CN110474618B - 基于ltcc工艺的超小型高q值带通滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器，其采用低温共烧陶瓷工艺，将构成滤波器的四个谐振单元和三个等效电容分别内置于陶瓷体内的8个导体层，具有高Q值、宽阻带的微波特性，整个滤波器体积仅为1.6mm×0.8mm×0.65mm，适用于对体积要求非常严苛的小型化无线通讯设备。通过合理选取滤波器谐振单元的等效元件值并优化其等效元件在垂直空间的耦合关系，可在靠近通带的两端引入传输零点以实现较高的矩形系数，同时在较宽的阻带范围达到良好的抑制效果。

Description

基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器

技术领域

本发明涉及一种带通滤波器，更为具体地，本发明涉及一种基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器。

背景技术

随着通讯技术的迅猛发展，小体积、高性能、低成本已成为现代无线通讯设备发展的必然趋势。滤波器作为射频、微波系统中的关键器件，其性能优劣直接影响系统指标。滤波器品质因数采用滤波器的中心频率F与-3dB带宽B的比值来表达，即Q＝F/B，描述了滤波器分离信号中相邻频率成分的能力。品质因数Q越大，表明滤波器的分辨能力越高。现有技术中提高滤波器品质因数的方法主要包括通过多径效应产生零点、利用阶跃阻抗谐振结构扩展阻带、利用四分之一波长传输的倒置性产生零点以及利用混合耦合结构产生零点等方式。然而采用这些方法实现的滤波器存在的普遍问题是结构复杂，或者体积较大，并且不便于与其他紧凑型的移动通讯终端进行集成。因此如何在尽可能小的体积内实现滤波器的高Q值、宽阻带和高抑制特性是当前的研究热点和难点。

而低温共烧陶瓷技术，即LTCC工艺是近年来飞速发展的无源集成技术，其通过多层布局和过孔连接的方式，可将滤波器的等效电路内埋于陶瓷体内部。其相对于其他传统的滤波器形式，具有以下优点：良好的兼容性及高频传输特性、可实现多层布线和各种空腔结构、较高的集成度和组装密度、较小的体积重量和较高的可靠性、较低的成本和较短的生产周期。

发明内容

针对现有技术中的不足，本发明的目的在于提供一种基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器，其能够解决现有移动终端系统对小体积、低成本、高性能滤波器的迫切需求，在超小体积内利用谐振单元的电磁耦合实现带通滤波器的宽阻带、高抑制和高Q值。

本发明的滤波器采用LTCC多层布局结构，利用不同电路层之间谐振单元的垂直耦合，在通带附近产生多个传输零点，从而实现了较高的品质因数、较宽的阻带范围和较高的带外抑制。同时，该滤波器结构非常紧凑，实现了同频段下业界最小的体积。

本发明的一种超小体积的带通滤波器，采用低温共烧陶瓷工艺(LTCC)，将构成滤波器的四个谐振单元和三个等效电容分别内置于陶瓷体内的8个导体层，具有高Q值、宽阻带的微波特性，整个滤波器体积仅为1.6mm×0.8mm×0.65mm，适用于对体积要求非常严苛的小型化无线通讯设备。通过合理选取滤波器谐振单元的等效元件值并优化其等效元件在垂直空间的耦合关系，可在靠近通带的两端引入传输零点以实现较高的矩形系数，同时在较宽的阻带范围达到良好的抑制效果。本发明所述带通滤波器性能优良，通带范围从1805MHz至2025MHz，带内插入损耗小于1.5dB。低频阻带范围从DC至1.5GHz，抑制程度达到26dB以上，高频阻带范围从2.4GHz高至9GHz，抑制程度达到27dB以上。本发明具有相同工作频段下业界最小的体积结构，微波特性稳定优良，采用标准贴片封装形式，方便集成于各类通讯系统。

