CN114627806A - 显示屏及其制作方法、电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种显示屏,所述显示屏具有显示区域,所述显示区域包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率;其中,所述显示屏包括层叠设置的器件层、电路层以及多个贯穿所述器件层和所述电路层的通光孔,多个所述通光孔对应于所述第一显示区设置。本申请实施例提供的显示屏,通过设置多个贯穿器件层和电路层的通光孔,且该多个通光孔对应于第一显示区设置,以使得第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,使得显示屏具有符合摄像头或者光学传感器等传感器的透光率要求的显示区,以满足用户使用需求。
Description
技术领域
本申请涉及电子设备结构的技术领域,具体是涉及一种显示屏及其制作方法、电子设备。
背景技术
随着电子设备技术的发展,诸如智能手机等电子设备的功能越来越强,对电子设备显示效果的要求也越来越高。相关技术中,为了得到更高屏占比的显示屏,将一些光学元件如摄像头放在显示屏下方,对应光学元件的特殊显示区域做特殊处理,使其既能满足光学元件的需求,又能与其他区域一同显示图像。但是,在保证特殊显示区域正常显示的前提下,如何有效提升该区域的透光率,是推广该技术使用的重点难点。
发明内容
本申请实施例一方面提供了一种显示屏,所述显示屏具有显示区域,所述显示区域包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率;其中,所述显示屏包括层叠设置的器件层、电路层以及多个贯穿所述器件层和所述电路层的通光孔,多个所述通光孔对应于所述第一显示区设置。
另一方面,本申请实施例还提供了一种显示屏的制作方法,所述制作方法用于制作上述实施例中的显示屏,所述制作方法包括:提供一基底;在所述基底上形成电路层;在所述电路层上形成器件层;形成多个贯穿所述器件层和所述电路层的通光孔;在所述器件层上形成封装层。
进一步地,本申请实施例还提供了一种电子设备,所述电子设备包括壳体、显示屏盖板、传感器以及前述实施例中所述的显示屏,所述壳体与所述显示屏盖板连接,并共同围设形成容置空间,所述显示屏以及所述传感器设于所述容置空间内;其中,所述传感器对应于所述显示屏的第一显示区设置。
本申请实施例提供的显示屏及其制作方法、电子设备,通过设置多个贯穿器件层和电路层的通光孔,且该多个通光孔对应于第一显示区设置,以使得第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,使得显示屏具有符合摄像头或者光学传感器等传感器的透光率要求的显示区,以满足用户使用需求。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请第一实施例中显示屏的部分结构示意图;
图2是图1实施例中显示屏的部分像素布局示意图;
图3是图1实施例中显示屏的部分截面结构示意图;
图4是图3实施例中的部分像素分布示意图;
图5是图1实施例中显示屏的另一种截面结构示意图;
图6是图1实施例中显示屏的又一种截面结构示意图;
图7是本申请一些实施例中显示屏的制作方法的流程示意图;
图8-图12是图7实施例中显示屏的制作方法对应的结构示意图;
图13是本申请另一些实施例中显示屏的制作方法的流程示意图;
图14-图17是图13实施例中显示屏的制作方法对应的结构示意图;
图18是本申请第二实施例中显示屏的部分像素布局示意图;
图19是图18实施例中显示屏的部分截面结构示意图;
图20是本申请第三实施例中显示屏的部分像素布局示意图;
图21是本申请一些实施例中电子设备的结构示意图;
图22是图21实施例中电子设备的部分结构拆分示意图;
图23是本申请另一些实施例中移动终端设备的结构组成示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是,以下实施例仅用于说明本申请,但不对本申请的范围进行限定。同样的,以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
作为在此使用的“电子设备”(或简称为“终端”)包括,但不限于被设置成经由有线线路连接(如经由公共交换电话网络(PSTN)、数字用户线路(DSL)、数字电缆、直接电缆连接,以及/或另一数据连接/网络)和/或经由(例如,针对蜂窝网络、无线局域网(WLAN)、诸如DVB-H网络的数字电视网络、卫星网络、AM-FM广播发送器,以及/或另一通信终端的)无线接口接收/发送通信信号的装置。被设置成通过无线接口通信的通信终端可以被称为“无线通信终端”、“无线终端”或“移动终端”。移动终端的示例包括,但不限于卫星或蜂窝电话;可以组合蜂窝无线电电话与数据处理、传真以及数据通信能力的个人通信系统(PCS)终端;可以包括无线电电话、寻呼机、因特网/内联网接入、Web浏览器、记事簿、日历以及/或全球定位系统(GPS)接收器的PDA;以及常规膝上型和/或掌上型接收器或包括无线电电话收发器的其它电子装置。手机即为配置有蜂窝通信模块的电子设备。
