CN114447058A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114447058A
CN114447058A CN202111293346.1A CN202111293346A CN114447058A CN 114447058 A CN114447058 A CN 114447058A CN 202111293346 A CN202111293346 A CN 202111293346A CN 114447058 A CN114447058 A CN 114447058A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light blocking
display device
disposed
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111293346.1A
Other languages
English (en)
Inventor
俞炳汉
朴弘植
李基准
林奭炫
赵炫珉
李大荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114447058A publication Critical patent/CN114447058A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1324—Sensors therefor by using geometrical optics, e.g. using prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14678—Contact-type imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Image Input (AREA)

Abstract

提供了显示装置，该显示装置包括：显示层，该显示层包括有效区和邻近有效区的外周区；生物特征信息传感层；该生物特征信息传感层设置在显示层下方并且包括传感器；和光学图案层，该光学图案层设置在生物特征信息传感层和显示层之间的光学图案平面上并且包括阻光部件和比阻光部件具有更高的透光率的透射部件，其中阻光部件的上表面为凹面，并且远离光学图案平面凹陷。

Description

显示装置
相关申请的引用
本专利申请要求于2020年11月6日提交的韩国专利申请第10-2020-0148053号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开在此涉及具有增加的指纹识别性能的显示装置及用于制造其的方法。
背景技术
显示装置可通过显示图像，或检测用户输入来向用户提供信息。目前的显示装置还可以通过检测指纹来促进用户交互。指纹识别方法包括检测电极之间形成的电容的变化的电容方法、使用光学传感器检测入射光的光学方法和使用压电体检测振动的超声方法。在目前的显示装置中，用于指纹识别的输入传感器可设置在显示层的背表面上。然而，在一些情况下，用于制造指纹识别层的抛光工艺可能有缺陷，并导致用户指纹的反射光的透射减少。
发明内容
本公开提供了具有增加的指纹识别性能的显示装置和制造其的方法。
本发明构思的实施方式提供了显示装置，该显示装置包括：显示层，该显示层包括有效区和邻近有效区的外周区；生物特征信息传感层，该生物特征信息传感层设置在显示层下方并且包括传感器；和光学图案层，该光学图案层设置在生物特征信息传感层和显示层之间的光学图案平面上并且包括阻光部件和比阻光部件具有更高的透光率的透射部件，其中阻光部件的上表面为凹面，并且在远离光学图案平面的方向上凹陷。
在实施方式中，透射部件可以比阻光部件在厚度方向上具有更大的最小厚度。
在实施方式中，光学图案层的上表面可以是不均匀的。
在实施方式中，透射部件的上表面可以是基本上平坦的，并且阻光部件的上表面可以是弯曲的。
在实施方式中，阻光部件可以包括有机材料。
在实施方式中，生物特征信息传感层可以在厚度方向上与有效区重叠。
在实施方式中，透射部件和阻光部件可以在厚度方向上与传感器重叠。
在实施方式中，光学图案层可直接设置在生物特征信息传感层上。
在实施方式中，阻光部件可以比透射部件在中心部分具有更小的厚度。
附图说明
当结合所附附图考虑时，通过参考以下详细描述，对本公开及其许多附带方面的更全面的了解变得更好理解，因此将容易地获得对本公开及其许多附带方面的更全面的了解，其中：
图1是根据本发明构思的实施方式的显示装置的透视图；
图2是根据本发明构思的实施方式的显示装置的分解透视图；
图3是根据本发明构思的实施方式的显示装置的一些组件的示意性截面图；
图4是根据本发明构思的实施方式的显示模块的截面图；
图5是根据本发明构思的实施方式的传感单元的截面图；
图6是根据本发明构思的实施方式的传感单元的截面图；
图7是根据本发明构思的实施方式的光学图案层的平面图；
图8A至图8F是示出了用于形成根据本发明构思的实施方式的光学图案层的工艺的截面图；并且
图9是示出了用于形成根据本发明构思的实施方式的光学图案层的工艺的截面图。
具体实施方式
在本描述中，当元件(或区域、层、部分等)被称作在另一元件“上”、“连接至”或“联接至”另一元件时，其意指该元件可以直接设置在另一元件上/直接连接至/直接联接至另一元件，或者在它们之间可以设置第三元件。
相同的附图标记可以指相同的元件。并且，为了有效地描述技术内容，在附图中可以放大元件的厚度、比例和尺寸。
术语“和/或”包括一个或多个相关配置可定义的所有组合。术语“从……的外侧”可以描述当前描述的实施方式外部的任何事物。如果第一元件被描述为“外侧围绕”第二元件，则当从上向下观察时(例如，在平面图中)第一元件可以围绕第二元件。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。例如，在不脱离本发明构思的示例实施方式的范围的情况下，第一元件可以被称作第二元件，并且类似地，第二元件可以被称作第一元件。除非上下文另外清楚地指示，否则以单数形式对元件的描述也应用于复数形式。
另外，术语比如“下方”、“下”、“上方”和“上”等用于描述附图中示出的配置的关系。这些术语用作相对概念并且参考附图中指示的方向进行描述。
