CN114481100B - 化学镀不同厚度的金属的方法、器件的封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种化学镀不同厚度的金属的方法及器件的封装方法。在化学镀之前，使部分金属垫电连接N型掺杂区，以提高该部分金属垫在化学镀工艺中发生置换反应时的反应效率，从而可以在同一化学镀过程中，使得连接有N型掺杂区的金属垫上能够形成厚度更大的化学镀金属，满足其对化学镀金属的厚度需求，同时避免了其他金属垫上的化学镀金属的厚度过大而造成不必要的资料浪费，有效降低生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种化学镀不同厚度的金属的方法及器件的封装方法。
背景技术
化学镀是一种新型的金属表面处理技术，其具体是在金属的催化作用下，通过可控制的氧化还原反应产生金属的沉积过程。与电镀相比，化学镀技术具有镀层均匀、工艺灵活、无需直流电源设备等特性，在许多领域中化学镀技术已取代电镀技术而成为一种环保的表面处理工艺。例如，目前市场火热的车载功率器件中，其追求更高性能的封装要求，为此，通常会利用化学镀工艺形成金属焊盘。
在半导体的加工中，同一衬底上一般会形成有多个金属焊盘，不同的金属焊盘会根据其具体应用而设置不同的电性引出方式，针对不同的电性引出方式而言其对金属焊盘的参数要求也不尽相同。例如，一部分金属焊盘中要求其顶层金属层应当具有较大的厚度；而一部分金属焊盘中则对其顶层金属层的厚度无严格要求，只要顶层金属层能够完整覆盖其下方的金属层即可。即使如此，在实际的加工中仍然只能以最大厚度需求为加工目标执行化学镀工艺，以制备各个金属焊盘中的金属层。
具体而言，在执行化学镀工艺以形成金属焊盘中的金属层时，衬底浸入至化学镀的镀液中，此时衬底上的多个化学镀区域即会基于相同的速率，而形成厚度均一的化学镀金属。因此，为了满足最大厚度的金属层的需求，则使得所有的金属焊盘上所形成的化学镀金属均以最大厚度设置，导致了资源的浪费，成本增加。
发明内容
本发明的目的在于提供一种化学镀不同厚度的金属的方法，以解决现有的化学镀工艺存在资源浪费的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种化学镀不同厚度的金属的方法，包括：在一衬底上形成至少两个金属垫，并执行化学镀工艺以在所述金属垫上形成化学镀金属。其中，在执行所述化学镀工艺之前，所述方法还包括：形成N型掺杂区，并且至少一个金属垫电连接所述N型掺杂区，以在执行所述化学镀工艺时，使得连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度大于未连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度。
可选的，所述N型掺杂区位于所述金属垫的下方，所述金属垫和所述N型掺杂区之间利用导电插塞电连接。
可选的，所述金属垫和所述N型掺杂区之间仅通过导电插塞电连接，所述导电插塞的两端直接接触所述N型掺杂区和所述金属垫。
可选的，所述衬底上形成有多层层间介质层，所述N型掺杂区掩埋在顶层的层间介质层的下方，所述金属垫形成在顶层的层间介质层上。
可选的，所述N型掺杂区的形成方法包括：在形成顶层的层间介质层之前，形成N型掺杂材料层。
可选的，所述N掺杂区的离子掺杂浓度大于等于1E20/cm2。
可选的，所述化学镀金属包括金，连接有N型掺杂区的金属垫上的金层的厚度大于等于35nm，未连接有N型掺杂区的金属垫上的金层的厚度大于20nm。
可选的，执行化学镀工艺以在所述金属垫上形成至少两层化学镀金属，其中连接有N型掺杂区的金属垫上的顶层化学镀金属具有第一厚度，未连接有N型掺杂区的金属垫上的顶层化学镀金属具有第二厚度，第一厚度大于1.5倍的第二厚度。
可选的，执行化学镀工艺以在所述金属垫上依次形成钯金属层、镍金属层和金层。
