CN114496749A - 同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料 - Google Patents

同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料 Download PDF

Info

Publication number
CN114496749A
CN114496749A CN202210088289.1A CN202210088289A CN114496749A CN 114496749 A CN114496749 A CN 114496749A CN 202210088289 A CN202210088289 A CN 202210088289A CN 114496749 A CN114496749 A CN 114496749A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gallium nitride
nitride substrate
substrate
cleaning
growth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210088289.1A
Other languages
English (en)
Inventor
蔡亚伟
张育民
夏嵩渊
王建峰
徐科
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
Original Assignee
Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS filed Critical Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
Priority to CN202210088289.1A priority Critical patent/CN114496749A/zh
Publication of CN114496749A publication Critical patent/CN114496749A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02389—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C23C16/303—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02634—Homoepitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02658—Pretreatments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/2654—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in AIIIBV compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种同质外延生长的氮化镓的方法，其包括以下步骤：对氮化镓衬底进行外延级别的清洗；在所述氮化镓衬底表面离子注入Fe；将所述氮化镓衬底放入生长反应室中进行热清洁；在预设条件下于所述氮化镓衬底表面同质外延生长氮化镓外延层。本发明提供的同质外延生长的氮化镓的方法，通过在氮化镓衬底表面离子注入Fe，注入的Fe能够在生长氮化镓外延层的过程中扩散对生长界面进行补偿，以改善生长界面处的Si杂质聚集问题；且该方法工艺简单，适合大规模产业化。

