CN114641589A - 空闲屏蔽件、沉积设备、沉积系统以及组装和操作的方法 - Google Patents

空闲屏蔽件、沉积设备、沉积系统以及组装和操作的方法 Download PDF

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Abstract

描述一种用于屏蔽具有真空腔室的沉积设备的沉积源的材料的屏蔽件。所述屏蔽件包括：框架，所述框架被配置成被安装到所述沉积设备上；屏蔽组件，所述屏蔽组件与所述框架耦接，所述屏蔽组件包括：第一侧屏蔽部分、第二侧屏蔽部分、和在所述第一侧屏蔽部分与所述第二侧屏蔽部分之间的中心屏蔽部分，所述屏蔽组件被配置成被布置在所述真空腔室的壁与所述沉积源之间，以在所述屏蔽组件的闭合位置屏蔽沉积材料；所述屏蔽件进一步包括：门布置，所述门布置被配置成移动所述屏蔽组件的至少一部分，以允许在所述屏蔽组件的打开位置接近所述沉积源。

Description

空闲屏蔽件、沉积设备、沉积系统以及组装和操作的方法
技术领域
本公开内容涉及用于沉积系统的屏蔽件和被配置用于在一个或多个基板上沉积蒸发的材料(尤其是有机材料)的沉积系统。本公开内容的实施方式进一步涉及被配置成例如在沉积源的空闲位置屏蔽、阻挡和/或收集蒸发的材料的空闲屏蔽件。本公开内容的实施方式进一步涉及沉积设备，其具有用于在基板上沉积蒸发的材料的沉积系统。其他实施方式涉及操作蒸发源的方法、组装空闲屏蔽件的方法和操作系统(尤其是用于在真空处理腔室中在基板上沉积蒸发的材料的沉积系统)的方法。
背景技术
有机蒸发器是用于生产有机发光二极管(OLED)的工具。OLED是一种特定类型的发光二极管，其中发光层包括某些有机化合物的薄膜。有机发光二极管(OLED)用于制造例如用于显示信息的电视屏幕、计算机显示器、移动电话、其他手持式器件。OLED还可以用于一般空间照明。OLED显示器的颜色范围、亮度和视角可以大于传统LCD显示器，因为OLED像素直接发光并且不涉及背光。因此，OLED显示器的能量消耗比传统LCD显示器的能量消耗小得多。此外，OLED可以被制造在柔性基板上的事实导致其他应用。
典型地，蒸发的材料通过蒸汽源的一个或多个出口被导向基板。举例来说，蒸汽源可以具备多个喷嘴，其被配置用于将蒸发的材料的羽流导向基板。可以相对于基板移动蒸汽源以用于用蒸发的材料涂覆基板。
来自蒸汽源的一个或多个蒸汽出口的稳定的蒸发材料羽流可以是有利的，以便在基板上沉积具有预定一致性的材料图案。在启动蒸汽源之后，可能需要一定时间使蒸汽源稳定下来。因此频繁的关闭和启动蒸汽源可能是不期望的，并且蒸汽源可能会在空闲(idle)周期中也保持运行。可能有如下风险，即在这样的空闲周期期间，真空处理腔室的壁可能被蒸发的材料涂覆("喷洒涂覆(sprinkle coating)")。
此外，后续沉积各种基板是有益的，即，不需要在后续基板的处理之间不必要地暂停蒸发。举例来说，蒸发源可以旋转以在第一沉积区和与第一沉积区相对的第二沉积区中的基板处理之间切换。在从第一沉积区到第二沉积区的旋转期间，真空处理腔室的壁可能也被蒸发的材料涂覆。
因此，提供用于沉积设备的空闲屏蔽件、沉积设备，和被配置用于以精确的方式在基板上沉积蒸发的材料，同时减少在设备或系统的表面上的喷洒涂覆的沉积系统是有益的。
发明内容
鉴于上述内容，提供用于屏蔽沉积源的材料的屏蔽件、用于在真空腔室中后续地沉积基板的沉积设备、组装用于屏蔽沉积源的材料的屏蔽件的方法、和接近(access)具有真空腔室的沉积设备的沉积源的方法。其他优势、特征结构、方面和细节自从属权利要求、说明书和附图而显而易见。
根据一个实施方式，提供用于屏蔽具有真空腔室的沉积设备的沉积源的材料的屏蔽件。屏蔽件包括：框架，所述框架被配置成被安装到沉积设备上；屏蔽组件，所述屏蔽组件与框架耦接，所述屏蔽组件包括：第一侧屏蔽部分、第二侧屏蔽部分和在第一侧屏蔽部分与第二侧屏蔽部分之间的中心屏蔽部分，屏蔽组件被配置成被布置在真空腔室壁与沉积源之间，以在屏蔽组件的闭合位置屏蔽沉积材料；屏蔽件进一步包括：门布置，所述门布置被配置成移动屏蔽组件的至少一部分以允许在屏蔽组件的打开位置接近沉积源。
根据一个实施方式，提供在真空腔室中后续地沉积基板的沉积设备。沉积设备包括邻近真空腔室的第一侧壁的第一基板处理位置；邻近真空腔室的第二侧壁的第二基板处理位置，第二侧壁与第一侧壁相对；沉积源，所述沉积源在第一基板处理位置与第二基板处理位置之间；源运输车(source cart)，所述源运输车被配置成在第一基板处理位置与第二基板处理位置之间转移沉积源；致动器，所述致动器被配置成使沉积源在第一方向和第二方向之间旋转，沉积源在第一基板处理位置处以第一方向在基板上沉积材料，沉积源在第二基板处理位置处以第二方向在基板上沉积材料；和根据本文中描述的任一实施方式的屏蔽件。
根据一个实施方式，提供组装屏蔽件的方法，所述屏蔽件用于屏蔽具有真空腔室的沉积设备的沉积源的材料。方法包括在与螺钉耦接的销的上方引导瓦片(tile)的凹槽；和通过向螺钉施加扭矩将瓦片固定到板组件或框架。
根据一个实施方式，提供接近具有真空腔室的沉积设备的沉积源的方法。方法包括打开屏蔽组件的门布置，所述屏蔽组件布置在真空腔室壁与沉积源之间的，以在门布置的闭合位置屏蔽沉积材料。
本公开内容也涉及用于执行所公开的方法的设备，包括用于执行方法的设备部件。方法可以经由硬件元件、由适当的软件编程的计算机、通过两者的任何组合或以任何其他方式来执行。此外，本公开内容也涉及所描述的设备的操作方法。本公开内容包括用于执行设备的每个功能的方法。
附图说明
为了以详细的方式理解本文中描述的本公开内容的上述特征方式，可参考实施方式来获得以上简要概述的更特定描述。附图涉及本公开内容的实施方式并且在下文中描述：
图1A和图1B示出根据本文中描述的实施方式的沉积设备在沉积位置(图1A)和空闲位置(图1B)中的示意性视图；
图2示出根据本文中描述的实施方式的沉积设备的屏蔽件的透视图；
图3示出根据本文中描述的实施方式的沉积设备的一部分的示意性截面图；
图4A示出根据本文中描述的实施方式的沉积设备的屏蔽件的透视图；
图4B示出根据本文中描述的实施方式的用于沉积设备的屏蔽件的瓦片的放大视图；
图5A和图5B示出根据本文中描述的实施方式的用于沉积设备的屏蔽件的一部分的示意性视图，并且其说明屏蔽件瓦片的安装；
图6示出根据本公开内容的实施方式的用于沉积设备的屏蔽件的一部分的示意性视图；
图7示出根据本公开内容的实施方式、并且包括根据本公开内容的实施方式的屏蔽件(例如空闲屏蔽件)的沉积设备的一部分的示意性视图；
图8示出根据本文中描述的实施方式的沉积设备的屏蔽件的透视图；
图9A和图9B示出根据本文中描述的实施方式的用于沉积设备的屏蔽件的示意性视图；
图10示出根据本文中描述的实施方式的具有沉积设备的沉积设备的示意性截面图；
图11示出根据本文中描述的实施方式的沉积系统的示意性截面图；和
图12是说明根据本文中描述的实施方式的操作沉积系统的方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细参考本公开内容的各种实施方式，实施方式的一个或多个示例在附图中描绘。在各图的以下描述中，相同的附图标记指示相同的元件。在下文中，描述了关于个别实施方式的差异。各示例以解释本公开内容的形式提供并且不意欲作为本公开内容的限制。此外，被描绘或描述为一个实施方式的一部分的特征结构可以在其他实施方式上使用或与其他实施方式结合使用以产生另一实施方式。本说明书意欲包括这样的修改和变化。
图lA是根据本文中描述的实施方式的沉积系统100的示意性视图。沉积系统100包括沉积源，诸如蒸汽源120，其具有一个或多个蒸汽出口125。蒸汽源120位于用于涂覆基板10的沉积位置(II)。在沉积位置，一个或多个蒸汽出口被导向其中布置有基板10的沉积区。
图1B是图1A的沉积系统100的示意性视图，其中蒸汽源120处于空闲位置(I)。在空闲位置，一个或多个蒸汽出口125被导向屏蔽件110。
蒸汽源120可以从沉积位置(II)移动到其中一个或多个蒸汽出口125被导向屏蔽件110的空闲位置(I)，和/或从空闲位置(I)移动到其中一个或多个蒸汽出口125被导向沉积区的沉积位置(II)。举例来说，沉积源，诸如蒸汽源120可以被移动一定角度。沉积源可以围绕轴A被旋转。
沉积源或蒸汽源120可以被配置为蒸发源，其用于在布置在沉积区中的基板10上沉积蒸发的材料。在一些实施方式中，蒸汽源120包括一个或多个坩埚和一个或多个分配管，其中可以在一个或多个分配管中的每一个中提供一个或多个蒸汽出口125。各坩埚可以与相关的分配管流体连接。蒸发的材料可以从坩埚流到相关的分配管中。当沉积系统处于沉积位置时，蒸发的材料的羽流可以被从分配管的一个或多个蒸汽出口导入沉积区。
在图1A中，蒸发的材料被从一个或多个蒸汽出口125导向基板10。材料图案可以在基板上形成。在一些实施方式中，在沉积期间，掩模(未示出)被布置在基板10前面，即，在基板10与蒸汽源120之间。对应于掩模的开口图案的材料图案可以被沉积在基板上。在一些实施方式中，蒸发的材料是有机材料。掩模可以是精细金属掩模(FMM)或另一类型的掩模，例如边缘排除掩模。
在基板10上的沉积之后或在其之前，蒸汽源120可以被移动到在图1B中示例性描绘的空闲位置(I)。蒸汽源120到空闲位置(I)的移动可以是在蒸汽源120与屏蔽件110之间的相对运动。在空闲位置，一个或多个蒸汽出口被导向屏蔽件110的表面。
在一些实施方式中，蒸汽源120在空闲位置和/或在移动到空闲位置的期间被停用。因此，当蒸汽源处于空闲位置(I)时，蒸发的材料可以从一个或多个蒸汽出口125被导向屏蔽件110并且在屏蔽件的表面上凝结。通过在空闲位置也继续蒸发，例如在系统的空闲时间期间，蒸汽源中的蒸汽压可以保持基本上恒定并且沉积可以在随后继续，而不需要蒸汽源的稳定时间。
屏蔽件110可以被形成以使得当蒸汽源120处于空闲位置(I)时，来自一个或多个蒸汽出口125的蒸发的材料的80％或更多，尤其是90％或更多，更尤其是99％或更多被导向屏蔽件110的表面。当蒸汽源120处于空闲位置时，真空处理腔室中的其他表面的污染可以被减少或避免，因为蒸发羽流可以被屏蔽件110阻挡和屏蔽。特别地，腔室壁、布置在真空处理腔室中的器件、掩模载体和基板载体的涂覆可以被减少或避免。在一些实施方式中，屏蔽件110的表面可以是很大的，例如0.5m2或更大，尤其是1m2或更大，更尤其是2m2或更大，以便确保在空闲位置大部分蒸发的材料在屏蔽件的表面上而非在另一表面上凝结。
蒸汽源120可以被移动到空闲位置(I)以实现以下目的中的至少一个或多个：(i)用于加热蒸汽源；(ii)用于稳定蒸汽源，例如在加热期间，直到在蒸汽源中形成基本上恒定的蒸汽压；(iii)用于保养或维护蒸汽源；(iv)用于关闭蒸汽源，例如在冷却期间；(v)用于清洁蒸汽源，例如清洁一个或多个蒸汽出口和/或清洁布置在蒸汽出口前面的塑形屏蔽件；(vi)在掩模和/或基板对准期间；(vii)在等待时间期间和在空闲周期中。举例来说，空闲位置可以用作在系统的空闲周期中的沉积系统的停放位置。在一些实施方式中，例如在源移动到空闲位置期间，屏蔽件110可以保护真空处理腔室和/或被布置在沉积区中的掩模免遭喷洒涂覆。
根据一些实施方式，沉积源或蒸汽源可以从基板10经过空闲位置(I)朝向另一基板移动，如在图10和图11中更详细地示出。因此，空闲位置可以替代地被用于在沉积源(例如蒸汽源120)的移动(即，旋转)期间防止喷洒涂覆。
根据本文中描述的实施方式，提供用于冷却屏蔽件110的冷却器件112。可以通过用冷却器件减小屏蔽件的温度来改进屏蔽件的屏蔽效果。此外，可以通过冷却屏蔽件110减小从屏蔽件到蒸汽源、掩模和/或基板的热辐射。可以减少或避免由热导致的移动，并且可以改进沉积质量。
蒸发的材料可以具有数百度，例如100℃或更高，300℃或更高或500℃或更高的温度。与有机材料的蒸发相比，用于金属材料蒸发的热负荷可能特别高。
当蒸发的材料在屏蔽件的表面上凝结时，屏蔽件110可以在空闲位置加热。在一些实施方式中，蒸汽源120可以在相当长的一段时间内停留在空闲位置，例如数十秒以用于对准或清洁，或数分钟以用于蒸汽源的加热和保养。可以通过冷却器件112减小屏蔽件110的温度，并且可以减小从屏蔽件到蒸汽源和掩模的热辐射。举例来说，屏蔽件的温度可以被保持在100℃或更低。沉积质量可以被改进，因为掩模的热移动减少了。应注意，在一些实施方式中，掩模可以具有在几微米范围内的结构，使得掩模的恒温有利于减少掩模结构的由热导致的移动。此外，通过冷却屏蔽件110的表面，可以促进蒸发的材料在屏蔽件上的凝结。
冷却器件可以包括以下中的至少一个或多个：与屏蔽件连接的冷却管道、冷却管路或冷却通道；流体冷却，诸如水冷；气体冷却，诸如空气冷却和/或热电冷却。在一些实施方式中，冷却器件包括冷却回路，其具有在屏蔽件的框架中的冷却管道和/或在屏蔽件的板组件中的冷却管道。诸如水的冷却流体可以在冷却回路中循环。
在一些实施方式中，可以在屏蔽件的中心屏蔽部分115处提供冷却管道。在空闲位置，一个或多个蒸汽出口125可以被导向中心屏蔽部分115，使得中心屏蔽部分115可以在空闲位置经受大部分热负荷。屏蔽件110可以进一步包括邻近中心屏蔽部分115布置的一个或多个侧屏蔽部分116。可以提供一个或多个侧屏蔽部分116以用于在蒸汽源移动到空闲位置或经过空闲位置的期间屏蔽蒸发的材料。由于一个或多个侧屏蔽部分116可以在蒸汽源的移动期间阻挡蒸发的材料，因此可以在蒸汽源的移动期间保护掩模免遭喷洒涂覆。在一些实施方式中，在中心屏蔽部分115的两个相对侧上提供两个侧屏蔽部分116。侧屏蔽部分116可以是弯曲的。
在可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式中，沉积系统100可以包括第一驱动器，其被配置用于沿着源运输路径P移动蒸汽源120以及屏蔽件110(参见图11)。举例来说，源运输路径可以延伸经过其中布置有基板10的沉积区。可以例如以基本上恒定的速度将蒸汽源120与屏蔽件110一起移动经过基板10。举例来说，屏蔽件110和蒸汽源120可以被布置在被配置成沿着轨道被引导的源支撑件上，例如在源运输车(sourcecart)。在一些实施方式中，第一驱动器可以被配置用于沿着沿源运输路径P而沿着轨道移动源支撑件，其中蒸汽源和屏蔽件可以由源支撑件(即，源运输车)支撑。在一些实施方式中，可以在不接触轨道的情况下，例如经由磁悬浮系统，沿着轨道运输源支撑件。特别地，第一驱动器可以被配置用于沿着沿源运输路径P延伸的轨道将蒸汽源与屏蔽件一起线性地移动，即平移运动。
当屏蔽件110可以和蒸汽源120一起沿着源运输路径P移动时，蒸汽源与屏蔽件之间的距离可以在沉积工艺期间被保持为很小或恒定。举例来说，在沉积期间，蒸汽源与屏蔽件之间的最大距离可以是0.5m或更小，尤其是0.2m或更小。
在可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式中，沉积系统可以进一步包括第二驱动器，其用于相对于屏蔽件110将蒸汽源120移动到空闲位置(I)。换句话说，第一驱动器可以被配置用于将蒸汽源与屏蔽件一起移动，并且第二驱动器可以被配置用于相对于屏蔽件移动蒸汽源。在图1A和图1B的实施方式中，蒸汽源120可相对于屏蔽件110围绕旋转轴A从沉积位置旋转到空闲位置。举例来说，蒸汽源可以被旋转45°或更大和135°或更小，尤其是约90°的角度，以从沉积位置旋转到空闲位置。此外，诸如蒸汽源的沉积源可以被旋转170°或更多和190°或更小，尤其是约180°的角度，以从第一沉积位置旋转到第二沉积位置。举例来说，蒸汽源可以通过旋转蒸汽源而从空闲位置移动到沉积位置，例如通过使蒸汽源往回朝向沉积区旋转例如约90°的角度，或通过使蒸汽源朝相布置有第二基板的第二沉积区旋转例如约90°的角度。
蒸汽源的旋转可以包括蒸汽源的、导致一个或多个蒸汽出口的蒸发方向的方向变化的任何类型的摆动或枢轴移动。特别地，旋转轴可以与蒸汽源相交，可以与蒸汽源的外围相交或可以完全不与蒸汽源相交。
旋转轴A可以是基本上垂直的旋转轴。蒸汽源120可以围绕基本上垂直的旋转轴在空闲位置与沉积位置之间旋转。特别地，蒸汽源120可以包括一个、两个或更多个分配管，这些分配管可以分别在基本上垂直的方向中延伸。可以沿着各分配管的长度(即，沿着基本上垂直的方向)提供多个蒸汽出口。可以提供紧凑并且节省空间的沉积系统。根据一些实施方式，旋转轴可以是垂直的。此外，另外或替代地，一个或多个分配管可以在基本上垂直的方向中延伸，即垂直的或偏离垂直定向15°或以下，例如7°或以下的角度的方向。
在可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式中，屏蔽件110的径向内表面可以被导向蒸汽源。特别地，屏蔽件110可以包括部分地围绕蒸汽源延伸的弯曲部分。举例来说，屏蔽件可以包括两个侧屏蔽部分116，这两个侧屏蔽部分116可以是弯曲的并且其可以部分地围绕蒸汽源延伸。在一些实施方式中，屏蔽件的一些部分可以部分地围绕蒸汽源的旋转轴A延伸。
由于蒸汽屏蔽件的曲率，屏蔽件的屏蔽效果可以在屏蔽件110围绕旋转轴A的旋转期间得以改进。特别地，在一个或多个蒸汽出口与屏蔽件的表面之间的距离可以在屏蔽件的旋转期间保持实质上恒定。
在一些实施方式中，屏蔽件的至少一部分被成形为围绕蒸汽源，尤其是围绕蒸汽源的旋转轴A延伸的圆柱表面的一部分。
在一些实施方式中，屏蔽件110的弯曲部分可以围绕蒸汽源120延伸60°或更大，尤其是90°或更大的角度。因此，当蒸汽源以60°或更大，尤其是90°或更大的角度从沉积位置旋转到空闲位置时，可以通过屏蔽件基本上连续地屏蔽蒸发的材料。可以减少真空处理腔室的污染并且可以减少到真空处理腔室中的热辐射。
在可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式中，当蒸汽源处于空闲位置时，一个或多个蒸汽出口与屏蔽件之间的距离D1可以是5cm或更大并且是30cm或更小。特别地，距离D1可以是5cm或更大并且是10cm或更小。通过在屏蔽件与一个或多个蒸汽出口之间提供小的距离，可以进一步改进屏蔽件110的屏蔽效果。此外，可以使用更紧凑的冷却器件，因为在空闲位置，蒸汽源的大部分热负荷局限在屏蔽件的一小部分中。
图2是根据本文中描述的实施方式的沉积系统的屏蔽件110的透视图。屏蔽件110可以类似于图1A的实施方式的屏蔽件，以便可以参考以上解释，这里不对其进行重复。参考其他附图描述的实施方式可以同样地适用于关于图2所描述的细节，从而形成又一实施方式。
屏蔽件110可以邻近蒸汽源布置，以使得当蒸汽源处于空闲位置时，蒸汽源的一个或多个蒸汽出口被导向屏蔽件的表面。可以提供冷却器件112以用于冷却屏蔽件的至少一部分。举例来说，屏蔽件或屏蔽组件的中心屏蔽部分115可以用冷却器件112来冷却。中心屏蔽部分115可以被理解为屏蔽件的一部分，当蒸汽源处于空闲位置时，一个或多个蒸汽出口被导向该部分。在一些实施方式中，中心屏蔽部分115分别是屏蔽件110或屏蔽组件的中心部分。
屏蔽件110可以是弯曲的并且可以部分地围绕将布置蒸汽源的区域延伸。特别地，屏蔽件可以包括一个或多个弯曲部分。举例来说，屏蔽件的屏蔽组件可以包括中心屏蔽部分115和两个侧屏蔽部分116，两个侧屏蔽部分116邻近中心屏蔽部分115被布置在中心屏蔽部分115的两个相对侧上。两个侧屏蔽部分116可以围绕将布置蒸汽源的区域弯曲。
在可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式中，屏蔽组件可以包括被形成为片状元件(例如金属片或瓦片)的多个屏蔽部分。举例来说，屏蔽件或屏蔽组件可以与框架耦接。屏蔽件或屏蔽组件可以包括第一侧屏蔽部分、第二侧屏蔽部分和在第一侧屏蔽部分与第二侧屏蔽部分之间的中心屏蔽部分。
