CN114530187A - Nor Flash、字线电压异常检测方法和控制装置 - Google Patents
Nor Flash、字线电压异常检测方法和控制装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114530187A CN114530187A CN202210100755.3A CN202210100755A CN114530187A CN 114530187 A CN114530187 A CN 114530187A CN 202210100755 A CN202210100755 A CN 202210100755A CN 114530187 A CN114530187 A CN 114530187A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- word line
- voltage
- detected
- test unit
- detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/12005—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details comprising voltage or current generators
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
- G11C29/50004—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing of threshold voltage
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C2029/1202—Word line control
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C2029/1204—Bit line control
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
本发明公开了一种Nor Flash,包括:存储单元阵列;待检测电压源;字线电压异常检测阵列,包括多个字线电压异常检测电路,字线电压异常检测电路与待检测字线一一对应连接,字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路,测试单元的栅极通过测试开关与对应的一个待检测字线连接,测试单元的漏极连接比较电路,在测试开关导通的情况下,比较电路根据测试单元的漏极输出的电流和参考阈值电流输出用于代表比较结果的电平信号,由于本发明实施例通过内置的字线电压异常检测阵列代替了传统的外部探针对所选定的字线进行电压异常检测,所以可以为整个字线电压异常检测提供便利和减少检测所花费的时间。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种Nor Flash、字线电压异常检测方法、控制装置和计算机存储介质。
背景技术
Nor Flash用来存储非易失性数据,其通常包括将存储单元并联起来的字线和将存储单元串联起来的位线。Nor Flash通常通过读数据、写数据、擦除数据三项基本功能完成数据的读取与改写功能。而在写数据和擦除数据过程中需要在字线上加上一个高电压。若字线上的电压异常即没有正确地加上该高电压,则写数据和擦除数据功能则无法完成,Nor Flash无法正常工作,因此对字线电压进行异常检测是十分必要的。
传统的Nor Flash的字线电压异常检测方法通常需要将Nor Flash外面的塑料保护层切开,从而让Nor Flash内部的字线与外部的探针连接,再通过字线加上待检测电压源的驱动电压后得出的电压与预设的电压阈值的对比从而判断所测字线上的电压是否异常,但是这种方法需要人工进行操作,且每次检测需要在检测前将塑料保护层切开和让NorFlash内部的字线与外部的探针连接,整个检测十分的不便且花费大量的时间。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本发明实施例提供了一种Nor Flash、字线电压异常检测方法、控制装置和计算机存储介质,能够为整个字线电压异常检测提供便利,且减少整个字线电压异常检测所花费的时间。
第一方面,本发明实施例提供了一种Nor Flash,包括:
存储单元阵列,包括多个存储单元,所述存储阵列中同一行的所述存储单元连接在同一条字线上;
待检测电压源,用于向待检测字线提供驱动电压;
字线电压异常检测阵列,包括多个字线电压异常检测电路,所述字线电压异常检测电路与所述待检测字线一一对应连接,所述字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路,所述测试单元的栅极通过所述测试开关与对应的一个所述待检测字线连接,所述测试单元的源极接地,所述测试单元的漏极连接所述比较电路,在所述测试开关导通的情况下,所述比较电路根据所述测试单元的漏极输出的电流和参考阈值电流输出用于代表比较结果的电平信号。
第二方面,本发明实施例提供了一种Nor Flash的字线电压异常检测方法,所述Nor Flash包括:
存储单元阵列,包括多个存储单元,所述存储阵列中同一行的所述存储单元连接在同一条字线上;
待检测电压源,用于向待检测字线提供驱动电压;
字线电压异常检测阵列,包括多个字线电压异常检测电路,所述字线电压异常检测电路与所述待检测字线一一对应连接,所述字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路,所述测试单元的栅极通过所述测试开关与对应的一个所述待检测字线连接,所述测试单元的源极接地,所述测试单元的漏极连接所述比较电路,所述测试开关在导通的情况下,所述比较电路根据所述测试单元的漏极输出的电流和参考阈值电流输出用于代表比较结果的电平信号;
所述字线电压异常检测方法包括:
接收检测信号,根据所述检测信号确定所述待检测字线;
根据预设的检测电压值选定所述待检测电压源和调节所述测试单元的阈值电压;
根据所述阈值电压确定所述参考阈值电流;
控制所述待检测电压源连接到所述待检测字线,控制所述待检测字线对应的所述测试开关导通;
接收所述比较电路输出的所述电平信号,根据所述电平信号确定所述待检测字线的检测结果。
第三方面,本发明实施例还提供一种字线电压异常检测的控制装置,包括至少一个处理器和用于与所述至少一个处理器通信连接的存储器;所述存储器存储有能够被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行如上述第二方面所述的字线电压异常检测方法。
第四方面,本发明实施例还提供一种计算机可读介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令,所述计算机可执行指令用于使计算机执行如上述第二方面所述的字线电压异常检测方法。
本发明实施例,至少具有以下有益效果:
本发明实施例的Nor Flash,在内部设置了字线电压异常检测阵列,而字线电压异常检测阵列包括多个字线电压异常检测电路,每个字线电压异常检测电路与每个待检测字线一一连接。其中,字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路,测试单元的栅极通过测试开关与对应的一个待检测字线连接,测试单元的源极接地,测试单元的漏极连接比较电路,在测试开关在导通的情况下,待检测字线上的电压加上测试单元的栅极,而比较电路用于根据测试单元的漏极输出的电流与预设的参考阈值电流的比较输出用于代表比较结果的电平信号,而根据电平信号可以判断所检测的待检测字线上的电压是否异常,所以本发明实施例能过通过内部设置的字线电压异常检测阵列代替传统的外部探针实现检测待检测的字线上的电压是否异常,而因为字线电压异常检测阵列是内置的,所以无需在检测前将塑料保护层切开和让Nor Flash内部的字线与外部的探针连接,故本发明实施例较之现有技术,可以为Nor Flash的字线电压异常检测提供便利和减少Nor Flash的字线电压异常检测所花费的时间。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的示例一起用于解释本发明的技术方案,并不构成对本发明技术方案的限制。
图1是本发明实施例提供的Nor Flash的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的Nor Flash的字线电压异常检测方法的总体流程图;
图3是本发明一实施例提供的步骤S100的细化流程图;
图4是本发明一实施例提供的步骤S200的细化流程图;
图5是本发明一实施例提供的步骤S300的细化流程图;
图6是本发明一实施例提供的步骤S500的细化流程图;
图7是本发明实施例提供的字线电压异常检测的控制装置的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,涉及到方位描述,例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,若干的含义是一个或者多个,多个的含义是两个以上,大于、小于、超过等理解为不包括本数,以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
本发明的描述中,除非另有明确的限定,设置、安装、连接等词语应做广义理解,所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。
Nor Flash用来存储非易失性数据,其通常包括将存储单元并联起来的字线和将存储单元串联起来的位线。Nor Flash通常通过读数据、写数据、擦除数据三项基本功能完成数据的读取与改写功能。而在写数据和擦除数据过程中需要在字线上加上一个高电压。若字线上的电压异常即没有正确地加上该高电压,则写数据和擦除数据功能则无法完成,Nor Flash无法正常工作,因此对字线电压进行异常检测是十分必要的。这里,可以理解的是,字线上的电压异常的原因可能是字线由于工艺原因存在漏电,导致字线上的电压由于漏电而降低;还有可能是待检测电压源本身存在异常,如待检测电压源所提供的驱动电压偏低或输出不稳定,导致字线加上驱动电压后得到的电压偏低。
传统的Nor Flash的字线电压异常检测方法通常需要将Nor Flash外面的塑料保护层切开,从而让Nor Flash内部的字线与外部的探针连接,再通过字线加上待检测电压源的驱动电压后得出的字线电压与预设的电压阈值的对比从而判断所测字线上的电压是否异常,但是这种方法需要人工进行操作,且每次检测需要在检测前将塑料保护层切开和让Nor Flash内部的字线与外部的探针连接,导致整个Nor Flash的字线电压异常检测十分的不便且花费大量的时间。
基于此,本发明实施例提供了一种Nor Flash,包括:
存储单元阵列,包括多个存储单元,存储阵列中同一行的存储单元连接在同一条字线上;
待检测电压源,用于向待检测字线提供驱动电压;
