CN114447198A - 一种透镜 - Google Patents

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Abstract

公开了一种透镜。所述透镜包括：多个光入射面，分别覆盖设置在基底上的多个发光二极管芯片并接收从所述多个发光二极管芯片发射的光；多个光出射面，被构造为从所述透镜输出所述光；下表面，从所述多个光入射面中的每个的边缘朝向所述多个光出射面中的每个的边缘延伸；以及凸缘，将所述多个光出射面连接至所述透镜的所述下表面。所述多个光入射面中的每个包括第一中心轴，并且所述多个光出射面中的每个包括第二中心轴。所述第一中心轴和所述第二中心轴在所述多个发光二极管芯片中的每个的上方位于不同的位置处。

Description

一种透镜
本申请是2017年8月18日提交到国家知识产权局的发明名称为“发光模块和透镜”并且申请号为201710709792.3的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开的示例性实施例涉及发光模块和透镜，更具体地，涉及能够用在构造为照亮道路的路灯中的发光模块和透镜。
背景技术
发光二极管是通过电子和空穴的复合发射光的无机半导体装置。近来，发光二极管已经广泛用于诸如显示器、汽车灯和普通照明的各种领域中。发光二极管具有长寿命、低功耗和快响应时间，因此迅速地取代了现有光源。
发光二极管意图取代用于照亮道路的路灯的现有光源。路灯通常放置得比用户高以在特定的方向上发光。即，路灯需要照亮宽范围的区域而不照亮其他区域。因此，路灯需要在路灯的安装位置处以不对称的方式发光。
第10-2012-0001686号韩国专利公开文献(优先权日2012.01.04，在下文中，被称为现有技术文献)公开一种使用发光二极管的路灯。在此公开文献中公开的透镜构造为允许从发光二极管发射的光的一部分通过透镜的凸缘发射。结果，此专利具有如下问题：光的一部分无法在期望的方向上发射到透镜的外部。
现有技术专利文献：第10-2012-0001686号韩国专利公开文献(优先权日2012.01.04)。
本公开的示例性实施例提供发光模块和透镜，所述发光模块和透镜通过防止从发光二极管芯片发射的光进入透镜的凸缘来允许从发光二极管芯片发射的光通过透镜在期望的方向上释放(discharge)。
发明内容
根据本公开的一个方面，发光模块包括：基底；至少一个发光二极管芯片，设置在基底上；以及透镜，结合至基底以覆盖所述至少一个发光二极管芯片，其中，透镜包括光入射面和光出射面，从发光二极管芯片发射的光通过光入射面进入透镜，已经进入透镜的光通过光出射面从透镜出射，光入射面包括设置在所述至少一个发光二极管芯片的上方的凹光入射面和从凹光入射面延伸的凸光入射面。
所述至少一个发光二极管芯片的下表面可以与透镜的下表面相邻以在基底上彼此齐平。
凸光入射面可以从凹光入射面延伸至透镜的下表面。
所述至少一个发光二极管芯片的侧上端部可以设置在凹光入射面和凸光入射面之间的边界与凸光入射面和透镜的下表面之间的边界之间。
所述至少一个发光二极管芯片从基底的上表面的高度可以小于从基底的上表面到凹光入射面和凸光入射面之间的边界的高度。
透镜还可以包括与基底邻接的下表面以及将光出射面连接至透镜的下表面的凸缘。
光入射面的中心轴可以放置在与光出射面的中心轴不同的位置处。
光出射面可以包括两个凸光出射面和置于两个凸光出射面之间并将两个凸光出射面彼此连接的凹光出射面。
所述至少一个发光二极管芯片可以通过所述至少一个发光二极管芯片的上表面和侧表面发光。
所述至少一个发光二极管芯片可以包括：发光结构，包括n型半导体层，p型半导体层和置于n型半导体层和p型半导体层之间的活性层；以及一对电极焊盘，设置在发光结构下方，并且还可以包括覆盖发光结构的上表面和侧表面并转换从发光结构发射的光的波长的磷光体层。
透镜还可以包括形成在透镜的下侧上并接触基底的多个支柱，基底可以包括形成在基底的上表面上并接收所述多个支柱的多个固定槽。
根据本公开的另一方面，透镜包括：光入射面，覆盖设置在基底上的至少一个发光二极管芯片，并接收从所述至少一个发光二极管芯片发射的光；以及光出射面，已经通过光入射面进入透镜的光通过光出射面从透镜出射，其中，光入射面包括设置在所述至少一个发光二极管芯片上方的凹光入射面以及从所述凹光入射面延伸的凸光入射面。
透镜还可以包括：下表面，与基底邻接，其中，所述下表面可以与所述至少一个发光二极管芯片的下表面相邻以在基底上彼此齐平。
凸光入射面可以从凹光入射面延伸至透镜的下表面。
光出射面可以包括两个凸光出射面和置于两个凸光出射面之间并将两个凸光出射面彼此连接的凹光出射面。
透镜还可以包括：多个支柱，形成在透镜的下侧上并接触基底。
根据示例性实施例，发光模块具有使用透镜提高光的强度的效果，所述透镜能够使从发光二极管芯片的侧表面发射的光在透镜的向上方向上折射。
此外，即使在路灯设置有多个发光模块的结构中，每个发光模块构造为允许从发光二极管芯片发射的光释放到外部而不是被透镜的凸缘捕获，从而提高光的强度。
附图说明
图1是根据本公开的一个示例性实施例的发光模块的透视图。
图2是根据本公开的示例性实施例的发光模块中的发光二极管芯片的截面图。
图3是根据本公开的示例性实施例的发光模块的平面图。
图4是沿图3的线A-A'截取的剖视图。
图5是沿图3的线B-B'截取的剖视图。
图6A至图6F是示出图4的剖视图中的光发射图案的图。
图7A至图7F是示出图5的剖视图中的光发射图案的图。
图8是根据本公开的另一示例性实施例的发光模块的截面图。
图9是根据本公开的又一示例性实施例的发光模块的截面图。
具体实施方式
将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。
图1是根据本公开的一个示例性实施例的发光模块的透视图，图2是根据本公开的示例性实施例的发光模块中的发光二极管芯片的截面图。图3是根据本公开的示例性实施例的发光模块的平面图。图4是沿图3的线A-A'截取的剖视图，图5是沿图3的线B-B'截取的剖视图。
根据此示例性实施例的发光模块100包括基底110、发光二极管芯片120和透镜130。
基底110用于支撑安装于其上的发光二极管芯片120，并可以是绝缘基底、导电基底或印刷电路板。例如，基底110可以是蓝宝石基底、氮化镓基底、玻璃基底、碳化硅基底、硅基底、金属基底和陶瓷基底中的至少一种。此外，基底110可以具有形成于其上的多个导电图案或电路图案以电连接到安装于其上的发光二极管芯片120。
发光二极管芯片120安装在基底110上，并如图2所示，发光二极管芯片120包括发光结构121和电极焊盘123。
发光结构121包括n型半导体层和p型半导体层，并可以构造为通过电子和空穴的复合而发光。此外，活性层可以置于n型半导体层和p型半导体层之间。
发光结构121可以在其下表面形成有一对电极焊盘123，基底110的导电图案电连接至所述一对电极焊盘123。因此，当电力被供应至基底110时，电力可以通过电极焊盘123被供应至发光结构121。在此示例性实施例中，电极焊盘123从发光结构121的下表面136凸出。可选择地，电极焊盘123可以形成为与发光结构121的下表面136齐平或放置得比发光结构121的下表面136高。
在此示例性实施例中，利用发光二极管芯片120包括发光结构121和一对电极焊盘123的结构，从发光结构121发射的光可以通过发光二极管芯片120的上表面和侧表面发射。
根据此示例性实施例，从发光结构121发射的光可以是蓝光或UV光。为此，发光二极管芯片120还可以包括磷光体层125。如上所述，由于从发光结构121发射的光可以通过发光结构121的上表面和侧表面释放，因此磷光体层125可以形成为覆盖发光结构121的上表面和侧表面。
磷光体层125可以覆盖发光结构121的上表面和侧表面的全部，并可以包括诸如硅树脂的聚合树脂或诸如玻璃和氧化铝的陶瓷材料。磷光体层125可以通过共形涂覆形成以覆盖发光结构121的上表面和侧表面的全部。
磷光体层125可以包括能够将从发光结构121发射的光的波长进行转换的至少一种磷光体。从发光结构121发射的光通过磷光体层125的波长转换被转换成白光，从而白光可以释放到外部。磷光体层125中包含的磷光体可以包括从例如，青色磷光体、石榴石磷光体、铝酸盐磷光体、硫化物磷光体、氮氧化物磷光体、氮化物磷光体、氟化物磷光体和硅酸盐磷光体中选择的至少一种。