举例来说，屏蔽件可以包括以下中的一个或多个：底部屏蔽部分119，其在基本上水平的定向中在一个或多个蒸汽出口下方的位置处延伸；顶部屏蔽部分118，其在基本上水平的定向中在一个或多个蒸汽出口上方的位置处延伸；中心屏蔽部分115，当蒸汽源处于空闲位置时，其可以在基本上垂直的定向中在一个或多个蒸汽出口前面延伸；和第一侧屏蔽部分和第二侧屏蔽部分。这两个侧屏蔽部分可以在基本上垂直的定向中在中心屏蔽部分115的两个相对侧上延伸。
在一些实施方式中，屏蔽件110可以包括框架111。屏蔽件110的片状部分可以被固定到框架111上。特别地，框架111可以被配置用于保持和支撑中心屏蔽部分和/或侧屏蔽部分中的至少一个或多个。框架111可以被支撑在源支撑件上，所述源支撑件被配置用于支撑和运输蒸汽源以及屏蔽件。冷却管道113的至少一部分可以沿着屏蔽件110的框架111延伸。举例来说，冷却管道113可以被固定到支撑框架111上或整合到框架111中。
屏蔽件的片状部分或瓦片可以被配置为可消耗的。换句话说，一个或多个瓦片或屏蔽部分可以被可拆卸地安装在屏蔽件处，尤其是被可拆卸地安装到相邻的片状部分和/或屏蔽件的支撑框架111上。定期替换和/或清洁一个或多个片状部分或瓦片可以是有益的，例如当涂覆材料层已经在片状部分的表面上形成时。举例来说，在一些实施方式中，中心屏蔽部分115可以被可拆卸地固定到支撑框架111上，以使得中心屏蔽部分可以从屏蔽件卸下以进行清洁。类似地，侧屏蔽部分可以从屏蔽件分离以用于清洁和/或替换。因此，快速替换屏蔽件的单独的区段或部分可以是可能的，例如在不使支撑框架111从源支撑件分离的情况下。可以减少系统的停机时间。
冷却器件112可以包括用于冷却流体的一个或多个冷却管路或冷却管道113，所述冷却流体用于冷却中心屏蔽部分115和/或用于冷却屏蔽件的其他片状部分。
在一些实施方式中，屏蔽件110的高度是1m或更大，尤其是2m或更大。特别地，屏蔽件110的高度可以大于蒸汽源120的高度，以便在空闲位置来自蒸汽源的蒸发的材料可以被屏蔽件屏蔽。蒸汽源120可以具有1m或更大，尤其是1.5m或更大的高度。
在可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式中，屏蔽件的宽度W可以是50cm或更大，尤其是1m或更大。宽度W可以是在水平方向(例如垂直于在沉积期间的基板10的定向的方向)中的屏蔽件110的最大尺寸，如在图1A和图1B中所描绘。在可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式中，屏蔽件的曲率的平均半径可以是60cm或更大。
图3是根据本文中描述的实施方式的沉积系统的一部分的示意性截面图。蒸汽源120被显示为处于空闲位置，其中蒸发的材料15被导向屏蔽件110，尤其是被导向屏蔽件的中心屏蔽部分115。中心屏蔽部分115可以被冷却器件冷却，以使得屏蔽件的温度可以被保持较低并且到沉积区中的热辐射可以被减少。
如在图3中示意性地描绘，两个侧屏蔽部分116可以在中心屏蔽部分115的两侧上邻近中心屏蔽部分115布置。侧屏蔽部分可以在蒸汽源120移动到空闲位置和从空闲位置移开期间屏蔽蒸发的材料15。特别地，蒸汽源可以围绕旋转轴被旋转到空闲位置，并且屏蔽件可以以弯曲的方式围绕旋转轴延伸。可以在屏蔽件的支撑框架处提供冷却管道。通过在支撑框架处提供冷却管道，可以在不替换冷却管道的情况下替换片状部分。中心屏蔽部分115可以被固定到支撑框架111、的包括一部分冷却管道113的部分上。
图2示出具有屏蔽组件的屏蔽件110，该屏蔽组件具有瓦片410。瓦片410可以例如形成中心屏蔽部分115。如图2中所示，瓦片可以是例如在垂直方向中细长的。举例来说，根据可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式，瓦片的宽度与高度的宽高比可以是1:5或更低。瓦片可以分别沿着屏蔽件或蒸汽源120的高度延伸。具有细长的瓦片允许分几块地替换屏蔽组件的一部分。举例来说，中心屏蔽部分可以包括两个或更多个，例如三个或更多个形成中心屏蔽部分的瓦片。然而，由于瓦片的重量，替换细长的瓦片可能是困难的。
根据可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式，可以使用较小的瓦片。因此，可以提供比较容易的瓦片替换以用于维护。根据可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式，瓦片的宽度与高度的宽高比可以是1:4到4:1。
图4A示出屏蔽件110。屏蔽件110包括框架111。屏蔽件包括与框架耦接的屏蔽组件。屏蔽组件可以包括第一侧屏蔽部分116、第二侧屏蔽部分(未在图4A中示出)和中心屏蔽部分115。屏蔽组件的一些部分，并且尤其是中心屏蔽部分可以包括多个瓦片410。图4A进一步示出顶部屏蔽部分118和铰链420，其关于图5更详细地讨论。屏蔽件的后侧可以进一步包括具有板550的板组件。举例来说，可以提供多个板，其可以选择性地与屏蔽组件中的多个屏蔽件对应。
瓦片410的放大视图在图4B中示出。根据一些实施方式，用于屏蔽件的瓦片可以包括瓦片主体。瓦片可以被配置成在真空处理腔室中屏蔽沉积源的材料。瓦片主体包括第一侧，例如图4B中所示的一侧。第一侧具有结构化表面。因此，来自沉积源的材料的积聚可以得以改进并且从瓦片剥落的材料可以减少。
根据可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式，结构化表面可以包括宏观结构412。举例来说，宏观结构可以包括铣削结构，诸如图4B中所示的菱形结构。另外或替代地，结构化表面可以包括微观结构。微观结构可以是喷砂结构或喷砂表面。举例来说，具有微观结构的结构化表面可以是被喷砂的或被用其他粒子涂抹。可以在所述微观结构上形成微观结构。提供宏观结构和微观结构可以进一步改进材料对瓦片的粘附。可以增加维护循环之间的时间并且因此可以改进沉积设备的正常运行时间。如本文中描述，宏观结构可以包括具有图案的结构，所述图案具有2mm或更大尺寸的图案结构和/或4mm或更大的图案结构间距。微观结构可以包括具有图案的结构，所述图案具有1mm或更小尺寸的图案结构。
根据一个实施方式，提供用于在真空处理腔室中屏蔽沉积源的材料的屏蔽件的瓦片。瓦片包括瓦片主体。瓦片主体具有瓦片主体的第一侧，其被配置成面向沉积源，和与第一侧相对的瓦片主体的第二侧。第二侧包括用于将瓦片安装到屏蔽件上的至少一个凹槽。第一侧具有结构化表面。
根据可以与其他实施方式组合的一些实施方式，可以彼此相邻地提供一个或多个瓦片以形成屏蔽组件或屏蔽组件的一部分，诸如中心屏蔽部分。第一侧具有分别作为边缘或多个边缘(即，周边边缘)的结构化表面。举例来说，周边可以具有矩形形状或另一多边形形状。边缘可以形成瓦片的第一侧和侧表面之间的边界。举例来说，对于矩形瓦片来说，可能有第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面和第四侧表面。这些侧表面将第一侧和与第一侧相反的第二侧组合。根据可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式，第一侧的一个或多个边缘可以是圆的。举例来说，边缘可以具有0.5mm或更大，尤其是1mm或更大的半径。圆形边缘减少在瓦片(即，具有结构化表面的瓦片)的第一侧处收集的材料的剥落。
现在参考图5A和图5B描述瓦片和屏蔽件的其他方面、细节、修改和实施方式。图5A示出瓦片410。瓦片具有第一侧512和与第一侧相反的第二侧514。第一侧被配置成在沉积设备的操作期间面向沉积源。第二侧被配置成将瓦片安装到屏蔽件上。
根据可以与其他实施方式组合的一些实施方式，屏蔽组件的一个或多个瓦片可以被安装到框架，例如图4A中所示的框架411上。另外或替代地，瓦片可以被安装到板组件的板550上。板(或相应地框架)可以包括开口552。开口可以具有锁孔形状。螺钉562和销564可以被连接以至少部分地穿过开口552。开口的锁孔形状允许从一侧组装螺钉与销。销可以通过锁孔形状的较大部分被插入并且可以被移动以夹紧锁孔中的销。瓦片410可以在瓦片410的第二侧514处具有一个或多个凹槽。一个或多个凹槽可以是锁孔槽。可以通过将一个或多个销插入瓦片的一个或多个锁孔槽中来将瓦片安装到板550上。可以向一个或多个螺钉施加扭矩以将瓦片410紧固到板550。尤其是，可以使用四个或更多个螺钉以改进瓦片与水冷部件的连接。因此，可以提供良好的热接触。因此，可以提供低于特定预定温度的瓦片温度以改进材料生长而不产生剥离，例如，有机材料的生长。如果瓦片是以另外或替代方式被安装到框架上，那么可以提供类似的固定。
根据可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式，包括在屏蔽组件中的多个瓦片的一些瓦片可以与板组件的对应的板耦接。瓦片的第二侧的至少一个凹槽可以是锁孔槽。举例来说，至少一个凹槽是的一个或多个图案的锁孔槽522，诸如图5B中所示的矩形。作为其他可选变更，对应于瓦片的角落提供至少4个锁孔槽和/或两个邻近锁孔槽的距离是10cm或更小。
图6示出可以与本文中描述的其他实施方式组装的瓦片的实施方式的其他方面。图6中所示的瓦片可以在瓦片末端具有突出部622和凹槽624中的至少一个。举例来说，瓦片可以在一个末端处具有突出部并在相对的末端处具有凹槽。因此，可以提供邻近瓦片之间的重叠。重叠可以减少沉积材料意外地穿过邻近瓦片之间的缝隙。根据可以与本文中描述的其他实施方式组合的一个实施方式，瓦片可以包括瓦片主体的侧表面，包括第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面和第四侧表面，侧表面将瓦片主体的第一侧与瓦片主体的第二侧连接，其中至少两个侧表面包括被配置用于使瓦片与邻近瓦片重叠的凹槽和突出部中的至少一个。
图7示出沉积设备的一部分。示出真空腔室702的一侧。示出用于在沉积区中运输基板的第一基板运输机712。可以提供第二基板用于在真空腔室中的其他沉积区中运输第二基板。在沉积设备中提供用于源运输车的引导件722。可以例如用第一驱动器沿着引导件移动沉积源。举例来说，在图7中，沉积源可以从左到右移动，反之亦然。沉积源可以与屏蔽件110一起移动。
根据一个实施方式，提供了用于屏蔽具有真空腔室的沉积设备的沉积源的材料的屏蔽件。屏蔽件包括被配置成被安装到沉积设备上的框架411。举例来说，框架411可以被安装到沉积设备的真空腔室702上。屏蔽组件与框架耦接。屏蔽组件包括第一侧屏蔽部分116和第二侧屏蔽部分116。屏蔽件进一步包括在第一侧屏蔽部分与第二侧屏蔽部分之间的中心屏蔽部分，屏蔽组件被配置成布置在真空腔室702的壁705与沉积源之间，以在屏蔽组件的闭合位置屏蔽沉积材料。屏蔽件进一步包括门布置，其被配置成移动屏蔽组件的至少一部分以允许在屏蔽组件的打开位置接近(access)沉积源。
在图7中，中心屏蔽部分包括第一侧715A和第二侧715B。中心屏蔽部分可以以铰链门的形式被打开，例如使用图4A中所示的铰链。门布置可以包括与中心屏蔽部分耦接的铰链以移动中心屏蔽部分的第一侧一定角度并移动中心屏蔽部分的第二侧一定角度。
回到图6，当门布置处于闭合位置时，也可以为邻近瓦片提供重叠和凹槽。举例来说，可以在第一侧715A提供凹槽并且可以在第二侧715B提供突出部。此外，可以在第一侧715A提供突出部并且可以在第二侧715B提供凹槽。
图8说明门布置的又一实施方式。也可以通过在导轨上支撑屏蔽件110或屏蔽组件的一部分来提供门布置。因此，可以通过沿着导轨滑动来移动屏蔽件或屏蔽件的一部分。因此，作为铰链门操作的补充或替代，也可以提供滑动门操作。通过滑动和移动至少一部分屏蔽件，可以提供对沉积源的接近以用于维护或类似目的。根据可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式，门布置可以包括导轨，其用于滑动屏蔽组件的至少中心部分以允许接近沉积源。
图9A和图9B说明可以与本文中描述的其他实施方式组合的实施方式的其他方面。图9A示出屏蔽件110。屏蔽件可以包括框架411，其具有例如若干框架管。屏蔽组件的侧屏蔽部分116可以由框架支撑。此外，瓦片410可以与框架耦接或与由框架支撑的板组件耦接。可以提供冷却通道或冷却管道113。冷却通道可以延伸到框架411中。与框架411耦接的瓦片通过与框架接触被冷却。举例来说，在中心屏蔽部分中心的瓦片910可以被冷却。冷却中心可以是有利的，因为可以有利地在中心提供空闲位置。因此，中心瓦片可能经受最多的热负荷。
如上文所解释，瓦片可以是细长的，例如沿着屏蔽组件的高度。可以为了有机蒸发进一步提供在中心加热两个、三个或四个瓦片，其中与金属蒸发相比，有机蒸发的热负荷可以是较小的。因此，可以使用图9A中所示的屏蔽件，用于有机沉积源或蒸汽源和/或用于有机材料沉积的沉积设备。也可以为图9A提供如图9B中说明的门布置的铰链。
对于金属沉积来说，可以增大例如在中心屏蔽部分处的冷却区。这在图9B中示例性地示出。屏蔽件110包括框架411。具有冷却通道的板组件被附接到框架411。多个瓦片可以被安装到板组件上，例如彼此邻近地布置或同样垂直地布置。冷却通道913可以被附接到板组件的板或嵌入在板组件的板中。在侧屏蔽部分116之间的中心屏蔽部分115可以被冷却。增大的加热区域以及板中的冷却管道，即，在扩大的区域的上方可以改进屏蔽组件的冷却。因此，可以通过如关于图9B所描述的屏蔽件来处理较高的热负荷。
根据可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式，可以提供用于冷却屏蔽组件的至少中心屏蔽部分或中心屏蔽部分的一部分的冷却单元。冷却单元包括在框架中的冷却管道和在屏蔽组件的板组件中的冷却管道中的至少一个。多个瓦片的瓦片可以与板组件的对应板耦接。瓦片可以通过与框架部分接触和/或通过与板组件接触被冷却。
图10是根据本文中描述的实施方式的沉积设备1000的示意性视图。沉积设备可以被配置用于在真空腔室(诸如真空处理腔室101)中后续地在基板上沉积材料。根据一个实施方式，提供用于在真空腔室中后续地处理基板的沉积设备。设备包括邻近真空腔室的第一侧壁的第一基板处理位置和邻近真空腔室的第二侧壁的第二基板处理位置，第二侧壁与第一侧壁相对。在第一基板处理位置与第二基板处理位置之间提供沉积源。设备进一步包括其被配置成在第一基板处理位置与第二基板处理位置之间转移沉积源的源运输车，和被配置成使沉积源在第一方向和第二方向之间旋转的致动器，沉积源在第一基板处理位置处以第一方向在基板上沉积材料，沉积源在第二基板处理位置处以第二方向在基板上沉积材料。沉积设备进一步包括根据本公开内容的任何实施方式的屏蔽件。
根据一些实施方式，屏蔽件可以被安装在源运输车上。此外，另外或替代地，屏蔽件的门布置面向真空腔室的第三侧壁1013，第三侧壁1013连接第一侧壁与第二侧壁。举例来说，第三侧壁被布置为在门布置的闭合位置向屏蔽件提供维护通道并且在门布置的打开位置向沉积源提供维护通道。
图10示出沉积设备1000。沉积设备包括真空处理腔室101，其具有至少一个用于布置基板的沉积区。可以在真空处理腔室中提供次大气压，例如10mbar或更小的压力。根据本文中描述的实施方式的沉积系统100被布置在真空处理腔室101中。
在图10的示例性实施方式中，在真空处理腔室101中提供两个沉积区，即用于布置待涂覆的基板10的第一沉积区103，和用于布置待涂覆的第二基板20的第二沉积区104。此外，根据本文中描述的任何实施方式的沉积系统100被布置在真空处理腔室101中。第一沉积区103和第二沉积区104可以提供在沉积系统100的相对侧上。
在一些实施方式中，沉积系统100包括蒸汽源120，蒸汽源120具有一个或多个分配管，该一个或多个分配管具有一个或多个蒸汽出口用于将蒸发的材料的羽流导向基板。此外，沉积系统100包括屏蔽件110和用于冷却屏蔽件110的冷却器件112。蒸汽源120可以被从图10中所示的沉积位置移动到空闲位置，在空闲位置中，一个或多个蒸汽出口被导向屏蔽件110。在沉积位置，一个或多个蒸汽出口被导向第一沉积区或第二沉积区。
在可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式中，蒸汽源120可移动经过第一沉积区103，可在第一沉积区103与第二沉积区104之间旋转，并且可移动经过第二沉积区104。空闲位置可以是在第一沉积区103与第二沉积区104之间的蒸汽源120的中间旋转位置。特别地，蒸汽源可以例如顺时针地从图10中描绘的(第一)沉积位置旋转约90°到空闲位置。蒸汽源可以在同一方向中(例如顺时针)从空闲位置旋转约90°到用于将蒸发的材料导向第二沉积区104第二沉积位置，第二沉积区104中可以布置第二基板20。替代地，蒸汽源可以从第二沉积区104往回旋转(例如逆时针)到空闲位置和/或从空闲位置旋转到(第一)沉积位置。
蒸汽源120可沿着源运输路径P移动，运输路径P可以是线性路径。特别地，可以提供第一驱动器以用于沿着源运输路径P移动蒸汽源120以及屏蔽件110经过第一沉积区103和/或经过第二沉积区104。
在一些实施方式中，屏蔽件110和蒸汽源120可以被支撑在源支撑件128上，例如在源运输车上，源支撑件128可沿着源轨道131在真空处理腔室101中移动。承载蒸汽源120和屏蔽件110的源支撑件128的示例在图11中描绘。源支撑件128可以例如经由磁悬浮系统沿着源轨道131被无接触地驱动。
如在图11的截面图中更详细地描绘，蒸汽源120可以包括一个、两个或更多个分配管122，这些分配管122可以在基本上垂直的方向中延伸。一个、两个或更多个分配管122的各分配管可以与被配置为用于蒸发材料的坩埚126流体连接。此外，一个、两个或更多个分配管的各分配管可以包括沿着一个、两个或更多个分配管122的长度布置的多个蒸汽出口125，例如喷嘴。举例来说，可以沿着分配管的长度例如在基本上垂直的方向中提供十个、二十个或更多个蒸汽出口。屏蔽件110可以至少部分地围绕蒸汽源的一个、两个或更多个分配管延伸。举例来说，屏蔽件可以以45°或更大，尤其是60°或更大，更尤其是90°或更大的角度围绕一个、两个或更多个分配管122。在一些实施方式中，从蒸汽出口传播的蒸发材料羽流的开度角在水平截面中可以在30°与60°之间，尤其是约45°。
图11示出在空闲位置的沉积系统，其中多个蒸汽出口125被导向屏蔽件110。屏蔽件110的表面可以用冷却器件112冷却。朝向蒸汽源120和朝向沉积区的热辐射可以被减少。
如在图10中更详细地描绘，沉积设备1000可以被配置为用于被布置在第一沉积区103中的基板10和被布置在第二沉积区104中的第二基板20的后续涂覆。当蒸汽源120在沉积区之间移动时，蒸汽源120可以在其中一个或多个蒸汽出口被导向冷却的屏蔽件的空闲位置处停止。举例来说，蒸汽源120可以出于以下至少一个目的而停止：基板或掩模的保养、维护、清洁、等待、对准。替代地，蒸汽源连续地在沉积区之间移动而不在空闲位置处停止。
沉积设备1000可以被配置为用于在一个或多个基板上的掩蔽沉积(maskeddeposition)。掩模11可以被布置在第一沉积区103中位于基板10前面，和/或第二掩模21可以被布置在第二沉积区104中位于第二基板20前面。
在可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式中，屏蔽布置12可以被布置在掩模11的外围处，例如被布置为邻近掩模11在源运输路径P的方向中的两个相对侧，如在图10中所描绘。在一些实施方式中，屏蔽布置12可以以类似框架的方式围绕掩模11。屏蔽布置可以包括多个屏蔽单元，这些屏蔽单元可以被附接到保持掩模11的掩模载体。举例来说，屏蔽布置12可以被可拆卸地附接在掩模的外围处，以便可容易并且快速地替换，例如用于清洁。
屏蔽布置12可以被配置用于屏蔽从一个或多个蒸汽出口导向掩模11的外围的蒸发的材料。掩模载体和/或真空处理腔室101的壁的涂覆可以被减少或避免。举例来说，在基板10上的沉积之后，蒸发的材料可以被导向屏蔽布置12，屏蔽布置12可以基本上与基板10平行延伸并且其可以被布置为沿着源运输路径P邻近掩模11。在图10中描绘的沉积位置，蒸发的材料被导向屏蔽布置12。其后，蒸汽源120可以朝向空闲位置旋转，并且蒸发的材料可以被导向屏蔽110。清洁工作可以被减少。
在一些实施方式中，屏蔽布置12被布置为在第一沉积区103中的掩模布置旁边，并且第二屏蔽布置22被布置为在第二沉积区104中的第二掩模21布置旁边。举例来说，第二屏蔽布置22被布置在第二掩模21的外围处，并且被配置用于屏蔽被导向第二掩模21的外围的蒸发的材料。特别地，屏蔽布置12可以被布置在第一沉积区103中，以用于屏蔽被引导至第一沉积区103中的掩模11的外围的蒸发的材料，并且第二屏蔽布置22可以被布置在第二沉积区104中，以用于屏蔽被引导至第二沉积区104中的第二掩模21的外围的蒸发的材料。在蒸汽源在沉积区之间移动期间，屏蔽件110可以屏蔽蒸发的材料。
在一些实施方式中，屏蔽件布置12与屏蔽件110之间的最短距离可以是10cm或更小，尤其是5cm或更小，更尤其是2cm或更小，和/或第二屏蔽布置22与屏蔽件110之间的最短距离可以是10cm或更小，尤其是5cm或更小，更尤其是2cm或更小。经过屏蔽件与屏蔽布置之间的过渡处的屏蔽件的屏蔽表面和屏蔽布置的屏蔽表面的喷洒涂覆可以被减少或避免。特别地，屏蔽件可以延伸超过掩模11与第二掩模21之间的真空处理腔室101的宽度的50％，尤其是80％以上。
在可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式中，在蒸汽源从沉积位置移动到空闲位置期间的在蒸汽源120与屏蔽件110之间的最短距离是5cm或更小，尤其是1cm或更小。换句话说，蒸汽源120和屏蔽件110可以在蒸汽源旋转到空闲位置期间彼此靠近。
在可以与本文中描述的其他实施方式组合的一些实施方式中，在基板上的沉积期间，在一个或多个蒸汽出口与基板之间的距离可以是30cm或更小，尤其是20cm或更小，更尤其是15cm或更小。在蒸汽出口与基板之间的较小的距离导致在沉积期间在掩模11的边缘区域中的蒸发的材料的溢出较少。因此，可以提供更紧凑的屏蔽布置，因为撞击到掩模和基板的蒸发羽流的面积可以是较小的。此外，沉积质量可以提高。
根据本文中描述的另一方面，描述了操作沉积系统的方法。沉积系统可以是根据本文中描述的任何实施方式的沉积系统。特别地，沉积系统包括具有一个或多个蒸汽出口的蒸汽源，其中蒸汽源可移动到空闲位置。
图12是示意性地说明组装屏蔽件的方法(所述屏蔽件用于屏蔽具有真空腔室的沉积设备的沉积源的材料)和/或接近具有真空腔室的沉积设备的沉积源的方法流程图。在操作710中，在与螺钉耦接的销上方引导瓦片的凹槽。此外，通过向螺钉施加扭矩将瓦片固定到板组件或框架上。一个或多个瓦片可以被固定到屏蔽件上并且可以形成具有侧屏蔽部分和在侧屏蔽部分之间的中心屏蔽部分的屏蔽组件。举例来说，瓦片可以被安装在屏蔽组件的门布置的打开位置。
屏蔽组件被布置在真空腔室的壁与沉积源之间，以在门布置的闭合位置屏蔽沉积材料。在操作720中，例如当源被安置在空闲位置或被移动经过空闲位置时，门可以被关闭以在操作期间保持材料被沉积在壁上。在操作730中，门可以被打开以允许接近沉积源和/或屏蔽组件的瓦片，以进行维护。
根据上述内容，提供可以与本文中描述的其他实施方式组装的多个实施方式。这些实施方式是：
实施方式1.用于屏蔽件的瓦片，所述瓦片被配置成屏蔽在真空处理腔室中的沉积源的材料，包括：瓦片主体；被配置成面向沉积源的瓦片主体的第一侧；和与第一侧相对的瓦片主体的第二侧，第二侧具有至少一个凹槽，以用于将瓦片安装到屏蔽件上，其中第一侧具有结构化表面。
实施方式2.根据实施方式1的瓦片，其中结构化表面包括宏观结构和微观结构。
实施方式3.根据实施方式2的瓦片，其中宏观结构包括铣削结构。
实施方式4.根据实施方式3的瓦片，其中铣削结构是菱形的。
实施方式5.根据实施方式2的瓦片，其中微观结构是喷砂结构。
实施方式6.根据实施方式1到5中任一项的瓦片，其中第一侧没有开口并且其中凹槽朝向第一侧闭合。
实施方式7.根据实施方式1到6中任一项的瓦片，进一步包括：瓦片主体的侧表面，包括第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面和第四侧表面，这些侧表面将瓦片主体的第一侧与瓦片主体的第二侧连接，其中至少两个侧表面包括被配置用于使瓦片与邻近瓦片重叠的凹槽和突出部中的至少一个。
实施方式8.根据实施方式1到7中任一项的瓦片，其中第二侧的至少一个凹槽是锁孔槽。
实施方式9.根据实施方式8的瓦片，其中至少一个凹槽是锁孔槽的一个或多个图案。
实施方式10.根据实施方式9的瓦片，其中一个或多个图案是矩形。
实施方式11.根据实施方式8到10中任一项的瓦片，其中对应于瓦片的角落提供至少4个锁孔槽。
实施方式12.根据实施方式8到10中任一项的瓦片，其中两个邻近锁孔槽的距离是18cm或更小。
实施方式13.根据实施方式1到12中任一项的瓦片，其中瓦片的宽度与高度的宽高比是1:4到4:1。
实施方式14.根据实施方式1到12中任一项的瓦片，其中瓦片的宽度与高度的宽高比是1:5或更低。
实施方式15.根据实施方式1到14中任一项的瓦片，其中第一侧具有半径为0.5mm或更大的一个或多个边缘。
实施方式16.用于屏蔽具有真空腔室的沉积设备的沉积源的材料的屏蔽件，包括：被配置成被安装到沉积设备上的框架；与框架耦接的屏蔽组件，包括：第一侧屏蔽部分、第二侧屏蔽部分、和在第一侧屏蔽部分与第二侧屏蔽部分之间的中心屏蔽部分，屏蔽组件被配置成被布置在真空腔室的壁与沉积源之间，以在屏蔽组件的闭合位置屏蔽沉积材料；屏蔽件进一步包括：门布置，其被配置成移动屏蔽组件的至少一部分以允许在屏蔽组件的打开位置接近沉积源。
实施方式17.根据实施方式16的屏蔽件，其中门布置包括：其与中心屏蔽部分耦接的铰链，以用于移动中心屏蔽部分的第一侧一定角度和移动中心屏蔽部分的第二侧一定角度。
实施方式18.根据实施方式17的屏蔽件，其中中心屏蔽部分的第一侧和中心屏蔽部分的第二侧被配置成作为铰链门而被打开。
实施方式19.根据实施方式16到18中任一项的屏蔽件，其中门布置包括：导轨，用于滑动屏蔽组件的至少中心屏蔽部分以允许接近沉积源。
实施方式20.根据实施方式16到19中任一项的屏蔽件，进一步包括：冷却单元，用于冷却屏蔽组件的中心屏蔽部分的至少一部分，冷却单元包括：在框架中的冷却管道和在屏蔽组件的板组件中的冷却管道中的至少一个。
实施方式21.根据实施方式16到19中任一项的屏蔽件，屏蔽组件进一步包括：多个根据实施方式1到15中任一项的瓦片。
实施方式22。根据实施方式20的屏蔽件，屏蔽组件进一步包括：多个根据实施方式1到15中任一项的瓦片。
实施方式23.根据实施方式21到22中任一项的屏蔽件，其中多个瓦片通过接触框架而被冷却。
实施方式24.根据实施方式22的屏蔽件，其中多个瓦片的一些瓦片与板组件的对应的板耦接。
实施方式25.根据实施方式24的屏蔽件，其中多个瓦片通过接触板组件而被冷却。
实施方式26.根据实施方式16到25中任一项的屏蔽件，屏蔽组件进一步包括：至少部分地设置在第一侧屏蔽部分、第二侧屏蔽部分和中心屏蔽部分上方的顶部屏蔽部分，其中顶部屏蔽部分基本上水平地定向。
实施方式27.用于在真空腔室中后续地沉积基板的沉积设备，包括：邻近真空腔室的第一侧壁的第一基板处理位置；邻近真空腔室的第二侧壁的第二基板处理位置，第二侧壁与第一侧壁相对；在第一基板处理位置与第二基板处理位置之间的沉积源；被配置成在第一基板处理位置与第二基板处理位置之间转移沉积源的源运输车；被配置成使沉积源在第一方向和第二方向之间旋转的制动器，沉积源在第一基板处理位置处以第一方向在基板上沉积材料，沉积源在第二基板处理位置处以第二方向在基板上沉积材料；和根据实施方式16到26中任一项的屏蔽件。
实施方式28.根据实施方式27的沉积设备，其中屏蔽件被安装在源运输车上。
实施方式29.根据实施方式17到28中任一项的沉积设备，其中屏蔽件的门布置面向真空腔室的连接第一侧壁与第二侧壁的第三侧壁。
实施方式30.根据实施方式29的沉积设备，其中第三侧壁被布置为在门布置的闭合位置向屏蔽件提供维护通道并且在门布置的打开位置向沉积源提供维护通道。
实施方式31.组装屏蔽件的方法，所述屏蔽件用于屏蔽具有真空腔室的沉积设备的沉积源的材料，包括：在与螺钉耦接的销上方引导瓦片的凹槽；和通过向螺钉施加扭矩将瓦片安装到板组件或框架。
实施方式32.根据实施方式31的方法，其中4个或更多个凹槽处用螺钉将瓦片固定以实现有效的热传导。
实施方式33.接近具有真空腔室的沉积设备的沉积源的方法，包括：打开屏蔽组件的门布置，所述屏蔽组件布置在真空腔室壁与沉积源之间以在门布置的闭合位置屏蔽沉积材料。
尽管前述内容涉及本公开内容的实施方式，但在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可以设想本公开内容的其他和进一步实施方式，并且本公开内容的范围由后续权利要求书确定。

Claims (16)

1.一种用于屏蔽具有真空腔室的沉积设备的沉积源的材料的屏蔽件，包括：
框架，所述框架被配置成被安装到所述沉积设备上；
屏蔽组件，所述屏蔽组件与所述框架耦接，包括：
第一侧屏蔽部分；
第二侧屏蔽部分；和
中心屏蔽部分，所述中心屏蔽部分在所述第一侧屏蔽部分与所述第二侧屏蔽部分之间，
所述屏蔽组件被配置成被布置在所述真空腔室的壁与所述沉积源之间，以在所述屏蔽组件的闭合位置屏蔽沉积材料；
所述屏蔽件进一步包括：
门布置，所述门布置被配置成移动所述屏蔽组件的至少一部分，以允许在所述屏蔽组件的打开位置接近所述沉积源。
2.如权利要求1所述的屏蔽件，其中所述门布置包括：
铰链，所述铰链与所述中心屏蔽部分耦接，以将所述中心屏蔽部分的第一侧移动一定角度和将所述中心屏蔽部分的第二侧移动一定角度。
3.如权利要求2所述的屏蔽件，其中所述中心屏蔽部分的所述第一侧和所述中心屏蔽部分的所述第二侧被配置成作为铰链门被打开。
4.如权利要求1所述的屏蔽件，其中所述门布置包括：
导轨，所述导轨用于滑动所述屏蔽组件的至少所述中心屏蔽部分以允许接近所述沉积源。
5.如权利要求1至4中任一项所述的屏蔽件，进一步包括：
冷却单元，所述冷却单元用于冷却所述屏蔽组件的所述中心屏蔽部分的至少一部分，所述冷却单元包括以下中的至少一个：
在所述框架中的冷却管道；和
在所述屏蔽组件的板组件中的冷却管道。
6.如权利要求1至4中任一项所述的屏蔽件，其中多个瓦片通过接触所述框架被冷却。
7.如权利要求5所述的屏蔽件，其中多个瓦片的一些瓦片与所述板组件的对应的板耦接。
8.如权利要求7所述的屏蔽件，其中所述多个瓦片的所述一些瓦片通过接触所述板组件被冷却。
9.如权利要求1到4中任一项所述的屏蔽件，所述屏蔽组件进一步包括：
顶部屏蔽部分，所述顶部屏蔽部分至少部分地设置在所述第一侧屏蔽部分、所述第二侧屏蔽部分和所述中心屏蔽部分上方，其中所述顶部屏蔽部分基本上水平地定向。
10.一种用于在真空腔室中后续地沉积基板的沉积设备，包括：
邻近所述真空腔室的第一侧壁的第一基板处理位置；
邻近所述真空腔室的第二侧壁的第二基板处理位置，所述第二侧壁与所述第一侧壁相对；
沉积源，所述沉积源在所述第一基板处理位置与所述第二基板处理位置之间；
源运输车，所述源运输车被配置成在所述第一基板处理位置与所述第二基板处理位置之间转移所述沉积源；
致动器，所述致动器被配置成使所述沉积源在第一方向和第二方向之间旋转，所述沉积源在所述第一基板处理位置处以所述第一方向在基板上沉积材料，所述沉积源在所述第二基板处理位置处以所述第二方向在基板上沉积材料；和
如权利要求1至4中任一项所述的屏蔽件。
11.如权利要求10所述的沉积设备，其中所述屏蔽件被安装在所述源运输车上。
12.如权利要求10所述的沉积设备，其中所述屏蔽件的所述门布置面向所述真空腔室的、连接所述第一侧壁与所述第二侧壁的第三侧壁。
13.如权利要求12所述的沉积设备，其中所述第三侧壁被布置以在所述门布置的所述闭合位置提供所述屏蔽件的维护通道，并在所述门布置的所述打开位置提供所述沉积源的维护通道。
14.一种组装屏蔽件的方法，所述屏蔽件用于屏蔽具有真空腔室的沉积设备的沉积源的材料，所述方法包括：
在与螺钉耦接的销的上方引导瓦片的凹槽；和
通过向所述螺钉施加扭矩将所述瓦片固定到板组件或框架上。
15.如权利要求14所述的方法，其中在4个或更多个凹槽处用螺钉固定所述瓦片固定，以实现有效的热传导。
16.一种接近具有真空腔室的沉积设备的沉积源的方法，包括：
打开屏蔽组件的门布置，所述屏蔽组件布置在所述真空腔室的壁与所述沉积源之间，以在所述门布置的闭合位置屏蔽沉积材料。
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