CN114561673A - 一种降低高温高延铜箔表面铜瘤的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种降低高温高延铜箔表面铜瘤的方法，该方法包括以下步骤：S1制备硫酸铜溶液；S2过滤硫酸铜溶液；S3向硫酸铜溶液中加入羟乙基纤维素；S4用生箔系统电解铜箔。该方法通过在电解液中加入铜箔添加剂‑羟乙基纤维素，通过合理的浓度配比利用羟乙基纤维素在高温对电解质的盐溶性，能够解决传统的高温高延性铜箔在电解生产的过程中极易出现铜瘤的问题，从而达到硫酸铜溶液中各种离子稳定性良好，降低了电解铜箔表面铜瘤的产生的目的。
Description
技术领域
本发明涉及电解铜箔技术领域，具体来说，涉及一种降低高温高延铜箔表面铜瘤的方法。
背景技术
电解铜箔是覆铜板（CCL）及印制电路板（PCB）、锂离子电池制造的重要的材料。在当今电子信息产业高速发展中，电解铜箔被称为电子产品信号与电力传输、沟通的“神经网络”。2002年起，我国印制电路板的生产值已经越入世界第三位，作为PCB的基板材料—覆铜板也成为世界上第三大生产国。由此也使我国的电解铜箔产业在近几年有了突飞猛进的发展。
正是由于电解铜箔飞速的发展，铜箔品质需求量越来越高，尤其是高温高延性铜箔需求量越来越高，传统电解工艺中，电镀添加剂是明胶，其分散性和易结块性差一直制约高品质铜箔发展，使得传统的高温高延性铜箔在电解生产的过程中极易出现铜瘤。
因此，一种降低高温高延箔表面铜瘤生成是行业亟需解决的问题。
发明内容
针对相关技术中的上述技术问题，本发明提出一种降低高温高延铜箔表面铜瘤的方法，能够克服现有技术的上述不足。
为实现上述技术目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种降低高温高延铜箔表面铜瘤的方法，包括以下步骤：
S1制备硫酸铜溶液：将型号为CU-CATH-1的阴极铜加入到含有硫酸的溶铜罐中，用螺杆风机向溶铜罐中鼓入高温空气，制备硫酸铜溶液；
S2过滤硫酸铜溶液：将溶铜罐中的硫酸铜溶液输送到污液罐，然后硫酸铜溶液依次经过硅藻土过滤器、保安过滤器、精密过滤器多级过滤后进入净液罐；
S3向硫酸铜溶液中加入羟乙基纤维素：通过添加剂罐向净液罐中加入铜箔添加剂，所述铜箔添加剂为羟乙基纤维素；
S4用生箔系统电解铜箔：将净液罐中的硫酸铜溶液输送到生箔系统中，硫酸铜溶液在阳极槽中通过电化学反应在阴极辊上沉积成铜箔。
进一步的，所述S1中型号为CU-CATH-1的阴极铜替换为型号为TU1的铜线。
进一步的，所述S1中硫酸铜溶液中铜离子浓度为90-100克/升，硫酸浓度为115-120克/升。
进一步的，所述S3中羟乙基纤维素的浓度为20mg/L，羟乙基纤维素加入到净液罐的输送流量为8升/时。
进一步的，所述S4中硫酸铜溶液输送到生箔系统的流量为30-40立方米/时，所述硫酸铜溶液进入生箔机时的温度为40-45℃。
进一步的，所述S4中生箔系统中电解铜箔的电流值为40000A，电解生箔速率为1米/分钟，铜箔生箔厚度为70微米。
本发明的有益效果：本发明的方法通过在电解液中加入铜箔添加剂-羟乙基纤维素，通过合理的浓度配比利用羟乙基纤维素在高温对电解质的盐溶性，能够解决传统的高温高延性铜箔在电解生产的过程中极易出现铜瘤的问题，从而达到硫酸铜溶液中各种离子稳定性良好，降低了电解铜箔表面铜瘤的产生的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本发明实施例所述的降低高温高延铜箔表面铜瘤的方法的流程示意图；
图2是根据本发明实施例所述的降低高温高延铜箔表面铜瘤的方法的对比例生产的电解铜箔的电镜图；
图3是根据本发明实施例所述的降低高温高延铜箔表面铜瘤的方法的实施例1生产的电解铜箔的电镜图；
图中：1、溶铜罐，2、污液罐，3、硅藻土过滤器，4、保安过滤器，5、精密过滤器，6、净液罐，7、添加剂罐，8、生箔系统。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，根据本发明实施例所述的降低高温高延铜箔表面铜瘤的方法，包括以下步骤：
S1制备硫酸铜溶液：将型号为CU-CATH-1的阴极铜加入到含有硫酸的溶铜罐1中，用螺杆风机向溶铜罐1中鼓入高温空气，制备硫酸铜溶液；
S2过滤硫酸铜溶液：将溶铜罐1中的硫酸铜溶液输送到污液罐2，然后硫酸铜溶液依次经过硅藻土过滤器3、保安过滤器4、精密过滤器5多级过滤后进入净液罐6；
S3向硫酸铜溶液中加入羟乙基纤维素：通过添加剂罐7向净液罐6中加入铜箔添加剂，所述铜箔添加剂为羟乙基纤维素；
S4用生箔系统电解铜箔：将净液罐6中的硫酸铜溶液输送到生箔系统8中，硫酸铜溶液在阳极槽中通过电化学反应在阴极辊上沉积成铜箔。
以上所述S1中型号为CU-CATH-1的阴极铜替换为型号为TU1的铜线。
以上所述S1中硫酸铜溶液中铜离子浓度为90-100克/升，硫酸浓度为115-120克/升。
以上所述S3中羟乙基纤维素的浓度为20mg/L，羟乙基纤维素加入到净液罐6的输送流量为8升/时。
以上所述S4中硫酸铜溶液输送到生箔系统(8)的流量为30-40立方米/时，所述硫酸铜溶液进入生箔机时的温度为40-45℃。
以上所述S4中生箔系统8中电解铜箔的电流值为40000A，电解生箔速率为1米/分钟，铜箔生箔厚度为70微米。
为了方便理解本发明的上述技术方案，以下通过具体使用方式上对本发明的上述技术方案进行详细说明。
实施例1
按照以下步骤生产电解铜箔：
S1制备硫酸铜溶液：将型号为CU-CATH-1的阴极铜加入到含有硫酸的溶铜罐1中，用螺杆风机向溶铜罐1中鼓入高温空气，制备硫酸铜溶液，硫酸铜溶液中铜离子浓度为90-100克/升，硫酸浓度为115-120克/升；
S2过滤硫酸铜溶液：将溶铜罐1中的硫酸铜溶液输送到污液罐2，然后硫酸铜溶液依次经过硅藻土过滤器3、保安过滤器4、精密过滤器5多级过滤后进入净液罐6；
S3向硫酸铜溶液中加入羟乙基纤维素：通过添加剂罐7向净液罐6中加入羟乙基纤维素，羟乙基纤维素的浓度为20mg/L，羟乙基纤维素加入到净液罐6的输送流量为8升/时；
S4用生箔系统电解铜箔：将净液罐6中的硫酸铜溶液输送到生箔系统8中，硫酸铜溶液输送到生箔系统(8)的流量为30-40立方米/时，所述硫酸铜溶液进入生箔机时的温度为40-45℃，硫酸铜溶液在阳极槽中通过电化学反应在阴极辊上沉积成铜箔，电解铜箔的电流值为40000A，电解生箔速率为1米/分钟，铜箔生箔厚度为70微米。
对比例
S1制备硫酸铜溶液：将型号为CU-CATH-1的阴极铜加入到含有硫酸的溶铜罐1中，用螺杆风机向溶铜罐1中鼓入高温空气，制备硫酸铜溶液，硫酸铜溶液中铜离子浓度为90-100克/升，硫酸浓度为115-120克/升；
S2过滤硫酸铜溶液：将溶铜罐1中的硫酸铜溶液输送到污液罐2，然后硫酸铜溶液依次经过硅藻土过滤器3、保安过滤器4、精密过滤器5多级过滤后进入净液罐6；
S3向硫酸铜溶液中加入羟乙基纤维素：通过添加剂罐7向净液罐6中加入明胶，明胶的浓度为20mg/L，明胶加入到净液罐6的输送流量为8升/时；
S4用生箔系统电解铜箔：将净液罐6中的硫酸铜溶液输送到生箔系统8中，硫酸铜溶液输送到生箔系统(8)的流量为30-40立方米/时，所述硫酸铜溶液进入生箔机时的温度为40-45℃，硫酸铜溶液在阳极槽中通过电化学反应在阴极辊上沉积成铜箔，电解铜箔的电流值为40000A，电解生箔速率为1米/分钟，铜箔生箔厚度为70微米。
分别将对比例和实施例1生产的铜箔放在电镜下观察，结果如图2-3所示，本发明的方法使用的添加剂生产的电解铜箔相对于传统方法使用的添加剂生产的电解铜箔，铜箔表面铜瘤的数量明显减少。
综上所述，借助于本发明的上述技术方案，通过在电解液中加入铜箔添加剂-羟乙基纤维素，通过合理的浓度配比利用羟乙基纤维素在高温对电解质的盐溶性，能够解决传统的高温高延性铜箔在电解生产的过程中极易出现铜瘤的问题，从而达到硫酸铜溶液中各种离子稳定性良好，降低了电解铜箔表面铜瘤的产生的目的。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种降低高温高延铜箔表面铜瘤的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1制备硫酸铜溶液：将型号为CU-CATH-1的阴极铜加入到含有硫酸的溶铜罐(1)中，用螺杆风机向溶铜罐(1)中鼓入高温空气，制备硫酸铜溶液；
S2过滤硫酸铜溶液：将溶铜罐(1)中的硫酸铜溶液输送到污液罐(2)，然后硫酸铜溶液依次经过硅藻土过滤器（3）、保安过滤器（4）、精密过滤器（5）多级过滤后进入净液罐（6）；
S3向硫酸铜溶液中加入羟乙基纤维素：通过添加剂罐（7）向净液罐（6）中加入铜箔添加剂，所述铜箔添加剂为羟乙基纤维素；
S4用生箔系统电解铜箔：将净液罐（6）中的硫酸铜溶液输送到生箔系统(8)中，硫酸铜溶液在阳极槽中通过电化学反应在阴极辊上沉积成铜箔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S1中型号为CU-CATH-1的阴极铜替换为型号为TU1的铜线。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S1中硫酸铜溶液中铜离子浓度为90-100克/升，硫酸浓度为115-120克/升。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S3中羟乙基纤维素的浓度为20mg/L，羟乙基纤维素加入到净液罐（6）的输送流量为8升/时。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S4中硫酸铜溶液输送到生箔系统(8)的流量为30-40立方米/时，所述硫酸铜溶液进入生箔机时的温度为40-45℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S4中生箔系统(8)中电解铜箔的电流值为40000A，电解生箔速率为1米/分钟，铜箔生箔厚度为70微米。
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