Description

同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料
技术领域
本发明是关于半导体材料领域，特别是关于一种同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料。
背景技术
GaN(氮化镓)基III-V族半导体材料是重要的直接带隙的宽禁带半导体材料。由于其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率大、击穿场强大等优异特性，在发光二极管(LED)、激光器(LD)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、探测器等领域具有重要的应用。
现有技术中，以GaN衬底外延GaN(同质外延)时，无法得到理想的GaN外延层，在衬底和外延层之间会存在一个几十纳米的界面，在该界面处会聚集C、O、Si等杂质，从而形成漏电通道。其中，C、O杂质可通过热处理去除，而Si杂质目前没有较好的去除方式。
因此，针对现有技术的中的问题有必要提供一种同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料。
发明内容
本发明的目的在于提供一种同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料，该方法能够改善氮化镓衬底和氮化镓外延层间的界面杂质问题。
为实现上述目的，本发明供的技术方案如下：
第一方面，本发明提供了一种同质外延生长的氮化镓的方法，其包括以下步骤：
S1：对氮化镓衬底进行外延级别的清洗；
S2：在所述氮化镓衬底表面离子注入Fe；
S3：将所述氮化镓衬底放入生长反应室中进行热清洁；
S4：在预设条件下于所述氮化镓衬底表面同质外延生长氮化镓外延层。
在本发明的一个或多个实施方式中，所述对氮化镓衬底表面进行外延级别的清洗，包括：将氮化镓衬底置于清洗液中进行超声清洗，超声清洗完成后，用去离子水对所述氮化镓衬底进行冲洗，冲洗完成后，在惰性气氛下对所述氮化镓衬底进行干燥。
在本发明的一个或多个实施方式中，所述将氮化镓衬底放入清洗液中进行超声清洗，包括：将氮化镓衬底置于丙酮溶液中超声清洗3～8min，更换新的丙酮溶液后再次对所述氮化镓衬底超声清洗3～8min，将氮化镓衬底置于异丙酮溶液中超声清洗3～8min，更换新的异丙酮溶液后再次对所述氮化镓衬底超声清洗3～8min。
在本发明的一个或多个实施方式中，所述用去离子水对所述氮化镓衬底进行冲洗，包括：用去离子水对完成超声冲洗的所述氮化镓衬底进行冲洗，将所述氮化镓衬底放入盐酸中浸泡3～10min，取出所述氮化镓衬底并用去离子水对所述氮化镓衬底进行冲洗。
在本发明的一个或多个实施方式中，所述盐酸的体积浓度为50％。
在本发明的一个或多个实施方式中，所述离子注入Fe的注入能量为100～500keV，注入的深度为50～100nm，注入剂量为1×1015～5×1016ions/cm2。
在本发明的一个或多个实施方式中，所述将所述氮化镓衬底放入生长反应室中进行热清洁，包括：将所述氮化镓衬底放入生长反应室中，通入氢气和氮气，并在300～400℃的温度下保温10min。
在本发明的一个或多个实施方式中，所述在预设条件下于所述氮化镓衬底表面生长氮化镓外延层，包括：在1000～1100℃的温度下，将所述氮化镓衬底置于转速为20～30rpm的托盘上，通入三甲基镓和氨气，于所述氮化镓衬底表面生长氮化镓外延层。
在本发明的一个或多个实施方式中，所述三甲基镓的流量为40.5sccm，所述氨气的流量为20.5slm。
第二方面，本发明提供了一种氮化镓材料，其包括氮化镓衬底和氮化镓外延层，所述氮化镓外延层通过前述的方法形成于所述氮化镓衬底的表面上。
与现有技术相比，本发明提供的同质外延生长的氮化镓的方法，通过在氮化镓衬底表面离子注入Fe，注入的Fe能够在生长氮化镓外延层的过程中扩散对生长界面进行补偿，以改善生长界面处的Si杂质聚集问题；且该方法工艺简单，适合大规模产业化。
