CN114456884A - 一种icp组件清洗剂 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种ICP组件清洗剂,ICP组件清洗剂包括强氧化溶液A和清洗剂B,ICP组件先用强氧化溶液A对残留污染物进行氧化降解,再用清洁剂B对已氧化的污染物进行配位清除,按重量份计,强氧化溶液A包括以下组分:8~10份HNO3,1~4份HF,8~12份HCl、1~3份H2O2和71~82份H2O;清洗剂B包括以下组分:10~20份有机酸、10~20份氨水和1~3份巯基苯骈噻唑。本发明的ICP组件清洗剂,在ICP测试结束后对采样锥、截留锥及矩管清洗过程中,该清洁剂可以发挥高效、快速、可靠的清洁效果,从而在仪器测定结果的准确度和精密度方面,采样锥、截留锥及矩管的维护方面及降低元素残留污染等方面发挥重要作用。
Description
技术领域
本发明涉及科学仪器技术领域,具体涉及一种ICP组件清洗剂。
背景技术
从第一台商品仪器问世至今,ICP-MS发展相当迅速,从最初在地质科学研究的应用迅速发展到环境、冶金、石油、生物、医学、半导体、核材料分析等领域,尽管ICP-MS技术已经是比较成熟的技术,但近年来有关仪器分析性能的研究和改进一直没有停止。
近年来,随着等离子体技术的发展,产生了大量高精度科学仪器,比如高分辨扇形磁场等离子体质谱仪(ICP-SFMS)、多接收器等离子体质谱仪(ICP-MCMS)、飞行时间等离子体质谱仪(ICP-TOFMS)以及离子阱三维四极等离子体质谱仪(DQMS)等;同时四极杆ICP-MS仪器也不断升级换代,由于诸如动态碰撞反应池(DRC)等技术的引入,分析性能大大改善。
接口是整个ICP系统最关键的部分,ICP对离子采集接口的要求是:(1)最大限度地让所生成的离子通过;(2)保持样品离子的完整性,即其电学性质基本不变;(3)氧化物和二次离子产率尽可能低;(4)等离子体的二次放电尽可能小;(5)不易堵塞;(6)产生热量尽可能少;(7)易于拆卸和维护,接口的功能是将等离子体中的离子有效传输到质谱仪。
ICP-MS的接口是由一个冷却的采样锥(大约1mm孔径)和截取锥(大约0.4~0.8mm孔径)组成的。
采样锥通常由Ni、Al、Cu和Pt等金属制成,但Ni锥用的最多。接口室采用水冷而且易散热的材料,比如铜或铝材料。
截取锥的材料与采样锥相同,锥孔小于采样锥,安装于采样锥后,并与其在同轴线上。两者相距6~7mm,通常也用镍材料制成。
采样锥、截取锥应该经常清洗,否则重金属基体沉积在其表面会再蒸发电离形成记忆效应;经常清洗截取锥和采样锥可使记忆效应和多原子离子干扰降低。截取锥顶部锋锐,在机械强度上不及采样锥坚固,所以更换清洗时必须十分小心,否则易于受损。
等离子体炬管外管内径为18mm,长大约100mm,中间管内径为13mm,样品注入管1.5mm,这两个管的开口端都短于外管的开口端。炬管的主要作用是使等离子体放电与负载线圈隔开以防止短路,并借助通入的外气流带走等离子体的热量和限制等离子体的大小,炬管的材料现在多用石英。
所以对于ICP测试来说,采样锥、截留锥及矩管的清洁程度将直接影响测定结果的准确度和精确度,但是由于复杂基质长期在高温条件下进行测试分析,部分元素富集沉积于采样锥、截留锥及矩管表面,传统清洁剂常常无法清洗干净,进而导致仪器分析能力的下降,甚至测定结果的偏离及采样锥、截留锥及矩管的无法使用,直接提升了测试的成本及时间。
