具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。基于本申请的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护。
在设备的输入端口上电时,交流端口输入的交流电(Alternating Current,AC)需要经过电压变换后给设备中的电池供电。AC上电时,市电通过缓冲电阻给母线电容预充电,当母线电压上升至稳定值附近时,再闭合输入继电器,从而解决因市电电压与电容电压的压差过大,导致继电器闭合瞬间的冲击电流过大的问题。
针对在AC上电时常出现缓冲电阻烧断现象的问题,研究发现,其初步原因定位在缓冲电阻的脉冲功率裕量不足,不能满足使用需求。具体的,在对电阻进行选型时,工作人员往往只是根据厂家提供的脉冲功率曲线来确定使用哪一型号的缓冲电阻,并不会分析所选用的缓冲电阻是否合理。因此,一旦使用的缓冲电阻选用不合理,其实际脉冲功率与厂家所提供的脉冲功率曲线不匹配,使得采用该缓冲电阻后,很容易出现缓冲电阻被烧断的问题。
在另一方面,即便需要分析选用的缓冲电阻是否合理,通常也是通过仿真实验来实现。仿真实验需要搭建电路模型,设定运行的时间,然后输出电压电流的波形,再根据图形进行分析。仿真实验操作复杂,效率较低,并不符合实际生产的成本以及效率需求。
为了解决上述问题,本申请提出了一种缓冲电阻的校验方法,能够确定出缓冲电阻的实际脉冲功率,进而确定缓冲电阻的脉冲功率裕量,辅助进行缓冲电阻的选型,能够防止烧断现象的发生。
图1示出了本申请所校验的缓冲电阻的应用电路。该缓冲电阻应用于AC-DC的变换电路中,以对母线电容进行预充电,确保母线电容完成预充电后才开启电路进行电压变换,避免市电电压和母线电容的电压相差较大时所产生的冲击电流。电路中包括输入继电器SWITCH、功率因数校正(Power Factor Correction,PFC)电路、母线电容C以及DC/DC(Direct current/Direct current)变换电路、缓冲电阻R以及全桥整流电路。其中,DC/DC变换电路可以为LLC谐振变换电路。
在上述应用电路中,交流端口输入的AC电源输入(Vin)需要经过电压变换后给设备中的电池供电。AC电源上电时,电源通过缓冲电阻给母线电容预充电。请参看图2和图3所示出的母线电压(VBUS)、缓冲电阻电流(I_R)的波形趋势图,图3为图2中时间在0.2S以内的局部放大图。其中,曲线a为母线电压随时间的波形曲线,对应的横坐标单位为秒(s),纵坐标单位为伏特(V);曲线b为缓冲电阻电流随时间的波形曲线,对应的横坐标单位为秒(s),纵坐标单位为安培(A)。在母线电容的电容值较大的工况下,母线电压需要几十个电源周期才能达到稳定值。
当母线电压上升至预设的预充电电压时,再闭合输入继电器SWITCH,从而解决因电源电压与电容电压的压差过大导致的在继电器SWITCH闭合瞬间出现冲击电流过大的问题。继电器SWITCH闭合后,PFC电路工作,使得母线电压大于电源电压峰值,缓冲电阻所在支路的整流桥完全截止,则正常情况下缓冲电阻不再有电流流过。
其中,上述设备可以是移动电源、储能电站、电池包等储能设备;上述设备也可以为其他带有电池模块的用电设备。
为了说明本申请的技术方案,下面通过具体实施例来进行说明。
图4示出了本申请实施例提供的一种缓冲电阻的校验方法的实现流程示意图,该方法可以应用于终端上,能准确地确定出实际脉冲功率,从而辅助工作人员对缓冲电阻的型号进行选取,进而防止由于选用的缓冲电阻无法满足实际使用需求所引起的烧断现象的发生。
上述终端可以是计算机、服务器或其他具有一定运算处理能力的设备。
具体的,上述缓冲电阻的校验方法可以包括以下步骤S401至步骤S406。
步骤S401,获取电源的电能参数、缓冲电阻的阻值和母线电容的电容值。
在本申请的实施方式中,上述电源可以是图1所示应用电路中所使用的AC电源,用于通过缓冲电阻向母线电容进行预充电。比如,该AC电源可以为市电。上述缓冲电阻为当前需要进行校验的缓冲电阻。
其中,所需获取的电能参数可以包括电源的电压峰值和电压频率等参数。电能参数为实际需要使用的电源的参数,母线电容则为图1所示电路中的需要进行预充电的电容,缓冲电阻则为当前选用的电阻。
