CN114464714A - 一种提升led芯片光取出效率的芯片制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，包括：在蓝宝石衬底上通过等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化物层，对氧化物层光刻和腐蚀，得到图形化蓝宝石衬底。之后再通过金属有机化合物化学气相沉积法，生长出LED芯片外延片，通过电感耦合等离子体法在LED芯片外延片上刻蚀出来N型氮化镓。蓝宝石衬底通过等离子增强化学气相沉积法，沉积氧化硅，对LED芯片外延片采用激光切割的方式后，形成隔离槽。采用酸性溶液对隔离槽一次或多次腐蚀，形成预设形状。本申请技术方案通过在LED芯片周围形成一圈有利于出光的多层三角锥形、半圆形或球形，这样LED芯片有源区发出的光就会以更大的概率出射，进而可提升光取出效率。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)是一种常用发光器件。随着半导体照明的不断深入发展，LED以其节能、环保、寿命长、低功耗等优势，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。半导体照明产品中的核心组成部分是LED芯片，其研究与生产技术有了飞速的发展，芯片亮度和可靠性不断提高。在LED芯片的研发和生产过程中，器件外量子效率的提高一直是核心内容，因此，光提取效率的提高显得至关重要。
LED的光提取效率是指：在LED内部，由电能激发产生的光子没有全部发射出去，只有部分光子才能通过折射离开器件，其他光子在内部不断反射，最终被吸收。在传统LED器件中，由于衬底吸收、电极阻挡、出光面的全反射等因素的存在，光提取效率通常不到10％。
目前为了提高LED的光提取效率，LED芯片的结构通常包括依次设置的蓝宝石衬底、N-GaN层、有源区和P-GaN层，通过刻蚀LED芯片形成台阶，将N-GaN层裸露出来，在N-GaN层上形成N型电极层，在P-GaN层上形成电流阻挡层，在电流阻挡层上形成透明导电层，在透明导电层上设置一层绝缘保护层，在绝缘保护层上形成P型电极层。但该结构由于蚀刻台阶处的内外折射率相差过大，GaN的折射率在2.3左右，而空气的折射率为1，因此台阶面处的侧向光将在GaN的界面处形成全反射，而使侧向光无法射出，导致侧向光的取出效率偏低。
发明内容
本发明提供一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，以解决在LED芯片制作过程中，由于折射率差异较大，造成LED芯片光取出效率低的问题。
本申请实施例提供了一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，所述方法包括：
在蓝宝石衬底上沉积可光刻的氧化物层；
通过对所述氧化物层光刻和腐蚀，得到图形化蓝宝石衬底；
所述图形化蓝宝石衬底通过金属有机化合物化学气相沉积法，生长出LED芯片外延片；
通过电感耦合等离子体法在所述LED芯片外延片上刻蚀出来N型氮化镓，使所述N型氮化镓暴露在外；
所述蓝宝石衬底通过所述等离子增强化学气相沉积法，沉积氧化硅，所述氧化硅覆盖在所述LED芯片外延片整个表面；
对所述LED芯片外延片采用激光切割或光刻加刻蚀的方式后，形成隔离槽；
采用磷酸、硫酸和氢氟酸溶液对所述隔离槽一次或多次腐蚀，形成预设形状。
进一步地，在采用磷酸、硫酸和氢氟酸溶液对所述隔离槽一次或多次腐蚀，形成预设形状之后还包括：
对所述氧化硅直接光刻和腐蚀，形成电流阻挡层；
在所述LED芯片外延片的P-GaN上制作一层透明导电层；
在所述透明导电层上制作正负金属电极，得到P型电极层；
在所述P型电极层上整面镀膜，得到绝缘保护层；
在所述绝缘保护层上进行特定通孔刻蚀，用于焊盘电极和所述绝缘保护层下方扩展电极连接。
进一步地，所述氧化物层的厚度为0.5μm至5μm。
进一步地，所述氧化物层的材料包括单层氧化硅、单层氧化钛或氧化铌中的一种、两种或三种结合。
进一步地，所述透明导电层的材料为ITO、GZO、AZO或NiAu，厚度为10nm至300nm。
进一步地，所述金属电极的材质包括铬、钛、铝、镍、铂金和金，所述金属电极的厚度在1μm至5μm之间。
进一步地，所述绝缘保护层的材料为Sio2或Si3N4。
进一步地，所述图形化蓝宝石衬底为周期性排布，图形周期为2μm至8μm。
进一步地，所述预设形状为多层三角锥形、半圆形或球形。
进一步地，所述腐蚀包括采用干法或湿法。
由上述技术方案可知，本申请提供一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，所述方法包括：在蓝宝石衬底上通过等离子体增强化学气相沉积法沉积可光刻的氧化物层。通过对所述氧化物层光刻和腐蚀，得到图形化蓝宝石衬底。所述图形化蓝宝石衬底通过金属有机化合物化学气相沉积法，生长出LED芯片外延片。通过电感耦合等离子体法在所述LED芯片外延片上刻蚀出来N型氮化镓，使所述N型氮化镓暴露在外。所述蓝宝石衬底通过等离子增强化学气相沉积法，沉积氧化硅，所述氧化硅覆盖在所述LED芯片外延片整个表面。对所述LED芯片外延片采用激光切割或光刻加刻蚀的方式后，形成隔离槽。采用磷酸、硫酸和氢氟酸溶液对所述隔离槽一次或多次腐蚀，形成预设形状。本申请技术方案通过在LED芯片周围形成一圈有利于出光的多层三角锥形、半圆形或球形，这样LED芯片有源区发出的光就会以更大的概率出射，进而可提升光取出效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的一种常规LED芯片横截面结构示意图；
图3为本申请实施例提供的LED芯片横截面结构示意图；
图4为本申请实施例提供的LED芯片横截面结构的电子显微镜示意图；
图5为本申请实施例提供的LED芯片横截面结构倾斜45°角的电子显微镜示意图；
其中：蓝色衬底101，氧化物层102，N型氮化镓201，P型氮化镓202，电流阻挡层301，透明导电层302，N型电极层401，P型电极层402，绝缘保护层501。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。以下结合附图，详细说明本申请实施例提供的技术方案。
为便于理解本申请实施例的技术方案，在对本申请实施例的具体实施方式进行阐述说明之前，首先对本申请实施例所属技术领域的一些技术术语进行简单解释说明。
图形化蓝宝石衬底：也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用电感耦合等离子体ICP(Inductive Coupled Plasma)刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜。再在其上生长Gan材料，使Gan材料的纵向外延变为横向外延。一方面可以有效减少Gan外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED的寿命；另一方面有源区发出的光，经Gan和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率，从而提高了光的提取效率。综合这两方面的原因，使在图形化蓝宝石衬底上生长的LED的出射光亮度比传统的LED大大提高，同时反向漏电流减小，LED的寿命也得到了延长。
Gan：是氮化镓，是一种无机物，是氮和镓的化合物，常用在发光二极管中。氮化镓硬度很高，能隙很宽，可以用在高功率、高速的光电元件中。例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生激光。
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)，是指借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体分离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
干法刻蚀：是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
对本申请实施例所属技术领域的一些技术术语进行简单解释说明后，下面对本申请实施例提供的一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法进行详细描述。
传统的LED芯片结构由于蚀刻台阶处的内外折射率相差过大，GaN的折射率在2.3左右，而空气的折射率为1，因此台阶面处的侧向光将在GaN的界面处形成全反射，而使侧向光无法射出，导致LED芯片的光取出效率偏低。本申请为解决在LED芯片制作过程中，由于折射率差异较大，造成LED芯片光取出效率低的问题。本申请提供一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法。
参见图1，为本申请实施例提供的一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法的流程示意图。
由图1所示，本申请实施例提供的一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法包括：