附图说明
图1是本发明一实施方式中同质外延生长的氮化镓的方法的流程图；
图2是本发明实施例1所制得的氮化镓材料中生长界面处Si杂质浓度的SIMS分析图；
图3是本发明对比例1所制得的氮化镓材料中生长界面处Si杂质浓度的SIMS分析图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
需要说明的是，以下的说明中，表示量的“％”和“份”只要无特别说明，则为重量基准。除非另外指明，否则本说明书和权利要求中使用的表示特征尺寸、数量和物理特性的所有数字均应该理解为在所有情况下均是由术语“约”来修饰的。因此，除非有相反的说明，否则上述说明书和所附权利要求书中列出的数值参数均是近似值，本领域的技术人员能够利用本文所公开的教导内容寻求获得的所需特性，适当改变这些近似值。用端点表示的数值范围的使用包括该范围内的所有数字以及该范围内的任何范围，例如，1至5包括1、1.2、1.4、1.55、2、2.75、3、3.80、4和5等等。
还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素；术语“优选”指的是较优的选择方案，但不只限于所选方案。
如图1所示，为本发明一实施方式提供的同质外延生长的氮化镓的方法的流程图。该方法具体包括以下步骤：
S1：对氮化镓衬底进行外延级别的清洗。
一示例性的实施例中，外延级别的清洗过程为：将氮化镓衬底置于清洗液中进行超声清洗，超声清洗完成后，用去离子水对氮化镓衬底进行冲洗，冲洗完成后，在惰性气氛下对氮化镓衬底进行干燥。
具体地，前述将氮化镓衬底置于清洗液中进行超声清洗的过程为：将氮化镓衬底置于丙酮溶液中超声清洗3～8min，更换新的丙酮溶液后再次对氮化镓衬底超声清洗3～8min，将氮化镓衬底置于异丙酮溶液中超声清洗3～8min，更换新的异丙酮溶液后再次对氮化镓衬底超声清洗3～8min。其中，超声清洗的时长可以是3～8min之间的任一时长，例如可以是3min、4.5min、5min、6.2min、8min等。
在本实施方式中，先用丙酮溶液对氮化镓衬底超声清洗两次，再用异丙酮溶液对氮化镓衬底超声清洗两次，可以利用丙酮和异丙酮不同的溶解性，将氮化镓衬底上的杂质清洗干净。
在其他实施方式中，也可以采用其他清洗液代替丙酮和异丙酮溶液，如汽油、乙醇、乙酸乙酯等清洗液。
具体地，用去离子水对氮化镓衬底进行冲洗的过程为：用去离子水对完成超声冲洗的氮化镓衬底进行冲洗，将氮化镓衬底放入盐酸中浸泡3～10min，取出氮化镓衬底并用去离子水对氮化镓衬底进行冲洗。其中，盐酸的体积浓度为50％。
具体地，惰性气氛指的是，氮气、氩气、氦气等化学性质不活泼的气体构成的气体氛围。在惰性气氛下，可采用烘干、风干等方式对氮化镓衬底进行干燥。
S2：在氮化镓衬底表面进离子注入Fe。
具体地，步骤S2中，离子注入Fe的注入能量为100～500keV，注入的深度为50～100nm，注入剂量为1×1015～5×1016ions/cm2。注入的Fe，可以在生长过程中扩散，对氮化镓衬底和氮化镓外延层间的界面进行补偿。
S3：将氮化镓衬底放入生长反应室中进行热清洁。
具体地，将离子注入Fe后的氮化镓衬底放入生长反应室中，通入氢气和氮气，并在300～400℃的温度下保温10min。其中，通入氢气的流量为17.8slm，通入氮气的流量为14slm。通过热清洁可去除氮化镓衬底上的C、H、O杂质。
S4：在预设条件下，于氮化镓衬底表面同质外延生长氮化镓外延层。
具体地，在1000～1100℃的温度下，将热处理氮化镓后的衬底置于转速为20～30rpm的托盘上，通入三甲基镓和氨气，于氮化镓衬底表面生长氮化镓外延层。其中，三甲基镓的流量为40.5sccm，氨气的流量为20.5slm。
本发明一实施方式中，还提供了一种氮化镓材料，该氮化镓材料包括氮化镓衬底和氮化镓外延层，其中，氮化镓外延层通过前述的同质外延生长的氮化镓的方法形成于氮化镓衬底的表面上。
下面结合具体的实施例，对本发明的技术方案作进一步说明。
