CN114488703A - 刻蚀方案的确定方法、测试掩模板以及刻蚀系统 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种刻蚀方案的确定方法、测试掩模板以及刻蚀系统。该刻蚀方案的确定方法包括：提供一测试掩模板，其中，测试掩模板包括多个不同穿透率的掩模区域，每个掩模区域分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案；对不同穿透率的每个掩模区域分别进行刻蚀测试，以得到匹配的刻蚀方案。该方法不仅能够保证刻蚀图案的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌一致，且有效节省了人力和物力。

Description

刻蚀方案的确定方法、测试掩模板以及刻蚀系统
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种刻蚀方案的确定方法、测试掩模板以及刻蚀系统。
背景技术
近年来，随着微电子技术的不断发展，半导体器件的尺寸越来越小，随之在晶片上形成的图案的尺寸也越来越小。目前，为了在晶片上形成微细化的图案，普遍采用掩模板的光刻工艺。
在光刻工艺中，首先在晶片上设置光刻胶，然后将掩模板覆盖在光刻胶背离晶片的一侧表面上，并通过掩模板向光刻胶的一部分辐照一定波长的光线；然后，用显影液的显影工艺去除光刻胶的辐射部分，以形成光刻胶图案。之后通过刻蚀工艺将图案转移到晶片上。但在刻蚀过程中，掩模板的穿透率会极大地影响刻蚀图案的尺寸和形貌，为了得到符合要求的刻蚀图案，刻蚀方案一般需要根据掩模板的穿透率的不同而进行相应改变优化。
然而，产品量产阶段，针对掩模板的穿透率做刻蚀方案的调整，会耗费大量的人力和物力。
发明内容
本申请提供一种刻蚀方案的确定方法、测试掩模板以及刻蚀系统，旨在解决产品量产阶段，针对掩模板的穿透率做刻蚀方案的调整，会耗费大量的人力和物力的问题。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种刻蚀方案的确定方法。该方法包括：提供一测试掩模板，其中，所述测试掩模板包括多个不同穿透率的掩模区域，每个所述掩模区域分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案；对不同穿透率的每个所述掩模区域分别进行刻蚀测试，以得到匹配的刻蚀方案。
其中，对不同穿透率的每个所述掩模区域分别进行刻蚀测试，以得到匹配的刻蚀方案的步骤，包括：基于不同穿透率的每个所述掩模区域分别预置不同的初始刻蚀方案；基于不同穿透率的每个所述掩模区域和对应的所述初始刻蚀方案在测试基底上进行刻蚀，以得到测试刻蚀图案；基于所述测试刻蚀图案和所述预设刻蚀图案，调整优化所述初始刻蚀方案，以得到每个所述掩模区域的穿透率所对应的匹配刻蚀方案。
其中，基于所述测试刻蚀图案和所述预设刻蚀图案，调整所述初始刻蚀方案的步骤，包括：量测并反馈所述测试刻蚀图案的关键尺寸和形貌；基于所述测试刻蚀图案的关键尺寸和形貌与所述预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌之间的差异，调整优化所述初始刻蚀方案的刻蚀参数，以得到所述匹配刻蚀方案；其中，每个所述掩模区域的穿透率所对应的所述匹配刻蚀方案刻蚀出的刻蚀图案与对应的所述预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌相同或差异在预设范围内。
其中，每个所述掩模区域的穿透率所对应的所述匹配刻蚀方案刻蚀出的刻蚀图案的关键尺寸和形貌相同或差异在预设范围内。
其中，所述刻蚀参数包括刻蚀液或刻蚀蒸气的种类、比例和/或流量、刻蚀腔室的温度、压力、刻蚀时间中的至少一个。
其中，每个所述掩模区域的大小相等或不等，每个所述掩模区域的穿透率在1％-99％范围内。
其中，进一步包括：选择目标掩模板；基于所述目标掩模板的穿透率，调取与所述穿透率对应的匹配刻蚀方案进行刻蚀处理。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种测试掩模板。该测试掩模板包括：多个不同穿透率的掩模区域，其中，每个所述掩模区域分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案，用于对不同穿透率的每个掩模区域分别进行刻蚀测试，以得到不同穿透率的掩模板对应的匹配刻蚀方案。
其中，所述刻蚀测试包括：基于不同穿透率的每个所述掩模区域分别预置不同的初始刻蚀方案；基于不同穿透率的每个所述掩模区域和对应的所述初始刻蚀方案在测试基底上进行刻蚀，以得到测试刻蚀图案；基于所述测试刻蚀图案和所述预设刻蚀图案，调整优化所述初始刻蚀方案，以得到每个所述掩模区域的穿透率所对应的匹配刻蚀方案。
