CN114551407A - 电子器件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电子器件的制造方法，包括：提供封装件，封装件具有第一侧，第一侧具有相邻的第一区域和第二区域；提供载体以承载封装件；在第二区域中形成第一屏蔽层，并且通过载体阻挡第一屏蔽层形成在第一区域中。本发明的上述技术方案，至少能够避免屏蔽层损伤。

Description

电子器件的制造方法

技术领域

本发明涉及电子产品技术领域，更具体地，涉及一种电子器件的制造方法。

背景技术

随着穿戴式装置的兴起，现有的穿戴式装置从单一功能逐渐发展为多功能结合的应用装置，这些装置大多具备有智能通信链接能力(如蓝牙、Wi-Fi等)以便进行数据实时传输，因此在装置中需要整合不同功能的芯片进行封装。就封装件而言，双面设置器件、模制(molding)并溅镀(sputter)等制程可以使封装结构具有轻薄短小的微小化优势。

在微小化过程中，由于封装件中的器件与器件之间的距离越来越近，彼此电磁波的干扰相对严重，因此需要设计屏蔽层(shielding layer)以降低器件间的电磁干扰。如图1所示，在穿戴式装置的封装件10的部分表面上形成了屏蔽层13。另外，封装件10中利用连接件(connector)12形成对外的连接，连接件12可以例如是板对板连接件(board to boardconnector)或者是热压熔锡焊接件(hot bar)。因此，需要利用掩模(mask)对连接件12形成遮蔽罩，避免形成的屏蔽层13与连接件12接触而造成短路。

此外，由于封装件10的上下两侧为双面设置器件。因此封装件10的双面均需要设置屏蔽层13，以减少电磁波干扰。在一般设计中，由于载板19厚度较厚，因此不能满足溅镀制程的深宽比需求，无法进行一次性地溅镀作业在封装件10的两侧同时形成屏蔽层。如图1所示，若是先在封装件10的一侧上形成屏蔽层13之后，利用拾取装置15进行粘接(bond)和脱粘(debond)作业以翻转封装件10，则屏蔽层13会有被刮伤的风险。

发明内容

针对相关技术中的上述问题，本发明提出一种电子器件的制造方法，能够避免屏蔽层损伤。

根据本发明的实施例，一种电子器件的制造方法包括：提供封装件，封装件具有第一侧，第一侧具有相邻的第一区域和第二区域；提供载体以承载封装件；在第二区域中形成第一屏蔽层，并且通过载体阻挡第一屏蔽层形成在第一区域中。

在一些实施例中，上述制造方法还包括：在封装件的与第一侧相对的第二侧形成第二屏蔽层。

在一些实施例中，同时在第一侧的第二区域中以及在第二侧形成第一屏蔽层和第二屏蔽层。

在一些实施例中，在形成第一屏蔽层和第二屏蔽层之前，还包括：提供掩模，掩模遮蔽第二侧的第一区域以使第二屏蔽层形成在第二侧的第二区域。

在一些实施例中，提供掩模包括：设置掩模的一端在封装件上，设置掩模的另一端在载体上方。

在一些实施例中，载体限定开口，开口暴露第一侧的第二区域。

在一些实施例中，在第一侧的第二区域中形成第一屏蔽层之前，在第二侧形成第二屏蔽层。

在一些实施例中，在形成第二屏蔽层之后，将封装件和载体一起翻转以形成第一屏蔽层。

在一些实施例中，在形成第一屏蔽层之前，还包括：提供掩模，掩模遮蔽第二侧的第一区域以使第二屏蔽层形成在第二侧的第二区域。

在一些实施例中，提供掩模包括：设置掩模的一端在封装件上，设置掩模的另一端在载体上。

在一些实施例中，利用溅镀制程同时形成第一屏蔽层和第二屏蔽层。

在一些实施例中，封装件在第一侧的第二区域中具有第一模塑料。

在一些实施例中，通过载体限定开口，开口暴露第一模塑料；第一模塑料到载体的距离大于开口的深度。

在一些实施例中，第一模塑料到载体的距离大于0.65微米。

在一些实施例中，载体的厚度小于第一模塑料的厚度。

在一些实施例中，制造方法还包括：提供承载装置以承载载体，其中，承载装置暴露封装件的第一模塑料，以同时在第一侧以及在第二侧形成第一屏蔽层和第二屏蔽层。

在一些实施例中，封装件在第二侧的第一区域中具有对外连接件，封装件在第二侧的第二区域中具有第二模塑料。

在一些实施例中，封装件在第二侧的第二区域中还具有参考线路，第二屏蔽层与参考线路电性连接。

在一些实施例中，通过黏着层将封装件附接在载体上。

在一些实施例中，在形成第一屏蔽层和第二屏蔽层之后，去除载体；在去除载体之后，去除黏着层。

本发明上述实施例中提供的制造方法，利用承载封装件的载体来作为阻挡形成屏蔽层的掩模。可以省略现有制程中的单侧屏蔽层形成之后的脱粘作业，可避免屏蔽层损伤。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应当注意，根据工业中的标准实践，各个部件并非按比例绘制。事实上，为了清楚讨论，各个部件的尺寸可以任意增大或减小。

图1是现有技术中在穿戴装置的封装结构中形成屏蔽层的示意图。

图2是根据本发明实施例的电子器件的制造方法的流程图。

图3a至图3f是根据本发明一个实施例提供的电子器件制造方法的各阶段示意图。

图4a至图4e是根据本发明另一个实施例提供的电子器件制造方法的各阶段示意图。

具体实施例

下列公开提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面将描述元件和布置的特定实例以简化本发明。当然这些仅仅是实例并不旨在限定本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括在第一部件和第二部件之间形成额外的部件使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本发明在各个实例中可重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。

本发明实施例提供了一种电子器件的制造方法。图2是根据本发明实施例的电子器件的制造方法的流程图。如图2所示，电子器件的制造方法20包括步骤S22，提供具有第一侧的封装件。第一侧具有相邻设置的第一区域和第二区域。然后，制造方法20进行到步骤S24，提供载体以承载封装件。在步骤S26处，在第一侧的第二区域中形成第一屏蔽层，并且，在形成第一屏蔽层时通过载体来阻挡第一屏蔽层形成在第一侧的第一区域中。

本发明上述实施例中提供的制造方法，利用承载封装件的载体来作为阻挡形成屏蔽层的掩模。可以省略现有制程中的单侧屏蔽层形成之后的脱粘作业，可避免屏蔽层损伤。

图3a至图3f是根据本发明一个实施例提供的电子器件制造方法的各阶段示意图。图3a至图3f所示的制造方法可用于制造的电子器件包括穿戴式装置，并且也可以用于制造其他类型的电子器件。

如图3a所示，图3a可对应于图2中的制造方法的步骤S22。提供电子器件的封装件210。在一些实施例中，封装件210可以是穿戴式装置的封装件。封装件210具有第一侧220(下侧)和与第一侧220相对设置的第二侧250(上侧)。第一侧220包括彼此邻接的第一区域222和第二区域224。第一区域222可以是第一侧220的边缘区域，并且围绕第二区域224。第一侧220的第二区域224对应于后续要形成屏蔽层的区域，第一区域222对应于不需形成屏蔽层的区域。在其他实施例中，第一区域222和第二区域224可以具有其他适用的布局。

封装件210具有位于第一侧220的第二区域224中的第一模塑料240。第一侧220的边缘处可以设有黏着层235。黏着层235可以位于第一区域222中。黏着层235的一部分还可以超出封装件210的侧壁。黏着层235可用于附接至后续提供的载体。

此外，封装件210的第二侧250包括第一区域252和第二区域254。第二侧250的第二区域254对应于后续要形成屏蔽层的区域，第一区域252对应于不需形成屏蔽层的区域。第一区域252和第二区域254可以彼此邻接的并列设置。第二区域254可以位于边缘处的两个第一区域252之间。两个第一区域252可以包括第二侧250的相对的边缘区域。在其他实施例中，第一区域252和第二区域254可以具有其他适用的布局。在所示的实施例中，第一区域252中设置有对外连接件265。在其他实施例中，第一区域252中可以具有不需要形成屏蔽层的其他类型的组件，或者第一区域252中可以不具有任何组件。

封装件210还可以具有位于第二侧250的第二区域254中的第二模塑料270。第二区域254中还可以设置有参考路线275，参考路线275嵌设于封装件210的第二侧250并且自第二侧250对外显露。在一些实施例中，参考线路275是地线(GND)。参考路线275可以邻近第二模塑料270设置。参考线路275可以邻近第一区域252设置。参考线路275可以位于第二模塑料270和第一区域252中的对外连接件265之间。参考线路也可以设置在其他适当的位置。

如图3b所示，图3b可对应于图2中的制造方法的步骤S24。提供载体290，载体290用以承载封装件210。载体290通过黏着层235附接至封装件210的第一侧220的边缘。载体290和黏着层235的相对内壁共同限定开口295，开口295暴露出第一侧220的第二区域224，并且暴露出第二区域254中的模塑料270。

在一些实施例中，载体290的厚度小于第一模塑料240的厚度。第一模塑料240的表面可以相对于载体290的表面凸出。第一模塑料240到载体290的距离为S，在一些实施例中，S大于0.65微米。开口295具有深度T，开口295的深度T等于载体290的厚度与黏着层235的厚度之和，开口295的深度T也等于载体290的远离第一侧220的表面(图3b中的下表面)与第一侧220之间的距离。在一些实施例中，第一模塑料240到载体290的距离S大于开口295的深度T。在一些实施例中，第一模塑料240到载体290的距离S与开口295的深度T之间的比率S/T大于2。通过对载体290的厚度的配置，允许开口295的深宽比符合溅镀制程的要求，从而可以利用载体290作为掩模来遮蔽不需要形成屏蔽层的第一区域222。在其他实施例中，也可以对载体290的厚度和开口295的尺寸进行其他适用的配置，以符合溅镀制程的要求。

此外，在载体290上设置掩模280，掩模280可以遮蔽第二侧250的两个第一区域252并且暴露第二区域254。掩模280被构造为与封装件210的第二侧250之间形成空腔285，第一区域252中的对外连接件265位于空腔285内。掩模280的一端设置在封装件210的第二侧250上，并且可以邻近第一区域252与第二区域254之间的交界处设置。掩模280跨过邻近的封装件210的边缘并延伸到载体290上方，使掩模280的另一端设置在载体290上方，从而可以遮蔽第一区域252。在所示的实施例中，掩模280的另一端是位于载体290上方的黏着层235上。

在一些实施例中，为了固定封装件210、掩模280与载体290的位置，掩模280和载体290可以具有相对应的对位孔和对位脚(pin)。可以首先使用黏着层235来固定位置，再利用对位孔和对位脚对掩模280和载体290进行对位。其中，黏着层235除了可以用于固定位置之外，还可以用于防止后续溅镀制程的溢镀。在一些实施例中，掩模280可以由金属材料制成。载体290中可以包括磁铁材料，以增加掩模280与载体290之间的贴合度，并且可以进一步防止后续溅镀制程的溢镀。

如图3c所示，图3c可对应于图2中的制造方法的步骤S26。利用例如溅镀制程同时形成第一屏蔽层230和第二屏蔽层260。在溅镀制程中，载体290可以用作形成第一屏蔽层230的掩模，而使得第一屏蔽层230形成在第二区域224中的第一模塑料240上。

通过第二侧250上设置的掩模280，形成的第二屏蔽层260覆盖第二模塑料270。第二屏蔽层260还连续地延伸至参考路线275露出的表面上，第二屏蔽层260覆盖参考路线275并与参考路线275物理地和电性地连接。在一些实施例中，第二屏蔽层260可以不延伸至参考路线275的暴露表面上。在一些实施例中，第二屏蔽层260部分地覆盖参考路线275的暴露表面。第二屏蔽层260在邻近掩模280的位置处停止形成，第二屏蔽层260不与掩模280接触。由于掩模280掩蔽对外连接件265，阻止了第二屏蔽层260与对外连接件265接触而引起短路问题。

可选的，如图3d所示，在一些实施例中，提供承载装置400来承载载体290。由于现有技术不需要在朝向下的一侧形成屏蔽层，因此载体将比下侧的模塑料更厚，并且用于承载载体的承载装置会遮蔽模塑料。相比于现有技术，封装件210的第一侧220的第一模塑料240可以通过承载装置400完全暴露。承载装置400的内侧侧壁限定的开口宽度大于开口395的宽度。

如图3e所示，在同时形成第一屏蔽层230和第二屏蔽层260之后，去除掩模280和载体290。之后，如图3f所示，去除黏着层235。并进行FVI(成品检查，finished visualinspection)，以得到最终的电子器件。

图4a至图4e是根据本发明另一个实施例提供的电子器件制造方法的各阶段示意图。

如图4a所示，图4a可对应于图2中的制造方法的步骤S22。提供电子器件的封装件310。封装件310具有第一侧320(下侧)和与第一侧320相对设置的第二侧350(上侧)。第一侧320包括彼此邻接的第一区域322和第二区域324。封装件310具有位于第二区域324中的第一模塑料340。第一侧320的边缘处可以设有黏着层335。此外，封装件310的第二侧350包括第一区域352和第二区域354。第一侧320的第二区域324、第二侧350的第二区域354对应于后续要形成屏蔽层的区域，第一侧320的第一区域322、第二侧350的第一区域352对应于不需形成屏蔽层的区域。

在所示的实施例中，第一区域352中设置有对外连接件365。封装件310还可以具有位于第二区域354中的第二模塑料370。第二区域354中还可以设置有参考路线375，参考路线375嵌设于封装件310的第二侧350并且自第二侧350显露出来。图4a所示结构的其他方面可以类似于关于图3a的描述内容。

如图4b所示，图4b可对应于图2中的制造方法的步骤S24。提供载体390以承载封装件310。载体390通过黏着层335附接至封装件310的第一侧320的边缘。在载体390上设置掩模380，掩模380可以遮蔽第二侧350的两个第一区域352并且暴露第二区域354。对外连接件365位于掩模380下方。图4b所示结构的其他方面可以类似于关于图3b的描述内容。

与图3a至图3f所描述的方法中同时形成第一屏蔽层230和第二屏蔽层260不同，在本实施例中，进行两个单独的溅射制程而形成两侧的屏蔽层。如图4c所示，利用例如溅镀制程在第二侧350的第二区域354中形成第二屏蔽层360，并且利用掩模380阻挡第二屏蔽层360形成在第一区域352中。其中，第二屏蔽层360形成在第二模塑料370表面，并沿着第二屏蔽层360表面延伸至参考线路375露出的表面上，以电性连接参考路线375。在一些实施例中，第二屏蔽层360可以不形成在参考线路375的暴露表面上。掩模380可阻止第二屏蔽层360接触对外连接件365造成短路问题。

参考图4d所示，在第二侧350上形成第二屏蔽层360之后，将封装件310和载体390一起翻转，使得封装件310的第一侧320朝上，第二侧350朝下。翻转之后，掩模380的远离第二侧350的表面相对于第二模塑料370和第二屏蔽层360的表面凸出。掩模380可以用于承载封装件310。

参考图4e，图4e可对应于图2中的制造方法的步骤S26。例如通过溅镀制程在封装件310的第一侧320的第二区域324中形成第一屏蔽层330。第一屏蔽层330形成在第一模塑料340的表面上。载体390可以用作形成第一屏蔽层330的掩模，而使得第一屏蔽层330形成在第二区域324中的第一模塑料340上。

在本发明实施例提供的电子器件的制造方法中，在形成第一屏蔽层和第二屏蔽层的过程中，配置载体具有合适的厚度以符合溅镀制程要求，使得第一屏蔽层和第二屏蔽层可以同时形成，并且在形成第一屏蔽层260的过程中，载体290还可以作为掩模。提高了设备的利用率，节约了生产时间，并且提高了产能。

上述内容概括了几个实施例的特征使得本领域技术人员可更好地理解本公开的各个方面。本领域技术人员应该理解，可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他的处理和结构以用于达到与本发明所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点。本领域技术人员也应该意识到，这些等效结构并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。

Claims (16)

1.一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供封装件，所述封装件具有第一侧，所述第一侧具有相邻的第一区域和第二区域；

提供载体以承载所述封装件；

在所述第二区域中形成第一屏蔽层，并且通过所述载体阻挡所述第一屏蔽层形成在所述第一区域中。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述封装件的与所述第一侧相对的第二侧形成第二屏蔽层。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，

同时在所述第一侧的所述第二区域中以及在所述第二侧形成所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之前，还包括：

提供掩模，所述掩模遮蔽所述第二侧的所述第一区域以使所述第二屏蔽层形成在所述第二侧的第二区域。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，提供所述掩模包括：

设置所述掩模的一端在所述封装件上，设置所述掩模的另一端在所述载体上方。

6.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述载体限定开口，所述开口暴露所述第一侧的所述第二区域。

7.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，

在所述第一侧的所述第二区域中形成所述第一屏蔽层之前，在所述第二侧形成所述第二屏蔽层。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，

在形成所述第二屏蔽层之后，将所述封装件和所述载体一起翻转以形成所述第一屏蔽层。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一屏蔽层之前，还包括：

提供掩模，所述掩模遮蔽所述第二侧的所述第一区域以使所述第二屏蔽层形成在所述第二侧的所述第二区域。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，提供所述掩模包括：

设置所述掩模的一端在所述封装件上，设置所述掩模的另一端在所述载体上。

11.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

利用溅镀制程同时形成所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层。

12.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

所述封装件在所述第一侧的所述第二区域中具有第一模塑料。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，

通过所述载体限定开口，所述开口暴露第一模塑料；

所述第一模塑料到所述载体的距离大于所述开口的深度。

14.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，还包括：

提供承载装置以承载所述载体，其中，所述承载装置暴露所述封装件的所述第一模塑料，以同时在所述第一侧以及在所述第二侧形成所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层。

15.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

所述封装件在所述第二侧的所述第一区域中具有对外连接件，所述封装件在所述第二侧的所述第二区域中具有第二模塑料。

16.根据权利要求15所述的制造方法，其特征在于，

所述封装件在所述第二侧的所述第二区域中还具有参考线路，所述第二屏蔽层与所述参考线路电性连接。

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