本发明的技术方案如下：

一种基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器，所述带通滤波器包括LTCC陶瓷体、外电极和陶瓷体内的电路层；其中外电极共有三个，分别为输入端P1、输出端P2和接地端P3，这三个外电极对称置于陶瓷体底部，并通过过孔与陶瓷体内部的线路电连接。

优选地，所述带通滤波器内置于陶瓷体内的八个电路层，这些电路层自下而上的结构如下：

第一电路层包含两块金属片，分别为第一电容片和第二电容片；其中第一电容片通过第一过孔与输入端外电极P1电连接，第二电容片通过第二过孔与输出端外电极P2电连接；

第二电路层为一块大面积金属地，即第三电容片，该电容片通过第三过孔和第四过孔与外电极P3电连接，实现接地。第三电容片与第一电路层中的第一电容片和第二电容片通过垂直耦合，分别构成等效电容C1A和C1B；

第三电路层包含两块金属片，分别为第四电容片和第五电容片；

第四电路层包含四块金属片，分别为第六电容片、第七电容片、第八电容片和第九电容片；其中第六电容片和第七电容片分别通过第五过孔和第六过孔与第二电路层的第三电容片连接，他们与第三电路层的第四电容片和第五电容片垂直耦合，分别构成等效电容C2A和C2B；第八电容片和第九电容片分别通过第一过孔和第二过孔与输入端P1和输出端P2相连接，他们与第三电路层的第四电容片和第五电容片垂直耦合，分别构成等效电容C3A和C3B；

第五电路层包含两块相连的金属片，分别为第十电容片和第十一电容片；他们与第四电路层的第八电容片和第九电容片垂直耦合，共同构成等效电容C4；

第六电路层包含四段微带线，分别为第一微带线、第二微带线、第三微带线和第四微带线；其中第一微带线的一端通过第五过孔与第四电路层的第六电容片连接，同时与第二电路层的第三电容片连接；第二微带线的一端通过第六过孔与第四电路层的第七电容片连接，同时与第二电路层的第三电容片连接。第三微带线的一端通过第一过孔与第四电路层的第八电容片和输入端P1相连，第四微带线的一端通过第二过孔与第四电路层的第九电容片和输出端P2相连；

第七电路层包含两段微带线，分别为第五微带线和第六微带线；

第八电路层包含六段微带线，分别为第七微带线、第八微带线、第九微带线、第十微带线、第十一微带线和第十二微带线；其中第七微带线的一端通过第七过孔与第二电路层的大面积金属地相连，另一端通过第八过孔与第五微带线的一端相连；第八微带线的一端通过第九过孔与第二电路层的大面积金属地相连，另一端通过第十过孔与第六微带线的一端相连；

第九微带线的一端通过第十一过孔与第三电路层的第四电容片相连，另一端通过第十二过孔与第六电路层中第一微带线的另一端相连；第十微带线的一端通过第十三过孔与第三电路层的第五电容片相连，另一端通过第十四过孔与第六电路层中第二微带线的另一端相连；第十一微带线的一端通过第十五过孔与第七层中第五微带线的另一端相连，第十一微带线的另一端通过第十六过孔与第六层中第三微带线的另一端相连；第十二微带线的一端通过第十七过孔与第七层中第六微带线的另一端相连，第十二微带线的另一端通过第十八过孔与第六层中第四微带线的另一端相连；

第六至第八电路层中的微带线首尾依次通过金属过孔连接在一起，分别等效为四个电感。其中第三微带线、第五微带线、第七微带线、第十一微带线、第一过孔、第七过孔、第八过孔、第十五过孔以及第十六过孔共同构成等效电感L1A，第四微带线、第六微带线、第八微带线、第十二微带线、第二过孔、第九过孔、第十过孔、第十七过孔以及第十八过孔共同构成等效电感L1B，第一微带线、第九微带线、第五过孔、第十一过孔以及第十二过孔共同构成等效电感L2A，第二微带线、第十微带线、第六过孔、第十三过孔以及第十四过孔共同构成等效电感L2B；

