CN114428526A - 一种恒温控制方法、系统及装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种恒温控制方法、系统及装置,所述方法包括:通过温度传感器,对第一容置空间的温度进行监测,获得第一温度值;通过温度设定模块进行温度值预设,获得第一预设温度;判断第一温度值是否超出,或未达到第一预设温度;如果超出响应温度控制模块,获得第一温控逻辑;如果未达到响应温度控制模块,获得第二温控逻辑;根据第一温控逻辑或第二温控逻辑,利用半导体制冷片,对第一温度值进行恒温控制。达到了对实际的空间温度值进行精准调整,使得温度控制精度可以达到+/‑1度以内,简化了装置结构,使得温控成本降低,且满足特定温控需求的技术效果。
Description
技术领域
本申请涉及温度控制领域,尤其涉及一种恒温控制方法、系统及装置。
背景技术
环境温度控制有多种方式,比如空调,冰箱。另外还有一些需求对温度更精确,如特质的恒温箱,冰箱,空调等带压缩机的恒温箱等。大多采用压缩机。通过制冷剂压缩散热,然后膨胀吸热的循环过程,让箱体内温度下降。
然而现有技术中存在恒温箱体积过大、温控成本高,无法满足特定温控需求的技术问题。
发明内容
本申请的目的是提供一种恒温控制方法、系统及装置,用以解决现有技术中恒温箱体积过大、温控成本高,无法满足特定温控需求的技术问题。
鉴于上述问题,本申请实施例提供了一种恒温控制方法、系统及装置。
第一方面,本申请提供了一种恒温控制方法,所述方法应用于一种恒温控制装置,所述装置包括温度监测模块、温度设定模块以及温度控制模块,所述方法包括:基于所述温度监测模块的温度传感器,对第一容置空间的温度进行监测,获得第一温度值;基于所述温度设定模块,对所述第一容置空间进行温度值预设,获得第一预设温度;判断所述第一温度值是否超出,或未达到所述第一预设温度;若所述第一温度值超出所述第一预设温度,响应所述温度控制模块,获得第一温控逻辑;若所述第一温度值未达到所述第一预设温度,响应所述温度控制模块,获得第二温控逻辑;根据所述第一温控逻辑或所述第二温控逻辑,利用所述温度控制模块的半导体制冷片,对所述第一温度值进行恒温控制。
另一方面,本申请提供了一种恒温控制系统,用于执行如第一方面所述的一种恒温控制方法,其中,所述系统包括:第一监测单元,所述第一监测单元用于基于温度监测模块的温度传感器,对第一容置空间的温度进行监测,获得第一温度值;第一预设单元,所述第一预设单元用于基于温度设定模块,对所述第一容置空间进行温度值预设,获得第一预设温度;第一判断单元,所述第一判断单元用于判断所述第一温度值是否超出,或未达到所述第一预设温度;第一响应单元,所述第一响应单元用于若所述第一温度值超出所述第一预设温度,响应温度控制模块,获得第一温控逻辑;第二响应单元,所述第二响应单元用于若所述第一温度值未达到所述第一预设温度,响应所述温度控制模块,获得第二温控逻辑;第一控制单元,所述第一控制单元用于根据所述第一温控逻辑或所述第二温控逻辑,利用所述温度控制模块的半导体制冷片,对所述第一温度值进行恒温控制。
第三方面,本申请实施例还提供了一种恒温控制装置,所述装置中的温度控制模块包括:半导体制冷片,所述半导体制冷片嵌入式的固定于所述温度控制模块的内部,且所述半导体制冷片含有第一电流I/O口和第二电流I/O口,所述半导体制冷片的双向散热器用于进行双面控温;第一外接GPIO口,所述第一外接GPIO口通过第一三极管焊接于所述第一电流I/O口的一端,且用于控制所述半导体制冷片工作时的电流输入或输出;第二外接GPIO口,所述第二外接GPIO口通过第二三极管焊接于所述第一电流I/O口的另一端,且用于控制所述半导体制冷片工作时的电流输入或输出;第三外接GPIO口,所述第三外接GPIO口通过第三三极管焊接于所述第二电流I/O口的一端,且用于控制所述半导体制冷片工作时的电流输入或输出;第四外接GPIO口,所述第四外接GPIO口通过第四三极管焊接于所述第二电流I/O口的另一端,且用于控制所述半导体制冷片工作时的电流输入或输出。所述温度控制模块还包括:电源,用于对所述温度控制模块提供电能。
第四方面,提供了一种无线充电系统的控制装置,包括:处理器,所述处理器与存储器耦合,所述存储器用于存储程序,当所述程序被所述处理器执行时,使装置以执行如第一方面所述方法的步骤。
第五方面,提供了一种计算机可读存储介质,所述存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如第一方面所述方法的步骤。
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
通过温度传感器,对第一容置空间的温度进行监测,获得第一温度值;通过温度设定模块进行温度值预设,获得第一预设温度;判断第一温度值是否超出,或未达到第一预设温度;如果超出响应温度控制模块,获得第一温控逻辑;如果未达到响应温度控制模块,获得第二温控逻辑;根据第一温控逻辑或第二温控逻辑,利用半导体制冷片,对第一温度值进行恒温控制。基于制冷半导体开发的双向散热器,实现一面制热,一面制冷的设计,根据设定的预定温度值,达到了对实际的空间温度值进行精准调整,使得温度控制精度可以达到+/-1度以内,简化了装置结构,使得温控成本降低,且满足特定温控需求的技术效果。
上述说明仅是本申请技术方案的概述,为了能够更清楚了解本申请的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是示例性的,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例一种恒温控制方法的流程示意图;
图2为本申请实施例一种恒温控制方法中所述温度控制模块的控制电路的流程示意图;
图3为本申请实施例一种恒温控制系统的结构示意图;
图4为本申请实施例示例性电子设备的结构示意图;
图5为本申请实施例一种恒温控制方法的半导体制冷片的结构图;
图6为本申请实施例一种恒温控制方法的恒温控制箱的结构图。
附图标记说明:
第一监测单元11,第一预设单元12,第一判断单元13,第一响应单元14,第二响应单元15,第一控制单元16,总线300,接收器301,处理器302,发送器303,存储器304,总线接口305。
具体实施方式
本申请实施例通过提供一种恒温控制方法、系统及装置,解决了现有技术中恒温箱体积过大、温控成本高,无法满足特定温控需求的技术问题。基于制冷半导体开发的双向散热器,实现一面制热,一面制冷的设计,根据设定的预定温度值,达到了对实际的空间温度值进行精准调整,使得温度控制精度可以达到+/-1度以内,简化了装置结构,使得温控成本降低,且满足特定温控需求的技术效果。
本发明技术方案中对数据的获取、存储、使用、处理等均符合国家法律法规的相关规定。
下面,将参考附图对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例,而不是本申请的全部实施例,应理解,本申请不受这里描述的示例实施例的限制。基于本申请的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部。
本发明提供了一种恒温控制方法,所述方法应用于一种恒温控制装置,所述装置包括温度监测模块、温度设定模块以及温度控制模块,所述方法包括:基于所述温度监测模块的温度传感器,对第一容置空间的温度进行监测,获得第一温度值;基于所述温度设定模块,对所述第一容置空间进行温度值预设,获得第一预设温度;判断所述第一温度值是否超出,或未达到所述第一预设温度;若所述第一温度值超出所述第一预设温度,响应所述温度控制模块,获得第一温控逻辑;若所述第一温度值未达到所述第一预设温度,响应所述温度控制模块,获得第二温控逻辑;根据所述第一温控逻辑或所述第二温控逻辑,利用所述温度控制模块的半导体制冷片,对所述第一温度值进行恒温控制。
在介绍了本申请基本原理后,下面将结合说明书附图来具体介绍本申请的各种非限制性的实施方式。
实施例一
请参阅附图1,本申请实施例提供了一种恒温控制方法,其中,所述方法应用于一种恒温控制装置,所述装置包括温度监测模块、温度设定模块以及温度控制模块,所述方法包括:
步骤S100:基于所述温度监测模块的温度传感器,对第一容置空间的温度进行监测,获得第一温度值;
具体而言,由于环境温度控制有多种方式,常见的有冰箱,空调等带压缩机的恒温箱等,它们大多采用压缩机,通过制冷剂压缩散热,然后膨胀吸热的循环过程,让箱体内温度下降。然而由于恒温箱体积过大、温控成本高,使得无法满足某些特定温控需求,为了解决上述问题,本申请提出了一种恒温控制方法,通过将温度监测模块、温度设定模块以及温度控制模块应用于恒温控制方法,使得对空间内温度进行精准控制。