现有的清洗溶液,一般为10%-20%硝酸浸泡过夜,对于长期沉积的残留污染物无法清除彻底,且长期浸泡过夜对ICP组件造成较大损害,导致锥孔增大,影响采集效果,进而造成分析误差。
发明内容
针对现有技术中存在的不足,本发明提供一种ICP组件清洗剂,可简单有效的清楚顽固残留,且通过擦拭的方法,有效的降低了传统清洗方式对ICP组件的损害问题。本发明采用的技术方案是:
一种ICP组件清洗剂,其中:所述ICP组件清洗剂包括强氧化溶液A和清洗剂B,所述ICP组件先用强氧化溶液A对残留污染物进行氧化降解,再用清洁剂B对已氧化的污染物进行配位清除,按重量份计,
所述强氧化溶液A包括以下组分:8~10份HNO3,1~4份HF,8~12份HCl、1~3份H2O2和71~82份H2O;
所述清洗剂B包括以下组分:10~20份有机酸、10~20份氨水和1~3份巯基苯骈噻唑。巯基苯骈噻唑可以减轻清洗剂对金属的腐蚀作用。
优选的是,所述的ICP组件清洗剂,其中:所述强氧化溶液A还包括1~3份二甘醇单甲醚和0.01~0.1份亚硫酸钠。
优选的是,所述的ICP组件清洗剂,其中:所述强氧化溶液A还包括0..5~1份2-羟基膦酰基乙酸。
2-羟基膦酰基乙酸作为渗透力增强剂,促进清洗剂进入ICP组件,提高其清洗效果,二甘醇单甲醚、2-羟基膦酰基乙酸协同作用,可促进各种ICP组件残留污染物的剥离和溶解。
优选的是,所述的ICP组件清洗剂,其中:所述强氧化溶液A还包括0.5~1份聚丙烯酰胺。聚丙烯酰胺可以提高清洗的速度和清洗的完全程度。
优选的是,所述的ICP组件清洗剂,其中:所述强氧化溶液A还包括0.5~1份二苯基甲烷二胺。苯基甲烷二胺可以减轻清洗剂对ICP组件的腐蚀作用。
优选的是,所述的ICP组件清洗剂,其中:所述清洗剂B还包括3~5份2-甲基-1,3-丙二醇。
2-甲基-1,3-丙二醇减轻清洗剂对金属的腐蚀作用,以保持ICP组件表面结构,尽量使它近于原有状态。
优选的是,所述的ICP组件清洗剂,其中:所述清洗剂B还包括3~5份丁二酸二异辛酯磺酸钠。
丁二酸二异辛酯磺酸钠可以促进各种残留污染物的剥离和溶解性能,从而促进ICP组件残留污染物的清洗,并可提高清洗剂B溶液的分散效果。
优选的是,所述的ICP组件清洗剂,其中:所述清洗剂B还包括0.5~1份双甲代烯丙基聚醚。双甲代烯丙基聚醚可以提高清洗的干净程度,络合ICP组件中污垢的金属离子,防止沉积。
优选的是,所述的ICP组件清洗剂,其中:所述清洗剂B还包括0.05~0.1份甲基四氢邻苯二甲酸酐和0.1~0.4份4-氨基吡咯-2-羧酸。
4-氨基吡咯-2-羧酸对各种残留污染物具有优良的螯合性能,并具有钝化的功效,甲基四氢邻苯二甲酸酐和4-氨基吡咯-2-羧酸可以进一步促进残留污染物的清洗。
优选的是,所述的ICP组件清洗剂,其中:所述有机酸选自甲酸、乙酸、柠檬酸的一种。
本发明的优点:
本发明的ICP组件清洗剂,在ICP测试结束后对采样锥、截留锥及矩管清洗过程中,该清洁剂可以发挥高效、快速、可靠的清洁效果,从而在仪器测定结果的准确度和精密度方面,采样锥、截留锥及矩管的维护方面及降低元素残留污染等方面发挥重要作用。
附图说明
图1为经过本实施例1清洗前后的采样锥、截流锥对比图。
图2为经过本实施例1清洗前后的新旧矩管对比图。
图3为传统清洗剂清洗效果图。
图4为本发明实施例1清洗剂清洗效果图。
图5为本发明实施例1清洗剂与传统清洗剂对矩管清洗效果对比图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
