含锡酸锌、氧化锌、氧化锡等的透明电介质层13；以及具有或包含氮化硅、氧氮化硅和/或其它合适材料的透明电介质层15。含氮化硅层15还可包含Al、氧等。在某些示例性实施方案中，层10、10’中的一个具有或包含另一种材料诸如NiCr、NiCrNx、NiCrMo、NiCrMoOx、NiCrMoNx、NiTiNbOx、镍(Ni)氧化物、铬/铬(Cr)氧化物、TiOx、或镍合金氧化物诸如镍铬氧化物(NiCrOx)、或其它合适的材料是可能的。在本发明的某些示例性实施方案中，也可在涂层中提供其他层和/或材料，并且在某些示例性实例中也可去除或分离某些层。例如，在本发明的某些示例性实施方案中，氧化锆保护层(未示出)可设置在层15之上。此外，在本发明的某些示例性实施方案中，上面讨论的一个或多个层可从涂层40中省略或掺杂有其它材料。
在本发明的某些示例性实施方案中，上接触层10和10’优选地具有或包含AgNiCr。可以任选地将它们氧化和/或氮化。此外，它们可以掺杂有其它材料，诸如Fe等。此外，在本发明的某些其它实施方案中，具有或包含AgNiCr的层10可以位于涂层30(或40)中的其它位置，即除了图中所示的位置之外的位置。
虽然图1-图2示出了在各种示例性涂层中使用上接触层(10、10’)，但是本发明不限于图1-图2中所示的涂层。例如，如本文所论述，具有或包含可以任选地被氧化和/或氮化的Ag、Ni和Cr的接触层10或10′可以在任何其它类型的低E涂层上，包括但不限于在美国专利5,344,718、6,576,349、8,945,714、9,371,684、9,028,956、9,556,070、8,945,714、9,028,983、10,294,150和/或10,301,215中的任一个中的任何其它类型的低E涂层中，或在任何其它合适的单一银、双银或三重银型低-E涂层中在基于银的IR反射层之上使用，这些专利据此全部以引用方式并入本文。
需注意，“基本上”金属意指具有不超过10％氧含量，更优选地不超过5％氧含量(原子％)的金属。例如，在本发明的示例性实施方案中，基本上金属的层9、9’可包含0％-10％氧和/或氮，更优选0％-5％氧和/或氮，最优选0％-2％氧和/或氮(原子％)。
在单片情况下，涂覆制品仅包括一个基底诸如玻璃基底1(参见图1-图2)。然而，本文的单片涂覆制品可用于诸如IG窗单元的装置中，例如所述装置包括多个玻璃基底。示例性IG窗单元例如在美国专利号5,770,321、5,800,933、6,524,714、6,541,084和US 2003/0150711中示出和描述，其公开内容在此通过引用并入本文。示例性IG窗单元可包括例如图1至图2中所示的涂覆玻璃基底1，该涂覆玻璃基底通过间隔物、密封剂等联接到另一个玻璃基底，其间限定间隙。在IG单元实施方案中，基底之间的该间隙在某些情况下可填充有气体，诸如氩气(Ar)。示例性IG单元可包括一对间隔开的基本上透明的玻璃基底，其各自为约3-4mm厚，其中一个在某些示例性情况下涂覆有本文的涂层，其中基底之间的间隙可为约5mm至30mm，更优选约10mm至20mm，并且最优选约12-16mm。在某些示例性情况下，涂层可设置在内部或外部玻璃基底1的面向间隙的一例上。
含氮化硅的透明电介质层2被设置用于抗反射目的，并且已发现其允许减少色移。氮化硅层2可具有或包括Si3N4。另选地，氮化硅层2可为富Si型(非完全化学计量的)。此外，氮化硅层2和/或15中的一个或两个还可包括掺杂剂诸如铝或不锈钢、和/或少量氧。在某些示例性实施方案中，这些层可经由溅射，或经由任何其它合适的技术来沉积。可能的是其它材料诸如氧化钛、锡酸锌或氧化锡可用于透明电介质层2和/或15。层可以包含其它材料，诸如氧气和/或Zr，如例如图1-图2所示。
在图1和图2实施方案中，透明电介质晶种层7具有或包括氧化锌(例如，ZnO)。在某些示例性实施方案中，氧化锌层7也可包含其它材料，诸如A1(例如，以形成ZnAlOx)。例如，在本发明的某些示例性实施方案中，氧化锌层7可掺杂有约1％至10％Al(或B)，更优选约1％至5％Al(或B)，并且最优选约2％至4％Al(或B)。在层9中的银下方使用氧化锌7允许获得优异的银质量。在某些示例性实施方案中(例如，将在下文讨论)，可通过溅射陶瓷ZnO或金属可旋转磁控溅射靶材来形成含氧化锌的层7。已发现，在某些示例性实施方案中使用陶瓷靶(例如，具有ZnO，其可掺杂有或可不掺杂有Al、F等)允许提供高质量的银，从而导致较低发射率的涂层。虽然在某些示例性实施方案中陶瓷靶中的Zn：O可以是化学计量的，但是至少一个包含ZnOx的亚化学计量陶瓷靶(例如，其中0.25≤x≤0.99，更优选0.50≤x≤0.97，并且甚至更优选0.70≤x≤0.96)可替代地用于溅射沉积含氧化锌的层7，其在某些情况下可以是亚化学计量的。可能的是在本发明的可供选择的实施方案中，其他材料诸如锡酸锌、NiCr、NiCrNx、NiCrMoNx或NiCrOx可用于层7中。
仍然参见图1至图2，透明红外(IR)反射层9和9’优选地为导电的和金属的或基本上金属的，并且优选地包含银(Ag)或基本上由银(Ag)组成。在本发明的优选实施方案中，IR反射层9和9’不掺杂有其它金属。IR反射层9和9’有助于涂层具有低-E和/或良好的太阳能控制特性，诸如低发射性、低薄层电阻等。在某些示例性实施方案中，银(Ag)IR反射层9和9’位于透明的含电介质氧化锌晶种层7、25之上，并且层9、9’中的一个或两个位于银掺杂的保护层10下方并直接接触该保护层。
在某些示例性实施方案中，诸如如图1中所示的示例性罩面层可具有或包括透明电介质层13和/或15。在本发明的某些示例性实施方案中，电介质层13可具有或包括金属氧化物诸如氧化锡。含金属氧化物的层13，诸如氧化锡或锡酸锌被设置用于抗反射目的，并且还改善了涂覆制品的发射率以及制造工艺的稳定性和效率。在本发明的某些示例性实施方案中，含氧化锡的层13可掺杂有诸如氮和/或锌的其它材料。基于氧化锡的层13提供良好的耐久性并改善透光率。在本发明的某些示例性实施方案中，电介质层15可具有或包括氮化硅(例如，Si3N4或其它合适化学计量)或任何其它合适的材料，诸如氮氧化硅。在本发明的某些示例性实施方案中，氮化硅层15还可包括其它材料，诸如作为掺杂剂的铝或少量的氧。任选地，在某些示例性情况下，可在罩面层中的层15上方提供其它层诸如氧化锆罩面层。层15被设置用于耐久性目的，并用于保护下面的层。在某些示例性实施方案中，基于氮化硅的层15可具有约1.9至2.2，更优选约1.95至2.05的折射率(n)。在某些示例性实施方案中，Zr可设置在层15(或层2或层5)的氮化硅中。因此，在本发明的某些示例性实施方案中，层2和/或15中的一个或多个可具有或包括SiZrNx和/或氧化锆。
还可提供所示涂层下方或上方的一个或多个其它层。因此，当层系统或涂层“在基底1上”或“由基底1支撑”(直接或间接)时，一个或多个其他层可设置在其间。因此，例如，即使在层3和基底1之间设置一个或多个其他层，图1的涂层也可以被认为是“在基底1上”和“由基底1支撑”。此外，在某些实施方案中可移除所示涂层的某些层，而在本发明的其他实施方案中，可以在各个层之间添加其他层，或者一个或多个各个层可与在分离段之间添加的一个或多个其他层分开而不脱离本发明某些实施方案的整体实质。
虽然在本发明的不同实施方案中可使用各种厚度，但是图1实施方案中的玻璃基底1上的各个层的示例性厚度和材料从玻璃基底向外为如下(例如，在某些示例性情况下，氧化锌层和氮化硅层中的Al含量可为约1％-10％，更优选约1％-3％)。
表1(示例材料/厚度；图1实施方案)
Figure BDA0003633972190000091
虽然在本发明的不同实施方案中可使用各种厚度，但是图2实施方案中的玻璃基底1上的各个层的示例厚度和材料从玻璃基底向外为如下(例如，在某些示例性情况下，氧化锌层和氮化硅层中的Al含量可为约1-10％，更优选约1-3％)。
表2(示例性材料/厚度；图2实施方案)
Figure BDA0003633972190000101
已经令人惊讶地发现，具有或包含AgNiCr的阻挡层10、10’的存在产生较高的可见光透射率、较高的SF、较高的LSG，并且充分保护下面的银和涂层的耐久性。
在本发明的某些示例性实施方案中，在任何任选的热处理，诸如热回火之前和/或之后，本文中的涂覆制品(例如，参见图1至2)在单片地测量时可具有表3中示出的以下低-E(低发射率)、太阳能特性和/或光学特性。
表3：低-E/太阳能特性(单片；图1至图2实施方案)
Figure BDA0003633972190000102
每个基于AgNiCr的层10、10’可以以各种方式溅射沉积。例如，在本发明的某些示例性实施方案中，每个基于AgNiCr的层10、10’可以从Ag、Ni和Cr的单个溅射靶材溅射沉积。
然而，在本发明的某些示例性实施方案中，每个基于AgNiCr的层10、10’可以通过共溅射包括NiCr靶材和Ag靶材的靶材对来溅射沉积。例如，参见本申请的图3，其中具有或包含Ag、Ni和Cr的溅射沉积层10(或层10′)可以包括同时溅射第一旋转靶材100和第二旋转靶材200，具有或包含Ag的靶材(100或200)中的一个，以及具有或包含Ni和Cr的第二靶材(100、200中的另一个)。第一靶材100的磁棒15可以以与第二靶材200的磁棒16不同的方向取向。磁棒15、16分别被取向成使得要从第二靶材200沉积的材料朝向第一靶材100和第一靶材100的地带溅射，如18处所示。第一靶材100可以具有Ag，并且第二靶材200可以具有或包含例如NiCr，或反之亦然。屏蔽件150可以设置在第二靶材200与玻璃基板130(或图1-图2中的1)之间，并且第二靶材(例如，包含Ni和Cr)的磁棒16可以被取向成使得Ni和Cr从第二靶材200向上溅射到第一靶材100(例如，包含Ag)上，以便降落在包含Ag的第一靶材上，例如，如图3所示。
简而言之，溅射涂层是在至少一种气体(例如，氩气和/氧气)的存在下在真空室中进行的放电类型工艺。通常，溅射设备包括真空室、电源、阳极和一个或多个阴极靶材(参见图3中的100和200)，其包含用于在相邻基底(例如，玻璃基底或其它材料的基底)上形成涂层的材料。溅射靶材(100、200)可包括包围磁棒组件(15、16)的外部可旋转管和相关联的内部磁棒支撑管(13、14)。磁棒组件(15、16)例如可以沿着支撑管的整个长度固定到该支撑管。在某些示例性实例中，磁棒还可以包括支撑管。虽然在本发明的某些实施方案中使用磁“棒”，但是本发明不限于此，并且其它类型的磁体(除“棒”之外)可以替代地用于靶材的磁体组件中。
当将电势施加到阴极靶材(100、200)时，气体形成轰击溅射靶材的等离子体，从而导致来自靶材的溅射材料颗粒离开靶材的外表面。这些颗粒落到基底(例如，玻璃基底)上以在基底上形成涂层。外部靶材管通常围绕由内支撑管支撑的固定磁体旋转，使得当颗粒旋转经过固定磁棒时，颗粒从靶材管的基本上整个周边基本上均匀地“溅射”。材料的共溅射是金属材料在单个溅射靶材中的复杂合金化的替代方案。双C-MAG可旋转圆柱形磁控溅射靶材可以实现材料的共溅射，例如，通过使用在设备中彼此相对接近的两个溅射靶材(例如，在溅射设备的公共腔室内)。两个靶材管可以旋转通过等离子体，该等离子体基本上由位于靶材管内部的固定磁体组件限制。两个独立操作的电源可与用于共溅射的双C-MAG设备结合使用。可以通过对阴极施加不同的功率水平并且通过应用适当的屏蔽来调整所需的材料比率。
通过调整磁棒中的至少一个磁棒(例如，16)在两个可旋转溅射靶材中的至少一个靶材中的位置，膜140(层10或层10’)包含来自两个靶材(100和200)的材料，该材料可以形成更均匀的组合物混合物。更具体地，在本发明的某些示例性实施方案中，至少两个可旋转溅射靶材(100、200)以双C-MAG设备提供，以便形成具有或包含AgNiCr的层10和/或层10′。第二靶材200中的磁棒16可以移动到成角度的位置(例如，朝向第一靶材100引导；例如，参见图3)，从而将第二靶材200上的等离子体侵蚀区10例如移动到第二靶材200的基本上面向或朝向第一靶材100或在第一靶材100附近的侧面上的位置。以这种方式，第二靶材200可以被布置成溅射大部分(例如，至少约20％，更优选至少约30％，甚至更优选至少约40％，甚至更优选至少约50％，并且更有可能为至少约60％)的靶材材料，该靶材材料在第一靶材100处和/或其上从其溅射，而不是直接溅射到基底130(1)上。当第一靶材100旋转时，来自第二靶材200的靶材材料(例如，NiCr)将与第一靶材自身的靶材材料17(例如，Ag)一起(例如，基本上均匀地或以其它方式)积聚在第一靶材100上。应注意，第一靶材或第二靶材中的任一者可以是不同示例性实施方案中的调整的靶材，并且在一些另外的实施方案中，两个靶材都可以被调整。在某些示例性实施方案中，现在涂覆有其原始靶材材料17(例如，Ag)和靶材材料(例如，NiCr)两者的从第二靶材200溅射到其上的第一靶材100将继而将靶材材料从两个靶材溅射到基底(例如，玻璃基底)130(1)上，以形成包含不同材料的混合物的层10、10’。
在可以与本文的任何其它实施方案组合的某些示例性实施方案中，可以分别向每个靶材施加不同的磁场强度。例如但不限于，在第二(调整的)靶材200上使用较强磁场可以将第二靶材200的等离子体侵蚀区10限制为较窄区域，从而避免溅射室壁上的过量材料损失或直接溅射到在基底上。在某些示例性实施方案中，这种布置还可以允许两个靶材之间的较短距离。
因此，图3示出了靶材材料18(例如，经由通量112的NiCr)从第二靶材200到第一靶材100上的更直接沉积。在图3实施方案中，靶材的磁棒被定向成使得第一靶材100的等离子体侵蚀区19(其中材料从其溅射)被布置成面向第一方向，该第一方向基本上朝向基底(第一方向基本上垂直于基底)；并且第二靶材200的等离子体侵蚀区10被布置成面向与第一方向成约90度-150度角的方向。图3中所示的两个靶材可以在溅射期间沿相同方向旋转。如图3中所见，靶材200的磁棒16可以被取向为在9点钟位置到11点钟位置的范围内，并且靶材100的磁棒15可以被取向为在4点钟位置到8点钟位置的范围内。可以安装任选的屏蔽棒或板150以阻挡来自第二靶材200的至少一些材料18从第二靶材200直接落到基底上。在反应性溅射过程中可以使用或可以不使用该溅射布置。在反应性溅射过程中，反应气体(例如，氧气)可在任何或所有进气口121、122和/或123处的靶材管上方或下方引入，可能与惰性气体(例如氩气)一起引入，这可以更精确地控制所得膜40(10、10’)的组成。在靶材管上方有至少一个进气口(例如，121和/或122)，在屏蔽件150下方靠近基底有另一个进气口(例如，123)，以形成两个反应区。
与顶部气体入口(例如，121和/或122)和倾斜磁棒16组合的屏蔽件(例如，参见150)允许部分氧化沉积在靶材管100上的材料112。它允许分离反应区，从而达到反应性材料组合物，这在传统配置中是不可能的或不稳定的。因此，这些结构对于本发明的溅射沉积示例性实施方案特别有利。
也许我们应该这样限定：在管上方有一个进气口，在屏蔽件下方靠近基底有一个进气口，以形成两个反应区。这允许保持含活性氧的区域远离待覆盖的银层。否则，Ag层由于氧化而容易因氧的存在而降解。
在本发明的一个示例性实施方案中，提供了涂覆制品，所述涂覆制品包括由玻璃基底支撑的涂层，该涂层包括：玻璃基底上的第一电介质层；所述玻璃基底上的包含银的金属的或基本上金属的红外(IR)反射层，所述IR反射层位于至少所述第一电介质层之上；玻璃基底上的包含Ag、Ni和Cr的保护性接触层，该保护性接触层位于包含银的IR反射层之上并且直接接触包含银的IR反射层；玻璃基底上的第二电介质层，该第二电介质层位于至少第一电介质层、包含银的IR反射层和保护性接触层之上；其中包含Ag、Ni和Cr的保护性接触层的金属含量包含约5％-40％Ag、约10％-80％Ni和约10％-80％Cr(原子％)；并且其中该涂层具有不大于11
Figure BDA0003633972190000141
的薄层电阻(Rs)和不大于0.2的法向发射率(En)。
在紧接前述段落的涂覆制品中，包含Ag、Ni和Cr的保护性接触层的金属含量可以包含约10％-40％Ag、约20％-50％Ni和约20％-50％Cr(原子％)，更优选约20％-40％Ag、约20％-40％Ni和约20％-40％Cr(原子％)。
在根据前述两个段落中任一段落所述的涂覆制品中，IR反射层可包含银，由或基本上由银组成。
在根据前述三个段落中任一段落所述的涂覆制品中，IR反射层可为金属的或基本上金属的。
在根据前述四个段落中任一段落所述的涂覆制品中，包含Ag、Ni和Cr的保护性接触层可包含约0％-30％氧气(原子％)，更优选约10％-30％氧气(原子％)，更优选约10％-25％氧气，其中示例为约15％-20％氧气。
在根据前述五个段落中任一段落所述的涂覆制品中，该涂覆制品可具有至少40％，更优选至少50％，并且最优选至少70％的可见光透射率。
在根据前述六个段落中任一段落所述的涂覆制品中，该涂覆制品可具有至少1.10、更优选至少1.20、并且最优选至少1.30的光-太阳能增益比(LSG)。
在根据前述七个段落中任一段落所述的涂覆制品中，该涂覆制品可被热回火或可不被热回火。
在根据前述八个段落中任一段落所述的涂覆制品中，包含Ag、Ni和Cr的接触层可以比包含银的IR反射层薄至少
Figure BDA0003633972190000142
更优选地比包含银的IR反射层薄至少
Figure BDA0003633972190000143
并且有时比包含银的IR反射层薄至少
Figure BDA0003633972190000144
在根据前述九个段落中任一段落所述的涂覆制品中，包含Ag、Ni和Cr的接触层可为约
Figure BDA0003633972190000145
厚，并且包含银的IR反射层可为约
Figure BDA0003633972190000146
厚。
在根据前述十个段落中任一段落所述的涂覆制品中，包含Ag、Ni和Cr的接触层可为约
Figure BDA0003633972190000147
厚，并且包含银的IR反射层可为约
Figure BDA0003633972190000148
厚。
在根据前述十一个段落中任一段落所述的涂覆制品中，包含Ag、Ni和Cr的接触层可为约
Figure BDA0003633972190000151
厚，并且包含银的IR反射层可为约
Figure BDA0003633972190000152
Figure BDA0003633972190000153
厚。
在前述十二个段落中任一段落所述的涂覆制品中，第一电介质层可具有或包含氮化硅。
在根据前述十三个段落中任一段落所述的涂覆制品中，涂层可具有不大于9
Figure BDA0003633972190000154
的薄层电阻(Rs)和/或不大于0.11的法向发射率(En)。
在根据前述十四个段落中任一段落所述的涂覆制品中，涂层还可包括包含银的另一个红外(IR)反射层，该另一个红外(IR)反射层与包含Ag、Ni和Cr的接触层间隔开并不接触该接触层；以及包含Ag、Ni和Cr的另一个接触层，该另一个接触层直接位于包含银的另一个红外(IR)反射层之上并接触该另一个红外(IR)反射层。包含Ag、Ni和Cr的另一个接触层的金属含量可包含约5％-40％Ag、约10％-80％Ni和约10％-80％Cr(原子％)。
在根据前述十五个段落中任一段落所述的涂覆制品中，涂层还可包括包含氧化锌的电介质层，其位于包含银的IR反射层之下并直接接触该IR反射层。
在根据前述十六个段落中任一段落所述的涂覆制品中，包含Ag、Ni和Cr的保护性接触层可为Ag逐渐变化的，以便在其越靠近包含银的IR反射层的区域中包含越多的Ag，并且在越远离包含银的IR反射层的区域中包括越少的Ag；和/或包含Ag、Ni和Cr的保护性接触层可为NiCr逐渐变化的，以便在其越远离包含银的IR反射层中包含越多的Ni和Cr，并且在其越靠近包含银的IR反射层的区域中包含越少的Ni和Cr。
在根据前述十七个段落中任一段落所述的涂覆制品中，包含Ag、Ni和Cr的保护性接触层可以位于包含银的IR反射层和另一个电介质层之间并直接接触该IR反射层和另一个电介质层。另一个电介质层可以包含金属氧化物，诸如Sn和/或Zn的氧化物。
在本发明的示例性实施方案中，提供了一种制备包括由玻璃基底支撑的涂层的涂覆制品的方法，该方法包括：将第一电介质层溅射沉积在玻璃基底上；将包含银的金属或基本上金属的红外(IR)反射层溅射沉积在所述玻璃基底上，所述IR反射层位于至少所述第一电介质层之上；将包含Ag、Ni和Cr的接触层溅射沉积在玻璃基底上，位于包含银的IR反射层之上并直接接触包含银的IR反射层；将第二电介质层溅射沉积在玻璃基底上，位于至少第一电介质层、包含银的IR反射层和接触层之上；其中包含Ag、Ni和Cr的接触层的金属含量包含约5％-40％Ag、约10％-80％Ni和约10％-80％Cr(原子％)；并且其中该涂层具有不大于11
Figure BDA0003633972190000161
的薄层电阻(Rs)和不大于0.2的法向发射率(En)。
在紧接前述段落的方法中，包含Ag、Ni和Cr的接触层的金属含量可以包含约10％-40％Ag、约20％-50％Ni和约20％-50％Cr(原子％)，更优选约20％-40％Ag、约20％-40％Ni和约20％-40％Cr(原子％)。
在根据前述两个段落中任一段落所述的方法中，包含Ag、Ni和Cr的接触层可以在包含氧气的气氛中溅射沉积，并且包含约10％-30％氧(原子％)。
在根据前述三个段落中任一段落所述的方法中，涂覆制品可具有至少50％，更优选至少70％的可见光透射率。
在根据前述四个段落中任一段落所述的方法中，包含Ag、Ni和Cr的接触层可以被溅射沉积，以便为Ag逐渐变化的，以便在其越靠近包含银的IR反射层的区域中包含越多的Ag，并且在其越远离包含银的IR反射层的区域中包含越少的Ag；和/或包含Ag、Ni和Cr的接触层可以被溅射沉积，以便为Ag逐渐变化的，以便在其越远离包含银的IR反射层中包含越多的Ni和Cr，并且在其越靠近包含银的IR反射层的区域中包含越少的Ni和Cr。
在根据前述五个段落中任一段落所述的方法中，所述溅射沉积包含Ag、Ni和Cr的接触层包括同时溅射第一旋转靶材和第二旋转靶材，该第一靶材包含Ag，并且该第二靶材包含Ni和Cr。第一靶材的磁棒可以以与第二靶材的磁棒不同的方向取向。磁棒分别被取向成使得要由第二靶材沉积的材料朝向第一靶材和第一靶材的地带溅射。第一靶材可以包含Ag，并且第二靶材可以包含例如Ni和Cr，或反之亦然。
在根据前述六个段落中任一段落所述的方法中，在第二靶材与玻璃基底之间可以存在屏蔽件，并且(例如，包含Ni和Cr的)第二靶材的磁棒被取向成使得Ni和Cr从第二靶材向上并朝向包含Ag的第一靶材向上溅射，以便降落在包含Ag的第一靶材上。
在该情况的示例性实施方案中，提供了一种制备包括由玻璃基底支撑的涂层的涂覆制品的方法，该方法包括：将第一电介质层溅射沉积在玻璃基底上；将包含银的金属或基本上金属的红外(IR)反射层溅射沉积在所述玻璃基底上，所述IR反射层位于至少所述第一电介质层之上；将包含Ag、Ni和Cr的接触层溅射沉积在玻璃基底上，位于包含银的IR反射层之上并直接接触包含银的IR反射层；其中所述溅射沉积包含Ag、Ni和Cr的接触层包括同时溅射第一旋转靶材和第二旋转靶材，该第一靶材包含Ag，并且第二靶材包含Ni和Cr，其中第一靶材的磁棒以与第二靶材的磁棒不同的方向取向，使得要由第二靶材沉积的材料朝向第一靶材和第一靶材的地带溅射；以及将第二电介质层溅射沉积在玻璃基底上，位于至少第一电介质层、包含银的IR反射层和接触层之上。
虽然已经结合目前被认为是最实用和优选的实施方案描述了本发明，但应当理解，本发明不限于所公开的实施方案，而是相反，旨在涵盖包括在所附权利要求的实质和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (51)

1.一种涂覆制品，所述涂覆制品包括由玻璃基底支撑的涂层，所述涂层包括：
所述玻璃基底上的第一电介质层；
所述玻璃基底上的包含银的金属的或基本上金属的红外(IR)反射层，所述IR反射层位于至少所述第一电介质层之上；
所述玻璃基底上的包含Ag、Ni和Cr的保护性接触层，所述保护性接触层位于包含银的所述IR反射层之上并直接接触所述IR反射层；
所述玻璃基底上的第二电介质层，所述第二电介质层位于至少所述第一电介质层、包含银的所述IR反射层和所述保护性接触层之上；
其中包含Ag、Ni和Cr的所述保护性接触层的金属含量包含约5％-40％Ag、约10％-80％Ni和约10％-80％Cr(原子％)；并且
其中所述涂层具有不大于11欧姆/
Figure FDA0003633972180000011
的薄层电阻(Rs)和不大于0.2的法向发射率(En)。
2.根据权利要求1所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述保护性接触层的金属含量包含约10％-40％Ag、约20％-50％Ni和约20％-50％Cr(原子％)。
3.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述保护性接触层的金属含量包含约20％-40％Ag、约20％-40％Ni和约20％-40％Cr(原子％)。
4.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中所述IR反射层基本上由银组成。
5.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中所述IR反射层是金属的。
6.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述保护性接触层包含约0％-30％氧(原子％)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述保护性接触层包含约10％-30％氧(原子％)。
8.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述保护性接触层包含约10％-25％氧(原子％)。
9.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中所述涂覆制品具有至少40％的可见光透射率。
10.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中所述涂覆制品具有至少50％的可见光透射率。
11.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中所述涂覆制品具有至少70％的可见光透射率。
12.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中所述涂覆制品具有至少1.10的光-太阳能增益比(LSG)。
13.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中所述涂覆制品具有至少1.30的光-太阳能增益比(LSG)。
14.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中所述涂覆制品被热回火。
15.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述接触层比包含银的所述IR反射层薄至少
Figure FDA0003633972180000021
16.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述接触层比包含银的所述IR反射层薄至少
Figure FDA0003633972180000022
17.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述接触层比包含银的所述IR反射层薄至少
Figure FDA0003633972180000023
18.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述接触层为约
Figure FDA0003633972180000024
厚，并且包含银的所述IR反射层为约
Figure FDA0003633972180000025
厚。
19.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述接触层为约
Figure FDA0003633972180000028
厚，并且包含银的所述IR反射层为约
Figure FDA0003633972180000026
厚。
20.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述接触层为约
Figure FDA0003633972180000029
厚，并且包含银的所述IR反射层为约
Figure FDA0003633972180000027
厚。
21.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中所述第一电介质层包含氮化硅。
22.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中所述涂层具有不大于9欧姆/
Figure FDA0003633972180000031
的薄层电阻(Rs)和不大于0.11的法向发射率(En)。
23.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中所述涂层还包括包含银的另一个红外(IR)反射层，所述另一个IR反射层与包含Ag、Ni和Cr的所述接触层间隔开并且不接触所述接触层。
24.根据权利要求23所述的涂覆制品，其中所述涂层还包括包含Ag、Ni和Cr的另一个接触层，所述另一个接触层直接位于包含银的所述另一个红外(IR)反射层之上并与所述另一个IR反射层直接接触。
25.根据权利要求24所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述另一个接触层的金属含量包含约5％-40％Ag、约10％-80％Ni和约10％-80％Cr(原子％)。
26.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中所述涂层还包括包含氧化锌的电介质层，包含氧化锌的所述电介质层位于包含银的所述IR反射层之下并直接接触包含银的所述IR反射层。
27.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述保护性接触层是Ag逐渐变化的，以便在其越靠近包含银的所述IR反射层的区域中包含越多的Ag，并且在其越远离包含银的所述IR反射层的区域中包括越少的Ag。
28.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述保护性接触层是NiCr逐渐变化的，以便在其越远离包含银的所述IR反射层的区域中包含越多的Ni和Cr，并且在其越靠近包含银的所述IR反射层的区域中包含越少的Ni和Cr。
29.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆制品，其中包含Ag、Ni和Cr的所述保护性接触层位于包含银的所述IR反射层和另一个电介质层之间并直接接触所述IR反射层和所述另一个电介质层。
30.根据权利要求29所述的涂覆制品，其中所述另一个电介质层包含金属氧化物。
31.根据权利要求29至30中任一项所述的涂覆制品，其中所述另一个电介质层包含Sn和/或Zn的氧化物。
32.一种制造涂覆制品的方法，所述涂覆制品包括由玻璃基底支撑的涂层，所述方法包括：
将第一电介质层溅射沉积在所述玻璃基底上；
将包含银的金属或基本上金属的红外(IR)反射层溅射沉积在所述玻璃基底上，所述IR反射层位于至少所述第一电介质层之上；
将包含Ag、Ni和Cr的接触层溅射沉积在所述玻璃基底上，所述接触层位于包含银的所述IR反射层之上并直接接触所述IR反射层；
将第二电介质层溅射沉积在所述玻璃基底上，所述第二电介质层位于至少所述第一电介质层、包含银的所述IR反射层和所述接触层之上；
其中包含Ag、Ni和Cr的所述接触层的金属含量包含约5％-40％Ag、约10％-80％Ni和约10％-80％Cr(原子％)；并且
其中所述涂层具有不大于11欧姆/
Figure FDA0003633972180000041
的薄层电阻(Rs)和不大于0.2的法向发射率(En)。
33.根据权利要求32所述的方法，其中包含Ag、Ni和Cr的所述接触层的金属含量包含约10％-40％Ag、约20％-50％Ni和约20％-50％Cr(原子％)。
34.根据权利要求32至33中任一项所述的方法，其中包含Ag、Ni和Cr的所述接触层的金属含量包含约20％-40％Ag、约20％-40％Ni和约20％-40％Cr(原子％)。
35.根据权利要求32至34中任一项所述的方法，其中将包含Ag、Ni和Cr的所述接触层在包含氧气的气氛中溅射沉积，并且包含约10％-30％氧(原子％)。
36.根据权利要求32至35中任一项所述的方法，其中所述涂覆制品具有至少50％的可见光透射率。
37.根据权利要求32至36中任一项所述的方法，其中所述涂覆制品具有至少70％的可见光透射率。
38.根据权利要求32至37中任一项所述的方法，其中包含Ag、Ni和Cr的所述接触层被溅射沉积为Ag逐渐变化的，以便在其越靠近包含银的所述IR反射层的区域中包含越多的Ag，并且在其越远离包含银的所述IR反射层的区域中包含越少的Ag。
39.根据权利要求32至38中任一项所述的方法，其中包含Ag、Ni和Cr的所述接触层被溅射沉积为NiCr逐渐变化的，以便在其越远离包含银的所述IR反射层的区域中包含越多的Ni和Cr，并且在其越靠近包含银的所述IR反射层的区域中包括越少的Ni和Cr。
40.根据权利要求32至39中任一项所述的方法，其中所述溅射沉积包含Ag、Ni和Cr的所述接触层包括同时溅射第一旋转靶材和第二旋转靶材，所述第一靶材包含Ag，并且所述第二靶材包含Ni和Cr。
41.根据权利要求40所述的方法，其中所述第一靶材的磁棒以与所述第二靶材的磁棒不同的方向被取向。
42.根据权利要求40至41中任一项所述的方法，其中所述磁棒分别被取向成使得要从所述第二靶材沉积的材料朝向所述第一靶材和所述第一靶材的地带溅射。
43.根据权利要求41至42中任一项所述的方法，其中所述第一靶材包含Ag，并且所述第二靶材包含Ni和Cr。
44.根据权利要求43中任一项所述的方法，还包括在所述第二靶材与所述玻璃基底之间的屏蔽件，并且其中包含Ni和Cr的所述第二靶材的所述磁棒被取向成使得Ni和Cr从所述第二靶材向上并朝向包含Ag的所述第一靶材溅射，以便降落在包含Ag的所述第一靶材上。
45.一种制造涂覆制品的方法，所述涂覆制品包括由玻璃基底支撑的涂层，所述方法包括：
将第一电介质层溅射沉积在所述玻璃基底上；
将包含银的金属或基本上金属的红外(IR)反射层溅射沉积在所述玻璃基底上，所述IR反射层位于至少所述第一电介质层之上；
将包含Ag、Ni和Cr的接触层溅射沉积在所述玻璃基底上，所述接触层位于包含银的所述IR反射层之上并直接接触所述IR反射层；
其中所述溅射沉积包含Ag、Ni和Cr的所述接触层包括同时溅射第一旋转靶材和第二旋转靶材，所述第一靶材包含Ag，并且所述第二靶材包含Ni和Cr，其中所述第一靶材的磁棒以与所述第二靶材的磁棒不同的方向被取向成使得要从所述第二靶材沉积的材料朝向所述第一靶材和所述第一靶材的地带溅射；以及
将第二电介质层溅射沉积在所述玻璃基底上，所述第二电介质层位于至少所述第一电介质层、包含银的所述IR反射层和所述接触层之上。
46.一种涂覆制品，所述涂覆制品包括由玻璃基底支撑的涂层，所述涂层包括：
所述玻璃基底上的第一电介质层；
所述玻璃基底上的包含银的第一红外(IR)反射层，所述第一IR反射层位于至少所述第一电介质层之上；
包含Ag、Ni和Cr的层；
所述玻璃基底上的包含银的第二IR反射层，所述第二IR反射层位于至少所述第一IR反射层和所述包含Ag、Ni和Cr的层之上；
其中所述包含Ag、Ni和Cr的层位于至少所述第一IR反射层与所述第二IR反射层之间；
其中所述包含Ag、Ni和Cr的层的金属含量包含约5％-40％Ag、约10％-80％Ni和约10％-80％Cr(原子％)；并且
其中所述涂层具有不大于11欧姆/
Figure FDA0003633972180000061
的薄层电阻(Rs)和不大于0.2的法向发射率(En)。
47.根据权利要求46所述的涂覆制品，其中所述包含Ag、Ni和Cr的层的金属含量包含约10％-40％Ag、约20％-50％Ni和约20％-50％Cr(原子％)。
48.根据权利要求46至47中任一项所述的涂覆制品，其中所述包含Ag、Ni和Cr的层的金属含量包含约20％-40％Ag、约20％-40％Ni和约20％-40％Cr(原子％)。
49.根据权利要求46至48中任一项所述的涂覆制品，其中所述包含Ag、Ni和Cr的层包含约0％-30％氧和/或氮(原子％)。
50.根据权利要求46至49中任一项所述的涂覆制品，其中所述包含Ag、Ni和Cr的层直接接触所述第一IR反射层。
51.根据权利要求46至50中任一项所述的涂覆制品，其中所述第一电介质层包含金属氧化物。
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