CN114582992B - 超掺杂硅太阳能电池及其制备方法、以及真空镀膜装置 - Google Patents
超掺杂硅太阳能电池及其制备方法、以及真空镀膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114582992B CN114582992B CN202210208038.2A CN202210208038A CN114582992B CN 114582992 B CN114582992 B CN 114582992B CN 202210208038 A CN202210208038 A CN 202210208038A CN 114582992 B CN114582992 B CN 114582992B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- super
- substrate
- doped silicon
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 140
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 133
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 133
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 56
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 47
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 37
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 27
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 25
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 24
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 claims description 12
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000012768 molten material Substances 0.000 claims description 3
- 238000003490 calendering Methods 0.000 claims description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 116
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/0288—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table characterised by the doping material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种超掺杂硅太阳能电池及其制备方法、以及真空镀膜装置，所述超掺杂硅太阳能电池包括金属栅线、超掺杂硅层、衬底、钝化层、定域浓硼重掺杂层和背面接触电极，其中，衬底的正面具有减反射绒面；超掺杂硅层设置在所述减反射绒面上，超掺杂硅层为金属或非金属超掺杂层，其表面为硅锥、硅粒或孔洞构成的超掺杂硅减反射层；金属栅线设置在超掺杂硅层上；氧化铝钝化层设置在衬底的背面，钝化层上设置有镂空的区域；定域浓硼重掺杂层设置在钝化层的镂空区域中且与衬底的背面接触；背面接触电极设置在钝化层的镂空区域中且与定域浓硼重掺杂层接触。本发明具有光谱吸收范围广、制作成本低、节约资源、器件稳定性高等优点。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能发电技术领域，具体来讲，涉及一种超掺杂硅太阳能电池及其制备方法、以及真空镀膜装置。
背景技术
硅基太阳能电池受限于其禁带宽度的限制，只能吸收波长小于1.1微米的太阳光，而对于波长大于1.1微米的太阳光则几乎完全透明。而这部分透过的近红外光占了太阳光谱能量近三分之一，这造成了太阳光谱能量的极大浪费。硅作为地壳中含量排名仅次于氧的元素，含量极为丰富，是人们应用最为成熟的半导体材料，目前世界上大部分的太阳能电池仍然是硅基太阳能电池，科研人员在如何减少硅基太阳能电池表面的反射上进行了大量的研究，制备了诸如减反射膜，表面的陷光结构等，但这都不能从根本上突破硅基电池的效率极限。
1998年哈佛大学Mazur教授团队发现他们利用飞秒激光在六氟化硫气氛中加工的硅，在0.2微米至2.5微米的范围内对光的吸收率均大于90％，极大的拓展了硅基材料的光吸收范围。由于该材料表现出极高的吸收率，表面呈现黑色外观，因此也被称为“黑硅”材料。研究发现，造成黑硅材料具有极高光谱吸收率和光谱吸收特性的原因主要有两个方面，一方面是因为飞秒激光对硅表面的烧蚀，使硅表面表现出准周期的尖锥结构，这种结构使得入射光在尖锥表面多次反射，并射向尖锥底部，极大地增加了硅表面的陷光性能，另一个方面是硅表层中引入了远大于硫在硅中固溶度的杂质浓度，即超掺杂，从而在硅的禁带中引入了杂质中间带，引发了亚带隙吸收效应，从而拓展了硅材料的光谱吸收范围。
传统的超掺杂方法包括杂质气体气氛中飞秒激光辐照方法、离子注入加脉冲激光退火方法、表面前驱体蒸镀加脉冲激光辐照方法和杂质-硅多层结构的预混薄膜加脉冲激光辐照方法。气体气氛中飞秒激光辐照方法并不适用于过渡金属元素的超掺杂且飞秒激光制备的超掺杂硅表面的方块电阻较大，不适合用来做器件；离子注入加脉冲激光退火方法所使用的设备价格昂贵，且注入深度有限、杂质纵向分布不均匀，不适用于较大深度的超掺杂，不适宜推广；表面前驱体蒸镀加脉冲激光辐照方法对杂质源的浪费较严重，且掺杂深度有限、不可控，超掺杂均匀性较差；这三种方法所制备的有效超掺杂硅层的厚度较浅，在300纳米左右，且都是直接在晶硅衬底上进行超掺杂硅层的制备，不能在非硅基半导体衬底上制备。杂质-硅多层结构的预混薄膜加脉冲激光辐照方法所制备的超掺杂材料的杂质分布不均匀，杂质激活率低且容易发生杂质偏析，对器件的稳定性影响较大。
发明内容
本发明的目的在于解决现有技术存在的上述不足中的至少一项。例如，本发明的目的之一在于提供一种具有光谱吸收范围广、制作成本低、节约资源、器件稳定性高超掺杂硅太阳能电池。又如，本发明的另一目的在于提供一种具有光谱吸收范围广、制作成本低、节约资源、器件稳定性高超掺杂硅太阳能电池的制备方法。
为了实现上述目的，本发明一方面提供了一种超掺杂硅太阳能电池，
所述超掺杂硅太阳能电池包括金属栅线、超掺杂硅层、衬底、钝化层、定域浓硼重掺杂层和背面接触电极，其中，
所述衬底的正面上具有减反射绒面；
所述超掺杂硅层设置在所述衬底正面的减反射绒面上，所述超掺杂硅层为金属或非金属超掺杂层，其表面为硅锥、硅粒或孔洞构成的超掺杂硅减反射层；
所述金属栅线设置在所述超掺杂硅层上；
所述钝化层设置在所述衬底的背面上，钝化层上设置有镂空的区域；
所述定域浓硼重掺杂层设置在所述钝化层的镂空区域中且与衬底的背面接触；
所述背面接触电极设置在所述钝化层的镂空区域中且与定域浓硼重掺杂层接触。
在本发明一方面的一个示例性实施例中，所述超掺杂硅层可具有显著的亚带隙红外吸收特性，对0.2微米至2.5微米的太阳光的吸收率可达90％以上。
在本发明一方面的一个示例性实施例中，所述太阳能电池还可包括背面铝背场，所述背面铝背场能够增强钝化层的钝化性能并吸除衬底杂质。
在本发明一方面的一个示例性实施例中，所述衬底可为导电类型为P型的多晶硅或单晶硅衬底，厚度可为4微米至400微米，所述减反射绒面的高度可为0.2微米至5微米，形状可为类金字塔；
所述金属可为过渡族金属深能级元素，非金属可为硫族深能级元素，所述钝化层可为氧化铝层。
本发明另一方面提供了一种超掺杂硅太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括步骤：
在衬底的正面上制备表面减反射绒面；
在衬底表面制备氧化层，蚀刻掉背面上的氧化层，保留正面上的氧化层；
在背面上制备带镂空区域的钝化层，在镂空区域制备定域浓硼扩散层，刻蚀掉衬底正面上的氧化层；在衬底正面蒸镀上金属或非金属与硅的预混薄膜，利用脉冲激光辐照金属或非金属和硅的预混薄膜，制备超掺杂硅层；
在超掺杂硅层上制备正面金属栅线，在背面钝化层上制备背面金属接触层。在本发明另一方面的一个示例性实施例中，
所述在反面上制备带镂空区域的钝化层，在镂空区域制备定域浓硼扩散层包括：
利用真空蒸镀方式，使用掩模版在衬底反面制备带镂空区域的氧化铝图案；
在带镂空区域的钝化层上进行定域浓硼扩散并刻蚀掉硼扩散面形成的硼硅玻璃。
在本发明另一方面的一个示例性实施例中，所述制备方法还可包括将制备好的太阳能电池结构进行电极退火的步骤。
在本发明另一方面的一个示例性实施例中，所述制备方法还可包括在正面金属栅线和超掺杂硅层上制备正面钝化层的步骤，所述正面钝化层为氮化硅层。
本发明的又一方面提供了一种共蒸发真空镀膜装置，所述镀膜装置可包括腔体以及设置在腔体中的公转盘转轴、公转盘、钼蒸发舟、电子枪、钨坩埚和真空抽气系统，其中，
所述公转盘水平设置在腔体的上部，公转盘转轴竖直设置，其一端和腔体的顶部可转动连接，另一端与公转盘上端面中心连接，衬底设置在公转盘的下端面上；
所述钼蒸发舟、电子枪、钨坩埚均设置在腔体的底部，其中，钨坩埚中装有金属或非金属熔融材料，电子枪发射的电子流能够进入钨坩埚中将金属或非金属材料蒸发产生气流，钼蒸发舟中装有硅粉；
所述真空抽气系统和腔体的底部相连以使腔体中保持预定真空度。
在本发明又一方面的一个示例性实施例中，所述钼蒸发舟可与钨坩埚呈左右对称设置，所述电子枪可设置在钼蒸发舟与钨坩埚之间；
钼蒸发舟的槽深可大于4毫米，采用热电阻加热使硅粉熔化。
与现有技术相比，本发明的有益效果可包括以下内容中至少一项：
(1)本发明制备的超掺杂硅太阳电池能吸收波长大于1.1微米的近红外光，解决了传统硅基太阳能电池受禁带宽度限制的问题，有效提升了光生电流，在传统太阳能电池的基础上提升了其红外光电转换效率；
(2)本发明制备的超掺杂硅太阳电池的制备方法对不同熔点的金属和非金属杂质均能适用，杂质源浪费较小，设备使用成本较低，适合大面积快速生长；
(3)本发明制备的超掺杂硅太阳电池的制备方法利用共蒸法制备的超掺杂硅层，制得的超掺杂硅层中的杂质分布均匀，杂质含量可在共蒸发时依需求调整，杂质激活率高，制作的太阳能电池器件的性能稳定；
(4)本发明制备的超掺杂硅太阳电池的制备方法能制备出纳米至微米级厚度可调的超掺杂硅薄膜，以满足载流子扩散进PN结区；
(5)本发明制备的超掺杂硅太阳电池的的衬底材料不受限制，可采用柔性材料。此外，晶体衬底可作为籽晶外延生长薄膜，有利于提高薄膜结晶性。
附图说明
图1示出了根据本发明一个示例性实施例的超掺杂太阳能电池的结构示意图；
图2示出了根据本发明一个示例性实施例的纳秒脉冲激光辐照杂质和硅的预混薄膜制备超掺杂硅层的示意图；
图3示出了根据本发明一个示例性实施例的共蒸发真空镀膜装置的结构示意图。
附图标记说明如下：1-1、腔体；1-2、公转盘转轴；1-3、公转盘；1-4、衬底；1-5、热电阻工作电流；1-6、钼蒸发舟；1-7、热电阻电极；1-8、电子枪；1-9、电子流；1-10、钨坩埚；1-11、蒸发物质气流；1-12、金属或非金属熔融材料；1-13、真空抽气系统；2-1、金属栅线；2-2、超掺杂硅层减反射层；2-3、超掺杂硅层；2-4、减反射绒面；2-5、衬底；2-6、定域浓硼重掺杂层；2-7、钝化层；2-8、背面接触电极；2-9、背面铝背场；3-1、扫描方向；3-2、纳秒脉冲激光束；3-3、金属或非金属和硅的预混薄膜；3-4、衬底。
具体实施方式
在下文中，将结合附图和示例性实施例来详细说明本发明的超掺杂硅太阳能电池及其制备方法、以及真空镀膜装置。
在本发明的第一示例性实施例中，如图1中所示，超掺杂硅太阳能电池包括金属栅线2-1、超掺杂硅层2-3、减反射绒面2-4、衬底2-5、钝化层2-7、定域浓硼重掺杂层2-6和背面接触电极2-8。其中，
在衬底2-5的正面(即图1中衬底的顶面，下同)上具有减反射结构构成的减反射绒面2-4。例如，衬底可以为硅基衬底，硅基衬底可为多晶硅或单晶硅衬底，硅基衬底的导电类型可为P型，厚度可为4微米至400微米。在衬底的正面上设置有0.2微米至5微米的类金字塔减反射结构构成的减反射绒面。这里，由于要形成PN结，衬底多为半导体材料。能与硅超掺杂层能带匹配、形成PN结的半导体材料都可以作为衬底材料，包括有机柔性半导体材料。
在本实施例中，超掺杂硅层2-3设置在衬底2-5正面上的减反射绒面2-4上，超掺杂硅层2-3可为金属或非金属与硅构成的超掺杂层。超掺杂硅层的表面可具有10纳米至10微米的硅锥、硅粒或孔洞构成的超掺杂硅层减反射层2-2，超掺杂硅层减反射层具有良好的减反射特性。同时，该超掺杂硅层还具有显著的亚带隙红外吸收特性，对0.2微米至2.5微米的太阳光的吸收率达90％以上。这里，超掺杂硅层通常先在衬底正面蒸镀上金属或非金属和硅的预混薄膜，再利用脉冲激光辐照金属或非金属和硅的预混薄膜，制备超掺杂硅层。然而，本发明不限于此，采用其它方法制备超掺杂硅层也可以。所述金属可为过渡族金属深能级元素，非金属可为硫族深能级元素。
金属栅线2-1设置在超掺杂硅层2-3上。这里，金属栅线的作用是收集并导出太阳能电池中被PN结分开的电子。太阳能电池要持续对对外输出电流，必须形成完整的回路，利用金属栅线和背面接触电极相连可形成完整的工作回路。
钝化层2-7设置在衬底2-5的背面(即图1中衬底的底面，下同)，在钝化层2-7上设置有将衬底底面裸露的镂空的区域。这里，所述钝化层可为氧化铝层。定域浓硼重掺杂层2-6设置在钝化层2-7的镂空区域中且与衬底2-5的背面接触。背面接触电极2-8的上端设置在钝化层2-7的镂空区域中且与定域浓硼重掺杂层2-6接触。
在本示例性实施例中，如图1中所示，所述太阳能电池还可包括背面铝背场2-9，所述背面铝背场2-9能够增强钝化层的钝化性能并吸除衬底的杂质。通过设置背面铝背场，进一步巩固氧化铝层的钝化性能并起到吸除衬底杂质的作用。此外，铝背场可充当光反射层，将到达衬底底部的入射光反射回去，从而实现二次吸收。这里，背面铝背场2-9上也设置有镂空区域，背面接触电极2-8穿过背面铝背场上的镂空区域进入钝化层2-7上的镂空区域中与定域浓硼重掺杂层2-6接触。在本示例性实施例中，所述衬底可为导电类型为P型的多晶硅或单晶硅衬底，厚度可为4微米至400微米，所述减反射结构的高度可为0.2微米至5微米，形状可为类金字塔。
在本发明的第二示例性实施例中，如图3中所示，共蒸发真空镀膜装置包括腔体1-1以及设置在腔体1-1中的公转盘转轴1-2、公转盘1-3、钼蒸发舟1-6、电子枪1-8、钨坩埚1-10和真空抽气系统1-13。
其中，公转盘1-3用于放置衬底1-4进行镀膜，公转盘1-3水平设置在腔体1-1的上部位置。公转盘转轴1-2竖直设置，其一端和腔体1-1的顶部可转动连接，另一端与公转盘1-3上端面中心固定连接，衬底1-4正面朝下设置在公转盘1-3的下端面上。
钼蒸发舟1-6、电子枪1-8、钨坩埚1-10均设置在腔体1-1的底部。其中，钨坩埚1-10中装有金属或非金属熔融材料1-12，电子枪1-8发射的电子流1-9能够进入钨坩埚1-10中将金属或非金属材料蒸发产生蒸发物质气流1-11，钼蒸发舟1-6中装有硅粉，钼蒸发舟1-6能够将硅粉蒸发产生硅气流。
真空抽气系统1-13和腔体1-1的底部相连以使腔体1-1中保持预定的真空度。
在本示例性实施例中，如图3中所示，所述钼蒸发舟1-6可与钨坩埚1-10可呈左右对称设置，钼蒸发舟1-6中产生的硅气流与钨坩埚1-10中产生的金属或非金属物质气流在腔体1-1中上升沉积到衬底1-4表面。这里，电子枪1-8可设置在钼蒸发舟1-6与钨坩埚1-10之间。
钼蒸发舟1-6的槽深可大于4毫米，采用热电阻电极1-7加热钼蒸发舟1-6使硅粉熔化产生气流。其中，热电阻工作电流1-5走向如图3中所示。
在本发明的第三示例性实施例中，超掺杂硅太阳能电池的制备方法可包括步骤：
在衬底正面制备表面减反射绒面即减反射层。
在衬底表面(主要是正面和背面)制备氧化层，蚀刻掉正面上的氧化层，保留背面上的氧化层。
在背面的钝化层上蚀刻出镂空区域，在镂空区域制备定域浓硼扩散层；
用化学试剂刻蚀掉硼扩散面的硼硅玻璃和另一面的原生氧化层。
在衬底正面蒸镀上金属或非金属与硅的预混薄膜，利用脉冲激光辐照金属或非金属和硅的预混薄膜，制备超掺杂硅层。
在超掺杂硅层上制备正面金属栅线，在背面钝化层上制备背面金属接触层。
在本示例性实施例中，所述在背面的钝化层上蚀刻出镂空区域，在镂空区域制备定域浓硼扩散层可包括：
先在钝化层上面涂覆光刻胶，利用掩模版对光刻胶进行曝光、刻蚀在钝化层上制备出镂空图案。再在钝化层上进行定域浓硼扩散，用化学试剂刻蚀掉硼扩散面的硼硅玻璃。
在本示例性实施例中，所述制备方法还可包括将制备好的太阳能电池结构进行电极退火的步骤。这里，通过电极退火能够使金属电极和半导体接触面之间形成金属-半导体合金并形成欧姆接触，从而保证了太阳能电池光生载流子的正常收集导出。
在本示例性实施例中，所述制备方法还可包括在正面金属栅线和超掺杂硅层上制备正面钝化层的步骤，所述正面钝化层为氮化硅层。这里，通过设置正面钝化层可以优化太阳能电池的性能。其主要作用是钝化超掺杂层表面，从而减少超掺杂层表面的电子复合损失。此外，氮化硅钝化层还起到了增透膜的作用，可增加进入电池的光子数，从而产生更大的输出电流。
下面结合图1-3阐述本发明超掺杂硅太阳能电池的制备方法，其具体步骤如下：
步骤1：将衬底放入硅酸钠、氢氧化钠和异丙醇溶液中于70℃至90℃的恒温水浴中刻蚀反应30分钟至60分钟进行硅衬底表面化学制绒，制备表面减反射层。
步骤2：将化学制绒好洗净后的衬底放入氧化炉中进行双面氧化，在衬底的正面和反面制备氧化层，氧气流量为0.5-1L/min，炉温为900-1100℃，氧化时间为30分钟至60分钟。
步骤3：借助光刻胶的保护，用8％-13％的氢氟酸溶液蚀掉衬底反面上的氧化层，刻蚀时间为5分钟至10分钟，刻蚀完后用去离子水冲洗干净并烘干，保留正面上的氧化层作为后续扩散流程中的杂质掩蔽层。
步骤4：利用电子束真空蒸镀方式进行，在反面上制备氧化铝钝化层，厚度为50纳米至150纳米，在钝化层上面涂覆光刻胶，利用掩模版对光刻胶进行曝光、刻蚀在钝化层上制备出镂空图案。无氧化铝区域为后续定域浓硼扩散的区域。
步骤5：利用氧化铝的掩蔽特性只在没有氧化铝的区域进行定域浓硼扩散，利用固态硼源在温度为800℃-1100℃的程控炉中进行，初始硼扩散通入进行氮气保护，扩散时间为15分钟至30分钟。再扩散时通入氧气生成氧化层防止杂质进入硅基体内部，再扩散时间为15分钟至30分钟。
步骤6：用8％-13％浓度的氢氟酸溶液，刻蚀掉蚀掉硼扩散面的硼硅玻璃和正面的原生氧化层，刻蚀时间为5分钟至10分钟，刻蚀完后用去离子水冲洗净并烘干。
步骤7：在非硼扩散的衬底3-4的制绒面上蒸镀金属或非金属和硅的预混薄膜3-3，金属或非金属和本征硅料共同蒸发同时利用热电阻蒸发镀膜和电子束蒸发镀膜的方式(如图2中所示)，在真空度小于2×10-3Pa后开始蒸镀，蒸镀的金属或非金属和硅按熔点的不同决定使用哪种方式进行蒸镀。难熔金属和硅共蒸镀膜时需利用热电阻蒸镀硅粉，利用电子束蒸镀难熔金属。热电阻蒸镀硅粉所用的蒸发舟为深槽压延钼蒸发舟(槽深大于4毫米，厚度大于0.5毫米，宽度大于20毫米)，钨蒸发舟易与硅形成合金而发生断裂。
步骤8：利用纳秒脉冲激光束3-2沿扫描方向3-1辐照金属或非金属和硅的预混薄膜(如图2中所示)，高能量密度的脉冲激光快速熔融预混薄膜后冷却结晶形成超掺杂硅层。
步骤9：利用电子束真空蒸镀在超掺杂硅层上制备正面银栅线，在氧化铝层上制备背面铝背场和铝接触电极，厚度为300纳米至1000纳米。
步骤10：利用电子束真空蒸镀在正面金属栅线上制备氮化硅钝化层，厚度为80纳米至100纳米，栅线引线部分需进行遮挡防止增加引线的接触电阻。
步骤11：将完成步骤10后的样品放入高温炉中进行双面电极退火，退火时需通氮气进行保护，防止电极高温下被氧化，退火温度为300℃至500℃，退火15分钟至30分钟后完成金属或非金属超掺杂硅太阳能电池的制作。
综上所述，本发明的有益效果可包括一下内容中至少一项：
(1)本发明制备的超掺杂硅太阳电池能吸收波长大于1.1微米的近红外光，解决了传统硅基太阳能电池受禁带宽度限制的问题，有效提升了光生电流，在传统太阳能电池的基础上提升了其红外光电转换效率；
(2)本发明制备的超掺杂硅太阳电池的制备方法对不同熔点的金属和非金属杂质均能适用，杂质源浪费较小，设备使用成本较低，适合大面积快速生长；
(3)本发明制备的超掺杂硅太阳电池的制备方法利用共蒸法制备的超掺杂硅层，制得的超掺杂硅层中的杂质分布均匀，杂质含量可在共蒸发时依需求调整，杂质激活率高，制作的太阳能电池器件的性能稳定；
(4)本发明制备的超掺杂硅太阳电池的制备方法能制备出纳米至微米级厚度可调的超掺杂硅薄膜，以满足载流子扩散进PN结区；
(5)本发明制备的超掺杂硅太阳电池的的衬底材料不受限制，可采用柔性材料。此外，晶体衬底可作为籽晶外延生长薄膜，有利于提高薄膜结晶性。
尽管上面已经结合附图和示例性实施例描述了本发明，但是本领域普通技术人员应该清楚，在不脱离权利要求的精神和范围的情况下，可以对上述实施例进行各种修改。
Claims (9)
1.一种超掺杂硅太阳能电池，其特征在于，所述超掺杂硅太阳能电池包括金属栅线、超掺杂硅层、衬底、钝化层、定域浓硼重掺杂层和背面接触电极，其中，
所述衬底的正面上具有减反射绒面；所述减反射绒面的高度为0.2微米至5微米，形状为类金字塔；
所述超掺杂硅层设置在所述衬底正面的减反射绒面上，所述超掺杂硅层为金属或非金属超掺杂层，其表面为具有10纳米至10微米的硅锥、硅粒或孔洞构成的超掺杂硅减反射层；所述金属为过渡族金属深能级元素，非金属为硫族深能级元素；
所述金属栅线设置在所述超掺杂硅层上；
所述钝化层设置在所述衬底的背面上，钝化层上设置有镂空的区域；
所述定域浓硼重掺杂层设置在所述钝化层的镂空区域中且与衬底的背面接触；
所述背面接触电极设置在所述钝化层的镂空区域中且与定域浓硼重掺杂层接触；
所述超掺杂硅层具有显著的亚带隙红外吸收特性，能够吸收波长大于1.1微米的近红外光，对0.2微米至2.5微米的太阳光的吸收率达90％以上；
所述超掺杂硅层通过先在衬底正面蒸镀上金属或非金属和硅的预混薄膜，再利用脉冲激光辐照金属或非金属和硅的预混薄膜的方法进行制备。
2.根据权利要求1所述的超掺杂硅太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括背面铝背场，所述背面铝背场能够增强钝化层的钝化性能并吸除衬底杂质。
3.根据权利要求1所述的超掺杂硅太阳能电池，其特征在于，所述衬底为导电类型为P型的多晶硅或单晶硅衬底，厚度为4微米至400微米，所述钝化层为氧化铝层。
4.一种超掺杂硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备权利要求1至3中任意一项所述的超掺杂硅太阳能电池，所述制备方法包括步骤：
在衬底的正面上制备表面减反射绒面；
在衬底表面制备氧化层，蚀刻掉背面上的氧化层，保留正面上的氧化层；
在背面上制备带镂空区域的钝化层，在镂空区域制备定域浓硼扩散层，刻蚀掉衬底正面上的氧化层；在衬底正面利用共蒸发真空镀膜装置蒸镀上金属或非金属与硅的预混薄膜，金属或非金属和硅共同蒸发并利用热电阻蒸发镀膜和电子束蒸发镀膜的方式，在真空度小于2×10-3Pa后开始蒸镀，难熔金属和硅共蒸镀膜时需利用热电阻蒸镀硅粉，利用电子束蒸镀难熔金属；利用脉冲激光辐照共蒸发真空镀膜装置的金属或非金属和硅的预混薄膜，制备超掺杂硅层；
在超掺杂硅层上制备正面金属栅线，在背面钝化层上制备背面金属接触层；
所述共蒸发真空镀膜装置包括钼蒸发舟，钼蒸发舟为深槽压延钼蒸发舟，钼蒸发舟的槽深大于4毫米，厚度大于0.5毫米，宽度大于20毫米，钼蒸发舟中装有硅粉，采用热电阻加热使硅粉熔化。
5.根据权利要求4所述的超掺杂硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在反面上制备带镂空区域的钝化层，在镂空区域制备定域浓硼扩散层包括：
利用真空蒸镀方式，使用掩模版在衬底背面制备带镂空区域的氧化铝图案；
在带镂空区域的钝化层上进行定域浓硼扩散并刻蚀掉硼扩散面形成的硼硅玻璃。
6.根据权利要求4所述的超掺杂硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括将制备好的太阳能电池结构进行电极退火的步骤。
7.根据权利要求4所述的超掺杂硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在正面金属栅线和超掺杂硅层上制备正面钝化层的步骤，所述正面钝化层为氮化硅层。
8.根据权利要求4所述的超掺杂硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述共蒸发真空镀膜装置还包括腔体以及设置在腔体中的公转盘转轴、公转盘、电子枪、钨坩埚和真空抽气系统，其中，
所述公转盘水平设置在腔体的上部，公转盘转轴竖直设置，其一端和腔体的顶部可转动连接，另一端与公转盘上端面中心连接，衬底设置在公转盘的下端面上；
所述钼蒸发舟、电子枪、钨坩埚均设置在腔体的底部，其中，钨坩埚中装有金属或非金属熔融材料，电子枪发射的电子流能够进入钨坩埚中将金属或非金属材料蒸发产生气流；
所述真空抽气系统和腔体的底部相连以使腔体中保持预定真空度。
9.根据权利要求8所述的超掺杂硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钼蒸发舟与钨坩埚呈左右对称设置，所述电子枪设置在钼蒸发舟与钨坩埚之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210208038.2A CN114582992B (zh) | 2022-03-04 | 2022-03-04 | 超掺杂硅太阳能电池及其制备方法、以及真空镀膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210208038.2A CN114582992B (zh) | 2022-03-04 | 2022-03-04 | 超掺杂硅太阳能电池及其制备方法、以及真空镀膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114582992A CN114582992A (zh) | 2022-06-03 |
| CN114582992B true CN114582992B (zh) | 2024-05-14 |
Family
ID=81772246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210208038.2A Active CN114582992B (zh) | 2022-03-04 | 2022-03-04 | 超掺杂硅太阳能电池及其制备方法、以及真空镀膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114582992B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105679653A (zh) * | 2016-01-27 | 2016-06-15 | 西南科技大学 | 硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法 |
| WO2017020690A1 (zh) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | 王能青 | 基于p型硅衬底的背接触式太阳能电池 |
| CN206907778U (zh) * | 2017-05-25 | 2018-01-19 | 晋能清洁能源科技有限公司 | 一种高效perc电池结构 |
| CN111816714A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-10-23 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池及其制备方法 |
| CN212676279U (zh) * | 2020-07-28 | 2021-03-09 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池 |
-
2022
- 2022-03-04 CN CN202210208038.2A patent/CN114582992B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017020690A1 (zh) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | 王能青 | 基于p型硅衬底的背接触式太阳能电池 |
| CN105679653A (zh) * | 2016-01-27 | 2016-06-15 | 西南科技大学 | 硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法 |
| CN206907778U (zh) * | 2017-05-25 | 2018-01-19 | 晋能清洁能源科技有限公司 | 一种高效perc电池结构 |
| CN111816714A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-10-23 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池及其制备方法 |
| CN212676279U (zh) * | 2020-07-28 | 2021-03-09 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114582992A (zh) | 2022-06-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5193058B2 (ja) | バックコンタクト太陽電池 | |
| US5627081A (en) | Method for processing silicon solar cells | |
| US20070295399A1 (en) | Back-Contact Photovoltaic Cells | |
| WO2024055475A1 (zh) | 一种联合钝化背接触电池及其制备方法 | |
| US20050189013A1 (en) | Process for manufacturing photovoltaic cells | |
| KR20090110022A (ko) | 레이저 어닐링을 이용한 태양전지의 선택적 에미터형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법 | |
| EP2662898B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| CN102222726A (zh) | 采用离子注入法制作交错背接触ibc晶体硅太阳能电池的工艺 | |
| WO2024032224A1 (zh) | 激光硼掺杂电池发射极的制备方法、以及电池和制备系统 | |
| KR101370126B1 (ko) | 탑햇 형태의 레이저 어닐링을 이용한 태양전지의 선택적에미터 형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법 | |
| CN108365022A (zh) | 选择性发射极黑硅多晶perc电池结构的制备方法 | |
| CN104300032A (zh) | 一种单晶硅太阳能离子注入工艺 | |
| CN112054086A (zh) | 一种具有横向结硅基光电探测器的制备方法 | |
| CN104362219A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池制造工艺 | |
| WO2012040917A1 (zh) | 一种浅结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103618025B (zh) | 一种晶体硅背结太阳能电池制备方法 | |
| CN114582992B (zh) | 超掺杂硅太阳能电池及其制备方法、以及真空镀膜装置 | |
| CN104064625A (zh) | 一种基于硅纳米锥晶体的全太阳光谱响应的太阳电池制备方法 | |
| JP2005136081A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN116387370A (zh) | P型背接触电池结构、制作方法及太阳能电池 | |
| Mondal et al. | Optimization and fabrication of rear surface passivated c-Si solar cells on 156 cm2 area with local point contacts made by microsecond-pulsed laser firing | |
| Simashkevich et al. | Efficient ITO-n Si solar cells with a textured silicon surface | |
| Tsuo et al. | High-flux solar furnace processing of silicon solar cells | |
| CN113257957B (zh) | 超掺杂硅薄膜太阳能电池及其制作方法 | |
| Zheng et al. | High-efficiency drift-field thin-film silicon solar cells by liquid-phase epitaxy and substrate thinning |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |