CN114600257A - 供体基板和使用该供体基板的led转移方法 - Google Patents

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Abstract

根据本公开的示例性实施方式的供体基板包括：基板；设置在所述基板的一个表面上的树脂层；所述树脂层上的多个第一突起；以及设置在所述基板的表面上的对准标记。因此，由于所述对准标记设置在所述基板的表面上，所以可以使由所述树脂层引起的对准标记的位置变化减少。

Description

供体基板和使用该供体基板的LED转移方法
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及具有提高的对准精度的供体基板和使用该供体基板的LED转移方法。
背景技术
在计算机监视器、电视机和移动电话中使用的显示装置包括自身发光的有机发光显示器(OLED)和需要单独光源的液晶显示器(LCD)。
这种显示装置正在应用于越来越多的领域，不仅包括计算机监视器和电视机，而且包括个人移动设备，因此，正在研究具有减小的体积和重量同时具有宽显示区域的显示装置。
近年来，作为下一代显示装置，包括发光二极管(LED)的显示装置已经受到关注。由于LED由无机材料而不是有机材料形成，因此与液晶显示器或有机发光显示器相比，LED具有优异的可靠性并且具有更长的寿命。另外，LED具有高发光速度、高发光效率和由于高耐冲击性的优异的稳定性，并且可以显示高亮度图像。
发明内容
技术问题
为了制造包括LED的显示装置，使用将在晶片上制造的LED转移到供体基板，然后将转移到供体基板的LED转移到显示装置的基板的工艺。
具体地，在将晶片的多个LED转移到供体基板的初次转移工艺中，在对准并结合晶片和供体基板之后，可以将多个LED转移到供体基板。在将多个LED从供体基板转移到显示面板的二次转移工艺中，在将显示面板和供体基板对准并结合之后，将多个LED转移到显示面板，从而完成显示装置的形成。
此时，为了对准供体基板和晶片，以及供体基板和显示面板，使用与将多个LED临时附接到多个突起相同的材料和相同的工艺在供体基板上形成对准突起，并且基于对准突起，可以使供体基板和晶片对准，并使供体基板和显示面板对准。然而，本公开的发明人已经认识到，由于在初次转移工艺和二次转移工艺中连续地使用供体基板，因此由于加工工艺中的外部冲击和摩擦，对准键可能被损坏或其位置可能变形。
另外，供体基板中使用的多个突起和对准突起可以由具有高透射率和粘弹性的聚合物形成，例如聚二甲基硅氧烷(PDMS)。例如，当对准突起由PDMS形成时，由于对准突起是通过涂覆和固化PDMS而形成的，因此对准突起的边缘没有清晰地形成，并且可以是圆形的并且不清晰地形成的。因此，本公开的发明人已经认识到这样的缺陷，即，由于对准突起的特性，对准突起的边缘有些不清晰，并且由于对准突起与周围的污渍混淆而难以识别对准突起。另外，当在处理设备中延迟对准突起的识别时，处理时间由此而增加，并且后续工艺也延迟，从而导致整个处理时间的不均匀分布。
因此，本公开的发明人已经发明了具有清晰的对比度和具有最小损伤和位置变形的对准标记的供体基板。
本公开要实现的目的是提供一种供体基板，其中，通过提高供体基板的对准标记与供体基板的剩余部件之间的对比度，可以容易地识别对准标记。
本公开要实现的另一个目的是提供一种包括对准标记的供体基板，其中，由于供体基板的重复使用和外部冲击而造成的损伤减少。
本公开要解决的另一个目的是提供一种包括对准标记的供体基板，使由于供体基板的树脂层的拉伸而引起的位置变形减少。
本公开要解决的另一个目的是提供一种供体基板，其能够通过容易地识别对准标记来减少LED转移期间的处理时间。
本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员可以通过以下描述清楚地理解上述未提及的其他目的。
技术方案
根据本公开的示例性实施方式的供体基板包括：基板；设置在所述基板的一个表面上的树脂层；所述树脂层上的多个第一突起；以及设置在所述基板的表面上的对准标记。因此，通过在所述基板的表面上设置所述对准标记，可以使由于所述树脂层引起的所述对准标记的位置变化减少。
根据本公开另一示例性实施方式的供体基板和使用该供体基板的LED转移方法包括：对准晶片和供体基板；以及将所述晶片上的多个LED转移到所述供体基板，其中，所述供体基板包括其上标记有对准标记的基板；所述基板上的树脂层；以及从所述树脂层突出的多个第一突起，其中，所述晶片和所述供体基板的对准是将所述供体基板的对准标记与所述晶片的对准键对准。因此，由于使用由显示所述对准标记的基板形成的供体基板，所以在LED转移期间可以容易地识别所述对准标记，并且可以使工艺延迟减少。
示例性实施方式的其他事项包括在详细说明书和附图中。
有益效果
根据本公开，对准标记与供体基板中的基板和树脂层之间的对比度增加，使得可以容易地识别所述对准标记。
根据本公开，所述对准标记直接形成在所述供体基板的基板上，从而使由于树脂层的拉伸而引起的对准标记的移动减少。
根据本公开，可以使由于所述供体基板的重复使用或外部冲击而对所述对准标记的损害减少。
根据本公开，容易识别所述供体基板的对准标记，因此可以使由于未识别对准标记而导致的工艺延迟减少。
根据本公开的效果不限于以上示例的内容，并且在本说明书中包括更多的各种效果。
附图说明
图1是根据本公开示例性实施方式的供体基板的平面图。
图2a是沿图1中的IIa-IIa'截取的横截面图。
图2b是沿图1中的IIb-IIb'截取的横截面图。
图3和图4是用于解释根据本公开示例性实施方式的供体基板和使用供体基板的LED转移方法的工艺流程图。
图5和图6是用于说明根据本公开示例性实施方式的LED转移方法的示意性工艺视图。
图7a至图7c是根据比较示例的供体基板的放大平面图。
图8是根据本公开另一示例性实施方式的供体基板的放大后视图。
图9是根据本公开又一示例性实施方式的供体基板的横截面图。
具体实施方式
通过参照在下文中详细描述的示例性实施例和附图，本公开的优势和特点以及实现这些优势和特点的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文中公开的示例性实施例，而是将被实现为各种形式。通过仅示例的方式来提供例示性实施例，使得本领域普通技术人员能够完全理解本公开所公开的内容和本公开的范围。因此，本公开将仅受所附权利要求的范围的限制。