具体的,所述温度监测模块嵌入有温度传感器,基于温度传感器,可对空间内温度进行监测,其中,所述第一容置空间可理解为某一需要恒温控制的箱体或壳体等,示例性的,可将所述第一容置空间设定为配电柜中的恒温控制的箱体,若配电柜应用于高冷严寒地区时,因温度过低无法启动时,需要对所述第一容置空间进行一定温度的制热,使其正常启动;若启动工作一段时间之后,由于设备内部大量散热,影响正常工作,则需要对所述第一容置空间进行一定温度的制冷,使其工作温度保持恒定,所述第一温度值即为测量的所述第一容置空间内的实际的温度值。
步骤S200:基于所述温度设定模块,对所述第一容置空间进行温度值预设,获得第一预设温度;
步骤S300:判断所述第一温度值是否超出,或未达到所述第一预设温度;
具体而言,在获得所述第一容置空间的所述第一温度值之后,需要对所述第一容置空间进行温度值预设,示例性的,当需要配电柜工作温度保持恒定时,一般的,在配电柜内部的一些元件都是有使用条件的,并对它们的正常工作条件作了相应规定:周围空气温度的上限不超过40℃;周围空气温度24摄氏度的平均值不超过35℃;周围空气温度的下限不低于-25℃。所述第一预设温度在此以40℃为例进行说明,进而将所述第一温度值和所述第一预设温度进行对比,根据对比结果对第一容置空间内的温度进行动态调整,示例性的,若容置空间内温度达到了45℃,超出设定温度值5℃,可对容置空间内进行适当降温策略。
步骤S400:若所述第一温度值超出所述第一预设温度,响应所述温度控制模块,获得第一温控逻辑;
进一步的,步骤S400包括:
步骤S410:若所述第一温度值超出所述第一预设温度,且超出部分不满足预设温度变动阈值,调用第一切换指令;
步骤S420:根据所述第一切换指令,将所述半导体制冷片的第一外接GPIO口和第四外接GPIO口切换为高电频;
步骤S430:将所述半导体制冷片的第二外接GPIO口和第三外接GPIO口切换为低电频,对所述第一温度值进行恒温控制。
具体而言,如上述若容置空间内温度达到了45℃,超出设定温度值5℃,且超出部分满足不预设温度变动阈值,其中,所述预设温度变动阈值在此可设定为1℃,即容置空间内的实际温度应不超出1℃的变动阈值,在此,5℃已经超出了1℃,可调用第一切换指令,所述第一切换指令用于对所述半导体制冷片的工作电路进行具体切换。且所述第一温控逻辑适用于容置空间内的实际温度超出设定温度且超出部分在1℃变动阈值之外的时的恒温控制逻辑。
具体的,根据所述第一切换指令,将所述半导体制冷片的第一外接GPIO口和第四外接GPIO口切换为高电频;将所述半导体制冷片的第二外接GPIO口和第三外接GPIO口切换为低电频,对所述第一温度值进行恒温控制。其中,半导体制冷片,也叫热电制冷片,是一种热泵。它的优点是没有滑动部件,应用在一些空间受到限制,可靠性要求高,无制冷剂污染的场合。利用半导体材料的Peltier效应,当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时,在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量,可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术,其特点是无运动部件,可靠性也比较高。GPIO接口是通用输入输出端口,一般来讲,就是一些引脚,可以通过他们输出高低电平或者通过它们引入引脚状态,即是高电平还是低电平,GPIO操作是所有硬件操作的基础。
当检测到容置空间内部温度大于设定温度时,将所述半导体制冷片的第一外接GPIO口和第四外接GPIO口切换为高电频、将第二外接GPIO口和第三外接GPIO口切换为低电频,如图2所示,使得电流从所述半导体制冷片的A端流向B端,进而,使得容置空间内部排出冷气,将热气排到外部空间,从而动态调整容置空间内的温度,使得容置空间内温度有所降低。
步骤S500:若所述第一温度值未达到所述第一预设温度,响应所述温度控制模块,获得第二温控逻辑;
进一步的,步骤S500包括:
步骤S510:若所述第一温度值未达到所述第一预设温度,且未达到部分不满足所述预设温度变动阈值,调用第二切换指令;
步骤S520:根据所述第二切换指令,将所述半导体制冷片的第一外接GPIO口和第四外接GPIO口切换为低电频;
步骤S530:将所述半导体制冷片的第二外接GPIO口和第三外接GPIO口切换为高电频,对所述第一温度值进行恒温控制。