除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思所属领域普通技术人员通常理解的相同含义。还应理解，在常用的词典中定义的术语应被解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义，并且不应以理想的或过于正式的意义来解释，除非它们在本文中明确如此定义。
应理解，术语“包括”或“具有”旨在指定本公开中存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合，但不一定排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合。
下文中，将参考所附附图描述本发明构思的实施方式。
图1是根据本发明构思的实施方式的显示装置的透视图。图2是根据本发明构思的实施方式的显示装置的分解透视图。
参考图1和图2，显示装置1000可以响应于电信号被激活。显示装置1000可以包括各种实施方式。例如，显示装置1000可以用于大型显示装置，比如电视机、监视器或室外广告牌。然而，显示装置1000也可用于小型和中型显示装置，比如个人计算机、膝上型计算机、个人数字终端、汽车导航单元、游戏控制台、便携式电子装置和照相机。这些仅作为示例提出，并且在不脱离本发明构思的情况下，显示装置1000可以适用于其他电子装置。在本实施方式中，示出智能电话作为显示装置1000。
显示装置1000可以在与第一方向DR1和第二方向DR2平行的显示表面1000-F上朝向第三方向DR3显示图像1000-I。第三方向DR3可被称为厚度方向DR3。图像1000-I可以包括静止图像以及动态图像(例如，交互式用户界面、视频等)。图1示出了钟表窗口和图标作为图像1000-I的示例。在其上显示图像1000-I的显示表面1000-F可以对应于显示装置1000的前表面和窗口100的前表面。
在本实施方式中，各个构件的前表面(或上表面)和背表面(或下表面)可以相对于其中显示图像1000-I的方向来定义。前表面和背表面可以在第三方向DR3上彼此相对，并且前表面和背表面中的每一个的法线方向可以平行于第三方向DR3。在本描述中，“当在平面上观察时”或“在平面图中”可定义为从第三方向DR3观察。
根据本发明构思的实施方式的显示装置1000可以检测从装置的外侧施加的用户输入。用户输入可以包括各种类型的外部输入，比如来自用户身体的一部分的接触、光、热、笔或压力。显示装置1000不必限于任一实施方式，并且可以根据显示装置1000的结构来检测施加到显示装置1000的侧表面或背表面的用户输入。
显示装置1000可以检测用户的指纹2000。指纹识别区可以提供在显示装置1000的显示表面1000-F上。指纹识别区可以提供在透射区1000-T的整个部分中或者其可以提供在透射区1000-T的局部部分中。
显示装置1000可以包括窗口100、抗反射层200、显示模块300、传感单元400和外壳500。在本实施方式中，可以将窗口100和外壳500粘合在一起以限定显示装置1000的外部。
窗口100可以包括光学透明的电绝缘材料。例如，窗口100可以包括玻璃或塑料。窗口100可以具有多层结构或单层结构。例如，窗口100可以包括通过粘结剂粘合的多个塑料膜，或者通过粘结剂粘合在一起的玻璃基板和塑料膜。
如上所述，窗口100的显示表面1000-F可以限定显示装置1000的前表面。透射区1000-T可以是光学透明区。例如，透射区1000-T可以是具有约90％或更大的可见光透射率的区。
边框区1000-B可以是相比于透射区1000-T具有相对更低的透光率的区。边框区1000-B可以限定透射区1000-T的形状。边框区1000-B可以邻近透射区1000-T并且外侧围绕透射区1000-T。
边框区1000-B可以具有预定的颜色。边框区1000-B可以覆盖显示模块300的外周区300-N以防止从外侧观察到外周区300-N。然而，这是示例实施方式，并且可以省略窗口100的边框区1000-B。
抗反射层200可以设置在窗口100下方。抗反射层200可以降低从窗口100上侧入射的外部光的反射率。在本发明构思的实施方式中，可以省略抗反射层200，并且抗反射层200可以包括在显示模块300中。
显示模块300可以显示图像1000-I并检测外部输入。显示模块300可以包括有效区300-A和外周区300-N。有效区300-A可以是响应于电信号被激活的区。外周区300-N可以邻近有效区300-A。
在本实施方式中，有效区300-A可以显示图像1000-I，并且也可以检测外部输入。透射区1000-T可以与有效区300-A重叠。例如，透射区1000-T可以与有效区300-A的整个部分或至少局部部分重叠。因此，用户可以通过透射区1000-T观察图像1000-I并提供外部输入。在本发明构思的示例实施方式中，显示图像1000-I的区和检测外部输入的区可以在有效区300-A中彼此分开。
外周区300-N可以被边框区1000-B覆盖。外周区300-N可以邻近有效区300-A。外周区300-N可以外侧围绕有效区300-A。用于驱动有效区300-A的驱动电路或驱动布线可以设置在外周区300-N中。
传感单元400可以设置在显示模块300下方。传感单元400可以检测用户的生物特征信息。传感单元400可以检测触摸目标的表面。例如，传感单元可以检测表面不均匀度或曲度。例如，表面可以包括用户的指纹2000信息。
传感单元400可以包括传感区400-A和非传感区400-N。传感区400-A可以响应于电信号被激活。例如，传感区400-A可以是其中可以检测到生物特征信息的区。用于驱动传感区400-A的驱动电路或驱动布线可以设置在非传感区400-N中。
在本发明构思的实施方式中，传感区400-A可以与有效区300-A基本上重叠。在该情况下，遍及有效区300-A都可以进行指纹识别。例如，用户的指纹可以在整个区中是可识别的，而不是在局部区中，或者限于特定区。然而，本发明构思的实施方式不必限于此。例如，在本发明构思的另一实施方式中，传感单元400可以与有效区300-A的一部分重叠。
外壳500可以与窗口100结合。外壳500可以与窗口100结合以提供预定的内部空间。显示模块300和传感单元400可以设置在该内部空间中。外壳500可以稳定地保护设置在内部空间中的显示装置1000的组件免受外部冲击。外壳500可以包括具有相对高刚性的材料。例如，外壳500可以包括由玻璃、塑料、金属或其组合形成的多个框架和/或板。