附图中所例示的用于描述本公开的示例性实施例的形状、尺寸、比率、角度、数量等等仅仅是示例，并且本公开不限于此。相同的附图标记在整个说明书中通常表示相同的元件。进一步地，在本公开的下面的描述中，为了避免不必要地模糊本公开的主题，可以将已知相关技术的详细说明省略掉。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的术语一般是指允许添加其他组件，除非使用术语时用了“仅”这个词。除非另有明文规定，任何单数的引用都可以包括复数。
即使没有明确说明，组件也被解释为包括普通的误差范围。
当使用诸如“在……上面”、“在……上方”、“在……下面”和“靠近……”的术语来描述两个部件之间的位置关系时，除非使用这些术语时用了“紧接着”或“直接”这样的词，在该两个部件之间可以定位有一个或更多个部件。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可直接置于另一元件上或置于其之间。
尽管术语“第一”、“第二”等被用于描述各种组件，这些组件不受这些术语的约束。这些术语仅用于将一个组件与其他组件区分开。因此，下文提及的第一组件在本公开的技术概念中可以是第二组件。
相同的附图标记在整个说明书中通常表示相同的元件。
为了便于描述，示出了附图中所示的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开不限于示出的部件的尺寸和厚度。
本公开的各种实施例的特征可以部分地或全部地彼此粘附或组合，并且可以以技术上各种方式互锁和操作，并且这些实施例可以彼此独立地或相关联地执行。
在下文中，将参考附图详细描述根据本公开的示例性实施方式的供体基板和使用供体基板的LED转移方法。
图1是根据本公开示例性实施方式的供体基板的平面图。图2a是沿图1中的IIa-IIa'截取的横截面图。图2b是沿图1中的IIb-IIb'截取的横截面图。参照图1至图2b，根据本公开示例性实施方式的供体基板100包括基板110、粘合层120、树脂层130、多个第一突起131、多个第二突起132和对准标记160。
基板110被配置为支撑包括在供体基板100中的各种部件，并且可以由比树脂层130更刚硬的材料形成，以便使树脂层130的翘曲减小。例如，基板110可以形成为包括聚合物或塑料，并且可以由PC(聚碳酸酯)或PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)形成，但不限于此。
基板110包括转移区域110A和非转移区域110B。
转移区域110A是与树脂层130交叠的区域。转移区域110A被设置为与树脂层130、多个第一突起131和多个第二突起132交叠，并且转移区域110A可以支撑树脂层130、多个第一突起131和多个第二突起132。转移区域110A是多个LED被临时转移到的区域，并且可以被设置为在转移工艺期间与晶片或显示面板的至少一部分交叠。
同时，晶片是形成有多个LED的基板。形成在晶片上的多个LED被首次转移到供体基板100，并且供体基板100上的多个LED被二次转移到基板110，从而可以形成显示面板。这将在后面参照图3至图6进行详细描述。
非转移区域110B是向树脂层130的外部突出的区域。非转移区域110B是不与树脂层130交叠的区域。非转移区域110B是不设置多个LED的区域。识别图案140和方向图案150，而不是多个LED，可以设置在非转移区域110B中。
识别图案140是形成在非转移区域110B中以识别供体基板100的图案。可以通过使用提供给每个供体基板100的唯一识别图案140来管理多个供体基板100。识别图案140可以设置在基板110的上表面或后表面上，并且可以通过印刷方法或激光雕刻方法来形成。例如，识别图案140可以是由数字或字符组成的ID或条形码，但不限于此。同时，尽管在图1中识别图案140被示出为形成在供体基板100的右上侧上，识别图案140还可以不同地设置在非转移区域110B中，并且识别图案140的数量和布置不限于此。
方向图案150是形成在非转移区域110B中以区分供体基板100的方向的图案。例如，当将供体基板100放入处理设备中时，如果将供体基板100沿相反方向放置，则LED可能被转移到与设计位置不同的位置，或者可能发生缺陷。因此，方向图案150可以设置在任何一非转移区域110B中，以便区分供体基板100的方向。方向图案150可以通过印刷方法、激光雕刻方法等形成。例如，除了图1中所示的线性图案之外，方向图案150还可以由字符或图形形成。另外，除了印刷方法或激光雕刻方法之外，还可以通过对基板110的边缘进行倒角的方法来形成方向图案150，但不限于此。
树脂层130设置在基板110的一个表面上。设置在基板110的转移区域110A上的树脂层130可以支撑在转移工艺期间多个LED附接到的多个第一突起131。树脂层130可以由具有粘弹性的聚合物树脂形成，例如，树脂层130可由聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚乙二醇(PEG)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、环氧树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂等组成，但不限于此。
树脂层130包括有效区域(active region)130A和隔障区域130B。
有效区域130A是设置有多个第一突起131的区域。有效区域130A是其中设置有附接多个LED的多个第一突起131的区域，并且有效区域130A可以被设置为在转移工艺期间与晶片或显示面板的至少一部分交叠。
隔障区域130B是设置有多个第二突起132的区域。隔障区域130B是设置有用于使供体基板100的变形减少的多个第二突起132的区域，并且可以设置为围绕有效区域130A。
多个第一突起131设置在树脂层130的有效区域130A中。多个第一突起131是设置多个LED的突起，并且可以形成为从树脂层130的一个表面延伸。多个第一突起131可以与树脂层130一体地形成，并且可以以与树脂层130相同的方式由具有粘弹性的聚合物材料形成。例如，多个第一突起131可以由聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚乙二醇(PEG)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、环氧树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂等形成，但不限于此。