等效电容C1A和等效电感L1A构成谐振单元U1A，等效电容C1B和等效电感L1B构成谐振单元U1B，等效电容C2A和等效电感L2A构成谐振单元U2A，等效电容C2B和等效电感L2B构成谐振单元U2B；这四个谐振单元和等效电容C3A、C3B以及C4共同组成了整个带通滤波器的拓扑结构。

本发明采用的技术方案进一步还包括：

所述整个滤波器的尺寸为1.6mm×0.8mm×0.65mm。

优选地，所述陶瓷材料的相对介电常数为35，电介质损耗角为0.002。

优选地，所述滤波器工作在LTE的B34和B39频段，其通带频率为1805～2025MHz，通带内损耗低于1.5dB；从DC到1.5GHz的阻带抑制均大于28dB，从2.4GHz到9GHz的阻带抑制均大于27dB。

本发明的有益效果是：

本发明采用低温共烧陶瓷技术(LTCC)，将滤波器集成在陶瓷体内部的多个电路层上，不同层之间的谐振电路采用垂直耦合或过孔直连的方式进行关联，在通带附近产生多个传输零点，实现了小体积、高Q值、宽阻带的优良特性。本发明带通滤波器工作在LTE的B34和B39频段，其通带频率为1805MHz～2025MHz，通带内损耗低于1.5dB。从DC到1.5GHz的阻带抑制均大于28dB，从2.4GHz到9GHz的阻带抑制均大于27dB。

附图说明

下面将结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。

图1是根据本发明实施例的基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器的整体结构示意图；

图2是根据本发明实施例的基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器的底部电极示意图；

图3是根据本发明实施例的基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器的内部第一层电路示意图；

图4是根据本发明实施例的基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器的内部第二层电路示意图；

图5是根据本发明实施例的基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器的内部第三层电路示意图；

图6是根据本发明实施例的基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器的内部第四层电路示意图；

图7是根据本发明实施例的基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器的内部第五层电路示意图；

图8是根据本发明实施例的基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器的内部第六层电路示意图；

图9是根据本发明实施例的基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器的内部第七层电路示意图；

图10是根据本发明实施例的基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器的内部第八层电路示意图；

图11是根据本发明实施例的基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器的等效原理图；以及

图12是根据本发明实施例的基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器的电性能曲线图。

具体实施方式

以下将参照附图更详细地描述本公开的优选实施方式，其他凡其原理和基本结构与本实施例相同或近似的，均在本发明保护范围之内。

一种基于LTCC工艺的超小型高Q值带通滤波器，其包括LTCC陶瓷体、外电极和陶瓷体内的电路层。其中外电极共有三个，分别为输入端P1、输出端P2和接地端P3，这三个外电极对称置于陶瓷体底部，并通过过孔与陶瓷体内部的线路电连接。

构成带通滤波器的等效电路内置于陶瓷体内的多个电路层，这些电路层自下而上的结构如下：

第一电路层包含两块金属片，分别为第一电容片和第二电容片。其中第一电容片通过第一过孔与输入端外电极P1电连接，第二电容片通过第二过孔与输出端外电极P2电连接；

第二电路层为一块大面积金属地，即第三电容片，该电容片通过第三过孔和第四过孔与外电极P3电连接，实现接地。第三电容片与第一电路层中的第一电容片和第二电容片通过垂直耦合，分别构成等效电容C1A和C1B；

第三电路层包含两块金属片，分别为第四电容片和第五电容片；

第四电路层包含四块金属片，分别为第六电容片、第七电容片、第八电容片和第九电容片。其中第六电容片和第七电容片分别通过第五过孔和第六过孔与第二电路层的第三电容片连接，他们与第三电路层的第四电容片和第五电容片垂直耦合，分别构成等效电容C2A和C2B。第八电容片和第九电容片分别通过第一过孔和第二过孔与输入端P1和输出端P2相连接，他们与第三电路层的第四电容片和第五电容片垂直耦合，分别构成等效电容C3A和C3B；

第五电路层包含两块相连的金属片，分别为第十电容片和第十一电容片。他们与第四电路层的第八电容片和第九电容片垂直耦合，共同构成等效电容C4；

第六电路层包含四段微带线，分别为第一微带线、第二微带线、第三微带线和第四微带线。其中第一微带线的一端通过第五过孔与第四电路层的第六电容片连接，同时与第二电路层的第三电容片连接。第二微带线的一端通过第六过孔与第四电路层的第七电容片连接，同时与第二电路层的第三电容片连接。第三微带线的一端通过第一过孔与第四电路层的第八电容片和输入端P1相连，第四微带线的一端通过第二过孔与第四电路层的第九电容片和输出端P2相连；

第七电路层包含两段微带线，分别为第五微带线和第六微带线；

第八电路层包含六段微带线，分别为第七微带线、第八微带线、第九微带线、第十微带线、第十一微带线和第十二微带线。其中第七微带线的一端通过第七过孔与第二电路层的大面积金属地相连，另一端通过第八过孔与第五微带线的一端相连。第八微带线的一端通过第九过孔与第二电路层的大面积金属地相连，另一端通过第十过孔与第六微带线的一端相连。

第九微带线的一端通过第十一过孔与第三电路层的第四电容片相连，另一端通过第十二过孔与第六电路层中第一微带线的另一端相连。第十微带线的一端通过第十三过孔与第三电路层的第五电容片相连，另一端通过第十四过孔与第六电路层中第二微带线的另一端相连。第十一微带线的一端通过第十五过孔与第七层中第五微带线的另一端相连，第十一微带线的另一端通过第十六过孔与第六层中第三微带线的另一端相连。第十二微带线的一端通过第十七过孔与第七层中第六微带线的另一端相连，第十二微带线的另一端通过第十八过孔与第六层中第四微带线的另一端相连；

第六至第八电路层中的微带线首尾依次通过金属过孔连接在一起，分别等效为四个电感。其中第三微带线、第五微带线、第七微带线、第十一微带线、第一过孔、第七过孔、第八过孔、第十五过孔以及第十六过孔共同构成等效电感L1A，第四微带线、第六微带线、第八微带线、第十二微带线、第二过孔、第九过孔、第十过孔、第十七过孔以及第十八过孔共同构成等效电感L1B，第一微带线、第九微带线、第五过孔、第十一过孔以及第十二过孔共同构成等效电感L2A，第二微带线、第十微带线、第六过孔、第十三过孔以及第十四过孔共同构成等效电感L2B；

等效电容C1A和等效电感L1A构成谐振单元U1A，等效电容C1B和等效电感L1B构成谐振单元U1B，等效电容C2A和等效电感L2A构成谐振单元U2A，等效电容C2B和等效电感L2B构成谐振单元U2B。这四个谐振单元和等效电容C3A、C3B以及C4共同组成了整个带通滤波器的拓扑结构。

本发明采用的技术方案进一步还包括：

整个滤波器的尺寸为1.6mm×0.8mm×0.65mm。

陶瓷材料的相对介电常数为35，电介质损耗角为0.002。

具体地，结合图1和图2所示，根据本发明实施例的带通滤波器的滤波器载体为LTCC陶瓷基板。在下文的描述中“LTCC陶瓷基板简称为陶瓷体”。

优选地，该LTCC陶瓷基板的材料的相对介电常数为35，电介质损耗角为0.002。

优选地，根据本发明的整个带通滤波器的尺寸仅为1.6mm×0.8mm×0.65mm，为同频段下业界最小体积。

根据本发明的带通滤波器具有外电极，优选地，外电极的数量为三个，如图2所示，三个外电极分别为输入端外电极P1、输出端外电极P2和接地端外电极P3，这三个外电极对称置于陶瓷体的底部，各外电极通过各个过孔与陶瓷体内部的线路电连接。

优选地，各外电极的布置规律为，接地端外电极P3位于输入端外电极P1和输入端外电极P2之间。

构成带通滤波器的等效电路内置于陶瓷体内的多个图形层。优选地，等效电路包括第一层电路、第二层电路、第三层电路、第四层电路、第五层电路、第六层电路、第七层电路以及第八层电路。该8层电路即为图形层。这些图形层自下而上的结构如下：

图3所示是本发明实施例的第一层电路，其包含两块金属片，分别为第一电容片1和第二电容片2。其中第一电容片1通过第一过孔24与输入端外电极P1电连接，第二电容片2通过第二过孔25与输出端外电极P2电连接。

图4所示是本发明实施例的第二层电路，其包含第三电容片3；优选地，第三电容片3为大面积金属地，该第三电容片通过第三过孔26和第四过孔27与接地端外电极P3连接，实现接地。

优选地，第二层电路中的第三电容片3与第一电路层中的第一电容片1和第二电容片2通过垂直耦合，分别构成等效电容C1A和C1B，如图11所示。

优选地，第三电容片3为工字型结构，其在第一过孔24和第二过孔25的位置处设置有缺口，

图5所示是本发明实施例的第三层电路，其包含两块金属片，分别为第四电容片4和第五电容片5；图6所示是本发明实施例的第四层电路，包含四块金属片，分别为第六电容片6、第七电容片7、第八电容片8和第九电容片9。其中第六电容片6和第七电容片7分别通过第五过孔30和第六过孔31与第二电路层的第三电容片3连接。第六电容片6与第三电路层的第四电容片4垂直耦合，构成等效电容C2A。第七电容片7与第三电路层的第五电容片5垂直耦合，构成等效电容C2B。第八电容片8和第九电容片9分别通过第一过孔24和第二过孔25与输入端P1和输出端P2相连接。第八电容片8与第三电路层的第四电容片4垂直耦合，构成等效电容C3A。第九电容片9与第三电路层的第五电容片5垂直耦合，构成等效电容C3B，如图11所示。

图7所示是本发明实施例的第五层电路，包含两块相连的金属片，分别为第十电容片10和第十一电容片11。第十电容片10和第十一电容片11相互连接，他们与第四电路层的第八电容片8和第九电容片9垂直耦合，共同构成等效电容C4；如图11所示。

图8所示是本发明实施例的第六层电路，其包含四段微带线，分别为第一微带线12、第二微带线13、第三微带线14和第四微带线15。其中第一微带线12的第一端通过第五过孔30与第四电路层的第六电容片6连接，同时与第二电路层的第三电容片3连接。第二微带线13的第一端通过第六过孔31与第四电路层的第七电容片7连接，同时与第二电路层的第三电容片3连接。第三微带线14的第一端通过第一过孔24与第四电路层的第八电容片8和输入端P1相连，第四微带线15的第一端通过第二过孔25与第四电路层的第九电容片9和输出端P2相连。

图9所示是本发明实施例的第七层电路，包含两段微带线，分别为第五微带线16和第六微带线17；

图10所示是本发明实施例的第八层电路，包含六段微带线，分别为第七微带线18、第八微带线19、第九微带线20、第十微带线21、第十一微带线22和第十二微带线23。其中第七微带线18的第一端通过第七过孔28与第二电路层的金属地相连，第七微带线18的第二端通过第八过孔36与第五微带线16的第一端相连。第八微带线19的第一端通过第九过孔29与第二电路层的金属地相连，第八微带线19的第二端通过第十过孔37与第六微带线17的第一端相连。第九微带线20的第一端通过第十一过孔32与第三电路层的第四电容片4相连，第九微带线20的第二端通过第十二过孔34与第六电路层中第一微带线12的第二端相连。第十微带线21的第一端通过第十三过孔33与第三电路层的第五电容片5相连，第十微带线21的第二端通过第十四过孔35与第六电路层中第二微带线13的第二端相连。第十一微带线22的第一端通过第十五过孔38与第七层中第五微带线16的第二端相连，第十一微带线22的第二端通过第十六过孔40与第六层中第三微带线14的第二端相连。第十二微带线23的第一端通过第十七过孔39与第七层中第六微带线17的第二端相连，第十二微带线23的第二端通过第十八过孔41与第六层中第四微带线15的第二端相连；

第六至第八电路层中的微带线首尾依次通过金属过孔连接在一起，分别等效为四个电感。其中第三微带线14、第五微带线16、第七微带线18、第十一微带线22、第一过孔24、第七过孔28、第八过孔36、第十五过孔38以及第十六过孔40共同构成等效电感L1A，第四微带线15、第六微带线17、第八微带线19、第十二微带线23、第二过孔25、第九过孔29、第十过孔37、第十七过孔39以及第十八过孔41共同构成等效电感L1B，第一微带线12、第九微带线20、第五过孔30、第十一过孔32以及第十二过孔34共同构成等效电感L2A，第二微带线13、第十微带线21、第六过孔31、第十三过孔33以及第十四过孔35共同构成等效电感L2B，如图11所示。

图11是本发明实施例的等效电路图。其中，等效电容C1A和等效电感L1A构成谐振单元U1A，等效电容C1B和等效电感L1B构成谐振单元U1B，等效电容C2A和等效电感L2A构成谐振单元U2A，等效电容C2B和等效电感L2B构成谐振单元U2B。这四个谐振单元和等效电容C3A、C3B以及C4共同组成了整个带通滤波器的拓扑结构。其中U1A和U1B决定滤波器的带内平坦度和回波损耗，U2A和U2B决定滤波器上边带一侧的零点位置，C3A和C3B决定滤波器下边带一侧的零点位置，C4决定滤波器的带宽范围。

图12所示是本发明实施例的测试结果，根据本发明的带通滤波器工作在LTE的B34和B39频段，通带频率为1805MHz～2025MHz，通带内插损低于1.5dB，回波损耗大于20dB。从DC到1.5GHz的阻带抑制均大于28dB，从2.4GHz到9GHz的阻带抑制均大于27dB。

综上所述，本发明提供了一种基于LTCC多层电路的超小型高Q值带通滤波器，具有小体积、宽阻带、高品质因数等优异性能，易于与其他电路模块进行集成。且制造成本低，可靠性高，适合批量生产，在新一代无线通讯领域具有广阔的应用前景。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或全部技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (3)

1.一种基于低温共烧陶瓷工艺的超小型高Q值带通滤波器，其特征在于：整个滤波器的尺寸仅为1.6mm × 0.8mm × 0.6mm；所述带通滤波器包括低温共烧陶瓷体、外电极和陶瓷体内的电路层；其中外电极共有三个，分别为输入端外电极P1、输出端外电极P2和接地端外电极P3，这三个外电极对称放置于陶瓷体底部，并通过过孔与陶瓷体内部的线路电连接；

所述带通滤波器内置于陶瓷体内的八个电路层，这些电路层自下而上的结构如下：

第一电路层包含两块金属片，分别为第一电容片和第二电容片；其中第一电容片通过第一过孔与输入端外电极P1电连接，第二电容片通过第二过孔与输出端外电极P2电连接；

第二电路层为一块大面积金属地，即第三电容片，第三电容片通过第三过孔和第四过孔与接地端外电极P3电连接，实现接地；第三电容片与第一电路层中的第一电容片和第二电容片通过垂直耦合，分别构成等效电容C1A和C1B；

第三电路层包含两块金属片，分别为第四电容片和第五电容片；

第四电路层包含四块金属片，分别为第六电容片、第七电容片、第八电容片和第九电容片；其中第六电容片和第七电容片分别通过第五过孔和第六过孔与第二电路层的第三电容片连接，第六电容片与第三电路层的第四电容片垂直耦合，构成等效电容C2A，第七电容片与第三电路层的第五电容片垂直耦合，构成等效电容C2B；第八电容片和第九电容片分别通过第一过孔和第二过孔与输入端外电极P1和输出端外电极P2相连接，第八电容片与第三电路层的第四电容片垂直耦合，构成等效电容C3A，第九电容片与第三电路层的第五电容片垂直耦合，构成等效电容C3B；

第五电路层包含两块相连的金属片，分别为第十电容片和第十一电容片；第十电容片和第十一电容片与第四电路层的第八电容片和第九电容片垂直耦合，共同构成等效电容C4；

第六电路层包含四段微带线，分别为第一微带线、第二微带线、第三微带线和第四微带线；其中第一微带线的一端通过第五过孔与第四电路层的第六电容片连接，同时与第二电路层的第三电容片连接；第二微带线的一端通过第六过孔与第四电路层的第七电容片连接，同时与第二电路层的第三电容片连接；第三微带线的一端通过第一过孔与第四电路层的第八电容片和输入端外电极P1相连，第四微带线的一端通过第二过孔与第四电路层的第九电容片和输出端外电极P2相连；

第七电路层包含两段微带线，分别为第五微带线和第六微带线；

第八电路层包含六段微带线，分别为第七微带线、第八微带线、第九微带线、第十微带线、第十一微带线和第十二微带线；其中第七微带线的一端通过第七过孔与第二电路层的大面积金属地相连，另一端通过第八过孔与第五微带线的一端相连；第八微带线的一端通过第九过孔与第二电路层的大面积金属地相连，另一端通过第十过孔与第六微带线的一端相连；

第九微带线的一端通过第十一过孔与第三电路层的第四电容片相连，另一端通过第十二过孔与第六电路层中第一微带线的另一端相连；第十微带线的一端通过第十三过孔与第三电路层的第五电容片相连，另一端通过第十四过孔与第六电路层中第二微带线的另一端相连；第十一微带线的一端通过第十五过孔与第七电路层中第五微带线的另一端相连，第十一微带线的另一端通过第十六过孔与第六电路层中第三微带线的另一端相连；第十二微带线的一端通过第十七过孔与第七电路层中第六微带线的另一端相连，第十二微带线的另一端通过第十八过孔与第六电路层中第四微带线的另一端相连；

第六电路层、第七电路层、第八电路层中的微带线首尾依次通过金属过孔连接在一起，分别等效为四个电感；其中第三微带线、第五微带线、第七微带线、第十一微带线、第一过孔、第七过孔、第八过孔、第十五过孔以及第十六过孔共同构成等效电感L1A，第四微带线、第六微带线、第八微带线、第十二微带线、第二过孔、第九过孔、第十过孔、第十七过孔以及第十八过孔共同构成等效电感L1B，第一微带线、第九微带线、第五过孔、第十一过孔以及第十二过孔共同构成等效电感L2A，第二微带线、第十微带线、第六过孔、第十三过孔以及第十四过孔共同构成等效电感L2B；

等效电容C1A和等效电感L1A构成谐振单元U1A，等效电容C1B和等效电感L1B构成谐振单元U1B，等效电容C2A和等效电感L2A构成谐振单元U2A，等效电容C2B和等效电感L2B构成谐振单元U2B；这四个谐振单元和等效电容C3A、C3B以及C4共同组成了整个带通滤波器的拓扑结构。

2.根据权利要求1所述的基于低温共烧陶瓷工艺的超小型高Q值带通滤波器，其特征在于：所述陶瓷体的相对介电常数为35，电介质损耗角为0.002。

3.根据权利要求1所述的基于低温共烧陶瓷工艺的超小型高Q值带通滤波器，其特征在于：所述滤波器工作在LTE的B34和B39频段，其通带频率为1805~2025 MHz，通带内损耗低于1.5 dB；从DC到1.5 GHz的阻带抑制均大于28 dB，从2.4 GHz到9 GHz的阻带抑制均大于27dB。

Images