实施例1
采用自支撑氮化镓(厚度为350微米的氮化镓层)为衬底。
将该氮化镓衬底置于丙酮溶液中超声清洗5min，更换新的丙酮溶液后再次对氮化镓衬底超声清洗5min，将氮化镓衬底置于异丙酮溶液中超声清洗5min，更换新的异丙酮溶液后再次对氮化镓衬底超声清洗5min。
用去离子水对完成超声冲洗的氮化镓衬底进行冲洗，将氮化镓衬底放入体积浓度为50％的盐酸中浸泡5min，取出氮化镓衬底并用去离子水对氮化镓衬底进行冲洗，然后在氮气氛围下将氮化镓衬底吹干。
在氮化镓衬底表面进离子注入Fe，注入能量为300keV，注入的深度为50～100nm，注入剂量为1×1015～5×1016ions/cm2。
将离子注入Fe后的氮化镓衬底放入生长反应室中，通入氢气和氮气，并在300～400℃的温度下保温10min，进行清洁；其中，通入氢气的流量为17.8slm，通入氮气的流量为14slm。
在1040℃的温度下，将热处理氮化镓后的衬底置于转速为25rpm的托盘上，通入三甲基镓和氨气，于氮化镓衬底表面生长氮化镓外延层，制得氮化镓材料；其中，三甲基镓的流量为40.5sccm，氨气的流量为20.5slm。
对本实施例所制得的氮化镓材料中的氮化镓衬底和氮化镓外延层间的生长界面处的Si杂质浓度进行SIMS分析，分析结果如图2所示。
实施例2
采用氮化镓模板(蓝宝石衬底上MOCVD生长的4微米厚的氮化镓)为衬底。
将该氮化镓衬底置于丙酮溶液中超声清洗5min，更换新的丙酮溶液后再次对氮化镓衬底超声清洗5min，将氮化镓衬底置于异丙酮溶液中超声清洗5min，更换新的异丙酮溶液后再次对氮化镓衬底超声清洗5min。
用去离子水对完成超声冲洗的氮化镓衬底进行冲洗，将氮化镓衬底放入体积浓度为50％的盐酸中浸泡5min，取出氮化镓衬底并用去离子水对氮化镓衬底进行冲洗，然后在氮气氛围下将氮化镓衬底吹干。
在氮化镓衬底表面进离子注入Fe，注入能量为300keV，注入的深度为50～100nm，注入剂量为1×1015～5×1016ions/cm2。
将离子注入Fe后的氮化镓衬底放入生长反应室中，通入氢气和氮气，并在300～400℃的温度下保温10min，进行清洁；其中，通入氢气的流量为17.8slm，通入氮气的流量为14slm。
在1000℃的温度下，将热处理氮化镓后的衬底置于转速为25rpm的托盘上，通入三甲基镓和氨气，于氮化镓衬底表面生长氮化镓外延层，制得氮化镓材料；其中，三甲基镓的流量为40.5sccm，氨气的流量为20.5slm。
对比例1
采用自支撑氮化镓(厚度为350微米的氮化镓层)为衬底。
将该氮化镓衬底置于丙酮溶液中超声清洗5min，更换新的丙酮溶液后再次对氮化镓衬底超声清洗5min，将氮化镓衬底置于异丙酮溶液中超声清洗5min，更换新的异丙酮溶液后再次对氮化镓衬底超声清洗5min。
用去离子水对完成超声冲洗的氮化镓衬底进行冲洗，将氮化镓衬底放入体积浓度为50％的盐酸中浸泡5min，取出氮化镓衬底并用去离子水对氮化镓衬底进行冲洗，然后在氮气氛围下将氮化镓衬底吹干。
将吹干后的氮化镓衬底放入生长反应室中，通入氢气和氮气，并在300～400℃的温度下保温10min，进行清洁；其中，通入氢气的流量为17.8slm，通入氮气的流量为14slm。
在1040℃的温度下，将热处理氮化镓后的衬底置于转速为25rpm的托盘上，通入三甲基镓和氨气，于氮化镓衬底表面生长氮化镓外延层，制得氮化镓材料；其中，三甲基镓的流量为40.5sccm，氨气的流量为20.5slm。
对本实施例所制得的氮化镓材料中的氮化镓衬底和氮化镓外延层间的生长界面处的Si杂质浓度进行SIMS分析，分析结果如图3所示。
综上所述，本发明提供的同质外延生长的氮化镓的方法，通过在氮化镓衬底表面离子注入Fe，注入的Fe能够在生长氮化镓外延层的过程中扩散对生长界面进行补偿，以改善生长界面处的Si杂质聚集问题；且该方法工艺简单，适合大规模产业化。
前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。