具体而言,当所述第一温度值为35℃,没有达到设定温度值40℃时,且未达到部分不满足所述预设温度变动阈值,即未达到的5℃的温度差值不满足设定的1℃的温度变动阈值,可根据所述第二切换指令,将所述半导体制冷片的第一外接GPIO口和第四外接GPIO口切换为低电频;将所述半导体制冷片的第二外接GPIO口和第三外接GPIO口切换为高电频,如图2所示,使得电流从所述半导体制冷片的B端流向A端,即切换电流方向,进而使得容置空间内部制热,外部排出冷气,从而动态调整容置空间内的温度,使得容置空间内温度有所升高。且所述第二温控逻辑适用于容置空间内的实际温度未达到设定温度,且未达到部分在1℃变动阈值之外的时的恒温控制逻辑。
步骤S600:根据所述第一温控逻辑或所述第二温控逻辑,利用所述温度控制模块的半导体制冷片,对所述第一温度值进行恒温控制。
进一步的,步骤S600包括:
步骤S610:若所述第一温度值超出所述第一预设温度,且所述超出部分满足所述预设温度变动阈值,或,所述第一温度值未达到所述第一预设温度,且所述未达到部分满足所述预设温度变动阈值,调用第三切换指令;
步骤S620:根据所述第三切换指令,将所述半导体制冷片的第一外接GPIO口、第二外接GPIO口、第三外接GPIO口以及第四外接GPIO口均切换为低电频,对所述第一温度值进行恒温控制。
具体而言,当存在容置空间内的实际温度超出设定温度且超出部分在1℃变动阈值之外,或容置空间内的实际温度未达到设定温度,且未达到部分在1℃变动阈值之外,这两种情况,可利用所述温度控制模块的半导体制冷片,对所述第一温度值进行恒温控制。其中,如图5所示,为所述半导体制冷片,其中,半导体制冷片正反面各贴了一块散热器,一面出热气,一面出冷气。用于对空间内温度进行恒温控制。通过将所述半导体制冷片设计装到箱体内,如图6所示,即作为一个恒温控制箱,具体的,把一个面放在箱子内部,一面放在箱子外部。箱子内放温度传感器。当侦测到箱子内部温度大于设定温度时,自动切换让内部排出冷气,热气排出外面;相反,当内部温度比设定温度低时,切换电流方向,让内部制热,外部排出冷气。实现对容置空间的恒温控制。
此外,还存在另外两种情况,即所述第一温度值超出所述第一预设温度,且所述超出部分满足所述预设温度变动阈值,示例性的,当所述第一温度值为40.5℃时,较所述第一预设温度40℃,未达到1℃的温度变动阈值;或所述第一温度值未达到所述第一预设温度,且所述未达到部分满足所述预设温度变动阈值,示例性的,当所述第一温度值为39.5℃时,较所述第一预设温度40℃,未达到1℃的温度变动阈值,当存在上述两种情况时,可根据第三切换指令,将所述半导体制冷片的第一外接GPIO口、第二外接GPIO口、第三外接GPIO口以及第四外接GPIO口均切换为低电频,实现对容置空间的实际温度值进行恒温控制。
综上所述,本申请实施例所提供的一种恒温控制方法具有如下技术效果:
通过温度传感器,对第一容置空间的温度进行监测,获得第一温度值;通过温度设定模块进行温度值预设,获得第一预设温度;判断第一温度值是否超出,或未达到第一预设温度;如果超出响应温度控制模块,获得第一温控逻辑;如果未达到响应温度控制模块,获得第二温控逻辑;根据第一温控逻辑或第二温控逻辑,利用半导体制冷片,对第一温度值进行恒温控制。基于制冷半导体开发的双向散热器,实现一面制热,一面制冷的设计,根据设定的预定温度值,达到了对实际的空间温度值进行精准调整,使得温度控制精度可以达到+/-1度以内,简化了装置结构,使得温控成本降低,且满足特定温控需求的技术效果。
实施例二
基于与前述实施例一中的一种恒温控制方法,同样发明构思,本发明还提供了一种恒温控制系统,请参阅附图3,所述系统包括:
第一监测单元11,所述第一监测单元11用于基于温度监测模块的温度传感器,对第一容置空间的温度进行监测,获得第一温度值;
第一预设单元12,所述第一预设单元12用于基于温度设定模块,对所述第一容置空间进行温度值预设,获得第一预设温度;
第一判断单元13,所述第一判断单元13用于判断所述第一温度值是否超出,或未达到所述第一预设温度;
第一响应单元14,所述第一响应单元14用于若所述第一温度值超出所述第一预设温度,响应温度控制模块,获得第一温控逻辑;
第二响应单元15,所述第二响应单元15用于若所述第一温度值未达到所述第一预设温度,响应所述温度控制模块,获得第二温控逻辑;
第一控制单元16,所述第一控制单元16用于根据所述第一温控逻辑或所述第二温控逻辑,利用所述温度控制模块的半导体制冷片,对所述第一温度值进行恒温控制。
进一步的,所述系统还包括:
第一调用指令,所述第一调用指令用于若所述第一温度值超出所述第一预设温度,且超出部分满足预设温度变动阈值,调用第一切换指令;
第一切换单元,所述第一切换单元用于根据所述第一切换指令,将所述半导体制冷片的第一外接GPIO口和第四外接GPIO口切换为高电频;
第二控制单元,所述第二控制单元用于将所述半导体制冷片的第二外接GPIO口和第三外接GPIO口切换为低电频,对所述第一温度值进行恒温控制。
进一步的,所述系统还包括:
第二调用单元,所述第二调用单元用于若所述第一温度值未达到所述第一预设温度,且未达到部分满足所述预设温度变动阈值,调用第二切换指令;
第二切换单元,所述第二切换单元用于根据所述第二切换指令,将所述半导体制冷片的第一外接GPIO口和第四外接GPIO口切换为低电频;
第三控制单元,所述第三控制单元用于将所述半导体制冷片的第二外接GPIO口和第三外接GPIO口切换为高电频,对所述第一温度值进行恒温控制。
进一步的,所述系统还包括:
第三调用单元,所述第三调用单元用于若所述第一温度值超出所述第一预设温度,且所述超出部分不满足所述预设温度变动阈值,或,所述第一温度值未达到所述第一预设温度,且所述未达到部分不满足所述预设温度变动阈值,调用第三切换指令;
第四控制单元,所述第四控制单元用于根据所述第三切换指令,将所述半导体制冷片的第一外接GPIO口、第二外接GPIO口、第三外接GPIO口以及第四外接GPIO口均切换为低电频,对所述第一温度值进行恒温控制。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,前述图1实施例一中的一种恒温控制方法和具体实例同样适用于本实施例的一种恒温控制系统,通过前述对一种恒温控制方法的详细描述,本领域技术人员可以清楚的知道本实施例中一种恒温控制系统,所以为了说明书的简洁,在此不再详述。对于实施例公开的装置而言,由于其与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
实施例三
基于与前述实施例一中的一种恒温控制方法,同样发明构思,本发明还提供了一种恒温控制装置,请参阅附图2,所述装置中的温度控制模块包括:
半导体制冷片,所述半导体制冷片嵌入式的固定于所述温度控制模块的内部,且所述半导体制冷片含有第一电流I/O口和第二电流I/O口,所述半导体制冷片的双向散热器用于进行双面控温;
第一外接GPIO口,所述第一外接GPIO口通过第一三极管焊接于所述第一电流I/O口的一端,且用于控制所述半导体制冷片工作时的电流输入或输出;
第二外接GPIO口,所述第二外接GPIO口通过第二三极管焊接于所述第一电流I/O口的另一端,且用于控制所述半导体制冷片工作时的电流输入或输出;
第三外接GPIO口,所述第三外接GPIO口通过第三三极管焊接于所述第二电流I/O口的一端,且用于控制所述半导体制冷片工作时的电流输入或输出;
第四外接GPIO口,所述第四外接GPIO口通过第四三极管焊接于所述第二电流I/O口的另一端,且用于控制所述半导体制冷片工作时的电流输入或输出。
电源,用于对所述温度控制模块提供电能。
具体而言,对所述第一容置空间进行恒温控制时,需要基于所述温度控制模块的控制电路进行温控操作,具体的,所述控制电路包括半导体制冷片、第一外接GPIO口、第二外接GPIO口、第三外接GPIO口、第四外接GPIO口以及电源等组件。
所述半导体制冷片,嵌入式的固定于所述温度控制模块的内部,可实现一面制冷、一面制热的双向散热,所述半导体制冷片设置有第一电流I/O口和第二电流I/O口,其中,所述第一电流I/O口和第二电流I/O口分别设置在所述半导体制冷片的两侧,用于对支持所述半导体制冷片的工作电流进行输入或输出,其中,所述第一电流I/O口和第二电流I/O口均各自设置有两个端口。
所述第一外接GPIO口通过第一三极管焊接于所述第一电流I/O口的一端,所述第二外接GPIO口通过第二三极管焊接于所述第一电流I/O口的另一端,即所述第一外接GPIO口和所述第二外接GPIO口焊接于所述第一电流I/O口的外部端口。其中,三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
所述第三外接GPIO口通过第三三极管焊接于所述第二电流I/O口的一端,所述第四外接GPIO口通过第四三极管焊接于所述第二电流I/O口的另一端,即所述第三外接GPIO口和所述第四外接GPIO口焊接于所述第二电流I/O口的外部端口,且所述第一外接GPIO口、所述第二外接GPIO口、所述第三外接GPIO口以及所述第四外接GPIO口均用于控制所述半导体制冷片工作时的电流输入或输出。
所述控制电路还包括电源模块,用于对整个控制电路进行电能供给,使得所述温度控制模块进行正常工作。
示例性电子设备
下面参考图4来描述本申请实施例的电子设备。
图4图示了根据本申请实施例的电子设备的结构示意图。
基于与前述实施例一中的一种恒温控制方法的发明构思,本发明还提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该程序被处理器执行时实现前文所述一种恒温控制方法的任一方法的步骤。
其中,在图4中,总线架构(用总线300来代表),总线300可以包括任意数量的互联的总线和桥,总线300将包括由处理器302代表的一个或多个处理器和存储器304代表的存储器的各种电路链接在一起。总线300还可以将诸如外围设备、稳压器和功率管理电路等之类的各种其他电路链接在一起,这些都是本领域所公知的,因此,本文不再对其进行进一步描述。总线接口305在总线300和接收器301和发送器303之间提供接口。接收器301和发送器303可以是同一个元件,即收发机,提供用于在传输介质上与各种其他装置通信的单元。
处理器302负责管理总线300和通常的处理,而存储器304可以被用于存储处理器302在执行操作时所使用的数据。
本申请提供了一种恒温控制方法,所述方法应用于一种恒温控制装置,所述装置包括温度监测模块、温度设定模块以及温度控制模块,所述方法包括:基于所述温度监测模块的温度传感器,对第一容置空间的温度进行监测,获得第一温度值;基于所述温度设定模块,对所述第一容置空间进行温度值预设,获得第一预设温度;判断所述第一温度值是否超出,或未达到所述第一预设温度;若所述第一温度值超出所述第一预设温度,响应所述温度控制模块,获得第一温控逻辑;若所述第一温度值未达到所述第一预设温度,响应所述温度控制模块,获得第二温控逻辑;根据所述第一温控逻辑或所述第二温控逻辑,利用所述温度控制模块的半导体制冷片,对所述第一温度值进行恒温控制。解决了现有技术中恒温箱体积过大、温控成本高,无法满足特定温控需求的技术问题。基于制冷半导体开发的双向散热器,实现一面制热,一面制冷的设计,根据设定的预定温度值,达到了对实际的空间温度值进行精准调整,使得温度控制精度可以达到+/-1度以内,简化了装置结构,使得温控成本降低,且满足特定温控需求的技术效果。
本领域内的技术人员应明白,本申请的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此,本申请可采用完全软件实施例、完全硬件实施例、或结合软件和硬件方面实施例的形式。此外,本申请为可以在一个或多个包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质上实施的计算机程序产品的形式。而所述的计算机可用存储介质包括但不限于:U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-0nly Memory,简称ROM)、随机存取存储器(Random AccessMemory,简称RAM)、磁盘存储器、只读光盘(Compact Disc Read-Only Memory,简称CD-ROM)、光学存储器等各种可以存储程序代码的介质。
本发明是参照本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的系统。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中,使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令系统的制造品,该指令系统实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上,使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理,从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。尽管已描述了本发明的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种恒温控制方法,其特征在于,所述方法应用于一种恒温控制装置,所述装置包括温度监测模块、温度设定模块以及温度控制模块,所述方法包括:
基于所述温度监测模块的温度传感器,对第一容置空间的温度进行监测,获得第一温度值;
基于所述温度设定模块,对所述第一容置空间进行温度值预设,获得第一预设温度;