需要说明的是,本申请实施例中的电子设备主要是针对显示屏屏下具有摄像头或者光学传感器等传感器的电子设备。例如手机,为了提高其屏占比,将手机前置摄像头隐藏在屏幕下面,当不使用前置摄像头时,显示屏上对应前置摄像头的位置能正常显示。
可以理解的,摄像头或者光学传感器在工作过程中对透光率有一定的要求,传统显示屏中第一显示区和第二显示区主要用于实现显示功能,不能满足摄像头或者光学传感器的透光率要求。基于此,申请人在研究中发现,如果提高第一显示区的透光率使其满足摄像头或者光学传感器的透光率要求,那么必然会带来极大的应用价值。申请人进一步研究发现,可以通过减小第一显示区的像素密度来提高第一显示区的透光率,进而使得摄像头或者光学传感器等传感器可以正常工作。
请参阅图1,图1是本申请第一实施例中显示屏100的部分结构示意图,显示屏100具有显示区域,该显示区域大致上可以包括第一显示区110和第二显示区120。第一显示区110对应设置有诸如摄像头或者光学传感器等传感器,以使得第一显示区110可以同时实现显示功能和信号采集功能。进一步地,结合参阅图2,图2是图1实施例中显示屏100的部分像素布局示意图,其中,第一显示区110的像素密度小于第二显示区120的像素密度,有利于提升第一显示区110的透光率,以使得第一显示区110具有满足要求的透光率,进而使得更多的光线等信号可以被设置于第一显示区110内诸如摄像头或者光学传感器等传感器捕获,从而进行正常工作。即第一显示区110复用为传感器设置区,摄像头或者光学传感器等传感器可透过第一显示区110采集光线等信号。
可以理解的,传感器还可以透过第一显示区110采集诸如指纹、掌纹、虹膜或者脸部特征信息等信号。其中,指纹是指人类手指末端指腹上由凹凸的皮肤所形成的纹路;掌纹是指整个手掌上的纹线;虹膜是指眼睛的一部分,用于自动调节瞳孔的大小;脸部特征是指人类面部的特征,包括脸型、五官排列和外观等。对于一个用户来说,上述生物特征信息都是唯一的,因此,都可以用来标识唯一的用户。
当然,在其他实施例中,诸如摄像头或者光学传感器等传感器在显示屏上的投影可能不位于第一显示区110内,其工作方式可以是通过捕获透过第一显示区110的光线后实现的。基于此,在本申请实施例中通过设置第一显示区110的像素密度小于第二显示区120的像素密度,有利于提升第一显示区110的透光率,进而使得更多的光线可以被设置于显示屏100内的诸如摄像头或者光学传感器等传感器捕获,从而进行正常工作。可以理解的,本申请实施例中优选传感器对应设置于第一显示区,并不意味着本申请实施例限制传感器设置于第一显示区内。换言之,传感器也可以设置于其他区域即非第一显示区内,只要从第一显示区透过的光线能够被传感器捕获即可。
需要说明的是,本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
然而,申请人继续研究发现,即使降低第一显示区的像素密度以提高第一显示区的透光率,使得摄像头或者光学传感器等传感器可以正常工作。但是第一显示区的像素密度不可能无限降低,这就使得第一显示区的透光率有限。一般地,通过降低第一显示区的像素密度来提升第一显示区的透光率的技术方案中,第一显示区的透光率一般不超过20%
基于此,申请人研究发现,可以通过在显示屏屏下开通光孔的方式进一步提升第一显示区的透光率,进而提升屏下传感器的工作性能。
请参阅图3,图3是图1实施例中显示屏100的部分截面结构示意图,其中,显示屏100大致包括层叠设置的器件层101和电路层102,器件层101背离电路层102的一侧为显示屏100的显示面。
器件层101可以为OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)器件层,电路层102可以为TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)电路层。OLED器件层101用于设置显示屏100的发光元件,TFT电路层102用于驱动发光元件以进行发光。进一步地,OLED器件层101与TFT电路层102之间电连接,进而导通OLED器件层101中的发光元件与TFT电路层102,以使得显示屏100实现显示功能。一般地,电路层102的驱动电路位于器件层101的发光元件的正下方。需要说明的是,本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
可以理解的,TFT电路层102中的薄膜场效应晶体管与OLED器件层101中的发光元件电连接,进而驱动发光元件发光。一般而言,薄膜场效应晶体管的源极与发光元件的对应电极连接导通。
进一步地,器件层101包括第一器件区111和第二器件区112,第一器件区111对应于第一显示区110设置,第二器件区112对应于第二显示区120设置。电路层102包括第一电路区121和第二电路区122,第一电路区121对应于第一显示区110设置,第二电路区122对应于第二显示区120设置。换言之,第一器件区111层叠设置于第一电路区121的上方,第二器件区112层叠设置于第二电路区122的上方。
结合参阅图4,图4是图3实施例中的部分像素分布示意图,其中,第一器件区111包括第一像素区1111和第一透光区1112,第二器件区112包括第二像素区1121和第二透光区1122。第一像素区1111的像素密度小于第二像素区1121的像素密度,以使得第一透光区1112的透光率大于第二透光区1122的透光率。可以理解的,第一电路区121的驱动电路对应于第一像素区1111设置,以使得透过第一透光区1112的光线可以透过第一电路区121的驱动电路之间的缝隙。第二电路区122的驱动电路对应于第二像素区1121设置,以使得透过第二透光区1122的光线可以透过第二电路区122的驱动电路之间的缝隙。
在本申请实施例中,显示屏100开设有多个贯穿器件层101和电路层102的通光孔103,该多个通光孔103开设于第一透光区1112,并至第一透光区1112延伸至第一电路区121,且穿设于第一电路区121的驱动电路之间的缝隙,以此可以进一步提升第一透光区1112的通光量,从而提升第一透光区1112的透光率。其中,通光孔103的孔径一般为3-100μm,例如,通光孔103的孔径可以为3μm、4μm、5μm、6μm、58m、4μm、10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、80μm等。
可以理解的,通光孔103的数量并不做具体限制,且其排列方式大致呈阵列分布,与像素的排列方式相适配,例如,通光孔103可以均匀分布于第一透光区1112。通光孔103的形状可以是圆形、椭圆形、长条形、三角形、四边形等形状。本申请实施例的通光孔103以圆形为例,对通光孔103的其他形状不进行一一列举。
本申请实施例通过设置第一像素区的像素密度小于第二像素区的像素密度,并在第一透光区开设多个贯穿器件层和电路层的通光孔,使得第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率。在本申请实施例中,第一显示区的透光率可达30%左右,相较于第一显示区的像素密度小于第二显示区的像素密度的技术方案,第一显示区的透光率大致提升50%。
结合参阅图5和图6,图5是图1实施例中显示屏100的另一种截面结构示意图,图6是图1实施例中显示屏100的又一种截面结构示意图,其中,显示屏100还包括基底104和封装层105。
器件层101和电路层102设于基底104和封装层105之间,电路层102靠近于基底104设置即电路层102设于基底104上,器件层101远离基底104设置即器件层101设置于电路层102背离基底104的一侧。封装层105封装于器件层101背离基底104的一侧,且能够对显示屏100的侧面进行封装。在图5所示实施例中,通光孔103的两端分别止于基底104和封装层105之间。在图6所示的实施例中,通光孔103可以延伸至基底104,且未穿透基底104。即基底104靠近电路层102的一侧设有凹孔106,且该凹孔106连通通光孔103,并与通光孔103同轴等径设置。其中,凹孔106和通光孔103同步成型,即可以在形成通光孔103时一并形成凹孔106,。基底104和封装层105一般采用透明材料制成,且基底104和封装层105的透光率一般不低于90%。
显示屏100可以为柔性OLED显示屏,基底104可以使用聚酰亚胺薄膜(PolyimideFilm,PI膜)制成,PI膜可以分两层制作,每一层的厚度大致上在8~10μm之间,两层PI膜之间可以设置一层无机薄膜,以阻止水汽等进入。其中,无机薄膜的材料包括但不限于Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx等中的一种或两种及以上的组合、用于增加阻水功能的无机功能材料。封装层105可通过薄膜封装(Thin-Film Encapsulation,TFE)制成。在其他实施方式中,显示屏100还可以为OLED硬屏,基底104可以使用玻璃基板制成,封装层105可以是玻璃封装层。
此外,本申请实施例还提供了一种显示屏的制作方法,以用于制作如前述实施例中所述的显示屏。基于前述实施例中的显示屏包括OLED柔性屏和OLED硬屏,因此针对不同屏幕提出相应的制作方法。
请参阅图7-12,图7是本申请一些实施例中OLED柔性屏的制作方法的流程示意图,图8-图12是图7实施例中制作方法对应的结构示意图,该制作方法大致包括如下步骤:
S701、提供一基板10,并在该基板10上形成基底膜20。其中,基底膜20可以为PI膜。基板10可以为硬质基板材料,例如玻璃基板、金属基板、石英基板或有机基板中的一种。硬质基板能够为贴附其上的基底膜20提供一个坚固而平坦的支撑面,使在基底膜20上形成的其它层状结构定位更加准确可靠。在本申请实施例中,基板10可以为玻璃基板,在该玻璃基板上涂覆粘结剂以形成粘结剂层,该粘结剂可以覆盖玻璃基板的整面区域,也可以在保证粘接效果的前提下,覆盖玻璃基板的部分区域。覆盖玻璃基板的部分区域可以减少粘结剂的用量,降低成本,也可以避免过量的粘结剂在挤压的过程中溢出,影响产品质量。其中,基底膜20可以为前述实施例中的基底。
具体地,通过玻璃基板上的粘结剂层,将基底膜20贴附于玻璃基板上。基底膜20贴附在粘结剂层上,使玻璃基板与基底膜20贴附在一起,即,在玻璃基板上形成基底膜20。当然,在其他实施方式中,也可以通过涂覆工艺直接在基板10上形成基底膜20。
S702、在基底膜20上依次形成隔离层30和走线层40。其中,隔离层30和走线层40共同形成前述实施例中的电路层102。
具体地,隔离层30用于隔离水汽及平坦化显示模组,采用绝缘材料制成。走线层40采用金属材料制成,用于信号传输。
例如,隔离层30可以包括SiNx-SiOx-a-Si结构层、SiNx-SiOx结构层、polymer(聚合物)结构层以及SiNi结构层。走线层40可以包括M1层、MC层和M3层,其中,M1层、MC层和M3层采用金属材料制成,例如,Mo、Ti、Al等。M1层、MC层和M3层可以通过物理气相沉积(Physical Vapour Deposition,PVD)、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)、原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)、脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)、准分子激光退火(Excimer Laser Annealing,ELA)、溅射沉积(Sputter Deposition)等工艺制成。
具体而言,隔离层30和走线层40间隔设置,例如,在基底膜20上通过准分子激光退火工艺形成SiNx-SiOx-a-Si结构层。接着在SiNx-SiOx-a-Si结构层上通过PVD制程形成M1层。在M1层上形成SiNx-SiOx结构层,在SiNx-SiOx结构层上通过PVD制程形成MC层。在MC层上依次形成SiNx-SiOx结构层和polymer结构层,改善弯折区弯折可靠性以及补偿厚度段差。在polymer结构层上镀上Ti/Al/Ti合金形成M3层。最后在M3层上依次形成SiNi结构层和polymer结构层,平坦化间隔形成的隔离层30和走线层40,达到平坦化电路层的目的。
S703、在电路层102远离基底膜20的一侧上依次形成阳极层50、发光层60以及阴极层70。其中,阳极层50、发光层60以及阴极层70共同形成前述实施例中的器件层101。通过蒸镀工艺在基底膜20上形成阳极层50,采用掩膜版通过构图工艺形成阳极层50的图形。通过光刻胶蚀刻工艺在阳极层50上形成发光层60。具体而言,在阳极层50上涂敷形成发光层60的材料,并在该材料上涂敷一层光刻胶,采用掩膜版对光刻胶进行曝光并进行显影,去除剩余的光刻胶,进而得到可以发出RGB三色光的发光层60。通过蒸镀工艺在发光层60上形成阴极层70。
其中,发光层60形成显示屏100的像素区域,即发光层60的发光材料在驱动电路的驱动下发光,进而实现显示屏100的显示效果。可以理解的,阳极层50的材料可以为透明导电金属氧化物,厚度为20-200nm。阴极层70的材料可以为透明导电金属氧化物,厚度为20nm-200nm。在本申请的一些实施例中,阳极层50的材料可以为ITO(即Indium Tin Oxide,氧化铟锡)或IZO(即IndiumZinc Oxide,氧化铟锌)。阴极层70的材料可以为IZO(即IndiumZinc Oxide,氧化铟锌)。
S704、利用蚀刻工艺形成多个贯穿于器件层101和电路层102的通光孔103,其中,通光孔103的分布区域可参考前述实施例的具体描述。例如,可以通过激光光刻、光刻胶蚀刻等工艺形成通光孔103。
进一步地,通光孔103可以蚀刻至基底膜20以在基底膜20上形成凹孔。通过蚀刻工艺蚀刻掉部分基底膜20以形成通光孔103的一部分。
S705、在阴极层70即器件层101背离电路层102的一侧上形成封装层80。可以通过薄膜封装(Thin-Film Encapsulation,TFE)工艺在阴极层70上形成封装层80。可以理解的,封装层80可以为前述实施例中的封装层105。
S706、分离基板10与基底膜20,即可得到如图5或者图6所示的OLED柔性显示屏100。其中,基底膜20即为前述实施例中的基底104。
需要说明的是,由于基板10与基底膜20通过粘结剂层连接,因此,可以根据粘结剂层的粘结剂的特性采用不同的分离方法,以实现基板10与基底膜20的分离。例如,本申请实施例中采用激光去除的方式去除基板10与基底膜20之间的粘结剂层,即,采用激光剥离的方式剥离基板10与基底膜20,达到分离基板10与基底膜20的目的。在其他实施例中,可以采用具有吸湿溶胀性质的粘结剂形成粘结剂层,具有吸湿溶胀性质的粘结剂能够在与水接触后发生吸湿溶胀,使得粘结剂的内部结构被破坏,结合力减弱,可以方便快速的将基板10与基底膜20剥离。
请参阅图13-17,图13是本申请一些实施例中OLED硬屏的制作方法的流程示意图,图14-图17是图13实施例中制作方法对应的结构示意图,该制作方法大致包括如下步骤:
S1301、提供一基板10a。其中,基板10a可以为硬质基板材料,例如玻璃基板、石英基板或有机基板中的一种。硬质基板能够为提供一个坚固而平坦的支撑面,使在基板10a上形成的其它层状结构定位更加准确可靠。在本申请实施例中,基板10a一般采用透明材料制成,且基板10a的透光率一般不低于90%,例如,基板10a可以为玻璃基板。其中,基板10a可以为前述实施例中的基底。
S1302、在基板10a上依次形成隔离层30和走线层40。其中,隔离层30和走线层40共同形成前述实施例中的电路层102。
具体地,隔离层30用于隔离水汽及平坦化显示模组,采用绝缘材料制成。走线层40采用金属材料制成,用于信号传输。
例如,隔离层30可以包括SiNx-SiOx-a-Si结构层、SiNx-SiOx结构层、polymer(聚合物)结构层以及SiNi结构层。走线层40可以包括M1层、MC层和M3层,其中,M1层、MC层和M3层采用金属材料制成,例如,Mo、Ti、Al等。M1层、MC层和M3层可以通过物理气相沉积(Physical Vapour Deposition,PVD)、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)、原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)、脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)、准分子激光退火(Excimer Laser Annealing,ELA)、溅射沉积(Sputter Deposition)等工艺制成。
具体而言,隔离层30和走线层40间隔设置,例如,在基板10a上通过准分子激光退火工艺形成SiNx-SiOx-a-Si结构层。接着在SiNx-SiOx-a-Si结构层上通过PVD制程形成M1层。在M1层上形成SiNx-SiOx结构层,在SiNx-SiOx结构层上通过PVD制程形成MC层。在MC层上依次形成SiNx-SiOx结构层和polymer结构层,改善弯折区弯折可靠性以及补偿厚度段差。在polymer结构层上镀上Ti/Al/Ti合金形成M3层。最后在M3层上依次形成SiNi结构层和polymer结构层,平坦化间隔形成的隔离层30和走线层40,达到平坦化电路层的目的。
S1303、在电路层102远离基板10a的一侧上依次形成阳极层50、发光层60以及阴极层70。其中,阳极层50、发光层60以及阴极层70共同形成前述实施例中的器件层101。通过蒸镀工艺在基板10a上形成阳极层50,采用掩膜版通过构图工艺形成阳极层50的图形。通过光刻胶蚀刻工艺在阳极层50上形成发光层60。具体而言,在阳极层50上涂敷形成发光层60的材料,并在该材料上涂敷一层光刻胶,采用掩膜版对光刻胶进行曝光并进行显影,去除剩余的光刻胶,进而得到可以发出RGB三色光的发光层60。通过蒸镀工艺在发光层60上形成阴极层70。
S1304、利用蚀刻工艺形成多个贯穿于器件层101和电路层102的通光孔103,其中,通光孔103的分布区域可参考前述实施例的具体描述。例如,可以通过激光光刻、光刻胶蚀刻等工艺形成通光孔103。
进一步地,通光孔103可以蚀刻至基板10a,以在基板10a上形成凹孔。通过蚀刻工艺蚀刻掉部分基板10a以形成通光孔103的一部分。
S1305、在阴极层70即器件层101背离电路层102的一侧上形成封装层80a。可以通过玻璃封装工艺在阴极层70上形成封装层80a,以得到OLED硬屏100。其中,封装层80a可以为前述实施例中的封装层105。
可以理解的,关于图6和图7实施例中关于显示屏100的具体结构特征可以参考前述实施例的具体描述,故在此不再进行赘述。
本申请实施例通过开设多个贯穿器件层和电路层的通光孔,配合第一显示区的像素密度小于第二显示区的像素密度,使得第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率。在本申请实施例中,第一显示区的透光率可达30%左右,相较于第一显示区的像素密度小于第二显示区的像素密度的技术方案,第一显示区的透光率的提升幅度大致为50%。
可以理解的,显示屏的发光元件一般包括层叠设置的阳极层、像素定义层以及阴极层,阳极层上形成有反射层,该反射层的反射率接近100%,目的是为了让像素定义层发出的光可以向电子设备外部传播,即显示屏的像素区域一般为不透光设计。另外,由于电路层中驱动电路的面积一般远大于器件层中的发光像素的面积,透过第一显示区的光线有很大一部分被电路层的驱动电路所遮挡而无法传导至摄像头等传感器。
基于此,申请人进一步提出可以通过降低第一电路区的驱动电路密度来提升第一显示区的透光率。即在不降低降低第一显示区的像素密度前提下,通过降低第一电路区的驱动电路密度来提升第一显示区的透光率。具体而言,结合参阅图18和图19,图18是本申请第二实施例中显示屏200的部分像素布局示意图,图19是图18实施例中显示屏200的部分截面结构示意图。显示屏200大致上可以包括第一显示区210和第二显示区220。其中,第一显示区210与第二显示区220的像素密度大体上相同。进一步地,第一显示区210的透光率不同于第二显示区的透光率。在本申请实施例中,第一显示区210复用为传感器设置区,即可以设置第一显示区210的透光率大于第二显示区220的透光率,以满足摄像头或者光学传感器等传感器的透光率要求。
其中,显示屏200大致包括层叠设置的器件层201和电路层202,器件层201背离电路层202的一侧为显示屏200显示面。器件层201和电路层202的具体特征可参考前述实施例中的器件层101和电路层102。
进一步地,器件层201包括第一器件区211和第二器件区212,第一器件区211对应于第一显示区210设置,第二器件区212对应于第二显示区220设置。电路层202包括第一电路区221和第二电路区222,第一电路区221对应于第一显示区210设置,第二电路区222对应于第二显示区220设置。换言之,第一器件区211层叠设置于第一电路区221的上方,第二器件区212层叠设置于第二电路区222的上方。
其中,第一器件区211包括第一像素区2111和第一透光区2112,第二器件区212包括第二像素区2121和第二透光区2122。第一像素区2111和第二像素区2121的像素密度大体上相同,第一电路区221的驱动电路密度小于第二电路区222的驱动电路密度,以使得第一透光区2112的透光率大于第二透光区2122的透光率。可以理解的,第一电路区221的驱动电路对应于第一像素区2111设置,以使得透过第一透光区2112的光线可以透过第一电路区221的驱动电路之间的缝隙。第二电路区222的驱动电路对应于第二像素区2121设置,以使得透过第二透光区2122的光线可以透过第二电路区222的驱动电路之间的缝隙。
具体而言,第一像素区2111包括多个子像素21111,该多个子像素被划分成多个子像素组,且一个子像素组电连接一个驱动电路。其中,每一个子像素组包括串联或者并联的至少两个子像素。在本申请实施例中,以每一个子像素组包括串联的至少两个子像素为例进行具体说明。
具体而言,子像素21111包括但不限于R像素(R1、R2、R3…)、G像素(G1、G2、G3…)、B像素(B1、B2、B3…)。例如,在其他实施例中,子像素21111还可以包括W像素。
进一步地,可以将多个子像素21111划分为多个子像素组,例如R组、G组、B组等。其中,R组至少包括两个子像素(R1、R2、R3…),G组至少包括两个子像素(G1、G2、G3…),B组至少包括两个子像素(B1、B2、B3…)。可以理解的,每一个子像素组中可以串联多个子像素,以形成子像素之间的导通,然后将子像素组中的一个子像素与驱动电路电连接,这样可以等比例的减少驱动电路。例如,每一个子像素组中可以串联3个子像素,3个子像素中的一个子像素与驱动电路电连接,这样可以大致减少2/3的驱动电路,以此来降低第一电路区221走线密度,提升第一透光区2112的透过率。
当然,在本申请的一些实施例中,可通过将第一电路区221的驱动电路全部设于第二电路区222,可以进一步提升第一透光区2112的透过率。如图19所示,第二电路区222中的部分驱动电路用于驱动第一器件区211的发光元件,第二电路区222中的另一部分驱动电路用于驱动第二器件区212的发光元件。例如,通过引线将第一像素区2111中的子像素引入到第二电路区222中并与第二电路区222中的驱动电路连接。
具体而言,第二电路区222中的部分驱动电路用于驱动第二像素区2121的发光像素,另一部驱动电路用于驱动第一像素区2111的发光像素。换言之,在第一电路区221不设驱动电路,使得透过第一透光区2112的光线基本都可以透过第一电路区221而传导至摄像头等传感器。申请人经过验证发现,即使将第一电路区221的驱动电路全部移至第二电路区222,第一显示区210的透光率也一般不超过20%。
基于此,申请人研究发现,可以通过在显示屏屏下开通光孔的方式进一步提升第一显示区的透光率,进而提升屏下传感器的工作性能。
在本申请实施例中,显示屏200开设有多个贯穿器件层201和电路层202的通光孔203,该多个通光孔203开设于第一透光区2112,并至第一透光区2112延伸至第一电路区221,且穿设于第一电路区221的驱动电路之间的缝隙或者穿设于第一电路区221,以此可以进一步提升第一透光区2112的通光量,从而提升第一透光区2112的透光率。其中,通光孔203的孔径一般为3-100μm,例如,通光孔203的孔径可以为3μm、4μm、5μm、6μm、58m、4μm、10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、80μm等。
本申请实施例通过设置第一电路区的驱动电路密度小于第二电路区的驱动电路密度,并在第一透光区开设多个贯穿器件层和电路层的通光孔,使得第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率。在本申请实施例中,第一显示区的透光率可达30%左右,相较于第一电路区的驱动电路密度小于第二电路区的驱动电路密度的技术方案,第一显示区的透光率大致提升50%。
可以理解的,本申请实施例还可以与前述第一实施例进行结合,不仅设置第一显示区的像素密度小于第二显示区的像素密度,还将第一电路区的驱动电路完全移至第二电路区,同时在第一透光区开设多个贯穿器件层和电路层的通光孔,可以进一步提升第一显示区的透光率。
进一步地,本申请实施例提供的显示屏200的制作方法大体上与第一实施例中显示屏100的制作方法类似,故不对显示屏200的制作方法进行重复描述。可以理解的,本申请实施例中关于显示屏200未尽详述的具体特征可参考第一实施例中的具体描述,本实施例不再赘述。
在第一实施例和第二实施例中,在第一显示区设置通光孔之前首先进行了一些提升第一显示区透光率的措施。例如,设置第一像素区的像素密度小于第二显示区的像素密度,和/或者,设置第一电路区的驱动电路密度小于第二电路区的驱动电路密度,以此来提升第一显示区的透光率。在上述基础上,进一步开设通光孔以进一步提升透光率。
申请人认为,如果不对第一显示区的像素密度以及驱动电路密度进行调整,是否也可以提升第一显示区的透光率。具体而言,请参阅图20,图20是本申请第三实施例中显示屏300的部分像素布局示意图。显示屏300大致上可以包括第一显示区和第二显示区,第一显示区与第二显示区的像素密度大体上相同。,第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率。在本申请实施例中,第一显示区复用为传感器设置区,即可以设置第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,以满足摄像头或者光学传感器等传感器的透光率要求。
如前述,显示屏300大致包括层叠设置的器件层和电路层,器件层背离电路层的一侧为显示屏300显示面。器件层和电路层的具体特征可参考前述实施例中的器件层和电路层。
第一器件区包括第一像素区3111和第一透光区3112,第二器件区包括第二像素区3121和第二透光区3122。第一像素区3111和第二像素区3121的像素密度大体上相同,第一电路区和第二电路区的驱动电路密度大体上相同。可以理解的,第一电路区的驱动电路对应于第一像素区3111设置,以使得透过第一透光区3112的光线可以透过第一电路区的驱动电路之间的缝隙。第二电路区的驱动电路对应于第二像素区3121设置,以使得透过第二透光区3122的光线可以透过第二电路区的驱动电路之间的缝隙。申请人研究发现,可以通过在显示屏屏下开通光孔的方式来提升第一显示区的透光率,进而提升屏下传感器的工作性能。
在本申请实施例中,显示屏300开设有多个贯穿器件层和电路层的通光孔303,该多个通光孔303开设于第一透光区3112,并至第一透光区3112延伸至第一电路区,且穿设于第一电路区的驱动电路之间的缝隙或者穿设于第一电路区,以此可以进一步提升第一透光区3112的通光量,从而提升第一透光区3112的透光率。
本申请实施例通过在第一透光区开设多个贯穿器件层和电路层的通光孔,使得第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率。进一步地,本申请实施例提供的显示屏300的制作方法大体上与第一实施例中显示屏100的制作方法类似,故不对显示屏300的制作方法进行重复描述。
可以理解的,本申请实施例中关于显示屏300未尽详述的具体特征可参考第一实施例和/第二实施例中的具体描述,本实施例不再赘述。本申请实施例中的第一实施例、第二实施例和第三实施例中的至少两个实施例可以相互结合,使得第一显示区得到较优的透光率,本申请实施例对上述三个实施例的具体结合方式不作具体限定。
本申请实施例还提供了一种电子设备,请结合参阅图21和图22,图21是本申请一些实施例中电子设备1000的结构示意图,图22是图21实施例中电子设备1000的部分结构拆分示意图。需要说明的是,本申请中的电子设备1000可以包括手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备等具有显示屏的电子设备。该电子设备大致上可以包括以下结构:显示屏组件1100、壳体1200以及传感器1300;该显示屏组件1100大致上可以包括显示屏500和显示屏盖板400。
可以理解的,在本申请部分实施例中,显示屏500可以采用有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)、有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,AMOLED)或者被动式有机电激发光二极管(Passivematrix OLED,PMOLED)制成。
具体而言,显示屏500包括第一显示区和第二显示区,第一显示区复用为传感器设置区。第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率。可以理解的,显示屏500可以为前述实施例中的显示屏。
进一步地,显示屏盖板400贴设于显示屏500的显示面,以对显示屏500进行保护,换言之,显示屏500指向显示屏盖板400的方向为显示屏组件1100的出光方向。壳体1200与显示屏组件1100的显示屏盖板400连接,并共同围设形成容置空间1001,显示屏组件1100的显示屏500以及传感器1300设于容置空间1001内,传感器1300对应于显示屏500的第一显示区设置,且设置于显示屏500远离显示屏盖板400的一侧。其中,显示屏盖板400可以为玻璃材质。
本申请实施例提供的电子设备,通过设置第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,使得显示屏具有符合摄像头或者光学传感器等传感器的透光率要求的显示区,以满足用户使用需求。
另外,本申请实施例还提供了一种移动终端设备,请参阅图23,图23是本申请另一些实施例中移动终端设备900的结构组成示意图,该移动终端设备900可以为手机、平板电脑、笔记本电脑以及可穿戴设备等,本申请实施例图示以手机为例。该移动终端设备900的结构大致上可以包括RF电路910、存储器920、输入单元930、显示单元940、传感器950、音频电路960、wifi模块970、处理器980以及电源990等。其中,RF电路910、存储器920、输入单元930、显示单元940、传感器950、音频电路960以及wifi模块970分别与处理器980连接;电源990用于为整个移动终端设备900提供电能。
具体而言,RF电路910用于接发信号;存储器920用于存储数据指令信息;输入单元930用于输入信息,具体可以包括触控面板931以及操作按键等其他输入设备932;显示单元940则可以包括显示面板941(即上述实施例中的显示屏)等;传感器950包括红外传感器、激光传感器等,用于检测用户接近信号、距离信号等;扬声器961以及传声器(或者麦克风)962通过音频电路960与处理器980连接,用于接发声音信号;wifi模块970则用于接收和发射wifi信号,处理器980用于处理移动终端设备的数据信息。关于显示屏的相关技术特征,请参阅上述显示屏实施例的相关描述,此处不再进行详细介绍。
需要说明的是,术语“包括”和“具有”以及他们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设置固有的其他步骤或单元。
以上所述仅为本申请的部分实施例,并非因此限制本申请的保护范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效装置或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (14)
1.一种显示屏,具有显示区域,其特征在于,所述显示区域包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率;其中,所述显示屏包括层叠设置的器件层、电路层以及多个贯穿所述器件层和所述电路层的通光孔,多个所述通光孔对应于所述第一显示区设置。
2.根据权利要求1所述的显示屏,其特征在于,所述器件层包括第一器件区和第二器件区,所述电路层包括第一电路区和第二电路区;所述第一器件区和所述第一电路区层叠设置,所述第二器件区和所述第二电路区层叠设置;所述第一器件区和所述第一电路区均对应于所述第一显示区设置,所述通光孔贯穿所述第一器件区和所述第一电路区。
3.根据权利要求2所述的显示屏,其特征在于,所述第一器件区包括第一像素区和第一透光区,所述第二器件区包括第二像素区和第二透光区;所述第一像素区的像素密度小于所述第二像素区的像素密度,所述第一透光区的透光率大于所述第二透光区的透光率,其中,所述通光孔开设于所述第一透光区。
4.根据权利要求3所述的显示屏,其特征在于,所述通光孔均匀分布于所述第一透光区。
5.根据权利要求2所述的显示屏,其特征在于,所述第一电路区的驱动电路密度小于所述第二电路区的驱动电路密度。
6.根据权利要求2所述的显示屏,其特征在于,所述第二电路区中的部分驱动电路用于驱动所述第一器件区的发光元件,所述第二电路区中的另一部分驱动电路用于驱动所述第二器件区的发光元件。
7.根据权利要求6所述的显示屏,其特征在于,所述第一器件区包括第一像素区和第一透光区,所述第一像素区中的子像素电连接所述第二电路区中的驱动电路。
8.根据权利要求1-7任一项所述的显示屏,其特征在于,所述显示屏还包括基底和封装层,所述器件层和所述电路层设于所述基底和所述封装层之间;所述基底设于所述电路层背离所述器件层的一侧,所述封装层封装于器件层背离基底的一侧。
9.根据权利要求8所述的显示屏,其特征在于,所述基底靠近所述电路层的一侧设有凹孔,所述凹孔连通所述通光孔;其中,所述凹孔与所述通光孔同步成型。
10.根据权利要求1-7所述的显示屏,其特征在于,所述通光孔的孔径为3-100μm。
11.根据权利要求1-7所述的显示屏,其特征在于,所述第一显示区复用为传感器设置区,以使得传感器能够透过所述第一显示区采集信号。
12.一种显示屏的制作方法,其特征在于,所述制作方法用于制作如权利要求1-11任一项所述的显示屏,所述制作方法包括:
提供一基底;
在所述基底上形成电路层;
在所述电路层上形成器件层;
形成多个贯穿所述器件层和所述电路层的通光孔;
在所述器件层上形成封装层。
13.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,所述形成多个贯穿所述器件层和所述电路层的通光孔的步骤包括:在所述基底靠近所述电路层的一侧形成凹孔,所述凹孔和所述通光孔同步成型。
14.一种电子设备,其特征在于,包括壳体、显示屏盖板、传感器以及权利要求1-11任一项所述的显示屏,所述壳体与所述显示屏盖板连接,并共同围设形成容置空间,所述显示屏以及所述传感器设于所述容置空间内;其中,所述传感器对应于所述显示屏的第一显示区设置。
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