CN114525108B - 一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒及制备方法 - Google Patents

一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114525108B
CN114525108B CN202210153149.8A CN202210153149A CN114525108B CN 114525108 B CN114525108 B CN 114525108B CN 202210153149 A CN202210153149 A CN 202210153149A CN 114525108 B CN114525108 B CN 114525108B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silica sol
abrasive particles
solution
active
chemical mechanical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210153149.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114525108A (zh
Inventor
雷红
陈怡�
张佰春
董越
雷逸凡
杨小强
周代圆
陈巍巍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taicang Siyuan Nano Material Co ltd
Original Assignee
Taicang Siyuan Nano Material Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taicang Siyuan Nano Material Co ltd filed Critical Taicang Siyuan Nano Material Co ltd
Priority to CN202210153149.8A priority Critical patent/CN114525108B/zh
Publication of CN114525108A publication Critical patent/CN114525108A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114525108B publication Critical patent/CN114525108B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒，所述硅溶胶磨粒具有非球状外形，且所述硅溶胶磨粒包含具有化学活性的二氧化锰化合物。本发明提供的一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒及制备方法，该硅溶胶磨粒具有非球状外形，且外表面包含具有化学活性的二氧化锰化合物；可以显著提高蓝宝石的抛光效率。

Description

一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒及制备方法
技术领域
本发明涉及化学机械抛光领域，具体涉及一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒及制备方法。
背景技术
蓝宝石具有优异的光学，电学，机械学，化学物理性质，良好的透光性和机械性能。由于单晶蓝宝石c(0001)晶面与半导体GaN的晶格系数失配率较小、机械强度高，且价格便宜，已成为发光二极管的主要衬底材料。作为衬底的蓝宝石晶片表面必须达到超光滑无损伤的程度，器件的质量很大程度上依赖于衬底的表面平整性。近年来，随着消费电子产业及国防工业材料、民用窗体需求的进一步增加，市场对蓝宝石材料的需求保持快速增长，这对蓝宝石晶片的加工工艺提出了更高的要求，在去除蓝宝石晶片表面的微凸起和微划痕等表面缺陷的同时，需要最大地提高蓝宝石晶片的材料去除速率。
虽然蓝宝石晶片抛光方法很多，但化学机械抛光是迄今为止在蓝宝石大规模生产中普遍应用的抛光方法。在蓝宝石表面抛光应用中，最主要的影响因素就是抛光液中的磨粒，其中最常见的磨粒是氧化硅、氧化铝等无机磨粒。但常规工业的氧化硅磨粒多为球形纳米颗粒，其抛光效率较低，不能满足日益增长的工业需求。
发明内容
本发明的目的在于解决现有球形氧化硅单一磨粒抛光速率低的问题，提供一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒及制备方法，该硅溶胶磨粒具有非球状外形，且外表面包含具有化学活性的二氧化锰化合物；可以显著提高蓝宝石的抛光效率。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案，一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒，所述硅溶胶磨粒具有非球状外形，且所述硅溶胶磨粒包含具有化学活性的二氧化锰化合物。