为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种刻蚀系统。该刻蚀系统包括：掩模板提供装置、光刻装置以及刻蚀装置；其中，掩模板提供装置用于提供至少一测试掩模板，其中，每一所述测试掩模板包括多个不同穿透率的掩模区域，每个所述掩模区域分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案；光刻装置基于所述测试掩模板的每个掩模区域对测试基底进行曝光显影处理；刻蚀装置用于对曝光显影处理后的所述测试基底进行刻蚀测试，以得到每个掩模区域的穿透率所对应的匹配蚀刻方案。
其中，所述刻蚀装置包括：刻蚀模块、量测模块以及刻蚀接入模块；其中，刻蚀模块用于对曝光显影处理后的所述测试基底进行刻蚀处理以得到测试刻蚀图案；量测模块用于量测所述测试刻蚀图案的关键尺寸和形貌；刻蚀接入模块连接所述量测模块和所述刻蚀模块，基于所述量测模块反馈的所述测试刻蚀图案的关键尺寸和形貌与所述预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌之间的差异，调整优化初始刻蚀方案的刻蚀参数，从而使所述刻蚀系统基于优化后的刻蚀方案重新进行刻蚀，直至形成所述预设刻蚀图案。
本申请实施例提供的刻蚀方案的确定方法、测试掩模板以及刻蚀系统，该刻蚀方案的确定方法，通过提供一测试掩模板，并使该测试掩模板包括多个不同穿透率的掩模区域，每个所述掩模区域分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案；然后对不同穿透率的每个所述掩模区域分别进行刻蚀测试，以得到匹配的刻蚀方案；这样在基于一定穿透率的掩模板进行刻蚀时，可直接调取与之匹配的刻蚀方案进行刻蚀，从而能够保证刻蚀图案的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌的一致性，在产品量产时，则可基于穿透率选择匹配的蚀刻方案，无需再对刻蚀方案进行调整，进而有效节省了人力和物力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1为本申请一实施例提供的刻蚀方案的确定方法的流程图；
图2为测试掩模板的结构示意图；
图3为目标掩模板的穿透率为a时进行刻蚀处理后的刻蚀图案示意图；
图4为目标掩模板的穿透率为b时进行刻蚀处理后的刻蚀图案示意图；
图5为目标掩模板的穿透率为c时进行刻蚀处理后的刻蚀图案示意图；
图6为目标掩模板的穿透率为d时进行刻蚀处理后的刻蚀图案示意图；
图7为本申请另一实施例提供的刻蚀方案的确定方法的流程图；
图8为本申请一实施例提供的刻蚀系统的结构示意图；
图9为本申请一实施例提供的刻蚀装置的结构示意图。
附图标记说明
测试掩模板10；掩模区域11；掩模图案12；测试基底20；测试刻蚀图案21a/21b/21c/21d；刻蚀系统30；掩模板提供装置31；光刻装置32；刻蚀装置33；刻蚀模块331；量测模块332；刻蚀接入模块333。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
下面结合附图和实施例对本申请进行详细的说明。
请参阅图1，图1为本申请一实施例提供的刻蚀方案的确定方法的流程图；在本实施例中，提供一种刻蚀方案的确定方法，该方法包括：
步骤S1：提供一测试掩模板。
其中，参见图2，图2为测试掩模板10的结构示意图；测试掩模板10包括多个不同穿透率的掩模区域11，每个掩模区域11分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案12。具体的，如图2所示，每个掩模区域11的大小相等或不等，每个掩模区域11的穿透率在1％-99％范围内。在具体实施例中，该测试掩模板10上可包括a、b、c、d四个不同穿透率的掩模区域11。可以理解的是，测试掩模板10也可以包括其它数量的掩模区域11，本申请并不限制掩模区域11的数量。此外，每个掩模区域11上的掩模图案12是为了在测试基底20上形成相同或差异在预设范围内的预设刻蚀图案，各个掩模区域11中的掩模图案12整体上大致类似，而各个掩模区域11中掩模图案12的细节不同仅体现了掩模区域11的穿透率不一致。当然，本领域技术人员可以理解的是，各个掩模区域11上的掩模图案12也可以用来形成不同的预设蚀刻图案，各个掩模区域11中掩模图案12的不同，不仅对应不同的穿透率，也对应不同的预设蚀刻图案。
步骤S2：对不同穿透率的每个掩模区域分别进行刻蚀测试，以得到匹配的刻蚀方案。
