CN112994641B - 一种基于ltcc的双频带通滤波器芯片 - Google Patents
一种基于ltcc的双频带通滤波器芯片 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种基于LTCC的双频带通滤波器芯片,属于微波传输领域;所述芯片为左右对称结构,正中间是电感和电容组成的第一并联电路;两端分别各串联一个电感L1和电容C1后连接输入输出端口;同时电感L1两端并联第二并联电路和接地的第三并联电路,三个并联电路构成了滤波结构,两电容C1构成了阻抗匹配结构;通过控制各电容电感,当各频段的信号输入时,低频处的信号经电容C1初步被滤除;由于第二和第三并联电路引入的传输零点,当信号经过时,低频信号与5.31GHz以上的高频信号将会被滤除;由于第一并联电路引入的传输零点,当信号经过时,两通带间的信号会被滤除;最后只输出两通带内的信号,从而实现了双频带通滤波。本发明保证了通带内的低插入损耗。
Description
技术领域
本发明属于微波传输领域及集成电路领域,涉及一种无源双频滤波器芯片,具体是一种基于LTCC的双频带通滤波器芯片。
背景技术
近年来,随着移动通信系统的飞速发展,5G技术应运而生,并且在一定的范围内得到广泛应用。5G作为新一代通信系统,具有延迟时间短,数据速率高,能源消耗低及数据流量大等技术优势。为了满足5G时代的发展需求,射频元件也面向着更严苛的挑战。
滤波器作为射频前端占比最大的器件,是移动通信设备中必不可少的组成部分。其功能主要是进行信号处理,保留特定频率成分而滤除无用的频率成分,保证各频段的通信设备独立工作,不互相干扰。滤波器的工作性能直接影响整个系统的通信质量,因此,本领域技术人员一直致力于提出具有阻抗匹配,低损耗及小型化等高性能的滤波器。
低温共烧陶瓷(LTCC)技术是多芯片组件(MCM)技术中最重要的一种,它采用厚膜材料,将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确的生瓷带,在生瓷带上利用机械冲压或激光打孔技术形成钻孔,对导体浆料进行印刷烘干,并且以导体浆料进行通孔填充,可制成所需的电路图。通过此技术将各无源元件埋置,进行叠层、对齐与热压,在900℃左右烧结,从而实现三维的无源集成网络。
但是,目前市场上缺乏小型化及低损耗的双频带通滤波器。像传统的PCB技术,无法实现多层布线及内部埋置无源器件,也无法采用在高频与微波方面具有优良特性的陶瓷材料,导致器件体积大,损耗高等劣势。
发明内容
本发明基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术,提出了一种基于LTCC的双频带通滤波器芯片,将电容、电感等集总元件埋置在介质空间内部,减小了器件的体积,同时选取了电阻率较低的金属作为导体,保证了低损耗的需求。
所述的双频带通滤波器芯片,为左右对称结构,正中间是电感L3,并联于两个串联的电容C4两端,同时在两个串联电容C4中间连接接地的电容C5,组成了第一并联电路;
在第一并联电路两端分别对称依次串联电感L1和电容C1,同时左右两端电容C1分别连接输入输出端口;
电感L1两端同时并联电容C2组成第二并联电路,在第二并联电路下串接由电容C3和电感L2组成的第三并联电路,第三并联电路同时接地。
第一,第二和第三并联电路构成了滤波结构,两端电容C1构成了阻抗匹配结构;
其中,电容C4,电容C5和电感L3构成的第一并联电路,通过调整电感电容的值,引入双频滤波器两通带间的传输零点A1及第一通带中第二个反射零点P1和第二通带中第一个反射零点P2。
电感L2与电容C3构成的第三并联电路,通过调整电感电容的值,引入第一通带左侧的传输零点A0及第一通带中第一个反射零点P0。通过计算S参数|S11|,当回波损耗低于设定的阈值|S11|<-15dB,即表明通带内的信号传输效果良好;通过仿真,控制第一通带的带宽工作频段在3.3GHz-3.6GHz范围内时,回波损耗达到|S11|<-22dB,满足要求。
电感L1和电容C2构成的第二并联电路,通过调整电感电容的值,引入双频滤波器第二通带右侧的传输零点A2及第二通带中第二个反射零点P3。通过计算S参数|S11|和仿真,控制第二通带的带宽工作频段在4.8GHz-5.0GHz范围内时,回波损耗达到|S11|<-15dB,满足要求。
由于S参数与奇模半电路阻抗Zodd(ω)和偶模半电路阻抗Zeven(ω)之间存在如下关系:
Z0为端口处的电阻;
因此,当奇偶模半电路阻抗满足:Zeven(ω)=Zodd(ω)时,S12(ω)=S21(ω)=0,即产生传输零点,具体如下:
当频率接近于0GHz时,Zeven(ω)=Zodd(ω)=∞,产生第一通带左侧的传输零点A0。
由Zeven(ω)=Zodd(ω)可得,当频率满足:fA1=4.21GHz时,产生两通带间传输零点A1。
由Zeven(ω)=Zodd(ω)可得,当频率满足:fA2=5.31GHz时,产生第二通带右侧传输零点A2。
所述的双频带通滤波器芯片具体构建过程如下:
首先,在两端口正中间放置第一并联电路,通过调节电感L3,电容C4及电容C5,控制两通带间传输零点A1;
计算公式如下:
其次,在第一并联电路两侧对称放置第二并联电路,并在对称的第二并联电路下接第三并联电路;第二并联电路引入第二通带右侧传输零点A2,第三并联电路引入第一通带左侧传输零点A0。
由于传输零点A0接近于0GHz,第三并联电路中的元件值在一定范围内调节时,对其影响较小,不予分析。
对于传输零点A2,通过调节第二并联电路的电感L1和电容C2进行控制。计算公式如下:
最后,在输入输出端口处串接电容C1,构成阻抗匹配结构。
通过调节两端电容C1的值,可实现在两通带内滤波器的输入阻抗Zin等于端口电阻Z0,即Zin=Z0=50Ω,实现两通带内的阻抗匹配。
第一通带左侧的传输零点A0至两通带间传输零点A1的部分即为滤波器的第一通带,两通带间传输零点A1至第二通带右侧传输零点A2之间部分即为滤波器的第二通带;当各频段的信号从输入端口输入时,低频处的信号经电容C1初步被滤除;由于第二并联电路(L1,C2)引入传输零点A2,第三并联电路(L2,C3)引入传输零点A0,当信号经过第二并联电路与第三并联电路时,低频信号与5.31GHz以上的高频信号将会被滤除。由于第一并联电路(L3,C4,C5)引入两通带间的传输零点A1,当信号经第一并联电路时,两通带间的信号将会被滤除;最后输出端口只能输出两通带内的信号,从而实现了本发明中双频带通滤波器芯片的功能。
本发明的优点在于:
1)一种基于LTCC的双频带通滤波器芯片,使用了LTCC技术,布线密度高,更有利于器件的集成化,通过将集总元件埋置在介质空间内部,大大减小了器件体积。
2)一种基于LTCC的双频带通滤波器芯片,利用LTCC技术,可选取电阻率较低的导体,保证带通滤波器通带内的低插入损耗,优化了滤波器的性能。
3)一种基于LTCC的双频带通滤波器芯片,选取3.5GHz及4.9GHz作为两个通带的中心频率,中心频率比低至1:1.4。
4)一种基于LTCC的双频带通滤波器芯片,工作频段覆盖了5G的新增频段,即3.3GHz-3.6GHz,4.8GHz-5.0GHz,两通带之间的空白频段具备良好的抑制效果,从而可提高整个系统的抗干扰能力。
5)一种基于LTCC的双频带通滤波器芯片,在两通带内均保持良好的阻抗匹配性能,并且在两个通带内分别引入两个反射零点,易于控制通带带宽。
附图说明
图1为本发明一种基于LTCC的双频带通滤波器芯片的结构原理图;
图2为本发明一种基于LTCC的双频带通滤波器芯片的仿真结果;
图3为本发明一种基于LTCC的双频带通滤波器芯片的实施例版图模型;
图4为本发明采用的实施例版图模型各层结构分解示意图;
图5为本发明实施例采用的版图仿真结果;
具体实施方式
下面将结合附图和实施示例对本发明作进一步的详细说明。
本发明公开了一种适用于微波领域的具有阻抗匹配功能的低损耗LTCC双频滤波器芯片,基于LTCC技术所实现的双频带通滤波器具有结构简单,体积小,损耗低,中心频率比低及阻抗匹配良好等性能;而且该芯片工作于5G的新增频段,即3.3GHz-3.6GHz,4.8GHz-5.0GHz。
本发明的两个通带内均具有良好的阻抗匹配,并且选取低电阻率的材料银作为导体,保证插入损耗较低,具体为本发明选取3.5GHz与4.9GHz作为两通带的中心频率,中心频率比低至1:1.4。
如图1所示,所述的双频带通滤波器芯片,为左右对称结构,正中间是电感L3,并联于两个串联的电容C4两端,同时在两个串联电容C4中间连接接地的电容C5,组成了第一并联电路;
在第一并联电路两端分别对称依次串联电感L1和电容C1,同时左右两端电容C1分别连接输入输出端口;
电感L1两端同时并联电容C2组成第二并联电路,以及在第二并联电路下串联由电容C3和电感L2组成的第三并联电路,第三并联电路同时接地。
第一,第二和第三并联电路构成了滤波结构,两端电容C1构成了阻抗匹配结构;
其中,电容C4,电容C5和电感L3构成的第一并联电路,用来引入双频滤波器两通带间的传输零点A1及第一通带中第二个反射零点P1和第二通带中第一个反射零点P2。
电感L2与电容C3构成的第三并联电路,用来引入第一通带左侧的传输零点A0及第一通带中第一个反射零点P0。与第一并联电路共同控制第一通带的带宽,保证其工作频段覆盖3.3GHz-3.6GHz。
电感L1和电容C2构成的第二并联电路,用来引入双频滤波器第二通带右侧的传输零点A2及第二通带中第二个反射零点P3。与第一并联电路共同控制第二通带的带宽,保证其工作频段覆盖4.8GHz-5.0GHz。
该芯片加入阻抗匹配结构(C1),保证滤波器输入阻抗与端口阻抗相等,两通带内阻抗匹配良好,优化了该滤波器的性能。
由于S参数与奇模半电路阻抗Zodd(ω)和偶模半电路阻抗Zeven(ω)之间存在如下关系:
Z0为端口处的电阻;
因此,当奇偶模半电路阻抗满足:Zeven(ω)=Zodd(ω)时,S12(ω)=S21(ω)=0,即产生传输零点,具体如下:
当频率接近于0GHz时,Zeven(ω)=Zodd(ω)=∞,产生第一通带左侧的传输零点A0。
由Zeven(ω)=Zodd(ω)可得,当频率满足:fA1=4.21GHz时,产生两通带间传输零点A1。
由Zeven(ω)=Zodd(ω)可得,当频率满足:fA2=5.31GHz时,产生第二通带右侧传输零点A2。
第一通带左侧的传输零点A0至两通带间传输零点A1的部分即为滤波器的第一通带,两通带间传输零点A1至第二通带右侧传输零点A2之间部分即为滤波器的第二通带。一般地,当|S11|<-15dB时,视为通带内信号传输效果较好。在3.3GHz-3.6GHz的范围内,|S11|<-22dB。在4.8GHz-5.0GHz的范围内,|S11|<-15dB。因此,两个传输零点A0和A1控制第一通带的带宽工作频段覆盖3.3GHz-3.6GHz,两个传输零点A1和A2控制第二通带的带宽工作频段覆盖4.8GHz-5.0GHz。
当各频段的信号从输入端口输入时,低频处的信号经电容C1初步被滤除;由于第二并联电路(L1,C2)引入传输零点A2,第三并联电路(L2,C3)引入传输零点A0,当信号经过第二并联电路与第三并联电路时,低频信号与5.31GHz以上的高频信号将会被滤除。由于第一并联电路(L3,C4,C5)引入两通带间的传输零点A1,当信号经第一并联电路时,两通带间的信号将会被滤除;最后输出端口只能输出两通带内的信号,从而实现了本发明中双频带通滤波器芯片的功能。
具体过程如下:
首先,在两端口正中间放置第一并联电路,通过调节电感L3,电容C4及电容C5,控制两通带间传输零点A1;
计算公式如下:
其次,在第一并联电路两侧对称放置第二并联电路,并在对称的第二并联电路下串接第三并联电路;第二并联电路引入第二通带右侧传输零点A2,第三并联电路引入第一通带左侧传输零点A0。
由于传输零点A0接近于0GHz,第三并联电路中的元件值在一定范围内调节时,对其影响较小,不予分析。
对于传输零点A2,通过调节第二并联电路的电感L1和电容C2进行控制。计算公式如下:
最后,在输入输出端口处串接电容C1,构成阻抗匹配结构。
通过调节两端电容C1的值,可实现在两通带内滤波器的输入阻抗Zin等于端口电阻Z0,即Zin=Z0=50Ω,实现两通带内的阻抗匹配。
电路中的各集总元件参数值如表1所示:
表1
本实施例的理想仿真结果如图2所示,两通带均覆盖了所需的频段范围,且带内回波损耗均在-15dB以下,可见两通带内的阻抗匹配效果较好。两通带之间的空白频段实现了-40dB的抑制水平,保证两通带可独立工作,不受干扰。
该双频滤波器芯片的LTCC版图模型,如图3所示,体积大小为11.4mm*6mm*0.762mm。可以看出,该LTCC滤波器由介质壳体及置于壳体内的滤波元件组成。该滤波器芯片选用了介电常数为6.1,损耗因子为0.002的生瓷带作为LTCC基板,烧结后每层介质的厚度为94μm。该芯片所有导体均选用金属银,且金属厚度均为10μm。
在本发明的描述中,需要说明,术语“顶侧”、“底侧”、“前侧”、“后侧”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明。
各层结构分解示意图如图4所示,该双频滤波器芯片共9层,置于底侧的第一层设定为地面,为将信号引入到表层,便于探针测试,在大面积地面层上进行打孔。电容C1包括第二层、第三层、第四层、第五层、第六层、第七层、第八层共七层,各层之间的正对面积为1.33mm*1mm。电容C1前侧通过通孔将信号引至第一层的方片,作为输入输出端口,后侧通过传输线与电容C2连接。电容C2包括第二层与第三层,两层间正对面积为3.37mm*0.79mm,一端通过通孔连接电感L1,另一端连接电感L2与电容C3。电感L1通过传输线并接在电容C2的两端。电感L1仅包括第二层,导体线宽为0.25mm。电感L2一端连接电容C2,另一端通过通孔接地,电感L2仅包括第二层,导体线宽为0.25mm。电容C3包括第二层、第三层、第四层共三层,各层之间的正对面积为0.9mm*0.43mm,一端通过通孔及传输线连接电容C2,另一端通过通孔接地。电感L3处于对称中心的位置,仅包括第二层,两端分别以传输线连接电感L1,导体线宽为0.25mm。电容C4包括第二层、第三层、第四层、第五层、第六层、第七层共六层,各层之间的正对面积为0.926mm*0.66mm,一端连接电感L3,另一端以传输线及通孔连接电容C5。电容C5包括第二层与第三层,两层之间的正对面积为1.44mm*0.56mm,一端连接电容C4,另一端以通孔接地。
该滤波器芯片整体呈对称结构,第一层大面积地面与GSG(接地-信号-接地,ground-signal-ground)探针的两个接地端(G)探针相连接,作为短路接地端;第一层中与电容C1相连接的方片结构与信号端(S)探针连接,作为输入输出端。
该双频滤波器芯片的版图仿真结果如图5所示,由图可知,第一通带的范围是3.07GHz至3.64GHz,覆盖了所需的频段3.3GHz-3.6GHz,最大插入损耗为-1.39dB在3.64GHz处。在3.3GHz-3.6GHz内,回波损耗低于-19dB。第二通带的范围是4.69GHz至5.23GHz,覆盖了所需的频段4.8GHz-5.0GHz,最大插入损耗为-2.80dB在4.69GHz处。在4.8GHz-5.0GHz内,回波损耗低于-22.5dB。并且在两通带间4.29GHz与4.48GHz处引入两个传输零点,带外抑制基本低于-18dB,保证两通带可独立控制。由以上仿真结果可见,该双频滤波器芯片具有阻抗匹配功能良好,插入损耗低,抗干扰能力强等优异性能。
以上所述实施案例仅表达了本发明的详细实施方式,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当说明的是,对于此领域的技术人员,在不脱离本发明思想的前提下,可以做出相应的改进与优化,均都包含于本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种基于LTCC的双频带通滤波器芯片,其特征在于,左右对称结构,正中间是电感L3,并联于两个串联的电容C4两端,同时在两个串联电容C4中间连接接地的电容C5,组成了第一并联电路;
在第一并联电路两端分别对称依次串联电感L1和电容C1,同时左右两端电容C1分别连接输入输出端口;
电感L1两端同时并联电容C2组成第二并联电路,在第二并联电路下串接由电容C3和电感L2组成的第三并联电路,第三并联电路同时接地;
第一,第二和第三并联电路构成了滤波结构,两端电容C1构成了阻抗匹配结构;
所述第一并联电路中,通过调整各电感和电容的值,引入双频滤波器两通带间的传输零点A1及第一通带中第二个反射零点P1和第二通带中第一个反射零点P2;
所述第三并联电路中,通过调整电感电容的值,引入第一通带左侧的传输零点A0及第一通带中第一个反射零点P0;
所述第二并联电路中,通过调整电感电容的值,引入双频滤波器第二通带右侧的传输零点A2及第二通带中第二个反射零点P3;
第一通带左侧的传输零点A0至两通带间传输零点A1的部分即为滤波器的第一通带,两通带间传输零点A1至第二通带右侧传输零点A2之间部分即为滤波器的第二通带;
当各频段的信号从输入端口输入时,低频处的信号经电容C1初步被滤除;由于第二并联电路引入传输零点A2,第三并联电路引入传输零点A0,当信号经过第二并联电路与第三并联电路时,低频信号与5.31GHz以上的高频信号将会被滤除;由于第一并联电路引入两通带间的传输零点A1,当信号经第一并联电路时,两通带间的信号将会被滤除;最后输出端口只能输出两通带内的信号,从而实现了双频带通滤波器芯片的功能;
双频带通滤波器芯片具体构建过程如下:
首先,在两端口正中间放置第一并联电路,通过调节电感L3,电容C4及电容C5,控制两通带间传输零点A1;
计算公式如下:
其次,在第一并联电路两侧对称放置第二并联电路,并在对称的第二并联电路下接第三并联电路;第二并联电路引入第二通带右侧传输零点A2,第三并联电路引入第一通带左侧传输零点A0;
由于传输零点A0接近于0GHz,第三并联电路中的元件值在一定范围内调节时,对其影响较小;
对于传输零点A2,通过调节第二并联电路的电感L1和电容C2进行控制,计算公式如下:
最后,在输入输出端口处串接电容C1,构成阻抗匹配结构;
通过调节两端电容C1的值,实现在两通带内滤波器的输入阻抗Zin等于端口电阻Z0,即Zin=Z0=50Ω,实现两通带内的阻抗匹配。
2.如权利要求1所述的一种基于LTCC的双频带通滤波器芯片,其特征在于,所述第一通带内,控制带宽工作频段在3.3GHz-3.6GHz范围内时,通过计算S参数|S11|<-22dB,表明通带内回波损耗达到要求;
第二通带内控制带宽的工作频段在4.8GHz-5.0GHz范围内时,|S11|<-15dB,回波损耗达到要求。
3.如权利要求2所述的一种基于LTCC的双频带通滤波器芯片,其特征在于,所述S参数与奇模半电路阻抗Zodd(ω)和偶模半电路阻抗Zeven(ω)之间存在如下关系:
Z0为端口处的电阻;
因此,当奇偶模半电路阻抗满足:Zeven(ω)=Zodd(ω)时,S12(ω)=S21(ω)=0,即产生传输零点,具体如下:
当频率接近于0GHz时,Zeven(ω)=Zodd(ω)=∞,产生第一通带左侧的传输零点A0;
由Zeven(ω)=Zodd(ω)可得,当频率满足:fA1=4.21GHz时,产生两通带间传输零点A1;
由Zeven(ω)=Zodd(ω)可得,当频率满足:fA2=5.31GHz时,产生第二通带右侧传输零点A2。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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