CN114582914A - 显示基板、显示面板及显示面板的制造方法 - Google Patents

显示基板、显示面板及显示面板的制造方法 Download PDF

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CN114582914A CN202210141406.6A CN202210141406A CN114582914A CN 114582914 A CN114582914 A CN 114582914A CN 202210141406 A CN202210141406 A CN 202210141406A CN 114582914 A CN114582914 A CN 114582914A
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赵永超
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TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
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Abstract

本申请公开了一种显示基板、显示面板及显示面板的制造方法,显示基板包括:驱动基板,包括相对设置的第一端和第二端;驱动焊盘,设置于驱动基板的第一端;多个微型发光二极管,阵列设置于驱动基板的第一端和第二端之间;封装层,设置于驱动基板上且覆盖微型发光二极管,封装层包括第一区域和第二区域;其中,封装层在第一区域的透过率小于在第二区域的透过率。本申请通过设置封装层在第一区域的透过率小于在第二区域的透过率,降低了近驱动焊盘端的封装层的透过率,提升了远驱动焊盘端的封装层的透过率,从而使得近驱动焊盘端的微型发光二极管的亮度和远驱动焊盘端的微型发光二极管均一,提升了显示亮度均一性。

Description

显示基板、显示面板及显示面板的制造方法
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示基板、显示面板及显示面板的制造方法。
背景技术
各大面板厂正在积极开发微型发光二极管显示面板(MinLED面板或MicroLED面板),微型发光二极管显示面板有望作为下一代显示面板的核心技术。
然而,微型发光二极管显示面板的驱动信号从驱动焊盘输入后,特别是大尺寸的微型发光二极管显示面板中,输入信号经过走线从近驱动焊盘端传递至远驱动焊盘端时,存在电压降(IRdrop)的问题,使得微型发光二极管显示面板近驱动焊盘端的亮度高,而远驱动焊盘端的亮度低,显示不均匀。
发明内容
本申请实施例提供一种显示基板、显示面板及显示面板的制造方法,可以解决微型发光二极管显示面板中由于电压降(IRdrop)的问题,所导致的近驱动焊盘端的亮度高,而远驱动焊盘端的亮度低,显示亮度不均的问题。
本申请实施例提供了一种显示基板,包括:
驱动基板,包括相对设置的第一端和第二端;
驱动焊盘,设置于所述驱动基板的所述第一端;
多个微型发光二极管,阵列设置于所述驱动基板的所述第一端和所述第二端之间,所述驱动焊盘电连接所述微型发光二极管;
封装层,设置于所述驱动基板上且覆盖所述微型发光二极管,所述封装层包括第一区域和第二区域,所述第一区域位于所述第一端靠近所述第二端的一侧,且与所述第一端相邻,所述第二区域位于所述第二端靠近所述第一端的一侧,且与所述第二端相邻;
其中,所述封装层在所述第一区域的透过率小于在所述第二区域的透过率。
可选地,在本申请的一些实施例中,所述封装层还包括位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域,所述封装层在所述第一区域的透过率、在所述第三区域的透过率和在所述第二区域的透过率依次增大。
可选地,在本申请的一些实施例中,所述封装层包括封装本体材料和掺杂在所述封装本体材料内的黑色材料,所述黑色材料在所述封装层的所述第一区域的浓度大于所述黑色材料在所述封装层的所述第二区域的浓度。
可选地,在本申请的一些实施例中,所述封装层包括封装本体材料和掺杂在封装本体材料内的黑色材料,所述黑色材料在所述封装层的所述第一区域的浓度、所述黑色材料在所述封装层的所述第三区域的浓度和所述黑色材料在所述封装层的所述第二区域的浓度依次减小。
可选地,在本申请的一些实施例中,所述封装层包括封装本体层和设置于封装本体层上的油墨层,所述油墨层覆盖所述微型发光二极管,所述油墨层在所述封装层的所述第一区域的透过率、在所述封装层的所述第三区域的透过率和在所述封装层的所述第二区域的透过率依次增大。
可选地,在本申请的一些实施例中,所述油墨层在所述第一区域的厚度、在所述第三区域的厚度和在所述第二区域的厚度依次减小。
可选地,在本申请的一些实施例中,所述油墨层包括黑色材料,所述黑色材料在所述油墨层的所述第一区域的浓度、在所述油墨层的所述第三区域的浓度和在所述油墨层的所述第二区域的浓度依次减小。
相应的,本申请实施例还提供了一种显示面板,包括上述一项所述的显示基板,所述显示基板用作所述显示面板的背光,或所述显示基板的所述微型发光二极管用作所述显示面板的显示像素。
相应的,本申请实施例还提供了一种显示面板的制造方法,包括如下步骤:
步骤S100:提供一驱动基板,所述驱动基板上设置有驱动焊盘和多个微型发光二极管,所述驱动焊盘电连接所述微型发光二极管,所述驱动基板包括相对设置的第一端和第二端,所述驱动焊盘设置于所述驱动基板的所述第一端,所述微型发光二极管阵列设置于所述驱动基板上的所述第一端和所述第二端之间;
步骤S200:形成待封装层,提供一基底,在所述基底上形成所述待封装层的第一部位和第二部位,其中,所述待封装层的所述第一部位的透过率小于所述第二部位的透过率;
步骤S300:形成封装层,将所述待封装层转移至所述驱动基板上,以形成所述封装层,所述封装层覆盖所述微型发光二极管,其中,所述待封装层的第一部位形成所述封装层的第一区域,所述待封装层的第二部位形成所述封装层的第二区域,所述第一区域位于所述第一端靠近所述第二端的一侧,且与所述第一端相邻,所述第二区域位于所述第二端靠近所述第一端的一侧,且与所述第二端相邻。
可选地,在本申请的一些实施例中,在所述步骤S200中还包括:在所述基底上形成所述待封装层的第三部位,所述第三部位位于所述第一部位和所述第二部位之间,所述待封装层在所述第一部位的透过率、在所述第三部位的透过率和在所述第二部位的透过率依次增大;
在所述步骤S300中还包括:所述待封装层的第三部位形成所述封装层的第三区域,所述第三区域位于所述第一区域和所述第二区域之间,所述封装层在所述第一区域的透过率、在所述第三区域的透过率和在所述第二区域的透过率依次增大
本申请实施例中,提供了一种显示基板、显示面板及显示面板的制造方法,显示基板,包括:驱动基板,包括相对设置的第一端和第二端;驱动焊盘,设置于驱动基板的第一端;多个微型发光二极管,阵列设置于驱动基板的第一端和第二端之间,驱动焊盘电连接微型发光二极管;封装层,设置于驱动基板上且覆盖微型发光二极管,封装层包括第一区域和第二区域,第一区域位于第一端靠近第二端的一侧,且与第一端相邻,第二区域位于第二端靠近第一端的一侧,且与第二端相邻;其中,封装层在第一区域的透过率小于在第二区域的透过率。本申请通过设置封装层在第一区域的透过率小于在第二区域的透过率,降低了近驱动焊盘端的封装层的透过率,提升了远驱动焊盘端的封装层的透过率,从而使得近驱动焊盘端的微型发光二极管的亮度和远驱动焊盘端的微型发光二极管均一,可以解决微型发光二极管显示面板中由于电压降(IRdrop)的问题,所导致的近驱动焊盘端的亮度高,而远驱动焊盘端的亮度低的问题,提升了显示亮度均一性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种显示基板的第一种截面结构示意图;
图2为本申请实施例提供的一种显示基板的第二种截面结构示意图;
图3为本申请实施例提供的一种显示基板的第三种截面结构示意图;
图4为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程步骤的示意图;
图5为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第一种过程示意图;
图6为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第二种过程示意图;
图7为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第三种过程示意图;
图8为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第四种过程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供了一种显示基板,包括:驱动基板,包括相对设置的第一端和第二端;驱动焊盘,设置于驱动基板的第一端;多个微型发光二极管,阵列设置于驱动基板的第一端和第二端之间,驱动焊盘电连接微型发光二极管;封装层,设置于驱动基板上且覆盖微型发光二极管,封装层包括第一区域和第二区域,第一区域位于第一端靠近第二端的一侧,且与第一端相邻,第二区域位于第二端靠近第一端的一侧,且与第二端相邻;其中,封装层在第一区域的透过率小于在第二区域的透过率。本申请实施例还提供了包括前述显示基板的显示面板,以及显示面板的制造方法。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
实施例一
请参阅图1,图1为本申请实施例提供的一种显示基板100的第一种截面结构示意图。
本申请实施例提供了一种显示基板100,显示基板100包括驱动基板10、驱动焊盘40、多个微型发光二极管20、封装层30;驱动基板10包括相对设置的第一端11和第二端12;驱动焊盘40设置于驱动基板10的第一端11;多个微型发光二极管20阵列设置于驱动基板10的第一端11和第二端12之间,驱动焊盘40电连接微型发光二极管20;封装层30设置于驱动基板10上且覆盖微型发光二极管20,封装层30包括第一区域31和第二区域32,第一区域31位于第一端11靠近第二端12的一侧,且与第一端11相邻,第二区域32位于第二端12靠近第一端11的一侧,且与第二端12相邻;其中,封装层30在第一区域31的透过率小于在第二区域32的透过率。
具体地,驱动基板10上设置有驱动微型发光二极管20发光的走线、电路等结构,驱动基板10可以为现有技术中任一种阵列基板,驱动基板10的结构在此不再赘述。
具体地,驱动焊盘40为驱动基板10的外部信号输入端,驱动焊盘40电连接电路板(FPC或COF等)、集成电路。
具体地,微型发光二极管20可以为MinLED或MicroLED,但不限于此。
具体地,驱动基板10包括相对设置的第一端11和第二端12;驱动焊盘40设置于驱动基板10的第一端11,第一端11和第二端12可以为驱动基板10上两相对的边缘部位,或者第二端12还可以为驱动基板10的一个侧端。
具体地,封装层30包括第一区域31和第二区域32,第一区域31位于第一端11靠近第二端12的一侧,且与第一端11相邻;第二区域32位于第二端12靠近第一端11的一侧,且与第二端12相邻;封装层30还可以设置于其他部位,例如封装层30还可以设置于第二端12,此时第二端12可以为驱动基板10的一个侧端,为了便于说明本申请的发明精神,本申请实施例以覆盖微型发光二极管20的封装层30的部位进行说明,需要说明的是,封装层30的设置部位不仅仅限于本申请实施例中的设置方式。
在一些实施例中,封装层30包括封装本体材料和掺杂在封装本体材料内的黑色材料,黑色材料在封装层30的第一区域31的浓度大于黑色材料在封装层30的第二区域32的浓度。
具体地,黑色材料在封装层30的第一区域31的浓度大于黑色材料在封装层30的第二区域32的浓度,可以使得封装层30在第一区域31的透过率小于在第二区域32的透过率。
进一步地,掺杂在封装本体材料内的黑色材料可以包括炭黑、氧化钛黑、苯胺黑等材料中至少一种,但不限于此。
进一步地,封装本体材料可以包括环氧树脂、硅胶中至少一种,但不限于此。
具体地,第一区域31为近驱动焊盘端,第二区域32为远驱动焊盘端。
在本实施例中,通过设置封装层在第一区域的透过率小于在第二区域的透过率,降低了近驱动焊盘端的封装层的透过率,提升了远驱动焊盘端的封装层的透过率,从而使得近驱动焊盘端的微型发光二极管的亮度和远驱动焊盘端的微型发光二极管均一,可以解决微型发光二极管显示面板中由于电压降的问题,所导致的近驱动焊盘端的亮度高,而远驱动焊盘端的亮度低,提升了显示亮度均一性。
实施例二
本实施例与实施例一相同或相似,不同之处在于封装层30还包括第三区域33。
请参阅图2,图2为本申请实施例提供的一种显示基板100的第二种截面结构示意图。
在本申请实施例中,封装层30还包括位于第一区域31和第二区域32之间的第三区域33,封装层30在第一区域31的透过率、在第三区域33的透过率和在第二区域32的透过率依次增大。
具体地,封装层30的第一区域31和第二区域32之间至少包括第三区域33。
进一步地,封装层30的第三区域33和第二区域32之间还可以包括第四区域,封装层30在第一区域31的透过率、在第三区域33的透过率、在第四区域的透过率和在第二区域32的透过率依次增大。
进一步地,封装层30的第四区域和第二区域32之间还可以包括第五区域,封装层30在第一区域31的透过率、在第三区域33的透过率、在第四区域的透过率、在第五区域的透过率和在第二区域32的透过率依次增大。
进一步地,封装层30的第一区域31和第二区域32之间可以包括多个区域,且从第一区域31指向第二区域32的透过率依次增大。
在一些实施例中,封装层30包括封装本体材料和掺杂在封装本体材料内的黑色材料,黑色材料在封装层30的第一区域的浓度、黑色材料在封装层30的第三区域33的浓度和黑色材料在封装层30的第二区域32的浓度依次减小。
具体地,通过设置黑色材料在封装层30的第一区域的浓度、黑色材料在封装层30的第三区域33的浓度和黑色材料在封装层30的第二区域32的浓度依次减小,可以实现封装层30在第一区域31的透过率、在第三区域33的透过率和在第二区域32的透过率依次增大。
进一步地,当封装层30的第一区域31和第二区域32之间包括多个区域,可以设置从第一区域31指向第二区域32的黑色材料的浓度依次减小,从而实现从第一区域31指向第二区域32的透过率依次增大。
在本实施例中,通过设置封装层30在第一区域31的透过率、在第三区域33的透过率和在第二区域32的透过率依次增大,降低了近驱动焊盘端的封装层的透过率,提升了远驱动焊盘端的封装层的透过率,从而使得近驱动焊盘端的微型发光二极管的亮度和远驱动焊盘端的微型发光二极管均一,可以解决微型发光二极管显示面板中由于电压降的问题,所导致的近驱动焊盘端的亮度高,而远驱动焊盘端的亮度低的问题,提升了显示亮度均一性。
相比于实施例一,本实施例中的封装层30的第一区域31和第二区域32之间至少包括第三区域33,可以进一步的提升显示亮度均一性。
实施例三
本实施例与上述实施例相同或相似,不同之处在于封装层30包括封装本体层301和油墨层302,通过设置油墨层302来实现封装层30的透过率的变化。
请参阅图3,图3为本申请实施例提供的一种显示基板100的第三种截面结构示意图。
在本实施例中,封装层30包括封装本体层301和设置于封装本体层301上的油墨层302,油墨层302覆盖微型发光二极管20,油墨层302在封装层30的第一区域31的透过率、在封装层30的第三区33域的透过率和在封装层30的第二区域32的透过率依次增大。
在本实施例中,封装层30包括封装本体层301和设置于封装本体层301上的油墨层302,封装本体层301在第一区域31、第三区域33和第二区域32的透过率相同,而油墨层302在封装层30的第一区域31的透过率、在封装层30的第三区33域的透过率和在封装层30的第二区域32的透过率依次增大,通过设置油墨层的透过率不同从而实现封装层30在第一区域31的透过率、在第三区域33的透过率和在第二区域32的透过率依次增大,也可以降低了近驱动焊盘端的封装层的透过率,提升了远驱动焊盘端的封装层的透过率,从而使得近驱动焊盘端的微型发光二极管的亮度和远驱动焊盘端的微型发光二极管均一,可以解决微型发光二极管显示面板中由于电压降的问题,所导致的近驱动焊盘端的亮度高,而远驱动焊盘端的亮度低的问题,提升了显示亮度均一性。
进一步的,为了使得油墨层302具有一定透光性,可以设置油墨层302的厚度小于或等于20微米。
在一些实施例中,油墨层302在第一区域31的厚度、在第三区域33的厚度和在第二区域32的厚度依次减小。
具体地,如图3所示,通过设置油墨层302在第一区域31的厚度、在第三区域33的厚度和在第二区域32的厚度依次减小,可以实现封装层30在第一区域31的透过率、在第三区域33的透过率和在第二区域32的透过率依次增大。
在一些实施例中,油墨层302包括黑色材料,黑色材料在油墨层302的第一区域31的浓度、在油墨层302的第三区域33的浓度和在油墨层302的第二区域32的浓度依次减小。
具体地,油墨层302包括黑色材料,此时油墨层302为黑色油墨。
具体地,通过设置黑色材料在油墨层302的第一区域31的浓度、在油墨层302的第三区域33的浓度和在油墨层302的第二区域32的浓度依次减小,可以实现封装层30在第一区域31的透过率、在第三区域33的透过率和在第二区域32的透过率依次增大。
进一步地,油墨层302中的黑色材料可以包括炭黑、氧化钛黑、苯胺黑等材料中至少一种,但不限于此。
在本实施例中,具有与上述实施例具有相同的有益效果,在此不再赘述。
实施例四
本实施例中,提供了一种显示面板,显示面板包括上述实施例中任一项的显示基板100,显示基板100用作显示面板的背光,或显示基板100的微型发光二极管20用作显示面板的显示像素。
具体地,在一些实施例中,显示面板包括显示基板100,显示基板100用作显示面板200的背光,显示基板100用作显示面板的背光中的部件,显示基板100的出光侧或封装层30远离驱动基板10的一侧还设置有显示面板本体,显示面板本体用于显示图像,显示基板100用作显示面板本体的光源。显示面板本体可以为液晶显示面板,液晶显示面板的类型在此不做限定,例如液晶显示面板可以为垂直配向型液晶显示面板(VA模式液晶显示面板)、边缘场开关型液晶显示面板(FFS模式或IPS模式液晶显示面板)、扭曲向列相型液晶显示面板(TN模式液晶显示面板)。
具体地,在一些实施例中,显示基板100的微型发光二极管20用作显示面板的显示像素,显示基板100直接显示图像。此时,微型发光二极管20可以包括发出不同颜色的光的第一LED芯片、第二LED芯片、第三LED芯片,例如第一LED芯片、第二LED芯片、第三LED芯片可以分别发出红光、绿光、蓝光,以使得显示面板能够显示彩色图像。
在本实施例的显示面板中,降低了近驱动焊盘端的封装层的透过率,提升了远驱动焊盘端的封装层的透过率,从而使得近驱动焊盘端的微型发光二极管的亮度和远驱动焊盘端的微型发光二极管均一,可以解决微型发光二极管显示面板中由于电压降的问题,所导致的近驱动焊盘端的亮度高,而远驱动焊盘端的亮度低的问题,提升了显示亮度均一性。
实施例五
请参阅图4至图8,图4为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程步骤的示意图;图5为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第一种过程示意图;图6为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第二种过程示意图;图7为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第三种过程示意图;图8为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第四种过程示意图。
本申请实施例提供了一种显示面板的制造方法,可以用于制造包括上述实施例中任一项显示基板100的显示面板。显示面板的制造方法包括制造步骤:步骤S100、步骤S200、步骤S300。
步骤S100:提供一驱动基板,驱动基板上设置有驱动焊盘和多个微型发光二极管,驱动焊盘电连接微型发光二极管,驱动基板包括相对设置的第一端和第二端,驱动焊盘设置于驱动基板的第一端,微型发光二极管阵列设置于驱动基板上的第一端和第二端之间。
具体地,如图5所示,提供一驱动基板10,驱动基板10上设置有驱动焊盘40和多个微型发光二极管20,驱动焊盘40电连接微型发光二极管20,驱动基板10包括相对设置的第一端11和第二端12,驱动焊盘40设置于驱动基板10的第一端11,微型发光二极管20阵列设置于驱动基板10上的第一端11和第二端12之间。
步骤S200:形成待封装层,提供一基底,在基底上形成待封装层的第一部位和第二部位,其中,待封装层的第一部位的透过率小于第二部位的透过率。
具体地,如图6所示,形成待封装层60,提供一基底50,在基底50上形成待封装层60的第一部位61和第二部位62,其中,待封装层60的第一部位61的透过率小于第二部位62的透过率。
步骤S300:形成封装层,将待封装层转移至驱动基板上,以形成封装层,封装层覆盖微型发光二极管,其中,待封装层的第一部位形成封装层的第一区域,待封装层的第二部位形成封装层的第二区域,第一区域位于第一端靠近第二端的一侧,且与第一端相邻,第二区域位于第二端靠近第一端的一侧,且与第二端相邻。
具体地,如图8、图1所示,形成封装层30,将待封装层60转移至驱动基板10上,以形成封装层30,封装层30覆盖微型发光二极管20,其中,待封装层60的第一部位61形成封装层30的第一区域31,待封装层60的第二部位62形成封装层30的第二区域32,第一区域31位于第一端11靠近第二端12的一侧,且与第一端11相邻,第二区域32位于第二端12靠近第一端11的一侧,且与第二端12相邻。
在一些实施例中,在步骤S200中还包括:在基底上形成待封装层的第三部位,第三部位位于第一部位和第二部位之间,待封装层在第一部位的透过率、在第三部位的透过率和在第二部位的透过率依次增大;在步骤S300中还包括:待封装层的第三部位形成封装层的第三区域,第三区域位于第一区域和第二区域之间,封装层在第一区域的透过率、在第三区域的透过率和在第二区域的透过率依次增大。
具体地,在一些实施例中,如图7所示,在步骤S200中还包括:在基底50上形成待封装层60的第三部位63,第三部位63位于第一部位61和第二部位62之间,待封装层60在第一部位61的透过率、在第三部位63的透过率和在第二部位62的透过率依次增大;在步骤S300中还包括:待封装层60的第三部位63形成封装层30的第三区域33,第三区域33位于第一区域31和第二区域32之间,封装层30在第一区域31的透过率、在第三区域33的透过率和在第二区域32的透过率依次增大。
具体地,如图8所示,在步骤S300中可以先将待封装层60从基底50上剥离,然后通过设备台70真空吸附待封装层60,并加热待封装层60,然后通过模压工艺使得待封装层60封装于驱动基板10上。
在一些实施例中,所述步骤S200包括步骤:步骤S210、步骤S220、步骤S230。
步骤S210:提供多个子衬底,在一子衬底上形成对应第一部位61的透过率的第一子待封装胶层,在另一子衬底上形成对应第二部位62的透过率的第二子待封装胶层。
步骤S220:将第一子待封装胶层按照第一区域31的尺寸切割,将第二子待封装胶层按照第二区域32的尺寸切割。
步骤S230:提供一基底50,将对应第一区域31尺寸的第一子待封装胶层,以及将对应第二区域32尺寸的第二子待封装胶层在基底50上拼接形成待封装胶层60。
容易理解的是,通过步骤S210也可以形成对应第三部位63的透过率的第三子待封装胶层;通过步骤S220也可以将第三子待封装胶层按照第三区域33的尺寸切割;通过步骤S220也可以拼接形成待封装胶层60,此时待封装胶层60包括第一部位61、第三部位63和第二部位62。
容易理解的是,第一部位61、第二部位62,或第一部位61、第三部位63和第二部位62的透过率设置,可以通过实施例一至实施例三中任一种方式实现。
以上对本申请实施例所提供的一种显示基板、显示面板及显示面板的制造方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示基板,其特征在于,包括:
驱动基板,包括相对设置的第一端和第二端;
驱动焊盘,设置于所述驱动基板的所述第一端;
多个微型发光二极管,阵列设置于所述驱动基板的所述第一端和所述第二端之间,所述驱动焊盘电连接所述微型发光二极管;
封装层,设置于所述驱动基板上且覆盖所述微型发光二极管,所述封装层包括第一区域和第二区域,所述第一区域位于所述第一端靠近所述第二端的一侧,且与所述第一端相邻,所述第二区域位于所述第二端靠近所述第一端的一侧,且与所述第二端相邻;
其中,所述封装层在所述第一区域的透过率小于在所述第二区域的透过率。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述封装层还包括位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域,所述封装层在所述第一区域的透过率、在所述第三区域的透过率和在所述第二区域的透过率依次增大。
3.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述封装层包括封装本体材料和掺杂在所述封装本体材料内的黑色材料,所述黑色材料在所述封装层的所述第一区域的浓度大于所述黑色材料在所述封装层的所述第二区域的浓度。
4.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述封装层包括封装本体材料和掺杂在封装本体材料内的黑色材料,所述黑色材料在所述封装层的所述第一区域的浓度、所述黑色材料在所述封装层的所述第三区域的浓度和所述黑色材料在所述封装层的所述第二区域的浓度依次减小。
5.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述封装层包括封装本体层和设置于封装本体层上的油墨层,所述油墨层覆盖所述微型发光二极管,所述油墨层在所述封装层的所述第一区域的透过率、在所述封装层的所述第三区域的透过率和在所述封装层的所述第二区域的透过率依次增大。
6.如权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述油墨层在所述第一区域的厚度、在所述第三区域的厚度和在所述第二区域的厚度依次减小。
7.如权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述油墨层包括黑色材料,所述黑色材料在所述油墨层的所述第一区域的浓度、在所述油墨层的所述第三区域的浓度和在所述油墨层的所述第二区域的浓度依次减小。
8.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至7任一项所述的显示基板,所述显示基板用作所述显示面板的背光,或所述显示基板的所述微型发光二极管用作所述显示面板的显示像素。
9.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S100:提供一驱动基板,所述驱动基板上设置有驱动焊盘和多个微型发光二极管,所述驱动焊盘电连接所述微型发光二极管,所述驱动基板包括相对设置的第一端和第二端,所述驱动焊盘设置于所述驱动基板的所述第一端,所述微型发光二极管阵列设置于所述驱动基板上的所述第一端和所述第二端之间;
步骤S200:形成待封装层,提供一基底,在所述基底上形成所述待封装层的第一部位和第二部位,其中,所述待封装层的所述第一部位的透过率小于所述第二部位的透过率;
步骤S300:形成封装层,将所述待封装层转移至所述驱动基板上,以形成所述封装层,所述封装层覆盖所述微型发光二极管,其中,所述待封装层的第一部位形成所述封装层的第一区域,所述待封装层的第二部位形成所述封装层的第二区域,所述第一区域位于所述第一端靠近所述第二端的一侧,且与所述第一端相邻,所述第二区域位于所述第二端靠近所述第一端的一侧,且与所述第二端相邻。
10.如权利要求9所述的显示面板的制造方法,其特征在于,在所述步骤S200中还包括:在所述基底上形成所述待封装层的第三部位,所述第三部位位于所述第一部位和所述第二部位之间,所述待封装层在所述第一部位的透过率、在所述第三部位的透过率和在所述第二部位的透过率依次增大;
在所述步骤S300中还包括:所述待封装层的第三部位形成所述封装层的第三区域,所述第三区域位于所述第一区域和所述第二区域之间,所述封装层在所述第一区域的透过率、在所述第三区域的透过率和在所述第二区域的透过率依次增大。
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