在一具体实施例中，步骤S2具体包括：
步骤S21：基于不同穿透率的每个掩模区域11分别预置不同的初始刻蚀方案。
比如，对于a穿透率的掩模区域11，预置初始刻蚀方案A；对于b穿透率的掩模区域11，预置初始刻蚀方案B；对于c穿透率的掩模区域11，预置初始刻蚀方案C；对于d穿透率的掩模区域11，预置初始刻蚀方案D；其中，初始刻蚀方案A、B、C、D不同；当然，也可相同或者部分相同。
步骤S22：基于不同穿透率的每个掩模区域11和对应的初始刻蚀方案在测试基底20上进行刻蚀，以得到测试刻蚀图案。
以下实施例均以a穿透率的掩模区域11为例，基于a穿透率的掩模区域11和对应的初始刻蚀方案A通过刻蚀装置33(见下图8)的刻蚀模块331在测试基底20上进行刻蚀，以得到测试刻蚀图案21a(见下图3)。同理，对于b(或c或d)穿透率的掩模区域11，基于b(或c或d)穿透率的掩模区域11和对应的初始刻蚀方案B(或C或D)通过刻蚀装置33在测试基底20上进行刻蚀，以得到相应的测试刻蚀图案21b(或21c或21d)(见下图4至7)。其中，测试基底20可为晶片。
步骤S23：基于测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)和预设刻蚀图案，调整优化初始刻蚀方案，以得到每个掩模区域11的穿透率所对应的匹配刻蚀方案。
具体的，步骤S23包括：
步骤S231：量测并反馈测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌。
具体的，通过刻蚀装置33的量测模块332量测测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌，并将量测结果反馈给刻蚀装置33的刻蚀接入模块333。
步骤S232：基于测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌之间的差异，调整优化初始刻蚀方案的刻蚀参数，以得到匹配刻蚀方案。
具体的，刻蚀接入模块333接收到反馈的测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌后，基于测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌之间的差异，调整优化初始刻蚀方案A(或B或C或D)的刻蚀参数，以得到匹配刻蚀方案A’(或B’或C’或D’)。其中，刻蚀参数包括刻蚀液或刻蚀蒸气的种类、比例和/或流量、刻蚀腔室的温度、压力、刻蚀时间中的至少一个。
具体的，例如，刻蚀接入模块333响应于测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌小于预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌，则增加刻蚀液的或刻蚀蒸气的种类、比例和/或流量、刻蚀腔室的温度、压力刻蚀时间中的至少一个，以得到优化后的刻蚀方案，然后基于优化后的刻蚀方案返回步骤S22重新对测试基底20进行刻蚀处理，直至测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌相同或差异在预设范围内。响应于测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌大于预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌，则减小刻蚀液的或刻蚀蒸气的种类、比例和/或流量、刻蚀腔室的温度、压力刻蚀时间中的至少一个，以得到优化后的刻蚀方案，然后基于优化后的刻蚀方案返回步骤S22重新对测试基底20进行刻蚀处理，直至测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌相同或差异在预设范围内。响应于测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌相同或差异在预设范围内，则确定当前刻蚀方案为对应的匹配刻蚀方案。该方法相比于现有方案更加智能化、稳定化。此外，如上所述，在一个实施例中，每个掩模区域11上的掩模图案12是为了在测试基底20上形成相同或差异在预设范围内的预设刻蚀图案，各个掩模区域11中的掩模图案12整体上大致类似，而各个掩模区域11中掩模图案12的细节不同仅体现了掩模区域11的穿透率不一致，因此，每个掩模区域11的穿透率所对应的匹配刻蚀放案刻蚀出的刻蚀图案的关键尺寸和形貌相同或差异在预设范围内，从而可以减少变量的数量，更加有利用于工艺的比较和调整。
在一实施例中，参见图7，图7为本申请另一实施例提供的刻蚀方案的确定方法的流程图；与上述实施例不同的是，该方法进一步还包括：
步骤S3：选择目标掩模板。
其中，目标掩模板的穿透率与测试掩模板10的不同穿透率中的其中一种穿透率一致。比如，目标掩模板的穿透率为a；当然，目标掩模板的穿透率也可为b或c或d。其中，步骤S3与步骤S1和步骤S2的先后顺序不做限定。
步骤S4：基于目标掩模板的穿透率，调取与穿透率对应的匹配刻蚀方案进行刻蚀处理。
具体的，在目标掩模板的穿透率为a时，可直接调取与穿透率a对应的匹配刻蚀方案A’对产品进行刻蚀处理，无需再对刻蚀方案进行调试优化。同样地，在目标掩模板的穿透率为b时，可直接调取与穿透率b对应的匹配刻蚀方案B’进行刻蚀处理。在目标掩模板的穿透率为c时，可直接调取与穿透率c对应的匹配刻蚀方案C’进行刻蚀处理。在目标掩模板的穿透率为d时，可直接调取与穿透率d对应的匹配刻蚀方案D’进行刻蚀处理。因此，在目标掩模板确定之后，其对应的穿透率即已确定，在刻蚀过程中，可直接根据目标掩模板的穿透率调取与之对应的匹配刻蚀方案进行刻蚀，在产品量产时，无需再对刻蚀方案进行调整，进而有效节省了对不同穿透率的掩模板做刻蚀方案的调整的人力和物力。
本领域技术人员可以理解的是，在进行刻蚀工艺之前，还包括光刻工艺，即，基于测试掩模板10的每个掩模区域11对测试基底20进行曝光显影处理；该光刻工艺具体实施过程与现有光刻工艺的具体实施过程相同或相似，且可实现相同或相似的技术效果，具体可参见现有技术，在此不再赘述。
本实施例提供的刻蚀方案的确定方法，通过提供一测试掩模板10，并使该测试掩模板10包括多个不同穿透率的掩模区域11，每个掩模区域11分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案12；然后对不同穿透率的每个掩模区域11分别进行刻蚀测试，以得到匹配的刻蚀方案；这样在基于一定穿透率的掩模板进行刻蚀时，可直接调取与之匹配的刻蚀方案进行刻蚀，从而不仅能够保证刻蚀图案的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌的一致性，且在产品量产后，无需再对刻蚀方案进行调整，进而有效节省了对不同穿透率的掩模板做刻蚀方案的调整的人力和物力。同时，该方法通过在一张掩模板做分区，然后设计不同穿透率的掩模图案12，可以根据不同的穿透率设置不同的刻蚀方案，最后得到同样的关键尺寸及形貌，给产品顺利量产带来了极大的便利；该方法简单，实用，商业价值高；工艺适配性好。
在一实施例中，如图2所示，还提供一种测试掩模板10。该掩模板包括多个不同穿透率的掩模区域11。具体的，每个掩模区域11的大小相等或不等，且每个掩模区域11的穿透率在1％-99％范围内。如图2所示，在一具体实施例中，该测试掩模板10上可包括a、b、c、d四个不同穿透率的掩模区域11。
具体的，每个掩模区域11分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案12，这些掩模图案12用于对不同穿透率的每个掩模区域11分别进行刻蚀测试，以得到不同穿透率的掩模板对应的匹配刻蚀方案。
具体的，刻蚀测试包括基于不同穿透率的每个掩模区域11分别预置不同的初始刻蚀方案；基于不同穿透率的每个掩模区域11和对应的初始刻蚀方案在测试基底20上进行刻蚀，以得到测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)；基于测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)和预设刻蚀图案，调整优化初始刻蚀方案，以得到每个掩模区域11的穿透率所对应的匹配刻蚀方案。该刻蚀测试的具体工艺可参见上述步骤S21至步骤S23的具体描述，在此不再赘述。
本实施例提供的测试掩模板10，通过设置多个不同穿透率的掩模区域11，能够模拟产品不同穿透率的掩模板，并使每个掩模区域11分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案12，以用于对不同穿透率的每个掩模区域11分别进行刻蚀测试，从而能够针对不同穿透率的掩模板得到匹配的匹配刻蚀方案，进而能够在确定掩模板的穿透率时，可直接调取相应的匹配刻蚀方案进行刻蚀，不仅能够保证刻蚀方案的关键尺寸和形貌与预设刻蚀方案的关键尺寸和形貌的一致性，且在产品量产后，无需再对刻蚀方案进行调整，进而有效节省了对不同穿透率的掩模板做刻蚀方案的调整的人力和物力。
在一实施例中，参见图8，图8为本申请一实施例提供的刻蚀系统30的结构示意图；该刻蚀系统30包括掩模板提供装置31、光刻装置32以及刻蚀装置33。
其中，掩模板提供装置31用于提供至少一测试掩模板10。其中，每一测试掩模板10包括多个不同穿透率的掩模区域11，每个掩模区域11分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案12。具体的，每个掩模区域11的大小相等或不等，且每个掩模区域11的穿透率在1％-99％范围内。
光刻装置32基于测试掩模板10的每个掩模区域11对测试基底20进行曝光显影处理。该光刻装置32具体可为光刻机；其具体曝光显影原理可参见现有装置进行曝光显影的原理，在此不再赘述。
刻蚀装置33用于对曝光显影处理后的测试基底20进行刻蚀测试，以得到每个掩模区域11的穿透率所对应的匹配蚀刻方案。
具体的，参见图9，图9为本申请一实施例提供的刻蚀装置33的结构示意图；刻蚀装置33包括刻蚀模块331、量测模块332以及刻蚀接入模块333。
其中，刻蚀模块331用于对曝光显影处理后的测试基底20进行刻蚀处理以得到测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)。其中，刻蚀模块331具体可为等离子刻蚀机；其具体刻蚀原理可参见现有刻蚀模块331进行刻蚀的原理，在此不再赘述。具体的，刻蚀模块331用于基于不同穿透率的每个掩模区域11分别预置不同的初始刻蚀方案；基于不同穿透率的每个掩模区域11和对应的初始刻蚀方案在测试基底20上进行刻蚀，以得到测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)。其中，一个穿透率的掩模区域11对应一个初始刻蚀方案。
量测模块332用于量测测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌，并将量测结果反馈至刻蚀接入模块333。
刻蚀接入模块333连接量测模块332和刻蚀模块331，用于接收量测模块332反馈的量测结果，并基于量测模块332反馈的量测的测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌之间的差异，调整优化刻蚀模块331的初始刻蚀方案的刻蚀参数，从而使刻蚀系统30基于优化后的刻蚀方案重新进行刻蚀，直至形成预设刻蚀图案。其中，刻蚀参数包括刻蚀液或刻蚀蒸气的种类、比例和/或流量、刻蚀腔室的温度、压力、刻蚀时间。
具体的，刻蚀接入模块333响应于测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌小于预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌，则增加或减小刻蚀液的或刻蚀蒸气的种类、比例和/或流量、刻蚀腔室的温度、压力刻蚀时间中的至少一个，以得到优化后的刻蚀方案，然后基于优化后的刻蚀方案重新对测试基底20进行刻蚀处理，直至测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌相同或差异在预设范围内。或者，刻蚀接入模块333响应于测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌大于预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌，则增加或减小刻蚀液的或刻蚀蒸气的种类、比例和/或流量、刻蚀腔室的温度、压力刻蚀时间中的至少一个，以得到优化后的刻蚀方案，然后基于优化后的刻蚀方案重新对测试基底20进行刻蚀处理，直至测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌相同或差异在预设范围内。其中，具体可根据测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌的实际差异，确定增加或减小刻蚀液的或刻蚀蒸气的种类、比例和/或流量、刻蚀腔室的温度、压力刻蚀时间中的至少一个。刻蚀接入模块333响应于测试刻蚀图案21a(或21b或21c或21d)的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌相同或差异在预设范围内，则确定当前刻蚀方案为对应的匹配刻蚀方案。该方法相比于现有方案更加智能化、稳定化。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统，装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
以上仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (11)

1.一种刻蚀方案的确定方法，其特征在于，包括：
提供一测试掩模板，其中，所述测试掩模板包括多个不同穿透率的掩模区域，每个所述掩模区域分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案；
对不同穿透率的每个所述掩模区域分别进行刻蚀测试，以得到匹配的刻蚀方案。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对不同穿透率的每个所述掩模区域分别进行刻蚀测试，以得到匹配的刻蚀方案的步骤，包括：
基于不同穿透率的每个所述掩模区域分别预置不同的初始刻蚀方案；
基于不同穿透率的每个所述掩模区域和对应的所述初始刻蚀方案在测试基底上进行刻蚀，以得到测试刻蚀图案；
基于所述测试刻蚀图案和所述预设刻蚀图案，调整优化所述初始刻蚀方案，以得到每个所述掩模区域的穿透率所对应的匹配刻蚀方案。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，基于所述测试刻蚀图案和所述预设刻蚀图案，调整所述初始刻蚀方案的步骤，包括：
量测并反馈所述测试刻蚀图案的关键尺寸和形貌；
基于所述测试刻蚀图案的关键尺寸和形貌与所述预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌之间的差异，调整优化所述初始刻蚀方案的刻蚀参数，以得到所述匹配刻蚀方案；其中，每个所述掩模区域的穿透率所对应的所述匹配刻蚀方案刻蚀出的刻蚀图案与对应的所述预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌相同或差异在预设范围内。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，每个所述掩模区域的穿透率所对应的所述匹配刻蚀方案刻蚀出的刻蚀图案的关键尺寸和形貌相同或差异在预设范围内。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蚀参数包括刻蚀液或刻蚀蒸气的种类、比例和/或流量、刻蚀腔室的温度、压力、刻蚀时间中的至少一个。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每个所述掩模区域的大小相等或不等，每个所述掩模区域的穿透率在1％-99％范围内。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
选择目标掩模板；
基于所述目标掩模板的穿透率，调取与所述穿透率对应的匹配刻蚀方案进行刻蚀处理。
8.一种测试掩模板，其特征在于，包括：
多个不同穿透率的掩模区域，其中，每个所述掩模区域分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案，用于对不同穿透率的每个掩模区域分别进行刻蚀测试，以得到不同穿透率的掩模板对应的匹配刻蚀方案。
9.根据权利要求8所述的测试掩模板，其特征在于，所述刻蚀测试包括：
基于不同穿透率的每个所述掩模区域分别预置不同的初始刻蚀方案；
基于不同穿透率的每个所述掩模区域和对应的所述初始刻蚀方案在测试基底上进行刻蚀，以得到测试刻蚀图案；
基于所述测试刻蚀图案和所述预设刻蚀图案，调整优化所述初始刻蚀方案，以得到每个所述掩模区域的穿透率所对应的匹配刻蚀方案。
10.一种刻蚀系统，其特征在于，包括：
掩模板提供装置，用于提供至少一测试掩模板，其中，每一所述测试掩模板包括多个不同穿透率的掩模区域，每个所述掩模区域分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案；
光刻装置，基于所述测试掩模板的每个掩模区域对测试基底进行曝光显影处理；
刻蚀装置，用于对曝光显影处理后的所述测试基底进行刻蚀测试，以得到每个掩模区域的穿透率所对应的匹配蚀刻方案。
11.根据权利要求10所述的刻蚀系统，其特征在于，所述刻蚀装置包括：
刻蚀模块，用于对曝光显影处理后的所述测试基底进行刻蚀处理以得到测试刻蚀图案；
量测模块，用于量测所述测试刻蚀图案的关键尺寸和形貌；
刻蚀接入模块，连接所述量测模块和所述刻蚀模块，基于所述量测模块反馈的所述测试刻蚀图案的关键尺寸和形貌与所述预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌之间的差异，调整优化初始刻蚀方案的刻蚀参数，从而使所述刻蚀系统基于优化后的刻蚀方案重新进行刻蚀，直至形成所述预设刻蚀图案。
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