步骤S402,获取母线电容的初始电压值作为母线电容在第一单位时间的第一平均电压。
其中,母线电容的初始电压值是指在开启电路对母线电容进行预充电时,母线电容两端的电压。通常母线电容上的初始电压为0。在其他的实施例中,如果在母线电容还未放电结束时开启预充电,则此时母线电容的初始电压不为0。该母线电容的初始电压值可以通过采样电路进行采样获取,也可以直接由系统进行默认设置,或者由用户通过输入设备输入一个既定值。
单位时间为对母线电容的电压增量进行计算的一个周期所对应的时间。第一单位时间也即第一个单位时间。在本申请的实施方式中,每个单位时间的时长可以根据实际情况进行调整。比如,可以将每半个市电周期作为一个单位时间,也可以将n倍的半个市电周期作为一个单位时间,n可以为大于2的整数。在本实施例中,以每半个市电周期为一个单位时间,从而方便进行计算且具有较高的测量精度。
步骤S403,基于电能参数、阻值、电容值以及第一平均电压,获取每个单位时间内母线电容的电压增量。
在本申请的实施方式中,终端基于初始电压值、电能参数、阻值和电容值,可以获取母线电容在各个单位时间内的电压增量,进而根据各单位时间的电压增量计算用于与参考脉冲功率进行比较的实际脉冲功率。
具体的,上述终端在基于电能参数、阻值、电容值以及第一平均电压,获取每个单位时间内母线电容的电压增量时,可以采用电压增量公式进行计算。
在本申请的一些实施方式中,电压增量公式的表达式为:
Vi+1=Vi+ΔVi;
其中,
且θ
2=π-θ
1。V
inmax为市电电压峰值,V
i为第i个单位时间的平均电压,ω=2πf,f为电压频率,R表示缓冲电阻的阻值,C表示母线电容的电容值,ΔV
i表示第i个单位时间内母线电容的电压增量。
并且,每个单位时间的时长为Δt,也即第i+1个单位时间ti+1=ti+Δt。
步骤S404,根据第一平均电压和电压增量,获取母线电容在每个单位时间的平均电压。
在本申请的实施方式中,基于第一个单位时间对应的第一平均电压及获取到的第一个单位时间内母线电容的电压增量,可以计算得到第二个单位时间的第二平均电压V2=V1+ΔV1,以此类推,基于第i个单位时间的平均电压和第i个单位时间内母线电容的电压增量,可以计算得到第i+1个单位时间的平均电压Vi+1=Vi+ΔVi。最终,终端可以获取到每个单位时间的平均电压Vi。
以半个市电周期为一个单位时间为例,此时相邻单位时间之间的间隔
f为市电电压频率。图5示出了在母线电压随时间的变化曲线。图5中的波形线为经过全桥整流电路进行整流处理后的输入电压Vin。具体的,将获取的电能参数、阻值和电容值代入电压增量公式进行计算,终端可以得到每个单位时间内母线电容的电压增量:
因此,根据第一平均电压V1和计算得到的电压增量ΔVi,终端可以依次计算得到母线电容在每个单位时间的平均电压Vi。
步骤S405,根据电能参数、阻值以及平均电压,获取缓冲电阻在目标时间的实际脉冲功率。
在本申请的实施方式中,终端需将实际脉冲功率与参考脉冲功率进行比较,才能够得到缓冲电阻的脉冲功率裕量。而参考脉冲功率可以通过厂家提供的脉冲功率曲线获得,但由于厂家提供的脉冲功率曲线中的脉冲功率一般定义为一段时间内可持续承受的功率,因此,为了方便与参考值进行比较,终端需要获取缓冲电阻在目标时间Ti内的平均脉冲功率作为目标时间的实际脉冲功率。也即,实际脉冲功率表征了缓冲电阻从时刻0到目标时间Ti这一段时间内的脉冲平均功率。
在本申请的实施方式中,目标时间Ti为将同一时间的实际脉冲功率和参考脉冲功率进行比对时所选用的时间,可以根据实际情况进行设置,目标时间的数量可以为一个或多个。
具体的,如图6所示,上述步骤S405可以具体包括步骤S601至步骤S602。
步骤S601,根据电压峰值、电压频率、阻值以及各单位时间的平均电压,计算缓冲电阻在每个单位时间内的瞬时平均功率。
具体的,终端可以采用瞬时平均功率计算公式进行计算瞬时平均功率。
在本申请的一些实施方式中,瞬时平均功率计算公式为:
其中,Δt表示每个单位时间的时长。
