CN114438579A - 铜箔粗化液、单面粗化铜箔及其制备方法、集流体及电池 - Google Patents

铜箔粗化液、单面粗化铜箔及其制备方法、集流体及电池 Download PDF

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Abstract

本发明涉及电池技术领域，具体而言，涉及一种铜箔粗化液、单面粗化铜箔及其制备方法、集流体及电池。铜箔粗化液，包括以下浓度的各组分：锌离子源50g/L～120g/L，氯离子源50g/L～120g/L，导电盐75g/L～120g/L，及pH调节剂，pH调节剂维持铜箔粗化液的pH值在4.5～5。在铜箔粗化液作为溶液的基础上，通过连续的正扫和负扫及即可实现Zn2+不断在铜箔表面的沉积、扩散和溶解，实现了铜箔表面粗糙度的调制，提高了铜箔与树脂基材的结合力。

Description

铜箔粗化液、单面粗化铜箔及其制备方法、集流体及电池
技术领域
本发明涉及电池技术领域，具体而言，涉及一种铜箔粗化液、单面粗化铜箔及其制备方法、集流体及电池。
背景技术
常见的表面技术主要是通过各种方法或途径来改变固体金属表面或非金属表面的形态、化学成分和组织结构，提高材料抵御环境作用的能力和赋予材料表面某种功能特性，以满足各种需求。
毛面铜箔具有良好的装饰性、延展性和焊接性，且具有低表面氧气特性和较宽的温度使用范围，因此可以与各种不同类型的基材结合，如金属、绝缘材料(树脂薄膜)等。但是目前的铜箔表面粗糙度较小，导致其与基材，尤其是树脂基材的结合力较弱。
专利CN108425114A采用强酸和强氧化剂作为主要腐蚀剂，通过添加表面活性剂和络合剂来达到铜面腐蚀，其腐蚀厚度小于0.5μm。即铜箔的腐蚀厚度有限，仅能用于提高铜箔与干膜或油墨的结合力，难以实现铜箔与树脂基材的良好结合。
发明内容
基于此，本发明提供了一种能够提升铜箔表面粗糙度的铜箔粗化液、单面粗化铜箔及其制备方法、集流体及电池。
为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：
本发明一方面，提供一种铜箔粗化液，包括以下浓度的各组分：
锌离子源50g/L～120g/L，
氯离子源50g/L～120g/L，
导电盐75g/L～120g/L，及
pH调节剂，所述pH调节剂维持所述铜箔粗化液的pH值在4.5～5。
可选的，如上述所述的铜箔粗化液，所述铜箔粗化液包括以下浓度的各组分：
氯化锌50g/L～120g/L，
导电盐75g/L～120g/L，及
pH调节剂，所述pH调节剂维持所述铜箔粗化液的pH值在4.5～5。
可选的，如上述所述的铜箔粗化液，所述氯化锌和所述导电盐的浓度分别为80g/L～120g/L和75g/L～100g/L。
可选的，如上述所述的铜箔粗化液，所述pH调节剂的浓度为30g/L～100g/L。
可选的，如上述所述的铜箔粗化液，所述导电盐为氯化钾、氯化铵及氯化钠中的至少一种；和/或
所述pH调节剂为硼酸、硼酸钠、硼酸钾、磷酸二氢钠及磷酸二氢钾中的至少一种。
可选的，如上述所述的铜箔粗化液，所述导电盐为氯化钾，所述pH调节剂为硼酸。
本发明一方面，还提供一种单面粗化铜箔的制备方法，包括以下步骤：
以洁净铜箔作工作电极，以上述所述的铜箔粗化液作为溶液，采用循环伏安法对所述洁净铜箔的表面进行扫描。
可选的，如上述所述的单面粗化铜箔的制备方法，所述铜箔粗化液预先在80℃～120℃下恒温处理10min～20min。
可选的，如上述所述的单面粗化铜箔的制备方法，所述循环伏安法的电势扫描范围为-1.2V～0.2V，扫描速率为20mV/s～80mV/s，扫描圈数为1000～20000圈。
本发明另一方面，进一步提供一种如上述所述的制备方法制得的单面粗化铜箔。
本发明另一方面，进一步还提供一种集流体，其包括上述所述的单面粗化铜箔。
本发明再一方面，提供一种电池，其包括电极活性材料和上述所述的集流体，所述电极活性材料附着在所述集流体的所述单面粗化铜箔的粗糙表面上。
本发明采用循环伏安法进行扫描，并以铜箔粗化液作为循环伏安法的溶液实现了铜箔粗化。在铜箔粗化液中添加氯化锌、导电盐，在进行正扫时，Zn2+能够在铜箔表面还原成单质Zn，单质Zn与铜之间具有良好的相互扩散作用，从而使得单质Zn能够在铜箔中扩散；在进行负扫时，单质Zn可以再次溶解形成Zn2+，并进入铜箔粗化液中。这一过程中，铜箔表面存在过单质Zn的位置即会被刻蚀而变得粗糙，通过连续的正扫和负扫即可实现Zn2+不断在铜箔表面的沉积、扩散和溶解，从而实现铜箔表面粗糙度及腐蚀厚度的调制，提高铜箔与树脂等基材的结合力。进一步，铜箔粗化液中的Cl-和导电盐均可起到离子导电作用，从而可以增加铜箔粗化液的离子导电性，保证循环伏安法的电势扫描范围在合理值，避免大量氢气析出，确保刻蚀效果。而且本发明所用的铜箔粗化液中无需强酸(硫酸等)或强氧化剂(过氧化氢等)，避免了强腐蚀环境对设备带来损坏的问题。
另外，本发明提供的制备方法工艺操作简单、省时，能够以较低的成本快速制备单面粗化铜箔，可进行工业化、批量化生产。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一个实施例中制得的铜箔的扫描电镜图。
具体实施方式
现将详细地提供本发明实施方式的参考，其一个或多个实例描述于下文。提供每一实例作为解释而非限制本发明。实际上，对本领域技术人员而言，显而易见的是，可以对本发明进行多种修改和变化而不背离本发明的范围或精神。例如，作为一个实施方式的部分而说明或描述的特征可以用于另一实施方式中，来产生更进一步的实施方式。
因此，旨在本发明覆盖落入所附权利要求的范围及其等同范围中的此类修改和变化。本发明的其它对象、特征和方面公开于以下详细描述中或从中是显而易见的。本领域普通技术人员应理解本讨论仅是示例性实施方式的描述，而非意在限制本发明更广阔的方面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。本发明要素或组分前的不定冠词“一种”和“一个”对要素或组分的数量要求(即出现次数)无限制性。因此“一个”或“一种”应被解读为包括一个或至少一个，并且单数形式的要素或组分也包括复数形式，除非所述数量明显只指单数形式。“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
除了在操作实施例中所示以外或另外表明之外，所有在说明书和权利要求中表示成分的量、物化性质等所使用的数字理解为在所有情况下通过术语“约”、“近似地”、“基本上”、“基本”来调整。因此，除非有相反的说明，否则上述说明书和所附权利要求书中列出的数值参数均是近似值，本领域的技术人员能够利用本文所公开的教导内容寻求获得的所需特性，适当改变这些近似值。当量、浓度、或者其它值或参数以范围、优选范围、或一系列上限优选值和下限优选值限定的范围表示时，这应当被理解为具体公开了由任何范围上限或优选值与任何范围下限或优选值的任一配对所形成的所有范围，而不论该范围是否单独公开了。例如，当公开了范围“1至5”时，所描述的范围应被解释为包括范围“1至4”、“1至3”、“1至2”、“1至2和4至5”、“1至3和5”等。当数值范围在本文中被描述时，除非另外说明，否则该范围意图包括其端值和在该范围内的所有整数和分数，例如，1至5包括1、1.1、1.3、1.5、2、2.75、3、3.80、4和5等等。
“扫描圈数”是指在循环伏安法中同时进行正扫和负扫，例如进行一次正扫和负扫为一圈。
本发明一方面，提供一种铜箔粗化液，包括以下浓度的各组分：
锌离子源50g/L～120g/L，
氯离子源50g/L～120g/L，
导电盐75g/L～120g/L，及
pH调节剂，其中pH调节剂维持铜箔粗化液的pH值在4.5～5。
采用循环伏安法进行扫描，并以铜箔粗化液作为循环伏安法的溶液实现了铜箔粗化。在铜箔粗化液中引入Zn2+、Cl-、导电盐，在进行正扫时，Zn2+能够在铜箔表面还原成单质Zn，单质Zn与铜之间具有良好的相互扩散作用，从而使得单质Zn能够在铜箔中扩散；在进行负扫时，单质Zn可以再次溶解形成Zn2+，并进入铜箔粗化液中。这一过程中，铜箔表面存在过单质Zn的位置即会被刻蚀而变得粗糙，通过连续的正扫和负扫即可实现Zn2+不断在铜箔表面的沉积、扩散和溶解，从而实现铜箔表面粗糙度的调制和提高，提高铜箔与树脂等基材的结合力。进一步，铜箔粗化液中的Cl-和导电盐均可起到离子导电作用，从而可以增加铜箔粗化液的离子导电性，保证循环伏安法的电势扫描范围在合理值，避免大量氢气析出，确保刻蚀效果。而且相较于氟、溴等其他卤素离子源，加入氯离子源可以在避免对仪器产生腐蚀性的同时，显著增加粗化液的离子导电性。
另外，本发明提供的制备方法工艺操作简单、省时，能够以较低的成本快速制备单面粗化铜箔，可进行工业化、批量化生产。
在一些实施方式中，锌离子源主要由水溶性锌离子源提供，例如可以为硫酸锌、氯化锌、硝酸锌等。
在一些实施方式中，氯离子源主要由水溶性氯离子源提供，例如可以为氯化锌、氯化钠、氯化钾、氯化铵等。
在一些实施方式中，铜箔粗化液包括以下浓度的各组分：
氯化锌50g/L～120g/L，
导电盐75g/L～120g/L，及
pH调节剂，pH调节剂维持铜箔粗化液的pH值在4.5～5。
在一些实施方式中，氯化锌的浓度还可以为60g/L、65g/L、70g/L、80g/L、88g/L、90g/L、95g/L、100g/L、105g/L、110g/L等。
在一些实施方式中，导电盐的浓度还可以为80g/L、85g/L、90g/L、98g/L、100g/L、105g/L、110g/L等。
在一些实施方式中，导电盐可以为氯化钾、氯化铵及氯化钠中的至少一种。导电盐的存在可以保证循环伏安法扫描电势在合理范围内，从而不会导致氢气大量析出，保证了腐蚀效果。而且上述导电盐中的阳离子在正扫过程中会晚于锌离子析出，确保了腐蚀工艺的一致性。优选的，导电盐为氯化钾。氯化钾可以在溶液中完全电离形成具有离子导电性的氯离子和钾离子，而且钾离子在溶液中的迁移速率较大。而氯化锌在提供锌离子和氯离子用于粗化铜箔的同时，也具有一定程度的导电作用，但是需调控氯化锌的浓度在合理范围内，否则会导致铜箔出现过腐蚀现象或腐蚀不均匀，而且锌离子的迁移速率低于钾离子，因此需将氯化锌和氯化钾配合使用以达到最优效果。
在一些实施方式中，为了稳定循环伏安法扫描过程中pH值的稳定性，需在铜箔粗化液中加入pH调节剂。优选的，pH调节剂的浓度为30g/L～100g/L之间的任意值，例如，pH调节剂的浓度还可以为40g/L、50g/L、60g/L、65g/L、70g/L、77g/L、80g/L、90g/L。
在一些实施方式中，pH调节剂主要为酸性pH调节剂，例如可以为硼酸、硼酸钠、硼酸钾、磷酸二氢钠及磷酸二氢钾中的至少一种。优选的，pH调节剂为硼酸。硼酸作为pH调节剂对酸碱均有缓冲作用，可以使得粗化液的pH值稳定在4.5～5。
本发明一方面，还提供一种单面粗化铜箔的制备方法，包括以下步骤：
以洁净铜箔作工作电极，以上述铜箔粗化液作为溶液，采用循环伏安法对洁净铜箔的表面进行扫描。
在一些实施方式中，铜箔粗化液预先进行恒温处理，所述恒温处理的参数以本领域公知的任意参数即可，例如所述恒温处理的温度可以为80℃～120℃，时间可以为10min～20min。
在一些实施方式中，循环伏安法的电势扫描范围根据标准电极电势进行确定即可，同时要保证氢气析出量不能过大，确保工艺稳定性，例如电势扫描范围可以为-1.2V～0.2V之间的任意值，扫描速率可以为20mV/s～80mV/s之间的任意值，扫描圈数可以为1000～20000圈之间的任意值。
在一些实施方式中，洁净铜箔指的是表面进行除油除杂后的铜箔，其中除杂包括去除铜箔表面的灰尘等杂质，还包括去除氧化膜。
本发明另一方面，进一步提供一种如上述所述的制备方法制得的单面粗化铜箔。
本发明另一方面，进一步还提供一种集流体，其包括上述所述的单面粗化铜箔。
本发明再一方面，提供一种电池，其包括电极活性材料和上述所述的集流体，所述电极活性材料附着在集流体的单面粗化铜箔的粗糙表面上。
以下结合具体实施例和对比例作进一步详细的说明。
实施例1
1)制备铜箔粗化液
将ZnCl2、KCl和H3BO3混合溶解配制成2L的粗化液，随后将粗化液置于温度80℃恒温水浴中保温10min，其中ZnCl2、KCl和H3BO3的浓度分别为50g/L、75g/L和30g/L；
2)制备单面粗化铜箔
将尺寸为10cm2×10cm2的预先除油除锈后的铜箔作为工作电极，铂钛网为对电极，锌片为参比电极，粗化液作为溶液，在电化学工作站采用循环伏安扫描进行铜箔粗化，制得单面粗化铜箔，对该单面粗化铜箔进行扫面电镜测试，如图1所示。其中，循环伏安扫描过程中电势扫描范围为-1.0V～0.2V，扫描速度为20mV/s，扫描1000圈。对制得的单面粗化铜箔进行相关性能测试，测试结果如表2所示。
实施例2
1)制备铜箔粗化液
将ZnCl2、KCl和H3BO3混合溶解配制成2L的粗化液，随后将粗化液置于温度80℃恒温水浴中保温10min，其中ZnCl2、KCl和H3BO3的浓度分别为60g/L、75g/L和30g/L；
2)制备单面粗化铜箔
将尺寸为10cm2×10cm2的预先除油除锈后的铜箔作为工作电极，铂钛网为对电极，锌片为参比电极，粗化液作为溶液，在电化学工作站采用循环伏安扫描进行铜箔粗化，制得单面粗化铜箔。其中，循环伏安扫描过程中电势扫描范围为-1.0V～0.2V，扫描速度为20mV/s，扫描1000圈。对制得的单面粗化铜箔进行相关性能测试，测试结果如表2所示。
实施例3
1)制备铜箔粗化液
将ZnCl2、KCl和H3BO3混合溶解配制成2L的粗化液，随后将粗化液置于温度80℃恒温水浴中保温10min，其中ZnCl2、KCl和H3BO3的浓度分别为80g/L、75g/L和30g/L；
2)制备单面粗化铜箔
将尺寸为10cm2×10cm2的预先除油除锈后的铜箔作为工作电极，铂钛网为对电极，锌片为参比电极，粗化液作为溶液，在电化学工作站采用循环伏安扫描进行铜箔粗化，制得单面粗化铜箔。其中，循环伏安扫描过程中电势扫描范围为-1.0V～0.2V，扫描速度为20mV/s，扫描1000圈。对制得的单面粗化铜箔进行相关性能测试，测试结果如表2所示。
实施例4
1)制备铜箔粗化液
将ZnCl2、KCl和H3BO3混合溶解配制成2L的粗化液，随后将粗化液置于温度80℃恒温水浴中保温10min，其中ZnCl2、KCl和H3BO3的浓度分别为120g/L、75g/L和30g/L；
2)制备单面粗化铜箔
将尺寸为10cm2×10cm2的预先除油除锈后的铜箔作为工作电极，铂钛网为对电极，锌片为参比电极，粗化液作为溶液，在电化学工作站采用循环伏安扫描进行铜箔粗化，制得单面粗化铜箔。其中，循环伏安扫描过程中电势扫描范围为-1.0V～0.2V，扫描速度为20mV/s，扫描1000圈。对制得的单面粗化铜箔进行相关性能测试，测试结果如表2所示。
实施例5
1)制备铜箔粗化液
将ZnCl2、KCl和H3BO3混合溶解配制成2L的粗化液，随后将粗化液置于温度100℃恒温水浴中保温20min，其中ZnCl2、KCl和H3BO3的浓度分别为80g/L、75g/L和75g/L；
2)制备单面粗化铜箔
将尺寸为10cm2×10cm2的预先除油除锈后的铜箔作为工作电极，铂钛网为对电极，锌片为参比电极，粗化液作为溶液，在电化学工作站采用循环伏安扫描进行铜箔粗化，制得单面粗化铜箔。其中，循环伏安扫描过程中电势扫描范围为-1.2V～0.1V，扫描速度为30mV/s，扫描1500圈。对制得的单面粗化铜箔进行相关性能测试，测试结果如表2所示。
实施例6
1)制备铜箔粗化液
将ZnCl2、KCl和H3BO3混合溶解配制成2L的粗化液，随后将粗化液置于温度120℃恒温水浴中保温20min，其中ZnCl2、KCl和H3BO3的浓度分别为100g/L、100g/L和100g/L；
2)制备单面粗化铜箔
将尺寸为10cm2×10cm2的预先除油除锈后的铜箔作为工作电极，铂钛网为对电极，锌片为参比电极，粗化液作为溶液，在电化学工作站采用循环伏安扫描进行铜箔粗化，制得单面粗化铜箔。其中，循环伏安扫描过程中电势扫描范围为-1.2V～0.2V，扫描速度为50mV/s，扫描1800圈。对制得的单面粗化铜箔进行相关性能测试，测试结果如表2所示。
实施例7
1)制备铜箔粗化液
将ZnCl2、KCl和H3BO3混合溶解配制成2L的粗化液，随后将粗化液置于温度120℃恒温水浴中保温20min，其中ZnCl2、KCl和H3BO3的浓度分别为120g/L、120g/L和120g/L；
2)制备单面粗化铜箔
将尺寸为10cm2×10cm2的预先除油除锈后的铜箔作为工作电极，铂钛网为对电极，锌片为参比电极，粗化液作为溶液，在电化学工作站采用循环伏安扫描进行铜箔粗化，制得单面粗化铜箔。其中，循环伏安扫描过程中电势扫描范围为-1.2V～0.1V，扫描速度为60mV/s，扫描2000圈。对制得的单面粗化铜箔进行相关性能测试，测试结果如表2所示。
对比例1
本对比例与实施例1的制备方法基本相同，不同之处在于：粗化液中ZnCl2的浓度为20g/L。具体步骤如下：
1)制备铜箔粗化液
将ZnCl2、KCl和H3BO3混合溶解配制成2L的粗化液，随后将粗化液置于温度80℃恒温水浴中保温10min，其中ZnCl2、KCl和H3BO3的浓度分别为20g/L、75g/L和30g/L；
2)制备单面粗化铜箔
将尺寸为10cm2×10cm2的预先除油除锈后的铜箔作为工作电极，铂钛网为对电极，锌片为参比电极，粗化液作为溶液，在电化学工作站采用循环伏安扫描进行铜箔粗化，制得单面粗化铜箔。其中，循环伏安扫描过程中电势扫描范围为-1.0V～0.2V，扫描速度为20mV/s，扫描1000圈。对制得的单面粗化铜箔进行相关性能测试，测试结果如表2所示。
对比例2
本对比例与实施例1的制备方法基本相同，不同之处在于：粗化液中KCl的浓度为30g/L。具体步骤如下：
1)制备铜箔粗化液
将ZnCl2、KCl和H3BO3混合溶解配制成2L的粗化液，随后将粗化液置于温度80℃恒温水浴中保温10min，其中ZnCl2、KCl和H3BO3的浓度分别为50g/L、30g/L和30g/L；
2)制备单面粗化铜箔
将尺寸为10cm2×10cm2的预先除油除锈后的铜箔作为工作电极，铂钛网为对电极，锌片为参比电极，粗化液作为溶液，在电化学工作站采用循环伏安扫描进行铜箔粗化，制得单面粗化铜箔。其中，循环伏安扫描过程中电势扫描范围为-1.0V～0.2V，扫描速度为20mV/s，扫描1000圈。对制得的单面粗化铜箔进行相关性能测试，测试结果如表2所示。
对比例3
本对比例与实施例1的制备方法基本相同，不同之处在于：将粗化液中的ZnCl2替换为FeCl3。具体步骤如下：
1)制备铜箔粗化液
将ZnCl2、KCl和H3BO3混合溶解配制成2L的粗化液，随后将粗化液置于温度80℃恒温水浴中保温10min，其中FeCl3、KCl和H3BO3的浓度分别为50g/L、75g/L和30g/L；
2)制备单面粗化铜箔
将尺寸为10cm2×10cm2的预先除油除锈后的铜箔作为工作电极，铂钛网为对电极，锌片为参比电极，粗化液作为溶液，在电化学工作站采用循环伏安扫描进行铜箔粗化，循环伏安扫描过程中电势扫描范围为-1.0V～0.2V，扫描速度为20mV/s，扫描1000圈。将铜箔取出后发现铜箔表面无法粗化。
上述各实施例和对比例中铜箔粗化液的配方具体如表1所示：
表1
主盐(g/L) 导电盐(KCl，g/L) pH调节剂(H<sub>3</sub>BO<sub>3</sub>，g/L)
实施例1 50ZnCl<sub>2</sub> 75 30
实施例2 60ZnCl<sub>2</sub> 75 30
实施例3 80ZnCl<sub>2</sub> 75 30
实施例4 120ZnCl<sub>2</sub> 75 30
实施例5 80ZnCl<sub>2</sub> 75 75
实施例6 100ZnCl<sub>2</sub> 100 100
实施例7 120ZnCl<sub>2</sub> 120 120
对比例1 20ZnCl<sub>2</sub> 75 30
对比例2 50ZnCl<sub>2</sub> 30 30
对比例3 50FeCl<sub>3</sub> 75 30
对各实施例和对比例制得的粗化铜箔进行相关性能测试，测试结果如表2所示：
1)粗糙度测试：使用激光共聚焦显微镜VKX-1000，按照标准ISO25178-6-2010进行测试。
2)剥离强度测试：将铜箔与FR-4半固化片粘附后，使用微机控制电子万能试验机CMT6103，按照标准IPC-TM-650 2.4.8测试。
表2
粗糙度(μm) 剥离强度(N mm<sup>-1</sup>)
实施例1 3.5 1.88
实施例2 3.7 1.92
实施例3 4.1 2.05
实施例4 4.4 2.26
实施例5 4.2 2.21
实施例6 4.5 2.24
实施例7 3.8 2.17
对比例1 1.1 0.73
对比例2 6.8 0.66
对比例3 0 -
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种铜箔粗化液，其特征在于，包括以下浓度的各组分：
锌离子源50g/L～120g/L，
氯离子源50g/L～120g/L，
导电盐75g/L～120g/L，及
pH调节剂，所述pH调节剂维持所述铜箔粗化液的pH值在4.5～5。
2.根据权利要求1所述的铜箔粗化液，其特征在于，包括以下浓度的各组分：
氯化锌50g/L～120g/L，
导电盐75g/L～120g/L，及
pH调节剂，所述pH调节剂维持所述铜箔粗化液的pH值在4.5～5。
3.根据权利要求2所述的铜箔粗化液，其特征在于，所述氯化锌和所述导电盐的浓度分别为80g/L～120g/L和75g/L～100g/L。
4.根据权利要求1所述的铜箔粗化液，其特征在于，所述pH调节剂的浓度为30g/L～100g/L。
5.根据权利要求1～4任一项所述的铜箔粗化液，其特征在于，所述导电盐为氯化钾、氯化铵及氯化钠中的至少一种；和/或
所述pH调节剂为硼酸、硼酸钠、硼酸钾、磷酸二氢钠及磷酸二氢钾中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的铜箔粗化液，其特征在于，所述导电盐为氯化钾，所述pH调节剂为硼酸。
7.一种单面粗化铜箔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
以洁净铜箔作工作电极，以权利要求1～6任一项所述的铜箔粗化液作为溶液，采用循环伏安法对所述洁净铜箔的表面进行扫描。
8.根据权利要求7所述的单面粗化铜箔的制备方法，其特征在于，所述铜箔粗化液预先在80℃～120℃下恒温处理10min～20min。
9.根据权利要求7或8所述的单面粗化铜箔的制备方法，其特征在于，所述循环伏安法的电势扫描范围为-1.2V～0.2V，扫描速率为20mV/s～80mV/s，扫描圈数为1000～20000圈。
10.一种如权利要求7～9任一项所述的制备方法制得的单面粗化铜箔。
11.一种集流体，其包括权利要求10所述的单面粗化铜箔。
12.一种电池，其包括电极活性材料和权利要求11所述的集流体，所述电极活性材料附着在所述集流体的所述单面粗化铜箔的粗糙表面上。
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