在此示例性实施例中，发光二极管芯片120包括覆盖发光结构121的外表面的磷光体层125，虽然图中未示出，但是发光二极管芯片120还可以包括覆盖磷光体层125的外表面的全部的成型部。类似于磷光体层125，成型部可以包括诸如硅树脂的聚合树脂或诸如玻璃和氧化铝的陶瓷材料。
即，根据此示例性实施例，发光二极管芯片120直接安装在基底110上，从发光二极管芯片120发射的光不仅可以通过发光二极管芯片120的上表面释放到外部还可以通过其侧表面释放到外部。
透镜130用于扩散或聚集从发光二极管芯片120发射的光。透镜130包括光入射面132和光出射面134，从发光二极管芯片120发射的光通过光入射面132进入透镜，进入透镜130的光通过光出射面134从透镜出射。如图4和图5所示，透镜130还可以包括与基底110邻接的下表面136和位于光出射面134的外部的凸缘138。
如图4和图5所示，光入射面132可以具有凹形以允许从发光二极管芯片120发射的光通过光入射面132进入透镜130。光入射面132可以包括凹光入射面(凹形的光入射面)132a和凸光入射面(凸形的光入射面)132b。凹光入射面132a设置在发光二极管芯片120的上方并可以具有位于其中心处的光入射面的中心轴IC。凸光入射面132b可以从凹光入射面132a延伸至透镜130的下表面136。在凹光入射面132a和凸光入射面132b之间的边界处，放置有与拐点对应的第一点P1，光入射面132的曲率半径在拐点处改变(参见图4和图5的剖视图)。
在此示例性实施例中，透镜130安装在基底110的上表面上使得透镜130的下表面136直接接触基底110的上表面。此外，发光二极管芯片120设置在基底110的设置有透镜130的上表面上。因此，发光二极管芯片120和透镜130可以设置在基底110上以在其上彼此齐平。
此外，发光二极管芯片120可以设置在透镜130的光入射面132的凹形内。在此，发光二极管芯片120可以设置在其中使得发光二极管芯片120的中心轴放置在光入射面的中心轴IC上。因此，通过发光二极管芯片120的上表面和侧表面发射的光可以通过透镜130的凹光入射面132a和凸光入射面132b进入透镜130。
下面将描述从发光二极管芯片120发射的光进入透镜130的光入射面132的光发射图案。在描述光发射图案之前，现在将描述透镜130的光入射面132和光出射面134的位置。
参照图4，图4是沿图3的线A-A'截取的剖视图，可以确认的是光入射面的中心轴IC与光出射面的中心轴EC不一致。在此示例性实施例中，光入射面132和光出射面134可以放置在不同的位置处使得从发光二极管芯片120发射的光当释放至外部时偏向一个方向。
再次参照图3，发光二极管芯片120可以设置在基底110的中心处，光入射面132可以具有相对于发光二极管芯片120的椭圆形形状。在其他的示例性实施例中，光入射面132的长轴方向和短轴方向可以与此示例性实施例的光入射面132的长轴方向和短轴方向不同。此外，光入射面132的形状不限于椭圆形形状，并且可以是圆形形状。
透镜130的光出射面134可以放置在偏向具有椭圆形状的光入射面132的长轴方向的一侧的位置处。因此，通过透镜130的光出射面134发射的光可以在光出射面134偏向的方向上比光出射面134不偏向的方向上更广泛地释放。即，参照图3，发光模块可以关于线B-B'在向上的方向上比在向下的方向上在更广泛的区域中释放光。
因此，如图4所示，与光入射面相比，光出射面的中心轴EC不与光入射面的中心轴IC一致，并可以偏向一侧。
此外，参照图5，图5是沿图3的线B-B'截取的剖视图，光出射面的中心轴EC与光入射面的中心轴IC一致，透镜130关于光入射面的中心轴IC两侧对称。因此，从发光二极管芯片120发射的光在图5中示出的状态下可以两侧对称地释放。
参照图5，在此示例性实施例中，透镜130的光出射面134包括设置在其中心轴EC上的凹光出射面134a和设置在凹光出射面134a的相对侧处的凸光出射面134b。因此，从发光二极管芯片120出射的光可以通过凸光出射面134b在相对广泛的区域中释放。
如上所述，光入射面132包括凹光入射面132a和从凹光入射面132a延伸至透镜的下表面136的凸光入射面132b。在此，参照图4和图5的剖视图，凸光入射面132b和凹光入射面132a之间的边界定义为与拐点对应的第一点P1。此外，凸光入射面132b的中心点定义为第二点P2，凸光入射面132b与下表面136之间的边界点定义为第三点P3。在此示例性实施例中，相对于基底110的上表面，发光二极管芯片120的高度d1比第一点P1的高度d2小。即，发光二极管芯片120在竖直方向上设置在第一点P1和第三点P3之间。因此，通过发光二极管120的侧表面发射的光的大部分通过凸光入射面132b进入透镜。此外，发光二极管芯片120的高度d1可以比第二点P2的高度d3高。
利用发光二极管芯片120在竖直方向上设置为第一点P1和第三点P3之间的结构，从发光二极管芯片120发射的光在通过透镜130释放的同时使光通过透镜130的凸缘138的释放最小化时，可以通过透镜的光出射面134释放。
图6是示出图4的剖视图中的光发射图案的图。
将参照图6描述根据示例性实施例的发光模块100的光发射图案。图6示出了从发光模块100通过透镜13在广泛的区域中发射的光的发射图案，其中，如图4所示，光入射面132和光出射面134是不对称设置的。
图6A示出了在0度到90度的范围中从发光二极管芯片120的中心发射的光的发射图案。从发光二极管芯片120发射的光通过透镜130的光入射面132进入透镜130，并通过透镜130的光出射面134释放。可以确认的是在竖直方向上从发光二极管芯片120发射的光被透镜130的光出射面134不对称地折射。此外，可以确认的是通过发光二极管芯片120的侧表面发射的光通过透镜130的光入射面132的凸入射面132b在透镜的向上方向上折射，然后通过透镜130的光出射面134释放而不是朝向边缘138释放。
图6B示出了通过发光二极管芯片120的侧表面在水平方向上发射的光的发射图案。通过发光二极管芯片120的侧表面在水平方向上发射的光通过透镜130的凸光入射面132b进入透镜130。结果，可以确认的是光通过凸入射面132b在透镜的向上方向上折射，然后通过透镜130的光出射面134释放。如果通过发光二极管芯片120的侧表面发射的光未被凸光入射面132b折射，则光进入凸缘138，然后在凸缘138内反射后通过凸缘138释放或在其中全反射，从而导致光损失。根据此示例性实施例，通过发光二极管芯片120的侧表面发射的光通过凸光入射面132b在透镜的向上方向上折射以通过光出射面134释放，从而使光损失最小化。
图6C示出了通过发光二极管芯片120的侧上部分发射并穿过光入射面132的第一点P1和第二点P2之间的空间的光的发射图案。当从发光二极管芯片120发射的光通过光入射表面132的第一点P1进入透镜130时，光基本不经历折射。此外，可以确认的是光在通过第二点P2进入透镜130时在透镜130的向上方向上明显地折射。因此，可以确认的是通过发光二极管芯片120的侧上部分发射的光的大部分通过光出射面134释放。
图6D示出了通过发光二极管芯片120的侧上部分发射并穿过光入射面132的第一点P1和第三点P3之间的空间的光的发射图案。当从发光二极管芯片120发射的光通过光入射面132的第一点P1进入透镜130时，光基本不经历折射。此外，可以确认的是光在通过第三点P3进入透镜130时在透镜130的向上方向上明显地折射。在此，通过发光二极管芯片120的侧上部分朝向第三点P3发射的光由于凸光入射面132b的曲率而没有到达第三点P3，并通过凸入射面132b进入透镜130。即使在此情况下，也可以确认的是与在通过第一点P1进入透镜时相比，光经历更多的折射并在透镜130的向上方向上行进以通过光出射面134释放。
图6E示出了通过发光二极管芯片120的侧中间部分发射并穿过光入射面132的第一点P1和第三点P3之间的空间的光的发射图案。可以确认的是当从发光二极管芯片120发射的光在通过光入射面132的第一点P1进入透镜130时光经历轻微的折射。此外，可以确认的是通过第三点P3进入透镜130的光在透镜130的向上方向上经历大量的折射。类似于图6D的发射图案，通过发光二极管芯片120的侧中间部分朝向第三点P3发射的光由于凸光入射面132b的曲率而没有到达第三点P3，并通过凸光入射面132b进入透镜130。即使在此情况下，也可以确认的是与通过第一点P1进入透镜时相比光经历更多的折射并在透镜的向上方向上行进以通过光出射面134释放。
图6F示出了通过发光二极管芯片120的侧下部分发射并穿过光入射面132的第二点P2和第三点P3之间的空间的光的发射图案。可以确认的是从发光二极管芯片120发射的光当通过光入射面132的第二点P2进入透镜130时在透镜130的向上方向上折射。此外，可以确认的是通过第三点P3进入透镜130的光在透镜130的向上方向上经历大量的折射。具体地，通过发光二极管芯片120的侧下部分发射的光到达第三点P3并通过第三点P3进入透镜130。在此，可以确认的是光在第三点P3处在透镜的向上方向上经历相当大的折射。结果，可以确认的是通过发光二极管芯片120的侧下部分发射的光的大部分通过光出射面134释放而不是朝向凸缘138释放。
图7是示出图5的剖视图中的光发射图案的图。
将参照图7描述根据示例性实施例的发光模块100的光发射图案。图7示出了从发光模块100发射的光通过透镜130的发射图案，其中，在透镜130中，如图5所示光入射面132和光出射面134对称地设置。
图7A示出了在0度到90度的范围中从发光二极管芯片120的中心发射的光的发射图案。从发光二极管芯片120发射的光通过透镜130的光入射面132进入透镜130并通过透镜130的光出射面134释放。可以确认的是从发光二极管芯片120在竖直方向上发射的光通过透镜130的光出射面134在竖直方向上释放。此外，可以确认的是从发光二极管芯片120发射的光在通过凹光入射面132a进入透镜130时折射，并在通过透镜130的光出射面134释放时在侧方向上折射。
另外，可以确认的是从发光二极管芯片120发射的光在进入透镜130时通过凸光入射面132b在透镜130的向上方向上折射并且在从透镜130出射时通过光出射面134在侧方向上折射。结果，可以确认的是从发光二极管芯片120发射的光通过透镜130在侧方向上广泛地发散，已经通过凸光入射面132b进入透镜130的光通过透镜130的光出射面134释放而不朝向凸缘138释放。
图7B示出了通过发光二极管芯片120的侧表面在水平方向上发射的光的发射图案。通过发光二极管芯片120的侧表面在水平方向上发射的光通过透镜130的凸光入射面132b进入透镜130。结果，可以确认的是光被凸光入射面132b在透镜130的向上方向上折射，然后通过透镜130的光发射面134释放。如图6B所示，如果通过发光二极管芯片120的侧表面发射的光未被透镜130的凸光入射面132b折射，则光进入凸缘138然后在凸缘138内反射之后通过凸缘138释放或在其内全反射，从而导致光损失。因此，通过发光二极管芯片120的侧表面发射的光通过凸光入射面132b在透镜130的向上方向上折射以通过光出射面134释放而不通过凸缘138释放，从而使光损失最小化。
图7C示出了通过发光二极管芯片120的侧上部分发射并穿过光入射面132的第一点P1和第二点P2之间的空间的光的发射图案。可以确认的是从发光二极管芯片120发射的光在通过光入射面132的第一点P1进入透镜130时在透镜130的侧方向上折射。此外，可以确认的是通过第二点P2进入透镜130的光在透镜130的向上方向上折射。因此，可以确认的是通过发光二极管芯片120的侧上部分发射的光通过光出射面134在透镜130的侧方向上在更广泛的区域中释放而不是通过凸缘138释放。
图7D示出了通过发光二极管芯片120的侧上部分发射并穿过光入射面132的第一点P1和第三点P3之间的空间的光的发射图案。可以确认的是从发光二极管芯片120发射的光当通过光入射面132的第一点P1进入透镜130时在透镜130的侧方向上折射。此外，可以确认的是通过第三点P3进入透镜130的光在透镜130的向上方向上折射。在此，通过发光二极管芯片120的侧上部分朝向第三点P3发射的光由于凸光入射面132b的曲率而没有到达第三点P3并通过凸光入射面132b进入透镜130。即使在此情况下，也可以确认的是与通过第一点P1进入透镜时相比光经历更多的折射并在透镜130的向上方向上传播以通过光出射面134释放。
图7E示出了通过发光二极管芯片120的侧中间部分发射并穿过光入射面132的第一点P1和第三点P3之间的空间的光的发射图案。可以确认的是从发光二极管芯片120发射的光当通过光入射面132的第一点P1进入透镜130时在侧方向上经历折射。此外，可以确认的是通过第三点P3进入透镜130的光在透镜130的向上方向上经历折射。与图7D的发射图案类似，通过发光二极管芯片120的侧中间部分朝向第三点P3发射的光由于凸光入射面132b的曲率而没有到达第三点P3并通过凸光入射面132b进入透镜130。即使在此情况下，也可以确认的是与当光通过第一点P1进入透镜时相比光经历更多的折射并在透镜130的向上方向上传播以通过光出射面134释放。
图7F示出了通过发光二极管芯片120的侧下部分发射并穿过光入射面132的第二点P2和第三点P3之间的空间的光的发射图案。可以确认的是从发光二极管芯片120发射的光当通过光入射面132的第二点P2进入透镜130时在透镜130的向上方向上折射。此外，可以确认的是通过第三点P3进入透镜130的光在透镜130的向上方向上经历大量的折射。具体地，通过发光二极管芯片120的侧下部分发射的光到达第三点P3并通过第三点P3进入透镜130。在此，可以确认的是光在第三点P3处在透镜的向上方向上经历相当大的折射。结果，可以确认的是从发光二极管芯片120的侧下部分发射的光的大部分通过光出射面134释放而不是朝向凸缘138释放。
图8是根据本公开的另一示例性实施例的发光模块的截面图。
参照图8，根据此示例性实施例的发光模块100在一个基底110上包括至少两个发光二极管芯片120和至少两个透镜130。具体地，两个或更多个发光二极管芯片120安装在一个基底110上，具有光入射面132的透镜130设置为覆盖每个发光二极管芯片120。透镜130可以包括至少两个光入射面132和至少两个光出射面134。即，具有在上述示例性实施例中描述的结构的两个透镜130布置为彼此平行并彼此结合。
凸缘138用于将至少两个透镜130彼此连接。因此，当通过发光二极管芯片120的侧表面发射的光朝向凸缘138行进时，光经常会通过无限的反射而消失而不是被释放到外部。
然而，如在上面的示例性实施例中描述的，透镜130的光入射面132包括凹光入射面132a和凸光入射面132b，从发光二极管芯片120的侧表面发射的光当通过凸光入射面132b进入透镜130时在透镜130的向上方向上折射。结果，通过发光二极管芯片120的侧表面发射的光的大部分可以通过透镜130的光出射面134释放而不是朝向凸缘138释放。因此，通过发光二极管芯片120的上侧发射的光的部分和通过发光二极管芯片120的侧表面发射的光的部分两者通过透镜130的光出射面134释放，从而提高了发光模块100的发光效率。
图9是根据本公开的又一示例性实施例的发光模块的截面图。
根据此示例性实施例的发光模块100包括基底110、发光二极管芯片120和透镜130。在此示例性实施例的描述中，将省略与上面的示例性实施例相同的组件的描述。
基底110通常与根据上面的示例性实施例的发光模块的基底相同并还可以包括固定透镜130的固定槽112。固定槽112可以具有与支柱139的形状对应的形状使得透镜130的支柱139可以插入固定槽112中并被固定槽112固定。此外，固定槽112可以设置为多个并且固定槽112的数量可以与透镜130的支柱139的数量相同。
发光二极管芯片120可以在与根据上述示例性实施例的发光二极管芯片120的位置相同的位置处安装在基底110的上表面上。
透镜130具有光入射面132和光出射面134以扩散或聚集从发光二极管芯片120发射的光。在此示例性实施例中，透镜130具有位于光出射面134的外部的凸缘138，并可以包括将光入射面132连接至凸缘138的下表面136。此外，如上所述，透镜130可以包括多个支柱139。多个支柱139用于在基底110上支撑并固定透镜130。在此示例性实施例中，多个支柱139可以插入形成在基底110的上表面上的固定槽112中以将透镜130固定在基底110上。每个支柱139可以通过粘合剂结合至固定槽112。