本发明还提供了一种器件的封装方法，包括：采用如上所述的化学镀不同厚度的金属的方法，在至少两个金属垫上形成化学镀金属，其中连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度大于未连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度；以及，对厚度较大的化学镀金属进行引线键合，以及在厚度较小的化学镀金属上制备Clip金属。
可选的，所述器件包括IGBT器件，所述IGBT的栅极金属垫连接所述N型掺杂区，所述IGBT器件的发射极金属垫未连接所述N型掺杂区。
在本发明提供的化学镀不同厚度的金属的方法中，针对部分金属垫设置N型掺杂区，并使该部分金属垫电连接N型掺杂区，以利用N型掺杂区为金属垫提供电子，促进化学镀工艺中置换反应的反应效率，从而可以在同一化学镀过程中，使得连接有N型掺杂区的金属垫上能够形成厚度更大的化学镀金属，满足其对化学镀金属的厚度需求，同时避免了其他金属垫上的化学镀金属的厚度过大而造成不必要的资料浪费，有效降低生产成本。
附图说明
图1-图3为本发明一实施例中在化学镀不同厚度的金属的过程中的结构示意图。
图4为根据本发明提供的化学镀方法所形成的化学镀金属的厚度比对图。
其中，附图标记如下：100A-第一引出区；100B-第二引出区；110-层间介质层；120-金属垫；130-N型掺杂区；140-导电插塞；210-第一化学镀金属；220-第二化学镀金属；230-第三化学镀金属。
具体实施方式
承如背景技术所述，衬底上的多个金属焊盘会根据其具体应用而设置不同的电性引出方式，而不同的电性引出方式其对金属焊盘的参数要求也不尽相同。例如，一部分金属焊盘将采用键合引线的方式实现电性引出（例如，Au/Cu wire bond），而一部分金属焊盘则用于装配焊料凸点实现焊盘引出（例如，Clip金属）。一般来说，通过键合引线的方式实现焊盘引出时，其要求金属焊盘中位于顶层的金属层具有较大的厚度（例如，要求顶层的金层的厚度大于35nm），以满足引线键合时对金属性能的要求，确保键合引线的品质。而通过焊料凸点实现焊盘引出时，其对金属焊盘中顶层金属层的厚度并没有严格要求（例如，顶层的金层的厚度大于20nm即可）。
然而，在利用化学镀工艺于同一衬底上形成各个金属焊盘的化学镀金属时，由于各个化学镀区域均以基本相同的速率进行化学镀过程，使得最终所形成的所有金属焊盘中的化学镀金属的厚度也基本一致。此时，为了确保最大厚度的金属焊盘的需求，一般是以满足最厚的化学镀金属的需求为基础而进行化学镀工艺，从而使得各个金属焊盘上的化学镀金属的厚度均以最大厚度设置。例如，针对贵重金属（例如金Au）而言，则所有金属垫上的金层均应按照大于35nm的厚度目标制备，造成了严重的资料浪费。
为此，本发明提供了一种可同时化学镀不同厚度的金属的方法，以实现在不同的金属垫上根据其各自的需求而对应形成相应厚度的化学镀金属，有效缓解贵重金属资源浪费的问题。具体的，所述方法包括：在一衬底上形成至少两个金属垫，以及在执行化学镀工艺之前还形成N型掺杂区，并使至少一个金属垫电连接所述N型掺杂区，如此，则在执行化学镀工艺时，即可使得连接有N型掺杂区的金属垫上所形成的化学镀金属的厚度大于未连接有N型掺杂区的金属垫上所形成的化学镀金属的厚度。
即，本发明提供的化学镀方法中，针对需要形成厚度较大的化学镀金属的金属垫而言，使其连接至N型掺杂区，以利用N型掺杂区为金属垫提供电子，促进化学镀工艺中置换反应的反应效率，从而可以在同一化学镀过程中，使得连接有N型掺杂区的金属垫上能够形成厚度更大的化学镀金属，满足其对化学镀金属的厚度需求，同时避免了其他金属垫上的化学镀金属的厚度过大而造成不必要的资料浪费，有效降低生产成本。
以下结合图1-图4和具体实施例对本发明提出的化学镀不同厚度的金属的方法及半导体器件的制备方法进一步详细说明，其中图1-图3为本发明一实施例中在化学镀不同厚度的金属的过程中的结构示意图，图4为根据本发明提供的化学镀方法所形成的化学镀金属的厚度比对图。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。应当认识到，附图中所示的诸如“上方”，“下方”，“顶部”，“底部”，“上方”和“下方”之类的相对术语可用于描述彼此之间的各种元件的关系。这些相对术语旨在涵盖除附图中描绘的取向之外的元件的不同取向。例如，如果装置相对于附图中的视图是倒置的，则例如描述为在另一元件“上方”的元件现在将在该元件下方。
首先参考图1所示，在执行化学镀工艺之前，在一衬底上形成至少两个金属垫120，所述金属垫120的材料例如包括铜、铝等。后续的化学镀工艺中，即在所述金属垫120上形成化学镀金属，以及所述至少两个金属垫120中，其中一部分金属垫120上可制备出较大厚度的化学镀金属，而另一部分金属垫120上可制备出较小厚度的化学镀金属。
在图1中示意性的示出了两个引出区（即，第一引出区100A和第二引出区100B），在两个引出区上均形成有金属垫120，其中一个金属垫120（右边的位于第二引出区100B内的金属垫）上可制备出较大厚度的化学镀金属，而另一个金属垫120（左边的位于第一引出区100A内的金属垫）上可制备出较小厚度的化学镀金属。
需要说明的是，所述衬底中通常可形成有半导体器件，例如IGBT器件等，并在所述半导体器件的上方覆盖有多层层间介质层110，所述金属垫120形成在顶层的层间介质层110上，以及在所述多层层间介质层内还设置有互连结构（图中未示出），所述金属垫120通过所述互连结构连接所述IGBT器件。以IGBT为例，则所述衬底上形成有至少两个金属垫120，其中一个金属垫120通过互连结构与栅极连接，还有一个金属垫120通过互连结构与发射极连接。
进一步的，在执行化学镀工艺之前，还包括形成N型掺杂区130，并且至少一个金属垫120电连接所述N型掺杂区130，如此，以使得化学镀工艺中，N型掺杂区130内的电子能够作用于与其连接的金属垫120上，从而提高该金属垫120上的化学镀速率。因此，在后续化学镀工艺中需要形成较大厚度的化学镀金属所对应的金属垫120电连接所述N型掺杂区130，进而在执行所述化学镀工艺时，连接有N型掺杂区的金属垫120（例如图1中右边的位于第二引出区100B内的金属垫）上所形成的化学镀金属的厚度将大于未连接有N型掺杂区的金属垫120（例如图1中左边的位于第一引出区100A内的金属垫）上的化学镀金属的厚度。
其中，所述N型掺杂区130可完全形成在第二引出区100B内；或者，所述N型掺杂区130也可部分形成在第二引出区100B内，并延伸出第二引出区100B之外。只要第二引出区100B内的金属垫120电连接至所述N型掺杂区130即可。
继续参考图1所示，所述N型掺杂区130可形成在金属垫120的下方，并可通过导电插塞140电连接所述N型掺杂区130和所述金属垫120。
可选的方案中，所述N型掺杂区130和所述金属垫120之间仅通过导电插塞140电连接，所述导电插塞140的两端直接接触所述N型掺杂区130和所述金属垫120。如此，即可确保化学镀工艺中，N型掺杂区130内的电子能够更快的作用于所述金属垫120上，更有效的提高在金属垫120上的化学镀速率。本实施例中，所述N型掺杂区130和所述金属垫120之间通过多个并排在同一结构层内的导电插塞140相互连接，以进一步提高N型掺杂区130在化学镀工艺中对所述金属垫120的作用强度。
进一步的，所述N型掺杂区130可掩埋在多层层间介质层110中。例如，所述N型掺杂区130具体可掩埋在顶层的层间介质层的下方，即：在形成顶层的层间介质层之前，在当前的层间介质层上形成N型掺杂区130，从而被顶层的层间介质层所覆盖。具体的，所述N型掺杂区130的形成方法例如包括：在当前的层间介质层上形成N型掺杂材料层以构成所述N型掺杂区130，所述N型掺杂材料层的材料例如包括N型多晶硅等。
本实施例中，通过将N型掺杂区130掩埋在顶层的层间介质层的下方，缩短了N型掺杂区130和所述金属垫120之间的距离，确保了N型掺杂区130中的电子可以更好地作用于所述金属垫120。以及，在形成顶层的层间介质层之后，在所述层间介质层内形成所述导电插塞140，所述导电插塞140的材料可包括钨（W）。
需要说明的是，本文所述的“N型掺杂区”区别于层间介质层下方的半导体器件内的掺杂区，本文中的“N型掺杂区”例如是在层间介质层内额外设置的掺杂区。
接着参考图2所示，在执行化学镀工艺之前，还包括：对所述金属垫120进行微刻蚀（Mico-Etch），以使金属垫120的表面粗糙化。通过增大所述金属垫120的顶表面的整体粗糙度，将有利于提高后续形成的化学镀金属和所述金属垫120之前的结合强度。
接着参考图3所示，执行化学镀工艺，以在所述金属垫120上形成化学镀金属。如上所述，连接有N型掺杂区130的金属垫120上所形成的化学镀金属的厚度将大于未连接有N型掺杂区130的金属垫120上所形成的化学镀金属的厚度。
本实施例中，通过所述化学镀工艺所形成的化学镀金属包括金（Au），此时，形成在连接有N型掺杂区的金属垫120上所形成的金层的厚度较大，以满足金属焊盘的需求（例如，满足其后续实现键合引线的需求）；而未连接有N型掺杂区130的金属垫120上所形成的金层的厚度较小，此时也仍满足其性能需求。
进一步的，可通过调整N型掺杂区130的离子掺杂浓度，以相应的调整与之连接的金属垫120上所进行的化学镀速率，进而得到所需要的化学镀金属的厚度。其中，当需要增加化学镀金属的厚度时，则可增大所述N型掺杂区130的离子掺杂浓度。举例而言，针对衬底上未连接有N型掺杂区的金属垫120而言，其得到的化学镀金属的厚度为第一厚度值；针对衬底上连接有N型掺杂区130、且离子浓度较低的金属垫120而言，其得到的化学镀金属的厚度为第二厚度值；以及，针对衬底上连接有N型掺杂区130、且离子浓度较大的金属垫而言，其得到的化学镀金属的厚度为第三厚度值，其中第一厚度值小于第二厚度值，第二厚度值小于第三厚度值。
具体的示例中，将连接有N型掺杂区的金属垫120上形成的金层定义为第一金层，将未连接有N型掺杂区的金属垫120上所形成的金层定义为第二金层，所述第一金层的厚度大于等于1.5倍的第二金层的厚度。例如，第二金层的厚度大于20nm，第一金层的厚度大于35nm。以及，可设置N型掺杂区130的离子掺杂浓度为大于等于1E20/cm2。
为了更清晰的示意出本实施例提供的化学镀方法其在不同金属垫上形成的化学镀金属的厚度差异，下面以一具体实验数据进行说明。具体参考图4所示，该试验中展示了4个金属垫，分别为A-PAD、B-PAD、C-PAD和D-PAD，其中A-PAD连接有N型掺杂区，而其余PAD均未连接N型掺杂区。对该4个金属垫同时进行金材料的化学镀工艺，此时A-PAD上所形成的金层的厚度平均为42nm，而B-PAD、C-PAD和D-PAD上所形成的金层的厚度平均为23nm。
进一步的方案中，通过化学镀工艺可在所述金属垫120上形成至少两层化学镀金属，其中最顶层的化学镀金属例如为金（Au）。其中，连接有N型掺杂区的金属垫120上的顶层化学镀金属具有第一厚度，未连接有N型掺杂区的金属垫120上的顶层化学镀金属具有第二厚度，第一厚度大于1.5倍的第二厚度。例如图3所示，本实施例中通过化学镀工艺在所述金属垫120上依次形成三层化学镀金属，依次为第一化学镀金属210、第二化学镀金属220和第三化学镀金属230，所述第一化学镀金属210例如为钯（Pd），所述第二化学镀金属220例如为镍（Ni），所述第三化学镀金属230例如为金（Au），以及连接有N型掺杂区的金属垫120上的第三化学镀金属230的厚度较大，而未连接有N型掺杂区的金属垫120上的第三化学镀金属230的厚度较小。
需要说明的是，化学镀工艺的过程具体可包括：基于置换反应，以利用当前金属层表面上的金属将镀液中的目标金属置换于当前金属层的表面上，而随着化学镀的持续进行，将会在已经形成的目标金属上基于自催化反应，而继续沉积目标金属。其中，基于置换反应所沉积的目标金属的厚度通常仅为纳米级别，因此在置换形成纳米级厚度的目标金属之后，化学镀将会基于自催化反应而继续沉积目标金属，以达到满足厚度需求的化学镀金属。
在图3的示例中，所述第一化学镀金属210的厚度例如大于2μm，因此在第一化学镀金属210的化学镀过程即包括：基于置换反应形成纳米级厚度的目标金属（例如，基于置换反应形成大约50nm的厚度），之后，基于自催化反应而继续沉积目标厚度直至所需的厚度（例如，基于自催化反应而形成大约2μm的厚度）。其中，在置换反应的过程中，连接有N型掺杂区的金属垫120上所进行的置换效率将高于未连接有N型掺杂区的金属垫120上所进行的置换效率，之后在自催化反应的过程中，各个金属垫120上的反应效率基本一致。因此，针对厚度达到微米级的第一化学镀金属210而言，不同金属垫120上所形成的第一化学镀金属210的厚度差异通常可忽略（具体而言，相对于微米级的厚度而言，由于置换反应的反应速率差异而导致的大约几十纳米的厚度差异可忽略不计）。
以及，针对第二化学镀金属220而言，其厚度例如大于等于0.1μm。
同样的，在第二化学镀金属220的化学镀过程中，连接有N型掺杂区的金属垫120上所进行的置换效率也将高于未连接有N型掺杂区的金属垫120上所进行的置换效率。因此，连接有N型掺杂区的金属垫120上所形成的第二化学镀金属220的厚度也将大于未连接有N型掺杂区的金属垫120上所形成的第二化学镀金属220的厚度。
进一步的，针对第三化学镀金属230而言，其厚度通常仅为纳米级（例如，最大厚度的第三化学镀金属的厚度仍小于50nm），因此在化学镀工艺中，基于前期的置换反应即可达到所需的厚度。其中，连接有N型掺杂区的金属垫120上所进行的置换效率高于未连接有N型掺杂区的金属垫120上所进行的置换效率，使得连接有N型掺杂区的金属垫120上所形成的第三化学镀金属230的厚度大于未连接有N型掺杂区的金属垫120上所形成的第三化学镀金属230的厚度。例如，连接有N型掺杂区的金属垫上所形成的第三化学镀金属230具有第一厚度，未连接有N型掺杂区的金属垫上所形成的第三化学镀金属230具有第二厚度，第一厚度大于1.5倍的第二厚度。
需要说明的是，本实施例中，通过化学镀工艺在金属垫120上形成了三层化学镀金属。然而其他实施例中，也可以仅在所述金属垫120上形成两层化学镀金属，其中可包括底层的镍金属层和顶层的金层。
此外，本发明还提供了一种器件的封装方法，其利用如上所述的化学镀方法，在金属垫上形成化学镀金属以构成金属焊盘，之后，即可在所述金属焊盘上键合引线或者形成Clip金属等。
其中，针对连接有N型掺杂区的金属焊盘而言，其对应形成的化学镀金属的厚度较大（尤其是顶层金属的厚度较大），从而满足了键合引线的需求，保证了键合引线的品质。以及，针对未连接有N型掺杂区的金属焊盘而言，其对应形成的化学镀金属的厚度较小（尤其是顶层金属的厚度较小），而较小厚度的顶层金属仍然满足Clip金属的制备要求。进一步的，在形成金属焊盘之后，即可针对厚度较大的化学镀金属进行引线键合，以及在厚度较小的化学镀金属上制备Clip金属。
以IGBT器件为例，则对应于IGBT器件的栅极的栅极金属焊盘即连接有N型掺杂区，而对应于IGBT器件的发射极的发射极金属焊盘未连接有N型掺杂区，所述栅极金属焊盘上的化学镀金属的厚度将大于所述发射极金属焊盘上的化学镀金属的厚度。其中包括，所述栅极金属焊盘上的金层的厚度大于所述发射极金属焊盘上的金层的厚度，如此一来，即可满足栅极金属焊盘进行引线键合的需求，同时也满足发射极金属焊盘上进行Clip金属的制备。
综上所述，本实施例提供的化学镀方法中，针对需要形成厚度较大的化学镀金属的金属垫而言，使其连接N型掺杂区，以利用N型掺杂区为金属垫提供电子，促进化学镀工艺中置换反应的反应效率，从而可以在同一化学镀过程中，使得连接有N型掺杂区的金属垫上能够形成厚度更大的化学镀金属，满足其对化学镀金属的厚度需求，同时避免了其他金属垫上的化学镀金属的厚度过大而造成不必要的资料浪费，有效降低生产成本。
需要说明的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。
还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。此外还应该认识到，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”和“一种”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。例如，对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或 多个步骤或装置的引述，并且可能包括次级步骤以及次级装置。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。以及，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。
Claims (10)
1.一种化学镀不同厚度的金属的方法，其特征在于，包括：在一衬底上形成至少两个金属垫，并执行化学镀工艺以在所述金属垫上形成化学镀金属；
其中，在执行所述化学镀工艺之前，所述方法还包括：形成N型掺杂区，并且至少一个金属垫电连接所述N型掺杂区，以在执行所述化学镀工艺时，使得连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度大于未连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度。
2.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法，其特征在于，所述N型掺杂区位于所述金属垫的下方，所述金属垫和所述N型掺杂区之间仅通过导电插塞电连接，所述导电插塞的两端直接接触所述N型掺杂区和所述金属垫。
3.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法，其特征在于，所述衬底上形成有多层层间介质层，所述N型掺杂区掩埋在顶层的层间介质层的下方，所述金属垫形成在顶层的层间介质层上。
4.如权利要求3所述的化学镀不同厚度的金属的方法，其特征在于，所述N型掺杂区的形成方法包括：在形成顶层的层间介质层之前，形成N型掺杂材料层。
5.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法，其特征在于，所述N型掺杂区的离子掺杂浓度大于等于1E20/cm2。
6.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法，其特征在于，所述化学镀金属包括金，连接有N型掺杂区的金属垫上的金层的厚度大于等于35nm，未连接有N型掺杂区的金属垫上的金层的厚度大于20nm。
7.如权利要求1所述的化学镀不同厚度的金属的方法，其特征在于，执行化学镀工艺以在所述金属垫上形成至少两层化学镀金属，其中连接有N型掺杂区的金属垫上的顶层化学镀金属具有第一厚度，未连接有N型掺杂区的金属垫上的顶层化学镀金属具有第二厚度，第一厚度大于1.5倍的第二厚度。
8.如权利要求1-7任一项所述的化学镀不同厚度的金属的方法，其特征在于，执行化学镀工艺以在所述金属垫上依次形成钯金属层、镍金属层和金层。
9.一种器件的封装方法，其特征在于，包括：
采用如权利要求1-8任一项所述的化学镀不同厚度的金属的方法，在至少两个金属垫上形成化学镀金属，其中连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度大于未连接有N型掺杂区的金属垫上的化学镀金属的厚度；
对厚度较大的化学镀金属进行引线键合，以及在厚度较小的化学镀金属上制备Clip金属。
10.如权利要求9所述的器件的封装方法, 其特征在于，所述器件包括IGBT器件，所述IGBT的栅极金属垫连接所述N型掺杂区，所述IGBT器件的发射极金属垫未连接所述N型掺杂区。
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