Claims (10)

1.一种同质外延生长的氮化镓的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：对氮化镓衬底进行外延级别的清洗；
S2：在所述氮化镓衬底表面离子注入Fe；
S3：将所述氮化镓衬底放入生长反应室中进行热清洁；
S4：在预设条件下于所述氮化镓衬底表面同质外延生长氮化镓外延层。
2.如权利要求1所述的同质外延生长的氮化镓的方法，其特征在于，所述对氮化镓衬底表面进行外延级别的清洗，包括：
将氮化镓衬底置于清洗液中进行超声清洗，超声清洗完成后，用去离子水对所述氮化镓衬底进行冲洗，冲洗完成后，在惰性气氛下对所述氮化镓衬底进行干燥。
3.如权利要求2所述的同质外延生长的氮化镓的方法，其特征在于，所述将氮化镓衬底放入清洗液中进行超声清洗，包括：
将氮化镓衬底置于丙酮溶液中超声清洗3～8min，更换新的丙酮溶液后再次对所述氮化镓衬底超声清洗3～8min，将氮化镓衬底置于异丙酮溶液中超声清洗3～8min，更换新的异丙酮溶液后再次对所述氮化镓衬底超声清洗3～8min。
4.如权利要求2所述的同质外延生长的氮化镓的方法，其特征在于，所述用去离子水对所述氮化镓衬底进行冲洗，包括：
用去离子水对完成超声冲洗的所述氮化镓衬底进行冲洗，将所述氮化镓衬底放入盐酸中浸泡3～10min，取出所述氮化镓衬底并用去离子水对所述氮化镓衬底进行冲洗。
5.如权利要求4所述的同质外延生长的氮化镓的方法，其特征在于，所述盐酸的体积浓度为50％。
6.如权利要求1所述的同质外延生长的氮化镓的方法，其特征在于，所述步骤S2中，离子注入Fe的注入能量为100～500keV，注入的深度为50～100nm，注入剂量为1×1015～5×1016ions/cm2。
7.如权利要求1所述的同质外延生长的氮化镓的方法，其特征在于，所述将所述氮化镓衬底放入生长反应室中进行热清洁，包括：
将所述氮化镓衬底放入生长反应室中，通入氢气和氮气，并在300～400℃的温度下保温10min。
8.如权利要求1所述的同质外延生长的氮化镓的方法，其特征在于，所述在预设条件下于所述氮化镓衬底表面生长氮化镓外延层，包括：
在1000～1100℃的温度下，将所述氮化镓衬底置于转速为20～30rpm的托盘上，通入三甲基镓和氨气，于所述氮化镓衬底表面生长氮化镓外延层。
9.如权利要求8所述的同质外延生长的氮化镓的方法，其特征在于，所述三甲基镓的流量为40.5sccm，所述氨气的流量为20.5slm。
10.一种氮化镓材料，其特征在于，包括氮化镓衬底和氮化镓外延层，所述氮化镓外延层通过权利要求1～9中任一项所述的方法形成于所述氮化镓衬底的表面上。
CN202210088289.1A 2022-01-25 2022-01-25 同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料 Pending CN114496749A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210088289.1A CN114496749A (zh) 2022-01-25 2022-01-25 同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210088289.1A CN114496749A (zh) 2022-01-25 2022-01-25 同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114496749A true CN114496749A (zh) 2022-05-13

Family

ID=81474735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210088289.1A Pending CN114496749A (zh) 2022-01-25 2022-01-25 同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114496749A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1807558B1 (en) Method for producing 100 mm silicon carbide wafer with low micropipe density
US8785946B2 (en) Low 1C screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer
CN112670161B (zh) 一种低热阻氮化镓高电子迁移率晶体管外延材料制备方法
CN113488565B (zh) 一种氮化铝薄膜的制备方法
EP0253611A2 (en) Method of epitaxially growing gallium arsenide on silicon
CN116960173A (zh) 高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、hemt器件
CN109338463B (zh) 一种高纯碳化硅单晶衬底
CN114899099A (zh) 一种金刚石衬底上生长氮化镓高电子迁移率晶体管的外延方法
CN111180311B (zh) 一种降低GaN衬底与外延层界面处Si浓度的方法
CN101724910A (zh) 消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法
CN114496749A (zh) 同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料
JP2576766B2 (ja) 半導体基板の製造方法
CN103081062A (zh) 化合物半导体的制造方法
US7358112B2 (en) Method of growing a semiconductor layer
CN107564799A (zh) GaN衬底的表面处理方法
CN114068444A (zh) 用于氮化镓高温退火的保护结构及其应用
JPH08335695A (ja) 化合物半導体装置及びその製造方法
CN114758948B (zh) 用于半绝缘GaN外延层生长的SiC衬底表面处理方法
JP3461819B2 (ja) 半導体結晶膜の製造方法
CN112885708B (zh) 一种碳化硅同质外延材料的制备方法
CN108648988B (zh) 一种降低碳化硅多层结构中p型记忆效应的方法
CN106384709A (zh) 一种GaN薄膜材料及其制备方法
JP3121945B2 (ja) 半導体結晶の成長方法
JP2853226B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN118109900A (zh) 一种金刚石氮化铝异质结外延材料制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination