CN112272014B - 一种混合介质频分器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种混合介质频分器。该频分器包括多层介质体、位于多层介质体内的多层电路层和位于多层介质体外的外电极;外电极包括公共端口、低频通道输出端口、高频通道输出端口和接地端口组;多层电路层包括低频通道滤波器和高频通道滤波器;低频通道滤波器分别与公共端口、低频通道输出端口和接地端口组连接;高频通道滤波器分别与公共端口、高频通道输出端口和接地端口组连接。本发明为了解决现有技术在狭小空间内集成多个电感和电容以实现双通道滤波器所引起的集总元件之间互耦造成滤波器电路的Q值降低,插损增大,并使通道之间的隔离度降低的问题,通过搭配多层介质体内多种介质材料,在小体积内实现了频分器低插损和高通道隔离度。
Description
技术领域
本发明涉及一种频分器,尤其涉及一种混合介质频分器。
背景技术
当前微波系统都向高集成度、高性能、小尺寸的趋势发展,一个系统中往往会集成两个或多个信道,而这些信道之间有些需要双向通讯。为了缩小系统体积和降低系统的总功耗,接收机和发射机通常共用一套天线和馈线系统。为了防止发射机发射的信号通过天馈系统直接耦合到接收机前端,致使接收机工作在深度饱和状态,进而影响整个系统的正常工作,需要在天线和收发前端之间加入一种由两个滤波器组成的三端口器件—频分器,其工作原理是通过提取公共端口上多个工作频段的信号,将它们按不同频率分别输出给相应频段的端口。频分器不仅要求各自频段内的信号能够低损耗通过,并且要求在相互通道之间实现较高的隔离度,从而降低接收信道和发射信道之间的互耦影响,改善系统性能。
传统的频分器结构多是基于LC低通滤波器和高通或带通滤波器电路设计实现。其中低通滤波器通道允许频率相对低的信号通过,并抑制频率相对高的信号,而高通或带通滤波器通道则允许频率相对高的信号通过,同时抑制频率相对低的信号。由于需要在单一器件中集成两个滤波器通道,且通道间需要实现较高隔离,因此传统的频分器体积往往较大。
近年来,微机电系统技术、高温超导技术、低温共烧陶瓷技术、光子带隙结构、微波单片集成电路等新型材料和工艺技术的涌现,推动了频分器、滤波器等射频被动元件从性能到体积的不断改善,个别元件已经可以做到常规的表贴阻容感体积大小。然而在如此紧凑的空间内集成多个电感和电容以实现双通道滤波器的功能,很容易引起集总元件之间的互耦,产生不必要的寄生参数,从而造成滤波器电路的Q值降低,插损增大,并使得低频通道和高频通道之间的隔离度降低。因此,需要一种体积小、插损低、隔离度高、工艺结构简单适合大批量生产的频分器及其设计方法,以满足日益发展的高集成无线通讯终端对频分器等射频元器件低成本、小体积和高性能的要求。
发明内容
针对现有技术中的上述不足,本发明提供了一种混合介质频分器。
为了达到上述发明目的,本发明采用的技术方案为:
一种混合介质频分器,包括多层介质体、位于多层介质体内部的多层电路层和位于多层介质体外壁的外电极;外电极包括公共端口、低频通道输出端口、高频通道输出端口和接地端口组;多层电路层包括由电路元件构成的低频通道滤波器和高频通道滤波器;低频通道滤波器分别与公共端口、低频通道输出端口和接地端口组连接;高频通道滤波器分别与公共端口、高频通道输出端口和接地端口组连接。
本发明具有以下有益效果:通过在不同的电路层区域分别使用对应的介质体材料,可在极小的封装体积内实现频分器的双通道功能的同时还能利用不同介质体材料的特性最大限度的减少集总元件之间的互耦,降低寄生参数的影响,较现有技术而言具有小型化、低插损、高隔离、低成本、高稳定性和高可靠性等优点。
优选地,低频通道滤波器包括位于多层电路层中第一电路层的第二电极板、位于第二电路层的第四电极板、位于第三电路层的第六电极板、位于第四电路层的第九电极板、位于第五电路层的第十二电极板、位于第八电路层的第十九电极板、位于第九电路层的第二十二电极板、位于第十电路层的第二十五电极板和位于第十一电路层的第二十六电极板。