LED可以临时附接到多个第一突起131的上表面。具体地，形成在晶片上的多个LED可以被转移到多个第一突起131的上表面，并且多个LED可以保持其临时附接到多个第一突起131的上表面的状态，直到被转移到显示面板为止。
在这种情况下，多个第一突起131可以被设置为分别与显示面板的多个子像素相对应。例如，当多个LED被转移到显示面板时，多个LED被转移以与显示面板的多个相应子像素相对应。如果同时转移被转移到供体基板100的多个LED，则仅在供体基板100上的多个LED被设置为对应于多个相应子像素的情况下，可以将同时转移到显示面板的多个LED设置为对应于多个相应子像素。然而，多个第一突起131的布置和间隔可以根据设计而不同地改变，但不限于此。
多个第二突起132设置在树脂层130的隔障区域130B中。多个第二突起132是不设置多个LED并且被设置为使供体基板100的变形减少的突起，并且多个第二突起132可以形成为从树脂层130的一个表面延伸。多个第二突起132可以与树脂层130一体地形成，并且可以以与树脂层130相同的方式由具有粘弹性的聚合物材料形成。例如，多个第二突起132可以由聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚乙二醇(PEG)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、环氧树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂等形成，但不限于此。
多个第二突起132是用于使树脂层130和多个第一突起131由于在转移工艺期间施加到供体基板100的冲击造成的变形减少的突起。例如，在结合晶片和供体基板100之后，当将多个LED转移到供体基板100上时，在多个LED在供体基板100上移动的同时，可以对供体基板100施加冲击。当对供体基板100施加冲击时，树脂层130和多个第一突起131的位置或形状可能变形。此时，设置成围绕有效区域130A的多个第二突起132保持它们结合到晶片的状态，并且使树脂层130和多个第一突起131的变形减少。
在图1至图2b中，多个第一突起131和多个第二突起132被示出为具有相同的高度，但是多个第一突起131和多个第二突起132的高度可以彼此不同。例如，多个第一突起131的高度可以高于多个第二突起132的高度，并且多个第一突起131的高度可以低于多个第二突起132的高度，但是它们不限于此。
同时，在图1至图2b中，虽然将多个第一突起131和多个第二突起132示出为设置在树脂层130上，但是可以省略树脂层130，并且可以根据设计在基板110上仅设置多个第一突起131和多个第二突起132，但是它们不限于此。另外，可以根据设计仅设置多个第一突起131，并且可以省略多个第二突起132，但是它们不限于此。
另外，虽然在本文中已经描述了树脂层130、以及多个第一突起131和多个第二突起132一体地形成，但是树脂层130、以及多个第一突起131和多个第二突起132可以分开地形成，但是它们不限于此。
在图1至图2b中，多个第一突起131和多个第二突起132被示出为由具有四边形截面的柱形成，但是多个第一突起131和多个第二突起132可以由具有各种形状的柱形成，例如圆形、椭圆形和多边形截面，但是它们不限于此。
粘合层120设置在树脂层130和基板110之间。粘合层120将树脂层130和基板110彼此结合。粘合层120可以由具有粘合性质的材料形成，并且可以由例如光学透明粘合剂(OCA)、压敏粘合剂(PSA)等形成，但是不限于此。
然而，根据设计，可以省略粘合层120。例如，树脂层130可以通过在基板110上直接涂覆构成树脂层130的材料，然后固化该材料而形成。在这种情况下，由于即使没有设置粘合层120，也可以将树脂层130附接到基板110，因此根据设计，可以省略粘合层120，但不限于此。
对准标记160形成在与基板110的上述一个表面相对的表面上。对准标记160是用于使供体基板100与晶片或显示面板对准和平行化的部件。对准标记160可以通过在基板110的表面上印刷有色材料或通过激光雕刻(即，通过烧基板110的表面)来形成。另外，对准标记160可以通过在与基板110的上述一个表面相对的表面上布置具有优异反射率的材料(例如铬(Cr)、银(Ag)、银合金(Ag合金)、铝(Al)、铝合金(Al合金)、钼(Mo)或钛(Ti))的方法而形成，但不限于此。
同时，对准标记160在图1中示出为具有圆形形状，考虑到晶片的对准键的形状，除了圆形之外，对准标记160还可以形成为具有诸如十字形、环形和四边形的各种形状，但不限于此。
同时，基板110、粘合层120和树脂层130可以由具有至少高于供体基板100的对准标记160的透射率的材料而形成。当基板110、粘合层120和树脂层130由透射率高于对准标记160的透射率的材料形成时，可以容易地识别对准标记160。如果对准标记160的透射率与基板110、粘合层120和树脂层130的透射率相似，则可能难以识别对准标记160，并且也可能难以识别晶片的对准键。因此，通过形成不透明的对准标记160，可以增加对准标记160与供体基板100的剩余部件之间的对比度，并且可以容易地识别对准标记160。
在下文中，将参照图3至图6描述根据本公开示例性实施方式的供体基板100和使用供体基板100的LED转移方法。
图3和图4是用于说明根据本公开示例性实施方式的供体基板和使用供体基板的LED转移方法的工艺流程图。图5和图6是用于说明根据本公开示例性实施方式的LED转移方法的示意性工艺视图。具体而言，图3是示出将晶片200上的多个LED 210转移到供体基板100的初次转移工艺的流程图。图4是示出将供体基板100上的多个LED 210转移到显示面板的二次转移工艺的流程图。图5是用于说明对准晶片200和供体基板100的工艺的示意性截面图。图6是供体基板100相对于图1中的区域X处于晶片200和供体基板100对准的状态的后视图。
参照图3，在步骤S110中，将其上形成有多个LED 210的晶片200放入处理设备中。
