CN114619028A - 一种金刚石/铜复合材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种金刚石/铜复合材料的制备方法,采用的振荡热压烧结方法,与无压熔渗法、放电等离子烧结法相比,具有能够制备出界面结合强度更高,热导率更高同时致密度更高的金刚石/铜复合材料。振荡压力相比于静态压力能够促进金刚石颗粒在烧结过程中发生颗粒重排现象,制备出的金刚石/铜复合材料中金刚石颗粒的分布更加均匀。
Description
技术领域
本发明涉及吸附剂的技术领域,具体而言,涉及一种金刚石/铜复合材料及其制备方法。
背景技术
在微电子封装技术中,电子封装材料是非常重要的组成部分,其是一种具有良好电绝缘性的基体材料,是集成电路的密封体。自1995年起芯片制造技术从500nm逐代提升,时至今日5 nm制备工艺已经成熟并走向量产化,集成电路的热流密度也随之提高。在20世纪90年代时,集成电路的热流密度仅为20~30 W/cm2,到了2008年时集成电路的热流密度接近100 W/cm2,而目前集成电路的热流密度已经超过1000 W/cm2,局部热点的热流密度甚至可以达到30000 W/cm2。研究表明,半导体芯片的工作温度每升高2℃,集成电路的性能与使用寿命就下降10%。对于芯片行业而言,高性能散热材料已成为阻碍芯片材料整体性能提升的关键。目前常用的芯片散热材料包括铝合金以铜,金属铜的导热系数为400 W/m·K,而铝合金的导热系数仅为236 W/m·K难以满足高速发展的芯片的散热需求,亟需开发全新的具有高导热性能的散热材料。
高效的散热材料不仅仅需要高的热导率,同时也要求与基体材料具有一致的热膨胀系数,良好的密封性和可加工性,以及较小的密度,这便对新材料的开发提出了更高要求。金刚石在已知的自然界物质中拥有最高的导热能力,其导热系数高达2300 W/m·K。但是金刚石材料难加工成型的特性限制了其大规模的应用,所以将金刚石颗粒与高导热金属铜复合的方法来克服各自材料的缺点,获得高热导率、热膨胀系数可控、密度低的理想散热材料。
发明内容
本发明正是基于上述技术问题至少之一,提出了一种金刚石/铜复合材料及其制备方法,本发明采用的振荡热压烧结方法,与无压熔渗法、放电等离子烧结法相比,具有能够制备出界面结合强度更高,热导率更高同时致密度更高的金刚石/铜复合材料。振荡压力相比于静态压力能够促进金刚石颗粒在烧结过程中发生颗粒重排现象,制备出的金刚石/铜复合材料中金刚石颗粒的分布更加均匀。
根据本发明实施例的第一个方面提出了一种金刚石/铜复合材料的制备方法,包括以下步骤:
将清洗后的金刚石与钨粉按照1:3的质量比混合后,在真空下按照10-20℃/min的升温速率至900-1050℃加热2-8h,真空度大于10-3Pa;降温后分离出平均粒度为120μm-150μm的镀钨金刚石;
将所述镀钨金刚石与铜粉进行球磨混合后,在真空下按照10℃/min的升温速率至800-1000℃并烧结30-90 min,真空度大于10-3Pa;其中所述镀钨金刚石为总体积10%-60%;烧结后冷却即可。
在一些实施例中,所述烧结压力为20-40MPa振荡压力,所述振荡压力的波形为正弦波。
在一些实施例中,所述金刚石颗粒平均粒度为125-150μm,所述钨粉的平均粒度为45-50μm。
在一些实施例中,所述金刚石与所述钨粉混合加热的温度为1050℃。
在一些实施例中,所述振荡压力频率为0.5-10Hz。
在一些实施例中,所述铜粉的平均粒度为10μm。
在一些实施例中,所述球磨中球料比为1:1。
在一些实施例中,所述金刚石利用10wt% NaOH溶液碱洗20-30min后再利用10wt%HCl溶液酸洗处理20-30min。
其中在实施例中使用10wt% NaOH溶液进行碱洗处理30min,除去金刚石表面有机物;然后使用10wt% HCl溶液进行酸洗处理30min,增加金刚石表面粗糙度。
根据本发明实施例的第二个方面提出了一种金刚石/铜复合材料,其采用上述任一项实施例中的制备方法制备获得,制备出的金刚石/铜复合材料中金刚石颗粒的分布更加均匀。
附图说明
图1为本发明实施例1提供的金刚石/铜复合材料烧结制度;
图2为本发明实施例1提供的镀钨金刚石颗粒的XRD图谱;
图3为本发明实施例1提供的金刚石/铜复合材料表面SEM图像;
图4为本发明实施例2提供的镀钨金刚石颗粒的SEM图像;
图5为本发明实施例2提供是金刚石/铜复合材料XRD图像。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点,下面结合具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是,本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施,因此,本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
实施例1
将表面进行除油和粗化处理后的金刚石颗粒与钨粉按照质量比1:3混合均匀,将混合粉体在真空条件下加热,1050℃保温8h,其中真空度保持在10-3Pa以上,升温速率10℃/min,最后分离出改性后的镀钨金刚石颗粒。
将表面改性后平均粒度为125μm镀钨金刚石颗粒按照50vol.%含量与平均粒度为10μm的铜粉混合均匀,将所得到的混合粉体进行烧结,烧结参数:压制压力30±5MPa的振荡压力,振荡波形为正弦波曲线,振荡频率为1Hz,烧结温度为850℃,升温速率10℃/min,保温时间为90min,烧结制度曲线如图1所示,烧结过程汇总真空度保持在10-3Pa以上,然后随炉冷却至室温,即可得到金刚石/铜复合材料。
本发明实施例采用真空热扩散的方法对金刚石颗粒进行表面镀钨改性处理。使用XRD对样品进行表征,结果如图2所示,由XRD数据可知,经过表面处理后金刚石的XRD衍射峰中具有明显的W峰、WC峰以及金刚石峰,这一结果说明经过表面处理后,金刚石表面形成了WC层与W层,金刚石表面形成的WC层与W层能够达到改善金刚石与铜基体之间的润湿性,提高金刚石和铜基体的结合强度和减小金刚石与铜之间的界面热阻。
本发明实施例相比于静态压力,振荡压力的引入能够促进金刚石的颗粒重排,提高金刚石与铜基体之间的结合性,制备出界面结合强度高,热导率高的金刚石/铜复合材料。图3是由振荡热压制备的金刚石/铜复合材料的表面SEM图像,由SEM图像可以看出,金刚石颗粒与铜基底之间具有优异的结合性能。
按照本实施例中的方法制备得到的金刚石/铜复合材料,致密度为99.7%,热导率可达到637W/(m·K)。
实施例2
将平均粒度为125μm的金刚石颗粒和平均粒度为45μm的钨粉按照质量比1:3混合均匀,将混合粉体置于氧化铝瓷舟中,再将瓷舟置于真空炉中加热,1050℃保温8h,其中真空度保持在10-3Pa以上,升温速率10℃/min,最后用分样筛分离出改性后的镀钨金刚石颗粒。图4为经过表面改性后的金刚石SEM图像,结合图2的XRD数据可知,经过8h的表面处理后,金刚石颗粒表面均匀包覆一层WC与W层。
将平均粒度为125μm的镀钨金刚石颗粒按照55vol.%的体积分数与平均粒度为10μm的铜粉混料,将所得到的混合粉体放入振荡热压烧结炉内进行烧结,烧结参数:压制压力30±10MPa, 振荡频率为1Hz,烧结温度为800℃,升温速率10℃/min,保温时间60min,烧结过程中真空度保持在10-3Pa以上,然后随炉冷却至室温,即可得到金刚石/铜复合材料。图5为该样品的XRD图像,由XRD数据可知,烧结过程中金刚石未出现碳化现象,铜基体也没有出现氧化现象。
按照本实施例中的制备得到的金刚石/铜复合材料,致密度为99.5%,热导率可达到612W/(m·K)。
实施例3
将平均粒度为125μm的金刚石颗粒和平均粒度为45μm的钨粉按照质量比1:3混合均匀,将混合粉体置于氧化铝瓷舟中,再将瓷舟置于真空炉中加热,1050℃保温4h,其中真空度保持在10-3Pa以上,升温速率10℃/min,最后用分样筛分离出改性后的镀钨金刚石颗粒。
将平均粒度为125μm的镀钨金刚石颗粒按照总体积60vol.%体积分数与平均粒度为10μm的铜粉混料,将所得到的混合粉体放入振荡热压烧结炉内进行烧结,烧结参数:压制压力30±4MPa, 振荡频率为1Hz,温度850℃,升温速率10℃/min,保温时间30min,烧结过程中真空度保持在10-3Pa以上,然后随炉冷却至室温,即可得到金刚石/铜复合材料。
按照本实施例中的工艺制备得到的金刚石/铜复合材料的致密度为98.9%,热导率为570 W/(m•K)。
实施例4
将平均粒度为125μm的金刚石颗粒和平均粒度为0.3μm的钨粉按照质量比1:3混合均匀,将混合粉体置于氧化铝瓷舟中,再将瓷舟置于真空炉中加热,1050℃保温2h,其中真空度保持在10-3Pa以上,升温速率10℃/min,最后用分样筛分离出改性后的镀钨金刚石颗粒。
将平均粒度为125μm的镀钨金刚石颗粒按照总体积40vol.%体积分数与平均粒度为10μm的铜粉混料,将所得到的混合粉体放入振荡热压烧结炉内进行烧结,烧结参数:压制压力30±1MPa, 振荡频率为1Hz,温度900℃,升温速率10℃/min,保温时间60min,烧结过程中真空度保持在10-3Pa以上,然后随炉冷却至室温,即可得到金刚石/铜复合材料。
按照本实施例中的工艺制备得到的金刚石/铜复合材料的致密度为97.6%,热导率为557(m•K)。
实施例5
将平均粒度为125μm的金刚石颗粒和平均粒度为45μm的钨粉按照质量比1:3混合均匀,将混合粉体置于氧化铝瓷舟中,再将瓷舟置于真空炉中加热,1050℃保温6h,其中真空度保持在10-3Pa以上,升温速率10℃/min,最后用分样筛分离出改性后的镀钨金刚石颗粒。
将平均粒度为125μm的镀钨金刚石颗粒按照55vol.%的体积分数与平均粒度为10μm的铜粉将所得到的混合粉体放入振荡热压烧结炉内进行烧结,烧结参数:压制压力30±2MPa, 振荡频率为2Hz,温度950℃,升温速率10℃/min,保温时间60min,烧结过程中真空度保持在10-3Pa以上,然后随炉冷却至室温,即可得到金刚石/铜复合材料。
按照本实施例中的工艺制备得到的金刚石/铜复合材料的致密度为97.2%,热导率为568W/(m•K)。
实施例6
将平均粒度为125μm的金刚石颗粒和平均粒度为45μm的钨粉按照质量比1:3混合均匀,将混合粉体置于氧化铝瓷舟中,再将瓷舟置于真空炉中加热,1050℃保温4h,其中真空度保持在10-3Pa以上,升温速率10℃/min,最后用分样筛分离出改性后的镀钨金刚石颗粒。
将镀钨金刚石颗粒按照总体积55vol.%的体积分数与平均粒度为10μm的铜粉将所得到的混合粉体放入振荡热压烧结炉内进行烧结,烧结参数:压制压力30±3MPa, 振荡频率为2Hz,温度850℃,升温速率10℃/min,保温时间30min,烧结过程中真空度保持在10-3Pa以上,然后随炉冷却至室温,即可得到金刚石/铜复合材料。
按照本实施例中的工艺制备得到的金刚石/铜复合材料的致密度为98.3%,热导率为522W/(m•K)。
实施例7
将平均粒度为125μm的金刚石颗粒和平均粒度为45μm的钨粉按照质量比1:3混合均匀,将混合粉体置于氧化铝瓷舟中,再将瓷舟置于真空炉中加热,1050℃保温6h,其中真空度保持在10-3Pa以上,升温速率10℃/min,最后用分样筛分离出改性后的镀钨金刚石颗粒。
将平均粒度为125μm的镀钨金刚石颗粒按照55vol.%的体积分数与平均粒度为10μm的铜粉混料,将所得到的混合粉体放入振荡热压烧结炉内进行烧结,烧结参数:压制压力30±3MPa,振荡频率为1Hz,温度1000℃,升温速率10℃/min,保温时间30min,烧结过程中真空度保持在10-3Pa以上,然后随炉冷却至室温,即可得到金刚石/铜复合材料。
按照本实施例中的工艺制备得到的金刚石/铜复合材料的致密度为95.6%,热导率为528 W/(m•K)。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
以上仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种金刚石/铜复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将清洗后的金刚石与钨粉按照1:3的质量比混合后,在真空下按照10-20℃/min的升温速率至900-1050℃加热2-8h,真空度大于10-3Pa;降温后分离出平均粒度为125-150μm镀钨金刚石;
将所述镀钨金刚石与铜粉进行球磨混合后,在真空下按照10℃/min的升温速率至800-1000℃并烧结30-90 min,真空度大于10-3Pa,其中所述镀钨金刚石为总体积10%-60%;烧结后冷却即可。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述烧结压力为20-40MPa振荡压力,所述振荡压力的波形为正弦波。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金刚石颗粒平均粒度为125-150μm,所述钨粉的平均粒度为45-50μm。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金刚石与所述钨粉混合加热的温度为1050℃。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述振荡压力频率为0.5-10Hz。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述铜粉的平均粒度为10μm。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述球磨中球料比为1:1。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金刚石利用10wt% NaOH溶液碱洗20-30min后再利用10wt% HCl溶液酸洗处理20-30min。
9.一种金刚石/铜复合材料,其特征在于,其采用如权利要求1-6任一项制备方法制备获得。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2073590C1 (ru) * | 1990-07-19 | 1997-02-20 | Институт сверхтвердых материалов им.В.Н.Бакуля АН Украины | Способ изготовления алмазосодержащего композиционного материала |
CN105865205A (zh) * | 2016-05-19 | 2016-08-17 | 西南交通大学 | 一种双向热压高温振荡烧结炉 |