一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒的制备方法，包括如下步骤：
S01：将PEOPPO嵌段聚醚加入至正戊醇中搅拌溶解，再加入0.2M醋酸钠溶液，再加入25wt.％氨水，调节溶液pH值为9-11；搅拌并加热至80℃后以3-4ml/min的速度滴加正硅酸四乙酯，恒温80℃搅拌条件下反应12h，冷却得到粒径为20-30纳米、氧化硅含量为10wt.％的非球形硅溶胶晶种；
S02：在去离子水中加入所述非球形硅溶胶晶种，搅拌至混合液乳白，加热至100℃；在恒温搅拌条件下，以3-4ml/min的速度滴加2wt.％的活性硅酸溶液，保持溶胶体系的pH值为10.5；得到粒径为50-60纳米、浓度为10wt.％的非球形硅溶胶磨粒溶液；
S03：在60℃及搅拌条件下，向所述非球形硅溶胶磨粒溶液中分别以3-4ml/min的速度，同时滴加0.5M硫酸锰溶液及0.2M氯酸钠溶液，滴加完毕后持续搅拌并冷却至室温；保持溶胶体系的pH为9左右，油水分离并去除上层正戊醇，得到非球形且表面含有具有化学活性的二氧化锰层的硅溶胶活性磨粒。
进一步的，所述步骤S01中PEOPPO嵌段聚醚、正戊醇、醋酸钠溶液、氨水、正硅酸四乙酯的质量比为1：100：6：5：30。
进一步的，所述步骤S02中非球形硅溶胶晶种、去离子水、活性硅酸的质量比为1：2：5。
进一步的，，所述步骤S03中非球形硅溶胶磨粒溶液、硫酸锰溶液的质量比为100：1～3，硫酸锰溶液、氯酸钠溶液的质量比为1：1。
进一步的，所述步骤S02和步骤S03中采用质量分数为1％的氢氧化钠保持溶胶溶胶体系的pH。
进一步的，所述步骤S03中分别从不同的进料口滴加硫酸锰溶液和氯酸钠溶液。
本发明具有如下有益效果：(1)本申请采用三步法，即首先制备非球形硅溶胶晶种，然后添加活性硅酸，在晶种表面加固长大，得到非球形硅溶胶磨粒溶液，最后通过氧化还原反应在其上继续生长活性二氧化锰层，得到非球形且表面含有具有化学活性的二氧化锰层的硅溶胶活性磨粒，该方法新颖简便可行，适合大范围推广使用。
(2)本发明非球形且表面含有具有化学活性的二氧化锰层的硅溶胶活性磨粒用作蓝宝石晶片的化学机械抛光时，能够有效地降低蓝宝石的表面粗糙度，与常规工业的球形氧化硅磨粒相比，本申请磨粒化学作用增强、且其与蓝宝石晶片的有效接触位点更多，机械磨削作用与固相化学反应协同作用达到最佳。相比常规工业的球形氧化硅磨粒，本申请磨粒对蓝宝石的抛光速率可提高60％以上，达到高效的加工目的。
附图说明
图1是本发明实施例2中用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒的场发射扫描电子电镜图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明的具体实施方式做进一步的详细说明。
本发明提供的一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒的三步法制备方法，即首先制备非球形硅溶胶晶种，然后添加活性硅酸，在晶种表面加固长大，得到非球形硅溶胶磨粒溶液，最后通过硫酸锰与氯酸钠的氧化还原反应在其上继续生长活性二氧化锰层，得到非球形且表面含有具有化学活性的二氧化锰层的硅溶胶活性磨粒。具体包括如下步骤：
S01：将分子量为5000左右的PEOPPO(环氧乙烷-环氧丙烷)嵌段聚醚加入到正戊醇中，搅拌溶解，加入0.2M醋酸钠溶液，搅匀，溶液变浑浊，再加入25wt.％氨水，调节pH值在10左右；搅拌并将混合溶液加热至80℃，随后以3-4ml/min的速度滴加一定量的TEOS(正硅酸四乙酯)，加完持续搅拌，恒温80℃反应12h，冷却得到粒径为20-30纳米、氧化硅含量为10wt.％左右的非球形硅溶胶晶种溶液。其中，PEOPPO嵌段聚醚、正戊醇、醋酸钠溶液、氨水、TEOS等的质量比为1：100：6：5：30。
S02：在四口烧瓶中加入S01中得到的10wt.％非球形硅溶胶晶种，加入一定量去离子水，搅拌至混合液乳白，加热至100℃左右。然后在此温度及搅拌下，以3-4ml/min的速度滴加一定量的离子交换法制得的浓度为2wt.％的活性硅酸溶液，并用质量分数为1％的氢氧化钠调节溶胶体系，保持溶胶体系的pH值为10.5。滴加完毕，继续反应3h，并蒸发掉多余水分，得到粒径为50-60纳米、浓度为10wt.％左右的非球形硅溶胶磨粒溶液。其中，非球形硅溶胶晶种、去离子水、活性硅酸的质量比为1：2：5。
S03：将S02中制得的10wt.％非球形硅溶胶磨粒溶液放于四口烧瓶中，于60℃及搅拌条件下，分别从2个进料口以3-4ml/min的速度，同时滴加一定量的0.5M硫酸锰溶液及0.2M氯酸钠溶液，滴加完毕，继续反应2h，持续搅拌并冷却至室温。用1％NaOH溶液调节混合溶液的pH在9左右，进行油水分离，去除上层正戊醇，得到非球形的且表面含有具有化学活性的二氧化锰层的硅溶胶活性磨粒。其中，非球形硅溶胶磨粒溶液、硫酸锰溶液的质量比为100：1～3，硫酸锰溶液、氯酸钠溶液的质量比1：1。