S1：在蓝宝石衬底上沉积可光刻的氧化物层。
本申请在蓝宝石衬底101上通过PECVD或者蒸镀的方法沉积可光刻的氧化物层，采用PECVD方法沉积可光刻的氧化物层，所述氧化物层的总厚度为0.5μm至5μm。所述氧化物层包括单层氧化硅、单层氧化钛或氧化铌中的一种、两种或三种结合。具体的，通过PECVD或蒸镀方法沉积可光刻的氧化物层，可能是三种材料中的一种，也有可能是两种材料的结合，亦或者可能三种材料都有。
S2：通过对所述氧化物层光刻和腐蚀，得到图形化蓝宝石衬底。
然后通过对所述氧化物层光刻和腐蚀，进而得到图形化蓝宝石衬底，图形化蓝宝石衬底形成周期性排布，图形周期为2μm至8μm。
S3：所述图形化蓝宝石衬底通过金属有机化合物化学气相沉积法，生长出LED芯片外延片。
通过金属有机化合物化学气相沉淀方法或者金属有机化合物气相外延方法，在图形化蓝宝石衬底上成长一层结构复杂的GaN薄膜，这层薄膜就是外延片。
S4：通过电感耦合等离子体法在所述LED芯片外延片上刻蚀出来N型氮化镓，使所述N型氮化镓暴露在外。
采用电感耦合等离子体ICP方法在所述LED芯片外延片包括N型氮化镓、量子阱和P型氮化镓，将部分P型氮化镓和量子阱刻蚀掉，使所述N型氮化镓暴露在外，这样，可以将暴露的N型氮化镓留作金属负电极制作使用。
S5：所述蓝宝石衬底通过所述等离子增强化学气相沉积法，沉积氧化硅，所述氧化硅覆盖在所述LED芯片外延片整个表面。
通过等离子增强化学气相沉积法，沉积100nm至5000nm的氧化硅，所述氧化硅主要用于保护LED芯片外延片，防止LED芯片外延片被腐蚀。所述氧化硅覆盖在所述LED芯片外延片整个表面也就是覆盖在薄膜晶圆的整个表面。
S6：对所述LED芯片外延片采用激光切割或光刻加刻蚀的方式后，形成隔离槽。
对所述LED芯片外延片采用激光切割后，会形成一圈隔离槽，也可以选用光刻加刻蚀的方式。大多数都是采用激光切割的方式，切割后会形成一圈细细的沟槽也就是隔离槽。
S7：采用磷酸、硫酸和氢氟酸溶液对所述隔离槽一次或多次腐蚀，形成预设形状。
步骤S6激光切割后会隔离槽上会产生一些碳化物，通过采用磷酸、硫酸和氢氟酸溶液中的一种溶液或其三种溶液的混合溶液对所述隔离槽的碳化物一次或多次腐蚀，会形成多种形状，可能是多层三角锥形、半圆形或球形。
参见图2，为本申请实施例提供的一种常规LED芯片横截面结构示意图。
由图2所示，常规LED芯片的结构通常包括依次设置的蓝宝石衬底101、N-GaN层201、有源区和P-GaN层202，通过刻蚀LED芯片形成台阶，将N-GaN层201裸露出来，在N-GaN层201上形成N型电极层401，在P-GaN层202上形成电流阻挡层301，在电流阻挡层301上形成透明导电层302，在透明导电层302上设置一层绝缘保护层501，在绝缘保护层501上形成P型电极层402。由图1可以看出，常规的LED芯片结构由于蚀刻台阶处的内外折射率相差过大，GaN的折射率在2.3左右，而空气的折射率为1，因此台阶面处的侧向光将在GaN的界面处形成全反射，而使侧向光无法射出，导致侧向光的取出效率偏低。
参见图3，为本申请实施例提供的LED芯片横截面结构示意图。
由图3所示，本申请LED芯片结构包括蓝宝石衬底101。本申请在蓝宝石衬底101上通过PECVD或蒸镀方法沉积可光刻的氧化物层102，采用PECVD方法沉积可光刻的氧化物层102，氧化物层102的总厚度为0.5μm至5μm。所述氧化物层102的材料包括单层氧化硅、单层氧化钛或氧化铌中的一种、两种或三种结合。通过PECVD或蒸镀方法沉积氧化物层102，可能是三种材料中的一种，也有可能是两种材料的结合，亦或者可能三种材料都有。PECVD的优势在于能够在保持或提高沉积速率的同时降低工艺温度。然后通过对所述氧化物层102光刻和腐蚀，进而得到图形化蓝宝石衬底。图形化蓝宝石衬底形成周期性排布，图形周期为2μm至8μm。腐蚀主要采用干法或者湿法，所谓干法刻蚀是把硅片表面暴露于空气中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应，从而去掉暴露的表明材料。湿法腐蚀是以液体化学试剂以化学方式去除硅片表面的材料。
形成图形化蓝宝石衬底的目的是一方面可以有效减少Gan外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED的寿命；另一方面有源区发出的光，经Gan和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，增加了光从蓝宝石衬底出射的几率，从而提高了光的提取效率。综合这两方面的原因，使在图形化蓝宝石衬底上生长的LED的出射光亮度比传统的LED大大提高，同时反向漏电流减小，LED的寿命也得到了延长。
得到图形化蓝宝石衬底之后，再通过MOCVD(Metal-organic Chemical VaporDeposition，金属有机化合物化学气相沉淀)或MOVPE(Metal-organic Vapor PhaseEpitaxy，金属有机化合物气相外延)方法，生长出LED芯片外延片。
LED芯片外延片指的是在晶体结构匹配的单晶材料上生长出来的半导体薄膜，在图形化蓝宝石衬底上成长一层结构复杂的GaN薄膜，GaN薄膜包括：N-GaN、量子阱、和P-GaN，这层薄膜就叫做外延片。
MOCVD技术在薄膜晶体生长中具有独特优势：能在较低的温度下制备高纯度的薄膜材料，减少了材料的热缺陷和本征杂质含量；能达到原子级精度控制薄膜的厚度；采用质量流量计易于控制化合物的组分和掺杂量；通过气源的快速无死区切换，可灵活改变反应物的种类或比例，达到薄膜生长界面成份突变。实现界面陡峭；能够实现大面积、均匀、高重复性地完成薄膜生长。
采用电感耦合等离子体ICP方法在所述LED芯片外延片上刻蚀出来N型氮化镓201，将部分P型氮化镓202和量子阱刻蚀掉，使所述N型氮化镓201暴露在外，这样，可以将暴露的N型氮化镓201留作金属负电极制作使用。
电感耦合等离子体ICP是以电感耦合等离子为激发光源的一类光谱分析方法，ICP方法具有分析速度快、时间分布稳定、线性范围宽，能够一次同时读出多种被测元素的特征光谱，同时对多种元素进行定量和定性分析。分析灵敏度高，分析准确度、精密度较高和测定范围广。可以测定几乎所有紫外和可见光区的谱线，被测元素的范围大，一次可以测定几十个元素。
所述蓝宝石衬底101通过PECVD或蒸镀方法，沉积100nm至5000nm的氧化硅，所述氧化硅主要用于保护LED芯片外延片，氧化硅具有熔点高、抗磨耐腐蚀、保护能力强、对光的散射吸收小灯优良性能。
对所述LED芯片外延片采用激光切割或光刻加刻蚀的方式后，形成一圈隔离槽；激光切割具有切割速度快、切割效率高和切割质量好的特点，采用激光切割能够获得较好的切割质量。
参见图4和图5，为本申请实施例提供的LED芯片横截面结构的电子显微镜示意图和LED芯片横截面结构倾斜45°角的电子显微镜示意图。
通过采用磷酸、硫酸和氢氟酸溶液中的一种溶液或其三种溶液的混合溶液对所述隔离槽一次或多次腐蚀，形成预设形状。如图4和5所示可知，根据腐蚀的次数和程度不同，所形成的形状有不同，会先形成平台结构，然后在平台结构上出现双层的三角锥形、半圆形或者球形。腐蚀后所形成的形状还和氧化物层102的材料有关，不同的氧化物层102材料，所形成的形状也是不同，氧化物层102的材料越多，所形成的三角锥形层数越多。由于在蓝宝石衬底101上通过PECVD或蒸镀方法沉积氧化物层102，沉积的氧化物层102可能是复合材料，也可能是单层氧化硅、单层氧化钛或氧化铌，因此经过腐蚀后所形成的预设形状不同。
经过腐蚀后会形成三角锥形、半圆形或者球形，本申请实施例中的光在通过这些预设形状时会发生多次折射，使得部分原本无法折射出去的光线，能够从LED芯片经过不断的折射，将其射出，进而提升光取出效率。
在形成所述预设形状之后还包括：通过对所述氧化硅直接光刻和腐蚀，形成电流阻挡层301，还可以将氧化硅去掉之后重新通过PECVD方法沉积氧化硅。在所述LED外延片的P-GaN402上制作一层透明导电层302；在所述透明导电层302上制作正负金属电极，得到P型电极层；在所述P型电极层上整面镀膜，得到绝缘保护层501；在所述绝缘保护层501上进行特定通孔刻蚀，用于焊盘电极和所述绝缘保护层501下方扩展电极连接。
在一些实施例中，所述正负金属电极可以通过使用电子束蒸发方式形成，金属电极的材质包括铬Cr、钛Ti、铝Al、镍Ni、铂金Pt和金Au，金属电极的厚度在1μm至5μm之间。
在一些实施例中，所述透明导电层302的材料选为氧化铟锡ITO、氧化锌镓GZO、AZO或NiAu，厚度为10nm至300nm。大多数情况透明导电层302选用ITO材料，氧化铟锡ITO是透明层，是一种混合物，透明茶色薄膜或黄偏灰色块状，主要用来做P型氮化镓的欧姆接触和电流传导扩散，还可以用于液晶显示器、平板显示器、等离子显示器、触摸屏、电子纸、有机发光二极管、太阳能电池、抗静电镀膜、EMI屏蔽的透明传导镀、各种光学镀膜等。在本申请实施例中，氧化铟锡ITO厚度可以在10nm-300nm之间。AZO是铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃的简称。
在一些实施例中，所述绝缘保护层501的材料为Sio2或Si3N4。所述绝缘保护层501对侧边缘和整面进行绝缘保护。所述氮化硅Si3N4具有高硬度、高强度、耐高温、耐腐蚀等特性。
由上述技术方案可知，本申请提供一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，所述方法包括：在蓝宝石衬底上通过等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化物层。通过对所述氧化物层光刻和腐蚀，得到图形化蓝宝石衬底。所述图形化蓝宝石衬底通过金属有机化合物化学气相沉积法，生长出LED芯片外延片。通过电感耦合等离子体法在所述LED芯片外延片上刻蚀出来N型氮化镓，使所述N型氮化镓暴露在外。所述蓝宝石衬底通过等离子增强化学气相沉积法，沉积氧化硅，所述氧化硅覆盖在所述LED芯片外延片整个表面。对所述LED芯片外延片采用激光切割或光刻加刻蚀的方式后，形成隔离槽。采用磷酸、硫酸和氢氟酸溶液对所述隔离槽一次或多次腐蚀，形成预设形状。本申请技术方案通过在LED芯片周围形成一圈有利于出光的多层三角锥形、半圆形或球形，这样LED芯片有源区发出的光就会以更大的概率出射，进而可提升光取出效率。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (10)
1.一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在蓝宝石衬底上沉积可光刻的氧化物层；
通过对所述氧化物层光刻和腐蚀，得到图形化蓝宝石衬底；
所述图形化蓝宝石衬底通过金属有机化合物化学气相沉积法，生长出LED芯片外延片；
通过电感耦合等离子体法在所述LED芯片外延片上刻蚀出来N型氮化镓，使所述N型氮化镓暴露在外；
所述蓝宝石衬底通过等离子体增强化学气相沉积法，沉积氧化硅，所述氧化硅覆盖在所述LED芯片外延片整个表面；
对所述LED芯片外延片采用激光切割或光刻加刻蚀的方式后，形成隔离槽；
采用磷酸、硫酸和氢氟酸溶液对所述隔离槽一次或多次腐蚀，形成预设形状。
2.根据权利要求1所述的一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，其特征在于，采用磷酸、硫酸和氢氟酸溶液对所述隔离槽一次或多次腐蚀，形成预设形状之后还包括：
对所述氧化硅直接光刻和腐蚀，形成电流阻挡层；
在所述LED芯片外延片的P-GaN上制作一层透明导电层；
在所述透明导电层上制作正负金属电极，得到P型电极层；
在所述P型电极层上整面镀膜，得到绝缘保护层；
在所述绝缘保护层上进行特定通孔刻蚀，用于焊盘电极和所述绝缘保护层下方扩展电极连接。
3.根据权利要求1所述的一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度为0.5μm至5μm。
4.根据权利要求1所述的一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，其特征在于，所述氧化物层包括单层氧化硅、单层氧化钛或氧化铌中的一种、两种或三种结合。
5.根据权利要求2所述的一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，其特征在于，所述透明导电层的材料为ITO、GZO、AZO或NiAu，厚度为10nm至300nm。
6.根据权利要求2所述的一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，其特征在于，所述金属电极的材质包括铬、钛、铝、镍、铂金和金，所述金属电极的厚度在1μm至5μm之间。
7.根据权利要求2所述的一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，其特征在于，所述绝缘保护层的材料为Sio2或Si3N4。
8.根据权利要求1所述的一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，其特征在于，所述图形化蓝宝石衬底为周期性排布，图形周期为2μm至8μm。
9.根据权利要求1所述的一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，其特征在于，所述预设形状为多层三角锥形、半圆形或球形。
10.根据权利要求1所述的一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，其特征在于，所述腐蚀包括采用干法或湿法。
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