判断所述第一温度值是否超出,或未达到所述第一预设温度;
若所述第一温度值超出所述第一预设温度,响应所述温度控制模块,获得第一温控逻辑;
若所述第一温度值未达到所述第一预设温度,响应所述温度控制模块,获得第二温控逻辑;
根据所述第一温控逻辑或所述第二温控逻辑,利用所述温度控制模块的半导体制冷片,对所述第一温度值进行恒温控制。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获得第一温控逻辑,包括:
若所述第一温度值超出所述第一预设温度,且超出部分不满足预设温度变动阈值,调用第一切换指令;
根据所述第一切换指令,将所述半导体制冷片的第一外接GPIO口和第四外接GPIO口切换为高电频;
将所述半导体制冷片的第二外接GPIO口和第三外接GPIO口切换为低电频,对所述第一温度值进行恒温控制。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获得第二温控逻辑,包括:
若所述第一温度值未达到所述第一预设温度,且未达到部分不满足所述预设温度变动阈值,调用第二切换指令;
根据所述第二切换指令,将所述半导体制冷片的第一外接GPIO口和第四外接GPIO口切换为低电频;
将所述半导体制冷片的第二外接GPIO口和第三外接GPIO口切换为高电频,对所述第一温度值进行恒温控制。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法包括:
若所述第一温度值超出所述第一预设温度,且所述超出部分满足所述预设温度变动阈值,或,所述第一温度值未达到所述第一预设温度,且所述未达到部分满足所述预设温度变动阈值,调用第三切换指令;
根据所述第三切换指令,将所述半导体制冷片的第一外接GPIO口、第二外接GPIO口、第三外接GPIO口以及第四外接GPIO口均切换为低电频,对所述第一温度值进行恒温控制。
5.一种恒温控制系统,其特征在于,所述系统包括:
第一监测单元,所述第一监测单元用于基于温度监测模块的温度传感器,对第一容置空间的温度进行监测,获得第一温度值;
第一预设单元,所述第一预设单元用于基于温度设定模块,对所述第一容置空间进行温度值预设,获得第一预设温度;
第一判断单元,所述第一判断单元用于判断所述第一温度值是否超出,或未达到所述第一预设温度;
第一响应单元,所述第一响应单元用于若所述第一温度值超出所述第一预设温度,响应温度控制模块,获得第一温控逻辑;
第二响应单元,所述第二响应单元用于若所述第一温度值未达到所述第一预设温度,响应所述温度控制模块,获得第二温控逻辑;
第一控制单元,所述第一控制单元用于根据所述第一温控逻辑或所述第二温控逻辑,利用所述温度控制模块的半导体制冷片,对所述第一温度值进行恒温控制。
6.一种恒温控制装置,所述装置中的温度控制模块包括:
半导体制冷片,所述半导体制冷片嵌入式的固定于所述温度控制模块的内部,且所述半导体制冷片含有第一电流I/O口和第二电流I/O口,所述半导体制冷片的双向散热器用于进行双面控温;
第一外接GPIO口,所述第一外接GPIO口通过第一三极管焊接于所述第一电流I/O口的一端,且用于控制所述半导体制冷片工作时的电流输入或输出;
第二外接GPIO口,所述第二外接GPIO口通过第二三极管焊接于所述第一电流I/O口的另一端,且用于控制所述半导体制冷片工作时的电流输入或输出;
第三外接GPIO口,所述第三外接GPIO口通过第三三极管焊接于所述第二电流I/O口的一端,且用于控制所述半导体制冷片工作时的电流输入或输出;
第四外接GPIO口,所述第四外接GPIO口通过第四三极管焊接于所述第二电流I/O口的另一端,且用于控制所述半导体制冷片工作时的电流输入或输出。
7.如权利要求6所述的一种恒温控制装置,其特征在于,所述温度控制模块还包括:电源,用于对所述温度控制模块提供电能。
8.一种恒温控制装置,其特征在于,包括:处理器,所述处理器与存储器耦合,所述存储器用于存储程序,当所述程序被所述处理器执行时,使装置以执行如权利要求1至4任一项所述方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质,所述存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4任一项所述方法的步骤。
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