通过控制S03步骤中，硫酸锰溶液、氯酸钠溶液相对于非球形硅溶胶溶液的不同比例，可制备出不同二氧化锰含量的非球形硅溶胶活性磨粒。
本发明非球形的硅溶胶活性磨粒可以用于对蓝宝石进行化学机械抛光，采用以上非球形的硅溶胶活性磨粒作为抛光液，应用于蓝宝石晶片的抛光中，可显著提高抛光速率，并保持了球形硅溶胶磨粒的抛光精度，达到了“高效率、高精度”的抛光效果。
下面结合实施例对本发明的制备方法进一步说明：
实施例1
本实施例提供一种非球形硅溶胶活性磨粒的制备方法，包括三步反应法制备，其方法步骤如下：
S01：将分子量为5000左右的PEOPPO嵌段聚醚5g加入到500g正戊醇中，搅拌溶解，加入30g浓度0.2M醋酸钠溶液，搅匀，溶液变浑浊，再加入25g浓度25wt.％氨水，调节pH值在10左右；搅拌并将混合溶液加热至80℃，随后以3-4ml/min的速度滴加150g正硅酸四乙酯(TEOS)，加完持续搅拌，恒温80℃反应12h，冷却得到粒径为20-30纳米、氧化硅含量为10wt.％左右的非球形硅溶胶晶种溶液。
S02：在四口烧瓶中加入S01中得到的500g浓度为10wt.％非球形硅溶胶晶种，加入1000g去离子水，搅拌至混合液乳白，加热至100℃左右。然后在此温度及搅拌下，以3-4ml/min的速度滴加2500g离子交换法制得的浓度为2wt.％的活性硅酸溶液，并用质量分数为1.0wt.％的氢氧化钠调节溶胶体系，保持溶胶体系的pH值为10.5。滴加完毕，继续于100℃反应3h，并蒸发掉多余水分，得到粒径为50-60纳米、浓度为10wt.％左右的非球形硅溶胶磨粒溶液。
S03：将S02中制得的1000g浓度为10wt.％非球形硅溶胶磨粒溶液放于四口烧瓶中，于60℃及搅拌条件下，分别从2个进料口以3-4ml/min的速度，同时滴加10g浓度为0.5M硫酸锰溶液及10g浓度为0.2M氯酸钠溶液，滴加完毕，继续反应2h，持续搅拌并冷却至室温。用1％NaOH溶液调节混合溶液的pH在9左右，进行油水分离，去除上层正戊醇，最终得到浓度为10wt.％左右、粒度为50-60纳米、非球形的、表面含有0.25wt.％二氧化锰层的纳米硅溶胶活性磨粒。
采用本实施例制备的非球形的纳米硅溶胶活性磨粒作为抛光液时，其对蓝宝石晶片的抛光效果见表1。
实施例2
同本实施1的步骤和用量，只是步骤S03中0.5M硫酸锰溶液及0.2M氯酸钠溶液的用量均为20g，得到浓度为10wt.％左右、粒度为50-60纳米、非球形的、表面含有0.50wt.％二氧化锰层的纳米硅溶胶活性磨粒。
采用本实施例制备的非球形的纳米硅溶胶活性磨粒作为抛光液时，其对蓝宝石晶片的抛光效果见表1。
实施例3
同本实施1的步骤和用量，只是步骤S03中0.5M硫酸锰溶液及0.2M氯酸钠溶液的用量均为30g，得到浓度为10wt.％左右、粒度为50-60纳米、非球形的、表面含有0.75wt.％二氧化锰层的纳米硅溶胶活性磨粒。
采用本实施例制备的非球形的纳米硅溶胶活性磨粒作为抛光液时，其对蓝宝石晶片的抛光效果见表1。
比较例1
在比较例中，一种球形氧化硅磨粒的制备方法，其方法步骤如下：
(1)将一定量的8wt.％水玻璃(Na2SiO3)溶液通过用HCl预处理的阳离子交换树脂，获得新制的2wt.％活性硅酸溶液。
(2)取250g浓度为20wt.％的常规工业20-30纳米硅溶胶作为晶种，加入1000ml去离子水稀释，搅拌并加热至100℃，并向其中以3-4ml/min的速度滴加2500g的2wt.％新制硅酸和1wt.％NaOH溶液，保持pH在10.5左右。待硅酸滴加完后，继续于100℃反应3h，并蒸发掉多余水分，持续搅拌并冷却至室温，得到粒径为50-60纳米、浓度为10.0wt.％左右的球形氧化硅磨粒溶液。
采用本对比例球形氧化硅磨粒溶液作为抛光液，对蓝宝石晶片的抛光效果见表1。
使用上述实施例1-3和比较例1的抛光液在一定的抛光条件下对蓝宝石晶片进行抛光试验。
抛光试验的抛光条件如下：
抛光机：UNIPOL-1502单面抛光机；
工件：直径为50.8mm的蓝宝石(0001)面；
抛光垫：聚氨酯抛光垫；
抛光压力：6kg；
下盘转速：70rpm；
抛光时间：2h；
抛光后，对蓝宝石晶片按照清洗液、去离子水、乙醇的顺序进行洗涤和干燥，并用精密分析天平称量蓝宝石晶片抛光前后的质量，计算材料去除速率MRR。另外，通过AmbiosXi-100表面轮廓仪测量的蓝宝石抛光前后的表面粗糙度Ra，分辨率为
Figure BDA0003511402930000062
焦深为3.0μm，工作距离为7.4mm，测量面积是500μm×500μm。
各实施例抛光液对蓝宝石晶片的的抛光效果分别见表1。可见，与相同固含量和粒度大小的比较例1(纯球形硅溶胶)相比，含有二氧化锰活性化合物、非球形的硅溶胶活性磨粒(实施例1、2、3)对蓝宝石基片抛光之后，均提高了抛光速率60％以上，并降低了蓝宝石表面的粗糙度。
表1各实施例抛光液对蓝宝石基片的抛光效果
Figure BDA0003511402930000061
总之，与常规工业球形二氧化硅磨粒相比，本发明的非球形的纳米硅溶胶活性磨粒用于蓝宝石晶片的抛光，可以显著地提高材料去除率，并能保持球形硅溶胶磨粒对蓝宝石晶片抛光后的表面精度。本发明的非球形的纳米硅溶胶活性磨粒，与常规球形氧化硅磨粒抛光时的单点接触相比，其有效接触位点更多，且化学活性更强，从而达到更高的去除目的。
以上所述仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用于限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (7)

1.一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S01：将PEOPPO嵌段聚醚加入至正戊醇中搅拌溶解，再加入0.2M醋酸钠溶液，再加入25wt.％氨水，调节溶液pH值为9-11；搅拌并加热至80℃后以3-4ml/min的速度滴加正硅酸四乙酯，恒温80℃搅拌条件下反应12h，冷却得到粒径为20-30纳米、氧化硅含量为10wt.％的非球形硅溶胶晶种；
S02：在去离子水中加入所述非球形硅溶胶晶种，搅拌至混合液乳白，加热至100℃；在恒温搅拌条件下，以3-4ml/min的速度滴加2wt.％的活性硅酸溶液，保持溶胶体系的pH值为10.5；得到粒径为50-60纳米、浓度为10wt.％的非球形硅溶胶磨粒溶液；
S03：在60℃及搅拌条件下，向所述非球形硅溶胶磨粒溶液中分别以3-4ml/min的速度，同时滴加0.5M硫酸锰溶液及0.2M氯酸钠溶液，滴加完毕后持续搅拌并冷却至室温；保持溶胶体系的pH为9，油水分离并去除上层正戊醇，得到非球形且表面含有具有化学活性的二氧化锰层的硅溶胶活性磨粒。
2.根据权利要求1所述的一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒的制备方法，其特征在于，所述步骤S01中PEOPPO嵌段聚醚、正戊醇、醋酸钠溶液、氨水、正硅酸四乙酯的质量比为1：100：6：5：30。
3.根据权利要求1所述的一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒的制备方法，其特征在于，所述步骤S02中非球形硅溶胶晶种、去离子水、活性硅酸的质量比为1：2：5。
4.根据权利要求1所述的一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒的制备方法，其特征在于，所述步骤S03中非球形硅溶胶磨粒溶液、硫酸锰溶液的质量比为100：1～3，硫酸锰溶液、氯酸钠溶液的质量比为1：1。
5.根据权利要求1所述的一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒的制备方法，其特征在于，所述步骤S02和步骤S03中采用质量分数为1％的氢氧化钠保持溶胶体系的pH。
6.根据权利要求1所述的一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒的制备方法，其特征在于，所述步骤S03中分别从不同的进料口滴加硫酸锰溶液和氯酸钠溶液。
7.一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒，其特征在于，所述硅溶胶磨粒具有非球状外形，且所述硅溶胶磨粒包含具有化学活性的二氧化锰化合物，所述硅溶胶活性磨粒采用权利要求1-6任意一种制备方法制备而成。
CN202210153149.8A 2022-02-18 2022-02-18 一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒及制备方法 Active CN114525108B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210153149.8A CN114525108B (zh) 2022-02-18 2022-02-18 一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210153149.8A CN114525108B (zh) 2022-02-18 2022-02-18 一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114525108A CN114525108A (zh) 2022-05-24
CN114525108B true CN114525108B (zh) 2023-06-09

Family

ID=81625146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210153149.8A Active CN114525108B (zh) 2022-02-18 2022-02-18 一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114525108B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116286200A (zh) * 2022-12-20 2023-06-23 江苏芯诺半导体科技有限公司 一种半导体硅晶圆切割片清洗剂配方及其制备工艺

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6258140B1 (en) * 1999-09-27 2001-07-10 Fujimi America Inc. Polishing composition
CN102390837A (zh) * 2011-08-03 2012-03-28 南通海迅天恒纳米科技有限公司 一种非球形纳米级硅溶胶的制备方法
CN104357012A (zh) * 2014-10-30 2015-02-18 常州大学 一种复合磨料及制备方法和在化学机械抛光中的用途
CN104694081B (zh) * 2015-03-23 2019-09-20 江苏海迅实业集团股份有限公司 含钴掺杂二氧化硅纳米复合磨粒溶胶、抛光液及其制备方法
CN104946202A (zh) * 2015-05-26 2015-09-30 上海大学 铁掺杂氧化硅溶胶复合磨粒和其抛光液组合物以及其制备方法
CN107129762A (zh) * 2017-05-12 2017-09-05 江南大学 一种碳化硅化学机械抛光用的抛光液及其制备方法
US20190127607A1 (en) * 2017-10-27 2019-05-02 Versum Materials Us, Llc Composite Particles, Method of Refining and Use Thereof
CN111253910B (zh) * 2020-03-18 2021-07-16 昆山捷纳电子材料有限公司 一种无机聚电解质-氧化硅复合抛光磨粒的制备方法
CN112209391A (zh) * 2020-10-21 2021-01-12 上海胶束化工有限公司 一种花状二氧化硅磨粒的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114525108A (zh) 2022-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107987732B (zh) 一种用于蓝宝石平面抛光的抛光液及其制备方法
US8114178B2 (en) Polishing composition for semiconductor wafer and polishing method
US8779011B2 (en) Ultrapure colloidal silica for use in chemical mechanical polishing applications
EP0967260B1 (en) Method of polishing a silicon wafer using a polishing composition and a surface treating composition
CN101818047B (zh) 氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用
CN107325789B (zh) 一种用于蓝宝石衬底抛光的硅铝复合磨料的制备方法
CN111748318A (zh) 爆米花状硅溶胶、其制备方法及其应用
EP0962508A1 (en) Wafer edge polishing composition
CN113549399B (zh) 适用于硅片粗抛光的化学机械抛光组合物及其应用
CN104946202A (zh) 铁掺杂氧化硅溶胶复合磨粒和其抛光液组合物以及其制备方法
CN114525108B (zh) 一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒及制备方法
CN104745146A (zh) 含铈掺杂二氧化硅纳米复合磨粒溶胶、抛光液及其制备方法
TW201922617A (zh) 二氧化矽粒子之分散液及其製造方法
CN111040640A (zh) 用于硅晶圆基材的复合磨料化学机械抛光浆料及制备方法
CN118308029A (zh) 一种化学机械抛光液
CN108997940B (zh) 适用于蓝宝石抛光的化学机械抛光液
CN111253910B (zh) 一种无机聚电解质-氧化硅复合抛光磨粒的制备方法
CN112209391A (zh) 一种花状二氧化硅磨粒的制备方法
KR102357727B1 (ko) 양이온을 포함하는 레이저마크 주변의 융기를 해소하기 위한 연마용 조성물
JP2002338951A (ja) 研磨剤用水熱処理コロイダルシリカ
KR100497413B1 (ko) 텅스텐-화학적 기계적 연마에 유용한 슬러리 및 그 제조방법
JP3754986B2 (ja) 研磨剤用組成物およびその調製方法
CN105694811A (zh) 锌元素掺杂氧化硅溶胶复合磨粒、抛光液组合物及其制备方法
CN116143126A (zh) 各向异性生长成形的二氧化硅颗粒制备方法
CN105176492A (zh) 镧元素掺杂氧化硅溶胶复合磨粒、抛光液组合物及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant