CN105116690A - 一种显示屏阵列基板加工工艺 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示屏阵列基板加工工艺，包括先获取阵列基板最终样品的线宽统计值，然后根据阵列基板最终样品的线宽统计值，选用微补正曝光设备对产品线宽进行细微修正，从而改善整面阵列基板的线宽均一性。

Description

一种显示屏阵列基板加工工艺

技术领域

本发明涉及平板显示加工领域，具体来说涉及一种显示屏阵列基板加工工艺。

背景技术

平板显示制造中，线宽均一性（CDUniformity）非常重要。但产品线宽均一性与多道工序，如光刻胶狭缝涂覆（Coater）、减压干燥（VacuumDry）、前烘（Prebake）、曝光（Exposure）、显影（Developer）、后烘（Postbake）、刻蚀（Etching）等紧密相关。任何一道工序的均一性不佳，都会导致产品的线宽均一性差，从而导致产品品质的低水平。

现行生产线中对线宽均一性影响较大的工艺顺序如图1所示（以黄光生产线为例），包括光刻胶狭缝涂覆（Coater）、减压干燥（VacuumDry）、前烘（Prebake）、曝光（Exposure）、显影（Developer）、后烘（Postbake）、线宽测试、刻蚀（Etching）、线宽测试。为满足产品线宽的严苛的均一性要求，需要将影响线宽均一性的各单元精确控制，使各单元的均一性均稳定在一个高水平。但其实在生产中，同时控制好各个单元的工艺均一性绝非易事，且即便上述单元的均一性已经控制到非常严苛的程度，但由于会存在相互叠加的效应，线宽均一性也常常不够理想，造成产品的品质难以提高。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的在于提供一种显示屏阵列基板加工工艺，以解决现有技术中得到的玻璃基板线宽均一性不佳的问题。

为了实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种显示屏阵列基板加工工艺，其特征在于，包括：

获取阵列基板最终样品的线宽统计值：提供若干片素基板，在所述素基板上依次进行光刻胶狭缝涂覆、减压干燥、前烘、曝光、显影、后烘工序，至此得到带光刻胶掩膜的图案基板，对所述图案基板进行光刻胶图形的线宽测试，然后再通过刻蚀对光刻胶进行剥离工序，得到金属或非金属图案基板、对形成的金属或非金属图案进行线宽测试，得到阵列基板最终样品的线宽统计值；

微补正金属或非金属图案的线宽：将其它素基板依次进行光刻胶狭缝涂覆、减压干燥、前烘、曝光、微补正曝光、显影、后烘，得到带光刻胶掩膜的图案基板，然后再通过刻蚀对光刻胶进行剥离工序，得到线宽均一性优良的金属或非金属图案基板，；其中所述微补正曝光为首先将上述步骤中的阵列基板最终样品的线宽统计值反馈给微补正曝光设备，所述微补正曝光设备根据所述线宽统计值对金属或非金属图案的线宽进行细微修正，使最终的线宽符合预期值。

在本发明的一个较佳实施例中，在微补正曝光过程中，在后烘与刻蚀工序之间，对所述图案基板进行光刻胶图形的线宽测试。

在本发明的一个较佳实施例中，所述微补正曝光工序选用的微补正曝光设备是采用大型点阵光源，对阵列基板整体进行微曝光，其中大型点阵光源中的每个小点光源的曝光能量都可以独立控制。进一步，将阵列基板最终样品的线宽统计值反馈给微补正曝光设备，在通过大型点阵光源对阵列基板整体进行微曝光的同时，通过调节相应的小点光源的曝光能量对曝光不足、线宽偏大的区域进行微小的曝光能量补正，以达到对线宽均一性进行微调的目的。

在所述曝光工艺中，得到的半成品包括完全曝光区域、被掩膜板遮挡的完全未曝光区域、以及位于完全曝光区域边缘的未完全曝光的区域。所述微补正曝光为曝光能量小的曝光，即对完全曝光区域和完全未曝光区域的效果不产生影响，对未完全曝光的区域进行补正曝光，使其转变成完全曝光区域。

本发明将阵列基板最终样品的线宽统计值，反馈给微补正曝光设备，通过微补正曝光工序对线宽进行细微修正，从而改善整面玻璃基板的线宽均一性。

本发明的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。

附图说明

图1为现有技术中对线宽均一性影响较大的工艺顺序示意图。

图2为本发明的工艺顺序图。

图3为点阵光源的局部示意图。

图4为曝光工艺的示意图。

图5为曝光工艺后得到的阵列基板示意图。

图6为微补正曝光的示意图。

图7为微补正曝光后的效果图。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例进一步阐述本发明。

参见图2，显示屏阵列基板加工工艺（以黄光生产线为例），包括：

获取阵列基板最终样品的线宽统计值：提供若干片素基板，在所述素基板上依次进行光刻胶狭缝涂覆、减压干燥、前烘、曝光、显影、后烘工序，至此得到带光刻胶掩膜的图案基板，对所述图案基板进行光刻胶图形的线宽测试，然后再通过刻蚀对光刻胶进行剥离工序，得到金属或非金属图案基板、对形成的金属或非金属图案进行线宽测试，得到阵列基板最终样品的线宽统计值；

微补正金属或非金属图案的线宽：将其它素基板依次进行光刻胶狭缝涂覆、减压干燥、前烘、曝光、微补正曝光、显影、后烘，得到带光刻胶掩膜的图案基板，对所述图案基板进行光刻胶图形的线宽测试；然后再通过刻蚀对光刻胶进行剥离工序，得到线宽均一性优良的金属或非金属图案基板，；其中所述微补正曝光为首先将上述步骤中的阵列基板最终样品的线宽统计值反馈给微补正曝光设备，所述微补正曝光设备根据所述线宽统计值对金属或非金属图案的线宽进行细微修正，使最终的线宽符合预期值。

微补正曝光的原理如图4和图5所示，曝光工艺中，在曝光能量20的作用下，得到的半成品40包括完全曝光区域51、被掩膜板遮挡的完全未曝光区域52;但曝光机曝光时有掩膜板30阻挡以形成图案，所以在图案的边缘处，存在边缘效应，即存在一未完全曝光的区域53。

参见图6和7，微补正曝光的曝光能量10比曝光机的曝光能量20要小很多，难以对完全曝光区域和完全未曝光区域形成影响，所以微补正曝光不需要使用掩模板，而直接进行整面性的曝光，微补正曝光主要是对未完全曝光区域53进行再曝光，由于该区域其实已被曝过光，所以在进行整面性再次曝光时，该区域更容易被微补正曝光影响形成完全曝光区51。根据线宽测定结果的反馈，通过控制各区域微补正曝光的能量，实现对图案边缘处未完全曝光区域再次进行小能量曝光，从而达到图案边缘处完全曝光的目的，达到对各区域线宽的再控制，从而改善整面基板的线宽均一性，同时对其它区域不会产生任何影响。

微补正曝光工序选用的微补正曝光设备是采用大型点阵光源（如图3所示），进行整体微曝光，其中大型点阵光源中的每个小点光源的曝光能量都可以独立控制。将阵列基板最终样品的线宽统计值反馈给微补正曝光设备，通过调节每个小点光源的能量，再通过大型点阵光源对阵列基板进行整面性微曝光的同时，通过调节相应的小点光源的能量对曝光不足、线宽偏大的区域进行微小的能量补正，以达到对线宽均一性进行微调的目的。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

Claims (4)

1.一种显示屏阵列基板加工工艺，其特征在于，包括：

获取阵列基板最终样品的线宽统计值：提供若干片素基板，在所述素基板上依次进行光刻胶狭缝涂覆、减压干燥、前烘、曝光、显影、后烘工序，至此得到带光刻胶掩膜的图案基板，对所述图案基板进行光刻胶图形的线宽测试，然后再通过刻蚀对光刻胶进行剥离工序，得到金属或非金属图案基板、对形成的金属或非金属图案进行线宽测试，得到阵列基板最终样品的线宽统计值；

微补正金属或非金属图案的线宽：将其它素基板依次进行光刻胶狭缝涂覆、减压干燥、前烘、曝光、微补正曝光、显影、后烘，得到带光刻胶掩膜的图案基板，然后再通过刻蚀对光刻胶进行剥离工序，得到线宽均一性优良的金属或非金属图案基板，；其中所述微补正曝光为首先将上述步骤中的阵列基板最终样品的线宽统计值反馈给微补正曝光设备，所述微补正曝光设备根据所述线宽统计值对金属或非金属图案的线宽进行细微修正，使最终的线宽符合预期值。

2.根据权利要求1所述的显示屏阵列基板加工工艺，其特征在于，在微补正曝光过程中，在后烘与刻蚀工序之间，对所述图案基板进行光刻胶图形的线宽测试。

3.根据权利要求1所述的显示屏阵列基板加工工艺，其特征在于，所述微补正曝光工序选用的微补正曝光设备是采用大型点阵光源，对阵列基板整体进行微曝光，其中大型点阵光源中的每个小点光源的曝光能量都可以独立控制。

4.根据权利要求3所述的显示屏阵列基板加工工艺，其特征在于，将阵列基板最终样品的线宽统计值反馈给微补正曝光设备，在通过大型点阵光源对阵列基板整体进行微曝光的同时，通过调节相应的小点光源的曝光能量对曝光不足、线宽偏大的区域进行微小的曝光能量补正，以达到对线宽均一性进行微调的目的。