CN114436608A - 一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 32
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims abstract description 25
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims abstract description 11
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims abstract description 6
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-OUBTZVSYSA-N magnesium-25 atom Chemical compound [25Mg] FYYHWMGAXLPEAU-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007888 film coating Substances 0.000 abstract description 4
- 238000009501 film coating Methods 0.000 abstract description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 abstract description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B28/00—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements
- C04B28/02—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing hydraulic cements other than calcium sulfates
- C04B28/10—Lime cements or magnesium oxide cements
- C04B28/105—Magnesium oxide or magnesium carbonate cements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/34—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater flexible, e.g. heating nets or webs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/90—Electrical properties
- C04B2111/92—Electrically insulating materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明涉及一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料。本发明提供了阻隔浆料，其中含有二氧化硅、氧化钙、活性氧化镁、氧化镁、蒸馏水，整个浆料制作快速简单，可以即配即用，经济效益高，可大批量工业化稳定生产，经高温烧结后不会开裂，可以完美的覆盖在镀膜基体的绝缘处防止镀膜，且经高温烧结后易清洗，用手擦拭即可除去，用水冲洗更清洁快速。半导体纳米电热膜阻隔浆料使用在镀膜工艺之前，可以防止半导体纳米电热膜镀膜在基体绝缘处，之后无需再做除膜加工处理，极大的提高了半导体纳米电热膜发热体的生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体纳米电热膜技术领域，具体为一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料。
背景技术
半导体纳米电热膜是新一代的发热材料。它的发热方式不同于传统金属电阻丝。它零感抗，纯电阻发热，可接受1V-1000V电压输入，供电电源不分正负，交直流均可使用。并且以面状发热打破了传统的线状发热形态，热传递效果好，电热转换效率高：80％～97％，具有较好的节能优势。其具有抗酸碱腐蚀，抗氧化，阻燃，防潮，膜层硬度高，需金刚砂以上的硬度打磨才会破坏膜层，膜层无毒、无有害辐射、无任何污染等物化性质。
在半导体纳米电热膜不发热区域需要做绝缘处理，也就是所谓的去除多余的电热膜区域。除膜技术中一般包含激光除膜，打磨，喷砂除膜，化学腐蚀等方法，但这些方式大多运用在镀膜后再进行的后续加工除膜处理，适用于小批量，少量打样时运用。但在大批量生产时，后期的加工会造成大量的人工和时间成本。在基体上涂布阻隔浆料，在镀膜前就可以防止半导体纳米电热膜镀膜在基体绝缘处，之后无需再除膜加工处理，极大的提高了半导体纳米电热膜发热体的生产效率。
发明内容
鉴于现有技术中所存在的问题，本发明公开了一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其主要成分及重量份配比为：
作为本发明的一种优选方案，氧化镁选用重质氧化镁。
作为本发明的一种优选方案，通过控制蒸馏水、活性氧化镁和氧化镁的加入量来控制浆料的稀稠度。
作为本发明的一种优选方案，采用毛刷涂刷方式将阻隔浆料涂布在半导体纳米电热膜基体的绝缘部位，然后将基体通过高温烧结镀上半导体纳米电热膜，在涂布了阻隔浆料的部位不会形成电热膜，待冷却后通过物理摩擦或水冲洗的方式去除半导体纳米电热膜阻隔浆料，然后便可将镀膜基体制作银浆电极和接线端子。
本发明的有益效果：本发明提供了阻隔浆料，其中含有二氧化硅、氧化钙、活性氧化镁、氧化镁、蒸馏水，整个浆料制作快速简单，可以即配即用，经济效益高，可大批量工业化稳定生产，经高温烧结后不会开裂，可以完美的覆盖在镀膜基体的绝缘处防止镀膜，且经高温烧结后易清洗，用手擦拭即可除去，用水冲洗更清洁快速。半导体纳米电热膜阻隔浆料使用在镀膜工艺之前，可以防止半导体纳米电热膜镀膜在基体绝缘处，之后无需再做除膜加工处理，极大的提高了半导体纳米电热膜发热体的生产效率。
具体实施方式
实施例1
本发明所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其主要成分及重量份配比为：
其中氧化镁选用重质氧化镁；通过控制蒸馏水、活性氧化镁和氧化镁的加入量来控制浆料的稀稠度；采用毛刷涂刷方式将阻隔浆料涂布在半导体纳米电热膜基体的绝缘部位，然后将基体通过高温烧结镀上半导体纳米电热膜，在涂布了阻隔浆料的部位不会形成电热膜，待冷却后通过物理摩擦或水冲洗的方式去除半导体纳米电热膜阻隔浆料，然后便可将镀膜基体制作银浆电极和接线端子。
实施例2
本发明所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其主要成分及重量份配比为：
其中氧化镁选用重质氧化镁；通过控制蒸馏水、活性氧化镁和氧化镁的加入量来控制浆料的稀稠度；采用毛刷涂刷方式将阻隔浆料涂布在半导体纳米电热膜基体的绝缘部位，然后将基体通过高温烧结镀上半导体纳米电热膜，在涂布了阻隔浆料的部位不会形成电热膜，待冷却后通过物理摩擦或水冲洗的方式去除半导体纳米电热膜阻隔浆料，然后便可将镀膜基体制作银浆电极和接线端子。
实施例3
本发明所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其主要成分及重量份配比为：
其中氧化镁选用重质氧化镁；通过控制蒸馏水、活性氧化镁和氧化镁的加入量来控制浆料的稀稠度；采用毛刷涂刷方式将阻隔浆料涂布在半导体纳米电热膜基体的绝缘部位，然后将基体通过高温烧结镀上半导体纳米电热膜，在涂布了阻隔浆料的部位不会形成电热膜，待冷却后通过物理摩擦或水冲洗的方式去除半导体纳米电热膜阻隔浆料，然后便可将镀膜基体制作银浆电极和接线端子。
本文中未详细说明的部分为现有技术。
上述虽然对本发明的具体实施例作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化，而不具备创造性劳动的修改或变形仍在本发明的保护范围以内。
Claims (7)
1.一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于，其主要成分及重量份配比为：二氧化硅5％-10％、氧化钙5％-10％、活性氧化镁10％-15％、氧化镁30％-55％、蒸馏水25％-35％。
2.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于：由二氧化硅5％、氧化钙5％、活性氧化镁10％、氧化镁55％、蒸馏水25％组成。
3.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于：由二氧化硅10％、氧化钙10％、活性氧化镁15％、氧化镁30％、蒸馏水35％组成。
4.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于：由二氧化硅7％、氧化钙7％、活性氧化镁13％、氧化镁43％、蒸馏水30％组成。
5.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于：氧化镁选用重质氧化镁。
6.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于：通过控制蒸馏水、活性氧化镁和氧化镁的加入量来控制浆料的稀稠度。
7.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于：采用毛刷涂刷方式将阻隔浆料涂布在半导体纳米电热膜基体的绝缘部位。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210125444.2A CN114436608A (zh) | 2022-02-10 | 2022-02-10 | 一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210125444.2A CN114436608A (zh) | 2022-02-10 | 2022-02-10 | 一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料 |
Publications (1)
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|---|---|
| CN114436608A true CN114436608A (zh) | 2022-05-06 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210125444.2A Pending CN114436608A (zh) | 2022-02-10 | 2022-02-10 | 一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114436608A (zh) |
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