CN114627821A - 数据驱动电路和显示装置 - Google Patents

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郑珍熙
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Abstract

本发明的实施例涉及数据驱动电路和显示装置。两个或更多个感测开关包括在感测单元中以用于检测子像素的特征值，并且电耦合到参考电压线。两个或更多个感测开关与感测单元中包括的感测电容器共享采样开关，这减小了感测单元的尺寸。感测可以包括同时驱动共享感测电容器的两个或更多个感测开关，或者可以在同时驱动之后通过连续且短的驱动来执行感测。可与减小总感测时间并提高感测准确度。

Description

数据驱动电路和显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月14日提交的韩国专利申请No.10-2020-0173964的优先权，由此出于所有目的通过引用将该韩国专利申请并入本文，就好像在本文中完整阐述一样。
技术领域
本公开涉及一种数据驱动电路和显示装置。
背景技术
信息社会的发展导致对用于显示图像的显示装置的需求以及对各种类型的显示装置(例如液晶显示装置、有机发光显示装置等)的使用增加。
在这些显示装置之中，有机发光显示装置利用自身发光的有机发光二极管，其具有快速响应速度、优异的对比度和高色彩再现的优势。
有机发光显示装置可以包括例如设置在每个子像素中的有机发光二极管和用于向有机发光二极管供应驱动电流的驱动晶体管。
随着时间推移，有机发光显示装置的使用增加，并且设置在子像素中的诸如有机发光二极管和驱动晶体管之类的电路元件可能劣化。
发明内容
发明人已经认识到，随着设置在子像素中的电路元件的劣化进行，对子像素的驱动的准确控制越来越困难。如果子像素的驱动没有被准确地控制，则通过显示面板显示的图像的质量可能降低。
本公开的实施例通过减小检测设置在子像素中的一个或多个电路元件的劣化的电路的尺寸来补偿电路元件的劣化。
本公开的实施例在减少用于检测布置在子像素中的电路元件的劣化的时段的同时以高准确度补偿电路元件的劣化。
在一个方面，本公开的实施例可以提供一种显示装置，其包括设置在显示面板上的多个子像素、电耦合到多个子像素中的一个或多个子像素的多条参考电压线、以及用于驱动多条参考电压线的数据驱动电路。
数据驱动电路可以包括：多个感测开关，其电耦合到多条参考电压线中的每条参考电压线；感测电容器，其电耦合到包括在多个感测开关之中的一个感测组中的两个或更多个感测开关；以及采样开关，其电耦合到感测电容器。
在数据驱动电路中，包括在一个感测组中的两个或更多个感测开关可以在用于检测子像素的特征值的感测时段的至少一部分期间通过多条参考电压线之中的电耦合到两个或更多个感测开关的参考电压线被大体上同时接通。替代地，包括在一个感测组中的两个或更多个感测开关可以在用于检测子像素的特征值的感测时段的至少一部分期间被并发地接通。作为示例，在第一感测时段中，包括在一个感测组中的两个或更多个感测开关可以被同时接通或同时关断。
在第一感测时段中，采样开关可以在两个或更多个感测开关被同时关断之后或在两个或更多个感测开关被关断之前被立即接通。
在第一感测时段之后的第二感测时段中，包括在一个感测组中的两个或更多个感测开关之中的一个感测开关可以被接通，而另一个感测开关可以维持关断状态。
在第二感测时段中一个感测开关维持接通状态的时段的长度可以短于在第一感测时段中两个或更多个感测开关维持接通状态的时段的长度。
在第二感测时段中，采样开关可以在已经处于接通状态的一个感测开关被关断之后或在该感测开关处于关断状态之前被立即接通。
在第二感测时段之后的第三感测时段中，包括在一个感测组中的两个或更多个感测开关之中的一个感测开关可以被接通并且其他感测开关可以维持关断状态，并且在第三感测时段中接通的一个感测开关可以不同于在第二感测时段中接通的一个感测开关。
在第三感测时段中一个感测开关保持接通状态的时段的长度可以短于在第一感测时段中两个或更多个感测开关保持接通状态的时段的长度。
在第三感测时段中一个感测开关保持接通状态的时段的长度可以短于在第二感测时段中一个感测开关保持接通状态的时段的长度。
在第三感测时段中，采样开关可以在已经处于接通状态的一个感测开关被关断之后或在该感测开关处于关断状态之前被立即接通。
在一些实施例中，一个感测组中包括的两个或更多个感测开关可以在第一感测时段中被大体上同时接通，并且两个或更多个感测开关中的一些感测开关可以在第一感测时段结束之前被关断。两个或更多个感测开关中的其他感测开关可以保持接通状态直到第一感测时段之后的第二感测时段的至少一部分。
根据一些实施例，一种显示装置包括设置在显示面板上的多个子像素、电耦合到多个子像素中的一些子像素的多条参考电压线、以及用于驱动多条参考电压线的数据驱动电路。数据驱动电路可以包括电耦合到多条参考电压线之中的第一参考电压线的第一感测开关和电耦合到第二参考电压线的第二感测开关、电耦合到第一感测开关和第二感测开关的感测电容器、以及电耦合到感测电容器的采样开关。
当第一感测开关在第一感测时段中被接通时，数据驱动电路可以通过第一参考电压线检测子像素的特征值，并且当第二感测开关在第二感测时段中被接通时，数据驱动电路可以通过第二参考电压线检测子像素的特征值。
在第一感测时段和第二感测时段之间的显示驱动时段中，基于通过第一参考电压线检测到的子像素的特征值确定的补偿电压可以被供应给电耦合到第一参考电压线的子像素和电耦合到第二参考电压线的子像素。
本公开的实施例可以提供一种数据驱动电路，其包括电耦合到多条参考电压线中的每一条的多个感测开关、电耦合到包括在多个感测开关之中的一个感测组中的两个或更多个感测开关的感测电容器、以及电耦合到感测电容器的采样开关，其中包括在一个感测组中的两个或更多个感测开关在用于检测子像素的特征值的感测时段的至少一部分期间通过多条参考电压线之中的电耦合到两个或更多个感测开关的参考电压线被同时或并发地接通。
根据本公开的实施例，通过使用其中单个感测电容器被两个或更多个感测开关共享的配置，可以减小电路的尺寸并检测子像素的特征值，在该配置中，感测开关耦合到用于检测设置在子像素中的电路元件的特征值的参考电压线。
根据本公开的实施例，共享感测电容器的多个感测开关被同时接通并检测子像素的特征值，从而减少检测子像素的特征值所使用的感测时间.
在一些实施例中，在其中共享感测电容器的多个感测开关被大体上同时接通的状态下执行第一感测，并且在其中一个感测开关被接通的状态下执行第二感测，使得减少了整体感测时间并增加了感测准确度。
附图说明
图1示意性地示出了根据本公开实施例的显示装置的配置。
图2示出了根据本公开实施例的显示装置中包括的子像素的电路结构的示例。
图3示出了根据本公开实施例的用于检测包括在显示装置中的子像素的特征值的结构的示例。
图4示出了根据本公开实施例的用于检测包括在显示装置中的子像素的特征值的参考电压线的连接结构的示例。
图5示出了根据本公开实施例的用于检测包括在显示装置中的子像素的特征值的感测单元的结构的示例。
图6A和图6B示出了图5中示出的感测单元的驱动方法的示例。
图7示出了图5中示出的感测单元的驱动方法的另一示例。
图8A和图8B示出了图5中示出的感测单元的驱动方法的另一示例。
图9A和图9B示出了根据图8A和图8B所示的驱动方法的在感测期间的感测电压的示例。
图10A至图10C示出了根据本公开实施例的用于检测包括在显示装置中的子像素的特征值的感测单元的结构和驱动方法的另一示例。
具体实施方式
在本公开的示例或实施例的以下描述中，将参考附图，其中通过说明的方式示出可以实施的特定示例或实施例，并且其中相同的附图标记和符号可以用来表示相同或相似的部件，即使它们在不同的附图中示出。此外，在本公开的示例或实施例的以下描述中，当确定描述可能使本公开的一些实施例中的主题变得不清楚时，将省略对并入本文的公知功能和部件的详细描述。本文使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”、“构成”、“组成”和“形成”等术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。如本文所用，单数形式旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。
诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(A)”或“(B)”之类的术语在本文中可以用于描述本公开的要素。这些术语中的每一个不旨在为要素赋予本质、次序、顺序或数量等，而仅用于将相应要素与其他要素区分开。
当提到第一要素与第二要素“连接或耦合”、“接触或重叠”等时，其应被解释为，不仅第一要素可以与第二要素“直接连接或耦合”或“直接接触或重叠”，而是第三要素也可以“插入”在第一和第二要素之间，或者第一和第二要素可以通过第四要素彼此“连接或耦合”、“接触或重叠”等。这里，第二要素可以包括在彼此“连接或耦合”、“接触或重叠”等的两个或更多个要素中的至少一个中。
当诸如“之后”、“随后”、“接下来”、“之前”等与时间相关的术语用于描述要素或配置的过程或操作、或操作、处理、制造方法中的流程或步骤时，这些术语可以用于描述非连续或非顺序的过程或操作，除非一起使用术语“直接”或“立即”。
此外，当提及任何尺寸、相对大小等时，应考虑到，要素或特征的数值或相应信息(例如，级别、范围等)包括可能由各种因素(例如，过程因素、内部或外部影响、噪音等)引起的容差或误差范围，即使未指定相关描述。此外，术语“可以”完全包含术语“可能”的所有含义。
图1示意性地示出了根据本公开实施例的包括在显示装置100中的配置。
参考图1，显示装置100可以包括显示面板110、用于驱动显示面板110的栅极驱动电路120、数据驱动电路130、控制器140等。
显示面板110可以包括其中设置多个子像素SP的有源区AA和位于有源区AA外部的非有源区NA。
多条栅极线GL和多条数据线DL可以设置在显示面板110上。子像素SP可以位于栅极线GL和数据线DL重叠的区域中。
栅极驱动电路120由控制器140控制。栅极驱动电路120可以将扫描信号顺序输出到布置在显示面板110上的多条栅极线GL，从而控制多个子像素SP的驱动定时。
栅极驱动电路120可以包括一个或多个栅极驱动器集成电路GDIC。根据驱动方法，栅极驱动电路120可以位于显示面板110的单一侧，也可以位于其两侧。
每个栅极驱动器集成电路GDIC可以通过带式自动接合(TAB)方法或玻璃上芯片(COG)方法连接到显示面板110的接合焊盘。替代地，每个栅极驱动器集成电路GDIC可以实施为面板内栅极(GIP)类型并直接设置在显示面板110上。替代地，在一些情况下，每个栅极驱动器集成电路GDIC可以集成并设置在显示面板110上。替代地，每个栅极驱动器集成电路GDIC可以以膜上芯片(COF)方法实施，以安装在连接到显示面板110的膜上。
数据驱动电路130可以从控制器140接收数据信号并且将数据信号转换成模拟数据电压Vdata。数据驱动电路130根据通过栅极线GL施加扫描信号的定时向每条数据线DL输出数据电压Vdata，使得多个子像素SP中的每一个根据数据信号发射具有亮度的光。
数据驱动电路130可以包括一个或多个源极驱动器集成电路SDIC。
每个源极驱动器集成电路SDIC可以包括移位寄存器、锁存电路、数模转换器、输出缓冲器等。
每个源极驱动器集成电路SDIC可以通过带式自动接合(TAB)方法或玻璃上芯片(COG)方法连接到显示面板110的接合焊盘。替代地，每个源极驱动器集成电路SDIC可以直接设置在显示面板110上。替代地，在一些情况下，每个源极驱动器集成电路SDIC可以集成并设置在显示面板110上。替代地，每个源极驱动器集成电路SDIC可以以膜上芯片(COF)方式实施。在该情况下，每个源极驱动器集成电路SDIC可以安装在连接到显示面板110的膜上，并且可以通过膜上的线而电连接到显示面板110。
控制器140可以向栅极驱动电路120和数据驱动电路130供应各种控制信号，并控制栅极驱动电路120和数据驱动电路130的操作。
控制器140可以安装在印刷电路板或柔性印刷电路上。控制器140可以通过印刷电路板或柔性印刷电路电连接到栅极驱动电路120和数据驱动电路130。
控制器140可以根据在每帧中实施的定时来控制栅极驱动电路120输出扫描信号。控制器140可以转换外部接收的图像数据以匹配数据驱动电路130使用的信号格式，并将转换后的数据信号输出到数据驱动电路130。
控制器140可以从外部(例如，主机系统)接收各种定时信号，包括垂直同步信号VSYNC、水平同步信号HSYNC、输入数据使能信号DE、时钟信号CLK。
控制器140可以通过使用从外部接收的各种定时信号来生成各种控制信号，并且可以将控制信号输出到栅极驱动电路120和数据驱动电路130。
例如，为了控制栅极驱动电路120，控制器140可以输出各种栅极控制信号GCS，其包括栅极起始脉冲GSP、栅极移位时钟GSC和栅极输出使能信号GOE。
栅极起始脉冲GSP控制构成栅极驱动电路120的一个或多个栅极驱动器集成电路GDIC的操作起始定时。栅极移位时钟GSC是共同输入到一个或多个栅极驱动器集成电路GDIC的时钟信号，其控制扫描信号的移位定时。栅极输出使能信号GOE指定关于一个或多个栅极驱动器集成电路GDIC的定时信息。
另外，为了控制数据驱动电路130，控制器140可以输出各种数据控制信号DCS，包括源极起始脉冲SSP、源极采样时钟SSC、源极输出使能信号SOE等。
源极起始脉冲SSP控制构成数据驱动电路130的一个或多个源极驱动器集成电路SDIC的数据采样起始定时。源极采样时钟SSC是用于控制相应源极驱动器集成电路SDIC中的采样数据的定时的时钟信号。源极输出使能信号SOE控制数据驱动电路130的输出定时。
显示装置100还可以包括用于向显示面板110、栅极驱动电路120、数据驱动电路130等供应各种电压或电流或控制要向其供应的各种电压或电流的功率管理集成电路(未示出)。
每个子像素SP可以是通过栅极线GL和数据线DL的重叠所限定的区域或包括栅极线GL和数据线DL的重叠的区域，其中可以设置至少一个包括发光装置的电路元件。
例如，在显示装置100是有机发光显示装置的情况下，有机发光二极管OLED和各种电路元件可以设置在多个子像素SP中。显示装置100通过驱动多个电路元件来控制供应给设置在子像素SP中的有机发光二极管OLED的电流，从而可以控制每个子像素SP以显示与图像数据对应的亮度。
图2示出了根据本公开实施例的显示装置100中包括的子像素SP的电路结构的示例。
图2示出了在显示装置100是有机发光显示装置的情况下子像素SP的电路结构的示例，但是本公开的实施例可以应用于其他类型的显示装置。
参考图2，发光装置ED和用于驱动发光装置ED的驱动晶体管DRT可以设置在子像素SP中。此外，除了发光元件ED和驱动晶体管DRT之外的至少一个电路元件可以进一步设置在子像素SP中。
例如，如图2所示，开关晶体管SWT、感测晶体管SENT和存储电容器Cstg可以进一步设置在子像素SP中。
因此，图2的示例示出了3T-1C结构作为示例，其中在子像素SP中除了发光装置ED之外还设置三个薄膜晶体管和一个电容器，但本公开的实施例不限于此。此外，图2示出了其中薄膜晶体管都是N型的示例，但在一些情况下，设置在子像素SP中的薄膜晶体管可以是P型。
开关晶体管SWT可以电连接在数据线DL和第一节点N1之间。
数据电压Vdata可以通过数据线DL供应给子像素SP。第一节点N1可以是驱动晶体管DRT的栅极节点。
开关晶体管SWT可以由供应给栅极线GL的扫描信号控制。开关晶体管SWT可以控制将通过数据线DL供应的数据电压Vdata施加到驱动晶体管DRT的栅极节点。
驱动晶体管DRT可以电连接在驱动电压线DVL和发光装置ED之间。
发光高电位驱动电压EVDD可以通过驱动电压线DVL供应给第三节点N3。第三节点N3可以是驱动晶体管DRT的漏极节点或源极节点。
驱动晶体管DRT可以由施加到第一节点N1的电压控制。此外，驱动晶体管DRT可以控制供应给发光装置ED的驱动电流。
感测晶体管SENT可以电连接在参考电压线RVL和第二节点N2之间。
参考电压Vref可以通过参考电压线RVL供应给第二节点N2。第二节点N2可以是驱动晶体管DRT的源极节点或漏极节点。
感测晶体管SENT可以由供应给栅极线GL的扫描信号控制。控制感测晶体管SENT的栅极线GL可以与控制开关晶体管SWT的栅极线GL相同或不同。
感测晶体管SENT可以控制将参考电压Vref施加到第二节点N2。此外，在一些情况下，感测晶体管SENT可以通过参考电压线RVL控制对第二节点N2的电压的感测。
存储电容器Cstg可以电连接在第一节点N1和第二节点N2之间。存储电容器Cstg可以将施加到第一节点N1的数据电压Vdata维持一帧。
发光装置ED可以电连接在第二节点N2和被供应发光低电位驱动电压EVSS的线之间。
如果接通电平的扫描信号被施加到栅极线GL，则开关晶体管SWT和感测晶体管SENT可以被接通。数据电压Vdata可以被施加到第一节点N1，并且参考电压Vref可以被施加到第二节点N2。
可以根据第一节点N1的电压和第二节点N2的电压之间的差来确定由驱动晶体管DRT供应的驱动电流。
发光装置ED可以根据通过驱动晶体管DRT供应的驱动电流呈现亮度。
随着显示装置100的驱动时间增加，诸如设置在子像素SP中的驱动晶体管DRT或发光装置ED的电路元件可能劣化。如果电路元件劣化，则电路元件的特征值可能改变。
电路元件的特征值可以指例如驱动晶体管DRT的迁移率或阈值电压。此外，电路元件的特征值可以指发光元件ED的阈值电压。
在本说明书中，设置在子像素SP中的电路元件的特征值可以被称为子像素SP的特征值。
如果子像素SP的特征值改变，则可能难以准确地控制子像素SP的驱动。此外，子像素SP之间的特征值可能出现偏差。
通过显示面板110显示的图像的质量可能由于子像素SP的特征值的变化而劣化。
根据本公开的实施例的显示装置100可以检测子像素SP的特征值的改变并且根据特征值的改变而执行补偿，从而提高通过显示面板110显示的图像的质量。
图3示出了根据本公开的实施例的用于检测包括在显示装置100中的子像素SP的特征值的结构的示例。
参考图3，显示装置100可以包括用于检测子像素SP的特征值的感测单元200。
例如，感测单元200可以位于数据驱动电路130内部。替代地，在一些情况下，感测单元200可以位于数据驱动电路130外部。
感测单元200可以电耦合到参考电压线RVL，参考电压线RVL电耦合到子像素SP。感测单元200可以通过参考电压线RVL检测子像素SP的特征值。
感测单元200可以检测子像素SP的特征值，例如驱动晶体管DRT或发光装置ED的特征值。
感测单元200检测子像素SP的特征值的感测时段可以是例如紧接在显示装置100开始驱动之后或紧接在驱动完成之后。替代地，在一些情况下，感测单元200可以在显示驱动时段的空白时段期间检测子像素SP的特征值。
将描述其中感测单元200检测子像素SP的特征值之中的驱动晶体管DRT的阈值电压的示例。在感测时段中，用于感测的数据电压Vdata可以被供应给驱动晶体管DRT的第一节点N1。在感测时段期间，参考电压Vref可以被供应给驱动晶体管DRT的第二节点N2。
为了向第一节点N1和第二节点N2供应用于感测的电压，暂时接通开关晶体管SWT、感测晶体管SENT和参考电压控制开关Spre。
当电压被施加到第一节点N1和第二节点N2时，第二节点N2可以处于浮置状态。
当第二节点N2处于浮置状态时，第二节点N2的电压可以随着第一节点N1的电压而增加。当经过预定时间或选择的时间时，第二节点N2的电压可以处于饱和状态。“饱和状态”可以指示电压不随时间推移而继续显著增加或减少的电压状态。例如，在图3中，第二节点N2的电压从第一电压增加到标记为“Vsen”的更高的第二电压，此后，第二节点N2的电压不会随着时间过去而继续显著增加。第二节点N2的电压可以被说成在到达标记为“Vsen”的第二电压之后处于“饱和状态”。
感测单元200可以检测处于饱和状态的第二节点N2的电压。因此，处于饱和状态的第二节点N2的电压可以被称为感测电压Vsen。
感测单元200可以根据检测到的感测电压Vsen和施加到第一节点N1以进行感测的数据电压Vdata之间的差来检测驱动晶体管DRT的阈值电压。
可以基于检测到的驱动晶体管DRT的阈值电压来执行对驱动晶体管DRT的劣化的补偿。
例如，数据驱动电路130可以将通过将基于检测到的阈值电压所确定的补偿电压与对应于图像数据信号的数据电压Vdata相加而获得的电压供应给子像素SP。因此，可以执行对子像素SP的特征值中的改变的补偿以准确地控制子像素SP的驱动，并且可以防止通过显示面板110显示的图像的质量的劣化。
用于感测子像素SP的特征值的参考电压线RVL可以电耦合到设置在多条线中的子像素SP。可以在最小化设置在显示面板110上的感测线的数量的同时检测子像素SP的特征值。
图4示出了根据本公开实施例的用于检测包括在显示装置100中的子像素SP的特征值的参考电压线RVL的连接结构的示例。
参考图4，作为示例，第n参考电压线RVL(n)可以电耦合到设置在第4(n-1)+1列、第4(n-1)+2列、第4(n-1)+3列和第4(n-1)+4列中的子像素SP。
因此，通过第n参考电压线RVL(n)，可以检测设置在4(n-1)+1列、第4(n-1)+2列、第4(n-1)+3列和第4(n-1)+4列中的子像素SP的特征值。
第(n+1)参考电压线RVL(n+1)可以电耦合到设置在第(4n+1)列、第(4n+2)列、第(4n+3)列和第(4n+4)列中的子像素SP。
因此，通过第(n+1)参考电压线(RVL(n+1))，可以检测设置在第(4n+1)列、第(4n+2)列、第(4n+3)列和第(4n+4)列中的子像素SP的特征值。
由于通过参考电压线RVL检测布置在多列中的子像素SP的特征值，所以可以在减少设置在显示面板110上的参考电压线RVL的数量的同时检测子像素SP的特征值。
此外，用于驱动感测单元200中的第n参考电压线(RVL(n))并执行感测的块的至少一部分可以与用于驱动第(n+1)参考电压线(RVL(n+1))并执行感测的块的至少一部分共享。
因为用于驱动参考电压线RVL的块的至少一部分是共享的，所以可以在减小用于感测的电路的尺寸的同时检测子像素SP的特征值。
图5示出了根据本公开实施例的用于检测包括在显示装置100中的子像素SP的特征值的感测单元200的结构的示例。
参考图5，感测单元200可以包括例如通道块210、采样块220和转换块230。
通道块210可以包括多个感测开关S1和S2。通道块210中包括的多个感测开关S1和S2可以构成一个感测组。
多个感测开关S1和S2中的每一个可以通过参考电压焊盘RP(n)和RP(n+1)电耦合到参考电压线RVL。
例如，第一感测开关S1可以通过第n参考电压焊盘RP(n)电耦合到第n参考电压线RVL(n)。第二感测开关S2可以通过第(n+1)参考电压焊盘RP(n+1)电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)。
可以根据第一感测开关S1的驱动来检测通过第n参考电压线RVL(n)的感测电压Vsen。根据第二感测开关S2的驱动，可以检测通过第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的感测电压Vsen。
包括在通道块210中的多个感测开关S1和S2可以电耦合到包括在采样块220中的电路元件。
采样块220可以包括电耦合到多个感测开关S1和S2的感测电容器Csen。采样块220可以包括电耦合到多个感测开关S1和S2以及感测电容器Csen的采样开关SAM。
采样块220中包括的一个感测电容器Csen和一个采样开关SAM可以电耦合到通道块210中包括的多个感测开关S1和S2并构成一个感测组。
可以用根据多个感测开关S1和S2的驱动而检测到的感测电压Vsen对感测电容器Csen充电。因此，感测电容器Csen可以用于通过第n参考电压线RVL(n)进行感测和通过第(n+1)参考电压线RVL(n+1)进行感测。
根据采样开关SAM的驱动，在感测电容器Csen中充电的感测电压Vsen可以被输出到转换块230。
转换块230可以包括例如模数转换器ADC。转换块230可以将从采样块220接收的感测电压Vsen转换为数字感测数据并输出转换后的感测数据。
由转换块230输出的感测数据可以被传送到控制器140。
控制器140可以基于感测数据设置能够补偿子像素SP的劣化的补偿电压。
数据驱动电路130可以通过向子像素SP供应由控制器140设置的补偿电压来补偿子像素SP的劣化。
如上所述，由于感测单元200检测子像素SP的特征值并且补偿子像素SP的劣化，所以可以防止由于子像素SP的劣化而导致的图像质量劣化。
此外，由于采样块220中包括的感测电容器Csen和采样开关SAM电耦合到一个感测组中包括的多个感测开关S1和S2，所以可以减小用于感测的电路元件。
因此，可以实施感测单元200，其减小感测单元200的尺寸并检测子像素SP的特征值以补偿子像素SP的劣化。
感测单元200可以通过以各种方法驱动包括在一个感测组中的多个感测开关S1和S2来检测子像素SP的特征值。通过使用这些不同的方法，可以减小感测时段的长度或者可以提高感测的准确度。
图6A和图6B示出了图5中示出的感测单元200的驱动方法的示例。
参考图6A，包括在通道块210中的多个感测开关S1和S2可以被彼此独立地驱动。
作为示例，可以在第一感测时段P1期间执行通过驱动第一感测开关S1进行的感测。
在第一感测时段P1的第一时段P11的至少部分时段期间，第一感测开关S1可以处于接通状态。第二感测开关S2可以在第一感测时段P1中处于关断状态。
其中第一感测开关S1在第一感测时段P1的第一时段P11中被接通的时段的长度可以是例如t1。在一些情况下，第一感测开关S1可以保持接通状态直到第一感测时段P1的第二时段P12的部分时段。
第n参考电压线RVL(n)的电压电平可以在其中第一感测开关S1处于接通状态的时段期间处于饱和状态。在第n参考电压线RVL(n)的饱和状态下，可以根据感测电压Vsen将电荷充电到感测电容器Csen中。
采样开关SAM可以在第一感测时段P1的第二时段P12中被接通。采样开关SAM可以在第一感测开关S1被关断之后立即被接通。替代地，在第一感测开关S1保持接通状态的时段期间，在第一感测开关S1被关断之前，采样开关SAM可以处于接通状态。
由于采样开关SAM被接通，被充电到感测电容器Csen的感测电压Vsen可以输出到转换块230。
根据在第一感测时段P1中执行的感测的补偿电压可以在第一感测时段P1之后的显示驱动时段中供应给子像素SP。
补偿电压可以被供应给电耦合到第n参考电压线RVL(n)的子像素SP。
此外，补偿电压可以被供应给要电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP。
在第一感测时段P1之后，可以将相同的补偿电压供应给由参考电压线RVL驱动的子像素SP，所述参考电压线RVL电耦合到包括在一个感测组中的多个感测开关S1和S2中的每一个。
由于对由第n参考电压线RVL(n)驱动的子像素SP和由第(n+1)参考电压线RVL(n+1)驱动的子像素SP的补偿是根据在第一感测时段P1中执行的感测结果来执行的，所以可以在减少感测时段的同时补偿子像素SP的劣化。
可以在第一感测时段P1之后的第二感测时段P2中执行使用第二感测开关S2进行的感测。
参考图6B，第二感测开关S2可以在第二感测时段P2的第一时段P21的至少部分时段期间被接通。第一感测开关S1可以在第二感测时段P2期间被关断。
其中第二感测开关S2在第二感测时段P2的第一时段P21中被接通的时段的长度可以是例如t1。其中第二感测开关S2在第二感测时段P1中被接通的时段的长度可以等于其中第一感测开关S1在第一感测时段P1中被接通的时段的长度。在一些情况下，第二感测开关S2可以保持接通状态直到第二感测时段P2的第二时段P22的部分时段。
第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的电压电平可以在第二感测开关S2被接通的时段期间处于饱和状态。可以在第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的饱和状态下根据感测电压Vsen对感测电容器Csen充电。
采样开关SAM可以在第二感测时段P2的第二时段P22中被接通。采样开关SAM可以在第二感测开关S2被关断之后或在第二感测开关S2被关断之前立即被接通。
被充电到感测电容器Csen中的感测电压Vsen可以被输出到转换块230。
在第二感测时段P2中，根据通过第(n+1)参考电压线RVL(n+1)执行的感测结果的补偿电压可以被供应给子像素SP。
补偿电压可以被供应给电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP。
在第一感测时段P1中获得的补偿电压可以被供应给电连接到第n参考电压线RVL(n)的子像素SP。
因此，在第二感测时段P2之后，供应给电耦合到第n参考电压线RVL(n)的子像素SP的补偿电压可以不同于供应给电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP的补偿电压。
由于通过使包括在一个感测组中的多个感测开关S1和S2交替来执行感测，所以可以减少整体感测时段。
此外，在一些情况下，通过向电耦合到对应于一个感测组的多条参考电压线RVL的子像素SP供应相同的补偿电压，可以使用通过驱动包括在一个感测组中的多个感测开关S1和S2中的一些而执行的感测来执行整体补偿。
此外，根据本公开实施例，由于在大体上同时或并发地接通包括在一个感测组中的多个感测开关S1和S2的同时执行感测，所以可以减少感测时段并提高感测准确度。本文中的术语“大体上同时”的使用包括在确切的相同时间、在大约相同时间或近似相同时间发生的事件。可以理解，在电路中，对于行进通过电路的信号，存在传播延迟。此外，当在电路中的一个节点处开始动作并且在其他节点中引起动作时，对于相应电路何时改变状态以及信号何时抵达并离开电路，将存在定时延迟和差异。因此，考虑了所有这些定时上的差异，并且该差异落在本文所使用的大体上同时的含义内。术语“并发地”的范围更广，包括时间上重叠但不需要在同一时间开始和/或结束或持续相同量的时间的事件。
图7示出了图5中示出的感测单元200的驱动方法的另一示例。
参考图7，可以以相同方式驱动包括在通道块210中并且构成一个感测组的多个感测开关S1和S2。
例如，在第一感测时段P1的第一时段P11中，第一感测开关S1和第二感测开关S2可以被接通。
第一感测开关S1和第二感测开关S2可以被接通相同的时段。例如，第一感测开关S1和第二感测开关S2被接通的时段的长度可以是t1。在一些情况下，第一感测开关S1和第二感测开关S2可以保持接通状态直到第一感测时段P1的第二时段P12的部分时段。
由于第一感测开关S1和第二感测开关S2被同时接通，第n参考电压线RVL(n)和第(n+1)参考电压线RVL(n+1)可以处于彼此电耦合的状态。
第n参考电压线RVL(n)和第(n+1)参考电压线RVL(n+1)可以同样处于饱和状态。饱和的第n参考电压线RVL(n)和第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的感测电压Vsen可以被充电到感测电容器Csen中。
被充电到感测电容器Csen中的感测电压Vsen可以是例如电耦合到第n参考电压线RVL(n)的子像素SP的特征值和电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP的特征值的平均值。
替代地，被充电到感测电容器Csen中的感测电压Vsen可以是接近平均值的值。
采样开关SAM可以在第一感测时段P1的第二时段P12中接通。采样开关SAM可以在第一感测开关S1和第二感测开关S2关断之后或在第一感测开关S1和第二感测开关S2关断之前立即被接通。
通过第n参考电压线RVL(n)和第(n+1)参考电压线RVL(n+1)获得的感测电压Vsen可以通过转换块230传送到控制器140。
控制器140可以根据同时使用第n参考电压线RVL(n)和第(n+1)参考电压线RVL(n+1)执行的感测结果来设置补偿电压。
设置的补偿电压可以被供应给电耦合到第n参考电压线RVL(n)的子像素SP和电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP。
因此，由于可以使用通过同时或并发地驱动多个感测开关S1和S2执行的感测来补偿电耦合到多条参考电压线RVL的子像素SP的劣化，可以在减少感测时段的同时补偿子像素SP的劣化。
另外，由于基于与多条参考电压线RVL电耦合的子像素SP的劣化的平均值或接近该平均值的值来设置补偿值，可以在减少感测时段的同时提高补偿的准确度。
此外，根据本公开实施例，在通过同时或并发地(具有一些定时的重叠)驱动多个感测开关S1和S2来执行感测之后，驱动感测开关S1和S2中的一些以执行感测，可以进一步提高传感准确度。
图8A和图8B示出了图5中示出的感测单元200的驱动方法的另一示例。图9A和图9B示出根据图8A和8B所示的驱动方法在感测期间的感测电压Vsen的示例。
参考图8A，感测单元200可以通过驱动包括在一个感测组中的多个感测开关S1和S2来执行初级感测，并且可以在终止初级感测之后执行次级感测。
例如，可以在执行初级感测的第一感测时段P1中同时或并发地驱动多个感测开关S1和S2。
在第一感测时段P1的第一时段P11期间，第一感测开关S1和第二感测开关S2可以被同时或大体上同时接通。第一感测开关S1和第二感测开关S2被接通的时段的长度例如可以是t1。在一些情况下，第一感测开关S1和第二感测开关S2可以保持接通状态直到第一感测时段P1的第二时段P12的部分时段。
采样开关SAM可以在第一感测时段P1的第二时段P12中被接通。采样开关SAM可以在第一感测开关S1和第二感测开关S2被关断之后或在第一感测开关S1和第二感测开关S2被关断之前立即被接通。
可以通过在第一感测时段P1中通过同时、大体上同时或并发地驱动第一感测开关S1和第二感测开关S2而执行的感测，来获取电耦合到第n参考电压线RVL(n)的子像素SP的特征值和电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n)的子像素SP的特征值的平均值或接近该平均值的值。
感测单元200可以在终止初级感测之后执行次级感测。在次级感测的时段期间，可以驱动多个感测开关S1和S2中的少于所有的感测开关，例如，可以驱动感测开关中的一个。
参考图8B，作为示例，在执行次级感测的第二感测时段P2中，多个感测开关S1和S2之中的第二感测开关S2可以被接通。第一感测开关S1可以在第二感测时段P2期间被关断。
替代地，第二感测开关S2可以在第一感测时段P1中保持接通状态，直到用于次级感测的第二感测时段P2。
例如，在第一感测时段P1中，第一感测开关S1和第二感测开关S2可以被接通。第一感测开关S1可以在第一感测时段P1结束之前被关断。
在第一感测时段P1期间，第二感测开关S2可以不被关断。第二感测开关S2可以保持接通状态直到用于次级感测的第二感测时段P2。
第二感测开关S2可以在第二感测时段P2的第一时段P21的至少一部分期间被接通。第二感测开关S2被接通的时段的长度例如可以是t2。此外，t2可以比t1短。在一些情况下，第二感测开关S2可以保持接通状态直到第二感测时段P2的第二时段P22的部分时段。
第n参考电压线RVL(n)和第(n+1)参考电压线RVL(n+1)可以通过在第一感测时段P1中执行的感测而处于饱和状态。
由于仅第二感测开关S2在第二感测时段P2中被接通，因此可以仅改变第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的电压电平。由于第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的电压电平在第一感测时段P1中变化为饱和状态，因此可以缩短第(n+1)参考电压线RVL(n+1)新近变饱和所花费的时间。
在第二感测时段P2中，第二感测开关S2被接通的时段的长度t2短于第一感测开关S1和第二感测开关S2在第一感测时段P1中被接通的时段的长度t1，使得可以使用第(n+1)参考电压线RVL(n+1)执行感测。
由于第二感测开关S2在第二感测时段P2中被接通的时段的长度被缩短，所以第二感测时段P2的第一时段P21的长度可以短于第一感测时段P1的时段P11的长度。。
可以从在第二感测时段P2中获得的感测结果检测电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP的特征值。由于通过在第一感测时段P1中执行的感测获取了电耦合到第n参考电压线RVL(n)的子像素SP的特征值和电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP的特征值的平均值或接近该平均值的值，可以利用在第一感测时段P1中获得的感测结果和在第二感测时段P2中获得的感测结果来检测电耦合到第n参考电压线RVL(n)的子像素SP的特征值。
因此，与分别使用第n参考电压线RVL(n)执行感测和使用第(n+1)参考电压线RVL(n+1)执行感测的方法相比，可以减少感测时段，并且可以提供同等水平的传感准确度。
根据在第二感测时段P2中感测到的电耦合到参考电压线RVL的子像素SP的特征值，在第二感测时段P2中检测到的感测电压Vsen可以大于或小于在第一感测时段P1中检测到的感测电压Vsen。
参考图9A和图9B，在第一感测时段P1中，对于第一感测开关S1和第二感测开关S2被同时接通的感测，感测电压Vsen的改变量可以是ΔVa。
在第二感测时段P2中，第一感测开关S1处于关断状态，并且仅第二感测开关S2处于接通状态，并且在感测期间感测电压Vsen的改变量可以是ΔVb。
由于在第n参考电压线RVL(n)和第(n+1)参考电压线RVL(n+1)在第一感测时段P1中饱和的状态下，仅第(n+1)参考电压线RVL(n+1)在第二感测时段P2中改变为饱和状态，ΔVb可以小于ΔVa。
由于用于参考电压线RVL达到饱和状态的时间很短，所以第二感测时段P2的长度可以短于第一感测时段P1的长度。因此，可以减少整体感测时段并提高感测准确度。
在第一感测时段P1中获得的感测电压Vsen可以对应于电耦合到第n参考电压线RVL(n)的子像素SP的特征值和电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP的特征值的平均值或接近该平均值的值。
在第二感测时段P2中获得的感测电压Vsen可以对应于电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP的特征值。
因此，根据电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP的劣化程度与电耦合到第n参考电压线RVL(n)的子像素的劣化程度之间的差，可以改变出现在第二感测时段P2中的感测电压Vsen。
作为示例，如图9A所示，在第二感测时段P2中出现的感测电压Vsen可以大于在第一感测时段P1中出现的感测电压Vsen。
替代地，如图9B所示，出现在第二感测时段P2中的感测电压Vsen可以小于出现在第一感测时段P1中的感测电压Vsen。
可以使用在第二感测时段P2中获得的感测电压Vsen来准确地检测电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP的特征值。
另外，通过使用在第一感测时段P1中获得的感测电压Vsen和在第二感测时段P2中获得的感测电压Vsen，可以准确地检测电耦合到第n参考电压线RVL(n)的子像素SP的特征值。
因此，通过减少整个感测时段并通过借助于由包括在一个感测组中的多个感测开关S1和S2驱动的参考电压线RVL准确地检测子像素SP的特征值，可以提高对子像素SP的劣化的补偿的性能。
此外，根据本公开实施例，可以通过增加包括在一个感测组中的感测开关的数量来进一步减小感测单元200的尺寸，并且可以检测子像素SP的特征值并补偿子像素SP的劣化。
图10A至图10C示出了根据本公开实施例的用于检测包括在显示装置100中的子像素SP的特征值的感测单元200的结构和驱动方法的另一示例。
参考图10A，感测单元200中包括的通道块210可以包括多个感测开关S1、S2和S3。
第一感测开关S1可以通过第n参考电压焊盘RP(n)电耦合到第n参考电压线RVL(n)。第二感测开关S2可以通过第(n+1)参考电压焊盘RP(n+1)电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)。第三感测开关S3可以通过第(n+2)参考电压焊盘RP(n+2)电耦合到第(n+2)参考电压线RVL(n+2)。
第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3可以电耦合到包括在采样块220中的感测电容器Csen和采样开关SAM。
由于第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3电耦合到一个感测电容器Csen，所以可以减小感测单元200的尺寸。
第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3可以被独立驱动或者可以被同时或并发地驱动。此外，可以顺序地执行同时驱动和部分驱动。
例如，第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3可以被独立驱动，并且特征值的感测和子像素SP的劣化的补偿可以分开执行。
在该情况下，通过驱动任何一个感测开关获得的补偿值可以用于补偿电耦合到与另一感测开关对应的参考电压线RVL的子像素SP的劣化。
作为另一示例，可以同时驱动第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3。
在该情况下，可以基于电耦合到对应于第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3的参考电压线RVL的子像素SP的特征值的平均值或接近该平均值的值来执行子像素SP的劣化补偿。
作为另一示例，可以同时或大体上同时驱动第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3以执行初级感测，并且第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3中的一些可以被驱动以执行次级感测。
此外，可以在次级感测之后执行第三感测，并且在次级感测期间被驱动的感测开关可以与在第三感测期间被驱动的感测开关不同。
参考图10A，在第一感测时段P1中，第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3可以被同时或大体上同时接通。
第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3被接通的时段的长度可以是例如t1。在一些情况下，第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3可以保持接通状态直到第一感测时段P1的第二时段P12的部分时段。
在第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3在第一感测时段P1中被接通的时段期间，第n参考电压线RVL(n)、第(n+1)参考电压线RVL(n+1)和第(n+2)参考电压线RVL(n+2)可以被电耦合。
在第一感测时段P1中，可以获得电耦合到第n参考电压线RVL(n)的子像素SP的特征值、电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP的特征值、以及电耦合到第(n+2)参考电压线RVL(n+2)的子像素SP的特征值的平均值或接近该平均值的值。
在第一感测时段P1之后，在第二感测时段P2和第三感测时段P3中，第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3的一部分可以被驱动以执行感测。
参考图10B，例如，在第二感测时段P2中，第一感测开关S1和第三感测开关S3可以被关断。在第二感测时段P2中，第二感测开关S2可以处于接通状态。替代地，第二感测开关S2可以在第一感测时段P1中被接通并保持接通状态直到第二感测时段P2。
第二感测开关S2在第二感测时段P2中被接通的时段的长度可以是例如t2。t2可能比t1短。在一些情况下，第二感测开关S2可以保持接通状态直到第二感测时段P2的第二时段P22的部分时段。
在第二感测时段P2中，电耦合到第二感测开关S2的第(n+1)参考电压线RVL(n+1)可以处于饱和状态。此外，可以获得与电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP的特征值相对应的感测电压Vsen。
在第n参考电压线RVL(n)、第(n+1)参考电压线RVL(n+1)和第(n+2)参考电压线RVL(n)在第一感测时段P1中处于饱和状态的状态下，第(n+1)参考电压线RVL(n+1)可以在第二感测时段P2中变为处于饱和状态。
因此，在第二感测时段P2中感测电压Vsen的改变量ΔVb可以小于在第一感测时段P1中感测电压Vsen的变化量ΔVa。此外，第二感测时段P2可以短于第一感测时段P1。
根据在第二感测时段P2中电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP的特征值，感测电压Vsen可以如在由1001指示的示例中那样增加或可以如在由1002指示的示例中那样减少。
在第二感测时段P2中，在比第一感测时段P1短的时间内执行感测，并且可以检测电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP的准确特征值。
参考图10C，在第三感测时段P3中，第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3中的一些被驱动以执行感测。在第三感测时段P3中驱动的感测开关可以不同于在第二感测时段P2中驱动的感测开关。
例如，在第三感测时段P3中，第一感测开关S1和第二感测开关S2可以处于关断状态。
第三感测开关S3可以在第三感测时段P3中被接通。替代地，在一些情况下，第三感测开关S3可以在第一感测时段P1中被接通并且可以保持接通状态直到第三感测时段P3。在该情况下，可以在上述的第二感测开关S2和第三感测开关S3在第二感测时段P2中被接通的同时执行感测。
第三感测开关S3在第三感测时段P3的第一时段P31中被接通的时段的长度可以是例如t3。在一些情况下，第三感测开关S3可以保持接通状态直到第三感测时段P3的第二时段P32的部分时段。
长度t3可以短于第一感测开关S1、第二感测开关S2和第三感测开关S3在第一感测时段P1中被同时或大体上同时接通的时段的长度t1。此外，长度t3可以短于第二感测开关S2在第二感测时段P2中被接通的时段的长度t2。
由于在第一感测时段P1和第二感测时段P2中的感测之后在第三感测时段P3中执行感测，所以第三感测时段P3中感测电压Vsen的改变量ΔVc可以小于第一感测时段P1中感测电压Vsen的改变量ΔVa。
此外，在第三感测时段P3中感测电压Vsen的改变量ΔVc可以小于在第二感测时段P2中感测电压Vsen的改变量ΔVb。
在第三感测时段P3中，可以检测电耦合到由第三感测开关S3驱动的第(n+2)参考电压线RVL(n+2)的子像素SP的特征值。
根据电耦合到第(n+2)参考电压线RVL(n+2)的子像素SP的特征值，在第三感测时段P3中检测到的感测电压Vsen可以大于第二感测时段P2的感测电压Vsen，如1003或1005所指示的示例中那样。替代地，如1004或1006所指示的示例中那样，在第三感测时段P3中检测到的感测电压Vsen可以小于第二感测时段P2的感测电压Vsen。
通过比第一感测时段P1和第二感测时段P2短的第三感测时段P3，可以检测电耦合到第(n+2)参考电压线RVL(n+2)的子像素SP的准确特征值。
此外，基于在第一感测时段P1中获得的感测结果、在第二感测时段P2中获得的感测结果以及在第三感测时段P3中获得的感测结果，可以准确地检测电耦合到第n参考电压线RVL(n)的子像素SP的特征值、电耦合到第(n+1)参考电压线RVL(n+1)的子像素SP的特征值、以及电耦合到第(n+2)参考电压线RVL(n+2)的子像素SP的特征值。
因此，可以减少在驱动多条参考电压线RVL的同时执行的感测时段，并且准确地检测电耦合到参考电压线RVL的子像素SP的特征值并且补偿子像素SP的劣化。
根据本公开的上述实施例，包括在感测单元200中的用于感测子像素SP的特征值并且电耦合到参考电压线RVL的两个或更多个感测开关共享感测电容器Csen，从而可以在减小感测单元200的尺寸的同时检测子像素SP的劣化。
此外，通过同时或大体上同时驱动共享感测电容器Csen的两个或更多个感测开关来执行感测，可以减少感测时段并且可以执行子像素SP的劣化补偿。
此外，在通过同时或大体上同时驱动共享传感电容器Csen的两个或更多个感测开关来执行初级感测之后，通过连续驱动一些感测开关以执行比初级感测短的次级感测，可以在减少整体感测时段的同时提高感测准确度。
呈现以上描述是为了使本领域技术人员能够做出和使用本公开的技术思想，并且在特定应用的上下文中提供以上描述。对所描述的实施例的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员来说将是显而易见的，并且在不脱离本公开的精神和范围的情况下，本文描述的一般原理可以应用于其他实施例和应用。以上描述和附图出于说明的目的提供了本公开的技术思想的示例。即，所公开的实施例旨在示出本公开的技术思想的范围。
可以组合上述各种实施例以提供进一步的实施例。本说明书中提及和/或申请数据表中列出的所有美国专利、美国专利申请公布、美国专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利出版物的全文通过引用的方式并入本文中。如有必要，可以修改实施例的各方面，以采用各种专利、申请和出版物的概念来提供进一步的实施例。
可以根据上述详细描述对实施例进行这些和其他更改。一般而言，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求局限于说明书和权利要求中公开的特定实施例，而应被解释为包括所有可能的实施例以及为这些权利要求赋予权利的等同物的完整范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

Claims (19)

1.一种显示装置，包括：
设置在显示面板上的多个子像素；
电耦合到所述多个子像素的一部分子像素的多条参考电压线；以及
被配置为驱动所述多条参考电压线的数据驱动电路，
其中，所述数据驱动电路包括：
电耦合到所述多条参考电压线中的每一条的多个第一开关；
电耦合到包括在所述多个第一开关之中的组中的两个或更多个第一开关的电容器；以及
电耦合到所述电容器的第二开关，
其中，包括在所述组中的所述两个或更多个第一开关被配置为在用于通过所述多条参考电压线之中的电耦合到所述两个或更多个感测开关的参考电压线来检测所述子像素的值的时段的至少一部分期间被大体上同时接通。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在第一感测时段中，包括在所述组中的所述两个或更多个第一开关被配置为被大体上同时接通或大体上同时关断，并且在所述第一感测时段之后的第二感测时段中，包括在所述组中的所述两个或更多个第一开关之中的一个第一开关被配置为被接通，并且所述两个或更多个第一开关中的其他第一开关被配置为保持关断状态。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在所述第一感测时段中，所述第二开关被配置为在所述两个或更多个第一开关被同时关断之后或在所述两个或更多个第一开关被关断之前立即被接通。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述一个第一开关被配置为在所述第二感测时段中保持接通状态的时段的长度短于所述两个或更多个第一开关被配置为在所述第一感测时段中保持接通状态的时段的长度。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，与在所述第一感测时段中相比，在所述第二感测时段中更小(更少)量的电荷被驱动到所述电容器中。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在所述第二感测时段中，所述第二开关被配置为在已经处于所述接通状态的所述一个第一开关被关断之后或在处于所述关断状态之前立即被接通。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在所述第二感测时段之后的第三感测时段中，包括在所述组中的所述两个或更多个第一开关之中的另一个第一开关被配置为被接通，并且包括在所述组中的所述第一开关中的其他第一开关被配置为保持关断状态，并且
其中，在所述第三感测时段中接通的所述另一个第一开关不同于在所述第二感测时段中接通的所述一个第一开关。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述另一个第一开关在所述第三感测时段中保持接通状态的时段的长度短于所述两个或更多个第一开关在所述第一感测时段中保持接通状态的时段的长度。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述另一个第一开关在所述第三感测时段中保持接通状态的时段的长度短于所述一个第一开关在所述第二感测时段中保持接通状态的时段的长度。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，在所述第三感测时段中，所述第二开关被配置为在已经处于所述接通状态的所述另一个第一开关被关断之后或在处于所述关断状态之前被立即接通。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，包括在所述组中的所述两个或更多个第一开关被配置为在第一感测时段中被大体上同时接通，并且
其中，所述两个或更多个第一开关的一部分被配置为在所述第一感测时段结束之前被关断，并且所述两个或更多个第一开关中的其他第一开关被配置为保持接通状态直到所述第一感测时段之后的第二感测时段的至少一部分。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，基于所述子像素的所述值所确定的补偿电压被供应给所述子像素，并且
其中，供应给电耦合到与包括在所述组中的所述两个或更多个第一开关中的一个电耦合的参考电压线的子像素的补偿电压与电耦合到与所述两个或更多个第一开关中的其他第一开关电耦合的参考电压线的子像素的补偿电压大体上相同。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每一个包括发光装置、以及电耦合在所述发光装置和所述参考电压线之间的晶体管，
其中，所述晶体管被配置为在包括在所述组中的所述两个或更多个第一开关被同时接通的时段的至少一部分期间被接通。
14.一种显示装置，包括：
设置在显示面板上的多个子像素；
电耦合到所述多个子像素中的一些子像素的多条参考电压线；以及
被配置为驱动所述多条参考电压线的数据驱动电路，
其中，所述数据驱动电路包括：
电耦合到所述多条参考电压线之中的第一参考电压线的第一感测开关和电耦合到所述多条参考电压线之中的第二参考电压线的第二感测开关；
电耦合到所述第一感测开关和所述第二感测开关的感测电容器；以及
电耦合到所述感测电容器的采样开关，
其中，所述数据驱动电路被配置为当所述第一感测开关在第一感测时段中被接通时通过所述第一参考电压线检测所述子像素的特征值，并且当所述第二感测开关在第二感测时段中被接通时通过所述第二参考电压线检测所述子像素的所述特征值，
其中，在所述第一感测时段和所述第二感测时段之间的显示驱动时段中，基于通过所述第一参考电压线检测到的所述子像素的所述特征值所确定的补偿电压被供应给电耦合到所述第一参考电压线的所述子像素和电耦合到所述第二参考电压线的所述子像素。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，在所述第二感测时段之后的显示驱动时段中，第一补偿电压被供应给电耦合到所述第一参考电压线的子像素，并且第二补偿电压被供应给电耦合到所述第二参考电压线的子像素，并且
其中，所述第一补偿电压与所述第二补偿电压互不相同。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一补偿电压是基于在所述第一感测时段中通过所述第一参考电压线检测到的所述子像素的所述特征值所确定的补偿电压，并且所述第二补偿电压是基于在所述第二感测时段中通过所述第二参考电压线检测到的所述子像素的所述特征值所确定的补偿电压。
17.一种数据驱动电路，包括：
电耦合到多条参考电压线中的每一条参考电压线的多个感测开关；
电耦合到包括在所述多个感测开关之中的一个感测组中的两个或更多个感测开关的感测电容器；以及
电耦合到所述感测电容器的采样开关，
其中，包括在所述一个感测组中的所述两个或更多个感测开关被配置为在感测时段的至少一部分期间被大体上同时接通，以用于通过所述多条参考电压线之中的电耦合到所述两个或更多个感测开关的参考电压线来检测所述子像素的特征值。
18.根据权利要求17所述的数据驱动电路，其中，在包括在所述一个感测组中的所述两个或更多个感测开关被配置为被关断之后并且在被充电到所述感测电容器中的电荷被放电之前的至少部分时段中，所述两个或更多个感测开关之中的一个感测开关被配置为被接通，并且其他感测开关被配置为保持关断状态。
19.根据权利要求18所述的数据驱动电路，其中，所述两个或更多个感测开关之中的所述一个感测开关被接通而其他感测开关保持所述关断状态的时段的长度短于所述两个或更多个感测开关同时处于接通状态的时段的长度。
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