优选地,低频通道滤波器包括由第二电极板、第四电极板和第六电极板依次经由第二过孔和第五过孔连接构成的第一等效电感、由第九电极板和第十二电极板经由第八过孔连接构成的第二等效电感、由第二十五电极板和第二十六电极板通过层间耦合构成的第一等效电容和由第十九电极板和第二十二电极板通过层间耦合构成的第二等效电容。
优选地,低频通道滤波器中:
第一等效电感的一端经由第三过孔与公共端口连接,另一端经由第七过孔与第二等效电感的一端连接,第二等效电感的另一端与低频通道输出端口连接;
第一等效电容的一端经由第十一过孔与第一等效电感和第二等效电感的公共连接处连接,另一端耦合到地;
第二等效电容的一端经由第十一过孔与第一等效电感和第二等效电感的公共连接处连接,另一端与低频通道输出端口连接。
优选地,高频通道滤波器包括位于多层电路层中第一电路层的第一电极板、位于第二电路层的第三电极板、位于第三电路层的第五电极板、位于第四电路层的第七电极板和第八电极板、位于第五电路层的第十电极板和第十一电极板、位于第六电路层的第十三电极板和第十四电极板、位于第七电路层的第十五电极板和第十六电极板、位于第八电路层的第十七电极板和第十八电极板、位于第九电路层的第二十电极板和第二十一电极板、位于第十电路层的第二十三电极板和第二十四电极板,以及位于第十一电路层的第二十六电极板。
优选地,高频通道滤波器包括由第十六电极板、第十八电极板、第二十一电极板和第二十四电极板依次经由第十三过孔、第十五过孔和第十七过孔连接构成的第三等效电感、由第一电极板、第三电极板和第五电极板依次经由第一过孔和第四过孔连接构成的第四等效电感、由第十七电极板和二十电极板经由第十四过孔连接构成的第五等效电感、由第十四电极板和第十五电极板通过层间耦合构成的第三等效电容、由第十一电极板和第十四电极板通过层间耦合构成的第四等效电容、由第八电极板和第十一电极板通过层间耦合构成的第五等效电容、由第二十三电极板和第二十六电极板通过层间耦合构成的第六等效电容、由第七电极板和第十电极板通过层间耦合构成的第七等效电容和由第十电极板和第十三电极板通过层间耦合构成的第八等效电容。
优选地,高频通道滤波器中:
第四等效电容的一端与公共端口连接,另一端与第五等效电容的一端连接,第五等效电容的另一端经由第九过孔与第三等效电容的一端连接,第三等效电容的另一端与公共端口连接;
第六等效电容的一端经由第九过孔与第三等效电容和第五等效电容的公共连接处连接,另一端耦合到地;
第七等效电容的一端经由第九过孔与第三等效电容、第五等效电容以及第六等效电容的公共连接处连接,另一端与高频通道输出端口连接;
第八等效电容的一端与高频通道输出端口连接,另一端与第五等效电感的一端连接,第五等效电感的另一端经由第十六过孔接地;
第三等效电感的一端与第四等效电容和第五等效电容的公共连接处连接,另一端经由第十八过孔接地;
第四等效电感的一端经由第六过孔与第五等效电容和第七等效电容的公共连接处连接,另一端与高频通道输出端口连接。
优选地,第十四电极板的一端通过微带线与公共端口连接;第一电极板的一端和第十电极板的一端分别通过微带线与所述高频通道输出端口连接;第九电极板的一端和第二十二电极板的一端分别通过微带线与低频通道输出端口连接;第二十六电极板通过三段微带线分别与第一接地端口、第二接地端口和第三接地端口连接。
上述优选方案的有益效果是:频分器中的等效电容采用了垂直耦合的方式,可在叫小体积内实现较大容积,对等效电容的两个垂直耦合平板采用了“大包小”的形式,提高了加工工艺的容差程度。独特的电路设计利用了合理的拓扑结构尽量阻隔了不同层电路元件的耦合,在较小的体积内实现最大仅为0.6dB的插损,有效改善了滤波器电路的品质因数,实现了两个滤波器在其工作频段高达30dB的相互抑制,有效降低了通道间的互扰。
优选地,多层介质体包括第一介质体、第二介质体和第三介质体;