字线电压异常检测阵列,包括多个字线电压异常检测电路,字线电压异常检测电路与待检测字线一一对应连接,字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路,测试单元的栅极通过测试开关与对应的一个待检测字线连接,测试单元的源极接地,测试单元的漏极连接比较电路,在测试开关导通的情况下,比较电路根据测试单元的漏极输出的电流和参考阈值电流输出用于代表比较结果的电平信号。
可以理解的是,传统的Nor Flash的字线电压异常检测方法整个操作过程十分的不便且花费大量的时间,而传统的Nor Flash的字线电压异常检测方法的存在上述缺陷的原因很大一部分在于现有的Nor Flash的结构存在缺陷,现有的Nor Flash的结构中并没有包括内置的用于测试字线上的电压是否异常的模块或者结构,导致现有的Nor Flash的字线电压异常检测方法得依赖于外部的探针才可以实现。所以,可以想到的是,本发明实施例的Nor Flash内部设置的字线电压异常检测阵列中的字线电压异常检测电路与待检测字线一一对应连接,而字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路,在所述测试开关导通的情况下,待检测字线上的电压加上测试单元的栅极,比较电路根据测试单元漏极输出的电流与预设的参考阈值电流的比较输出待检测字线的检测结果,所以本发明实施例的Nor Flash通过将待检测字线上的电压加上测试单元的栅极,后通过比较电路将测试单元产生的漏极电流与预设的参考阈值电流比较输出代表比较结果的电平信号,而根据电平信号可以得出待检测字线上的电压是否异常的检测结果。所以本发明实施例无需在检测前将塑料保护层切开和让Nor Flash内部的字线与外部的探针连接,故本发明实施例较之现有技术,可以为Nor Flash的字线电压异常检测提供便利和减少Nor Flash的字线电压异常检测所花费的时间。
可以想到的是,参照图1,本发明实施例的Nor Flash还可以包括位线,存储单元设置在字线和位线的交叉处。
可以想到的是,本发明实施例的Nor Flash的测试单元与存储单元可以一样,比较电路可以是电流型比较器,所以本领域技术人员可以理解的是,本发明实施例的字线电压异常检测电路的电路面积花销小,也因此,本发明实施例的字线电压异常检测阵列的电路面积花销也较小。
进一步地,在本发明的一个实施例中,比较器电路可以是电流型比较器,包括第一输入端、第二输入端和输出端,第一输入端连接测试单元的漏极以接收测试单元的漏极电流,第二输入端连接参考阈值电流产生电路,这里,值得说明的是,参考阈值电流产生电路可以根据预设的参考阈值电流产生电流。而可以理解的是,在本发明的一个实施例中,比较电路还用于当测试单元的漏极输出的电流小于预设的参考阈值电流,输出低电平信号,即测试单元对应的待检测字线上的电压存在异常;比较电路还用于当测试单元的漏极输出的电流大于或等于预设的参考阈值电流,输出高电平信号,则说明测试单元对应的待检测字线上的电压不存在异常。
参照图2,本发明实施例还提供了一种Nor Flash的字线电压异常检测方法,该NorFlash包括:
存储单元阵列,包括多个存储单元,存储阵列中同一行的存储单元连接在同一条字线上;
待检测电压源,用于向待检测字线提供驱动电压;
字线电压异常检测阵列,包括多个字线电压异常检测电路,字线电压异常检测电路与待检测字线一一对应连接,字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路,测试单元的栅极通过测试开关与对应的一个待检测字线连接,测试单元的源极接地,测试单元的漏极连接比较电路,在测试开关导通的情况下,比较电路根据测试单元的漏极输出的电流和参考阈值电流输出用于代表比较结果的电平信号;;
该字线电压异常检测方法包括:
步骤S100,接收检测信号,根据检测信号确定待检测字线;
步骤S200,根据预设的检测电压值选定待检测电压源和调节测试单元的阈值电压;
步骤S300,根据阈值电压确定参考阈值电流;
步骤S400,控制待检测电压源连接到待检测字线,控制待检测字线对应的测试开关导通;
步骤S500,接收比较电路输出的电平信号,根据电平信号确定待检测字线的检测结果。
可以理解的是,在内置了字线电压异常检测阵列的Nor Flash的基础上,本发明实施例提供的字线电压异常检测方法首先通过执行步骤S100,接收检测信号,根据检测信号选定待检测的字线,然后执行步骤S200,根据预设的检测电压值选定待检测电压源和调节测试单元的阈值电压,再然后执行步骤S300,根据阈值电压确定参考阈值电流,下一步,执行步骤S400即控制待检测电压源连接到待检测字线,控制待检测字线对应的测试开关导通,而通过步骤S400可以让待检测字线上的电压加上对应的测试单元的栅极,最后一步接收比较电路输出的电平信号,根据电平信号确定待检测字线的检测结果即执行步骤S500。
可以想到的是,本发明实施例的Nor Flash的字线电压异常检测方法在应用的NorFlash内部设置了字线电压异常检测阵列的基础上,较之现有的字线电压异常检测方法,少去了切开选定的待检测字线的塑料保护层,并将选定的待检测字线与外部探针连接的步骤,所以本发明实施例的字线电压异常检测方法较之现有的字线电压异常检测方法,具有能够为整个字线电压异常检测方法提供便利和减少整个字线电压异常检测方法的总体的检测时间的优点。
可以想到的是,参照图3,步骤S100包括但不限于以下步骤:
步骤S110,接收检测信号;
步骤S120,读取检测信号中的字线地址信息;
步骤S130,根据字线地址信息确定待检测字线。