以半个市电周期为一个单位时间为例继续进行说明,将电压峰值、电压频率、阻值以及对应单位时间的平均电压代入至瞬时平均功率计算公式,可以计算得到缓冲电阻在对应单位时间内的瞬时平均功率:
步骤S602,根据每个单位时间内的瞬时平均功率和脉冲功率公式,确定缓冲电阻在目标时间的实际脉冲功率。
其中,上述脉冲功率公式可以表示为:
Pi表示缓冲电阻在第i个单位时间内的瞬时平均功率,Ti表示目标时间,对应于第i个单位时间的结束时间,PAVG_i表示缓冲电阻在目标时间Ti的实际脉冲功率。
步骤S406,将实际脉冲功率作为缓冲电阻的校验参考参数。
其中,不同型号的缓冲电阻具有不同的额定功率,这个额定功率是一个静态的功率。但是往往缓冲电阻在实际使用过程的实际脉冲功率并不会等于这额定功率。因此,利用获取到的实际脉冲功率,来对当前选用的缓冲电阻进行校验,确保选用的缓冲电阻的脉冲功率裕量能够满足需求,进而避免烧断现象的发生。
具体地,不同型号的电阻,在电阻值相同的情况下,也会存在额定功率上的差异。在传统的选型过程中,通常是直接根据这个额定功率来进行确定。但是在具体的电路工作中,在各个时间电的脉冲功率与额定值之间是会存在差异的。本案中将获取到的实际脉冲功率与厂家所提供的参考脉冲功率进行比对,从而能够确定该缓冲电阻是否满足使用需求,是否需要选用额定功率更大的电阻等,从而避免由于缓冲电阻选用导致的烧断现象的发生。
传统的选型过程中,也可以通过仿真来进行测试。具体的,图7示出了厂家对缓冲电阻进行测试时的测试电路。测试过程中,工作人员会先给母线电容充电到特定的电压值,然后切换开关,使用母线电容对额定功率为第一功率的待测试电阻(RTest)进行放电测试。然后定义待测电阻所能承受的最大初始峰值功率与时间常数τ=RC之间的关系曲线为脉冲功率曲线。
而在脉冲功率的测试过程中,待测试电阻所承受的脉冲功率是逐渐衰减的,因此,经过1个时间常数τ后,瞬时功率将衰减为初始脉冲功率的e-1倍。因此,为了和本申请所提供的实际脉冲功率在同一维度上进行比对,终端还需要对厂家提供的测试结果进行修正。
在本申请的一些实施方式中,将厂家提供的脉冲功率曲线作为缓冲电阻的初始脉冲功率曲线,终端可以获取初始脉冲功率曲线,并获取修正系数,然后利用修正系数,对初始脉冲功率曲线中目标时间Ti对应的初始脉冲功率进行修正,得到目标时间Ti对应的参考脉冲功率。
具体的,时刻0到时刻τ之间的平均脉冲功率:
PLimit是原厂给的参考脉冲功率。
因此,实际的脉冲平均功率曲线,应在厂家提供的曲线的基础上,乘以系数0.6321,从而根据仿真得到的实际脉冲平均功率曲线去确定能够满足该功率需求的电阻作为缓冲电阻。通过仿真来实现,需要搭建电路模型,设定运行的时间,然后输出电压电流的波形,根据图形来算。这种选型方式流程较为复杂。相比而言,本案中的校验方法不需要仿真模型就可以准确的确定出来能够满足实际电路需要的缓冲电阻,能够代替仿真,但同时能达到仿真接近的精度。
在本申请的一些实施方式中,终端可以获取缓冲电阻在额定功率为第一功率时的参考脉冲功率,并根据实际脉冲功率和参考脉冲功率,确定缓冲电阻的脉冲功率裕量,然后利用脉冲功率裕量进行缓冲电阻的额定功率的选型校验。
其中,第一功率可以根据实际情况进行选择,例如可以是2W或3W。
参考脉冲功率可以由厂家直接提供。
在本申请的一些实施方式中,终端可以计算各个时间下实际脉冲功率和参考脉冲功率之间的脉冲功率差,并基于脉冲功率差确定缓冲电阻的脉冲功率裕量。例如,可以将脉冲功率差作为缓冲电阻的脉冲功率裕量。
此时,终端可以判断缓冲电阻的脉冲功率裕量是否满足裕量要求。若缓冲电阻的脉冲功率裕量满足裕量要求,终端可以将额定功率为第一功率的缓冲电阻确定为目标缓冲电阻。目标缓冲电阻即为投入使用后不会因脉冲功率裕量不足导致烧断现象问题发生的电阻。
其中,裕量要求可以根据实际情况进行设置。
若缓冲电阻的脉冲功率裕量小于裕量要求,终端可以获取缓冲电阻在额定功率为第二功率时的参考脉冲功率,并返回执行根据实际脉冲功率和参考脉冲功率,确定缓冲电阻的脉冲功率裕量的步骤;其中,第二功率大于第一功率。如果基于缓冲电阻在额定功率为第二功率时的参考脉冲功率计算得到的脉冲功率裕量满足裕量要求,则可以将额定功率为第二功率的缓冲电阻确定为目标缓冲电阻,以保障投入使用的缓冲电阻为能够避免烧断现象发生的电阻。
在本申请的一些实施方式中,若缓冲电阻的脉冲功率裕量大于裕量要求,终端可以获取缓冲电阻在额定功率为第三功率时的参考脉冲功率,并返回执行根据实际脉冲功率和参考脉冲功率,确定缓冲电阻的脉冲功率裕量的步骤;其中,第三功率小于第一功率。如果基于缓冲电阻在额定功率为第三功率时的参考脉冲功率计算得到的脉冲功率裕量满足裕量要求,则可以将额定功率为第三功率的缓冲电阻确定为目标缓冲电阻,以使投入使用的缓冲电阻不会裕量过剩。
如果脉冲功率裕量仍不满足裕量要求,则可以继续选择其他额定功率的缓冲电阻计算脉冲功率裕量,直至确定出脉冲功率裕量满足裕量要求的缓冲电阻作为目标缓冲电阻。
需要说明的是,所选择的第二功率和第三功率可以根据厂家所能提供的缓冲电阻型号进行选择。一些实施方式中,所选择的第二功率可以是在第一功率的基础上增加第一预设值得到的。同样的,所选择的第三功率可以是在第一功率的基础上减少第二预设值得到的。第一预设值和第二预设值均可以根据实际情况进行调整,第二预设值既可以与第一预设值相同,也可以小于第一预设值。
具体的,在本申请的一些实施方式中,上述裕量要求可以以脉冲功率差需要处于的差值区间或差值阈值表示。
例如,在一些实施方式中,终端可以将参考脉冲功率减去实际脉冲功率,得到实际脉冲功率和参考脉冲功率之间的脉冲功率差作为上述差值区间。相应的,上述差值区间可以包含上限值与下限值,其中,下限值可以设置为0。
当脉冲功率差大于或等于下限值,且小于或等于上限值时,则说明参考脉冲功率大于实际脉冲功率,且两者之间的差值不会过大,相应的,缓冲电阻不会因裕量不足而发生烧断现象,同时也不会因裕量过剩而造成材料的浪费,则终端可以确认脉冲功率裕量满足裕量要求,进而将额定功率为第一功率的缓冲电阻确定为目标缓冲电阻。
当脉冲功率差小于下限值,则说明参考脉冲功率小于实际脉冲功率,或者虽然参考脉冲功率大于实际脉冲功率,但两者过于接近,缓冲电阻容易因裕量不足而发生烧断现象,此时终端可以确认脉冲功率裕量小于裕量要求。
当脉冲功率差大于上限值,则说明参考脉冲功率远大于实际脉冲功率,裕量过剩,将该缓冲电阻投入使用易造成材料的浪费和成本的提高,此时终端可以确认脉冲功率裕量大于裕量要求。
需要说明的是,在本申请的实施方式中,终端还可以通过其他的方式,根据实际脉冲功率与参考脉冲功率确定脉冲功率裕量。
在一些实施方式中,终端可以将各个目标时间的参考脉冲功率和对应的实际脉冲功率作差计算脉冲功率差,并计算脉冲功率差的统计量,将统计量作为缓冲电阻的脉冲功率裕量。
例如,上述统计量可以为脉冲功率差的平均值、极值、最小二乘法值等。
另一些实施方式中,终端还可以根据各目标时间的实际脉冲功率生成实际脉冲功率曲线,并获取各目标时间的参考脉冲功率的参考脉冲功率曲线。然后,将实际脉冲功率曲线与参考脉冲功率曲线置于同一坐标系中,并根据实际脉冲功率曲线和参考脉冲功率曲线在同一坐标系中的位置关系,确定缓冲电阻的脉冲功率裕量。
其中,位置关系可以表征实际脉冲功率和缓冲电阻在额定功率为第一功率时的参考脉冲功率之间的脉冲功率差,因此,终端可以在实际脉冲功率曲线位于参考脉冲功率曲线下方,且两个曲线之间的距离或两个曲线之间所围成的面积小于或等于预设阈值时,确认脉冲功率裕量满足裕量要求。
如果实际脉冲功率曲线位于参考脉冲功率曲线上方,则可以确认脉冲功率裕量小于裕量要求。
如果实际脉冲功率曲线位于参考脉冲功率曲线下方,且两个曲线之间的距离或两个曲线之间所围成的面积大于预设阈值,则可以确认脉冲功率裕量大于裕量要求。
通过生成曲线的方式,终端还可以提供可视化的界面,供工作人员辅助进行判断。
本申请的实施方式中,终端通过获取电源的电能参数、缓冲电阻的阻值,母线电容的电容值以及初始电压值,然后获取每个单位时间内母线电容的电压增量,并获取到每个单位时间的平均电压,进而获取与参考脉冲功率进行比较的实际脉冲功率,以将实际脉冲功率作为缓冲电阻的校验参考参数,以确定出能够满足缓冲电阻实际脉冲功率需求的缓冲电阻,防止烧断现象的发生,提高了用电安全性。
同时,该过程可以直接由终端运算实现,不需要进行实验仿真,提高了校验方法的效率与普适性。
为了说明本申请所提供的校验方法的可靠性,假设缓冲电阻R=2×200Ω(即2个电阻串联),母线电容C=470uF×2+22uF×2,电源为市电电压有效值265V,结合本申请所提供方法,可以得到如图8所示的母线电容电压波形。
使用额定功率为2W的贴片(Surface Mount Technology,SMD)电阻,实际脉冲功率曲线与参考脉冲功率曲线如图9所示。可以看出,实际脉冲功率曲线超过参考脉冲功率曲线,脉冲功率裕量不满足裕量要求,即缓冲电阻的选型不合格。
使用额定功率为3W的贴片电阻,实际脉冲功率曲线与参考脉冲功率曲线如图10所示,可以看出,实际脉冲功率曲线始终处于参考脉冲功率曲线下方,脉冲功率裕量满足裕量要求,即电阻选型合格,相应的,可以选择额定功率为3W的贴片电阻作为目标缓冲电阻进行使用。
由于实际电阻芯温难以测量,将电阻外壳温度作为判断参考,使用定时接触器反复投切市电电压,并测试在缓起动作时,缓冲电阻的瞬时最大温度。其中,接触器可以设置为闭合5秒,再断开30秒。
经测试,测试数据如下表所示:
电阻规格 |
瞬时最高温度 |
2W SMD |
200℃ |
3W SMD |
150℃ |
额定功率为2W的缓冲电阻在市电上电瞬间,最高温度超过200℃,存在一定的损坏风险;而额定功率为3W的缓冲电阻在市电上电瞬间,最高温度在150℃左右,不存在损害风险。测试结果与本申请所提供的方法给出的结果一致,因此,本申请提供的校验方法可靠性较高。
结合本申请提供的校验方式,终端可以不断地对额定功率不同的电阻进行校验,帮助工作人员进行缓冲电阻的选型,最终工作人员只需选择与目标缓冲电阻型号相同的电阻投入使用即可。相较于对每个型号的缓冲电阻分别进行仿真测试,校验效率得到了提高,并且,由于不需要仿真设备的支持,结合本申请提供的校验方法辅助进行缓冲电阻选型,可以适配于不同的应用环境中。
需要说明的是,对于前述的各方法实施例,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本申请并不受所描述的动作顺序的限制,因为根据本申请,某些步骤可以采用其它顺序进行。
如图11所示为本申请实施例提供的一种缓冲电阻的校验装置1100的结构示意图,所述缓冲电阻的校验装置1100配置于终端上。
具体的,所述缓冲电阻的校验装置1100可以包括:
电能参数获取单元1101,用于获取电源的电能参数、所述缓冲电阻的阻值和母线电容的电容值,所述电源为用于通过所述缓冲电阻向所述母线电容进行预充电的电源;
第一平均电压获取单元1102,用于获取所述母线电容的初始电压值作为所述母线电容在第一单位时间的第一平均电压;
电压增量获取单元1103,用于基于所述电能参数、所述阻值、所述电容值以及所述第一平均电压,获取每个单位时间内所述母线电容的电压增量;
平均电压获取单元1104,用于根据所述第一平均电压和所述电压增量,获取所述母线电容在每个所述单位时间的平均电压;
脉冲功率获取单元1105,用于根据所述电能参数、所述阻值以及所述平均电压,获取所述缓冲电阻在目标时间的实际脉冲功率;
校验单元1106,将所述实际脉冲功率作为所述缓冲电阻的校验参考参数。
在本申请的一些实施方式中,上述电能参数包括电源的电压峰值和电压频率;上述电压增量获取单元1103可以具体用于采用电压增量公式进行计算;所述电压增量公式的表达式为:
Vi+1=Vi+ΔVi;
其中,
θ
2=π-θ
1;V
i表示第i个单位时间的平均电压,V
inmax表示所述电压峰值,ω=2πf,f表示所述电压频率,R表示所述缓冲电阻的阻值,C表示所述母线电容的电容值,ΔV
i表示第i个单位时间内所述母线电容的电压增量。
在本申请的一些实施方式中,上述脉冲功率获取单元1105可以具体用于:根据所述电压峰值、所述电压频率、所述阻值以及各单位时间的平均电压,计算所述缓冲电阻在每个所述单位时间内的瞬时平均功率;根据每个单位时间内的瞬时平均功率和脉冲功率公式,确定所述缓冲电阻在目标时间的实际脉冲功率;其中,所述脉冲功率公式为:
Pi表示所述缓冲电阻在第i个单位时间内的瞬时平均功率,Ti表示目标时间,PAVG_i表示所述缓冲电阻在目标时间Ti的实际脉冲功率。
在本申请的一些实施方式中,上述脉冲功率获取单元1105可以具体用于:采用瞬时平均功率计算公式进行计算;所述瞬时平均功率计算公式为:
其中,Δt表示每个所述单位时间的时长。
在本申请的一些实施方式中,上述校验单元1106可以具体用于:获取所述缓冲电阻在额定功率为第一功率时的参考脉冲功率;根据所述实际脉冲功率和所述参考脉冲功率,确定所述缓冲电阻的脉冲功率裕量;利用所述脉冲功率裕量进行所述缓冲电阻的额定功率的选型校验。
在本申请的一些实施方式中,上述校验单元1106可以具体用于:在所述缓冲电阻的脉冲功率裕量满足裕量要求时,将额定功率为所述第一功率的缓冲电阻确定为目标缓冲电阻;在所述缓冲电阻的脉冲功率裕量小于所述裕量要求时,获取所述缓冲电阻在额定功率为第二功率时的参考脉冲功率;返回执行所述根据所述实际脉冲功率和所述参考脉冲功率,确定所述缓冲电阻的脉冲功率裕量的步骤;其中,所述第二功率大于所述第一功率。
在本申请的一些实施方式中,上述校验单元1106可以具体用于:在所述缓冲电阻的脉冲功率裕量大于所述裕量要求时,获取所述缓冲电阻在额定功率为第三功率时的参考脉冲功率;返回执行所述根据所述实际脉冲功率和所述参考脉冲功率,确定所述缓冲电阻的脉冲功率裕量的步骤;其中,所述第三功率小于所述第一功率。
需要说明的是,为描述的方便和简洁,上述缓冲电阻的校验装置1100的具体工作过程,可以参考图1至图10所述方法的对应过程,在此不再赘述。
如图12所示,为本申请实施例提供的一种终端的示意图。该终端12可以包括:处理器120、存储器121以及存储在所述存储器121中并可在所述处理器120上运行的计算机程序122,例如缓冲电阻的校验程序。所述处理器120执行所述计算机程序122时实现上述各个缓冲电阻的校验方法实施例中的步骤,例如图4所示的步骤S401至S406。或者,所述处理器120执行所述计算机程序122时实现上述各装置实施例中各模块/单元的功能,例如图11所示的电能参数获取单元1101、第一平均电压获取单元1102、电压增量获取单元1103、平均电压获取单元1104、脉冲功率获取单元1105和校验单元1106。
所述计算机程序可以被分割成一个或多个模块/单元,所述一个或者多个模块/单元被存储在所述存储器121中,并由所述处理器120执行,以完成本申请。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段,该指令段用于描述所述计算机程序在所述终端中的执行过程。
例如,所述计算机程序可以被分割成:电能参数获取单元、第一平均电压获取单元、电压增量获取单元、平均电压获取单元、脉冲功率获取单元和校验单元。
各单元具体功能如下:电能参数获取单元,用于获取电源的电能参数、所述缓冲电阻的阻值和母线电容的电容值,所述电源为用于通过所述缓冲电阻向所述母线电容进行预充电的电源;第一平均电压获取单元,用于获取所述母线电容的初始电压值作为所述母线电容在第一单位时间的第一平均电压;电压增量获取单元,用于基于所述电能参数、所述阻值、所述电容值以及所述第一平均电压,获取每个单位时间内所述母线电容的电压增量;平均电压获取单元,用于根据所述第一平均电压和所述电压增量,获取所述母线电容在每个所述单位时间的平均电压;脉冲功率获取单元,用于根据所述电能参数、所述阻值以及所述平均电压,获取所述缓冲电阻在目标时间的实际脉冲功率;校验单元,将所述实际脉冲功率作为所述缓冲电阻的校验参考参数。
所述终端可包括,但不仅限于,处理器120、存储器121。本领域技术人员可以理解,图12仅仅是终端的示例,并不构成对终端的限定,可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件,例如所述终端还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。
所称处理器120可以是中央处理单元(Central Processing Unit,CPU),还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor,DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
所述存储器121可以是所述终端的内部存储单元,例如终端的硬盘或内存。所述存储器121也可以是所述终端的外部存储设备,例如所述终端上配备的插接式硬盘,智能存储卡(Smart Media Card,SMC),安全数字(Secure Digital,SD)卡,闪存卡(Flash Card)等。进一步地,所述存储器121还可以既包括所述终端的内部存储单元也包括外部存储设备。所述存储器121用于存储所述计算机程序以及所述终端所需的其他程序和数据。所述存储器121还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
需要说明的是,为描述的方便和简洁,上述终端的结构还可以参考方法实施例中对结构的具体描述,在此不再赘述。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为了描述的方便和简洁,仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明,实际应用中,可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成,即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块,以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中,上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。另外,各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分,并不用于限制本申请的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述或记载的部分,可以参见其它实施例的相关描述。
本领域普通技术人员可以意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤,能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对各个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
在本申请所提供的实施例中,应该理解到,所揭露的装置/终端和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置/终端实施例仅仅是示意性的,例如,所述模块或单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通讯连接,可以是电性,机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请实现上述实施例方法中的全部或部分流程,也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中,该计算机程序在被处理器执行时,可实现上述各个方法实施例的步骤。其中,所述计算机程序包括计算机程序代码,所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括:能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(Read-Only Memory,ROM)、随机存取存储器(RandomAccess Memory,RAM)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是,所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减,例如在某些司法管辖区,根据立法和专利实践,计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围,均应包含在本申请的保护范围之内。