如此，由于支柱139形成在透镜130的下侧上，透镜130的下表面136与基底110分离。通过此结构，通过发光二极管芯片120的侧表面发射的光可以在尽可能接近与透镜130的凸光入射面312b和下表面136之间的边界对应的第一点P1的位置处进入透镜130。
如此，在通过形成在透镜130的下侧上的支柱139使透镜130的下表面136与基底110的上表面分开的结构中，透镜130的下表面136与基底110的上表面之间的分开距离可以比发光二极管芯片120的高度小。即，透镜130的下表面136放置在发光二极管芯片120的上表面下方。此外，透镜130的下表面136与基底110的上表面之间的分开距离可以是发光二极管芯片120的高度的一半或更少。
因此，根据此示例性实施例的发光模块允许通过发光二极管芯片120的侧表面发射的光通过透镜130的凸光入射面132b进入透镜130并通过透镜130在期望的方向上释放。
尽管在此示例性实施例中固定槽112形成在基底110的上表面上，但是根据需要可以省略固定槽112，透镜130的支柱139可以在接触基底110的上表面的状态下固定到基底110的上表面。
尽管在这里已经描述了一些示例性实施例，但是本领域技术人员应理解的是仅通过说明的方式给出这些实施例。因此，本公开的范围应仅被权利要求及其等同物限制。
【附图标记的列表】
100：发光模块
110：基底 112：固定槽
120：发光二极管芯片 121：发光结构
123：电极焊盘 125：磷光体层
130：透镜 132：光入射面
132a：凹光入射面 132b：凸光入射面
134：光出射面 134a：凹光出射面
134b：凸光出射面 136：下表面
138：凸缘 139：支柱
P1：第一点 P2：第二点
P3：第三点
IC：光入射面的中心轴 EC：光出射面的中心轴

Claims (10)

1.一种透镜，所述透镜包括：
多个光入射面，分别覆盖设置在基底上的多个发光二极管芯片并接收从所述多个发光二极管芯片发射的光；
多个光出射面，被构造为从所述透镜输出所述光；
下表面，从所述多个光入射面中的每个的边缘朝向所述多个光出射面中的每个的边缘延伸；以及
凸缘，将所述多个光出射面连接至所述透镜的所述下表面，
其中，所述多个光入射面中的每个包括第一中心轴，所述多个光出射面中的每个包括第二中心轴，并且
其中，所述第一中心轴和所述第二中心轴在所述多个发光二极管芯片中的每个的上方位于不同的位置处。
2.根据权利要求1所述的透镜，其中，所述多个发光二极管芯片中的每个设置在所述第一中心轴上，并且
所述第二中心轴与所述多个光入射面中的每个相比向一侧偏置。
3.根据权利要求2所述的透镜，其中，所述多个光入射面中的每个具有椭圆形形状或圆形形状。
4.根据权利要求3所述的透镜，其中，所述多个光出射面中的每个位于向具有所述椭圆形形状的所述多个光入射面中的每个的所述第一中心轴的一侧偏置的位置处。
5.根据权利要求1所述的透镜，其中，所述多个光入射面中的每个和所述多个光出射面中的每个被布置为彼此平行。
6.根据权利要求1所述的透镜，其中，所述多个光入射面中的每个包括设置在所述多个发光二极管芯片中的每个的上方的凹光入射面和从所述凹光入射面延伸的凸光入射面。
7.根据权利要求6所述的透镜，其中，所述多个发光二极管芯片中的每个从所述基底的上表面的高度小于从所述基底的所述上表面到所述凹光入射面与所述凸光入射面之间的边界的高度。
8.根据权利要求6所述的透镜，其中，所述凸光入射面从所述凹光入射面延伸至所述透镜的所述下表面。
9.根据权利要求1所述的透镜，其中，所述多个光出射面中的每个包括两个凸光出射面和置于所述两个凸光出射面之间并将所述两个凸光出射面彼此连接的凹光出射面。
10.根据权利要求1所述的透镜，所述透镜还包括：多个支柱，形成在所述透镜的下侧上并接触所述基底。
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