第一介质体的介电常数为6.5,介电损耗正切角为0.004,该介质体内含第一电路层、第二电路层和第三电路层;
第二介质体的介电常数为32,介电损耗正切角为0.006,该介质体内含过孔区域;
第三介质体的介电常数为9.6,介电损耗正切角为0.005,该介质体内含第四电路层、第五电路层、第六电路层、第七电路层、第八电路层、第九电路层、第十电路层和第十一电路层。
该优选方案具有以下有益效果:在电路层区域分别使用介电常数较低的介质体材料,可最大限度降低集总元件电路产生的寄生参数影响,在电路层之间的过孔区域使用介电常数较高的介质体材料,进一步缩小了频分器的物理尺寸,且由于过孔区域没有电路图形,其高介电常数所带来的寄生效应可忽略不计。
优选地,多层介质体采用多层印制电路板工艺或低温共烧陶瓷技术制作;多层电路层采用铜或钯银作为内埋金属材料。
该优选方案具有以下有益效果:基于低温共烧陶瓷的多层互联技术,使频分器结构紧凑,可重复性好;铜和钯银具有高电导率的特点,在烧结过程中不会氧化,可以无需电镀保护,有利于提高电路系统的品质因数。
附图说明
图1是本发明实施例的外形结构示意图;
图2是本发明实施例的内部结构示意图;
附图标记说明:D1第一介质体,D2第二介质体,D3第三介质体,P1第一电极板,P2第二电极板,P3第三电极板,P4第四电极板,P5第五电极板,P6第六电极板,P7第七电极板,P8第八电极板,P9第九电极板,P10第十电极板,P11第十一电极板,P12第十二电极板,P13第十三电极板,P14第十四电极板,P15第十五电极板,P16第十六电极板,P17第十七电极板,P18第十八电极板,P19第十九电极板,P20第二十电极板,P21第二十一电极板,P22第二十二电极板,P23第二十三电极板,P24第二十四电极板,P25第二十五电极板,P26第二十六电极板,H1第一过孔,H2第二过孔,H3第三过孔,H4第四过孔,H5第五过孔,H6第六过孔,H7第七过孔,H8第八过孔,H9第九过孔,H10第十过孔,H11第十一过孔,H12第十二过孔,H13第十三过孔,H14第十四过孔,H15第十五过孔,H16第十六过孔,H17第十七过孔,H18第十八过孔;
图3是本发明实施例的等效电路结构示意图;
附图标记说明:C1第一等效电容,C2第二等效电容,C3第三等效电容,C4第四等效电容,C5第五等效电容,C6第六等效电容,C7第七等效电容,C8第八等效电容,L1第一等效电感,L2第二等效电感,L3第三等效电感,L4第四等效电感,L5第五等效电感;
图4是本发明实施例的第一层电路示意图;
图5是本发明实施例的第二层电路示意图;
图6是本发明实施例的第三层电路示意图;
图7是本发明实施例的第四层电路示意图;
图8是本发明实施例的第五层电路示意图;
图9是本发明实施例的第六层电路示意图;
图10是本发明实施例的第七层电路示意图;
图11是本发明实施例的第八层电路示意图;
图12是本发明实施例的第九层电路示意图;
图13是本发明实施例的第十层电路示意图;
图14是本发明实施例的第十一层电路示意图;
图15是本发明实施例的频分器的衰减相应曲线图;
图16是本发明实施例的频分器的回波损耗相应曲线图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请参照图1,本发明提供了一种混合介质频分器,包括多层介质体、位于多层介质体内部的多层电路层和位于多层介质体外壁的外电极;外电极包括公共端口、低频通道输出端口、高频通道输出端口和接地端口组;多层电路层包括由电路元件构成的低频通道滤波器和高频通道滤波器;低频通道滤波器分别与公共端口、低频通道输出端口和接地端口组连接;高频通道滤波器分别与公共端口、高频通道输出端口和接地端口组连接。
在多层介质体顶部可设置标识符号用于辨识各端口的位置,不同频段的信号从公共通道进入,高通滤波器起到了通过频率相对高的信号,抑制频率相对低的信号的作用,低通滤波器起到了通过频率相对低的信号,一直频率相对高的信号的作用。同时多层介质体的独特设计起到了减小集总元件之间的互耦,降低寄生参数影响的作用。
请参照图2,本发明实施例中,低频通道滤波器包括位于多层电路层中第一电路层的第二电极板P2、位于第二电路层的第四电极板P4、位于第三电路层的第六电极板P6、位于第四电路层的第九电极板P9、位于第五电路层的第十二电极板P12、位于第八电路层的第十九电极板P19、位于第九电路层的第二十二电极板P22、位于第十电路层的第二十五电极板P25和位于第十一电路层的第二十六电极板P26。
请参照图3,本发明实施例中低频通道滤波器包括由第二电极板P2、第四电极板P4和第六电极板P6依次经由第二过孔H2和第五过孔H5连接构成的第一等效电感L1、由第九电极板P9和第十二电极板P12经由第八过孔H8连接构成的第二等效电感L2、由第二十五电极板P25和第二十六电极板P26通过层间耦合构成的第一等效电容C1和由第十九电极板P19和第二十二电极板P22通过层间耦合构成的第二等效电容C2。
请参照图4至图14,本发明实施例中的低频通道滤波器中:
第一等效电感L1的一端经由第三过孔H3与公共端口连接,另一端经由第七过孔与第二等效电感L2的一端连接,第二等效电感L2的另一端与低频通道输出端口连接;
第一等效电容C1的一端经由第十一过孔H11与第一等效电感L1和第二等效电感L2的公共连接处连接,另一端耦合到地;
第二等效电容C2的一端经由第十一过孔H11与第一等效电感L1和第二等效电感L2的公共连接处连接,另一端与低频通道输出端口连接。
请参照图2,本发明实施例中,高频通道滤波器包括位于多层电路层中第一电路层的第一电极板P1、位于第二电路层的第三电极板P3、位于第三电路层的第五电极板P5、位于第四电路层的第七电极板P7和第八电极板P8、位于第五电路层的第十电极板P10和第十一电极板P11、位于第六电路层的第十三电极板P13和第十四电极板P14、位于第七电路层的第十五电极板P15和第十六电极板P16、位于第八电路层的第十七电极板P17和第十八电极板P18、位于第九电路层的第二十电极板P20和第二十一电极板P21、位于第十电路层的第二十三电极板P23和第二十四电极板P24,以及位于第十一电路层的第二十六电极板P26。
请参照图3,本发明实施例中,高频通道滤波器包括由第十六电极板P16、第十八电极板P18、第二十一电极板P21和第二十四电极板P24依次经由第十三过孔H13、第十五过孔H15和第十七过孔H17连接构成的第三等效电感L3、由第一电极板P1、第三电极板P3和第五电极板P5依次经由第一过孔H1和第四过孔H4连接构成的第四等效电感L4、由第十七电极板P17和二十电极板P20经由第十四过孔H14连接构成的第五等效电感L5、由第十四电极板P15和第十五电极板P15通过层间耦合构成的第三等效电容C3、由第十一电极板P11和第十四电极板P14通过层间耦合构成的第四等效电容C4、由第八电极板P8和第十一电极板P11通过层间耦合构成的第五等效电容C5、由第二十三电极板P23和第二十六电极板P26通过层间耦合构成的第六等效电容C6、由第七电极板P7和第十电极板P10通过层间耦合构成的第七等效电容C7和由第十电极板P10和第十三电极板P13通过层间耦合构成的第八等效电容C8。
请参照图4至图14,本发明实施例的高频通道滤波器中:
第四等效电容C4的一端与公共端口连接,另一端与第五等效电容C5的一端连接,第五等效电容C5的另一端经由第九过孔H9与第三等效电容C3的一端连接,第三等效电容C3的另一端与公共端口连接;
第六等效电容C6的一端经由第九过孔H9与第三等效电容C3和第五等效电容C5的公共连接处连接,另一端耦合到地;
第七等效电容C7的一端经由第九过孔H9与第三等效电容C3、第五等效电容C5以及第六等效电容C6的公共连接处连接,另一端与高频通道输出端口连接;
第八等效电容C8的一端与高频通道输出端口连接,另一端与第五等效电感L5的一端连接,第五等效电感L5的另一端经由第十六过孔H16接地;
第三等效电感L3的一端与第四等效电容C4和第五等效电容C5的公共连接处连接,另一端经由第十八过孔H18接地;
第四等效电感L4的一端经由第六过孔H6与第五等效电容C5和第七等效电容C7的公共连接处连接,另一端与高频通道输出端口连接。
可对敏感层电路元件采用蒙特卡洛模拟分析以确保其工艺偏差对整个频分器电性能的影响在可接受范围内,由此提高频分器在量产阶段的工艺稳定性和一致性。
本发明实施例中,第十四电极板P14的一端通过微带线与公共端口连接;第一电极板P1的一端和第十电极板P10的一端分别通过微带线与所述高频通道输出端口连接;第九电极板P9的一端和第二十二电极板P22的一端分别通过微带线与低频通道输出端口连接;第二十六电极板P26通过三段微带线分别与第一接地端口、第二接地端口和第三接地端口连接,确保了良好的接地效果。
本发明实施例中,多层介质体包括第一介质体D1、第二介质体D2和第三介质体D3;
第一介质体D1的介电常数为6.5,介电损耗正切角为0.004,该介质体内含第一电路层、第二电路层和第三电路层;
第三介质体D3的介电常数为9.6,介电损耗正切角为0.005,该介质体内含第四电路层、第五电路层、第六电路层、第七电路层、第八电路层、第九电路层、第十电路层和第十一电路层;
第二介质体D2的介电常数为32,介电损耗正切角为0.006,该介质体内含过孔区域。
频分器电路所使用的介质体材料的介电常数可以在很大范围内变动,等效元件的物理尺寸与材料的介电常数的平方根成反比,即介电常数越大,所需的元件尺寸越小,但同时带来的寄生参数影响也越大。为同时满足低插损、高隔离和小体积的需求,可以在不同的电路层区域分别使用不同的介质体材料。
第一介质体D1为第一电路层、第二电路层和第三电路层所在的区域,该区域为电感层,其螺旋微带线的寄生参数对电路品质因数的影响较大,因此该区域介质体材料选用较低的介电常数来最大限度降低电路图形引入的寄生参数。所以在本实施例中采用了介电常数为6.5,介电损耗正切角为0.004的介质体来作为第一介质体D1。
第二介质体D2内仅包括过孔区域,用于连接第一介质体中的电路层和第三介质体中的电路层。由于第二介质体D2中不包括电路层图形,其寄生参数的引入可忽略不计,因此选用介电常数较高的介质体材料来压缩过孔区域的纵向空间,进一步缩减频分器占用的体积。因此在本实施例中采用了介电常数为32,介电损耗正切角为0.006的介质体来作为第二介质体D2。
第三介质体D3为第四电路层,第五电路层,第六电路层,第七电路层,第八电路层,第九电路层,第十电路层和第十一电路层所在的区域,由于该区域电路层较多,所包括的集总元件数目也较多,需要综合考虑材料的介电常数对元件物理尺寸和电路品质因数的影响。因此在本实施例中折中采用了介电常数为9.6,介电损耗正切角为0.005的介质体来作为第三介质体D3。
多层介质体的规格一般为1.6mm×0.8mm×0.6mm,在890℃±20℃的温度下烧结成型,其每层之间的厚度如下:
第一电路层到频分器顶层的厚度为80um;
第二电路层到第一电路层的厚度为20um;
第三电路层到第二电路层的厚度为20um;
第四电路层到第三电路层的厚度为20um;
第五电路层到第四电路层的厚度为220um;
第六电路层到第五电路层的厚度为20um;
第七电路层到第六电路层的厚度为20um;
第八电路层到第七电路层的厚度为20um;
第九电路层到第八电路层的厚度为20um;
第十电路层到第九电路层的厚度为20um;
第十一电路层到第十电路层的厚度为20um;
频分器底层到第十一电路层的厚度为80um;
本发明实施例中,多层介质体采用多层印制电路板工艺或低温共烧陶瓷技术制作;该技术实现了在三维电路基板上各种等效元件的集成,实现了电路的小型化和高密度化;多层电路层采用铜或钯银作为内埋金属材料,铜或者钯银为高电导率的金属材料,有利于提高电路系统的品质因数,例如采用钯银作为内埋金属材料时,在烧结过程中不会氧化,可以无需电镀保护。
