CN114551438A - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示面板，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示面板包括屏蔽结构和薄膜晶体管，所述屏蔽结构包括位于显示区内的屏蔽部和面内走线，以及位于非显示区内的外围走线，所述屏蔽部设于所述薄膜晶体管的下方，且所述薄膜晶体管的沟道在所述屏蔽部上的投影落入所述屏蔽部内，所述屏蔽部与所述面内走线电连接，至少一处的所述面内走线与所述外围走线通过静电保护电路电连接。本发明通过在面内走线和外围走线之间增设静电保护电路，通过所述静电保护电路保护所述外围走线和所述面内走线连接除的静电安全，避免了瞬间大电流导致显示面板发生静电炸伤的问题。

Description

显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板。
背景技术
在现有显示面板中，通常在薄膜晶体管的沟道区对应的位置设置金属屏蔽层(BSM)，用于保护薄膜晶体管的沟道。
如图1所示，金属屏蔽层包括面内走线和外围走线，面内走线为整面网格状设置，外围走线为单根环线，面内走线与外围走线在显示区和非显示区的交界处连接。面内走线会积累静电电荷，并将静电电荷向外围单根走线传导，静电电荷在外围单根走线上不断累积，当累积到一定量时，会产生瞬间的大电流导致显示面板发生静电炸伤。
发明内容
本发明提供一种显示面板，以解决现有显示面板存在金属屏蔽层发生静电炸伤的问题。
为解决以上问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示面板包括屏蔽结构和薄膜晶体管，所述屏蔽结构包括位于显示区内的屏蔽部和面内走线，以及位于非显示区内的外围走线，所述屏蔽部设于所述薄膜晶体管的下方，且所述薄膜晶体管的沟道在所述屏蔽部上的投影落入所述屏蔽部内，所述屏蔽部与所述面内走线电连接，
至少一处的所述面内走线与所述外围走线通过静电保护电路电连接。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述静电保护电路包括二极管和电容，所述二极管和所述电容并联，所述二极管的正极连接所述面内走线，所述二极管的负极连接所述外围走线。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述显示面板包括有缘层，所述有缘层包括所述沟道和所述二极管。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述显示面板还包括衬底和金属层，所述有缘层设于所述衬底和所述金属层之间，所述有源层还包括所述电容的第一电极板，所述金属层包括所述电容的第二电极板。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述二极管与所述第一电极板为同一结构。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述第一电极板与所述二极管的正极直接接触。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述第二电极板通过过孔与所述外围走线电连接。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述第二电极板通过过孔与所述二极管的负极电连接。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述金属层为栅极金属层或源漏极金属层。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述显示面板还包括衬底、栅极金属层和源漏极金属层，所述有缘层设于所述衬底和所述栅极金属层之间，所述栅极金属层设于所述有缘层和所述源漏极金属层之间，所述栅极金属层包括所述电容的第一电极板，所述源漏极金属层包括所述电容的第二电极板。
本发明提供了一种显示面板，所述显示面板通过在面内走线和外围走线之间增设静电保护电路，通过所述静电保护电路保护所述外围走线和所述面内走线连接除的静电安全，避免了瞬间大电流导致显示面板发生静电炸伤的问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有技术提供的显示面板的金属屏蔽层的平面示意简图；
图2为本发明实施例提供的显示面板的金属屏蔽层的平面示意简图；
图3为本发明实施例提供的静电保护电路的放大示意图；
图4为本发明实施例提供的显示面板的第一种结构示意图；
图5为本发明实施例提供的显示面板的第二种结构示意图；
图6为本发明实施例提供的显示面板的第三种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明的具体实施方案，对本发明实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本发明一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本发明中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本发明保护范围。
本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本发明，而非用以限制本发明。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
针对现有显示面板存在金属屏蔽层发生静电炸伤的问题，本发明提供一种显示面板可以解决这个问题。
在一种实施例中，请参照图2，图2示出了本发明实施例提供的显示面板的平面示意简图。如图2所示，本发明实施例提供的显示面板包括显示区AA和非显示区NA，所述显示面板包括屏蔽结构和薄膜晶体管(未画出)，所述屏蔽结构包括位于显示区内的屏蔽部(未画出)和面内走线11，以及位于非显示区内的外围走线12，所述屏蔽部设于所述薄膜晶体管的下方，且所述薄膜晶体管的沟道在所述屏蔽部上的投影落入所述屏蔽部内，所述屏蔽部与所述面内走线电连接，
至少一处的所述面内走线11与所述外围走线12通过静电保护电路电连接。
本发明实施例通过在面内走线和外围走线之间增设静电保护电路，通过所述静电保护电路保护所述外围走线和所述面内走线连接除的静电安全，避免了瞬间大电流导致显示面板发生静电炸伤的问题。
在一种实施例中，如图2所示，所述面内走线11通常设置为网格状，所述网格状的面内走线与所述屏蔽部电连接，从而将所述显示区AA内的所有所述屏蔽部连接在一起，并将所述屏蔽部上的静电电荷均匀分散传输至所述外围走线12。所述网格状的面内走线包括如图2所示，向上下方向延伸的纵向面内走线和向左右方向延伸的横向面内走线，所述纵向面内走线和所述横向面内走线在其相交处连接。所述外围走线12为环绕所述显示区AA的单根环形走线，因此，所有的所述横向面内走线与位于所述显示区AA左右两侧的所述外围走线12电连接，所有的所述纵向面内走线与位于所述显示区AA上下两侧的所述外围走线12电连接。在其他实施例中，所述面内走线11和所述外围走线12的设置方式可以根据显示面板的具体结构进行相应的设置，在此不做限定。
在一种实施例中，如图2所示，所有的所述面内走线11均与所述外围走线12通过所述静电保护电路13电连接，即所有的所述横向面内走线与位于所述显示区AA左右侧两侧的所述外围走线12通过所述静电保护电路13电连接，这样，所有的所述面内走线11和所述外围走线12之间均通过所述静电保护电路进行静电保护，保证了所述显示面板上每个所述面内走线11和所述外围走线12连接处的静电安全，避免了瞬间大电流导致显示面板发生静电炸伤的问题。在其他实施例中，可以仅一部分的所述面内走线11与所述外围走线12通过所述静电保护电路电连接，其余部分的所述面内走线11与所述外围走线直接电连接，这样，在设置空间有限的情况下，也能够一定程度上缓解瞬间大电流导致显示面板发生静电炸伤的问题。
在一种实施例中，如图3所示，所述静电保护电路13包括二极管D和电容C，所述二极管D和所述电容C并联，所述二极管D的正极连接所述面内走线11，所述二极管D的负极连接所述外围走线12。当所述外围走线12上没有较多的静电累积时，所述面内走线11上积累的静电电荷流经所述二极管D，传导至所述外围走线12，并被释放；当所述外围走线12上积累较大的静电电荷时，会产生瞬间的大电流，该瞬间大电流向所述面内走线11传导，所述二极管D使所述外围走线12向所述面内走线11无法形成通路，此时，所述电容C能够将所述外围走线12上的电荷进行存储，随后，所述电容C又能够将所述存储在其内的电荷缓慢释放，使所述外围走线12上的电荷得到消除，所述静电保护电路13恢复正常的通路状态，所述面内走线11上积累的电荷流经所述二极管D，传导至所述外围走线12，并被释放。本发明实施例通过设置所述二极管和所述电容并联的所述静电保护电路，当所述外围走线中的电流大于所述面内走线中的电流时，所述静电保护电路断开，使所述外围走线中积累的电荷无法形成大的电流通路，从而避免了瞬间大电流导致显示面板发生静电炸伤的问题。
在一种实施例中，请参考图4，图4示出了本发明实施例提供的显示面板的第一种结构示意图，图5示出了本发明实施例提供的显示面板的第二种结构示意图。如图4和图5所示，所述显示面板包括衬底20、所述屏蔽层10、有源层50、以及金属层70。所述屏蔽层10设于所述衬底20和所述有源层50之间，所述屏蔽层10图案化形成所述屏蔽部(未画出)、所述面内走线11和所述外围走线12，所述面内走线11和所述外围走线12不接触；所述有源层50设于所述屏蔽层10和所述金属层70之间，所述有缘层50图案化形成所述二极管D和所述电容C的第一电极板，所述二极管D包括P型区和N型区，所述P型区和所述N型区接触，所述P型区即为所述二极管D的正极，所述N型区即为所述二极管D的负极；所述金属层70图案化形成所述电容C的第二电极板71；所述二极管D的正极与所述第一电极板、所述面内走线11电连接，所述二极管D的负极与所述第二电极板71、所述外围走线12电连接。
在一种实施方案中，如图4和图5所示，所述二极管D复用为所述电容C的第一电极板，简化了所述有缘层50的制程，减小了所述静电保护电路13的占用空间。在其他实施方案中，所述二极管D和所述电容C的第一电极板可以是两个相互独立的部分，且所述二极管的正极和所述第一电容电连接。
所述显示面板还包括缓冲层30、第一绝缘层40、第二绝缘层60，所述缓冲层30设于所述衬底20和所述屏蔽层10之间，所述第一绝缘层40设于所述屏蔽层10和所述有源层50之间，所述第二绝缘层60设于所述有缘层50和所述金属层70之间。所述二极管D的正极通过贯穿所述第一绝缘层40的过孔与所述面内走线11电连接，所述二极管D的负极通过贯穿所述第一绝缘层40的过孔与所述外围走线12电连接。在一种实施方案中，如图4所示，所述第二电极板71通过贯穿所述第二绝缘层60和所述第一绝缘层40的过孔与所述外围走线12电连接，从而与所述二极管D的负极电连接，这样，所述二极管D、所述第二电极板71分别通过过孔与所述外围走线12直接连接，实现了所述第二电极板71与所述外围走线12之间更好的电性导通。在另一种实施方案中，如图4所示，所述第二电极板71通过贯穿所述第二绝缘层60的过孔与所述二极管D的负极电连接，从而与所述外围走线12电连接，这样，所述过孔的深度较小，降低了过孔的制备难度，提高了所述第二电极板71与所述外围走线12的连接良率。
在一种实施方案中，所述金属层70为栅极金属层，所述栅极金属层在所述显示区AA内图案化形成薄膜晶体管的栅极和/或栅极走线。在另一种实施方案中，所述金属层70为源漏极金属层，所述源漏极金属层在所述显示区AA内图案化形成薄膜晶体管的源漏极和/或数据线等信号走线。在其他实施方案中，所述金属层70还可以是所述显示面板中除栅极金属层、源漏极金属层外的其他导电膜层。在所述第一电极板和所述第二电极板71的相对面积固定的形况下，所述金属层70与所述源漏极金属层50之间的距离越大，所述电容C的电容量越大，可根据实际的电容量需要，对所述金属层70进行设计。
在另一种实施例中，请参考图6，图6示出了本发明实施例提供的显示面板的第三种结构示意图。如图6所示，所述显示面板包括衬底20、所述屏蔽层10、有源层50、栅极金属层70、以及源漏极金属层90。所述屏蔽层10设于所述衬底20和所述有源层50之间，所述屏蔽层10图案化形成所述面内走线11和所述外围走线12，所述面内走线11和所述外围走线12不接触；所述有源层50设于所述屏蔽层10和所述金属层70之间，所述有缘层50图案化形成所述二极管D，所述二极管D包括P型区和N型区，所述P型区和所述N型区接触，所述P型区即为所述二极管D的正极，所述N型区即为所述二极管D的负极；所述栅极金属层70设于所述有缘层50和所述源漏极金属层90之间，所述栅极金属层70图案化形成所述电容C的第二电极板71；所述源漏极金属层90图案化形成所述电容C的第一电极板91；所述二极管D的正极与所述第一电极板91、所述面内走线11电连接，所述二极管D的负极与所述第二电极板71、所述外围走线12电连接。所述显示面板还包括缓冲层30、第一绝缘层40、第二绝缘层60、以及第三绝缘层80，所述缓冲层30设于所述衬底20和所述屏蔽层10之间，所述第一绝缘层40设于所述屏蔽层10和所述有源层50之间，所述第二绝缘层60设于所述有缘层50和所述栅极金属层70之间，所述第三绝缘层80设于所述栅极金属层70和所述源漏极金属层90之间。所述二极管D的正极通过贯穿所述第一绝缘层40的过孔与所述面内走线11电连接，所述二极管D的负极通过贯穿所述第一绝缘层40的过孔与所述外围走线12电连接。同样的，所述第二电极板71可以通过贯穿所述第二绝缘层60的过孔与所述二极管D的负极电连接，也可以通过贯穿所述第二绝缘层60和所述第一绝缘层40的过孔与所述外围走线12电连接；所述第一电极板91可以通过贯穿所述第二绝缘层60和所述第三绝缘层80的过孔与所述二极管D的正极电连接，也可以通过贯穿所述第一绝缘层40、所述第二绝缘层60和所述第三绝缘层80的过孔与所述面内走线11电连接。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示面板，所述显示面板通过在面内走线和外围走线之间增设静电保护电路，通过所述静电保护电路保护所述外围走线和所述面内走线连接除的静电安全，避免了瞬间大电流导致显示面板发生静电炸伤的问题。
以上对本发明实施例所提供的显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区和非显示区，所述显示面板包括屏蔽结构和薄膜晶体管，所述屏蔽结构包括位于显示区内的屏蔽部和面内走线，以及位于非显示区内的外围走线，所述屏蔽部设于所述薄膜晶体管的下方，且所述薄膜晶体管的沟道在所述屏蔽部上的投影落入所述屏蔽部内，所述屏蔽部与所述面内走线电连接，
至少一处的所述面内走线与所述外围走线通过静电保护电路电连接。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述静电保护电路包括二极管和电容，所述二极管和所述电容并联，所述二极管的正极连接所述面内走线，所述二极管的负极连接所述外围走线。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括有缘层，所述有缘层包括所述沟道和所述二极管。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括衬底和金属层，所述有缘层设于所述衬底和所述金属层之间，所述有源层还包括所述电容的第一电极板，所述金属层包括所述电容的第二电极板。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述二极管与所述第一电极板为同一结构。
6.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极板与所述二极管的正极电连接。
7.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极板通过过孔与所述外围走线电连接。
8.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极板通过过孔与所述二极管的负极电连接。
9.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述金属层为栅极金属层或源漏极金属层。
10.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括衬底、栅极金属层和源漏极金属层，所述有缘层设于所述衬底和所述栅极金属层之间，所述栅极金属层设于所述有缘层和所述源漏极金属层之间，所述栅极金属层包括所述电容的第一电极板，所述源漏极金属层包括所述电容的第二电极板。
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CN115472656A (zh) * 2022-09-06 2022-12-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115472656A (zh) * 2022-09-06 2022-12-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
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