CN114448375A

CN114448375A - 一种多零点高选择性ltcc带通滤波器芯片

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Publication number: CN114448375A
Application number: CN202210075072.7A
Authority: CN
Inventors: 吴永乐; 郝丽薇; 王卫民; 杨雨豪
Original assignee: Beijing University of Posts and Telecommunications
Current assignee: Beijing University of Posts and Telecommunications
Priority date: 2022-01-22
Filing date: 2022-01-22
Publication date: 2022-05-06

Abstract

本发明公开了一种多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，基于LTCC技术所实现的带通滤波器芯片具有体积小，集成度高的优点；并且通过第一类谐振器、第二类谐振器、第三类谐振器及第四类谐振器独立控制带通滤波器芯片的传输零点，通过阻抗匹配结构调整通带内的阻抗匹配及通带外的阻带抑制，由此实现带通滤波的性能，可以达到的带通滤波频率范围为3.3GHz到3.8GHz，因此该带通滤波器芯片能够覆盖5G应用系统中的N78频段。并通过仿真结果可见，该LTCC带通滤波器芯片具有高选择性、多传输零点、阻抗匹配功能良好及插入损耗低等优异性能。

Description

一种多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片

技术领域

本发明涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片。

背景技术

近年来，第五代通信系统(5G)快速发展，创造了全新的数字环境。5G采用无线电频谱，达到超出以往技术的传输速度以及更高程度的可靠性。依靠特有的优势，5G允许以高速且安全的方式连接更多的设备，引导了互联网的发展方向，同时也正在改变全球射频前端技术的发展情况。

滤波器作为射频前端模组中的重要组成部分，在技术更新和市场布局上都面向着更高的要求标准。首先，滤波器的体积小型化，是移动通信终端及其他便携式产品所需的基本要求。其次，滤波器的主要作用是在信号频带上保留特定的频率成分，滤除无用的频率成分，从而实现高选择性，有效提高信噪比和抗干扰性。最后，移动终端为确保在不增大体积的前提下实现众多功能模块，需要将多芯片模组封装在同一射频前端模块下，将大大提高器件的集成度。

然而，目前对于市场上普遍存在的PCB封装技术等，无法满足新型滤波器的技术要求。因此，为了达到高选择性、多传输零点及小型化、高集成度等性能，本发明开发特殊谐振结构的带通滤波器芯片，并且选取新型集成技术低温共烧陶瓷(LTCC)技术以实现。

低温共烧陶瓷(Low temperature cofired ceramic,简称LTCC)技术是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确且致密的生瓷带，在生瓷带上进行激光打孔及微孔注浆，利用精密导体浆料印刷所需的电路图形。最终将多个元件埋置在多层陶瓷基板中，且叠压在一起，在900℃下烧结，制成三维空间中互不干扰的电路基板。LTCC技术可实现内埋置元件与多层布线，提高组装密度，进一步减小体积。

发明内容

本发明基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术，提供一种多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，将电容、电感等无源元件埋置在基板内部，减小了滤波器的体积。同时本发明提出特殊的电路结构，实现多传输零点及通带高选择性。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明提供的一种多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，包括带通滤波电路及用于埋置所述的带通滤波电路的陶瓷介质；所述的带通滤波器电路由50欧姆阻抗的输入端口、50欧姆阻抗的输出端口及连接于所述的输入端口与所述的输出端口之间的谐振网络及阻抗匹配结构组成；所述的输入端口，用于接收输入信号的端口；所述的输出端口，用于输出网络处理后在特定带通频率范围内信号的端口；所述的连接于所述的输入端口与所述的输出端口间的谐振网络及阻抗匹配结构，用于对所述的特定带通频率范围以外的信号进行滤除，对所述的特定带通频率范围以内的信号进行保留，其中，所述的特定带通频率范围为N78频段，即3.3GHz到3.8GHz。

进一步地，所述的谐振网络由位于中间的第一类谐振器、第二类谐振器、第三类谐振器及位于两侧的两个第四类谐振器构成，第一类谐振器用于控制通带低频处传输零点A0，第二类谐振器用于控制通带右侧第一个传输零点A1，第三类谐振器用于控制通带右侧第二个传输零点A2，第四类谐振器用于控制通带右侧第三个传输零点A3。

进一步地，所述的第一类谐振器位于带通滤波电路的中部，包括第一螺旋电感L₁与第一VIC电容C₁；所述的第二类谐振器位于第一类谐振器的一侧，包括第二螺旋电感L₂与第二VIC电容C₂；所述的第三类谐振器位于第一类谐振器的另一侧，包括第三螺旋电感L₃与第三VIC电容C₃；所述的第四类谐振器位于带通滤波电路的两端，包括第四螺旋电感L₄与第四VIC电容C₄。

进一步地，所述的阻抗匹配结构由用于控制通带内匹配与通带外阻带抑制的集总元件构成。

进一步地，所述的集总元件包括两个第五螺旋电感L₅与两个第五VIC电容C₅；

其中一个第五VIC电容C₅的一端连接于所述的50欧姆阻抗的输入端口，该第五VIC电容C₅的另一端连接于一个第四类谐振器的第一节点，该第四类谐振器的另一端连接于与第三类谐振器连结的第二节点，所述的第三类谐振器的另一端通过金属通孔接地；

其中一个第五螺旋电感L₅的一端连接于所述的第三类谐振器的第二节点，该第五螺旋电感L₅的另一端连接于与所述的第一类谐振器连结的第三节点；所述的第一类谐振器的另一端通过金属通孔接地；

另一个第五螺旋电感L₅的一端连接于所述的第一类谐振器的第三节点，该第五螺旋电感L₅的另一端连接于与所述的第二类谐振器连结的第四节点，所述的第二类谐振器的另一端通过金属通孔接地；

另一个第四类谐振器的一端连接于第二类谐振器的第四节点，该第四类谐振器的另一端连接于所述的另一个第五VIC电容C₅的一端，该第五VIC电容C₅的另一端连接于所述的50欧姆阻抗的输出端口。

进一步地，所述的第一类谐振器为串联谐振器，通过调整电感L₁与电容C₁的值，能够调整通带一端低频处传输零点A0的频率；所述的第二类谐振器为串联谐振器，通过调整电感L₂与电容C₂的值，能够调整通带另一端第一个传输零点A1的频率；所述的第三类谐振器为串联谐振器，通过调整电感L₃与电容C₃的值，能够调整通带另一端第二个传输零点A2的频率；所述的两个第四类谐振器为并联谐振器，通过调整电感L₄与电容C₄的值，能够调整通带另一端第三个传输零点A3的频率。

进一步地，当散射参数S₁₂＝0即转移矩阵中AD＝BC时，产生传输零点，所得计算公式如下：

其中i＝1,2,3,4；

散射参数与转移矩阵间存在关系如下：

其中Z₀为端口处的电阻。

进一步地，通过调整阻抗匹配结构中的第五VIC电容C₅与第五螺旋电感L₅的值，能够调整带宽范围内的回波损耗优于20dB。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

1、本发明的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，通过引入多个传输零点，提高滤波器的带外抑制；并且所述的四个传输零点均可通过调节所述的四类谐振器的谐振频率来独立调节其位置。

2、本发明的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，采用LTCC低温共烧陶瓷技术，利用其高密度布线及多层埋置元件等优势，大大减小了滤波器芯片的尺寸。

3、本发明的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，可以达到的带通频率范围为3.3GHz到3.8GHz，且通带选择性较高，因此适用于工作在5G商用的N78频段的应用系统中。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的结构原理图；

图2为本发明实施例提供的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的内部结构示意图；

图3a为本发明实施例提供的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的第一层电路结构的示意图；

图3b为本发明实施例提供的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的第二层电路结构的示意图；

图3c为本发明实施例提供的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的第三层电路结构的示意图；

图3d为本发明实施例提供的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的第四层电路结构的示意图；

图3e为本发明实施例提供的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的第五层电路结构的示意图；

图3f为本发明实施例提供的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的第六层电路结构的示意图；

图3g为本发明实施例提供的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的第七层电路结构的示意图；

图3h为本发明实施例提供的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的第八层电路结构的示意图；

图3i为本发明实施例提供的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的第九层电路结构的示意图；

图4为本发明实施例提供的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的电磁仿真S参数结果图。

具体实施方式

下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，基于LTCC技术所实现的带通滤波器芯片具有体积小，集成度高的优点；并且通过第一类谐振器、第二类谐振器、第三类谐振器及第四类谐振器独立控制带通滤波器芯片的传输零点，通过阻抗匹配结构调整通带内的阻抗匹配及通带外的阻带抑制，由此实现带通滤波的性能，可以达到的带通滤波频率范围为3.3GHz到3.8GHz，因此该带通滤波器芯片能够达到5G应用系统中的N78频段。

图1为本发明实施例提供的一种多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的结构原理图。图1电路中的各集总元件参数值如下：L₁＝1.42nH,C₁＝4.04pF,L₂＝1.83nH,C₂＝0.53pF,L₃＝1.01nH,C₃＝0.67pF,L₄＝0.827nH,C₄＝0.4pF,L₅＝0.85nH,C₅＝1.01pF。

如图1所示，多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片包括带通滤波电路及用于埋置所述的带通滤波电路的陶瓷介质。

所述的带通滤波器电路由50欧姆阻抗的输入端口、50欧姆阻抗的输出端口及连接于所述的输入端口与所述的输出端口之间的谐振网络及阻抗匹配结构组成。

所述的谐振网络是由用于控制通带左侧低频处传输零点A0的第一类谐振器，用于控制通带右侧第一个传输零点A1的第二类谐振器，用于控制通带右侧第二个传输零点A2的第三类谐振器及用于控制通带右侧第三个传输零点A3的第四类谐振器构成的。

所述的阻抗匹配结构是由用于控制通带内匹配与通带外阻带抑制的集总元件构成的。

所述的输入端口，用于接收输入信号的端口。

所述的输出端口，用于输出网络处理后在特定带通频率范围内信号的端口。

所述的连接于所述的输入端口与所述的输出端口间的谐振网络及阻抗匹配结构，用于对所述的特定带通频率范围以外的信号进行滤除，对所述的特定带通频率范围以内的信号进行保留，其中，所述的带通频率范围为N78频段，即3.3GHz到3.8GHz。

由于散射参数与转移矩阵间存在如下关系：

Z₀为端口处的电阻；

因此，当S₁₂＝0即AD＝BC时，产生传输零点，所得计算公式如下：

因此，本发明实施例提供的一种多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的任意一个传输零点可由每一类谐振器独立控制，且对其他传输零点不产生影响；通过调整每一类谐振器的电感电容值，基本确定传输零点的位置，控制本发明实施例提供的一种多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的工作范围，使得带通频率范围包含所述的N78频段，即3.3GHz到3.8GHz；

进一步的，通过调整阻抗匹配结构中的第五VIC电容C₅与第五螺旋电感L₅的值，可调整带宽范围内的回波损耗优于20dB，可见输入阻抗与端口电阻相等，阻抗匹配性能良好；

为了更好地说明本发明实施例，在此对本发明实施例中下文的使用数据进行介绍，其中包括但不限于“第一类谐振器”、“第二类谐振器”、“第三类谐振器”、“第四类谐振器”、“第一螺旋电感”、“第二螺旋电感”、“第三螺旋电感”、“第四螺旋电感”、“第五螺旋电感”、“第一VIC电容”、“第二VIC电容”、“第三VIC电容”、“第四VIC电容”及“第五VIC电容”等。

本发明实施例中“第一多层垂直交叉电容(Vertically-Interdigitated-Capacitor简称VIC电容)”的“第一”、“第二VIC电容”的“第二”、“第三VIC电容”的“第三”、“第四VIC电容”的“第四”及“第五VIC电容”的“第五”，用作区分不同位置的电容，并无顺序上的确定性。

当然，金属绝缘体金属电容(Metal-Insulator-Metal Capacitor简称MIM电容)也是可以利用的；在本发明实施例中为了达到偏大的电容参数值，且保证尽量小的尺寸优势，VIC电容是更合适的。本发明实施例的VIC电容采用LTCC技术，埋置于介质内部，由多层金属与相邻层金属间的绝缘介质层构成的。

本发明实施例中，“第一螺旋电感”的“第一”、“第二螺旋电感”的“第二”、“第三螺旋电感”的“第三”、“第四螺旋电感”的“第四”及“第五螺旋电感”的“第五”，用作区分不同位置的电感，并无顺序上的限制。

本发明实施例中的螺旋电感可以是平面螺旋电感，也可以是多层垂直螺旋电感，根据不同的参数值及布局来确定，并无固定的限制性。本发明实施例中的平面螺旋电感由平面上的金属导体微带线连接而成，对连接点及连接形状不做限定；本发明实施例中的多层垂直螺旋电感由不同层的金属导体微带线以通孔连接而成，对通孔的位置及连接形状不做限定。

图2所示是本发明实施例提供的一种多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的内部结构示意图，整体器件的尺寸为6.73mm×4.005mm×0.94mm，本发明实施例采用的LTCC陶瓷介质Ferro-A6M的相对介电常数为5.9，损耗因子为0.002，共10层。其中，第一层至第九层为导带层，第十层为介质层。第一层金属印刷于第一层介质的下表面，第二层金属印刷于第二层介质的下表面，以此类推，第九层金属印刷于第九层介质的下表面，第十层介质位于第九层介质上方。其中，所述的所有介质材料均为Ferro-A6M，且烧结后每层介质的厚度为94μm；所述的所有金属导体内部导体选用金属银，外表面导体，包括第一层金属导体，选用金属金，其厚度均为10μm。

其中，所述的“第一层”、“第二层”、“第三层”、“第四层”、“第五层”、“第六层”、“第七层”、“第八层”、“第九层”及“第十层”为附图所示的从底侧至顶侧的金属导体或陶瓷介质的位置示意，不作顺序上的限定。

需要说明，本发明实施例的描述中，术语“顶侧”、“底侧”、“前侧”、“后侧”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明。

结合图2与图3a-图3i，第一层为大面积地面，表层地面由金属金制成，在表层导体中挖空两个方块引出所述的输入端口与所述的输出端口，所述的输入端口或所述的输出端口与地面联合构成接地信号接地(Ground-Signal-Ground)端口形式，便于探针测试。

所述的输入端口以金属通孔连接所述的阻抗匹配结构中的所述的一个第五VIC电容的一端，所述的一个第五VIC电容共7层，正对面积为0.65mm×0.44mm，所述的一个第五VIC电容的另一端在第三层与第五层以微带线连接所述的一个第四类谐振器中的所述的一个第四VIC电容，所述的一个第四VIC电容包括3层，正对面积为0.6mm×0.55mm；所述的第四VIC电容以通孔并接在所述的第四类谐振器中的所述的第四螺旋电感的两端，所述的第四螺旋电感位于第二层，由五段电感折线(SL41,SL42,SL43,SL44,SL45)构成；其中，所述的一个第四螺旋电感的第一段折线SL41的长度为0.4mm，所述的一个第四螺旋电感的第二段折线SL42的长度为1.25mm，所述的一个第四螺旋电感的第三段折线SL43的长度为0.6mm，所述的一个第四螺旋电感的第四段折线SL44的长度为1.25mm，所述的一个第四螺旋电感的第五段折线SL45的长度为0.53mm，每段折线的宽度均为0.2mm。所述的第四类谐振器的另一端连接所述的第三类谐振器中的所述的第三螺旋电感的一端，所述的第三螺旋电感位于第二层，由五段电感折线(SL31,SL32,SL33,SL34,SL35)构成，其中，所述的第三螺旋电感的第一段折线SL31的长度为0.4mm，所述的第三螺旋电感的第二段折线SL32的长度为0.66mm，所述的第三螺旋电感的第三段折线SL33的长度为0.4mm，所述的第三螺旋电感的第四段折线SL34的长度为0.66mm，所述的第三螺旋电感的第五段折线SL35的长度为0.2mm，每段折线的宽度均为0.2mm。所述的第三螺旋电感的另一端以通孔连接所述的第三VIC电容，所述的第三VIC电容共4层，包括第二层、第三层、第四层及第五层，正对面积为0.66mm×0.68mm，共同组成第三类谐振器，所述的第三类谐振器的另一端通过通孔接地。一个第五螺旋电感的一端连接于所述的第三类谐振器与所述的一个第四类谐振器连接的节点上，位于第二层，由一段电感折线(SL51)组成,所述的一个第五螺旋电感的第一段折线SL51的长度为0.8mm，宽度为0.2mm。所述的一个第五电感的另一端连接于所述的第一类谐振器中的所述的第一螺旋电感的一端，所述的第一螺旋电感位于第二层，由五段电感折线(SL11,SL12,SL13,SL14,SL15)构成，其中，所述的第一螺旋电感的第一段折线SL11的长度为0.6mm，所述的第一螺旋电感的第二段折线SL12的长度为0.7mm，所述的第一螺旋电感的第三段折线SL13的长度为0.4mm，所述的第一螺旋电感的第四段折线SL14的长度为0.7mm，所述的第一螺旋电感的第五段折线SL15的长度为0.45mm。所述的第一螺旋电感的另一端以通孔串接第一VIC电容，第一VIC电容共7层，包括第三层、第四层、第五层、第六层、第七层、第八层及第九层，正对面积为0.92mm×0.75mm，所述的第一VIC电容的另一端接地。所述的第一类谐振器的另一端连接于位于第二层的所述的另一个第五螺旋电感的一端，所述的第五螺旋电感的另一端连接于所述的第二类谐振器与所述的另一个第四类谐振器的连接点上。所述的第二类谐振器中的所述的第二螺旋电感共3层，包括第二层、第三层、第四层，每层由三段电感折线(SL21,SL22,SL23)构成，其中，所述的第二螺旋电感的第一段折线SL21的长度为0.55mm，所述的第二螺旋电感的第二段折线SL22的长度为0.6mm，所述的第二螺旋电感的第三段折线SL23的长度为0.55mm，所述的第二螺旋电感的另一端以微带线串接所述的第二VIC电容的一端，第二VIC电容共4层，包括第二层、第三层、第四层及第五层，所述的第二VIC电容的另一端接地。所述的另一个第四类谐振器的另一端通过微带线连接所述的另一个第五VIC电容，所述的另一个第五VIC电容通过通孔将信号引至输出端口。其中，所述的另一个第四类谐振器与所述的另一个第五VIC电容的层数及尺寸与所述的一个第四类谐振器及所述的一个第五VIC电容相同，在此不多作赘述。

如图4所示，图4为本发明实施例提供的一种多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的电磁仿真S参数结果图，其中，包括一种多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片的输入端口回波损耗|S₁₁|及输入端口与输出端口之间的插入损耗|S₂₁|。

优选实施例的一种多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，在3.3GHz到3.8GHz的频带范围内，输入端口的回波损耗|S₁₁|优于20dB，插入损耗|S₂₁|控制在1.23dB到1.54dB之间，带外抑制优于13.8dB，通带左侧滚降达到81dB/GHz，通带右侧滚降达到62dB/GHz，四个传输零点分别位于2.87GHz，4.31GHz，5.41GHz及6.52GHz处。由以上仿真结果可见，该LTCC带通滤波器芯片具有高选择性、多传输零点、阻抗匹配功能良好及插入损耗低等优异性能。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置实施例、电子设备实施例、计算机可读存储介质实施例和计算机程序产品实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上所述实施例，仅为本申请的具体实施方式，用以说明本申请的技术方案，而非对其限制，本申请的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特殊进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例技术方案的精神和范围。都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，其特征在于，包括带通滤波电路及用于埋置所述的带通滤波电路的陶瓷介质；所述的带通滤波器电路由50欧姆阻抗的输入端口、50欧姆阻抗的输出端口及连接于所述的输入端口与所述的输出端口之间的谐振网络及阻抗匹配结构组成；所述的输入端口，用于接收输入信号的端口；所述的输出端口，用于输出网络处理后在特定带通频率范围内信号的端口；所述的连接于所述的输入端口与所述的输出端口间的谐振网络及阻抗匹配结构，用于对所述的特定带通频率范围以外的信号进行滤除，对所述的特定带通频率范围以内的信号进行保留，其中，所述的特定带通频率范围为N78频段，即3.3GHz到3.8GHz。

2.根据权利要求1所述的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，其特征在于，所述的谐振网络由位于中间的第一类谐振器、第二类谐振器、第三类谐振器及位于两侧的两个第四类谐振器构成，第一类谐振器用于控制通带低频处传输零点A0，第二类谐振器用于控制通带右侧第一个传输零点A1，第三类谐振器用于控制通带右侧第二个传输零点A2，第四类谐振器用于控制通带右侧第三个传输零点A3。

3.根据权利要求2所述的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，其特征在于，所述的第一类谐振器位于带通滤波电路的中部，包括第一螺旋电感L₁与第一VIC电容C₁；所述的第二类谐振器位于第一类谐振器的一侧，包括第二螺旋电感L₂与第二VIC电容C₂；所述的第三类谐振器位于第一类谐振器的另一侧，包括第三螺旋电感L₃与第三VIC电容C₃；所述的第四类谐振器位于带通滤波电路的两端，包括第四螺旋电感L₄与第四VIC电容C₄。

4.根据权利要求1所述的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，其特征在于，所述的阻抗匹配结构由用于控制通带内匹配与通带外阻带抑制的集总元件构成。

5.根据权利要求4所述的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，其特征在于，所述的集总元件包括两个第五螺旋电感L₅与两个第五VIC电容C₅；

6.根据权利要求5所述的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，其特征在于，所述的第一类谐振器为串联谐振器，通过调整电感L₁与电容C₁的值，能够调整通带一端低频处传输零点A0的频率；所述的第二类谐振器为串联谐振器，通过调整电感L₂与电容C₂的值，能够调整通带另一端第一个传输零点A1的频率；所述的第三类谐振器为串联谐振器，通过调整电感L₃与电容C₃的值，能够调整通带另一端第二个传输零点A2的频率；所述的两个第四类谐振器为并联谐振器，通过调整电感L₄与电容C₄的值，能够调整通带另一端第三个传输零点A3的频率。

7.根据权利要求6所述的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，其特征在于，当散射参数S₁₂＝0即转移矩阵中AD＝BC时，产生传输零点，所得计算公式如下：

其中i＝1,2,3,4；

散射参数与转移矩阵间存在关系如下：

其中Z₀为端口处的电阻。

8.根据权利要求7所述的多零点高选择性LTCC带通滤波器芯片，其特征在于，通过调整阻抗匹配结构中的第五VIC电容C₅与第五螺旋电感L₅的值，能够调整带宽范围内的回波损耗优于20dB。