接下来对本发明一种混合介质频分器实施例的传输特性和通道间相互隔离度进行了检测,检测结果如下:
请参照图15,图15为本发明实施例的衰减响应曲线,从图中我们可以看出其低频通道滤波器在1710~2690MHz的工作频段插损仅为0.58dB,同时在5150~5950MHz的高频通道工作频段可实现高达30dB以上的带外抑制。高频通道滤波器在5150~5950MHz的工作频段插损仅为0.6dB,同时在1710~2690MHz的低频通道工作频段可实现高达40dB以上的带外抑制。因此本发明实施例具有良好的传输特性。
请参照图16,图16为本发明实施例的回波损耗响应曲线,从图中我们可以看出本发明实施例中高频通道和低频通道的回波损耗均在18dB以上,因此本发明具有较高的通道间相互隔离度。
综上,本发明提供了一种基于多层互连技术的混合介质频分器。具有Q值高、体积小、插损低、隔离度高等优异性能。同时,在确保其电性能不受影响的前提下,最大限度提高了加工工艺的容差程度,实现了较高的工艺稳定性和一致性,且易于与其他电路模块进行集成,在新一代无线通讯领域具有广阔的应用前景。
本领域的普通技术人员将会意识到,这里的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理,应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合,这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。
Claims (3)
1.一种混合介质频分器,其特征在于:包括多层介质体、位于所述多层介质体内部的多层电路层和位于所述多层介质体外壁的外电极;所述外电极包括公共端口、低频通道输出端口、高频通道输出端口和接地端口组;所述多层电路层包括由电路元件构成的低频通道滤波器和高频通道滤波器;所述低频通道滤波器分别与所述公共端口、所述低频通道输出端口和所述接地端口组连接;所述高频通道滤波器分别与所述公共端口、所述高频通道输出端口和所述接地端口组连接;
所述低频通道滤波器包括位于所述多层电路层中第一电路层的第二电极板P2、位于第二电路层的第四电极板P4、位于第三电路层的第六电极板P6、位于第四电路层的第九电极板P9、位于第五电路层的第十二电极板P12、位于第八电路层的第十九电极板P19、位于第九电路层的第二十二电极板P22、位于第十电路层的第二十五电极板P25和位于第十一电路层的第二十六电极板P26;
所述低频通道滤波器包括由所述第二电极板P2、所述第四电极板P4和所述第六电极板P6依次经由第二过孔H2和第五过孔H5连接构成的第一等效电感L1、由所述第九电极板P9和所述第十二电极板P12经由第八过孔H8连接构成的第二等效电感L2、由所述第二十五电极板P25和所述第二十六电极板P26通过层间耦合构成的第一等效电容C1和由所述第十九电极板P19和所述第二十二电极板P22通过层间耦合构成的第二等效电容C2;
所述低频通道滤波器中:
所述第一等效电感L1的一端经由第三过孔H3与所述公共端口连接,另一端经由第七过孔与所述第二等效电感L2的一端连接,第二等效电感L2的另一端与所述低频通道输出端口连接;
所述第一等效电容C1的一端经由第十一过孔H11与所述第一等效电感L1和所述第二等效电感L2的公共连接处连接,另一端耦合到地;
所述第二等效电容C2的一端经由所述第十一过孔H11与所述第一等效电感L1和所述第二等效电感L2的公共连接处连接,另一端与所述低频通道输出端口连接;
所述高频通道滤波器包括位于所述多层电路层中第一电路层的第一电极板P1、位于第二电路层的第三电极板P3、位于第三电路层的第五电极板P5、位于第四电路层的第七电极板P7和第八电极板P8、位于第五电路层的第十电极板P10和第十一电极板P11、位于第六电路层的第十三电极板P13和第十四电极板P14、位于第七电路层的第十五电极板P15和第十六电极板P16、位于第八电路层的第十七电极板P17和第十八电极板P18、位于第九电路层的第二十电极板P20和第二十一电极板P21、位于第十电路层的第二十三电极板P23和第二十四电极板P24,以及位于第十一电路层的第二十六电极板P26;
所述高频通道滤波器包括由所述第十六电极板P16、所述第十八电极板P18、所述第二十一电极板P21和所述第二十四电极板P24依次经由第十三过孔H13、第十五过孔H15和第十七过孔H17连接构成的第三等效电感L3、由所述第一电极板P1、所述第三电极板P3和所述第五电极板P5依次经由第一过孔H1和第四过孔H4连接构成的第四等效电感L4、由所述第十七电极板P17和所述二十电极板P20经由第十四过孔H14连接构成的第五等效电感L5、由所述第十四电极板P15和所述第十五电极板P15通过层间耦合构成的第三等效电容C3、由所述第十一电极板P11和所述第十四电极板P14通过层间耦合构成的第四等效电容C4、由所述第八电极板P8和所述第十一电极板P11通过层间耦合构成的第五等效电容C5、由所述第二十三电极板P23和所述第二十六电极板P26通过层间耦合构成的第六等效电容C6、由所述第七电极板P7和所述第十电极板P10通过层间耦合构成的第七等效电容C7和由所述第十电极板P10和所述第十三电极板P13通过层间耦合构成的第八等效电容C8;
所述高频通道滤波器中:
所述第四等效电容的一端与所述公共端口连接,另一端与所述第五等效电容C5的一端连接,所述第五等效电容C5的另一端经由第九过孔H9与所述第三等效电容C3的一端连接,所述第三等效电容C3的另一端与所述公共端口连接;
所述第六等效电容C6的一端经由所述第九过孔H9与所述第三等效电容C3和所述第五等效电容C5的公共连接处连接,另一端耦合到地;
所述第七等效电容C7的一端经由所述第九过孔H9与所述第三等效电容C3、所述第五等效电容C5以及所述第六等效电容C6的公共连接处连接,另一端与所述高频通道输出端口连接;
所述第八等效电容C8的一端与所述高频通道输出端口连接,另一端与所述第五等效电感L5的一端连接,所述第五等效电感L5的另一端经由第十六过孔H16接地;
所述第三等效电感L3的一端与所述第四等效电容和所述第五等效电容C5的公共连接处连接,另一端经由第十八过孔H18接地;
所述第四等效电感L4的一端经由第六过孔H6与所述第五等效电容C5和所述第七等效电容C7的公共连接处连接,另一端与所述高频通道输出端口连接;
所述接地端口组包括第一接地端口,第二接地端口和第三接地端口;所述第十四电极板P14的一端通过微带线与所述公共端口连接;所述第一电极板P1的一端和所述第十电极板P10的一端分别通过微带线与所述高频通道输出端口连接;所述第九电极板P9的一端和所述第二十二电极板P22的一端分别通过微带线与所述低频通道输出端口连接;所述第二十六电极板P26通过三段微带线分别与所述第一接地端口、所述第二接地端口和所述第三接地端口连接。
2.如权利要求1所述的一种混合介质频分器,其特征在于:所述多层介质体包括第一介质体D1、第二介质体D2和第三介质体D3;
所述第一介质体D1的介电常数为6.5,介电损耗正切角为0.004,该介质体内含所述第一电路层、所述第二电路层和所述第三电路层;
所述第二介质体D2的介电常数为32,介电损耗正切角为0.006,该介质体内含过孔区域;
所述第三介质体D3的介电常数为9.6,介电损耗正切角为0.005,该介质体内含所述第四电路层、所述第五电路层、所述第六电路层、所述第七电路层、所述第八电路层、所述第九电路层、所述第十电路层和所述第十一电路层。
3.如权利要求1所述的一种混合介质频分器,其特征在于:所述多层介质体采用多层印制电路板工艺或低温共烧陶瓷技术制作;所述多层电路层采用铜或钯银作为内埋金属材料。
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