一种ICP组件清洗剂,其中:所述ICP组件清洗剂包括强氧化溶液A和清洗剂B,所述ICP组件先用强氧化溶液A对残留污染物进行氧化降解,再用清洁剂B对已氧化的污染物进行配位清除,按重量份计,
强氧化溶液A包括8份HNO3,1份HF,8份HCl、1份H2O2和71份H2O,1份二甘醇单甲醚,0.01份亚硫酸钠,0.5份2-羟基膦酰基乙酸,0.5份聚丙烯酰胺,0.5份二苯基甲烷二胺。
清洗剂B包括10份甲酸、10份氨水和1份巯基苯骈噻唑,3份2-甲基-1,3-丙二醇,3份丁二酸二异辛酯磺酸钠,0.5份双甲代烯丙基聚醚,0.05份甲基四氢邻苯二甲酸酐,0.1份4-氨基吡咯-2-羧酸。
强氧化溶液A的制备方法:取8份HNO3,1份HF,8份HCl、1份H2O2,1份二甘醇单甲醚,0.01份亚硫酸钠,0.5份2-羟基膦酰基乙酸,0.5份聚丙烯酰胺,0.5份二苯基甲烷二胺于71份H2O中,混合均匀后,即得清洗剂A液。
清洁剂B的制备方法:取10份甲酸、10份氨水和1份巯基苯骈噻唑,3份2-甲基-1,3-丙二醇,3份丁二酸二异辛酯磺酸钠,0.5份双甲代烯丙基聚醚,0.05份甲基四氢邻苯二甲酸酐,0.1份4-氨基吡咯-2-羧酸于适量水中,混合均匀,定容至50ml,即得清洗剂B液。
一种ICP组件清洗剂的使用方法:使用棉签蘸取清洗剂A液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净,再使用棉签蘸取清洗剂B液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净。于通风处静止至干即可。
实施例2
一种ICP组件清洗剂,其中:所述ICP组件清洗剂包括强氧化溶液A和清洗剂B,所述ICP组件先用强氧化溶液A对残留污染物进行氧化降解,再用清洁剂B对已氧化的污染物进行配位清除,按重量份计,
强氧化溶液A包括9份HNO3,3份HF,10份HCl、2份H2O2和80份H2O,2份二甘醇单甲醚,0.05份亚硫酸钠,0.8份2-羟基膦酰基乙酸,0.6份聚丙烯酰胺,0.8份二苯基甲烷二胺。
强氧化溶液A的制备方法:取9份HNO3,3份HF,10份HCl、2份H2O2,2份二甘醇单甲醚,0.05份亚硫酸钠,0.8份2-羟基膦酰基乙酸,0.6份聚丙烯酰胺,0.8份二苯基甲烷二胺于80份H2O中,混合均匀后,即得清洗剂A液。
清洗剂B包括15份乙酸、12份氨水和2份巯基苯骈噻唑,4份2-甲基-1,3-丙二醇,4份丁二酸二异辛酯磺酸钠,0.7份双甲代烯丙基聚醚,0.07份甲基四氢邻苯二甲酸酐和0.2份4-氨基吡咯-2-羧酸。
清洁剂B的制备方法:取15份乙酸、12份氨水和2份巯基苯骈噻唑,4份2-甲基-1,3-丙二醇,4份丁二酸二异辛酯磺酸钠,0.7份双甲代烯丙基聚醚,0.07份甲基四氢邻苯二甲酸酐和0.2份4-氨基吡咯-2-羧酸于适量水中,混合均匀,定容至50ml,即得清洗剂B液。
一种ICP组件清洗剂的使用方法:使用棉签蘸取清洗剂A液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净,再使用棉签蘸取清洗剂B液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净。于通风处静止至干即可。
实施例3
一种ICP组件清洗剂,其中:所述ICP组件清洗剂包括强氧化溶液A和清洗剂B,所述ICP组件先用强氧化溶液A对残留污染物进行氧化降解,再用清洁剂B对已氧化的污染物进行配位清除,按重量份计,
所述强氧化溶液A包括10份HNO3,4份HF,12份HCl、3份H2O2和82份H2O,3份二甘醇单甲醚,0.1份亚硫酸钠,1份2-羟基膦酰基乙酸,1份聚丙烯酰胺,1份二苯基甲烷二胺。
强氧化溶液A的制备方法:取10份HNO3,4份HF,12份HCl、3份H2O2,3份二甘醇单甲醚,0.1份亚硫酸钠,1份2-羟基膦酰基乙酸,1份聚丙烯酰胺,1份二苯基甲烷二胺于82份H2O中,混合均匀后,即得清洗剂A液。
所述清洗剂B包括20份柠檬酸、20份氨水和3份巯基苯骈噻唑,5份2-甲基-1,3-丙二醇,5份丁二酸二异辛酯磺酸钠,1份双甲代烯丙基聚醚,0.1份甲基四氢邻苯二甲酸酐和0.4份4-氨基吡咯-2-羧酸。
清洁剂B的制备方法:取20份柠檬酸、20份氨水和3份巯基苯骈噻唑,5份2-甲基-1,3-丙二醇,5份丁二酸二异辛酯磺酸钠,1份双甲代烯丙基聚醚,0.1份甲基四氢邻苯二甲酸酐和0.4份4-氨基吡咯-2-羧酸于适量水中,混合均匀,定容至50ml,即得清洗剂B液。
一种ICP组件清洗剂的使用方法:使用棉签蘸取清洗剂A液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净,再使用棉签蘸取清洗剂B液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净。于通风处静止至干即可。
对比例1
一种ICP组件清洗剂,其中:所述ICP组件清洗剂包括强氧化溶液A和清洗剂B,所述ICP组件先用强氧化溶液A对残留污染物进行氧化降解,再用清洁剂B对已氧化的污染物进行配位清除,按重量份计,
强氧化溶液A包括8份HNO3,1份HF,8份HCl、1份H2O2和71份H2O,1份二甘醇单甲醚,0.01份亚硫酸钠,0.5份聚丙烯酰胺,0.5份二苯基甲烷二胺。
清洗剂B包括10份甲酸、10份氨水和1份巯基苯骈噻唑,3份2-甲基-1,3-丙二醇,3份丁二酸二异辛酯磺酸钠,0.5份双甲代烯丙基聚醚,0.05份甲基四氢邻苯二甲酸酐,0.1份4-氨基吡咯-2-羧酸。
强氧化溶液A的制备方法:取8份HNO3,1份HF,8份HCl、1份H2O2,1份二甘醇单甲醚,0.01份亚硫酸钠,0.5份聚丙烯酰胺,0.5份二苯基甲烷二胺于71份H2O中,混合均匀后,即得清洗剂A液。
清洁剂B的制备方法:取10份甲酸、10份氨水和1份巯基苯骈噻唑,3份2-甲基-1,3-丙二醇,3份丁二酸二异辛酯磺酸钠,0.5份双甲代烯丙基聚醚,0.05份甲基四氢邻苯二甲酸酐,0.1份4-氨基吡咯-2-羧酸于适量水中,混合均匀,定容至50ml,即得清洗剂B液。
一种ICP组件清洗剂的使用方法:使用棉签蘸取清洗剂A液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净,再使用棉签蘸取清洗剂B液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净。于通风处静止至干即可。
对比例2
一种ICP组件清洗剂,其中:所述ICP组件清洗剂包括强氧化溶液A和清洗剂B,所述ICP组件先用强氧化溶液A对残留污染物进行氧化降解,再用清洁剂B对已氧化的污染物进行配位清除,按重量份计,
强氧化溶液A包括8份HNO3,1份HF,8份HCl、1份H2O2和71份H2O,1份二甘醇单甲醚,0.01份亚硫酸钠,0.5份2-羟基膦酰基乙酸,0.5份二苯基甲烷二胺。
清洗剂B包括10份甲酸、10份氨水和1份巯基苯骈噻唑,3份2-甲基-1,3-丙二醇,3份丁二酸二异辛酯磺酸钠,0.5份双甲代烯丙基聚醚,0.05份甲基四氢邻苯二甲酸酐,0.1份4-氨基吡咯-2-羧酸。
强氧化溶液A的制备方法:取8份HNO3,1份HF,8份HCl、1份H2O2,1份二甘醇单甲醚,0.01份亚硫酸钠,0.5份2-羟基膦酰基乙酸,0.5份二苯基甲烷二胺于71份H2O中,混合均匀后,即得清洗剂A液。
清洁剂B的制备方法:取10份甲酸、10份氨水和1份巯基苯骈噻唑,3份2-甲基-1,3-丙二醇,3份丁二酸二异辛酯磺酸钠,0.5份双甲代烯丙基聚醚,0.05份甲基四氢邻苯二甲酸酐,0.1份4-氨基吡咯-2-羧酸于适量水中,混合均匀,定容至50ml,即得清洗剂B液。
一种ICP组件清洗剂的使用方法:使用棉签蘸取清洗剂A液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净,再使用棉签蘸取清洗剂B液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净。于通风处静止至干即可。
对比例3
一种ICP组件清洗剂,其中:所述ICP组件清洗剂包括强氧化溶液A和清洗剂B,所述ICP组件先用强氧化溶液A对残留污染物进行氧化降解,再用清洁剂B对已氧化的污染物进行配位清除,按重量份计,
强氧化溶液A包括9份HNO3,3份HF,10份HCl、2份H2O2和80份H2O,2份二甘醇单甲醚,0.05份亚硫酸钠,0.8份2-羟基膦酰基乙酸,0.6份聚丙烯酰胺。
强氧化溶液A的制备方法:取9份HNO3,3份HF,10份HCl、2份H2O2,2份二甘醇单甲醚,0.05份亚硫酸钠,0.8份2-羟基膦酰基乙酸,0.6份聚丙烯酰胺于80份H2O中,混合均匀后,即得清洗剂A液。
清洗剂B包括15份乙酸、12份氨水和2份巯基苯骈噻唑,4份2-甲基-1,3-丙二醇,4份丁二酸二异辛酯磺酸钠,0.7份双甲代烯丙基聚醚,0.07份甲基四氢邻苯二甲酸酐和0.2份4-氨基吡咯-2-羧酸。
清洁剂B的制备方法:取15份乙酸、12份氨水和2份巯基苯骈噻唑,4份2-甲基-1,3-丙二醇,4份丁二酸二异辛酯磺酸钠,0.7份双甲代烯丙基聚醚,0.07份甲基四氢邻苯二甲酸酐和0.2份4-氨基吡咯-2-羧酸于适量水中,混合均匀,定容至50ml,即得清洗剂B液。
一种ICP组件清洗剂的使用方法:使用棉签蘸取清洗剂A液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净,再使用棉签蘸取清洗剂B液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净。于通风处静止至干即可。
对比例4
一种ICP组件清洗剂,其中:所述ICP组件清洗剂包括强氧化溶液A和清洗剂B,所述ICP组件先用强氧化溶液A对残留污染物进行氧化降解,再用清洁剂B对已氧化的污染物进行配位清除,按重量份计,
强氧化溶液A包括9份HNO3,3份HF,10份HCl、2份H2O2和80份H2O,2份二甘醇单甲醚,0.05份亚硫酸钠,0.8份2-羟基膦酰基乙酸,0.6份聚丙烯酰胺,0.8份二苯基甲烷二胺。
强氧化溶液A的制备方法:取9份HNO3,3份HF,10份HCl、2份H2O2,2份二甘醇单甲醚,0.05份亚硫酸钠,0.8份2-羟基膦酰基乙酸,0.6份聚丙烯酰胺,0.8份二苯基甲烷二胺于80份H2O中,混合均匀后,即得清洗剂A液。
清洗剂B包括15份乙酸、12份氨水和2份巯基苯骈噻唑,4份2-甲基-1,3-丙二醇,0.7份双甲代烯丙基聚醚,0.07份甲基四氢邻苯二甲酸酐和0.2份4-氨基吡咯-2-羧酸。
清洁剂B的制备方法:取15份乙酸、12份氨水和2份巯基苯骈噻唑,4份2-甲基-1,3-丙二醇,0.7份双甲代烯丙基聚醚,0.07份甲基四氢邻苯二甲酸酐和0.2份4-氨基吡咯-2-羧酸于适量水中,混合均匀,定容至50ml,即得清洗剂B液。
一种ICP组件清洗剂的使用方法:使用棉签蘸取清洗剂A液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净,再使用棉签蘸取清洗剂B液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净。于通风处静止至干即可。
对比例5
一种ICP组件清洗剂,其中:所述ICP组件清洗剂包括强氧化溶液A和清洗剂B,所述ICP组件先用强氧化溶液A对残留污染物进行氧化降解,再用清洁剂B对已氧化的污染物进行配位清除,按重量份计,
所述强氧化溶液A包括10份HNO3,4份HF,12份HCl、3份H2O2和82份H2O,3份二甘醇单甲醚,0.1份亚硫酸钠,1份2-羟基膦酰基乙酸,1份聚丙烯酰胺,1份二苯基甲烷二胺。
强氧化溶液A的制备方法:取10份HNO3,4份HF,12份HCl、3份H2O2,3份二甘醇单甲醚,0.1份亚硫酸钠,1份2-羟基膦酰基乙酸,1份聚丙烯酰胺,1份二苯基甲烷二胺于82份H2O中,混合均匀后,即得清洗剂A液。
所述清洗剂B包括20份柠檬酸、20份氨水和3份巯基苯骈噻唑,5份2-甲基-1,3-丙二醇,5份丁二酸二异辛酯磺酸钠,0.1份甲基四氢邻苯二甲酸酐和0.4份4-氨基吡咯-2-羧酸。
清洁剂B的制备方法:取20份柠檬酸、20份氨水和3份巯基苯骈噻唑,5份2-甲基-1,3-丙二醇,5份丁二酸二异辛酯磺酸钠,0.1份甲基四氢邻苯二甲酸酐和0.4份4-氨基吡咯-2-羧酸于适量水中,混合均匀,定容至50ml,即得清洗剂B液。
一种ICP组件清洗剂的使用方法:使用棉签蘸取清洗剂A液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净,再使用棉签蘸取清洗剂B液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净。于通风处静止至干即可。
对比例6
一种ICP组件清洗剂,其中:所述ICP组件清洗剂包括强氧化溶液A和清洗剂B,所述ICP组件先用强氧化溶液A对残留污染物进行氧化降解,再用清洁剂B对已氧化的污染物进行配位清除,按重量份计,
所述强氧化溶液A包括10份HNO3,4份HF,12份HCl、3份H2O2和82份H2O,3份二甘醇单甲醚,0.1份亚硫酸钠,1份2-羟基膦酰基乙酸,1份聚丙烯酰胺,1份二苯基甲烷二胺。
强氧化溶液A的制备方法:取10份HNO3,4份HF,12份HCl、3份H2O2,3份二甘醇单甲醚,0.1份亚硫酸钠,1份2-羟基膦酰基乙酸,1份聚丙烯酰胺,1份二苯基甲烷二胺于82份H2O中,混合均匀后,即得清洗剂A液。
所述清洗剂B包括20份柠檬酸、20份氨水和3份巯基苯骈噻唑,5份2-甲基-1,3-丙二醇,5份丁二酸二异辛酯磺酸钠,1份双甲代烯丙基聚醚,0.1份甲基四氢邻苯二甲酸酐。
清洁剂B的制备方法:取20份柠檬酸、20份氨水和3份巯基苯骈噻唑,5份2-甲基-1,3-丙二醇,5份丁二酸二异辛酯磺酸钠,1份双甲代烯丙基聚醚,0.1份甲基四氢邻苯二甲酸酐于适量水中,混合均匀,定容至50ml,即得清洗剂B液。
一种ICP组件清洗剂的使用方法:使用棉签蘸取清洗剂A液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净,再使用棉签蘸取清洗剂B液分别擦拭ICP组件(采样锥,截取锥及矩管),使用去离子水冲洗干净。于通风处静止至干即可。
本发明与传统方法对比见下表1:
表1
条目 | 传统清洗方法 | 本发明清洗方法 |
清洗时间 | 需浸泡过夜,并使用烘箱干燥 | 擦拭后风干即可 |
清洗效果 | 部分元素残留无法洗脱 | 洗脱顽固元素无残留 |
维护效果 | 长期浸泡对锥存在较强腐蚀,缩短使用寿命 | 仅需擦拭,可有效延长使用寿命 |
成本 | 需配制酸缸等专用浸泡罐及区域 | 无特殊设备要求 |
下面列出实施例和对比例的性能测试结果,结果如表2
表2
将实施例1-3和对比例1-6的ICP组件清洗剂进行清洗效果测试,从表1的测试数据可以看出,实施例1-3的ICP组件清洗剂清洗效果优于对比例1-6。
最后所应说明的是,以上具体实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照实例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (10)
1.一种ICP组件清洗剂,其特征在于:所述ICP组件清洗剂包括强氧化溶液A和清洗剂B,所述ICP组件先用强氧化溶液A对残留污染物进行氧化降解,再用清洁剂B对已氧化的污染物进行配位清除,按重量份计,
所述强氧化溶液A包括以下组分:8~10份HNO3,1~4份HF,8~12份HCl、1~3份H2O2和71~82份H2O;
所述清洗剂B包括以下组分:10~20份有机酸、10~20份氨水和1~3份巯基苯骈噻唑。
2.根据权利要求1所述的ICP组件清洗剂,其特征在于:所述强氧化溶液A还包括1~3份二甘醇单甲醚和0.01~0.1份亚硫酸钠。
3.根据权利要求1所述的ICP组件清洗剂,其特征在于:所述强氧化溶液A还包括0..5~1份2-羟基膦酰基乙酸。
4.根据权利要求1所述的ICP组件清洗剂,其特征在于:所述强氧化溶液A还包括0.5~1份聚丙烯酰胺。
5.根据权利要求1所述的ICP组件清洗剂,其特征在于:所述强氧化溶液A还包括0.5~1份二苯基甲烷二胺。
6.根据权利要求1所述的ICP组件清洗剂,其特征在于:所述清洗剂B还包括3~5份2-甲基-1,3-丙二醇。
7.根据权利要求1所述的ICP组件清洗剂,其特征在于:所述清洗剂B还包括3~5份丁二酸二异辛酯磺酸钠。
8.根据权利要求1所述的ICP组件清洗剂,其特征在于:所述清洗剂B还包括0.5~1份双甲代烯丙基聚醚。
9.根据权利要求1所述的ICP组件清洗剂,其特征在于:所述清洗剂B还包括0.05~0.1份甲基四氢邻苯二甲酸酐和0.1~0.4份4-氨基吡咯-2-羧酸。
10.根据权利要求1所述的ICP组件清洗剂,其特征在于:所述有机酸选自甲酸、乙酸、柠檬酸的一种。
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