一起参照图5，晶片200是其上形成有多个LED 210的基板。多个LED 210可以通过以下步骤形成：在晶片200上形成诸如GaN、InGaN等的构成多个LED 210的材料以生长晶体层、将晶体层切割成单独的芯片并在其上形成电极。晶片200可以由蓝宝石、SiC、GaN、ZnO等形成，但不限于此。
在这种情况下，在一个晶片200上，可以形成发射相同颜色的光的多个LED 210，或者也可以形成发射不同颜色的光的多个LED 210。
LED 210是当向其施加电压时发光的半导体元件。作为LED 210，存在发射红光、绿光、蓝光等的LED 210，并且LED 210的组合可以实现发射包括白色的各种颜色的光。
多个LED 210可以以诸如横向型、垂直型和倒装芯片型的各种结构形成。横向型LED包括横向设置在发光层的两侧上的n电极和p电极。垂直型LED包括设置在发光层上方和下方的n电极和p电极。倒装芯片型LED具有与横向型LED基本相同的结构，并且在横向型LED中，n电极和p电极横向地设置在发光层上方，而在倒装芯片型LED中，n电极和p电极横向地设置在发光层下方。
接下来，在步骤S120中，检查放置在处理设备中的晶片200上的对准键220。
一起参照图3和图5，对准键220设置在晶片200上。
晶片200的对准键220是用于当晶片200的多个LED 210被转移到供体基板100时与供体基板100匹配对准和平行度的标记。例如，通过将晶片200的对准键220与供体基板100的对准标记160对准，可以匹配晶片200和供体基板100的对准和平行度。
返回参照图3，可以检查放入处理设备中的晶片200的对准键220是否放置在正确的位置。如果晶片200的对准键220没有被检查，则其可以再返回到放置晶片200的步骤。如果晶片200的对准键220没有放置在正确的位置，则对准键220可能在后续工艺中与供体基板100不对准。因此，在检查晶片200的对准键220是否存在以及对准键220是否处于正确位置之后，可以执行下一工艺。
在步骤S130中将供体基板100放入处理设备中。当将供体基板100放入处理设备中时，可以基于供体基板100的方向图案150输入供体基板100。
接下来，在步骤S140中，检查放入处理设备中的供体基板100的对准标记160。具体地，如在检查晶片200的对准键220的步骤S120中，可以检查供体基板100的对准标记160是否放置在正确的位置。如果不检查供体基板100的对准标记160，则可以再返回放置供体基板100的步骤。当照原样使用其对准标记160未被检查的供体基板100时，难以匹配晶片200和供体基板100的对准和平行度，并且可能发生缺陷。因此，在检查供体基板100的对准标记160是否存在以及对准标记160是否处于正确位置之后，可以执行下一工艺。
此时，放置晶片200的步骤S110和检查对准键220的步骤S120、放置供体基板100的步骤S130和检查对准标记160的步骤S140的处理顺序可以顺序执行或同时执行，并且处理顺序不限于此。
接下来，在步骤S150中，将检查了对准键220的晶片200和检查了对准标记160的供体基板100进行对准。
一起参照图3和图5，在晶片200和供体基板100被设置为使得晶片200上的多个LED210和供体基板100的第一突起131彼此面对的状态下，晶片200和供体基板100的对准和平行度可以匹配。可以通过将晶片200的对准键220的中心与供体基板100的对准标记160的中心对准来使晶片200和供体基板100对准。然而，如果不清楚识别晶片200的对准键220或供体基板100的对准标记160，则可以通过返回到将晶片200和/或供体基板100放入处理设备中的步骤S110和S130来重新检查对准键220和对准标记160。
在这种情况下，通过将光学检查设备300设置在供体基板100和晶片200的外部，对准标记160和对准键220可以被光学检测和对准。例如，可以通过在供体基板100的外部设置诸如相机的光学检查设备300来检查供体基板100的对准标记160和晶片200的对准键220。然而，也可以通过将光学检查设备300设置在晶片200的外部而不是供体基板100的外部来检查供体基板100的对准标记160和晶片200的对准键220。
如上所述，供体基板100的基板110、粘合层120和树脂层130可以由透射率高于对准标记160的材料(即，基本上透明的材料)形成。因此，即使供体基板100的基板110、粘合层120和树脂层130设置在光学检查设备300和晶片200的对准键220之间，由于基板110、粘合层120和树脂层130基本上是透明的，所以即使在供体基板100外部的光学检查设备300中，也可以检查晶片200的对准键220。
在这种情况下，晶片200的对准键220可以由不透明材料形成，例如，具有优良反射率的材料，以便于对其进行识别。例如，对准键220可以由具有优异反射率的材料形成，例如铬(Cr)、银(Ag)、银合金(Ag合金)、铝(Al)、铝合金(Al合金)、钼(Mo)或钛(Ti)，或者可以是镀有这种材料的结构，但不限于此。
同时，可以使用透射方法或反射方法来检查对准标记160和对准键220。透射方法是检查与基板110的一个表面相对的表面上的对准标记160和晶片200的对准键220的方法，在供体基板100外部的光学检查设备300中，对准标记160和对准键220通过透明基板110、粘合层120和树脂层130可见，如图5中所示。反射方法是进一步设置光源向对准标记160和/或对准键220照射光，并且根据从对准标记160和/或对准键220反射的光检查对准标记160和/或对准键220的方法。在这种情况下，可以根据供体基板100的对准标记160和晶片200的对准键220的尺寸和材料来使用透射方法或反射方法。在图5中，为了便于描述，示出了使用透射方法，但不限于此。
参照图5和图6，当供体基板100的不透明对准标记160形成为填充其内部的边缘时，晶片200的对准键220可以具有大于供体基板100的对准标记160的尺寸。晶片200的对准键220的至少一部分可以设置为突出到供体基板100的对准标记160的外部。例如，供体基板100的对准标记160可以形成为黑色圆形，并且晶片200的对准键220可以具有比对准标记160的直径大的直径并且可以由在其中心形成有孔的圆环形状形成，例如圆环，使得其可以被设置为围绕供体基板100的对准标记160。然而，对准标记160和对准键220的形状不限于此。