首先通过接收检测信号,然后读取检测信号中的字线地址信息,这里可以理解的是,字线地址信息中包括所选定的字线所对应的字线地址,其中,字线地址与字线一一对应,最后,根据字线地址信息中的字线地址选定待检测的字线即根据字线地址信息中的字线地址,选定与字线地址信息中的字线地址对应的待检测字线。
可以理解的是,字线地址信息可以包括一个或多个字线地址,该字线地址信息可以是连续的,也可以是不连续的,注意,这里所说的连续本领域技术人员可以理解为物理上的连续,也可以理解为逻辑上的连续。
可以想到的是,参照图4,步骤S200可以细化为以下步骤:
步骤S210,读取预设的第一参考表;
步骤S220,根据预设的检测电压值得出第一参考表中分别与检测电压值对应的待检测电压源的第一电压值和测试单元的阈值电压的第二电压值;
步骤S230,根据第一电压值选定待检测电压源和根据第二电压值调节测试单元的阈值电压。
进一步地,可以理解的是,步骤S210中预设的第一参考表为存储所述检测电压与所述待检测电压源的电压和所述测试单元的所述阈值电压的对应关系的表格。而同样可以想到的是,步骤S300中的参考阈值电流也可以根据步骤S220中确定出的第二电压值查询预设的存储阈值电压与参考阈值电流的对应关系表格给出。即参照图5,步骤S300可以包括但不限于以下步骤:
步骤S310,读取预设的第二参考表;
步骤S320,根据第二电压值得出第二参考表中与第二电压值对应的参考阈值电流。
其中,步骤S310中的第二参考表为存储阈值电压与参考阈值电流的对应关系的表格。
进一步地,本领域技术人员可以理解的是,在本发明的一实施例中,步骤S400中的当控制待检测电压源连接到待检测字线时,可以立即控制待检测字线对应的测试开关导通,也可以经过一段预设的充电时长后,再控制待检测字线对应的测试开关导通。
可以想到的是,参照图6,在本发明的一实施例中,步骤S500可以细化为以下步骤:
步骤S510,接收比较电路输出的电平信号;
步骤S520,当电平信号为高电平信号,则确定待检测字线上的电压不存在异常,
当电平信号为低电平信号,则确定待检测字线上的电压存在异常。
判定待检测字线的电压是否异常即执行步骤S500,而执行步骤S500,可以先接收比较电路输出的电平信号即执行步骤S510,然后执行步骤S520:当比较电路的输出的电平信号为低电平信号,则说明测试单元的漏极输出的电流小于参考阈值电流即待检测字线上的电压小于阈值电压,故确定待检测字线上的电压存在异常,而当比较电路的输出的电平信号为高电平信号,说明测试单元的漏极输出的电流大于或等于参考阈值电流即待检测字线上的电压大于或等于阈值电压,故确定待检测字线上的电压不存在异常。
这里,值得说明的是若步骤S520中判定待检测字线上的电压存在异常,则导致该异常的原因可能是待检测字线由于各种工艺原因存在漏电,也有可能是步骤S200选定的待检测电压源的存在输出不稳定或输出降低的异常,本领域技术人员可在执行步骤S520确定选定的待检测的字线存在异常后通过其他本领域常用的技术手段确认导致该异常的原因,由于本发明实施例的Nor Flash的字线电压异常检测方法的主要目的在于确认所选定的字线上的电压存不存在异常,故不再过多赘述。
本发明实施例的还提供了一种字线电压异常检测的控制装置,包括至少一个处理器和用于与至少一个处理器通信连接的存储器;存储器存储有能够被至少一个处理器执行的指令,指令被至少一个处理器执行,以使至少一个处理器能够执行前述的字线电压异常检测方法。
参照图7,以字线电压异常检测的控制装置1000中的控制处理器1001和存储器1002可以通过总线连接为例。存储器1002作为一种非暂态计算机可读存储介质,可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序。此外,存储器1002可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非暂态存储器,例如至少一个磁盘存储器、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施方式中,存储器1002可选包括相对于控制处理器1001远程设置的存储器,这些远程存储器可以通过网络连接至字线电压异常检测的控制装置1000。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
本领域技术人员可以理解,图7中示出的装置结构并不构成对字线电压异常检测的控制装置1000的限定,可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。
本发明实施例的还提供了一种计算机可读存储介质,该计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令,该计算机可执行指令被一个或多个控制处理器执行,例如,被图7中的一个控制处理器1001执行,可使得上述一个或多个控制处理器执行上述方法实施例中的字线电压异常检测方法,例如,执行以上描述的图2中的方法步骤S100至步骤S500、图3中的方法步骤S110至步骤S130、图4中的方法步骤S210至步骤S230、图5中的方法步骤S310至步骤S320和图6中的步骤S510至步骤S520。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
本领域普通技术人员可以理解,上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器,如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件,或者被实施为硬件,或者被实施为集成电路,如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上,计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的,术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外,本领域普通技术人员公知的是,通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据,并且可包括任何信息递送介质。
以上是对本申请的较佳实施进行了具体说明,但本申请并不局限于上述实施方式,熟悉本领域的技术人员在不违背本申请精神的前提下还可作出种种的等同变形或替换,这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (10)
1.一种Nor Flash,其特征在于,所述Nor Flash包括:
存储单元阵列,包括多个存储单元,所述存储阵列中同一行的所述存储单元连接在同一条字线上;
待检测电压源,用于向待检测字线提供驱动电压;
字线电压异常检测阵列,包括多个字线电压异常检测电路,所述字线电压异常检测电路与所述待检测字线一一对应连接,所述字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路,所述测试单元的栅极通过所述测试开关与对应的一个所述待检测字线连接,所述测试单元的源极接地,所述测试单元的漏极连接所述比较电路,在所述测试开关导通的情况下,所述比较电路根据所述测试单元的漏极输出的电流和参考阈值电流输出用于代表比较结果的电平信号。
2.根据权利要求1所述的Nor Flash,其特征在于,所述比较电路为电流型比较器,所述电流型比较器包括第一输入端、第二输入端和输出端,所述第一输入端连接所述测试单元的漏极,所述第二输入端用于连接参考阈值电流产生电路,所述电流型比较器的所述输出端用于输出所述电平信号,所述参考阈值电流产生电路用于产生所述参考阈值电流。
3.根据权利要求2所述的Nor Flash,其特征在于,所述比较电路还用于:
当所述测试单元的漏极输出的电流小于所述参考阈值电流,输出低电平信号,
当所述测试单元的漏极输出的电流大于或等于所述参考阈值电流,输出高电平信号。
4.一种Nor Flash的字线电压异常检测方法,其特征在于,所述Nor Flash包括:
存储单元阵列,包括多个存储单元,所述存储阵列中同一行的所述存储单元连接在同一条字线上;
待检测电压源,用于向待检测字线提供驱动电压;
字线电压异常检测阵列,包括多个字线电压异常检测电路,所述字线电压异常检测电路与所述待检测字线一一对应连接,所述字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路,所述测试单元的栅极通过所述测试开关与对应的一个所述待检测字线连接,所述测试单元的源极接地,所述测试单元的漏极连接所述比较电路,在所述测试开关导通的情况下,所述比较电路根据所述测试单元的漏极输出的电流和参考阈值电流输出用于代表比较结果的电平信号;
所述字线电压异常检测方法包括:
接收检测信号,根据所述检测信号确定所述待检测字线;
根据预设的检测电压值选定所述待检测电压源和调节所述测试单元的阈值电压;
根据所述阈值电压确定所述参考阈值电流;
控制所述待检测电压源连接到所述待检测字线,控制所述待检测字线对应的所述测试开关导通;
接收所述比较电路输出的所述电平信号,根据所述电平信号确定所述待检测字线的检测结果。
5.根据权利要求4所述的字线电压异常检测方法,其特征在于,所述接收所述检测信号,根据所述检测信号选定所述待检测字线包括:
接收所述检测信号;
读取所述检测信号中的字线地址信息;
根据所述字线地址信息确定所述待检测字线。
6.根据权利要求4所述的字线电压异常检测方法,其特征在于,所述根据预设的检测电压值选定所述待检测电压源和调节所述测试单元的阈值电压,包括:
读取预设的第一参考表,所述第一参考表为存储所述检测电压与所述待检测电压源的电压和所述测试单元的所述阈值电压的对应关系的表格;
根据所述预设的检测电压值得出所述第一参考表中分别与所述检测电压值对应的所述待检测电压源的第一电压值和所述测试单元的所述阈值电压的第二电压值;
根据所述第一电压值选定所述待检测电压源和根据所述第二电压值调节所述测试单元的所述阈值电压。
7.根据权利要求6所述的字线电压异常检测方法,其特征在于,所述根据所述阈值电压确定所述参考阈值电流,包括:
读取预设的第二参考表,所述第二参考表为存储所述阈值电压与所述参考阈值电流的对应关系的表格;
根据所述第二电压值得出所述第二参考表中与所述第二电压值对应的所述参考阈值电流。
8.根据权利要求4所述的字线电压异常检测方法,其特征在于,所述接收所述比较电路输出的所述电平信号,根据所述电平信号确定所述待检测字线的检测结果,包括:
当所述电平信号为高电平信号,则确定所述待检测字线上的电压不存在异常,
当所述电平信号为低电平信号,则确定所述待检测字线上的电压存在异常。
9.一种字线电压异常检测的控制装置,其特征在于,包括至少一个处理器和用于与所述至少一个处理器通信连接的存储器;所述存储器存储有能够被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行如权利要求4至8中任意一项所述的字线电压异常检测方法。
10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令,所述计算机可执行指令用于使计算机执行如权利要求4至8中任意一项所述的字线电压异常检测方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210100755.3A CN114530187A (zh) | 2022-01-27 | 2022-01-27 | Nor Flash、字线电压异常检测方法和控制装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210100755.3A CN114530187A (zh) | 2022-01-27 | 2022-01-27 | Nor Flash、字线电压异常检测方法和控制装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114530187A true CN114530187A (zh) | 2022-05-24 |
Family
ID=81623752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210100755.3A Pending CN114530187A (zh) | 2022-01-27 | 2022-01-27 | Nor Flash、字线电压异常检测方法和控制装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114530187A (zh) |
-
2022
- 2022-01-27 CN CN202210100755.3A patent/CN114530187A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8037358B2 (en) | Semiconductor device and boot method for the same | |
JPH04315898A (ja) | 半導体集積回路 | |
US20110107010A1 (en) | One-time programmable memory device and methods thereof | |
KR100487031B1 (ko) | 누설 셀의 검출 및 복구를 외부에서 트리거하는 플래시메모리 | |
US20130308402A1 (en) | Test flow to detect a latent leaky bit of a non-volatile memory | |
JP2007004955A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US9111642B2 (en) | Non-volatile memory device and electronic apparatus | |
CN114327258B (zh) | 一种固态硬盘处理方法、系统、设备及计算机存储介质 | |
US20190198122A1 (en) | Inspection method for memory integrity, nonvolatile memory and electronic device | |
US9275745B2 (en) | Semiconductor device and method of operating the same | |
US10643731B2 (en) | Semiconductor memory apparatus | |
KR20190112414A (ko) | 메모리 장치와 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템, 및 그의 동작방법 | |
CN114530187A (zh) | Nor Flash、字线电压异常检测方法和控制装置 | |
CN109390029B (zh) | 自动修复nor型存储阵列字线故障的方法及装置 | |
US20120159280A1 (en) | Method for controlling nonvolatile memory apparatus | |
CN109215724B (zh) | 存储器自动检测和修复的方法及装置 | |
CN113409857B (zh) | 参考单元替换方法、装置及存储介质 | |
CN114388048A (zh) | 修复电路和存储器 | |
CN110968455B (zh) | 一种非易失性存储器的修复方法及装置 | |
CN110910939B (zh) | 存储单元的阈值调整方法、装置、存储设备和存储介质 | |
CN116540059B (zh) | 半导体芯片测试方法、装置、设备及存储介质 | |
CN216749321U (zh) | 坏点自检测装置及芯片 | |
US11984176B2 (en) | Method and apparatus of testing word line to detect fault after repair | |
US11682470B2 (en) | Memory device and operating method thereof | |
US8923083B2 (en) | Method of identifying damaged bitline address in non-volatile |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |