CN114433541A - 一种石墨舟清洗工艺 - Google Patents

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李正清
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Abstract

本发明公开了一种石墨舟清洗工艺,包括以下步骤,拆舟,使用酸洗液对石墨舟进行洗涤,酸洗液为氢氟酸和双氧水的混合溶液,HF与H2O2的配槽比例为1:2,水洗至中性,干燥,装舟和,饱和。本发明的清洗工艺能有效去除石墨舟表面的杂质,提高了石墨舟表面的洁净度,降低因石墨舟清洗不到位而导致的硅片返工比例;同时能够延长石墨舟的使用寿命,降低石墨舟的损耗;石墨舟酸洗液配比起到了促进反应的作用,缩短了清洗时间;石墨舟清洗方法工艺操作简单,清洗成本较低,适用性广。

Description

一种石墨舟清洗工艺
【技术领域】
本发明涉及太阳能电池制造技术领域,具体涉及一种石墨舟清洗工艺。
【背景技术】
随着光伏行业的发展和技术的不断创新,在太阳能电池片制造过程中的镀膜工序也由原来的板式PECVD转变为管式PECVD,目的是在电池片表面镀上减反射膜(减反射膜成分为氮化硅),增加电池片对太阳光的吸收,从而提高太阳能电池片的光电转换效率。
在管式PECVD镀膜时需借助石墨舟为载体,而在使用次数较多时,石墨舟表面沉积的氮化硅较厚且分布不均匀,这样导致太阳能电池片上沉积的氮化硅薄膜也分布不均匀,从而导致电池片出现严重的色差问题,目前解决此类问题大多数企业采用了石墨舟清洗和饱和工艺,主要为:在石墨舟使用约80次后,对其进行清洗,然后饱和处理。
目前主要的清洗工艺主要为将石墨舟整舟放入以氢氟酸与纯水1:5的配比溶液中浸泡清洗2小时,然后用纯水清洗1小时,后烘干(烘干温度150摄氏度,烘干4小时),烘干结束后直接进行饱和工艺。但现有的清洗石墨舟的工艺方法存在以下缺陷:
其一溶液浓度较低且整舟清洗无法完全将石墨舟表面的氮化硅薄膜清洗干净;其二烘干时间较短,无法将石墨舟内水分完全烘干;其三饱和工艺时会将石墨卡点内部沉积上氮化硅,影响了石墨舟正常使用时和电池片的导电性,镀膜色差较严重,镀膜返工率较高。针对上述提出的问题,亟需设计出一种石墨舟清洗工艺。
【发明内容】
为解决上述问题,本发明的目的在于提供一种石墨舟清洗工艺,解决了现有清洗工艺容易较难将石墨舟表面的氮化硅薄膜清洗干净,烘干时间较短,无法将石墨舟内水分完全烘干,因整舟清洗导致饱和工艺时会将石墨卡点内部沉积上氮化硅,影响了石墨舟正常使用时和电池片的导电性,镀膜色差较严重,镀膜返工率较高的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种石墨舟清洗工艺,包括具体工艺步骤如下:
步骤1:将待酸洗的石墨舟四周螺母松开,进入步骤2;
步骤2:将步骤1所得的石墨舟放入清洗机的清洗槽中,使用酸洗液进行洗涤,酸洗液为氢氟酸和双氧水的混合溶液,所述酸洗液中,HF与H2O2的配槽比例为1:2,石墨舟完全放入清洗机的清洗槽后,对石墨舟开始浸泡清洗,石墨舟浸泡清洗的时间为4-6h,进入步骤3;
步骤3:将步骤2所得洗涤后的石墨舟取出,放入纯水清洗槽进行多次水洗,待水洗完毕后,使用水枪对石墨舟角落进行冲洗,使石墨舟取出时没有氮化硅残留,进入步骤4;
步骤4:将步骤3所得的石墨舟抬至待吹干平台,使用风枪将石墨舟每个位置吹扫至没有脏污、水分残留,然后将石墨舟抬进烘箱内,打开烘箱进行烘干,进入步骤5;
步骤5:将步骤4所得烘干后的石墨舟抬至校舟器进行校准后,进入步骤6;
步骤6:将步骤6所得的石墨舟放入镀膜机中运行饱和工艺,进行饱和操作。
优选的,所述步骤2中HF与H2O2混合后进行鼓泡,鼓泡的气源为N2。
优选的,所述步骤3中石墨舟在每次清洗后,需要对清洗后的水进行pH值测试,直至清洗水pH值呈中性。
优选的,所述步骤4中石墨舟的烘干时间10h。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
本发明提供的石墨舟清洗工艺,通过石墨舟酸洗液配比起到了促进反应的作用,缩短了清洗时间;每次更换清洗水需前测试清洗水的pH值,直至石墨舟清洗水pH呈中性,后再用水枪对石墨舟表面仔细冲洗,解决了现有清洗工艺容易较难将石墨舟表面的氮化硅薄膜清洗干净的问题,提高了石墨舟表面的洁净度,降低因石墨舟清洗不到位而导致的硅片返工比例;烘干时间长达十个小时,可以将石墨舟内水分完全烘干;并且因将石墨舟四周螺母松开,清洗过程中避免了饱和工艺时会将石墨卡点内部沉积上氮化硅,提升了石墨舟正常使用时和电池片的导电性,使镀膜返工率大大降低,本石墨舟清洗工艺操作简单,清洗成本较低,适用性广。
【具体实施方式】
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面对本发明作进一步详细描述。
实施例1
一种石墨舟清洗工艺如下:
步骤1:将待酸洗的石墨舟四周螺母松开,进入步骤2;
步骤2:将步骤1所得的石墨舟放入清洗机的清洗槽中,使用酸洗液进行洗涤,酸洗液为氢氟酸和双氧水的混合溶液,所述酸洗液中,HF与H2O2的配槽比例为1:2,HF与H2O2混合后进行鼓泡,鼓泡的气源为N2,石墨舟完全放入清洗机的清洗槽后,对石墨舟开始浸泡清洗,石墨舟浸泡清洗的时间为4-6h,进入步骤3;
步骤3:将步骤2所得洗涤后的石墨舟取出,放入纯水清洗槽进行多次水洗,石墨舟在每次清洗后,需要对清洗后的水进行pH 值测试,直至清洗水pH值呈中性,待水洗完毕后,使用水枪对石墨舟角落进行冲洗,使石墨舟取出时没有氮化硅残留,进入步骤4;
步骤4:将步骤3所得的石墨舟抬至待吹干平台,使用风枪将石墨舟每个位置吹扫至没有脏污、水分残留,然后将石墨舟抬进烘箱内,打开烘箱进行烘干,石墨舟的烘干时间10h,进入步骤5;
步骤5:将步骤4所得烘干后的石墨舟抬至校舟器进行校准后,进入步骤6;
步骤6:将步骤6所得的石墨舟放入镀膜机中运行饱和工艺,进行饱和操作。
实施例2,石墨舟的清洗工艺如下:
步骤1:将待酸洗的石墨舟整舟放入清洗机的清洗槽中,使用酸洗液进行洗涤,酸洗液为氢氟酸和双氧水的混合溶液,所述酸洗液中,HF与H2O2的配槽比例为2:8,石墨舟完全放入清洗机的清洗槽后,对石墨舟开始浸泡清洗,石墨舟浸泡清洗的时间为6-8h,进入步骤2;
步骤2:将步骤1所得洗涤后的石墨舟取出,放入纯水清洗槽进行多次水洗,石墨舟在每次清洗后,需要对清洗后的水进行pH 值测试,直至清洗水pH值呈中性,进入步骤3;
步骤3:将步骤2所得的石墨舟抬至待吹干平台,使用风枪将石墨舟每个位置吹扫至没有脏污、水分残留,然后将石墨舟抬进烘箱内,打开烘箱进行烘干,石墨舟的烘干时间6h,进入步骤4;
步骤4:将步骤3所得烘干后的石墨舟抬至校舟器进行校准后,进入步骤5;
步骤5:将步骤4所得的石墨舟放入镀膜机中运行饱和工艺,进行饱和操作。
检测结果
实施例2与实施例1基本相同,不同之处在于实施例1中将待清洗的石墨舟四周螺母松开,相较于实施例2中的整舟清洗,避免了饱和工艺时会将石墨卡点内部沉积上氮化硅,提升了石墨舟正常使用时和电池片的导电性,使镀膜返工率大大降低;且实施例1中 HF与H2O2配槽比例为1:2,通过石墨舟酸洗液配比起到了促进反应的作用,缩短了清洗时间;并且每次更换清洗水需前测试清洗水的pH值,直至石墨舟清洗水pH呈中性,后再用水枪对石墨舟表面仔细冲洗,解决了现有清洗工艺容易较难将石墨舟表面的氮化硅薄膜清洗干净的问题;烘干时间长达十个小时,可以将石墨舟内水分完全烘干,使实施例1解决了现有清洗工艺容易较难将石墨舟表面的氮化硅薄膜清洗干净的问题,提高了石墨舟表面的洁净度,降低因石墨舟清洗不到位而导致的硅片返工比例。
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种石墨舟清洗工艺,其特征在于,具体工艺步骤如下:
步骤1:将待酸洗的石墨舟四周螺母松开,进入步骤2;
步骤2:将步骤1所得的石墨舟放入清洗机的清洗槽中,使用酸洗液进行洗涤,酸洗液为氢氟酸和双氧水的混合溶液,所述酸洗液中,HF与H2O2的配槽比例为1:2,石墨舟完全放入清洗机的清洗槽后,对石墨舟开始浸泡清洗,石墨舟浸泡清洗的时间为4-6h,进入步骤3;
步骤3:将步骤2所得洗涤后的石墨舟取出,放入纯水清洗槽进行多次水洗,待水洗完毕后,使用水枪对石墨舟角落进行冲洗,使石墨舟取出时没有氮化硅残留,进入步骤4;
步骤4:将步骤3所得的石墨舟抬至待吹干平台,使用风枪将石墨舟每个位置吹扫至没有脏污、水分残留,然后将石墨舟抬进烘箱内,打开烘箱进行烘干,进入步骤5;
步骤5:将步骤4所得烘干后的石墨舟抬至校舟器进行校准后,进入步骤6;
步骤6:将步骤6所得的石墨舟放入镀膜机中运行饱和工艺,进行饱和操作。
2.如权利要求1所述的一种石墨舟清洗工艺,其特征在于:所述步骤2中HF与H2O2混合后进行鼓泡,鼓泡的气源为N2。
3.如权利要求1所述的一种石墨舟清洗工艺,其特征在于:所述步骤3中石墨舟在每次清洗后,需要对清洗后的水进行pH值测试,直至清洗水pH值呈中性。
4.如权利要求1所述的一种石墨舟清洗工艺,其特征在于:所述步骤4中石墨舟的烘干时间10h。
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