如果与供体基板100的对准标记160对准的晶片200的对准键220具有小于对准标记160的尺寸，则晶片200的对准键可以被供体基板100的对准标记160覆盖。因此，在供体基板100外部的光学检查设备300中，可能难以检查被对准标记160覆盖的晶片200的对准键220的透射图像。因此，晶片200的对准键220可以具有大于供体基板100的对准标记160的尺寸，并且可以突出到对准标记160的外部。
然后，在将晶片200和供体基板100对准之后，在步骤S160中结合晶片200和供体基板100，并且在步骤S170中将晶片200上的多个LED 210转移到供体基板100。
晶片200和供体基板100可以结合，使得晶片200的多个LED 210和供体基板100的多个第一突起131彼此面对。另外，晶片200的多个LED 210的至少一部分可以被转移到供体基板100。在这种情况下，可以以各种方式执行LED 210从晶片200到供体基板100的转移。例如，可以将激光照射到多个LED 210中的LED 210上以将其转移到供体基板100，并且可以将激光照射到其上的LED 210从晶片200分离并粘附到供体基板100的多个第一突起131。将LED 210从晶片200转移到供体基板100的方法可根据设计而不同地改变，但不限于此。
在初次转移工艺中，在使用对准标记160和对准键220将供体基板100和晶片200对准并结合之后，晶片200的多个LED 210可以被转移到供体基板100。
在完成初次转移工艺之后，可以执行将供体基板100的多个LED 210再次转移到显示面板的基板的二次转移工艺，从而可以形成显示面板。
参照图4，在步骤S210中，将粘附有多个LED 210的供体基板100放入处理设备中，并且在步骤S220中检查供体基板100的对准标记160。
即使在将多个LED 210从供体基板100转移到显示面板的二次转移工艺中，也可以再次检查放置到处理设备中的供体基板100的对准标记160是否处于正确位置。在将多个LED 210从晶片200传送到供体基板100的初次转移工艺中或者在传输供体基板100的工艺中，可以检查对准标记160是否丢失以及对准标记160是否放置在正确的位置。
接下来，在步骤S230中，将显示面板放入处理设备中，并且在步骤S240中检查显示面板的对准键。
在显示面板中，设置显示元件和用于驱动显示元件的电路、线和组件，使得显示面板可以显示图像。在这种情况下，显示元件是多个LED 210，并且多个LED 210可以设置在多个子像素中并且显示图像。
包括薄膜晶体管、存储电容器、多条线、驱动器IC等的驱动电路可以形成在显示面板的基板上，以驱动多个LED 210中的每一个。在这种情况下，在二次转移工艺中使用的显示面板可以是形成有驱动电路的至少一部分的基板，但不限于此。
可以检查放置在处理设备中的显示面板的对准键是否放置在正确的位置。显示面板的对准键也是用于与供体基板100匹配对准和平行度的标记。在检查显示面板的对准键是否存在以及对准键是否处于正确位置之后，可以执行下一工艺。
接下来，在步骤S250中，对检查了对准标记160的供体基板100和检查了对准键的显示面板进行对准。
在供体基板100和显示面板被设置为使得显示面板和供体基板100上的多个LED210彼此面对的状态下，供体基板100和显示面板的对准和平行度可以匹配。可以通过将供体基板100的对准标记160与显示面板的对准键对准来对准供体基板100和显示面板。然而，如果难以识别供体基板的对准标记160或难以执行对准，则该工艺可以返回到将供体基板100再次放入处理设备中的步骤。
此时，与供体基板100和晶片200的情况一样，对准标记160和对准键可以从供体基板100的外部光学地进行检查和对准。供体基板100的对准标记160和显示面板的对准键可以通过将光学检查设备300(例如，相机)设置在供体基板100外部来检查。
同时，当对准供体基板100和显示面板时，可以使用与多个LED 210一起从晶片200转移的用于二次转移的对准键来代替供体基板100的对准标记160。用于二次转移的对准键与多个LED 210一起被转移到供体基板100上，并且可以用于将供体基板100和显示面板对准。然而，可以通过使用供体基板100的对准标记160而不是用于二次转移的对准键来将供体基板100和显示面板对准，并且供体基板100和显示面板的对准方法不限于此。
在将供体基板100和显示面板对准之后，在步骤S260中结合供体基板100和显示面板，并且在步骤S270中将供体基板100上的多个LED 210转移到显示面板。
供体基板100和显示面板可以结合，使得供体基板100的多个LED 210和显示面板彼此面对。另外，多个LED 210可以被转移以对应于多个相应的子像素。如上文参照图1至图2b所描述的，粘附有多个LED 210的多个第一突起131可以设置为对应于多个相应的子像素。因此，可以将一个供体基板100上的多个LED 210的至少一部分一次转移到显示面板上。因此，通过完成将多个LED 210从供体基板100到显示面板的基板的转移，可以形成显示面板。
常规地，在具有粘弹性的树脂层上形成对准突起以将供体基板和晶片或供体基板和显示面板对准。在这种情况下，对准突起可以以与多个第一突起和多个第二突起类似的方式由与树脂层相同的材料形成，并且因此对准突起可以与树脂层一体地形成。因此，对准突起可以由具有高透射率的材料形成，即，可以形成为基本上透明的。另外，由于构成对准突起的具有粘弹性的聚合物材料的特性，对准突起可以形成为具有圆形上表面，因此对准突起的边缘可能不清晰地形成。另外，在供体基板的传输或加工工艺中，对准突起可能容易因外部冲击而变形或损坏。因此，常规的供体基板的对准突起的边缘不清晰或可能容易变形或损坏，使得其位置可能改变，从而导致其中用于识别对准突起的处理时间增加或发生对准误差的缺陷。
在下文中，将参照图7a至图7c更详细地描述传统的对准突起。
图7a至图7c是根据比较示例的供体基板的放大平面图。图7a和图7b是在将供体基板和晶片对准的工艺期间的图像。图7c是供体基板的芯片突起的图像。与根据本公开示例性实施方式的供体基板相比，根据图7a至图7c的比较示例的供体基板具有设置有从树脂层突出的对准突起的结构，而不是在基板的一个表面的相对表面上形成对准标记。
参照图7a和图7b，当将供体基板和晶片对准时，识别晶片的对准键220a和220b以及供体基板的对准突起16a和16b，并且基于此，可以将晶片和供体基板对准。
在晶片的对准键220a和220b的情况下，对准键220a和220b由具有优良反射率的金属材料形成，使得可以清晰地看到其边缘。因此，光学检查设备300可以容易地识别晶片的对准键220a和220b，并且如图7a和图7b所示，可以沿着晶片的对准键220a和220b的边缘来标记指示线220aL和220bL。
同时，在供体基板的对准突起16a和16b的情况下，其边缘有些不清晰，并且可能容易与周围的污渍混淆。另外，当外力施加到供体基板的树脂层和对准突起16a和16b时，例如供体基板和晶片结合的情况，树脂层被拉伸，并且对准突起16a和16b的位置也可能变形或者对准突起16a和16b可能损坏。因此，由于对准突起16a和16b的边缘不清晰、对准突起16a和16b的位置变形及其损坏，难以识别光学检查设备300中的对准突起16a和16b。
例如，如图7a和图7b中所示，光学检查设备300无法识别对准突起16a和16b，从而可以确认沿着对准突起16a和16b的边缘的指示线没有被标记。
参照图7c，从树脂层突出的多个芯片突起31c设置在供体基板上，使得多个LED与对准突起16a和16b一起临时粘附。根据比较示例的供体基板的芯片突起31c具有与根据本公开示例性实施方式的供体基板100的第一突起131基本相同的构造。此时，多个芯片突起31c中的一些可能由于随着供体基板的重复使用而施加的外部冲击而损坏，并且可以看出其边缘变形，如图7c所示。此外，从树脂层突出的对准突起16a和16b可能像芯片突起31c一样由于外部冲击而部分地损坏和变形。因此，当对准突起16a和16b损坏时，可能难以识别光学检查设备300中的对准突起16a和16b。
因此，在根据本公开示例性实施方式的供体基板100中，对准标记160直接形成在基板110上，使得对准标记160由于树脂层130的拉伸或外部冲击而引起的变形可以减少。通常，在树脂层上形成由与树脂层相同的材料形成的对准突起16a和16b，从而将供体基板和晶片或供体基板和显示面板对准。然而，由于树脂层由具有粘弹性的聚合物材料形成，因此当外力施加到树脂层时，如在供体基板和晶片的结合工艺中，树脂层可能被挤压和拉伸。随着树脂层的拉伸，对准突起16a和16b的位置也改变，使得供体基板的对准精度可能降低。另外，当对准突起16a和16b由诸如树脂层的聚合物材料形成时，对准突起16a和16b可能由于外力等而容易变形或损坏。同时，在根据本公开示例性实施方式的供体基板100中，由于对准标记160直接形成在基板110上而不是树脂层130上，因此即使树脂层130被拉伸，对准标记160的位置也不会改变。并且，由于对准标记160通过印刷方法、激光雕刻方法或在基板110的表面上形成具有优异反射率的金属材料的方法而形成，因此与由常规聚合物材料形成的对准突起16a和16b相比，对准标记160不太可能变形或损坏。因此，在根据本公开示例性实施方式的供体基板100中，通过在基板110而不是树脂层130上形成对准标记160，可以使由于树脂层130的拉伸引起的对准标记160的变形减少，并且可以提高对准精度的程度。
在根据本公开示例性实施方式的供体基板100中，通过在基板110而不是树脂层130的表面上形成具有低透射率的对准标记160，可以增加对准标记160与供体基板100的剩余部件之间的对比度，并且可以容易地识别对准标记160。供体基板100包括基板110、设置在基板110的一个表面上的粘合层120、树脂层130、多个第一突起131和多个第二突起132、以及形成在与基板110的一个表面相对的表面上的对准标记160。在这种情况下，对准标记160可以被配置为具有比基板110、粘合层120和树脂层130的透射率低的透射率。例如，当通过打印方法形成对准标记160时，可以通过打印黑色墨水来形成对准标记160。同时，基板110、粘合层120和树脂层130可以由透射率高于对准标记160的材料(即，基本上透明的材料)形成。因此，可以提高对准标记160和供体基板100的剩余部件之间的对比度。因此，在初次转移工艺或二次转移工艺期间，可以容易地识别供体基板100的对准标记160，并且可以减少供体基板100的对准标记160未被识别的情况。在供体基板100的对准标记160未被识别的情况下，如图3和图4所示，可以返回到将供体基板100放入处理设备中的步骤，可能增加处理时间。另外，由于预处理被延迟，后处理也可能连续地延迟，并且分配给每个工艺的时间也可能是不平均的，这与设计的时间不同。因此，在根据本公开示例性实施方式的供体基板100中，通过形成透射率不同于供体基板100的剩余部件的透射率的对准标记160，可以增加对准标记160的识别率，并且也可以使处理时间的延迟减少。
在根据本公开示例性实施方式的供体基板100中，由于对准标记160形成在基板110的一个表面的相对表面上，因此对准标记160的制造方法和工艺的自由度高。具体地，粘合层120和树脂层130设置在基板110的一个表面上，并且基板110的所述一个表面的相对表面暴露于外部。另外，由于对准标记160形成在基板110的所述一个表面的相对表面上，在该相对表面上由于对准标记160暴露于外部而没有设置妨碍对准标记160的形成的部件，因此对准标记160的制造方法和工艺的自由度可以较高。例如，当在先前使用的供体基板100上另外形成对准标记160时，不需要执行诸如分离供体基板100等的工作，并且仅通过在供体基板100上执行印刷、照射激光等或涂覆具有优异反射率的材料就可以容易地形成对准标记160。因此，在根据本公开示例性实施方式的供体基板100中，由于对准标记160形成在基板110的一个表面的暴露于外部的相对表面上，因此可以使对准标记160的形成的障碍减少，并且对准标记160的制造方法和工艺的自由度可以较高。
图8是根据本公开另一示例性实施方式的供体基板的放大后视图。图8中的供体基板800与图1至图6的供体基板100不同之处仅在于对准标记860的形状方面，但是其其他构造基本相同，因此将省略重复的描述。
参照图8，供体基板800的对准标记860可以包括设置在其边缘内部的至少一个孔861。对准标记860可以形成为边缘的内部是空的形式。例如，供体基板800的对准标记860可以具有圆环形形状，该圆环形形状具有形成在其中心的孔861，如圆环。
当供体基板800的对准标记860包括一个或更多个孔861时，可以通过孔861来识别晶片200的对准键220’。晶片200的对准键220’的边缘可以设置在孔861内。例如，晶片200的对准键220’可以具有小于对准标记860的孔861的尺寸，并且可以设置在对准标记860的孔861内。
然而，即使当供体基板800的对准标记860包括一个或更多个孔861时，晶片200的对准键220’也可以具有大于如图6中所示的对准标记860的尺寸，并且可以形成为围绕对准标记860的环形，但是不限于此。
在根据本公开另一示例性实施方式的供体基板800中，可以考虑晶片200的对准键220’、显示面板的对准键或光学检查方法来不同地配置对准标记860的形状。供体基板800的对准标记860可以与晶片200的对准键220’或显示面板的对准键对准。在这种情况下，为了便于对准标记860与晶片200的对准键220’或显示面板的对准键的对准，可以不同地配置对准标记860的形状。例如，当晶片200的对准键220’形成为使得其内部具有不透明的圆形形状时，供体基板800的对准标记860可以形成为其中形成有孔861的圆形形状。另外，可以将晶片200和供体基板800对准，使得对准键220’设置在孔861内。因此，在根据本公开另一示例性实施方式的供体基板800中，通过考虑晶片200的对准键220’、显示面板的对准键或光学检查方法来形成对准标记860，可以促进供体基板800和晶片200以及供体基板800和显示面板的对准。
图9是根据本公开又一示例性实施方式的供体基板的横截面图。图9中的供体基板900与图1至图6的供体基板100不同之处仅在于对准标记960的布置方面，但是其其他构造基本相同，因此将省略重复的描述。
参照图9，对准标记960形成在基板110的一个表面上。对准标记960设置在基板110和粘合层120之间。形成在基板110的一个表面上的对准标记960可以被粘合层120和树脂层130覆盖。此时，由于粘合层120和树脂层130形成在基板110的形成有对准标记960的一个表面上，因此基板110的一个表面的上部可以被平坦化。
然而，即使当省略粘合层120时，由于构成树脂层130的材料被涂覆在基板110的形成有对准标记960的一个表面上，然后通过固化该材料来形成树脂层130，因此基板110的一个表面的上部也可以被平坦化。
在根据本公开另一示例性实施方式的供体基板900中，通过在基板110的将设置树脂层130的一个表面上形成对准标记960，可以使由于对准标记960引起的厚度均匀性的降低减少。对准标记960可以通过印刷方法、激光雕刻方法或在基板110的一个表面上形成具有优异反射率的材料的方法而形成。此时，当通过向基板110照射激光并执行雕刻的方法形成对准标记960时，在对准标记960中产生毛刺，使得基板110的一个表面不平坦并且可能是粗糙的。由于这种毛刺，可能减小基板110的平坦度，并且可能减小基板110的一个表面上的树脂层130的厚度均匀性，从而可能改变多个第一突起131和多个第二突起132的位置。另外，供体基板900与晶片200或供体基板900与显示面板之间的对准精度也会降低。同时，在根据本公开另一示例性实施方式的供体基板900中，粘合层120和/或树脂层130被涂覆并固化在基板110的形成有对准标记960的一个表面上，从而基板110的上部可以被平坦化。因此，在根据本公开的另一示例性实施方式的供体基板900中，粘合层120和/或树脂层130设置为覆盖对准标记960，从而可以提高树脂层130的厚度均匀性，并且可以提高转移工艺期间的对准精度，同时基板110的表面是平坦的。
在根据本公开另一示例性实施方式的供体基板900中，粘合层120和/或树脂层130可以设置为覆盖对准标记960，从而使对对准标记960的损坏减少。形成有对准标记960的供体基板900可以在初次转移工艺和二次转移工艺中重复使用。即，可以通过再利用供体基板900来执行第一转移工艺和第二转移工艺。在这样的处理工艺或传输工艺中，供体基板900可能与外部部件接触并引起划痕等。然而，在根据本公开另一示例性实施方式的供体基板900中，由于粘合层120和/或树脂层130设置为覆盖对准标记960，因此对准标记960可以不与外部部件接触。因此，根据本公开的另一示例性实施方式，由于粘合层120和/或树脂层130形成为覆盖供体基板900中的对准标记960，因此可以使由于重复使用供体基板900而引起的划痕等对准标记960的损坏减少。
本公开的示例性实施方式还能够进行如下描述：
根据本公开的一个方面，提供了一种供体基板。供体基板包括：基板；设置在所述基板的一个表面上的树脂层；所述树脂层上的多个第一突起；以及设置在所述基板的表面上的对准标记。
对准标记可以设置在与基板的一个表面相对的表面上。
对准标记可以设置在基板的一个表面上。
供体基板还可以包括设置在树脂层和基板之间的粘合层。对准标记可以与粘合层接触。
树脂层可以包括设置有多个第一突起的有效区域和围绕有效区域的隔障区域。供体基板还可以包括设置在隔障区域中的多个第二突起。
多个第二突起的高度可以与多个第一突起的高度相同。
对准标记可以设置在基板表面中除了与多个第一突起和多个第二突起交叠的部分之外的剩余部分上。
基板可以包括与树脂层交叠的转移区域和突出到树脂层外部的非转移区域。供体基板还可以包括设置在非转移区域上的识别图案和设置在非转移区域中的方向图案。
对准标记可以设置在转移区域中。
基板和树脂层可以由透明材料形成，对准标记可以由不透明材料形成。
根据本公开的另一方面，存在一种LED转移方法。LED转移方法包括将晶片和供体基板对准，以及将晶片上的多个LED转移到供体基板。供体基板包括标记有对准标记的基板、基板上的树脂层和从树脂层突出的多个第一突起。并且，晶片和供体基板的对准是将供体基板的对准标记与晶片的对准键对准。
对准标记可以设置为在基板的多个表面中与树脂层接触的表面上与树脂层交叠。
对准标记可以设置为在基板的多个表面中与和树脂层接触的表面相对的表面上与树脂层交叠。
基板和树脂层可以由透射率高于对准标记的透射率的材料形成。并且，晶片和供体基板的对准可以是光学地检查供体基板外部或晶片外部的对准标记和对准键。
对准标记的边缘可以与对准键的内部交叠。
对准标记可以包括至少一个孔，并且对准键的边缘可以与至少一个孔的内部交叠。
将多个LED转移到供体基板可以包括将多个LED转移到多个第一突起的上表面上。
供体基板还可以包括从树脂层突出的多个第二突起。在将多个LED转移到供体基板的工艺中，多个LED可以与多个第二突起间隔开。
LED转移方法还可以包括将转移了多个LED的供体基板和显示面板对准，以及将转移到供体基板的多个LED转移到显示面板。供体基板和显示面板的对准可以包括将供体基板的对准标记与显示面板的对准键对准。
虽然已经参考附图详细描述了本公开的示例性实施例，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术概念的情况下以许多不同的形式实现。因此，提供本公开的示例性实施例仅用于说明性目的，而不旨在限制本公开的技术概念。本公开的技术概念的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施例在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开。本公开的保护范围应当基于所附权利要求来解释，并且在其等效范围内的所有技术概念都应当被解释为落入本公开的范围内。

Claims (19)

1.一种供体基板，其包括：
基板；
树脂层，其设置在所述基板的一个表面上；
所述树脂层上的多个第一突起；以及
对准标记，其设置在所述基板的表面上。
2.根据权利要求1所述的供体基板，其中，所述对准标记设置在所述基板的与所述一个表面相对的表面上。
3.根据权利要求1所述的供体基板，其中，所述对准标记设置在所述基板的所述一个表面上。
4.根据权利要求3所述的供体基板，所述供体基板进一步包括：设置在所述树脂层和所述基板之间的粘合层，
其中，所述对准标记与所述粘合层接触。
5.根据权利要求1所述的供体基板，其中，所述树脂层包括：
有效区域，在该有效区域中设置有所述多个第一突起；以及
隔障区域，该隔障区域围绕所述有效区域，
其中，所述供体基板还包括设置在所述隔障区域中的多个第二突起。
6.根据权利要求5所述的供体基板，其中，所述多个第二突起的高度与所述多个第一突起的高度相同。
7.根据权利要求6所述的供体基板，其中，所述对准标记设置在所述基板的表面中除了与所述多个第一突起和所述多个第二突起交叠的部分之外的剩余部分上。
8.根据权利要求1所述的供体基板，其中，所述基板包括：
转移区域，其与所述树脂层交叠；以及
非转移区域，其突出到所述树脂层的外部，
其中，所述供体基板还包括：
识别图案，其设置在所述非转移区域上；以及
方向图案，其设置在所述非转移区域中。
9.根据权利要求8所述的供体基板，其中，所述对准标记设置在所述转移区域中。
10.根据权利要求1所述的供体基板，其中，所述基板和所述树脂层由透明材料形成，
其中，所述对准标记由不透明材料形成。
11.一种LED转移方法，其包括以下步骤：
将晶片和供体基板对准；以及
将所述晶片上的多个LED转移到所述供体基板，
其中，所述供体基板包括：
基板，在该基板上标记有对准标记；
树脂层，其位于所述基板上；以及
多个第一突起，其从所述树脂层突出，并且
其中，所述晶片和所述供体基板的对准步骤是将所述供体基板的所述对准标记与所述晶片的对准键对准。
12.根据权利要求11所述的LED转移方法，其中，所述对准标记设置为在所述基板的多个表面中与所述树脂层接触的表面上与所述树脂层交叠。
13.根据权利要求11所述的LED转移方法，其中，所述对准标记设置为在所述基板的多个表面中与和所述树脂层接触的表面相对的表面上与所述树脂层交叠。
14.根据权利要求11所述的LED转移方法，其中，所述基板和所述树脂层由透射率高于所述对准标记的透射率的材料形成，并且
其中，所述晶片和所述供体基板的对准步骤是从所述供体基板的外部或所述晶片的外部光学地检查所述供体基板的对准标记和所述晶片的对准键。
15.根据权利要求14所述的LED转移方法，其中，所述对准标记的边缘与所述对准键的内部交叠。
16.根据权利要求14所述的LED转移方法，其中，所述对准标记包括至少一个孔，并且
其中，所述对准键的边缘与所述孔的内部交叠。
17.根据权利要求11所述的LED转移方法，其中，将所述多个LED转移到所述供体基板的步骤包括将所述多个LED转移到所述多个第一突起的上表面上。
18.根据权利要求17所述的LED转移方法，其中，所述供体基板进一步包括：
多个第二突起，其从所述树脂层突出，
其中，在将所述多个LED转移到所述供体基板的步骤中，所述多个LED与所述多个第二突起间隔开。
19.根据权利要求11所述的LED转移方法，所述LED转移方法还包括以下步骤：
将转移了所述多个LED的所述供体基板与显示面板对准；以及
将转移到所述供体基板的所述多个LED转移到所述显示面板，
其中，所述供体基板和所述显示面板的对准步骤包括将所述供体基板的所述对准标记与所述显示面板的对准键对准。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111025799B (zh) * 2019-12-02 2021-07-27 苏州华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113345864B (zh) * 2021-06-07 2023-07-25 成都辰显光电有限公司 一种驱动背板以及微型发光二极管显示面板
CN113394137B (zh) * 2021-06-09 2023-04-18 成都辰显光电有限公司 微发光器件的转印装置、转印方法及显示面板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4536804B2 (ja) * 2008-06-27 2010-09-01 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクの製造方法
JP2010262891A (ja) * 2009-05-11 2010-11-18 Canon Inc エネルギービームを用いた転写法におけるドナー基板及び表示素子の製造方法
WO2013021985A1 (ja) * 2011-08-10 2013-02-14 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置用のアライメント装置及びアライメントマーク
US10224308B2 (en) * 2015-07-14 2019-03-05 Goertek, Inc. Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED
KR101956231B1 (ko) * 2017-11-20 2019-03-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

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