CN107062891A (zh) * | 2017-04-13 | 2017-08-18 | 株洲新融利实业有限公司 | 一种振荡热压烧结炉 |
CN107916356A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-04-17 | 郑州大学 | 一种高导热的金刚石/铜复合材料的制备方法 |
CN110317987A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-10-11 | 合肥工业大学 | 一种高金刚石体积分数的金刚石/铜复合材料的制备方法 |
CN111020334A (zh) * | 2020-01-08 | 2020-04-17 | 郑州航空工业管理学院 | 一种高致密化钨铜难熔合金的制备方法 |
CN111304476A (zh) * | 2020-02-29 | 2020-06-19 | 郑州航空工业管理学院 | 一种抑制原始颗粒边界形成的细晶粉末高温合金的制备方法 |
CN112371986A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-02-19 | 宁夏荣华缘特种新材料有限公司 | 一种高硅铝合金电子封装材料的制备方法 |
WO2021153506A1 (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-05 | 日亜化学工業株式会社 | 複合材料の製造方法 |
CN113649571A (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-16 | 郑州航空工业管理学院 | 一种高硬度粉末高熵合金的制备方法 |
-
2022
- 2022-03-18 CN CN202210269498.6A patent/CN114619028A/zh active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2073590C1 (ru) * | 1990-07-19 | 1997-02-20 | Институт сверхтвердых материалов им.В.Н.Бакуля АН Украины | Способ изготовления алмазосодержащего композиционного материала |
CN105865205A (zh) * | 2016-05-19 | 2016-08-17 | 西南交通大学 | 一种双向热压高温振荡烧结炉 |
CN107062891A (zh) * | 2017-04-13 | 2017-08-18 | 株洲新融利实业有限公司 | 一种振荡热压烧结炉 |
CN107916356A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-04-17 | 郑州大学 | 一种高导热的金刚石/铜复合材料的制备方法 |
CN110317987A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-10-11 | 合肥工业大学 | 一种高金刚石体积分数的金刚石/铜复合材料的制备方法 |
CN111020334A (zh) * | 2020-01-08 | 2020-04-17 | 郑州航空工业管理学院 | 一种高致密化钨铜难熔合金的制备方法 |
WO2021153506A1 (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-05 | 日亜化学工業株式会社 | 複合材料の製造方法 |
CN111304476A (zh) * | 2020-02-29 | 2020-06-19 | 郑州航空工业管理学院 | 一种抑制原始颗粒边界形成的细晶粉末高温合金的制备方法 |
CN112371986A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-02-19 | 宁夏荣华缘特种新材料有限公司 | 一种高硅铝合金电子封装材料的制备方法 |
CN113649571A (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-16 | 郑州航空工业管理学院 | 一种高硬度粉末高熵合金的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
张建峰等: "新型功能复合材料", 28 February 2021, 河海大学出版社, pages: 208 * |
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