提供显示装置1000的整体操作所需的电源的电池模块可进一步布置在传感单元400与外壳500之间。
图3是根据本发明构思的实施方式的显示装置的一些组件的示意性截面图。
参考图3，显示模块300可以包括显示层310和传感器层320。
显示层310可被配置为显示图像。显示模块300的有效区300-A(见图2)可以对应于显示层310的有效区。例如，传感单元400的传感区400-A(见图2)可以与显示层310的整个有效区重叠。
根据本发明构思的实施方式的显示层310可以是发光显示层。然而，显示层310不必限于此。例如，显示层310可以是有机发光显示层、量子点发光显示层、微LED显示层或纳米LED显示层。显示层310可以包括基底层311、电路层312、发光元件层313和封装层314。
基底层311可以包括合成树脂层。合成树脂层可以包括热固性树脂。尤其是，合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，但该材料不必限于此。合成树脂层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。另外，基底层311可以包括玻璃基板、金属基板或有机/无机复合材料基板。
电路层312可以设置在基底层311上。电路层312可以包括像素电路和绝缘层。像素电路可以包括至少一个晶体管和至少一个电容器。
发光元件层313可以设置电路层312上。发光元件层313可以产生光。发光元件层313可以响应于电信号产生光或控制光的量。当显示层310为有机发光显示层时，发光元件层313可以包括有机发光材料。当显示层310为量子点发光显示层时，发光元件层313可以包括量子点或量子棒。当显示层310为微LED显示层时，发光元件层313可以包括一个或多个微LED。当显示层310为纳米LED显示层时，发光元件层313可以包括一个或多个纳米LED。
封装层314可以设置在发光元件层313上。封装层314可以包括至少一个绝缘层。例如，封装层314可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。封装层314的无机层可以保护发光元件层313免受水分和氧气的影响。封装层314的有机层可以保护发光元件层313免受异物(比如灰尘颗粒)的影响。
传感器层320可以设置在显示层310上。传感器层320可以检测外部输入并获得外部输入的位置信息。外部输入的类型可以变化。例如，外部输入可以包括用户身体的一部分的接触、光、热或压力。另外，传感器层320可以检测与窗口100(见图2)接触的输入以及接近或邻近窗口100的输入。
传感器层320可以直接设置在显示层310上。例如，传感器层320和显示层310可以在连续工艺中形成。在本发明构思的实施方式中，传感器层320可以粘合到显示层310。在该情况下，在传感器层320和显示层310之间可以进一步设置有粘结层。
传感单元400可以设置在显示模块300下方。例如，传感单元400可以粘合到显示层310的背表面。粘结层1000-A可以设置在传感单元400和显示层310之间。例如，粘结层1000-A可以是光学透明粘合构件。粘结层1000-A可以包括常规的粘结剂和/或胶合剂。
传感单元400可以包括基底层410、生物特征信息传感层420和光学图案层430。
基底层410可以包括合成树脂层。合成树脂层可以包括热固性树脂。尤其是，合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，但该材料不必限于此。例如，基底层410可以包括两层聚酰亚胺类树脂层和设置在该两层聚酰亚胺类树脂层之间的屏障层。屏障层可以包括非晶硅和/或氧化硅。
生物特征信息传感层420可以设置在基底层410上。生物特征信息传感层420可以包括传感电路和绝缘层。传感电路可以包括至少一个晶体管和至少一个光电二极管。在平面图中，生物特征信息传感层420可以与显示层310的整个有效区重叠。例如，生物特征信息传感层420可以在第三方向DR3上与显示层310的有效区基本上重叠。
光学图案层430可以直接设置在生物特征信息传感层420上。例如，光学图案层430和生物特征信息传感层420可以在连续工艺中形成。光学图案层430可以保护生物特征信息传感层420免受异物的影响。
光学图案层430可以过滤在生物特征信息传感层420上入射的光。例如，可以通过光学图案层430来控制能够穿过光学图案层430并且在生物特征信息传感层420上入射的光的入射角。入射角可以被限制为小于预定角。通过限制可能的入射角，指纹识别的精确度可以增加。
图4是根据本发明构思的实施方式的显示模块的截面图。在图4的描述中，对于通过图3描述的组件给出相同的附图标记，并且在已经省略元件的描述的情况下，可以假设元件至少类似于已经在本说明书中的其他地方描述的对应元件。
参考图4，电路层312、发光元件层313、封装层314和传感器层320可以依次设置在基底层311上。
屏障层10可以设置在基底层311上。屏障层10防止异物穿透显示模块300。屏障层10可以包括氧化硅层和氮化硅层中的至少一个。每一层可以在屏障层10中以多个提供，并且氧化硅层和氮化硅层可以交替堆叠。
缓冲层20可以设置在屏障层10上。缓冲层20使基底层311和半导体图案和/或导电图案之间的粘合力增加。缓冲层20可以包括氧化硅层和氮化硅层中的至少一个。氧化硅层和氮化硅层可以交替堆叠。
像素电路的晶体管312-T可以设置在缓冲层20上。晶体管312-T可以包括有源区312-A、源区312-S、漏区312-D和栅极312-G。
半导体图案312-S、312-A和312-D设置在缓冲层20上。下文中，直接设置在缓冲层20上的半导体图案312-S、312-A和312-D可以包括硅半导体，比如多晶硅半导体或非晶硅半导体。半导体图案312-S、312-A和312-D可以具有不同的电特性，并且其电特性可取决于掺杂杂质的量。半导体图案可以包括具有高导电性的第一区和具有低导电性的第二区。第一区可以掺杂有N-型掺杂剂或P-型掺杂剂。P-型晶体管可以包括掺杂有P-型掺杂剂的掺杂区，并且N-型晶体管可以包括掺杂有N-型掺杂剂的掺杂区。第二区可以是非掺杂区或者可以以比第一区的浓度低的浓度掺杂。
第一区比第二区具有更高的导电性，并且因此第一区可以用作电极或信号线。第二区可以基本上对应于晶体管的有源区(或沟道)。例如，半导体图案312-S、312-A和312-D的一部分可以是晶体管312-T的有源区312-A，另一部分可以是晶体管312-T的源区312-S或漏区312-D，并且其他部分可以为连接信号线(或连接电极)。
第一绝缘层11设置在缓冲层20上并且可以至少部分地覆盖半导体图案312-S、312-A和312-D。第一绝缘层11可以是无机层和/或有机层，并且具有单层或多层结构。第一绝缘层11可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在本实施方式中，第一绝缘层11可以是单层氧化硅层。稍后将描述的无机层可以包括上述材料中的至少一种。
栅极312-G可以设置在第一绝缘层11上。栅极312-G可以是金属图案的一部分。在平面图中，栅极312-G可以与有源区312-A重叠。在掺杂半导体图案的工艺中，栅极312-G可用作掩模。
第二绝缘层12可以设置在第一绝缘层11上并且可以覆盖栅极312-G。第二绝缘层12可以是无机层，并且可以具有单层或多层结构。在本实施方式中，第二绝缘层12可以是单层氧化硅层。
第三绝缘层13可以设置在第二绝缘层12上。第三绝缘层13可以是有机层，并且具有单层或多层结构。例如，第三绝缘层13可以是单层聚酰亚胺类树脂。然而，本发明构思的实施方式不必限于此，并且第三绝缘层13可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。稍后将描述的有机层可以包括上述材料中的至少一种。
第一连接电极312-C1和第二连接电极312-C2可以设置在第三绝缘层13上。第一连接电极312-C1和第二连接电极312-C2各自可穿透第一至第三绝缘层11、12和13以电连接至晶体管312-T。
第四绝缘层14可以设置在第三绝缘层13上并且可以基本上覆盖第一连接电极312-C1和第二连接电极312-C2。第四绝缘层14可以是无机层。
第五绝缘层15可以设置在第四绝缘层14上。第五绝缘层15可以是有机层，并且具有单层或多层结构。
发光元件层313可以设置在第五绝缘层15上。发光元件层313可以包括第一电极313-E1、发射层313-EL和第二电极313-E2。
第一电极313-E1可以穿透第四绝缘层14和第五绝缘层15以电连接至晶体管312-T。第一电极313-E1可以与Y个或更多个透射部件431(见图5)重叠。Y可以是正整数，并且稍后将描述透射部件431(见图5)的描述。
像素限定膜16可以设置在第五绝缘层15上。像素限定膜16可以具有暴露第一电极313-E1的开口。平面上开口的形状可以对应于像素区PXA。
发射层313-EL可以设置在第一电极313-E1上。发射层313-EL可以提供预定颜色的光。在本实施方式中，以图案化的单层发射层313-EL作为示例来说明，但本发明构思的实施方式不必限于此。例如，发射层313-EL可以具有多层结构。另外，发射层313-EL可以朝向像素限定膜16的上表面延伸。
第二电极313-E2可以设置在发射层313-EL上。电子控制层可以设置在第二电极313-E2和发射层313-EL之间，并且空穴控制层可以设置在第一电极313-E1和发射层313-EL之间。
在本发明构思的实施方式中，第一电极313-E1和第二电极313-E2各自可以包括透明导电材料。例如，第一电极313-E1和第二电极313-E2各自可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟镓锌(IGZO)和它们的混合物。然而，第一电极313-E1和第二电极313-E2中的材料不必限于此。
封装层314可以设置在第二电极313-E2上。封装层314可以包括第一无机层314-1、有机层314-2和第二无机层314-3。
第一无机层314-1可以设置在第二电极313-E2上。有机层314-2可以设置在第一无机层314-1上。第二无机层314-3可以设置在有机层314-2上并且可覆盖有机层314-2。第一无机层314-1和第二无机层314-3可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层等，并且不必限于此。有机层314-2可以包括丙烯酸类有机层，但是不必限于此。第一无机层314-1和第二无机层314-3可以保护发射层313-EL免受水分/氧气的影响，并且有机层314-2可以保护发射层313-EL免受异物(比如灰尘颗粒)的影响。
传感器层320可以设置在封装层314上。传感器层320可以包括第一导电层321-M、第一传感绝缘层321、第二导电层322-M和第二传感绝缘层322。第一导电层321-M和第二导电层322-M中的至少一个可以包括传感电极。传感器层320可通过传感电极之间的电容变化来获得外部输入的信息。
图5是根据本发明构思的实施方式的传感单元的截面图。在图5的描述中，对于通过图3描述的组件给出相同的附图标记，并且在已经省略元件的描述的情况下，可以假设元件至少类似于已经在本说明书中的其他地方描述的对应元件。
参考图5，传感单元400可以包括基底层410、生物特征信息传感层420和光学图案层430。根据本发明构思的实施方式的传感单元400可进一步包括IR滤波器。IR滤波器可以设置在光学图案层430和基底层311(见图4)之间。然而，根据本发明构思的实施方式的IR滤波器的布置关系不必限于此。例如，IR滤波器可以设置在生物特征信息传感层420和光学图案层430之间。IR滤波器可以从由指纹2000(见图1)反射的光2000-L去除噪声以增加指纹识别的精确度和响应时间。噪声可以在光2000-L的紫外区中。
屏障层421可以设置在基底层410上。缓冲层422可以设置在屏障层421上。屏障层421和缓冲层422的描述可以分别应用于如以上图4中所述的屏障层10和缓冲层20。
晶体管420-T可以设置在缓冲层422上。晶体管420-T可以包括有源区420-A、源区420-S、漏区420-D和栅极420-G。有源区420-A、源区420-S和漏区420-D可以设置在缓冲层422上。
第一绝缘层423设置在缓冲层422上并且可以至少部分地覆盖有源区420-A、源区420-S和漏区420-D。第一绝缘层423可以是无机层和/或有机层，并且具有单层或多层结构。在本实施方式中，第一绝缘层423可以是单层氧化硅层。
栅极420-G和布线层420-L可以设置在第一绝缘层423上。可以向布线层420-L提供预定电压，例如偏置电压。布线层420-L可以电连接至稍后将描述的传感器420-PD。
第二绝缘层424可以设置在第一绝缘层423上并且可以覆盖栅极420-G和布线层420-L。第二绝缘层424可以是无机层，并且可以具有单层或多层结构。在本实施方式中，第二绝缘层424可以是单层氧化硅层。
传感器420-PD可以设置在第二绝缘层424上。传感器420-PD可以电连接至晶体管420-T和布线层420-L。例如，可以通过由晶体管420-T提供的信号来控制传感器420-PD的操作，并且可以由布线层420-L为传感器420-PD提供预定电压。
传感器420-PD可以包括第一传感电极420-E1、传感层420-SA和第二传感电极420-E2。
第一传感电极420-E1可以穿透第一绝缘层422和第二绝缘层423以电连接至晶体管420-T。第一传感电极420-E1可以包括不透明导电材料。例如，第一传感电极420-E1可以包括钼(Mo)。
传感层420-SA可以设置在第一传感电极420-E1上。传感层420-SA可以包括非晶硅。
第二传感电极420-E2可以设置在传感层420-SA上。第二传感电极420-E2可以包括透明导电材料。例如，第二传感电极420-E2可以包括氧化铟锡(ITO)。
第三绝缘层425可以设置在第二传感电极420-E2上。第三绝缘层425可以是无机层，并且可以具有单层或多层结构。例如，第三绝缘层425可以包括氧化硅层和氮化硅层。
连接电极420-C可以设置在第三绝缘层425上。连接电极420-C可以穿透第三绝缘层425以电连接至第二传感电极420-E2。另外，连接电极420-C可以穿透第二绝缘层424和第三绝缘层425以电连接至布线层420-L。
第四绝缘层426可以设置在第三绝缘层425上并且可以覆盖连接电极420-C。第四绝缘层426可以是有机层，并且可以具有单层或多层结构。例如，第四绝缘层426可以是单层聚酰亚胺类树脂。
光学图案层430可以设置在生物特征信息传感层420和显示层310(见图3)之间。例如，光学图案层430可以直接设置在第四绝缘层426上。例如，光学图案层430和生物特征信息传感层420可以在连续工艺中形成。
在本发明构思的一个实施方式中，光学图案层430直接设置在生物特征信息传感层420上，并且光学图案层430和第二传感电极420-E2之间的距离可因此减少。例如，光2000-L从光学图案层430行进至第二传感电极420-E2的光学路径的总长度可以减少。结果，可防止或减少穿过光学图案层430的光中的干扰，并且指纹识别的精确度可以增加。
光学图案层430可以包括多个透射部件431(下文中称作透射部件)和阻光部件432。透射部件431可以具有光学透明度。透射部件431可以比阻光部件432具有更高的透光率。透射部件431可以包括透明有机材料。阻光部件432可以基本上吸收光。阻光部件432可以包括有机材料。
在平面图中，透射部件431和阻光部件432可以与传感器420-PD重叠。从指纹2000(见图1)反射的光2000-L可穿透透射部件431以在传感器420-PD上入射。
光学图案层430的上表面可以是不均匀的。被边缘431-T围绕的透射部件431的上表面431-U和边缘431-T可以是平坦的。例如，边缘431-T可以与光学图案平面US共面。阻光部件432的上表面432-U可以具有弯曲的表面。阻光部件432的上表面432-U可以为凹面，并且在远离光学图案平面US的方向上凹陷。阻光部件432的上表面432-U可以在第四方向DR4上从包括透射部件431的上表面431-U的光学图案平面US内凹地凹陷。第四方向DR4可以是与第三方向DR3相反的方向。例如，当在如图5中的截面中观察时，阻光部件432的上表面432-U的中心部分可以低于边缘部分。当在截面上观察时，透射部件431中的每一个的侧表面431-S可以与阻光部件432重叠。
阻光部件432可以比邻近的透射部件431具有更小的厚度。例如，阻光部件432的邻近透射部件431的第一区具有的第一厚度432-h1可以大于阻光部件432的在第一方向DR1上与透射部件431间隔开的第二区的第二厚度(最小厚度)432-h2。透射部件431各自可以具有比阻光部件432的最小厚度432-h2更大的最小厚度431-h。
根据本发明构思的实施方式，可以通过干法蚀刻工艺去除阻光部件432的与透射部件431重叠的一部分，并且可以通过湿法蚀刻工艺去除设置在透射部件431上的掩模图案HM(见图8B)。例如，可以通过干法蚀刻工艺和湿法蚀刻工艺去除与透射部件431中的每一个重叠的、减少透射率的材料。因此，可以确保透射部件431中的每一个的透光率。在平面图中，透射部件431可以不与阻光部件432重叠。例如，光2000-L可以无阻碍地通到传感器420-PD。因此，传感单元400可以具有增加的指纹识别性能。
稍后将描述干法蚀刻工艺和湿法蚀刻工艺。
图6是根据本发明构思的实施方式的传感单元的截面图。在图6的描述中，对于通过图5描述的组件给出相同的附图标记，并且在已经省略元件的描述的情况下，可以假设元件至少类似于已经在本说明书中的其他地方描述的对应元件。
参考图6，光学图案层430-1的上表面可以具有不均匀的表面。
透射部件431-1可以包括第一部分431P2和第二部分432P2。第一部分431P2可以具有平坦的上表面。第二部分432P2可从第一部分431P2延伸。第二部分432P2可以从包括第一部分431P2的上表面的平面US-1突出。
在平面图中，第二部分432P2可以围绕第一部分431P2。
第一部分431P2的厚度431-h1可以小于第二部分432P2的厚度431-h2。
第二部分432P2可以通过膨胀形成。膨胀可以指其中透射部件431-1(其为有机材料)通过吸收湿法蚀刻工艺中使用的溶剂而膨胀的现象。
阻光部件432-1的上表面可以具有弯曲的表面。阻光部件432-1的上表面可以为凹面，并且在远离包括第一部分431P2的上表面的平面US-1的方向上凹陷。阻光部件432-1的上表面可以在第四方向DR4上从包括第一部分431P2的上表面的平面US-1内凹地凹陷。例如，当在如图6中的截面中观察时，阻光部件432-1的上表面的中心部分可以低于阻光部件432-1的上表面的边缘部分。
阻光部件432-1可以比邻近的透射部件431-1具有更小的厚度。例如，阻光部件432-1的邻近透射部件431-1的第一区具有的第一厚度432-h11可以大于阻光部件432-1的在第一方向DR1上与透射部件431-1间隔开的第二区的第二厚度(最小厚度)432-h21。
透射部件431-1各自可以具有比阻光部件432-1的最小厚度432-h21更大的最小厚度431-h1。
根据本发明构思的实施方式，可以通过干法蚀刻工艺和湿法蚀刻工艺暴露透射部件431-1的上表面。在平面图中，透射部件431-1可以不与阻光部件432-1重叠。从指纹2000(见图1)反射并朝向透射部件431-1入射的光2000-L可以容易地穿过透射部件431-1。例如，光2000-L可以无阻碍地通到传感器420-PD。因此，传感单元400可以具有增加的指纹识别性能。
图7是根据本发明构思的实施方式的光学图案层的平面图。
参考图7，光学图案层430可以包括透射部件431-1和431-2以及阻光部件432。
在平面图中，透射部件431-1和431-2各自可以具有圆形形状。透射部件431-1和431-2的形状不必限于此，并且透射部件431-1和431-2各自可以形成为各种形状，比如椭圆形和/或多边形。例如，透射部件431-1和431-2各自可以具有六边形形状。
透射部件431-1和431-2可以包括形成第一透射布置431a的第一透射部件431-1，和形成第二透射布置431b的第二透射部件431-2。第一透射部件431-1可以沿着第一方向DR1布置，且第二透射部件431-2也可以沿着第一方向DR1布置。
第一透射布置431a和第二透射布置431b可以沿着第二方向DR2交替地布置。第一透射部件431-1的中心431-1C可以在第二方向DR2上不与第二透射部件431-2的中心431-2C重叠。例如，第一透射部件431-1和第二透射部件431-2可以沿着第二方向DR2以之字形图案布置。
当透射部件431-1和431-2中的一个被定义为中心透射部件431ct时，可以定义以相同的间距PC与中心透射部件431ct间隔开的六个外周透射部件431p。
在平面图中，透射部件431-1和431-2可以不与阻光部件432重叠。阻光部件432可以围绕透射部件431-1和431-2。
图8A至图8F是示出用于形成根据本发明构思的实施方式的光学图案层的工艺的截面图。
参考图8A，生物特征信息传感层420可以提供在基底层410上。生物特征信息传感层420可以包括光接收元件(比如光电二极管)和至少一个绝缘层。可以使用多个掩模工艺以形成生物特征信息传感层420。
透射层OC可以形成在生物特征信息传感层420上。透射层OC可以包括透明有机材料。透射层OC可以包括光敏材料。
掩模层HML可以形成在透射层OC上。掩模层HML可以被称为硬掩模层。
在掩模层HML上形成包括光敏材料的光致抗蚀剂层之后，光致抗蚀剂层可以被图案化以形成光致抗蚀剂图案PRP。
参考图8B，可以使用光致抗蚀剂图案PRP来图案化掩模层HML(见图8A)以形成掩模图案HM。
参考图8C，可以使用掩模图案HM来图案化透射层OC(见图8B)以形成多个透射部件431(下文中，透射部件)。可以使用干法蚀刻工艺以图案化透射部件431。
参考图8D，阻光层APa可以形成在透射部件431和生物特征信息传感层420上。阻光层APa可以包括第一阻光部件APa-1和第二阻光部件APa-2。阻光层APa可以是有色的有机材料层。阻光层APa可以包括其中分散有光吸收颗粒的材料。例如，阻光层APa可以是其中混合有碳类颜料的层。
阻光层APa的上表面可以是不均匀的。例如，当在截面上观察时，阻光层APa的上表面可以具有波浪形状。
阻光层APa的第一阻光部件APa-1可以与掩模图案HM重叠。第一阻光部件APa-1可以设置在包括掩模图案HM的上表面HM-U的平面US1上方。
第二阻光部件APa-2可以不与掩模图案HM重叠。第二阻光部件APa-2可以设置在平面US1下方。
参考图8E，可以通过蚀刻阻光层APa(见图8D)来形成初始阻光部件APb。例如，可以使用干法蚀刻工艺来形成初始阻光部件APb。
干法刻蚀工艺可以是使用混合的化学气体或氩气在等离子体状态下通过离子的加速力和化学作用进行刻蚀的工艺。使用干法蚀刻工艺的方法可以包括使用溅射的溅射蚀刻、反应性离子蚀刻(RIE)、气相蚀刻等。
在干法蚀刻工艺中，可以去除包括固化的有机材料的阻光层APa(见图8D)的一部分。阻光层APa(见图8D)的该部分可以是设置在掩模图案HM上的阻光层APa(见图8D)。通过干法蚀刻工艺可以使掩模图案HM暴露于外侧。
参考图8F，可以去除掩模图案HM(见图8E)以形成阻光部件432。例如，可以使用湿法蚀刻工艺来形成阻光部件432。
湿法蚀刻工艺可以是使用化学溶液来蚀刻的工艺。使用湿法蚀刻工艺的方法可以包括浸渍法(其中，将基板浸入到化学溶液中用于蚀刻)、喷涂方法(其中将化学溶液喷涂在基板上用于蚀刻)和/或旋转方法(其中将基板固定到旋转台上并且用化学溶液浸泡)。
透射部件431中的每一个的上表面431-U可以是基本上平坦的。阻光部件432的上表面432-U可以具有曲度。
湿法蚀刻工艺可以比作为固化的有机层的初始阻光部件APb(见图8E)更容易去除掩模图案HM(见图8E)。
根据本发明构思的实施方式，通过形成初始阻光部件APb和阻光部件432，包括透明有机材料的透射部件431中的每一个的上表面431-U可暴露于外侧。例如，在使用干法蚀刻工艺形成初始阻光部件APb时，可以去除阻光层APa的与透射部件431重叠的一部分，并且在使用湿法蚀刻工艺形成阻光部件432时，可以去除设置在透射部件431上的掩模图案HM。因此，可以确保透射部件431中的每一个的透射率。结果，光2000-L(见图5)可无阻碍地通到传感器420-PD(见图5)。因此，传感单元400(见图5)可以具有增加指纹识别性能。
通过利用本文所述的干法蚀刻工艺和湿法蚀刻工艺的组合，可以制造根据本发明构思的显示装置，其具有通向识别电路的无阻碍透射部件。因此，根据本发明构思的显示装置将具有增加指纹识别性能。
不同于本发明构思的实施方式，当通过化学机械抛光工艺形成透射部件和阻光部件时，在抛光工艺中无法控制透射部件和阻光部件的抛光量。例如，当在抛光工艺中透射部件和阻光部件没有被足够抛光时，阻光层APa(见图8D)的一部分可保留在透射部件中的每一个的上表面上从而防止从指纹2000(见图1)反射的光2000-L(图5)穿过透射部件。另外，即使在抛光完成后，抛光工艺中提供的抛光料浆也可保留在透射部件中的每一个的上表面上，从而防止从指纹2000(见图1)反射的光2000-L(见图5)穿过透射部件。
然而，根据本发明构思的实施方式，使用掩模图案HM(见图8B)使透射层OC(见图8B)被图案化以形成透射部件431，并且在生物特征信息传感层420和透射部件431上方形成阻光层APa(见图8D)。可以使用干法蚀刻工艺去除阻光层APa(见图8D)的与透射部件431重叠的第一阻光部分APa-1(见图8D)。可以使用湿法蚀刻工艺去除设置在透射部件431上的掩模图案HM(见图8E)。例如，可以完全去除与透射部件431重叠而减少透射率的材料。可以暴露透射部件431中的每一个的上表面431-U。可以确保透射部件431的透射率。结果，可以确保光学图案层430的透光率。因此，传感单元400(见图5)可以具有增加的指纹识别性能。
与本发明构思的实施方式不同，当使用化学机械抛光工艺在抛光中对透射部件和阻光部件过度抛光时，光学图案层430可具有非常不均匀的厚度，使得不仅从指纹2000(见图1)的谷反射的光，而且从临近该谷的其他谷反射的光均穿过透射部件，并且被提供至传感器420-PD。这会减少指纹识别的精确度。然而，根据本发明构思的实施方式，光学图案层430可以形成为具有使用干法蚀刻工艺和湿法蚀刻工艺设计的一致厚度。光学图案层430可以基于厚度控制光2000-L的入射角。入射角可以限于预定的角度或更小。光学图案层430可以防止从邻近指纹2000(见图1)的谷的其他谷反射的光到达传感器，这会导致不准确的结果。因此，指纹识别的精确度或敏感度可增加。
图9是示出用于形成根据本发明构思的实施方式的光学图案层的工艺的截面图。在图9的描述中，对于通过图6和图8A至图8F描述的组件给出相同的附图标记，并且在已经省略元件的描述的情况下，可以假设元件至少类似于已经在本说明书中的其他地方描述的对应元件。
参考图9，透射部件431-1各自可通过湿法蚀刻工艺中使用的溶剂而膨胀。在该情况下，在第三方向DR3上突出的突出部分可以沿着透射部件431-1的边缘形成。该突出部分可以是第二部分432P2(见图6)。
根据本发明构思的实施方式，显示装置可以包括生物特征信息传感层和光学图案层。光学图案层可以包括透射部件和阻光部件。可以通过干法蚀刻工艺去除阻光部件的与透射部件重叠的一部分，并且可以通过湿法蚀刻工艺去除设置在透射部件上的掩模图案。例如，可以通过干法蚀刻工艺和湿法蚀刻工艺去除与透射部件重叠而减少透射率的材料。因此，可以确保透射部件的透射率。例如，光可以无阻碍地通到生物特征信息传感层的传感器。因此，传感单元可以具有增加的指纹识别性能。
虽然已经参考本发明构思的多个实施方式描述了本发明构思，但是将理解，本发明构思不应限于这些实施方式，并且在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，本领域技术人员可以做出各种改变和修改。因此，本发明构思的技术范围不旨在限于说明书的详细描述中阐述的内容，而是由所附权利要求限定。

Claims (9)

1.显示装置，包括：
显示层，所述显示层包括有效区和外周区，其中所述外周区邻近所述有效区；
生物特征信息传感层，所述生物特征信息传感层在厚度方向上设置在所述显示层下方并且包括传感器；和
光学图案层，所述光学图案层设置在所述生物特征信息传感层和所述显示层之间的光学图案平面上，并且包括阻光部件和透射部件，其中所述透射部件比所述阻光部件具有更高的可见光的透射率，
其中，所述阻光部件的上表面为凹面，并且在远离所述光学图案平面的方向上凹陷。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透射部件比所述阻光部件在所述厚度方向上具有更大的最小厚度。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光学图案层的上表面是不均匀的。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透射部件的上表面是平坦的。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述阻光部件包括有机材料。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述生物特征信息传感层在所述厚度方向上与所述有效区重叠。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透射部件和所述阻光部件在所述厚度方向上与所述传感器重叠。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光学图案层直接设置在所述生物特征信息传感层上。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述阻光部件比所述透射部件在中心部分具有更小的厚度。
CN202111293346.1A 2020-11-06 2021-11-03 显示装置 Pending CN114447058A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0148053 2020-11-06
KR1020200148053A KR20220062208A (ko) 2020-11-06 2020-11-06 표시 장치 및 이의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114447058A true CN114447058A (zh) 2022-05-06

Family

ID=81362340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111293346.1A Pending CN114447058A (zh) 2020-11-06 2021-11-03 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11676989B2 (zh)
KR (1) KR20220062208A (zh)
CN (1) CN114447058A (zh)

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014089432A (ja) * 2012-03-01 2014-05-15 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置におけるマイクロレンズの形成方法、及び、電子機器
US9287329B1 (en) * 2014-12-30 2016-03-15 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with chamfered polarization layer
US9829614B2 (en) 2015-02-02 2017-11-28 Synaptics Incorporated Optical sensor using collimator
US10437974B2 (en) 2015-06-18 2019-10-08 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. Optical sensing performance of under-screen optical sensor module for on-screen fingerprint sensing
EP3360162B1 (en) 2015-10-07 2022-06-29 Will Semiconductor (Shanghai) Co. Ltd. Image sensor structures for fingerprint sensing
CN108985235A (zh) 2018-07-19 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 光线准直膜片及其制造方法以及光学指纹识别装置
EP4052169A1 (en) * 2019-11-01 2022-09-07 WaveTouch Denmark A/S Method for manufacturing a biometric imaging device by means of nanoimprint lithography
TW202133456A (zh) * 2020-02-13 2021-09-01 日商索尼半導體解決方案公司 顯示裝置、電子機器及顯示裝置之製造方法
KR20210147136A (ko) * 2020-05-27 2021-12-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220027355A (ko) * 2020-08-26 2022-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220053075A (ko) * 2020-10-21 2022-04-29 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서, 지문 센서의 제조 방법, 및 지문 센서를 포함한 표시 장치
KR20220083915A (ko) * 2020-12-11 2022-06-21 삼성디스플레이 주식회사 감지 센서를 포함하는 표시 장치 및 감지 센서 제조 방법
US20220384398A1 (en) * 2021-05-27 2022-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display Apparatus and Manufacturing Method of Display Apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20220149108A1 (en) 2022-05-12
KR20220062208A (ko) 2022-05-16
US11676989B2 (en) 2023-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102655476B1 (ko) 유기발광 표시장치
US10762326B2 (en) Fingerprint identification device and manufacturing method thereof, and electronic device
CN111596783B (zh) 显示设备
JP6253923B2 (ja) タッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置
US11758795B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
US11963426B2 (en) Display device including fingerprint recognition function
US20220093668A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
CN111883561A (zh) 显示装置
CN114495182A (zh) 指纹传感器及包括该指纹传感器的显示装置
CN114597239A (zh) 显示装置
EP4016478B1 (en) Method of manufacturing the detection sensor of a display device
CN113363401A (zh) 显示装置和制造显示装置的方法
US11696484B2 (en) Display device and method of fabricating the same
CN114447058A (zh) 显示装置
US11694468B2 (en) Display device and method of fabricating the same
CN217822812U (zh) 电子装置
US20230361141A1 (en) Electronic device including a fingerprint recognition function
CN219288077U (zh) 显示面板和电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination