CN114664702A - Led芯片筛选方法及显示屏 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种LED芯片筛选方法，其通过对LED芯片进行电流电压特性测试，获取LED芯片的电流电压特性曲线；根据电流电压特性曲线，确定LED芯片的闸流体效应；筛选闸流体效应符合预设条件的LED芯片，作为合格LED芯片。这些合格LED芯片在低辉度显示时亮度合格，采用这些合格LED芯片制成的LED显示屏在低辉显示时也不会出现暗线现象，制成的LED显示屏的显示质量高。另，本发明还公开一种采用该筛选方法筛选出的LED芯片制成的显示屏。

Description

LED芯片筛选方法及显示屏
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种LED芯片筛选方法及显示屏。
背景技术
现有技术中，LED显示屏具有清晰度高的优点，可以满足清晰度要求，但是当LED显示屏以低辉度显示时，有些LED芯片会发生亮度偏低的状况，导致LED显示屏出现暗线现象，降低了显示质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED芯片筛选方法，以筛选出在低辉度显示时亮度合格的LED芯片，解决LED显示屏低辉显示时出现暗线的问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种LED芯片筛选方法，包括：
对LED芯片进行电流电压特性测试，获取所述LED芯片的电流电压特性曲线；
根据所述电流电压特性曲线，确定所述LED芯片的闸流体效应；
筛选所述闸流体效应符合预设条件的LED芯片，作为合格LED芯片。
在一些实施例中，所述根据所述电流电压特性曲线，确定所述LED芯片的闸流体效应，包括：获取所述电流电压特性曲线在出现所述闸流体效应之前的前期曲线；根据所述前期曲线进行延拓处理得到所述LED芯片的标准特性曲线；根据所述电流电压特性曲线与所述标准特性曲线的差异，确定所述LED芯片的闸流体效应。
在一些实施例中，所述根据所述电流电压特性曲线与所述标准特性曲线的差异，确定所述LED芯片的闸流体效应，包括：获取在相同电压时，所述电流电压特性曲线与所述标准特性曲线的电流差值，将所述电流差值中的最大值作为所述闸流体效应的效应值；和/或，获取在相同电流时，所述电流电压特性曲线与所述标准特性曲线的电压差值，将所述电压差值中的最大值作为所述闸流体效应的效应值。
在一些实施例中，若将所述电压差值中的最大值作为所述闸流体效应的效应值，所述筛选所述闸流体效应符合预设条件的LED芯片，作为合格LED芯片，包括：筛选所述电压差值中的最大值小于或等于0.01V的LED芯片，作为所述合格的LED芯片；若将所述电流差值中的最大值作为所述闸流体效应的效应值，所述筛选所述闸流体效应符合预设条件的LED芯片，作为合格LED芯片，包括：筛选所述电流差值中的最大值小于或等于0.01A的LED芯片，作为所述合格的LED芯片。
在一些实施例中，所述对LED芯片进行电流电压特性测试，获取所述LED芯片的电流电压特性曲线，包括：使用连续变化的电流对所述LED芯片进行测试，得到所述LED芯片的电压随电流变化的曲线，将所述LED芯片的电压随电流变化的曲线作为所述电流电压特性曲线；或，使用连续变化的电压对所述LED芯片进行测试，得到所述LED芯片的电流随电压变化的曲线，将所述LED芯片的电流随电压变化的曲线作为所述电流电压特性曲线。
在一些实施例中，若使用连续变化的电流对所述LED芯片进行测试，则所述连续变化的电流变化步长为10μA，所述连续变化的电流的最大值不超过20mA，测试时长不超过20ms。
在一些实施例中，若使用连续变化的电流对所述LED芯片进行测试，则所述连续变化的电流的最大值为0.5mA。
在一些实施例中，若使用连续变化的电流对所述LED芯片进行测试，则测试时长为3ms。
在一些实施例中，若使用连续变化的电流对所述LED芯片进行测试，则所述连续变化的电流的最大值为0.5mA，测试时长为3ms，且筛选所述电压差值中的最大值小于或等于0.01V的LED芯片，作为所述合格的LED芯片。
在一些实施例中，所述LED芯片为蓝光或绿光芯片，所述LED芯片长175±25μm，宽100±25μm，厚85±10μm。
为实现上述目的，本发明还提供了一种显示屏，所述显示屏包括若干采用如上所述的LED芯片筛选方法筛选出的合格LED芯片。
本发明提供的LED芯片筛选方法，通过对LED芯片进行电流电压特性测试，获取LED芯片的电流电压特性曲线；根据电流电压特性曲线，确定LED芯片的闸流体效应；筛选闸流体效应符合预设条件的LED芯片，作为合格LED芯片。这些合格LED芯片在低辉度显示时亮度合格，采用这些合格LED芯片制成的LED显示屏在低辉显示时也不会出现暗线现象，制成的LED显示屏的显示质量高。
附图说明
图1是采用本发明筛选LED芯片过程中的获取到的电压、电流曲线。
图2是本发明一些实施例筛选LED芯片过程中的电流电压特性曲线。
具体实施方式
为详细说明本发明的内容、构造特征、所实现目的及效果，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
发明人发现，有些LED芯片的闸流体效应导致LED芯片在低辉度显示时亮度不合格，会使LED显示屏低辉显示时出现暗线的问题。闸流体效应的出现是因为，在制作这些LED芯片的过程中，外延片生长时出现了反向夹层。
通常，不存在闸流体效应的LED芯片的电压会随着电流的增大而增大。而存在闸流体效应的LED芯片的电压会存在突变点，首先，随着电流的增大，LED芯片的电压逐渐增大，而当电流达到一定值时，LED芯片的电压会突然增大，而后再下降，之后再随着电流的增大而逐渐增大，如图2所示。
因此，本发明基于LED芯片的电流电压特性曲线，根据LED芯片的电流电压特性曲线与标准特性曲线的差异，进行LED芯片的筛选，区分在低辉度显示时亮度合格的合格LED芯片和在低辉度显示时亮度不合格的不合格LED芯片，以筛选出在低辉度显示时亮度合格的合格LED芯片，而除去在低辉度显示时亮度不合格的不合格LED芯片，从而在后续制作LED显示屏时，可以采用在低辉度显示时亮度合格的合格LED芯片进行制作，使得制成的LED显示屏在低辉度显示时不会出现暗线，获得显示质量高的LED显示屏。
以下，对本发明实施例的技术方案进行详细说明：
本发明一实施例提供的LED芯片筛选方法包括以下步骤S1至步骤S3。
S1，对LED芯片进行电流电压特性测试，获取LED芯片的电流电压特性曲线。
可以是使用连续变化的电流对LED芯片进行测试，得到LED芯片的电压随电流变化的曲线，将LED芯片的电压随电流变化的曲线作为前述电流电压特性曲线，如图1所示。在筛选过程中，随着电流的逐渐增大，LED芯片的电压值也逐渐增大，若LED芯片存在闸流体效应，LED芯片的电压先增大至一定电压值，而后逐渐下降，然后再随着电流的增大逐渐增大。
也可以是使用连续变化的电压对LED芯片进行测试，得到LED芯片的电流随电压变化的曲线，将LED芯片的电流随电压变化的曲线作为前述电流电压特性曲线。
由于电流的大小会直接影响LED芯片的发光亮度，当电流达到一定大小后，以该电流点亮LED芯片时，LED芯片的亮度合格，因此，本发明一些使用连续变化的电流对LED芯片进行测试的实施例中，是在不超过20mA的电流下对LED芯片进行筛选，即是，连续变化的电流的最大值不超过20mA。
其中，进行LED芯片筛选时，测试时长为在连续变化的电流下，以低辉度显示时能够达到合格亮度的LED芯片的电压能够随电流同向稳定变化的时间，例如，随着电流的增大，电压逐渐增大，若测试时长过短，可能有些合格LED芯片未来得及经历电压突变点且达到电压随电流同向稳定变化，导致将LED芯片误认为是不合格的LED芯片，筛选条件过于严苛，因此，需要确定一个合理的测试时长，例如，不超过20ms。
在一些使用连续变化的电流对LED芯片进行测试的实施例中，连续变化的电流的最大值不超过20mA，连续变化的电流变化步长为10μA，测试时长不超过20ms。
在一些使用连续变化的电流对LED芯片进行测试的实施例中，电流为在低辉度显示时人眼难以察觉到LED芯片亮度不合格的电流值，若电流值过小，筛选条件过于严苛，若电流值过大，则会导致筛选出的认为合格的LED芯片仍然可能存在人眼可以识别的亮度不合格的现象，因此，需要电流大小合理，例如，连续变化的电流的最大值为0.5mA。
在一些使用连续变化的电流对LED芯片进行测试的实施例中，测试时长为3ms。
S2，根据电流电压特性曲线，确定LED芯片的闸流体效应。
具体可以包括：获取电流电压特性曲线在出现闸流体效应之前的前期曲线，如图2中Vf0-Vf1段；然后，根据前期曲线进行延拓处理得到拟合的LED芯片的标准特性曲线，如图2所示，标准的电流电压特性曲线大致为对数曲线的形状，当电流由0增大至30uA，然后逐渐增大至100uA、300uA、1mA，最后到达20mA的过程中，电压也为逐渐增大；然后，再根据电流电压特性曲线与标准特性曲线的差异，确定LED芯片的闸流体效应，如图2所示，即是，在电流由30uA增大至100uA区间，比较电流电压特性曲线与标准特性曲线的差异。
其中，根据电流电压特性曲线与标准特性曲线的差异，确定LED芯片的闸流体效应，可以是，获取在相同电压时，电流电压特性曲线与标准特性曲线的电流差值，将电流差值中的最大值作为闸流体效应的效应值。
根据电流电压特性曲线与标准特性曲线的差异，确定LED芯片的闸流体效应，还可以是，获取在相同电流时，电流电压特性曲线与标准特性曲线的电压差值，将电压差值中的最大值作为闸流体效应的效应值。
S3，筛选闸流体效应符合预设条件的LED芯片，作为合格LED芯片。
具体为，若闸流体效应的效应值符合预设效应值范围，认定该LED芯片为合格LED芯片，在低辉度显示时，符合设定的效应值范围的LED芯片不会出现人眼可以察觉的LED芯片亮度不合格的现象。若检测到的闸流体效应的效应值不符合预设效应值范围，认定该LED芯片为不合格LED芯片，在LED芯片处于低辉度显示的过程中，不符合设定的效应值范围的LED芯片可能会出现人眼可以察觉的亮度不合格的现象。
其中，闸流体效应的效应值符合预设效应值范围是指效应值落入预设的效应值范围之内，反之，闸流体效应的效应值不符合预设效应值范围是指效应值没有落入预设的效应值范围之内。
在一些将电压差值中的最大值作为闸流体效应的效应值的实施例中，筛选电压差值中的最大值小于或等于0.01V的LED芯片，作为合格的LED芯片。
在一些使用连续变化的电流对LED芯片进行测试的实施例中，连续变化的电流的最大值为0.5mA，测试时长为3ms，且筛选电压差值中的最大值小于或等于0.01V的LED芯片，作为合格的LED芯片。
在一些将电流差值中的最大值作为闸流体效应的效应值的实施例中，筛选电流差值中的最大值小于或等于0.01A的LED芯片，作为合格的LED芯片。
其中，LED芯片亮度合格是指，在低辉度显示时，LED芯片的亮度达到目标亮度；LED芯片亮度不合格是指，在低辉度显示时，LED芯片的亮度未达到目标亮度。
接下来请参阅表1，如下表1所示，LED芯片为蓝光芯片，连续变化的电流的最大值为0.5mA，可以是0-0.5mA，测试时长为3ms，电压差值的最大值为ΔV≤0.1V时，通过本发明的筛选方法认定为合格的LED芯片中会有20％不合格；而在同样芯片、电流、测试时长的测试条件下，设定电压差值的最大值为ΔV≤0.05V时，通过本发明的筛选方法认定为合格的LED芯片中会有10％不合格；而在同样芯片、电流、测试时长的测试条件下，设定电压差值的最大值为ΔV≤0.01V时，通过本发明的筛选方法认定为合格的LED芯片全部合格，均为在低辉度显示时亮度合格的蓝光LED芯片。LED芯片为绿光芯片，连续变化的电流的最大值为0.5mA，可以是0-0.5mA，测试时长为3ms，电压差值的最大值为ΔV≤0.1V时，通过本发明的筛选方法认定为合格的LED芯片中会有20％不合格；而在同样芯片、电流、测试时长的测试条件下，设定电压差值的最大值为ΔV≤0.05V时，通过本发明的筛选方法认定为合格的LED芯片中会有10％不合格；而在同样芯片、电流、测试时长的测试条件下，设定电压差值的最大值为ΔV≤0.01V时，通过本发明的筛选方法认定为合格的LED芯片全部合格，均为在低辉度显示时亮度达到合格亮度的绿光LED芯片。
表1
Figure BDA0003554763970000071
LED芯片在以较低电流，如不超过20mA的电流低辉度显示时，LED芯片的尺寸特征会影响LED芯片的发光情况，因此，在以同等电流点亮LED芯片时，不同尺寸特征的LED芯片会表现出不同的发光情况。在一些实施例中，会根据LED芯片的尺寸特征对测试的电流、测试时长及电压差值最大值中的一者、两者或全部进行调整。
在一些实施例中，LED芯片为绿光芯片，LED芯片长175±25μm，宽100±25μm，厚85±10μm，连续变化的电流的最大值为0.5mA，测试时长为3ms，设定电压差值最大值为≤0.01V。借此，在步骤S3中以该电压差值最大值≤0.01V筛选出的绿光LED芯片，在以最大值不超过0.5mA的连续变化的电流低辉度显示时，均合格，确保筛选出的绿光LED芯片均为合格的绿光LED芯片。
在一些实施例中，LED芯片为蓝光芯片，LED芯片长175±25μm，宽100±25μm，厚85±10μm，连续变化的电流的最大值为0.5mA，测试时长为3ms，设定电压差值最大值为≤0.01V。借此，在步骤S3中以该电压差值最大值≤0.01V筛选出的蓝光LED芯片，在以最大值不超过0.5mA的连续变化的电流低辉度显示时，均合格，确保筛选出的蓝光LED芯片均为合格的蓝光LED芯片。
本发明提供的LED芯片筛选方法，通过对LED芯片进行电流电压特性测试，获取LED芯片的电流电压特性曲线；根据电流电压特性曲线，确定LED芯片的闸流体效应；筛选闸流体效应符合预设条件的LED芯片，作为合格LED芯片。这些合格LED芯片在低辉度显示时亮度合格，采用这些合格LED芯片制成的LED显示屏在低辉显示时也不会出现暗线现象，制成的LED显示屏的显示质量高。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实例而已，不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，均属于本发明所涵盖的范围。

Claims (11)

1.一种LED芯片筛选方法，其特征在于，包括：
对LED芯片进行电流电压特性测试，获取所述LED芯片的电流电压特性曲线；
根据所述电流电压特性曲线，确定所述LED芯片的闸流体效应；
筛选所述闸流体效应符合预设条件的LED芯片，作为合格LED芯片。
2.如权利要求1所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，所述根据所述电流电压特性曲线，确定所述LED芯片的闸流体效应，包括：
获取所述电流电压特性曲线在出现所述闸流体效应之前的前期曲线；
根据所述前期曲线进行延拓处理得到所述LED芯片的标准特性曲线；
根据所述电流电压特性曲线与所述标准特性曲线的差异，确定所述LED芯片的闸流体效应。
3.如权利要求2所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，所述根据所述电流电压特性曲线与所述标准特性曲线的差异，确定所述LED芯片的闸流体效应，包括：
获取在相同电压时，所述电流电压特性曲线与所述标准特性曲线的电流差值，将所述电流差值中的最大值作为所述闸流体效应的效应值；
和/或，
获取在相同电流时，所述电流电压特性曲线与所述标准特性曲线的电压差值，将所述电压差值中的最大值作为所述闸流体效应的效应值。
4.如权利要求3所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，
若将所述电压差值中的最大值作为所述闸流体效应的效应值，所述筛选所述闸流体效应符合预设条件的LED芯片，作为合格LED芯片，包括：筛选所述电压差值中的最大值小于或等于0.01V的LED芯片，作为所述合格的LED芯片；
若将所述电流差值中的最大值作为所述闸流体效应的效应值，所述筛选所述闸流体效应符合预设条件的LED芯片，作为合格LED芯片，包括：筛选所述电流差值中的最大值小于或等于0.01A的LED芯片，作为所述合格的LED芯片。
5.如权利要求4所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，所述对LED芯片进行电流电压特性测试，获取所述LED芯片的电流电压特性曲线，包括：
使用连续变化的电流对所述LED芯片进行测试，得到所述LED芯片的电压随电流变化的曲线，将所述LED芯片的电压随电流变化的曲线作为所述电流电压特性曲线；
或，
使用连续变化的电压对所述LED芯片进行测试，得到所述LED芯片的电流随电压变化的曲线，将所述LED芯片的电流随电压变化的曲线作为所述电流电压特性曲线。
6.如权利要求5所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，若使用连续变化的电流对所述LED芯片进行测试，则所述连续变化的电流变化步长为10μA，所述连续变化的电流的最大值不超过20mA，测试时长不超过20ms。
7.如权利要求5所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，若使用连续变化的电流对所述LED芯片进行测试，则所述连续变化的电流的最大值为0.5mA。
8.如权利要求5所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，若使用连续变化的电流对所述LED芯片进行测试，则测试时长为3ms。
9.如权利要求5所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，若使用连续变化的电流对所述LED芯片进行测试，则所述连续变化的电流的最大值为0.5mA，测试时长为3ms，且筛选所述电压差值中的最大值小于或等于0.01V的LED芯片，作为所述合格的LED芯片。
10.如权利要求1至9任一项所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，所述LED芯片为蓝光或绿光芯片，所述LED芯片长175±25μm，宽100±25μm，厚85±10μm。
11.一种显示屏，其特征在于，包括若干采用如权利要求1至10任一项所述的LED芯片筛选方法筛选出的合格LED芯片。
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